JP2021092803A - 表示装置の作製方法 - Google Patents
表示装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021092803A JP2021092803A JP2021020647A JP2021020647A JP2021092803A JP 2021092803 A JP2021092803 A JP 2021092803A JP 2021020647 A JP2021020647 A JP 2021020647A JP 2021020647 A JP2021020647 A JP 2021020647A JP 2021092803 A JP2021092803 A JP 2021092803A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- support
- peeled
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 121
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 401
- 239000010408 film Substances 0.000 description 217
- 239000002585 base Substances 0.000 description 49
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 45
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 42
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 35
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 33
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 29
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 24
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 19
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 15
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 12
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 12
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 12
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 11
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 9
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 8
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 4
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 4
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102220471968 Single-stranded DNA cytosine deaminase_K10A_mutation Human genes 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- -1 silicon oxide nitride Chemical class 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018120 Al-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
Abstract
【課題】利便性または信頼性に優れた新規な表示装置の作製方法を提供する。【解決手段】第1の絶縁膜と発光素子250を所定の等方性を備える第1の支持体41と第2の支持体42の間に有する構成とする。【選択図】図1
Description
本発明の一態様は、発光装置または発光装置の作製方法に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
入出力装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることが
できる。
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
入出力装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることが
できる。
大きな画面を備える表示装置は多くの情報を表示することができる。よって、一覧性に優
れ、情報処理装置に好適である。
れ、情報処理装置に好適である。
また、情報伝達手段に係る社会基盤が充実されている。これにより、多様で潤沢な情報を
職場や自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるよう
になっている。このような背景において、携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されてい
る。
職場や自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるよう
になっている。このような背景において、携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されてい
る。
例えば、携帯可能な情報処理装置は屋外で使用されることが多く、落下により思わぬ力が
情報処理装置およびそれに用いられる表示装置に加わることがある。破壊されにくい表示
装置の一例として、発光層を分離する構造体と第2の電極層との密着性が高められた構成
が知られている(特許文献1)。
情報処理装置およびそれに用いられる表示装置に加わることがある。破壊されにくい表示
装置の一例として、発光層を分離する構造体と第2の電極層との密着性が高められた構成
が知られている(特許文献1)。
本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供することを課題の
一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供するこ
とを課題の一とする。または、新規な発光装置、または新規な発光装置の作製方法を提供
することを課題の一とする。または、新規な表示装置、または新規な表示装置の作製方法
を提供することを課題の一とする。
一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供するこ
とを課題の一とする。または、新規な発光装置、または新規な発光装置の作製方法を提供
することを課題の一とする。または、新規な表示装置、または新規な表示装置の作製方法
を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、第1の支持体と、第1の支持体に重なる第1の被剥離層と、第1の被
剥離層に重なる接合層と、接合層に重なる第2の支持体と、を有する発光装置である。
剥離層に重なる接合層と、接合層に重なる第2の支持体と、を有する発光装置である。
そして、第1の支持体は等方性を備え、第1の被剥離層は第1の支持体がある側から第1
の絶縁膜および発光素子をこの順番で備える。
の絶縁膜および発光素子をこの順番で備える。
第1の支持体または第2の支持体の少なくとも一方は、発光素子が射出する光を透過する
。
。
本発明の一態様は、第1の支持体と、第1の支持体に重なる第1の被剥離層と、第1の被
剥離層に重なる接合層と、接合層に重なる第2の被剥離層と、第2の被剥離層に重なる第
2の支持体と、を有する発光装置である。
剥離層に重なる接合層と、接合層に重なる第2の被剥離層と、第2の被剥離層に重なる第
2の支持体と、を有する発光装置である。
そして、第1の支持体は等方性を備え、第1の被剥離層は第1の支持体がある側から第1
の絶縁膜および発光素子をこの順番で備える。
の絶縁膜および発光素子をこの順番で備える。
第2の被剥離層は、第2の絶縁膜を備え、第1の支持体または第2の支持体の少なくとも
一方は、発光素子が射出する光を透過する。
一方は、発光素子が射出する光を透過する。
また、本発明の一態様は、第2の支持体が等方性を備える材料を含む上記の発光装置であ
る。
る。
また、本発明の一態様は、第2の被剥離層と前記第2の支持体の間に接着層を有し、第2
の支持体が異方性を備える材料を含む上記の発光装置である。
の支持体が異方性を備える材料を含む上記の発光装置である。
また、本発明の一態様は、第1の被剥離層が発光素子と電気的に接続する端子部を備え、
第2の支持体が端子部に重なる開口部を備える上記の発光装置である。
第2の支持体が端子部に重なる開口部を備える上記の発光装置である。
上記本発明の一態様の発光装置は、第1の絶縁膜と発光素子を第1の支持体と第2の支持
体の間に含んで構成される。これにより、絶縁膜および発光素子を第1の支持体および第
2の支持体を用いて保護することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規
な発光装置を提供することができる。
体の間に含んで構成される。これにより、絶縁膜および発光素子を第1の支持体および第
2の支持体を用いて保護することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規
な発光装置を提供することができる。
また、本発明の一態様は、以下の4つのステップを有する発光装置の作製方法である。
第1のステップにおいて、第1の基板と、第1の基板に重なる第1の剥離層と、第1の剥
離層に重なる第1の被剥離層と、第1の被剥離層に重なる接合層と、接合層に重なる第2
の支持体と、を備える加工部材を準備する。なお、第1の被剥離層は第1の絶縁膜および
発光素子を備える。第1の絶縁膜は発光素子より第1の基板がある側に設けられる。そし
て、加工部材の接合層の端部に重なる位置の近傍に、第1の被剥離層の一部が前記第1の
基板から分離した第1の剥離の起点を形成する。
離層に重なる第1の被剥離層と、第1の被剥離層に重なる接合層と、接合層に重なる第2
の支持体と、を備える加工部材を準備する。なお、第1の被剥離層は第1の絶縁膜および
発光素子を備える。第1の絶縁膜は発光素子より第1の基板がある側に設けられる。そし
て、加工部材の接合層の端部に重なる位置の近傍に、第1の被剥離層の一部が前記第1の
基板から分離した第1の剥離の起点を形成する。
第2のステップにおいて、第1の剥離の起点から、第1の基板を含む表層を前記加工部材
から分離して、第1の残部を得る。
から分離して、第1の残部を得る。
第3のステップにおいて、第1の被剥離層に流動性を有する材料を塗布する。
第4のステップにおいて、材料を硬化して、第1の支持体を形成する。
また、本発明の一態様は、以下の8つのステップを有する発光装置の作製方法である。
第1のステップにおいて、第1の基板と、第1の基板に重なる第1の剥離層と、第1の剥
離層に重なる第1の被剥離層と、第1の被剥離層に重なる接合層と、接合層に重なる第2
の被剥離層と、第2の被剥離層に重なる第2の剥離層と、第2の剥離層に重なる第2の基
板と、を備える加工部材を準備する。なお、第1の被剥離層は、第1の絶縁膜および発光
素子を備える。第1の絶縁膜は、前記発光素子より前記第1の基板がある側に設けられる
。第2の被剥離層は、第2の絶縁膜を備える。また、加工部材の接合層の端部に重なる位
置の近傍に、第1の被剥離層の一部が前記第1の基板から分離した第1の剥離の起点を形
成する。
離層に重なる第1の被剥離層と、第1の被剥離層に重なる接合層と、接合層に重なる第2
の被剥離層と、第2の被剥離層に重なる第2の剥離層と、第2の剥離層に重なる第2の基
板と、を備える加工部材を準備する。なお、第1の被剥離層は、第1の絶縁膜および発光
素子を備える。第1の絶縁膜は、前記発光素子より前記第1の基板がある側に設けられる
。第2の被剥離層は、第2の絶縁膜を備える。また、加工部材の接合層の端部に重なる位
置の近傍に、第1の被剥離層の一部が前記第1の基板から分離した第1の剥離の起点を形
成する。
第2のステップにおいて、第1の剥離の起点から、第1の基板を含む表層を前記加工部材
から分離して、第1の残部を得る。
から分離して、第1の残部を得る。
第3のステップにおいて、第1の被剥離層に流動性を有する材料を塗布する。
第4のステップにおいて、材料を硬化して第1の支持体を形成し、積層体を形成する。
第5のステップにおいて、第2の被剥離層の一部が前記第2の基板から分離した第2の剥
離の起点を形成する。
離の起点を形成する。
第6のステップにおいて、第2の剥離の起点から、前記第2の基板を含む表層を前記積層
体から分離して、第2の残部を得る。
体から分離して、第2の残部を得る。
第7のステップにおいて、第2の被剥離層に流動性を有する材料を塗布する。
第8のステップにおいて、材料を硬化して第2の支持体を形成する。
また、本発明の一態様は、上記の第7のステップおよび第8のステップに代えて、以下の
ステップを有する発光装置の作製方法である。
ステップを有する発光装置の作製方法である。
第7のステップにおいて、接着層を用いて第2の支持体を第2の被剥離層に貼り合わせる
。
。
第8のステップにおいて接着層を硬化する。
上記本発明の一態様の発光装置の作製方法は、流動性を有する材料を用いて第1の被剥離
層に重なる第1の支持体を形成するステップを含んで構成される。これにより、第1の支
持体を形成する際に第1の被剥離層に加わる圧力を低減することができる。その結果、利
便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供することができる。
層に重なる第1の支持体を形成するステップを含んで構成される。これにより、第1の支
持体を形成する際に第1の被剥離層に加わる圧力を低減することができる。その結果、利
便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供することができる。
また、本発明の一態様は、上記の発光装置と、FPCまたはタッチセンサと、を有するモ
ジュールである。
ジュールである。
また、本発明の一態様は、上記の発光装置または上記のモジュールと、マイク、アンテナ
、バッテリー、操作スイッチまたは筐体と、を有する電子機器である。
、バッテリー、操作スイッチまたは筐体と、を有する電子機器である。
なお、本明細書において、エレクトロルミネッセンス素子の一対の電極間に設けられた層
をEL層という。また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光性の有機化合物を含
む発光層を備える。従って、一対の電極間に設けられた発光層はEL層の一態様である。
をEL層という。また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光性の有機化合物を含
む発光層を備える。従って、一対の電極間に設けられた発光層はEL層の一態様である。
なお、本明細書中において、画像表示装置または光源(照明装置含む)は、発光装置に含
まれる。
まれる。
また、FPC(Flexible printed circuit)またはTCP(T
ape Carrier Package)等のコネクターが取り付けられたモジュール
、当該モジュールのTCPの先にプリント配線板が取り付けられたものもしくはCOG(
Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が実装され且つ発光素子が形
成された基板も、発光装置に含まれる。
ape Carrier Package)等のコネクターが取り付けられたモジュール
、当該モジュールのTCPの先にプリント配線板が取り付けられたものもしくはCOG(
Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が実装され且つ発光素子が形
成された基板も、発光装置に含まれる。
また、本明細書中において、トランジスタの第1の電極または第2の電極の一方がソース
電極を、他方がドレイン電極を指す。
電極を、他方がドレイン電極を指す。
本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供できる。ま
たは、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供できる。または、新
規な発光装置、新規な発光装置の作製方法、新規な表示装置または新規な装置を提供でき
る。
たは、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供できる。または、新
規な発光装置、新規な発光装置の作製方法、新規な表示装置または新規な装置を提供でき
る。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
本発明の一態様の発光装置は、等方性を備える第1の支持体と第2の支持体の間に第1の
絶縁膜と発光素子を含んで構成される。
絶縁膜と発光素子を含んで構成される。
これにより、絶縁膜および発光素子を第1の支持体および第2の支持体を用いて保護する
ことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供できる。ま
たは、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供できる。または、新
規な発光装置、新規な発光装置の作製方法または新規な装置を提供できる。
ことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供できる。ま
たは、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供できる。または、新
規な発光装置、新規な発光装置の作製方法または新規な装置を提供できる。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応
じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜
」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用
語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜
」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用
語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の構成について、図1を参照しながら説明
する。図1は本発明の一態様の発光装置200A乃至発光装置200Cの構成を説明する
図である。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の構成について、図1を参照しながら説明
する。図1は本発明の一態様の発光装置200A乃至発光装置200Cの構成を説明する
図である。
図1(A)は本発明の一態様の発光装置200A乃至発光装置200Cの上面図であり、
図1(B1)は図1(A)の切断線X1−X2における発光装置200Aの断面図である
。
図1(B1)は図1(A)の切断線X1−X2における発光装置200Aの断面図である
。
<発光装置の構成例1.>
本実施の形態で説明する発光装置200Aは、第1の支持体41と、第1の支持体41に
重なる第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13に重なる接合層30と、接合層30に
重なる第2の支持体42と、をこの順番で有する(図1(B1)参照)。
本実施の形態で説明する発光装置200Aは、第1の支持体41と、第1の支持体41に
重なる第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13に重なる接合層30と、接合層30に
重なる第2の支持体42と、をこの順番で有する(図1(B1)参照)。
第1の支持体41は、所定の等方性を備える。
第1の被剥離層13は、第1の支持体41がある側から第1の絶縁膜および発光素子をこ
の順番で備える。
の順番で備える。
第1の支持体41または第2の支持体42の少なくとも一方は、発光素子が射出する光を
透過する。
透過する。
本実施の形態で説明する発光装置200Aは、第1の絶縁膜と発光素子を第1の支持体4
1と第2の支持体42の間に含んで構成される。これにより、絶縁膜および発光素子を第
1の支持体41および第2の支持体42を用いて保護することができる。その結果、利便
性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供することができる。
1と第2の支持体42の間に含んで構成される。これにより、絶縁膜および発光素子を第
1の支持体41および第2の支持体42を用いて保護することができる。その結果、利便
性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供することができる。
なお、第2の支持体42は、所定の等方性を備える材料を含む。
また、第1の被剥離層13は、発光素子と電気的に接続する端子219を備える。
第2の支持体42は、端子219に重なる開口部を備える。
以下に、発光装置200Aを構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成
は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合が
ある。
は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合が
ある。
《本発明の一態様の構成》
発光装置200Aは、第1の支持体41、第1の被剥離層13、接合層30または第2の
支持体42を有する。
発光装置200Aは、第1の支持体41、第1の被剥離層13、接合層30または第2の
支持体42を有する。
《第1の支持体41》
第1の支持体41は、例えば第1の被剥離層13と接する。
第1の支持体41は、例えば第1の被剥離層13と接する。
第1の支持体41または第2の支持体42の少なくとも一方は、発光素子が射出する光を
透過する。
透過する。
