JP6362412B2 - 入出力装置 - Google Patents

Description

本発明の一態様は、検知装置、入力装置、半導体装置、入出力装置または検知装置の駆動方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

情報伝達手段に係る社会基盤が充実されている。これにより、多様で潤沢な情報を職場や自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるようになっている。

このような背景において、携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されている。

例えば、携帯可能な情報処理装置は持ち歩いて使用されることが多く、落下により思わぬ力が情報処理装置およびそれに用いられる表示装置に加わることがある。破壊されにくい表示装置の一例として、発光層を分離する構造体と第２の電極層との密着性が高められた構成が知られている（特許文献１）。

特開２０１２−１９０７９４号公報

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することを課題の一とする。または、新規な検知装置、新規な入力装置または、新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、出力ユニットと検知ユニットと配線と基材と、を有する検知装置である。

出力ユニットは、検知信号を供給され検知情報を供給することができる。

検知ユニットは、検知信号を供給することができる。

配線は、検知ユニットと電気的に接続される。

基材は、検知ユニットおよび配線を支持する。

配線は、第１の制御信号を供給することができる第１の制御線、第２の制御信号を供給することができる第２の制御線、第１の電源電位を供給することができる第１の電源線、第２の電源電位を供給することができる第２の電源線および検知信号を供給することができる信号線を含む。

検知ユニットは、スイッチと第１のトランジスタと容量素子とを備える。

スイッチは、制御端子が第１の制御線と電気的に接続され、第１の端子が第１の電源線と電気的に接続される。

第１のトランジスタは、ゲートがスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が信号線と電気的に接続され、第２の電極が第２の電源線と電気的に接続される。

容量素子は、第１の電極が第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極が第２の制御線と電気的に接続される。

出力ユニットは、２のトランジスタを備える。

第２のトランジスタは、ゲートが第３の電源電位を供給することができる第３の電源線と電気的に接続され、第１の電極が第４の電源電位を供給することができる第４の電源線と電気的に接続され、第２の電極が信号線および検知情報を供給することができる端子と電気的に接続される。

第１の制御線は透光性を備える第１の導電膜を含み、第２の制御線は透光性を備える第２の導電膜を含む。

上記本発明の一態様の検知装置は、第１の制御信号および第２の制御信号を供給され、検知信号を供給する検知ユニットと、第１の制御信号を供給する第１の制御線と、第２の制御信号を供給する第２の制御線と、検知信号を供給される信号線と、を有する。そして、検知ユニットは、第１の電極が信号線に電気的に接続され、第２の電極が第２の電源線と電気的に接続されるトランジスタと、第１の電極がトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極が第２の制御線と電気的に接続される容量素子を含んで構成される。なお、トランジスタのゲートは、第１の電源電位に基づく電位を第１の制御信号に基づいて供給され、次いで容量素子の容量および静電容量ならびに第２の制御信号に基づいて変化する電位を供給される。また、第１の制御線および第２の制御線は透光性を備える導電膜を含む。

これにより、検知ユニットに近接するものがもたらす静電容量の変化に基づいて、検知情報を供給することができる。また、第１の制御線および第２制御線が反射する光の強度を低減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置を提供することができる。または、新規な検知装置を提供することができる。

また、本発明の一態様は、第１の制御線または第２の制御線が透光性を備える領域を具備し、第１の制御線の透光性を備える領域または第２の制御線の透光性を備える領域と重なる位置に、基材が透光性を備える領域を具備する上記の検知装置である。

また、本発明の一態様は、第１の制御線が透光性を備える領域を具備し、第１の制御線の透光性を備える領域と重なる位置に、基材が透光性を備える領域を具備し、第１の制御線および基材が透光性を備える領域と重なる領域に、容量素子が透光性を備える第１の電極を具備する上記の検知装置である。

上記本発明の一態様の検知装置は、透光性を備える領域を含んで構成される。これにより、一方の側から他方の側に光を透過することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置を提供することができる。または、新規な検知装置を提供することができる。

また、本発明の一態様は、検知パネルと出力部を有する入力装置である。

検知パネルは、検知信号を供給することができる。

出力部は、検知信号を供給され検知情報を供給することができる。

検知パネルは、複数の検知ユニットと配線と基材と、を備える。

複数の検知ユニットは、２行１列以上のマトリクス状に配設される。

配線は、検知ユニットと電気的に接続される。