第1の支持体41は、所定の等方性を備える。例えば、第1の支持体41は光学的な等方
性または力学的な等方性等を有する材料を含む。具体的には、第1の支持体41が広がる
平面に含まれる直交する二つの方向についての屈折率の異方性が2×10−4未満、好ま
しくは8×10−5以下、より好ましくは5×10−5以下、より好ましくは3×10−
5以下の複屈折を備える材料を用いることができる。光学的な等方性を有する材料は、光
学フィルムの光学特性を損なうおそれが少ない。例えば、偏光フィルムの特性を損なうお
それが少ない。具体的には、円偏光板の特性を損なうおそれが少ない。また、弾性率の等
方性または破断強度の等方性などを力学的な等方性ということができる。
性または力学的な等方性等を有する材料を含む。具体的には、第1の支持体41が広がる
平面に含まれる直交する二つの方向についての屈折率の異方性が2×10−4未満、好ま
しくは8×10−5以下、より好ましくは5×10−5以下、より好ましくは3×10−
5以下の複屈折を備える材料を用いることができる。光学的な等方性を有する材料は、光
学フィルムの光学特性を損なうおそれが少ない。例えば、偏光フィルムの特性を損なうお
それが少ない。具体的には、円偏光板の特性を損なうおそれが少ない。また、弾性率の等
方性または破断強度の等方性などを力学的な等方性ということができる。
例えば、流動性を有する材料を第1の被剥離層13に塗布した後に硬化させて固体状の膜
を成形し、得られた膜を第1の支持体41に用いることができる。
を成形し、得られた膜を第1の支持体41に用いることができる。
例えば、可撓性を有する材料を第1の支持体41に用いることができる。
例えば、樹脂またはプラスチック等の有機材料を第1の支持体41に用いることができる
。
。
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等を、第1の支持体41に用いることができる。
ト、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等を、第1の支持体41に用いることができる。
例えば、繊維状または粒子状の無機材料(具体的には金属、金属酸化物、無機酸化物また
はガラスなど)が分散された複合材料を、第1の支持体41に用いることができる。
はガラスなど)が分散された複合材料を、第1の支持体41に用いることができる。
具体的には硬化後の厚さが50μmになるように塗布された2液型のエポキシ樹脂を用い
ることができる。例えば、型番TB2001(株式会社スリーボンド社製)または型番T
B2022(株式会社スリーボンド社製)を用いることができる。
ることができる。例えば、型番TB2001(株式会社スリーボンド社製)または型番T
B2022(株式会社スリーボンド社製)を用いることができる。
《第1の被剥離層13》
第1の被剥離層13は、絶縁膜および発光素子を含む。
第1の被剥離層13は、絶縁膜および発光素子を含む。
第1の被剥離層13は、絶縁膜を発光素子に比べて第1の支持体41側に備える。
また、第1の被剥離層13は、発光素子と電気的に接続する端子219を備える。
《絶縁膜》
第1の被剥離層13の絶縁膜は、単層の構造または複数の層が積層された積層構造を備え
る。
第1の被剥離層13の絶縁膜は、単層の構造または複数の層が積層された積層構造を備え
る。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料を含む層を第1の被剥離層13の絶縁膜に
用いることができる。
用いることができる。
例えば、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等の無機材料を、第1の被剥
離層13の絶縁膜に用いることができる。
離層13の絶縁膜に用いることができる。
具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素またはアルミナ等を含む膜を用いることが
できる。
できる。
例えば、発光素子の機能を損なう不純物が発光素子に拡散してしまう現象を防ぐことがで
きる膜を、絶縁膜に用いることができる。
きる膜を、絶縁膜に用いることができる。
具体的には、第1の支持体41の側から順に、厚さ600nmの酸化窒化珪素膜および厚
さ200nmの窒化珪素膜が積層された積層膜を、絶縁膜に用いることができる。なお、
酸化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸
素の組成より多い。
さ200nmの窒化珪素膜が積層された積層膜を、絶縁膜に用いることができる。なお、
酸化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸
素の組成より多い。
具体的には、第1の支持体41の側から順に、厚さ600nmの酸化窒化珪素膜、厚さ2
00nmの窒化珪素膜、厚さ200nmの酸化窒化珪素膜、厚さ140nmの窒化酸化珪
素膜および厚さ100nmの酸化窒化珪素膜が積層された積層膜を、絶縁膜に用いること
ができる。
00nmの窒化珪素膜、厚さ200nmの酸化窒化珪素膜、厚さ140nmの窒化酸化珪
素膜および厚さ100nmの酸化窒化珪素膜が積層された積層膜を、絶縁膜に用いること
ができる。
《発光素子》
第1の被剥離層13の発光素子は、第1の支持体41または第2の支持体42の少なくと
も一方に向けて光を射出する。
第1の被剥離層13の発光素子は、第1の支持体41または第2の支持体42の少なくと
も一方に向けて光を射出する。
例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子を第1の被剥離層13の発光素子に用いるこ
とができる。
とができる。
《接合層30》
接合層30は、第1の被剥離層13と第2の支持体42を接合する。
接合層30は、第1の被剥離層13と第2の支持体42を接合する。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層30に用いることが
できる。
できる。
例えば、融点が400℃以下好ましくは300℃以下のガラス層を接合層30に用いるこ
とができる。または接着剤等を接合層30に用いることができる。
とができる。または接着剤等を接合層30に用いることができる。
例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または/および嫌気型接着
剤等の有機材料を接合層30に用いることができる。
剤等の有機材料を接合層30に用いることができる。
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を用いることができ
る。
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を用いることができ
る。
《第2の支持体42》
第2の支持体42は、例えば接合層30と接する。
第2の支持体42は、例えば接合層30と接する。
第2の支持体42は、端子219に重なる開口部を備える。
例えば、第1の支持体41と同様の材料を第2の支持体42に用いることができる。
例えば、流動性を有する材料を第2の被剥離層23に塗布した後に硬化して固体状の膜を
成形し、得られた膜を第2の支持体42に用いることができる。また、一部を除去するこ
とにより、開口部を形成できる。
成形し、得られた膜を第2の支持体42に用いることができる。また、一部を除去するこ
とにより、開口部を形成できる。
<発光装置の構成例2.>
本発明の一態様の発光装置の別の構成について、図1を参照しながら説明する。
本発明の一態様の発光装置の別の構成について、図1を参照しながら説明する。
図1(A)は本発明の一態様の発光装置200A乃至発光装置200Cの上面図であり、
図1(B2)は図1(A)の切断線X1−X2における発光装置200Bの断面図である
。
図1(B2)は図1(A)の切断線X1−X2における発光装置200Bの断面図である
。
なお、発光装置200Bは、第2の被剥離層23を有する点が、図1(B1)を参照しな
がら説明する発光装置200Aとは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、
同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
がら説明する発光装置200Aとは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、
同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
本実施の形態で説明する発光装置200Bは、第1の支持体41と、第1の支持体41に
重なる第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13に重なる接合層30と、接合層30に
重なる第2の被剥離層23と、第2の被剥離層23に重なる第2の支持体42と、をこの
順番で有する(図1(B2)参照)。
重なる第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13に重なる接合層30と、接合層30に
重なる第2の被剥離層23と、第2の被剥離層23に重なる第2の支持体42と、をこの
順番で有する(図1(B2)参照)。
第1の支持体41は、所定の等方性を備える。
第1の被剥離層13は、第1の支持体41がある側から第1の絶縁膜および発光素子をこ
の順番で備える。
の順番で備える。
第2の被剥離層23は、第2の絶縁膜を備える。
第1の支持体41または第2の支持体42の少なくとも一方は、発光素子が射出する光を
透過する。
透過する。
なお、第2の支持体42が、所定の等方性を備える材料を含む。
また、第1の被剥離層13は、発光素子と電気的に接続する端子219を備える。
第2の支持体42は、端子219に重なる開口部を備える。
《本発明の一態様の構成》
発光装置200Bは、第1の支持体41、第1の被剥離層13、接合層30、第2の被剥
離層23または第2の支持体42を有する。
発光装置200Bは、第1の支持体41、第1の被剥離層13、接合層30、第2の被剥
離層23または第2の支持体42を有する。
《第2の被剥離層23》
第2の被剥離層23は第2の絶縁膜を備える。第2の被剥離層23に含まれる第2の絶縁
膜は、第1の被剥離層13に含まれる第1の絶縁膜との間に第1の被剥離層13に含まれ
る発光素子を挟む。これにより、発光素子に不純物が拡散する現象を抑制できる。
第2の被剥離層23は第2の絶縁膜を備える。第2の被剥離層23に含まれる第2の絶縁
膜は、第1の被剥離層13に含まれる第1の絶縁膜との間に第1の被剥離層13に含まれ
る発光素子を挟む。これにより、発光素子に不純物が拡散する現象を抑制できる。
例えば、第1の被剥離層13に用いることができる絶縁膜と同様の材料を、第2の被剥離
層23の絶縁膜に用いることができる。
層23の絶縁膜に用いることができる。
また、第2の被剥離層23はさまざまな機能層を備えることができる。
例えば、所定の色の光を透過する着色層を備えるカラーフィルタを機能層に用いてもよい
。または、指などの対象物の近接または接触を検知するタッチセンサを機能層に用いても
よい。
。または、指などの対象物の近接または接触を検知するタッチセンサを機能層に用いても
よい。
《第2の支持体42》
第2の支持体42は、例えば第2の被剥離層23と接する。
第2の支持体42は、例えば第2の被剥離層23と接する。
第2の支持体42は、端子219に重なる開口部を備える。
例えば、第1の支持体41と同様の材料を第2の支持体42に用いることができる。
<発光装置の構成例3.>
本発明の一態様の発光装置の別の構成について、図1を参照しながら説明する。
本発明の一態様の発光装置の別の構成について、図1を参照しながら説明する。
図1(A)は本発明の一態様の発光装置200A乃至発光装置200Cの上面図であり、
図1(B3)および図1(C)は図1(A)の切断線X1−X2における発光装置200
Cの断面図である。
図1(B3)および図1(C)は図1(A)の切断線X1−X2における発光装置200
Cの断面図である。
なお、発光装置200Cは、第2の被剥離層23および第2の支持体42の間に接着層3
2を有する点および第2の支持体42が所定の異方性を備える材料を含む点が、図1(B
2)を参照しながら説明する発光装置200Bとは異なる。ここでは異なる構成について
詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
2を有する点および第2の支持体42が所定の異方性を備える材料を含む点が、図1(B
2)を参照しながら説明する発光装置200Bとは異なる。ここでは異なる構成について
詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
本実施の形態で説明する発光装置200Cは、第2の被剥離層23と第2の支持体42の
間に接着層32を有する(図1(B3)または図1(C)参照)。
間に接着層32を有する(図1(B3)または図1(C)参照)。
第2の支持体42が所定の異方性を備える材料を含む。
なお、第1の被剥離層13は、第1の支持体41の側から絶縁膜210aおよび発光素子
250を備える。また、第1の被剥離層13は、端子219および配線211を備える(
図1(C)参照)。
250を備える。また、第1の被剥離層13は、端子219および配線211を備える(
図1(C)参照)。
なお、配線211は、発光素子250および端子219と電気的に接続される。端子21
9は電力を供給され、配線211は電力を発光素子250に供給する。
9は電力を供給され、配線211は電力を発光素子250に供給する。
《本発明の一態様の構成》
発光装置200Cは、第1の支持体41、第1の被剥離層13、接合層30、第2の被剥
離層23、接着層32または第2の支持体42を有する(図1(B3)参照)。
発光装置200Cは、第1の支持体41、第1の被剥離層13、接合層30、第2の被剥
離層23、接着層32または第2の支持体42を有する(図1(B3)参照)。
《接着層32》
接着層32は、第2の支持体42を第2の被剥離層23に貼り合わせる機能を有する。
接着層32は、第2の支持体42を第2の被剥離層23に貼り合わせる機能を有する。
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を接着層32に用いることがで
きる。
きる。
例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または/および嫌気型接着
剤等の有機材料を接着層32に用いることができる。
剤等の有機材料を接着層32に用いることができる。
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を用いることができる。
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を用いることができる。
《第2の支持体42》
第2の支持体42は、所定の異方性を有する材料を含む。例えば光学的な異方性を有する
材料を含む。具体的には、第2の支持体42が広がる平面に含まれる直交する二つの方向
についての屈折率の異方性が2×10−4以上好ましくは4×10−4以上である材料を
用いることができる。
第2の支持体42は、所定の異方性を有する材料を含む。例えば光学的な異方性を有する
材料を含む。具体的には、第2の支持体42が広がる平面に含まれる直交する二つの方向
についての屈折率の異方性が2×10−4以上好ましくは4×10−4以上である材料を
用いることができる。
例えば、延伸法を用いて成形されたフィルム等を、第2の支持体42に用いることができ
る。1軸延伸法や逐次2軸延伸法等を用いると、光学的な異方性を有するように材料を膜
状に成形することができる。
る。1軸延伸法や逐次2軸延伸法等を用いると、光学的な異方性を有するように材料を膜
状に成形することができる。
具体的には、延伸法を用いて成形されたポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリカーボネート、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等を含むフィルムを、第
2の支持体42に用いることができる。延伸法を用いて成形されたフィルムは伸びにくく
、例えば内部または外部から加わる応力から発光素子を保護することができる。
リイミド、ポリカーボネート、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等を含むフィルムを、第
2の支持体42に用いることができる。延伸法を用いて成形されたフィルムは伸びにくく
、例えば内部または外部から加わる応力から発光素子を保護することができる。
《第1の被剥離層13》
第1の被剥離層13は、絶縁膜210a、配線211、絶縁膜221、隔壁228または
発光素子250を備える(図1(C)参照)。
第1の被剥離層13は、絶縁膜210a、配線211、絶縁膜221、隔壁228または
発光素子250を備える(図1(C)参照)。
《絶縁膜210a》
絶縁膜210aは、単層の構造または複数の層が積層された積層構造を備える。
絶縁膜210aは、単層の構造または複数の層が積層された積層構造を備える。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料を含む層を第1の被剥離層13の絶縁膜2
10aに用いることができる。
10aに用いることができる。
例えば、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等の無機材料を、第1の被剥
離層13の絶縁膜210aに用いることができる。
離層13の絶縁膜210aに用いることができる。
具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を用いることができる。
例えば、発光素子の機能を損なう不純物が発光素子に拡散してしまう現象を防ぐことがで
きる膜を、絶縁膜210aに用いることができる。
きる膜を、絶縁膜210aに用いることができる。
具体的には、第1の支持体41の側から順に、厚さ600nmの酸化窒化珪素膜および厚
さ200nmの窒化珪素膜が積層された積層膜を、絶縁膜210aに用いることができる
。なお、酸化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の
組成が酸素の組成より多い。
さ200nmの窒化珪素膜が積層された積層膜を、絶縁膜210aに用いることができる
。なお、酸化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の
組成が酸素の組成より多い。
具体的には、第1の支持体41の側から順に、厚さ600nmの酸化窒化珪素膜、厚さ2
00nmの窒化珪素膜、厚さ200nmの酸化窒化珪素膜、厚さ140nmの窒化酸化珪
素膜および厚さ100nmの酸化窒化珪素膜が積層された積層膜を、絶縁膜210aに用
いることができる。
00nmの窒化珪素膜、厚さ200nmの酸化窒化珪素膜、厚さ140nmの窒化酸化珪
素膜および厚さ100nmの酸化窒化珪素膜が積層された積層膜を、絶縁膜210aに用
いることができる。
《端子219および配線211》
端子219または配線211は導電膜を含む。
端子219または配線211は導電膜を含む。
導電性を有する材料を端子219または配線211等に用いる。
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線に
用いることができる。
用いることができる。
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タ
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素
、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線等
に用いることができる。
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素
、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線等
に用いることができる。
または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
または、導電性高分子を用いることができる。
《絶縁膜221および隔壁228》
絶縁膜221および隔壁228は、絶縁性を有する。
絶縁膜221および隔壁228は、絶縁性を有する。
例えば、アクリル樹脂、ポリイミドまたはポリエステル等を絶縁膜221または隔壁22
8に用いることができる。
8に用いることができる。
《発光素子250》
発光素子250は、第1の支持体41または第2の支持体42に向けて光を射出する機能
を有する。
発光素子250は、第1の支持体41または第2の支持体42に向けて光を射出する機能
を有する。
例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子250に用いることができる。
発光素子250は、下部電極251、下部電極251に重なる上部電極252、下部電極
251と上部電極252の間に挟持される発光性の有機化合物を含む層253を備える。
251と上部電極252の間に挟持される発光性の有機化合物を含む層253を備える。
下部電極251または上部電極252の少なくとも一方は透光性を有し、発光性の有機化
合物を含む層253が発する光を透過する。
合物を含む層253が発する光を透過する。
下部電極251は隔壁228の開口部に重なる。また、下部電極251は絶縁膜221に
重なる。
重なる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図2を参照しながら
説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図2を参照しながら
説明する。
図2は本発明の一態様の発光装置200Aの作製方法を説明する模式図である。図2の右
側に示す図2(A2)乃至図2(E2)は本発明の一態様の発光装置200Aの作製方法
を説明する上面図であり、図2の左側に示す図2(A1)乃至図2(E1)は対応する上
面図の切断線における発光装置200Aの作製方法を説明する断面図である。
側に示す図2(A2)乃至図2(E2)は本発明の一態様の発光装置200Aの作製方法
を説明する上面図であり、図2の左側に示す図2(A1)乃至図2(E1)は対応する上
面図の切断線における発光装置200Aの作製方法を説明する断面図である。
<発光装置の作製方法の例>
本実施の形態で説明する発光装置の作製方法は、以下の4つのステップを有する。
本実施の形態で説明する発光装置の作製方法は、以下の4つのステップを有する。
《第1のステップ》
第1のステップにおいて、第1の基板11と、第1の基板11に重なる第1の剥離層12
と、第1の剥離層12に重なる第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13に重なる接合
層30と、接合層30に重なる第2の支持体42と、を備える加工部材80を準備する(
図2(A1)および図2(A2)参照)。
第1のステップにおいて、第1の基板11と、第1の基板11に重なる第1の剥離層12
と、第1の剥離層12に重なる第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13に重なる接合
層30と、接合層30に重なる第2の支持体42と、を備える加工部材80を準備する(
図2(A1)および図2(A2)参照)。
なお、第1の被剥離層13は、第1の基板11がある側から第1の絶縁膜および発光素子
をこの順番で備える。また、加工部材80に適用することができるさまざまな構成につい
て、実施の形態4で説明する。
をこの順番で備える。また、加工部材80に適用することができるさまざまな構成につい
て、実施の形態4で説明する。
そして、加工部材80の接合層30の端部に重なる位置の近傍に、前記第1の被剥離層1
3の一部が第1の基板11から分離した第1の剥離の起点13sを形成する(図2(B1
)および図2(B2)参照)。
3の一部が第1の基板11から分離した第1の剥離の起点13sを形成する(図2(B1
)および図2(B2)参照)。
例えば、鋭利な先端を用いて第1の基板11の側から第1の被剥離層13を刺突する方法
またはレーザ等を用いる方法(例えばレーザアブレーション法)等を用いて、第1の被剥
離層13の一部を第1の基板11から部分的に分離することができる。これにより、第1
の剥離の起点13sを形成することができる。
またはレーザ等を用いる方法(例えばレーザアブレーション法)等を用いて、第1の被剥
離層13の一部を第1の基板11から部分的に分離することができる。これにより、第1
の剥離の起点13sを形成することができる。
《第2のステップ》
第2のステップにおいて、第1の剥離の起点13sから、第1の基板11を含む表層80
bを加工部材80から分離して、第1の残部80aを得る(図2(C)参照)。
第2のステップにおいて、第1の剥離の起点13sから、第1の基板11を含む表層80
bを加工部材80から分離して、第1の残部80aを得る(図2(C)参照)。
なお、第1の剥離層12と第1の被剥離層13の界面近傍にイオンを照射して、静電気を
取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを
照射してもよい。
取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを
照射してもよい。
また、第1の剥離層12から第1の被剥離層13を剥離する際に、第1の剥離層12と第
1の被剥離層13の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル99から噴出させて吹
き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用い
ることができる。
1の被剥離層13の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル99から噴出させて吹
き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用い
ることができる。
液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができ
る。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。
る。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。
特に、第1の剥離層12に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透
させながらまたは吹き付けながら第1の被剥離層13を剥離すると、第1の被剥離層13
に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。
させながらまたは吹き付けながら第1の被剥離層13を剥離すると、第1の被剥離層13
に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。
《第3のステップ》
第3のステップにおいて、第1の被剥離層13に流動性を有する材料を塗布する(図2(
D1)および図2(D2)参照)。
第3のステップにおいて、第1の被剥離層13に流動性を有する材料を塗布する(図2(
D1)および図2(D2)参照)。
《第4のステップ》
第4のステップにおいて、流動性を有する材料を硬化して第1の支持体41を形成する(
図2(D1)および図2(D2)参照)。
第4のステップにおいて、流動性を有する材料を硬化して第1の支持体41を形成する(
図2(D1)および図2(D2)参照)。
《第5のステップ》
なお、第5のステップにおいて、第2の支持体42に開口部を形成する(図2(E1)お
よび図2(E2)参照)。
なお、第5のステップにおいて、第2の支持体42に開口部を形成する(図2(E1)お
よび図2(E2)参照)。
本実施の形態で説明する発光装置200Aの作製方法は、流動性を有する材料を用いて第
1の被剥離層13に重なる第1の支持体41を形成するステップを含んで構成される。こ
れにより、第1の支持体41を形成する際に第1の被剥離層13に加わる圧力を低減する
ことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供
することができる。
1の被剥離層13に重なる第1の支持体41を形成するステップを含んで構成される。こ
れにより、第1の支持体41を形成する際に第1の被剥離層13に加わる圧力を低減する
ことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供
することができる。
なお、発光装置200Aの作製工程中に生じた異物が第1の被剥離層13に付着してしま
う場合がある。異物が付着した状態で、第1の支持体41を第1の被剥離層13上に形成
する際に、第1の被剥離層13に圧力を加えると、異物を第1の被剥離層13に押し込ん
でしまう場合がある。これにより、第1の被剥離層13にある絶縁膜や発光素子が破壊さ
れてしまう場合がある。
う場合がある。異物が付着した状態で、第1の支持体41を第1の被剥離層13上に形成
する際に、第1の被剥離層13に圧力を加えると、異物を第1の被剥離層13に押し込ん
でしまう場合がある。これにより、第1の被剥離層13にある絶縁膜や発光素子が破壊さ
れてしまう場合がある。
一方、第1の支持体41を形成する際に流動性を有する材料を用いると、異物を押し込む
ほどの圧力を加えることなく発光装置200Aを作製することができる。これにより、発
光装置200Aを良好な歩留りで作製できる。
ほどの圧力を加えることなく発光装置200Aを作製することができる。これにより、発
光装置200Aを良好な歩留りで作製できる。
特に、第1の被剥離層13が有機エレクトロルミネッセンス素子または厚さが2μm以下
、好ましくは1.2μm以下、より好ましくは0.9μm以下の絶縁膜を含む場合であっ
ても、発光装置200Aを良好な歩留りで作製できる。
、好ましくは1.2μm以下、より好ましくは0.9μm以下の絶縁膜を含む場合であっ
ても、発光装置200Aを良好な歩留りで作製できる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図3乃至図5を参照
しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図3乃至図5を参照
しながら説明する。
図3および図4は本発明の一態様の発光装置200Bの作製方法を説明する模式図である
。
。
図3の右側に示す図3(A2)乃至図3(E2)は本発明の一態様の発光装置200Bの
作製方法を説明する上面図であり、図3の左側に示す図3(A1)乃至図3(E1)は対
応する上面図の切断線における発光装置200Bの作製方法を説明する断面図である。
作製方法を説明する上面図であり、図3の左側に示す図3(A1)乃至図3(E1)は対
応する上面図の切断線における発光装置200Bの作製方法を説明する断面図である。
図4の右側に示す図4(C2)および図4(D2)は本発明の一態様の発光装置200B
の作製方法を説明する上面図であり、図4の左側に示す図4(A)乃至図4(D1)は対
応する上面図の切断線における発光装置200Bの作製方法を説明する断面図である。
の作製方法を説明する上面図であり、図4の左側に示す図4(A)乃至図4(D1)は対
応する上面図の切断線における発光装置200Bの作製方法を説明する断面図である。
図5は本発明の一態様の発光装置200Cの作製方法を説明する図である。
<発光装置の作製方法の例1.>
本実施の形態で説明する発光装置の作製方法は、以下の8つのステップを有する。
本実施の形態で説明する発光装置の作製方法は、以下の8つのステップを有する。
《第1のステップ》
第1のステップにおいて、第1の基板11と、第1の基板11に重なる第1の剥離層12
と、第1の剥離層12に重なる第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13に重なる接合
層30と、接合層30に重なる第2の被剥離層23と、第2の被剥離層23に重なる第2
の剥離層22と、第2の剥離層22に重なる第2の基板21と、を備える加工部材90を
準備する(図3(A1)および図3(A2)参照)。
第1のステップにおいて、第1の基板11と、第1の基板11に重なる第1の剥離層12
と、第1の剥離層12に重なる第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13に重なる接合
層30と、接合層30に重なる第2の被剥離層23と、第2の被剥離層23に重なる第2
の剥離層22と、第2の剥離層22に重なる第2の基板21と、を備える加工部材90を
準備する(図3(A1)および図3(A2)参照)。
なお、第1の被剥離層13は、第1の基板11がある側から第1の絶縁膜および発光素子
をこの順番で備える。また、加工部材90に適用することができるさまざまな構成につい
て、実施の形態4で説明する。
をこの順番で備える。また、加工部材90に適用することができるさまざまな構成につい
て、実施の形態4で説明する。
また、第2の被剥離層23は、第2の絶縁膜を備える。
そして、加工部材90の接合層30の端部に重なる位置の近傍に、第1の被剥離層13の
一部が第1の基板11から分離した第1の剥離の起点13sを形成する(図3(B1)お
よび図3(B2)参照)。
一部が第1の基板11から分離した第1の剥離の起点13sを形成する(図3(B1)お
よび図3(B2)参照)。
例えば、鋭利な先端を用いて第1の基板11の側から第1の被剥離層13を刺突する方法
またはレーザ等を用いる方法(例えばレーザアブレーション法)等を用いて、第1の被剥
離層13の一部を第1の基板11から部分的に分離することができる。これにより、第1
の剥離の起点13sを形成することができる。
またはレーザ等を用いる方法(例えばレーザアブレーション法)等を用いて、第1の被剥
離層13の一部を第1の基板11から部分的に分離することができる。これにより、第1
の剥離の起点13sを形成することができる。
《第2のステップ》
第2のステップにおいて、第1の剥離の起点13sから、第1の基板11を含む表層90
bを加工部材90から分離して、第1の残部90aを得る(図3(C)参照)。
第2のステップにおいて、第1の剥離の起点13sから、第1の基板11を含む表層90
bを加工部材90から分離して、第1の残部90aを得る(図3(C)参照)。
なお、第1の剥離層12と第1の被剥離層13の界面近傍にイオンを照射して、静電気を
取り除きながら剥離してもよい。
取り除きながら剥離してもよい。
また、第1の剥離層12から第1の被剥離層13を剥離する際に、第1の剥離層12と第
1の被剥離層13の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル99から噴出させて吹
き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用い
ることができる。
1の被剥離層13の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル99から噴出させて吹
き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用い
ることができる。
《第3のステップ》
第3のステップにおいて、第1の被剥離層13に流動性を有する材料を塗布する(図3(
D1)および図3(D2)参照)。
第3のステップにおいて、第1の被剥離層13に流動性を有する材料を塗布する(図3(
D1)および図3(D2)参照)。
《第4のステップ》
第4のステップにおいて、流動性を有する材料を硬化して第1の残部90aに第1の被剥
離層13に重なる第1の支持体41を形成し、積層体91を形成する(図3(D1)およ
び図3(D2)参照)。
第4のステップにおいて、流動性を有する材料を硬化して第1の残部90aに第1の被剥
離層13に重なる第1の支持体41を形成し、積層体91を形成する(図3(D1)およ
び図3(D2)参照)。
《第5のステップ》
第5のステップにおいて、第2の被剥離層23の一部が第2の基板21から分離した第2
の剥離の起点91sを形成する(図3(E1)および図3(E2)参照)。
第5のステップにおいて、第2の被剥離層23の一部が第2の基板21から分離した第2
の剥離の起点91sを形成する(図3(E1)および図3(E2)参照)。
例えば、切削具を用いて第1の支持体41の側から積層体91の一部が残るように切り込
んで、第2の被剥離層23の一部を第2の基板21から部分的に分離することができる。
これにより、第2の剥離の起点91sを形成することができる。なお、刃物または鋭利な
先端を備えるさまざまなものを切削具に用いることができる。
んで、第2の被剥離層23の一部を第2の基板21から部分的に分離することができる。
これにより、第2の剥離の起点91sを形成することができる。なお、刃物または鋭利な
先端を備えるさまざまなものを切削具に用いることができる。
《第6のステップ》
第6のステップにおいて、第2の剥離の起点91sから、第2の基板21を含む表層91
bを積層体91から分離して、第2の残部91aを得る(図4(A)および図4(B)参
照)。
第6のステップにおいて、第2の剥離の起点91sから、第2の基板21を含む表層91
bを積層体91から分離して、第2の残部91aを得る(図4(A)および図4(B)参
照)。
なお、第2の剥離層22と第2の被剥離層23の界面近傍にイオンを照射して、静電気を
取り除きながら剥離してもよい。
取り除きながら剥離してもよい。
また、第2の剥離層22から第2の被剥離層23を剥離する際に、第2の剥離層22と第
2の被剥離層23の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル99から噴出させて吹
き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用い
ることができる。
2の被剥離層23の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル99から噴出させて吹
き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用い
ることができる。
《第7のステップ》
第7のステップにおいて、第2の被剥離層23に流動性を有する材料を塗布する(図4(
C1)および図4(C2)参照)。
第7のステップにおいて、第2の被剥離層23に流動性を有する材料を塗布する(図4(
C1)および図4(C2)参照)。
《第8のステップ》
第8のステップにおいて、流動性を有する材料を硬化して第2の支持体42を形成する(
図4(C1)および図4(C2)参照)。
第8のステップにおいて、流動性を有する材料を硬化して第2の支持体42を形成する(
図4(C1)および図4(C2)参照)。
《第9のステップ》
第9のステップにおいて、第2の支持体42に開口部を形成する(図4(D1)および図
4(D2)参照)。
第9のステップにおいて、第2の支持体42に開口部を形成する(図4(D1)および図
4(D2)参照)。
本実施の形態で説明する発光装置200Bの作製方法は、流動性を有する材料を用いて第
1の被剥離層13に重なる第1の支持体41を形成するステップと、第2の被剥離層23
に重なる第2の支持体42を形成するステップとを含んで構成される。これにより、第1
の支持体41を形成する際に第1の被剥離層13に加わる圧力と、第2の支持体42を形
成する際に第2の被剥離層23に加わる圧力を低減することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供することができる。
1の被剥離層13に重なる第1の支持体41を形成するステップと、第2の被剥離層23
に重なる第2の支持体42を形成するステップとを含んで構成される。これにより、第1
の支持体41を形成する際に第1の被剥離層13に加わる圧力と、第2の支持体42を形
成する際に第2の被剥離層23に加わる圧力を低減することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供することができる。
なお、発光装置200Bの作製工程中に生じた異物が、第1の被剥離層13または第2の
被剥離層23に付着してしまう場合がある。異物が付着した状態で、第1の支持体41を
第1の被剥離層13上に形成する際または第2の支持体42を第2の被剥離層23上に形
成する際に、圧力を加えると、異物を第1の被剥離層13または第2の被剥離層23に押
し込んでしまう場合がある。これにより、第1の被剥離層13にある絶縁膜や発光素子ま
たは第2の被剥離層23にある絶縁膜が破壊されてしまう場合がある。
被剥離層23に付着してしまう場合がある。異物が付着した状態で、第1の支持体41を
第1の被剥離層13上に形成する際または第2の支持体42を第2の被剥離層23上に形
成する際に、圧力を加えると、異物を第1の被剥離層13または第2の被剥離層23に押
し込んでしまう場合がある。これにより、第1の被剥離層13にある絶縁膜や発光素子ま
たは第2の被剥離層23にある絶縁膜が破壊されてしまう場合がある。
一方、第1の支持体41または第2の支持体42を形成する際に流動性を有する材料を用
いると、異物を押し込むほどの圧力を加えることなく発光装置200Bを作製することが
できる。これにより、発光装置200Bを良好な歩留りで作製できる。
いると、異物を押し込むほどの圧力を加えることなく発光装置200Bを作製することが
できる。これにより、発光装置200Bを良好な歩留りで作製できる。
また、第6のステップにおいて、第1の被剥離層13または第2の被剥離層23が押し込
まれた異物等で傷つけられた状態になっていると、第6のステップにおいて、第2の基板
21を含む表層91bを積層体91から分離しようとする際に、傷つけられた部分から意
図せず積層体91が破壊されてしまう場合がある。
まれた異物等で傷つけられた状態になっていると、第6のステップにおいて、第2の基板
21を含む表層91bを積層体91から分離しようとする際に、傷つけられた部分から意
図せず積層体91が破壊されてしまう場合がある。
特に、第1の被剥離層13が有機エレクトロルミネッセンス素子または厚さが2μm以下
、好ましくは1.2μm以下、より好ましくは0.9μm以下の絶縁膜を含む場合であっ
ても、発光装置200Bを良好な歩留りで作製できる。
、好ましくは1.2μm以下、より好ましくは0.9μm以下の絶縁膜を含む場合であっ
ても、発光装置200Bを良好な歩留りで作製できる。
<発光装置の作製方法の例2.>
本発明の一態様の発光装置の作製方法の別の構成例について、図3乃至図5を参照しなが
ら説明する。
本発明の一態様の発光装置の作製方法の別の構成例について、図3乃至図5を参照しなが
ら説明する。
図5は、図4の一部を置換して発光装置200Cの作製方法を説明するための図である。
具体的には、図5(A1)または図5(A2)は、発光装置200Cの作製方法を説明す
るために図4(C1)または図4(C2)を置き換える図であり、図5(B1)または図
5(B2)は、発光装置200Cの作製方法を説明するために図4(D1)または図4(
D2)を置き換える図である。
るために図4(C1)または図4(C2)を置き換える図であり、図5(B1)または図
5(B2)は、発光装置200Cの作製方法を説明するために図4(D1)または図4(
D2)を置き換える図である。
なお、発光装置200Cの作製方法は、接着層32を用いて第2の支持体42を第2の残
部91aに貼り合わせる第7のステップおよび接着層32を硬化する第8のステップが、
図3および図4を参照しながら説明する発光装置200Bの作製方法とは異なる。ここで
は異なるステップについて詳細に説明し、同様の方法を用いることができるステップは、
上記の説明を援用する。
部91aに貼り合わせる第7のステップおよび接着層32を硬化する第8のステップが、
図3および図4を参照しながら説明する発光装置200Bの作製方法とは異なる。ここで
は異なるステップについて詳細に説明し、同様の方法を用いることができるステップは、
上記の説明を援用する。
《第7のステップ》
第7のステップにおいて、接着層32を用いて第2の支持体42を第2の被剥離層23に
貼り合わせる(図5(A1)および図5(A2)参照)。
第7のステップにおいて、接着層32を用いて第2の支持体42を第2の被剥離層23に
貼り合わせる(図5(A1)および図5(A2)参照)。
《第8のステップ》
第8のステップにおいて、接着層32を硬化する。
第8のステップにおいて、接着層32を硬化する。
《第9のステップ》
第9のステップにおいて、第2の支持体42に開口部を形成する(図5(B1)および図
5(B2)参照)。
第9のステップにおいて、第2の支持体42に開口部を形成する(図5(B1)および図
5(B2)参照)。
本実施の形態で説明する発光装置200Cの作製方法は、流動性を有する材料を用いて第
1の被剥離層13に重なる第1の支持体41を形成するステップを含んで構成される。こ
れにより、第1の支持体41を形成する際に第1の被剥離層13に加わる圧力を低減する
ことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供
することができる。
1の被剥離層13に重なる第1の支持体41を形成するステップを含んで構成される。こ
れにより、第1の支持体41を形成する際に第1の被剥離層13に加わる圧力を低減する
ことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供
することができる。
なお、発光装置200Cの作製工程中に生じた異物が第1の被剥離層13に付着してしま
う場合がある。異物が付着した状態で、第1の支持体41を第1の被剥離層13上に形成
する際に、第1の被剥離層13に圧力を加えると、異物を第1の被剥離層13に押し込ん
でしまう場合がある。これにより、第1の被剥離層13にある絶縁膜や発光素子または第
2の被剥離層23にある絶縁膜が破壊されてしまう場合がある。
う場合がある。異物が付着した状態で、第1の支持体41を第1の被剥離層13上に形成
する際に、第1の被剥離層13に圧力を加えると、異物を第1の被剥離層13に押し込ん
でしまう場合がある。これにより、第1の被剥離層13にある絶縁膜や発光素子または第
2の被剥離層23にある絶縁膜が破壊されてしまう場合がある。
一方、第1の支持体41を形成する際に流動性を有する材料を用いると、異物を押し込む
ほどの圧力を加えることなく発光装置200Cを作製することができる。これにより、発
光装置200Cを良好な歩留りで作製できる。
ほどの圧力を加えることなく発光装置200Cを作製することができる。これにより、発
光装置200Cを良好な歩留りで作製できる。
また、第1の被剥離層13または第2の被剥離層23が押し込まれた異物等で傷つけられ
た状態になっていると、第6のステップにおいて、第2の基板21を含む表層91bを積
層体91から分離しようとする際に、傷つけられた部分から意図せず積層体91が破壊さ
れてしまう場合がある。
た状態になっていると、第6のステップにおいて、第2の基板21を含む表層91bを積
層体91から分離しようとする際に、傷つけられた部分から意図せず積層体91が破壊さ
れてしまう場合がある。
特に、第1の被剥離層13が有機エレクトロルミネッセンス素子または厚さが2μm以下
、好ましくは1.2μm以下、より好ましくは0.9μm以下の絶縁膜を含む場合であっ
ても、発光装置200Cを良好な歩留りで作製することができる。
、好ましくは1.2μm以下、より好ましくは0.9μm以下の絶縁膜を含む場合であっ
ても、発光装置200Cを良好な歩留りで作製することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に加工することができる加工部材の構成に
ついて、図2または図3を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に加工することができる加工部材の構成に
ついて、図2または図3を参照しながら説明する。
図2(A1)および図2(A2)または図3(A1)および図3(A2)は本発明の一態
様の発光装置に加工することができる加工部材の構成を説明する模式図である。
様の発光装置に加工することができる加工部材の構成を説明する模式図である。
図2(A1)は、発光装置200Aに加工することができる加工部材80の構成を説明す
る断面図であり、図2(A2)は、対応する上面図である。
る断面図であり、図2(A2)は、対応する上面図である。
図3(A1)は、発光装置200Bまたは発光装置200Cに加工することができる加工
部材90の構成を説明する断面図であり、図3(A2)は、対応する上面図である。
部材90の構成を説明する断面図であり、図3(A2)は、対応する上面図である。
<加工部材の構成例1>
加工部材80は、第1の基板11と、第1の基板11上の第1の剥離層12と、第1の剥
離層12に一方の面が接する第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13の他方の面に一
方の面が接する接合層30と、接合層30の他方の面が接する第2の支持体42と、を備
える(図2(A1)および図2(A2)参照)。
加工部材80は、第1の基板11と、第1の基板11上の第1の剥離層12と、第1の剥
離層12に一方の面が接する第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13の他方の面に一
方の面が接する接合層30と、接合層30の他方の面が接する第2の支持体42と、を備
える(図2(A1)および図2(A2)参照)。
なお、第1の剥離の起点13sが、接合層30の端部と重なる位置の近傍に設けられてい
てもよい(図2(B1)および図2(B2)参照)。
てもよい(図2(B1)および図2(B2)参照)。
《第1の基板》
第1の基板11は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さ
および大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
第1の基板11は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さ
および大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を第1の基板11に用いる
ことができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第1の基板11に用
いることができる。
ことができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第1の基板11に用
いることができる。
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス
等を、第1の基板11に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜
または無機酸窒化物膜等を、第1の基板11に用いることができる。例えば、酸化珪素、
窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第1の基板11に用いることができる。SUS
またはアルミニウム等を、第1の基板11に用いることができる。
等を、第1の基板11に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜
または無機酸窒化物膜等を、第1の基板11に用いることができる。例えば、酸化珪素、
窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第1の基板11に用いることができる。SUS
またはアルミニウム等を、第1の基板11に用いることができる。
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を第1の基板11に用いる
ことができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、
ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第1の基板11
に用いることができる。
ことができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、
ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第1の基板11
に用いることができる。
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせ
た複合材料を第1の基板11に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属
、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、第1の基板11に用
いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に
分散した複合材料を、第1の基板11に用いることができる。
た複合材料を第1の基板11に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属
、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、第1の基板11に用
いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に
分散した複合材料を、第1の基板11に用いることができる。
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、第1の基板11に用いることがで
きる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、
第1の基板11に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の
拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一
または複数の膜が積層された材料を、第1の基板11に適用できる。または、樹脂と樹脂
を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン
膜等が積層された材料を、第1の基板11に適用できる。
きる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、
第1の基板11に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の
拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一
または複数の膜が積層された材料を、第1の基板11に適用できる。または、樹脂と樹脂
を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン
膜等が積層された材料を、第1の基板11に適用できる。
《第1の剥離層》
第1の剥離層12は、第1の基板11と第1の被剥離層13の間に設けられる。第1の剥
離層12は、第1の基板11から第1の被剥離層13を分離できる境界がその近傍に形成
される層である。また、第1の剥離層12は、その上に形成される第1の被剥離層13の
製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。
第1の剥離層12は、第1の基板11と第1の被剥離層13の間に設けられる。第1の剥
離層12は、第1の基板11から第1の被剥離層13を分離できる境界がその近傍に形成
される層である。また、第1の剥離層12は、その上に形成される第1の被剥離層13の
製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。
例えば、無機材料または有機材料等を第1の剥離層12に用いることができる。
具体的には、無機材料としては、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ
、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オス
ミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金または
該元素を含む化合物等の無機材料を第1の剥離層12に用いることができる。
、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オス
ミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金または
該元素を含む化合物等の無機材料を第1の剥離層12に用いることができる。
具体的には、ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネー
トまたはアクリル樹脂等の有機材料を第1の剥離層12に用いることができる。
トまたはアクリル樹脂等の有機材料を第1の剥離層12に用いることができる。
例えば、単層の材料または複数の層が積層された材料を第1の剥離層12に用いることが
できる。具体的には、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層が積層され
た材料を第1の剥離層12に用いることができる。
できる。具体的には、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層が積層され
た材料を第1の剥離層12に用いることができる。
なお、タングステンの酸化物を含む層は、タングステンを含む層に他の層を積層する方法
を用いて形成することができる。具体的には、タングステンを含む層に酸化シリコンまた
は酸化窒化シリコン等を積層する方法によりタングステンの酸化物を含む層を形成しても
よい。また、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層の表面を、熱酸化
処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理または酸化力の強い溶液(
オゾン水等)を用いる処理等により形成してもよい。
を用いて形成することができる。具体的には、タングステンを含む層に酸化シリコンまた
は酸化窒化シリコン等を積層する方法によりタングステンの酸化物を含む層を形成しても
よい。また、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層の表面を、熱酸化
処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理または酸化力の強い溶液(
オゾン水等)を用いる処理等により形成してもよい。
また、具体的には、ポリイミドを含む層を第1の剥離層12に用いることができる。ポリ
イミドを含む層は、第1の被剥離層13を形成する際に要する様々な製造工程に耐えられ
る程度の耐熱性を備える。例えば、ポリイミドを含む層は、200℃以上、好ましくは2
50℃以上、より好ましくは300℃以上、より好ましくは350℃以上の耐熱性を備え
る。第1の基板11に形成されたモノマーを含む膜を加熱し、縮合したポリイミドを含む
膜を用いることができる。
イミドを含む層は、第1の被剥離層13を形成する際に要する様々な製造工程に耐えられ
る程度の耐熱性を備える。例えば、ポリイミドを含む層は、200℃以上、好ましくは2
50℃以上、より好ましくは300℃以上、より好ましくは350℃以上の耐熱性を備え
る。第1の基板11に形成されたモノマーを含む膜を加熱し、縮合したポリイミドを含む
膜を用いることができる。
《第1の被剥離層》
第1の被剥離層13は第1の基板11から分離することができ、機能層を含む。
第1の被剥離層13は第1の基板11から分離することができ、機能層を含む。
第1の被剥離層13を第1の基板11から分離することができる境界は、第1の被剥離層
13と第1の剥離層12の間に形成されてもよく、第1の剥離層12と第1の基板11の
間に形成されてもよい。第1の被剥離層13と第1の剥離層12の間に境界が形成される
場合は、第1の剥離層12は発光装置に含まれず、第1の剥離層12と第1の基板11の
間に境界が形成される場合は、第1の剥離層12は発光装置に含まれる。
13と第1の剥離層12の間に形成されてもよく、第1の剥離層12と第1の基板11の
間に形成されてもよい。第1の被剥離層13と第1の剥離層12の間に境界が形成される
場合は、第1の剥離層12は発光装置に含まれず、第1の剥離層12と第1の基板11の
間に境界が形成される場合は、第1の剥離層12は発光装置に含まれる。
例えば、無機材料、有機材料または単層の材料または複数の層が積層された材料等を第1
の被剥離層13に用いることができる。
の被剥離層13に用いることができる。
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜もしくは無機酸窒化物膜等の無機材料を第1の
被剥離層13に用いることができる。また、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ
膜等を、第1の被剥離層13に用いることができる。
被剥離層13に用いることができる。また、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ
膜等を、第1の被剥離層13に用いることができる。
また、例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等を、第1の被剥離層13に用い
ることができる。具体的には、ポリイミド膜等を、第1の被剥離層13に用いることがで
きる。
ることができる。具体的には、ポリイミド膜等を、第1の被剥離層13に用いることがで
きる。
また、例えば、機能層の機能を損なう不純物の拡散を防ぐことができる絶縁膜を、第1の
剥離層12と重なる機能層と、第1の剥離層12と機能層の間に用いることができる。
剥離層12と重なる機能層と、第1の剥離層12と機能層の間に用いることができる。
具体的には、厚さ0.7mmのガラス板を第1の基板11に用い、第1の基板11側から
順に厚さ200nmの酸化窒化珪素膜および30nmのタングステン膜が積層された材料
を第1の剥離層12に用いることができる。
順に厚さ200nmの酸化窒化珪素膜および30nmのタングステン膜が積層された材料
を第1の剥離層12に用いることができる。
第1の剥離層12側から順に厚さ600nmの酸化窒化珪素膜および厚さ200nmの窒
化珪素が積層された材料を含む膜を第1の被剥離層13に用いることができる。なお、酸
化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸素
の組成より多い。
化珪素が積層された材料を含む膜を第1の被剥離層13に用いることができる。なお、酸
化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸素
の組成より多い。
または、第1の剥離層12側から順に厚さ600nmの酸化窒化珪素膜、厚さ200nm
の窒化珪素、厚さ200nmの酸化窒化珪素膜、厚さ140nmの窒化酸化珪素膜および
厚さ100nmの酸化窒化珪素膜を積層された材料を含む膜を第1の被剥離層13に用い
ることができる。
の窒化珪素、厚さ200nmの酸化窒化珪素膜、厚さ140nmの窒化酸化珪素膜および
厚さ100nmの酸化窒化珪素膜を積層された材料を含む膜を第1の被剥離層13に用い
ることができる。
または、第1の剥離層12側から順にポリイミド膜および酸化シリコンまたは窒化シリコ
ン等を含む層と、機能層と、が順に積層された構成を第1の被剥離層13に適用できる。
ン等を含む層と、機能層と、が順に積層された構成を第1の被剥離層13に適用できる。
《機能層》
機能層は第1の被剥離層13に含まれる。例えば、機能回路、機能素子、光学素子または
機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を、機能層に用いることができる。具
体的には、発光素子、表示装置に用いることができる表示素子、表示素子を駆動する画素
回路、画素回路を駆動する駆動回路、カラーフィルタ、タッチセンサまたは防湿膜等もし
くはこれらから選ばれた複数を含む層を挙げることができる。
機能層は第1の被剥離層13に含まれる。例えば、機能回路、機能素子、光学素子または
機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を、機能層に用いることができる。具
体的には、発光素子、表示装置に用いることができる表示素子、表示素子を駆動する画素
回路、画素回路を駆動する駆動回路、カラーフィルタ、タッチセンサまたは防湿膜等もし
くはこれらから選ばれた複数を含む層を挙げることができる。
《接合層》
接合層30は、第1の被剥離層13と第2の支持体42を接合するものであれば、特に限
定されない。
接合層30は、第1の被剥離層13と第2の支持体42を接合するものであれば、特に限
定されない。
例えば、無機材料または有機樹脂等を接合層30に用いることができる。
具体的には、融点が400℃以下好ましくは300℃以下のガラス層または接着剤等を用
いることができる。
いることができる。
例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または/および嫌気型接着
剤などを接合層30に用いることができる。
剤などを接合層30に用いることができる。
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を用いることができ
る。
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を用いることができ
る。
《第2の支持体》
第2の支持体42は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚
さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
第2の支持体42は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚
さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
例えば、第1の基板11と同様の材料または実施の形態1で説明する第1の支持体41と
同様の、流動性を有する材料を硬化させて成形された膜状の材料を第2の支持体42に用
いることができる。
同様の、流動性を有する材料を硬化させて成形された膜状の材料を第2の支持体42に用
いることができる。
《剥離の起点》
なお、加工部材80は第1の剥離の起点13sを接合層30の端部と重なる位置の近傍に
有していてもよい(図2(B1)および図2(B2)参照)。
なお、加工部材80は第1の剥離の起点13sを接合層30の端部と重なる位置の近傍に
有していてもよい(図2(B1)および図2(B2)参照)。
第1の剥離の起点13sは、第1の被剥離層13の一部が第1の基板11から分離された
構造を有する。
構造を有する。
第1の基板11側から鋭利な先端を用いて第1の被剥離層13を刺突する方法またはレー
ザ等を用いる方法(例えばレーザアブレーション法)等を用いて、第1の被剥離層13の
一部を剥離層12から部分的に剥離することができる。これにより、第1の剥離の起点1
3sを形成することができる。
ザ等を用いる方法(例えばレーザアブレーション法)等を用いて、第1の被剥離層13の
一部を剥離層12から部分的に剥離することができる。これにより、第1の剥離の起点1
3sを形成することができる。
<加工部材の構成例2>
本発明の一態様の発光装置200Bまたは発光装置200Cに加工することができる加工
部材90の構成について、図3(A1)および図3(A2)を参照しながら説明する。
本発明の一態様の発光装置200Bまたは発光装置200Cに加工することができる加工
部材90の構成について、図3(A1)および図3(A2)を参照しながら説明する。
加工部材90は、接合層30の他方の面が、第2の支持体42に換えて第2の被剥離層2
3の一方の面に接する点が加工部材80と異なる。ここでは異なる部分について詳細に説
明し、同じ構成用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
3の一方の面に接する点が加工部材80と異なる。ここでは異なる部分について詳細に説
明し、同じ構成用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
具体的には、第1の剥離層12および第1の剥離層12に一方の面が接する第1の被剥離
層13が形成された第1の基板11と、第2の剥離層22および第2の剥離層22に他方
の面が接する第2の被剥離層23が形成された第2の基板21と、第1の被剥離層13の
他方の面に一方の面を接し且つ第2の被剥離層23の一方の面と他方の面が接する接合層
30と、を有する。
層13が形成された第1の基板11と、第2の剥離層22および第2の剥離層22に他方
の面が接する第2の被剥離層23が形成された第2の基板21と、第1の被剥離層13の
他方の面に一方の面を接し且つ第2の被剥離層23の一方の面と他方の面が接する接合層
30と、を有する。
《第2の基板》
第1の基板11に用いることができる構成を、第2の基板21に用いることができる。
第1の基板11に用いることができる構成を、第2の基板21に用いることができる。
《第2の剥離層》
第1の剥離層12に用いることができる構成を、第2の剥離層22に用いることができる
。
第1の剥離層12に用いることができる構成を、第2の剥離層22に用いることができる
。
《第2の被剥離層》
第1の被剥離層13に用いることができる構成を、第2の被剥離層23に用いることがで
きる。
第1の被剥離層13に用いることができる構成を、第2の被剥離層23に用いることがで
きる。
具体的には、第1の被剥離層13が機能回路を備え、第2の被剥離層23が当該機能回路
への不純物の拡散を防ぐ機能層を備える構成としてもよい。
への不純物の拡散を防ぐ機能層を備える構成としてもよい。
具体的には、第1の被剥離層13が第2の被剥離層23に向けて光を射出する発光素子、
当該発光素子を駆動する画素回路、当該画素回路を駆動する駆動回路を備え、発光素子が
射出する光の一部を透過するカラーフィルタおよび発光素子への不純物の拡散を防ぐ防湿
膜を第2の被剥離層23が備える構成としてもよい。また、第2の被剥離層23がタッチ
センサを備える構成としてもよい。
当該発光素子を駆動する画素回路、当該画素回路を駆動する駆動回路を備え、発光素子が
射出する光の一部を透過するカラーフィルタおよび発光素子への不純物の拡散を防ぐ防湿
膜を第2の被剥離層23が備える構成としてもよい。また、第2の被剥離層23がタッチ
センサを備える構成としてもよい。
なお、このような構成を有する加工部材は、可撓性を有する表示装置またはタッチパネル
として用いることができる積層体にすることができる。
として用いることができる積層体にすることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
(実施の形態5)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図6および図7を参照し
ながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図6および図7を参照し
ながら説明する。
図6は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図6(A)は本発明の一態
様の表示装置200Dの作製方法を説明する上面図であり、図6(B)は図6(A)の切
断線A−Bおよび切断線C−Dにおける表示装置200Dの断面図である。
様の表示装置200Dの作製方法を説明する上面図であり、図6(B)は図6(A)の切
断線A−Bおよび切断線C−Dにおける表示装置200Dの断面図である。
<表示装置の構成例1.>
本実施の形態で説明する表示装置200Dは、基材210、基材210に重なる基材27
0、基材210と基材270の間に接合層260、画素202、画素202に制御信号を
供給する駆動回路GD、画素202に表示信号を供給する駆動回路SDおよび画素202
が配設される領域201、を有する(図6(A)および図6(B)参照)。
本実施の形態で説明する表示装置200Dは、基材210、基材210に重なる基材27
0、基材210と基材270の間に接合層260、画素202、画素202に制御信号を
供給する駆動回路GD、画素202に表示信号を供給する駆動回路SDおよび画素202
が配設される領域201、を有する(図6(A)および図6(B)参照)。
基材210は、絶縁膜210aおよび可撓性を有する第1の支持体210bを備える。
基材270は、絶縁膜270a、可撓性を有する基材270b並びに絶縁膜270aおよ
び可撓性を有する基材270bを貼り合わせる樹脂層270cを備える。
び可撓性を有する基材270bを貼り合わせる樹脂層270cを備える。
接合層260は、基材210および基材270を貼り合わせる。
画素202は副画素202R等を備え且つ表示信号を供給される(図6(A)参照)。な
お、例えば、画素202は赤色の表示をする副画素202R、緑色の表示をする副画素お
よび青色の表示をする副画素を備える。
お、例えば、画素202は赤色の表示をする副画素202R、緑色の表示をする副画素お
よび青色の表示をする副画素を備える。
副画素202Rは、駆動トランジスタM0を含む回路、容量素子Cおよび表示素子が配設
された表示モジュール280Rを備える(図6(B)参照)。
された表示モジュール280Rを備える(図6(B)参照)。
表示モジュール280Rは、発光素子250R、発光素子250Rが光を射出する側に発
光素子250Rと重なる着色層267Rを備える。なお、発光素子250Rは表示素子の
一態様であるということができる。
光素子250Rと重なる着色層267Rを備える。なお、発光素子250Rは表示素子の
一態様であるということができる。
発光素子250Rは、下部電極、上部電極、発光性の有機化合物を含む層を備える。
回路は駆動トランジスタM0を備え且つ基材210および発光素子250Rの間に配設さ
れる。また、回路は絶縁膜221を発光素子250Rとの間に挟む。
れる。また、回路は絶縁膜221を発光素子250Rとの間に挟む。
駆動トランジスタM0は、第2の電極が絶縁膜221に設けられた開口部を介して発光素
子250Rの下部電極と電気的に接続される。
子250Rの下部電極と電気的に接続される。
容量素子Cは、第1の電極が駆動トランジスタM0のゲートに電気的に接続され、第2の
電極が駆動トランジスタM0の第2の電極と電気的に接続される。
電極が駆動トランジスタM0の第2の電極と電気的に接続される。
駆動回路SDは、トランジスタMDおよび容量素子CDを備える。
配線211は、端子219と電気的に接続される。端子219はフレキシブルプリント基
板209と電気的に接続される。
板209と電気的に接続される。
なお、着色層267Rを囲むように遮光層267BMを備える。
また、発光素子250Rの下部電極の端部を覆うように隔壁228が形成されている。
また、領域201に重なる位置に機能膜267pを備えていてもよい(図6(B)参照)
。
。
これにより、表示装置200Dは基材210が設けられている側に表示情報を表示するこ
とができる。
とができる。
《全体の構成》
表示装置200Dは、基材210、基材270、接合層260、画素202、駆動回路G
D、駆動回路SDまたは領域201を有する。
表示装置200Dは、基材210、基材270、接合層260、画素202、駆動回路G
D、駆動回路SDまたは領域201を有する。
《基材210》
基材210は、絶縁膜210aおよび第1の支持体210bを含む。
基材210は、絶縁膜210aおよび第1の支持体210bを含む。
不純物の拡散を防ぐことができる膜を絶縁膜210aに用いることができる。例えば、酸
化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の
膜が積層された材料を、絶縁膜210aに適用できる。
化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の
膜が積層された材料を、絶縁膜210aに適用できる。
所定の等方性を備える材料を第1の支持体210bに用いることができる。例えば、光学
的に等方性を有する材料を第1の支持体210bに用いることができる。例えば、液状の
樹脂を塗布した後に硬化させて固体状の膜を成形し、得られた膜を第1の支持体210b
に用いることができる。
的に等方性を有する材料を第1の支持体210bに用いることができる。例えば、液状の
樹脂を塗布した後に硬化させて固体状の膜を成形し、得られた膜を第1の支持体210b
に用いることができる。
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等を、第1の支持体210bに用いることができる
。
ト、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等を、第1の支持体210bに用いることができる
。
《基材270》
基材270は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよ
び大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
基材270は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよ
び大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材270に用いること
ができる。
ができる。
例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基材270に用いることができる。
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス
等を、基材270に用いることができる。
等を、基材270に用いることができる。
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜若しくは無機酸窒化物膜等を、基材270に用
いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、基材2
70に用いることができる。
いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、基材2
70に用いることができる。
具体的には、SUSまたはアルミニウム等を、基材270に用いることができる。
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材270に用いること
ができる。
ができる。
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材270に用いることがで
きる。
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材270に用いることがで
きる。
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせ
た複合材料を基材270に用いることができる。
た複合材料を基材270に用いることができる。
例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散し
た複合材料を、基材270に用いることができる。
た複合材料を、基材270に用いることができる。
例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を
、基材270に用いることができる。
、基材270に用いることができる。
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材270に用いることができる
。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基材
270に用いることができる。
。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基材
270に用いることができる。
具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコ
ン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基
材270に適用できる。
ン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基
材270に適用できる。
または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜また
は酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基材270に適用できる。
は酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基材270に適用できる。
具体的には、可撓性を有する基材270b、不純物の発光素子250Rへの拡散を防ぐ絶
縁膜270aおよび基材270bと絶縁膜270aを貼り合わせる樹脂層270cの積層
体を用いることができる。
縁膜270aおよび基材270bと絶縁膜270aを貼り合わせる樹脂層270cの積層
体を用いることができる。
《接合層》
接合層260は、基材210および基材270を貼り合わせるものであれば、特に限定さ
れない。
接合層260は、基材210および基材270を貼り合わせるものであれば、特に限定さ
れない。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層260に用いること
ができる。
ができる。
例えば、融点が400℃以下好ましくは300℃以下のガラス層または接着剤等を用いる
ことができる。
ことができる。
例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または/および嫌気型接着
剤等の有機材料を接合層260に用いることができる。
剤等の有機材料を接合層260に用いることができる。
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を用いることができ
る。
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を用いることができ
る。
《画素》
さまざまなトランジスタを駆動トランジスタM0に用いることができる。
さまざまなトランジスタを駆動トランジスタM0に用いることができる。
例えば、半導体層に14族の元素、化合物半導体または酸化物半導体などを用いるトラン
ジスタを適用できる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体ま
たはインジウムを含む酸化物半導体などを用いるトランジスタを駆動トランジスタM0の
半導体層に適用できる。
ジスタを適用できる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体ま
たはインジウムを含む酸化物半導体などを用いるトランジスタを駆動トランジスタM0の
半導体層に適用できる。
例えば、単結晶シリコン、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンなどを駆動トランジ
スタM0の半導体層に適用できる。
スタM0の半導体層に適用できる。
例えば、ボトムゲート型のトランジスタ、トップゲート型のトランジスタ等を適用できる
。
。
さまざまな表示素子を表示モジュール280Rに用いることができる。例えば、下部電極
、上部電極ならびに下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を備える有機
EL素子を表示素子に用いることができる。
、上部電極ならびに下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を備える有機
EL素子を表示素子に用いることができる。
なお、表示素子に発光素子を用いる場合、微小共振器構造を発光素子に組み合わせて用い
ることができる。例えば、発光素子の下部電極および上部電極を用いて微小共振器構造を
構成し、発光素子から特定の光を効率よく取り出してもよい。
ることができる。例えば、発光素子の下部電極および上部電極を用いて微小共振器構造を
構成し、発光素子から特定の光を効率よく取り出してもよい。
具体的には、可視光を反射する反射膜を下部電極または上部電極の一方に用い、可視光の
一部透過し一部を反射する半透過・半反射膜を他方に用いる。そして、所定の波長を有す
る光が効率よく取り出されるように、下部電極に対して上部電極を配設する。
一部透過し一部を反射する半透過・半反射膜を他方に用いる。そして、所定の波長を有す
る光が効率よく取り出されるように、下部電極に対して上部電極を配設する。
例えば、赤色の光、緑色の光および青色の光を含む光を発する層を発光性の有機化合物を
含む層に用いることができる。また、黄色の光を含む光を発する層を発光性の有機化合物
を含む層に用いることもできる。
含む層に用いることができる。また、黄色の光を含む光を発する層を発光性の有機化合物
を含む層に用いることもできる。
また、顔料または染料等の材料を含む層を着色層267Rに用いることができる。これに
より、表示モジュール280Rが射出する光の色を特定の色にすることができる。
より、表示モジュール280Rが射出する光の色を特定の色にすることができる。
例えば、赤色の光を効率よく取り出す微小共振器および赤色の光を透過する着色層を、赤
色を表示する表示モジュール280Rに用い、緑色の光を効率よく取り出す微小共振器お
よび緑色の光を透過する着色層を、緑色を表示する表示モジュールに用い、または青色の
光を効率よく取り出す微小共振器および青色の光を透過する着色層を、青色を表示する表
示モジュールに用いてもよい。
色を表示する表示モジュール280Rに用い、緑色の光を効率よく取り出す微小共振器お
よび緑色の光を透過する着色層を、緑色を表示する表示モジュールに用い、または青色の
光を効率よく取り出す微小共振器および青色の光を透過する着色層を、青色を表示する表
示モジュールに用いてもよい。
そして、黄色の光を効率よく取り出す微小共振器および黄色の光を透過する着色層と共に
表示モジュールに用いてもよい。
表示モジュールに用いてもよい。
《駆動回路》
さまざまなトランジスタを駆動回路SDのトランジスタMDに用いることができる。例え
ば、駆動トランジスタM0と同様の構成をトランジスタMDに用いることができる。
さまざまなトランジスタを駆動回路SDのトランジスタMDに用いることができる。例え
ば、駆動トランジスタM0と同様の構成をトランジスタMDに用いることができる。
また、容量素子Cと同様の構成を容量素子CDに用いることができる。
《領域》
領域201は、マトリクス状に配設された複数の画素202を備える。領域201は表示
情報を表示することができ、領域201に配設された画素の座標情報と関連付けられた検
知情報を供給することができる。例えば、領域201に近接するものの有無を検知して、
その座標情報と共に供給することができる。
領域201は、マトリクス状に配設された複数の画素202を備える。領域201は表示
情報を表示することができ、領域201に配設された画素の座標情報と関連付けられた検
知情報を供給することができる。例えば、領域201に近接するものの有無を検知して、
その座標情報と共に供給することができる。
《その他》
導電性を有する材料を配線211または端子219に用いることができる。
導電性を有する材料を配線211または端子219に用いることができる。
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線に
用いることができる。
用いることができる。
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タ
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素
、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線等
に用いることができる。
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素
、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線等
に用いることができる。
または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
または、導電性高分子を用いることができる。
遮光性を有する材料を遮光層267BMに用いることができる。例えば、顔料を分散した
樹脂、染料を含む樹脂の他、黒色クロム膜等の無機膜を遮光層267BMに用いることが
できる。カーボンブラック、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等
を遮光層267BMに用いることができる。
樹脂、染料を含む樹脂の他、黒色クロム膜等の無機膜を遮光層267BMに用いることが
できる。カーボンブラック、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等
を遮光層267BMに用いることができる。
絶縁性の材料を隔壁228に用いることができる。例えば、無機材料、有機材料または無
機材料と有機材料が積層された材料などを用いることができる。具体的には、酸化珪素ま
たは窒化珪素等を含む膜、アクリルまたはポリイミド等もしくは感光性樹脂等を適用でき
る。
機材料と有機材料が積層された材料などを用いることができる。具体的には、酸化珪素ま
たは窒化珪素等を含む膜、アクリルまたはポリイミド等もしくは感光性樹脂等を適用でき
る。
表示装置の表示面側に機能膜267pを設けることができる。例えば、無機材料、有機材
料または無機材料と有機材料の複合材料などを含む膜を機能膜267pに用いることがで
きる。具体的には、アルミナまたは酸化珪素などを含むセラミックコート層、UV硬化樹
脂等のハードコート層、反射防止膜、円偏光板などを適用できる。
料または無機材料と有機材料の複合材料などを含む膜を機能膜267pに用いることがで
きる。具体的には、アルミナまたは酸化珪素などを含むセラミックコート層、UV硬化樹
脂等のハードコート層、反射防止膜、円偏光板などを適用できる。
例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素
子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な
素子を有することが出来る。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置は、例えば、E
L(エレクトロルミネッセンス)素子(有機物及び無機物を含むEL素子、有機EL素子
、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど)、
トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)、電子放出素子、液晶素子、電子イ
ンク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプレイ(
PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)を用いた表示素子
、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マイクロ・シャッタ
ー)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(インターフェアレンス・モジュレーショ
ン)素子、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のMEMS表示素子、エレク
トロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた
表示素子などの少なくとも一つを有している。これらの他にも、電気的な作用または磁気
的な作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有して
いてもよい。EL素子を用いた表示装置の一例としては、ELディスプレイなどがある。
電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ(
FED)又はSED方式平面型ディスプレイ(SED:Surface−conduct
ion Electron−emitter Display)などがある。液晶素子を
用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型
液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディ
スプレイ)などがある。電子インク、電子粉流体(登録商標)、又は電気泳動素子を用い
た表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイ
や反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射
電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が
、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下
に、SRAMなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力
を低減することができる。なお、LEDを用いる場合、電極の下に、グラフェンやグラフ
ァイトを配置してもよい。グラフェンやグラファイトは、複数の層を重ねて、多層膜とし
てもよい。このように、グラフェンやグラファイトを設けることにより、その上に、結晶
を有するn型GaN半導体層などを容易に成膜することができる。なお、グラフェンやグ
ラファイトと、結晶を有するn型GaN半導体層との間に、AlN層を設けてもよい。な
お、このGaN半導体層は、MOCVDで成膜してもよい。ただし、グラフェンを設ける
ことにより、スパッタ法で成膜することも可能である。
子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な
素子を有することが出来る。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置は、例えば、E
L(エレクトロルミネッセンス)素子(有機物及び無機物を含むEL素子、有機EL素子
、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど)、
トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)、電子放出素子、液晶素子、電子イ
ンク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプレイ(
PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)を用いた表示素子
、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マイクロ・シャッタ
ー)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(インターフェアレンス・モジュレーショ
ン)素子、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のMEMS表示素子、エレク
トロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた
表示素子などの少なくとも一つを有している。これらの他にも、電気的な作用または磁気
的な作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有して
いてもよい。EL素子を用いた表示装置の一例としては、ELディスプレイなどがある。
電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ(
FED)又はSED方式平面型ディスプレイ(SED:Surface−conduct
ion Electron−emitter Display)などがある。液晶素子を
用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型
液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディ
スプレイ)などがある。電子インク、電子粉流体(登録商標)、又は電気泳動素子を用い
た表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイ
や反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射
電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が
、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下
に、SRAMなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力
を低減することができる。なお、LEDを用いる場合、電極の下に、グラフェンやグラフ
ァイトを配置してもよい。グラフェンやグラファイトは、複数の層を重ねて、多層膜とし
てもよい。このように、グラフェンやグラファイトを設けることにより、その上に、結晶
を有するn型GaN半導体層などを容易に成膜することができる。なお、グラフェンやグ
ラファイトと、結晶を有するn型GaN半導体層との間に、AlN層を設けてもよい。な
お、このGaN半導体層は、MOCVDで成膜してもよい。ただし、グラフェンを設ける
ことにより、スパッタ法で成膜することも可能である。
例えば、本明細書等において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、また
は、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
は、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
アクティブマトリクス方式では、能動素子(アクティブ素子、非線形素子)として、トラ
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用いること
が出来る。例えば、MIM(Metal Insulator Metal)、又はTF
D(Thin Film Diode)などを用いることも可能である。これらの素子は
、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。
または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、
低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用いること
が出来る。例えば、MIM(Metal Insulator Metal)、又はTF
D(Thin Film Diode)などを用いることも可能である。これらの素子は
、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。
または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、
低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子(アクティブ素子、非線形素子)
を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子(アクティブ素子
、非線形素子)を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留ま
りの向上を図ることができる。または、能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用い
ないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ること
が出来る。
を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子(アクティブ素子
、非線形素子)を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留ま
りの向上を図ることができる。または、能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用い
ないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ること
が出来る。
なお、ここでは、表示装置の場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されな
い。例えば、情報を表示しないようにしてもよい。一例としては、照明装置として用いて
もよい。照明装置に適用することにより、デザイン性に優れたインテリアとして、活用す
ることができる。または、様々な方向を照らすことができる照明として活用することが出
来る。または、バックライトやフロントライトなどの光源として用いてもよい。つまり、
表示パネルのための照明装置として活用してもよい。
い。例えば、情報を表示しないようにしてもよい。一例としては、照明装置として用いて
もよい。照明装置に適用することにより、デザイン性に優れたインテリアとして、活用す
ることができる。または、様々な方向を照らすことができる照明として活用することが出
来る。または、バックライトやフロントライトなどの光源として用いてもよい。つまり、
表示パネルのための照明装置として活用してもよい。
<表示部の変形例1>
様々なトランジスタを表示装置200Dに用いることができる。
様々なトランジスタを表示装置200Dに用いることができる。
ボトムゲート型のトランジスタを領域201に適用する場合の構成を、図6(B)および
図6(C)に図示する。
図6(C)に図示する。
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図6(B)に図示す
る駆動トランジスタM0およびトランジスタMDに適用することができる。
る駆動トランジスタM0およびトランジスタMDに適用することができる。
例えば、少なくともインジウム(In)、亜鉛(Zn)及びM(Al、Ga、Ge、Y、
Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)を含むIn−M−Zn酸化物で表記される
膜を含むことが好ましい。または、InとZnの双方を含むことが好ましい。
Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)を含むIn−M−Zn酸化物で表記される
膜を含むことが好ましい。または、InとZnの双方を含むことが好ましい。
スタビライザーとしては、ガリウム(Ga)、スズ(Sn)、ハフニウム(Hf)、アル
ミニウム(Al)、またはジルコニウム(Zr)等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(P
r)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(
Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウ
ム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)等がある
。
ミニウム(Al)、またはジルコニウム(Zr)等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(P
r)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(
Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウ
ム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)等がある
。
酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、In−Ga−Zn系酸化物、I
n−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In
−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−
Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−G
d−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho
−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−
Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、In−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−H
f−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−Zn系
酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物、In−G
a系酸化物を用いることができる。
n−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In
−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−
Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−G
d−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho
−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−
Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、In−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−H
f−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−Zn系
酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物、In−G
a系酸化物を用いることができる。
なお、ここで、In−Ga−Zn系酸化物とは、InとGaとZnを主成分として有する
酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn
以外の金属元素が入っていてもよい。
酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn
以外の金属元素が入っていてもよい。
例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層
を、図6(C)に図示する駆動トランジスタM0およびトランジスタMDに適用できる。
を、図6(C)に図示する駆動トランジスタM0およびトランジスタMDに適用できる。
トップゲート型のトランジスタを表示装置200Dに適用する場合の構成を、図6(D)
に図示する。
に図示する。
例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等
を含む半導体層を、図6(D)に図示する駆動トランジスタM0およびトランジスタMD
に適用することができる。
を含む半導体層を、図6(D)に図示する駆動トランジスタM0およびトランジスタMD
に適用することができる。
<表示装置の構成例2.>
図7は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図7(A)は本発明の一態
様の表示装置200Eの上面図であり、図7(B)は図7(A)の切断線A−BおよびC
−Dにおける断面を含む断面図である。
図7は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図7(A)は本発明の一態
様の表示装置200Eの上面図であり、図7(B)は図7(A)の切断線A−BおよびC
−Dにおける断面を含む断面図である。
本実施の形態で説明する表示装置200Eは、着色層267Rおよび着色層267Rを囲
む遮光層267BMが基材270と発光素子250Rの間に配置されている点、機能膜2
67pが基材270側に設けられている点および表示モジュール280Rが光を基材27
0が設けられている側に射出する点が、図6を参照しながら説明する表示装置200Dと
異なる。他の構成は同様の構成を用いることができる。
む遮光層267BMが基材270と発光素子250Rの間に配置されている点、機能膜2
67pが基材270側に設けられている点および表示モジュール280Rが光を基材27
0が設けられている側に射出する点が、図6を参照しながら説明する表示装置200Dと
異なる。他の構成は同様の構成を用いることができる。
これにより、表示装置200Eは基材270が設けられている側に表示情報を表示するこ
とができる。また、表示装置200Eは基材270が設けられている側に近接または接触
するものを検知して検知情報を供給できる。
とができる。また、表示装置200Eは基材270が設けられている側に近接または接触
するものを検知して検知情報を供給できる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
(実施の形態6)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を用いた入出力装置で構成することができ
る情報処理装置の構成について、図8を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を用いた入出力装置で構成することができ
る情報処理装置の構成について、図8を参照しながら説明する。
図8は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。
図8(A)は本発明の一態様の情報処理装置K100の入出力装置K20が展開された状
態を説明する投影図であり、図8(B)は図8(A)の切断線X1−X2における情報処
理装置K100の断面図である。図8(C)は入出力装置K20が折り畳まれた状態を説
明する投影図である。
態を説明する投影図であり、図8(B)は図8(A)の切断線X1−X2における情報処
理装置K100の断面図である。図8(C)は入出力装置K20が折り畳まれた状態を説
明する投影図である。
<情報処理装置の構成例>
本実施の形態で説明する情報処理装置K100は、入出力装置K20と、演算装置K10
と、筐体K01(1)乃至筐体K01(3)を有する(図8参照)。
本実施の形態で説明する情報処理装置K100は、入出力装置K20と、演算装置K10
と、筐体K01(1)乃至筐体K01(3)を有する(図8参照)。
《入出力装置》
入出力装置K20は、表示部K30および入力装置K40を備える。入出力装置K20は
、画像情報Vを供給され且つ検知情報Sを供給する(図8(B)参照)。
入出力装置K20は、表示部K30および入力装置K40を備える。入出力装置K20は
、画像情報Vを供給され且つ検知情報Sを供給する(図8(B)参照)。
表示部K30は画像情報Vを供給され、入力装置K40は検知情報Sを供給する。
入力装置K40と表示部K30が一体に重ねられた入出力装置K20は、表示部K30で
あるとともに、入力装置K40でもある。
あるとともに、入力装置K40でもある。
なお、入力装置K40にタッチセンサを用い、表示部K30に表示パネルを用いた入出力
装置K20は、タッチパネルである。
装置K20は、タッチパネルである。
《表示部》
表示部K30は、第1の領域K31(11)、第1の屈曲できる領域K31(21)、第
2の領域K31(12)、第2の屈曲できる領域K31(22)および第3の領域K31
(13)がこの順で縞状に配置された領域K31を有する(図8(A)参照)。
表示部K30は、第1の領域K31(11)、第1の屈曲できる領域K31(21)、第
2の領域K31(12)、第2の屈曲できる領域K31(22)および第3の領域K31
(13)がこの順で縞状に配置された領域K31を有する(図8(A)参照)。
表示部K30は、第1の屈曲できる領域K31(21)に形成される第1の畳み目および
第2の屈曲できる領域K31(22)に形成される第2の畳み目で折り畳まれた状態およ
び展開された状態にすることができる(図8(A)および図8(C)参照)。
第2の屈曲できる領域K31(22)に形成される第2の畳み目で折り畳まれた状態およ
び展開された状態にすることができる(図8(A)および図8(C)参照)。
《演算装置》
演算装置K10は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備え
る。また、画像情報Vを供給し且つ検知情報Sを供給される。
演算装置K10は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備え
る。また、画像情報Vを供給し且つ検知情報Sを供給される。
《筐体》
筐体は、筐体K01(1)、ヒンジK02(1)、筐体K01(2)、ヒンジK02(2
)および筐体K01(3)を含み、この順に配置される。
筐体は、筐体K01(1)、ヒンジK02(1)、筐体K01(2)、ヒンジK02(2
)および筐体K01(3)を含み、この順に配置される。
筐体K01(3)は、演算装置K10を収納する。また、筐体K01(1)乃至筐体K0
1(3)は、入出力装置K20を保持し、入出力装置K20を折り畳まれた状態または展
開された状態にすることができる(図8(B)参照)。
1(3)は、入出力装置K20を保持し、入出力装置K20を折り畳まれた状態または展
開された状態にすることができる(図8(B)参照)。
本実施の形態では、3つの筐体が2つのヒンジを用いて接続される構成を備える情報処理
装置を例示する。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置K20を2か所で折って
折り畳むことができる。
装置を例示する。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置K20を2か所で折って
折り畳むことができる。
なお、n(nは2以上の自然数)個の筐体を(n−1)個のヒンジを用いて接続してもよ
い。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置K20を(n−1)箇所で折って折り
畳むことができる。
い。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置K20を(n−1)箇所で折って折り
畳むことができる。
筐体K01(1)は、第1の領域K31(11)と重なり、釦K45(1)を備える。
筐体K01(2)は、第2の領域K31(12)と重なる。
筐体K01(3)は、第3の領域K31(13)と重なり、演算装置K10、アンテナK
10AおよびバッテリーK10Bを収納する。
10AおよびバッテリーK10Bを収納する。
ヒンジK02(1)は、第1の屈曲できる領域K31(21)と重なり、筐体K01(1
)を筐体K01(2)に対して回動可能に接続する。
)を筐体K01(2)に対して回動可能に接続する。
ヒンジK02(2)は、第2の屈曲できる領域K31(22)と重なり、筐体K01(2
)を筐体K01(3)に対して回動可能に接続する。
)を筐体K01(3)に対して回動可能に接続する。
アンテナK10Aは、演算装置K10と電気的に接続され、信号を供給または供給される
。
。
また、アンテナK10Aは、外部装置から無線で電力を供給され、電力をバッテリーK1
0Bに供給する。
0Bに供給する。
バッテリーK10Bは、演算装置K10と電気的に接続され、電力を供給または供給され
る。
る。
《折り畳みセンサ》
折り畳みセンサK41は、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、
筐体の状態を示す情報を供給する。
折り畳みセンサK41は、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、
筐体の状態を示す情報を供給する。
演算装置K10は、筐体の状態を示す情報を供給される。
筐体K01の状態を示す情報が折り畳まれた状態を示す情報である場合、演算装置K10
は第1の領域K31(11)に第1の画像を含む画像情報Vを供給する(図8(C)参照
)。
は第1の領域K31(11)に第1の画像を含む画像情報Vを供給する(図8(C)参照
)。
また、筐体K01の状態を示す情報が展開された状態を示す情報である場合、演算装置K
10は表示部K30の領域K31に画像情報Vを供給する(図8(A))。
10は表示部K30の領域K31に画像情報Vを供給する(図8(A))。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
(実施の形態7)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を用いた入出力部で構成することができる
情報処理装置の構成について、図9を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を用いた入出力部で構成することができる
情報処理装置の構成について、図9を参照しながら説明する。
図9は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。
図9(A−1)乃至図9(A−3)は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。
図9(B−1)および図9(B−2)は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である
。
。
図9(C−1)および図9(C−2)は、本発明の一態様の情報処理装置の上面図および
底面図ある。
底面図ある。
《情報処理装置A》
情報処理装置3000Aは、入出力部3120および入出力部3120を支持する筐体3
101を有する(図9(A−1)乃至図9(A−3)参照)。
情報処理装置3000Aは、入出力部3120および入出力部3120を支持する筐体3
101を有する(図9(A−1)乃至図9(A−3)参照)。
また、情報処理装置3000Aは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶す
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
なお、筐体3101は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
情報処理装置3000Aは、側面または/および上面に表示情報を表示することができる
。
。
情報処理装置3000Aの使用者は、側面または/および上面に接する指を用いて操作命
令を供給することができる。
令を供給することができる。
《情報処理装置B》
情報処理装置3000Bは、入出力部3120および入出力部3120bを有する(図9
(B−1)および図9(B−2)参照)。
情報処理装置3000Bは、入出力部3120および入出力部3120bを有する(図9
(B−1)および図9(B−2)参照)。
また、情報処理装置3000Bは入出力部3120を支持する筐体3101および可撓性
を有するベルト状の筐体3101bを有する。
を有するベルト状の筐体3101bを有する。
また、情報処理装置3000Bは入出力部3120bを支持する筐体3101を有する。
また、情報処理装置3000Bは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶す
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
なお、筐体3101は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
情報処理装置3000Bは、可撓性を有するベルト状の筐体3101bに支持される入出
力部3120に表示情報を表示することができる。
力部3120に表示情報を表示することができる。
情報処理装置3000Bの使用者は、入出力部3120に接する指を用いて操作命令を供
給することができる。
給することができる。
《情報処理装置C》
情報処理装置3000Cは、入出力部3120ならびに入出力部3120を支持する筐体
3101および筐体3101bを有する(図9(C−1)および図9(C−2)参照)。
情報処理装置3000Cは、入出力部3120ならびに入出力部3120を支持する筐体
3101および筐体3101bを有する(図9(C−1)および図9(C−2)参照)。
入出力部3120および筐体3101bは可撓性を有する。
また、情報処理装置3000Cは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶す
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
なお、筐体3101は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
情報処理装置3000Cは、筐体3101bの部分で二つに折り畳むことができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
(実施の形態8)
本実施の形態では、本発明の一態様の作製方法について、図11乃至図13を参照しなが
ら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の作製方法について、図11乃至図13を参照しなが
ら説明する。
<作製方法の例1.>
本実施の形態で説明する作製方法は、第1の搬送ベルト101を用いる(図11(A)参
照)。
本実施の形態で説明する作製方法は、第1の搬送ベルト101を用いる(図11(A)参
照)。
実施の形態3で説明する第6のステップにおいて、第2の剥離の起点91sから、第2の
基板21を含む表層91bを積層体91から分離して、第2の残部91aを得る。
基板21を含む表層91bを積層体91から分離して、第2の残部91aを得る。
例えば、粘着性の表面を備える第1の搬送ベルト101を用いて、第2の残部91aを第
1の搬送ベルト101に移す(図11(A)参照)。
1の搬送ベルト101に移す(図11(A)参照)。
第1の搬送ベルト101を用いて第2の残部91aを搬送しながら、実施の形態3で説明
する第7のステップおよび第8のステップを実施する。
する第7のステップおよび第8のステップを実施する。
<作製方法の例2.>
図11(B)を参照しながら説明する作製方法は、第1の搬送ベルト101と、第2の搬
送ベルト102と、を用いる。なお、第1の残部90aを第2の搬送ベルト102を用い
て搬送しながら、第3のステップ乃至第6のステップを実施する点が、図11(A)を参
照しながら説明する作製方法と異なる。
図11(B)を参照しながら説明する作製方法は、第1の搬送ベルト101と、第2の搬
送ベルト102と、を用いる。なお、第1の残部90aを第2の搬送ベルト102を用い
て搬送しながら、第3のステップ乃至第6のステップを実施する点が、図11(A)を参
照しながら説明する作製方法と異なる。
実施の形態3で説明する第2のステップの後、第1の残部90aを第2の搬送ベルト10
2に載せる。
2に載せる。
第2の搬送ベルト102を用いて第1の残部90aを搬送しながら、実施の形態3で説明
する第3のステップ乃至第6のステップを実施する。
する第3のステップ乃至第6のステップを実施する。
<作製方法の例3.>
図12を参照しながら説明する作製方法は、第1の搬送ベルト101を用いる。なお、複
数の加工部材をまとめて処理するバッチ式の方法を、第4のステップにおいて用いる点が
、図11(A)を参照しながら説明する連続式の作製方法と異なる。
図12を参照しながら説明する作製方法は、第1の搬送ベルト101を用いる。なお、複
数の加工部材をまとめて処理するバッチ式の方法を、第4のステップにおいて用いる点が
、図11(A)を参照しながら説明する連続式の作製方法と異なる。
<作製方法の例4.>
図13(A)を参照しながら説明する作製方法は、環状の第1の搬送ベルト101を用い
る方法である。
図13(A)を参照しながら説明する作製方法は、環状の第1の搬送ベルト101を用い
る方法である。
図13(B)を参照しながら説明する作製方法は、コーティング装置103を用いて粘着
性の表面を環状の第1の搬送ベルト101に形成するステップと、洗浄装置104を用い
て粘着性の表面を除去するステップと、を備える。
性の表面を環状の第1の搬送ベルト101に形成するステップと、洗浄装置104を用い
て粘着性の表面を除去するステップと、を備える。
本実施例では、本発明の一態様の発光装置を用いた表示装置を作製した結果について、図
10を参照しながら説明する。
10を参照しながら説明する。
図10は作製した表示装置1200を説明する図である。図10(A)は表示装置120
0の構成を説明する断面図である。図10(B1)は表示装置1200の外観の写真であ
る。図10(B2)は表示装置1200を曲げた状態の外観の写真である。
0の構成を説明する断面図である。図10(B1)は表示装置1200の外観の写真であ
る。図10(B2)は表示装置1200を曲げた状態の外観の写真である。
図10(C1)乃至図10(C3)は、表示装置1200に表示されたさまざまな画像の
写真である。
写真である。
表示装置1200は、第1の支持体1041と、第1の被剥離層1013と、接合層10
30と、第2の被剥離層1023と、接着層1032と、第2の支持体1042と、を有
する(図10(A)参照)。
30と、第2の被剥離層1023と、接着層1032と、第2の支持体1042と、を有
する(図10(A)参照)。
《第1の支持体1041》
第1の支持体1041は、可撓性を備える。厚さ50μmのエポキシ樹脂を用いた。
第1の支持体1041は、可撓性を備える。厚さ50μmのエポキシ樹脂を用いた。
厚さ50μmのエポキシ樹脂は、2液型のエポキシ樹脂(型番:TB2022株式会社ス
リーボンド社製)を、第1の被剥離層1013に、スピンコーターを用いて硬化後の厚さ
が50μmになるように塗布し、その後硬化して形成した。
リーボンド社製)を、第1の被剥離層1013に、スピンコーターを用いて硬化後の厚さ
が50μmになるように塗布し、その後硬化して形成した。
なお、第1の支持体1041に用いた厚さ50μmのエポキシ樹脂の波長550nmにお
ける複屈折は6.0×10−5であった。ガラス基板上にスピンコーターを用いて形成し
た試料を測定に用いた。位相差フィルム・光学材料検査装置(型番:RETS−100大
塚電子株式会社製)を用いて測定したリタデーションから複屈折を求めた。また、23℃
の環境において、回転検光子法を用いて測定を行った。
ける複屈折は6.0×10−5であった。ガラス基板上にスピンコーターを用いて形成し
た試料を測定に用いた。位相差フィルム・光学材料検査装置(型番:RETS−100大
塚電子株式会社製)を用いて測定したリタデーションから複屈折を求めた。また、23℃
の環境において、回転検光子法を用いて測定を行った。
《第1の被剥離層1013》
第1の被剥離層1013は、絶縁膜1013aと表示部1013bを備える。なお、絶縁
膜1013aは、表示部1013bより第1の支持体1041側に配置される。
第1の被剥離層1013は、絶縁膜1013aと表示部1013bを備える。なお、絶縁
膜1013aは、表示部1013bより第1の支持体1041側に配置される。
酸化珪素膜と酸化窒化珪素膜とが積層された膜を絶縁膜1013aに用いた。
表示部1013bは、複数の画素が配置された画素領域1201と、画素を駆動する駆動
回路を備える。また、画素に画像信号を供給する配線および画素に電源電位を供給する配
線等を備える。配線は端子1219と電気的に接続される。
回路を備える。また、画素に画像信号を供給する配線および画素に電源電位を供給する配
線等を備える。配線は端子1219と電気的に接続される。
画素は、赤色を表示するための副画素、緑色を表示するための副画素および青色を表示す
るための副画素を備える。副画素は、光を射出する発光素子と発光素子を駆動する画素回
路とを備える。
るための副画素を備える。副画素は、光を射出する発光素子と発光素子を駆動する画素回
路とを備える。
発光素子は有機EL素子を用いた。反射性の電極を下部電極に用い、半透過・半反射性の
電極を上部電極に用い、白色の光を発するように積層された層を発光性の有機化合物を含
む層に用いた。発光素子は、上部電極を介して第2の支持体1042側に光を取り出す構
成とした。
電極を上部電極に用い、白色の光を発するように積層された層を発光性の有機化合物を含
む層に用いた。発光素子は、上部電極を介して第2の支持体1042側に光を取り出す構
成とした。
なお、反射性の電極は、金属膜と金属膜に重ねて透光性を有する導電膜を備える。また、
透光性を有する導電膜の厚さは、副画素が表示する色に合わせて調整した。
透光性を有する導電膜の厚さは、副画素が表示する色に合わせて調整した。
《接合層1030》
接合層1030は、第1の被剥離層1013と第2の被剥離層1023を貼り合わせる。
厚さおよそ5μmのエポキシ樹脂(株式会社アルテコ社製)を接合層1030に用いた。
接合層1030は、第1の被剥離層1013と第2の被剥離層1023を貼り合わせる。
厚さおよそ5μmのエポキシ樹脂(株式会社アルテコ社製)を接合層1030に用いた。
《第2の被剥離層1023》
第2の被剥離層1023は、絶縁膜1023aとカラーフィルタ1023bとを備える。
なお、絶縁膜1023aは、カラーフィルタ1023bより第2の支持体1042側に配
置される。
第2の被剥離層1023は、絶縁膜1023aとカラーフィルタ1023bとを備える。
なお、絶縁膜1023aは、カラーフィルタ1023bより第2の支持体1042側に配
置される。
酸化珪素膜と酸化窒化珪素膜とが積層された膜を絶縁膜1023aに用いた。
カラーフィルタ1023bは、赤色の光を透過する領域と、緑色の光を透過する領域と、
青色の光を透過する領域と、を備える。赤色の光を透過する領域は赤色を表示するための
副画素に重なるように、緑色の光を透過する領域は緑色を表示するための副画素に重なる
ように、青色の光を透過する領域は青色を表示するための副画素に重なるよう配置した。
青色の光を透過する領域と、を備える。赤色の光を透過する領域は赤色を表示するための
副画素に重なるように、緑色の光を透過する領域は緑色を表示するための副画素に重なる
ように、青色の光を透過する領域は青色を表示するための副画素に重なるよう配置した。
なお、ブラックマトリクスとして機能するように、遮光性の膜をカラーフィルタ1023
bの各領域の間に設けた。
bの各領域の間に設けた。
《接着層1032》
接着層1032は、第2の被剥離層1023と第2の支持体1042と貼り合わせる。厚
さおよそ5μmのエポキシ樹脂(株式会社アルテコ社製)を接着層1032に用いた。
接着層1032は、第2の被剥離層1023と第2の支持体1042と貼り合わせる。厚
さおよそ5μmのエポキシ樹脂(株式会社アルテコ社製)を接着層1032に用いた。
《第2の支持体1042》
第2の支持体1042は可撓性を有する。透光性を有するアラミドフィルムを第2の支持
体1042に用いた。
第2の支持体1042は可撓性を有する。透光性を有するアラミドフィルムを第2の支持
体1042に用いた。
《評価結果》
作製した表示装置1200は、厚さ100μmであった(図10(B1)参照)。表示装
置1200は可撓性を有し、およそ5mmの曲率半径で繰り返し曲げることができた(図
10(B2)参照)。
作製した表示装置1200は、厚さ100μmであった(図10(B1)参照)。表示装
置1200は可撓性を有し、およそ5mmの曲率半径で繰り返し曲げることができた(図
10(B2)参照)。
フレキシブルプリント基板FPCを端子1219に電気的に接続し、画像を表示した(図
10(C1)乃至図10(C3)参照)。具体的には、白色の画像、市松模様の画像およ
びカラーバーの表示をすることができた。
10(C1)乃至図10(C3)参照)。具体的には、白色の画像、市松模様の画像およ
びカラーバーの表示をすることができた。
表示装置1200は、良好な画像を表示しながら、繰り返し曲げることができた。
厚さ27μmのエポキシ樹脂を第1の支持体1041に用いた点が異なる他は、実施例1
と同様の構成を備える表示装置1200Bを作製した。
と同様の構成を備える表示装置1200Bを作製した。
5mmの曲率半径で10万回繰り返し折り曲げ、その後温度65℃湿度95%の環境下で
保存をした。
保存をした。
《評価結果》
保存後に画像を表示した結果、良好な表示をすることができた。具体的には、白色の画像
および市松模様の画像を表示することができた。
保存後に画像を表示した結果、良好な表示をすることができた。具体的には、白色の画像
および市松模様の画像を表示することができた。
表示装置1200Bは、クラック等の破壊が第1の被剥離層1013または第2の被剥離
層1023に生じることなく繰り返し曲げることができ、良好な画像を表示することがで
きた。
層1023に生じることなく繰り返し曲げることができ、良好な画像を表示することがで
きた。
K01 筐体
K02 ヒンジ
K10 演算装置
K10A アンテナ
K10B バッテリー
K20 入出力装置
K30 表示部
K31 領域
K40 入力装置
K41 センサ
K45 釦
K100 情報処理装置
11 基板
12 剥離層
13 被剥離層
13s 起点
21 基板
22 剥離層
23 被剥離層
30 接合層
32 接着層
41 支持体
42 支持体
80 加工部材
80a 残部
80b 表層
90 加工部材
90a 残部
90b 表層
91 積層体
91a 残部
91b 表層
91s 起点
99 ノズル
200A 発光装置
200B 発光装置
200C 発光装置
200D 表示装置
200E 表示装置
201 領域
202 画素
202R 副画素
209 フレキシブルプリント基板
210 基材
210a 絶縁膜
210b 支持体
211 配線
219 端子
221 絶縁膜
228 隔壁
250 発光素子
250R 発光素子
251 下部電極
252 上部電極
253 層
260 接合層
267BM 遮光層
267p 機能膜
267R 着色層
270 基材
270a 絶縁膜
270b 基材
270c 樹脂層
280R 表示モジュール
1013 被剥離層
1013a 絶縁膜
1013b 表示部
1023 被剥離層
1023a 絶縁膜
1023b カラーフィルタ
1030 接合層
1032 接着層
1041 支持体
1042 支持体
1200 表示装置
1200B 表示装置
1201 画素領域
1219 端子
3000A 情報処理装置
3000B 情報処理装置
3000C 情報処理装置
3101 筐体
3101b 筐体
3120 入出力部
3120b 入出力部
K02 ヒンジ
K10 演算装置
K10A アンテナ
K10B バッテリー
K20 入出力装置
K30 表示部
K31 領域
K40 入力装置
K41 センサ
K45 釦
K100 情報処理装置
11 基板
12 剥離層
13 被剥離層
13s 起点
21 基板
22 剥離層
23 被剥離層
30 接合層
32 接着層
41 支持体
42 支持体
80 加工部材
80a 残部
80b 表層
90 加工部材
90a 残部
90b 表層
91 積層体
91a 残部
91b 表層
91s 起点
99 ノズル
200A 発光装置
200B 発光装置
200C 発光装置
200D 表示装置
200E 表示装置
201 領域
202 画素
202R 副画素
209 フレキシブルプリント基板
210 基材
210a 絶縁膜
210b 支持体
211 配線
219 端子
221 絶縁膜
228 隔壁
250 発光素子
250R 発光素子
251 下部電極
252 上部電極
253 層
260 接合層
267BM 遮光層
267p 機能膜
267R 着色層
270 基材
270a 絶縁膜
270b 基材
270c 樹脂層
280R 表示モジュール
1013 被剥離層
1013a 絶縁膜
1013b 表示部
1023 被剥離層
1023a 絶縁膜
1023b カラーフィルタ
1030 接合層
1032 接着層
1041 支持体
1042 支持体
1200 表示装置
1200B 表示装置
1201 画素領域
1219 端子
3000A 情報処理装置
3000B 情報処理装置
3000C 情報処理装置
3101 筐体
3101b 筐体
3120 入出力部
3120b 入出力部
Claims (2)
- 筐体の第1の面と、前記筐体の前記第1の面に連続する第2の面と、に沿った形状を有し、
前記筐体の前記第1の面の法線方向と、前記筐体の前記第2の面の法線方向と、は異なる、表示装置の作製方法であって、
発光素子を含む層と、
前記発光素子を含む層の第1の面側に配置された基板と、
前記発光素子を含む層の前記第1の面と対向する第2の面側に配置された第1の支持体と、を備えた部材を用い、
前記基板から前記発光素子を含む層を剥離させた後、前記発光素子を含む層の前記第1の面上に、前記発光素子を含む層の前記第1の面のうち周縁部が露出するように流動性を有する材料を塗布し、
前記材料を硬化して第2の支持体とすることで、前記第1の支持体と前記発光素子を含む層と前記第2の支持体とを有する表示装置を形成する、表示装置の作製方法。 - 筐体の第1の面と、前記筐体の前記第1の面に連続する第2の面と、に沿った形状を有し、
前記筐体の前記第1の面の法線方向と、前記筐体の前記第2の面の法線方向と、は異なる、表示装置の作製方法であって、
発光素子を含む層と、
前記発光素子を含む層の第1の面側に配置された基板と、
前記発光素子を含む層の前記第1の面と対向する第2の面側に配置された第1の支持体と、を備えた部材を用い、
前記基板から前記発光素子を含む層を剥離させた後、前記発光素子を含む層の前記第1の面上に、前記発光素子を含む層の前記第1の面からはみ出さないように流動性を有する材料を塗布し、
前記材料を硬化して第2の支持体とすることで、前記第1の支持体と前記発光素子を含む層と前記第2の支持体とを有する表示装置を形成する、表示装置の作製方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014132741 | 2014-06-27 | ||
JP2014132741 | 2014-06-27 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019187472A Division JP6839249B2 (ja) | 2014-06-27 | 2019-10-11 | 表示装置の作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021092803A true JP2021092803A (ja) | 2021-06-17 |
Family
ID=54931460
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015121237A Expired - Fee Related JP6603486B2 (ja) | 2014-06-27 | 2015-06-16 | 発光装置の作製方法 |
JP2019187472A Active JP6839249B2 (ja) | 2014-06-27 | 2019-10-11 | 表示装置の作製方法 |
JP2021020647A Withdrawn JP2021092803A (ja) | 2014-06-27 | 2021-02-12 | 表示装置の作製方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015121237A Expired - Fee Related JP6603486B2 (ja) | 2014-06-27 | 2015-06-16 | 発光装置の作製方法 |
JP2019187472A Active JP6839249B2 (ja) | 2014-06-27 | 2019-10-11 | 表示装置の作製方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9466811B2 (ja) |
JP (3) | JP6603486B2 (ja) |
KR (1) | KR102368997B1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6603486B2 (ja) * | 2014-06-27 | 2019-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2018518043A (ja) * | 2015-04-13 | 2018-07-05 | ロイヨール コーポレーション | 可撓性基板の支持及び取り外し |
US10600984B2 (en) * | 2015-06-15 | 2020-03-24 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Production method of organic EL device |
JP6637766B2 (ja) * | 2016-01-04 | 2020-01-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
US10279576B2 (en) | 2016-04-26 | 2019-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and manufacturing method of flexible device |
WO2018051212A1 (en) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, input/output device, data processing device, and method for manufacturing the display panel |
US11133491B2 (en) * | 2017-03-16 | 2021-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication method of semiconductor device and semiconductor device |
KR102343794B1 (ko) * | 2017-05-24 | 2021-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
DE102018206278A1 (de) | 2018-04-24 | 2019-10-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen eines Partikels von einer photolithographischen Maske |
KR20200108139A (ko) * | 2019-03-06 | 2020-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005115086A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Ricoh Co Ltd | 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板及び電気光学装置 |
JP2010153804A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル半導体装置の作製方法 |
JP2013114994A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Panasonic Corp | ディスプレイパネルの製造方法及びディスプレイパネル |
JP2013251255A (ja) * | 2012-05-04 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
JP2014102490A (ja) * | 2012-10-22 | 2014-06-05 | Panasonic Corp | パネル貼付方法およびパネル貼付装置 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4244120B2 (ja) * | 2001-06-20 | 2009-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
TW546857B (en) * | 2001-07-03 | 2003-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
JP2003109773A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法 |
KR100944886B1 (ko) * | 2001-10-30 | 2010-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2003323132A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Sony Corp | 薄膜デバイスの製造方法および半導体装置 |
TWI330269B (en) | 2002-12-27 | 2010-09-11 | Semiconductor Energy Lab | Separating method |
JP4373085B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法 |
TWI328837B (en) | 2003-02-28 | 2010-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7105448B2 (en) | 2003-02-28 | 2006-09-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for peeling off semiconductor element and method for manufacturing semiconductor device |
US7271076B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device |
US7452786B2 (en) | 2004-06-29 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate |
US8040469B2 (en) | 2004-09-10 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same |
US7482248B2 (en) | 2004-12-03 | 2009-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US7566633B2 (en) | 2005-02-25 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US7605056B2 (en) | 2005-05-31 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device including separation by physical force |
US7465674B2 (en) | 2005-05-31 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US7972910B2 (en) | 2005-06-03 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of integrated circuit device including thin film transistor |
EP1760776B1 (en) | 2005-08-31 | 2019-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate |
EP1760798B1 (en) | 2005-08-31 | 2012-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN101305315B (zh) | 2005-11-11 | 2010-05-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 形成具有功能性的层的方法及半导体器件的制造方法 |
US7727773B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample |
US7968382B2 (en) | 2007-02-02 | 2011-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
EP1976001A3 (en) | 2007-03-26 | 2012-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5322408B2 (ja) | 2007-07-17 | 2013-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
JP5460108B2 (ja) | 2008-04-18 | 2014-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP5583951B2 (ja) | 2008-11-11 | 2014-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101613865B1 (ko) | 2009-03-26 | 2016-04-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 제작 방법 |
JP5703569B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2015-04-22 | 大日本印刷株式会社 | 有機el素子パネル及びその製造方法 |
JP5902406B2 (ja) | 2010-06-25 | 2016-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 分離方法および半導体装置の作製方法 |
US8357974B2 (en) * | 2010-06-30 | 2013-01-22 | Corning Incorporated | Semiconductor on glass substrate with stiffening layer and process of making the same |
KR102109009B1 (ko) | 2011-02-25 | 2020-05-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기 |
US9891361B2 (en) * | 2011-08-05 | 2018-02-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
US9324449B2 (en) * | 2012-03-28 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device |
KR102161078B1 (ko) | 2012-08-28 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작 방법 |
WO2014129519A1 (en) | 2013-02-20 | 2014-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus |
KR102187752B1 (ko) | 2013-05-07 | 2020-12-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박리 방법 및 박리 장치 |
CN109273622B (zh) | 2013-08-06 | 2021-03-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 剥离方法 |
KR102437483B1 (ko) | 2013-08-30 | 2022-08-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 적층의 가공 장치 및 가공 방법 |
US9981457B2 (en) | 2013-09-18 | 2018-05-29 | Semiconductor Emergy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus of stack |
US9937698B2 (en) | 2013-11-06 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and light-emitting device |
JP6603486B2 (ja) * | 2014-06-27 | 2019-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
-
2015
- 2015-06-16 JP JP2015121237A patent/JP6603486B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-16 KR KR1020150085374A patent/KR102368997B1/ko active IP Right Grant
- 2015-06-25 US US14/750,295 patent/US9466811B2/en active Active
-
2016
- 2016-10-05 US US15/285,936 patent/US10468625B2/en active Active
-
2019
- 2019-10-11 JP JP2019187472A patent/JP6839249B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-12 JP JP2021020647A patent/JP2021092803A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005115086A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Ricoh Co Ltd | 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板及び電気光学装置 |
JP2010153804A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル半導体装置の作製方法 |
JP2013114994A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Panasonic Corp | ディスプレイパネルの製造方法及びディスプレイパネル |
JP2013251255A (ja) * | 2012-05-04 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
JP2014102490A (ja) * | 2012-10-22 | 2014-06-05 | Panasonic Corp | パネル貼付方法およびパネル貼付装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102368997B1 (ko) | 2022-02-28 |
US10468625B2 (en) | 2019-11-05 |
US20150380680A1 (en) | 2015-12-31 |
US20170025638A1 (en) | 2017-01-26 |
KR20160001642A (ko) | 2016-01-06 |
US9466811B2 (en) | 2016-10-11 |
JP2016027555A (ja) | 2016-02-18 |
JP6839249B2 (ja) | 2021-03-03 |
JP6603486B2 (ja) | 2019-11-06 |
JP2020024929A (ja) | 2020-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6839249B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP7203182B2 (ja) | 表示装置 | |
JP7317911B2 (ja) | 情報処理装置 | |
JP6781286B2 (ja) | 剥離方法 | |
JP2020184079A (ja) | 表示装置 | |
KR20150096324A (ko) | 발광 장치 | |
JP2020060797A (ja) | 表示装置 | |
JP2022001944A (ja) | 電子機器 | |
JP6970255B2 (ja) | 情報処理装置 | |
KR20160145673A (ko) | 발광 장치 | |
US20130082942A1 (en) | Electronic paper display | |
KR20120108794A (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
JP6362412B2 (ja) | 入出力装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211026 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220426 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20220606 |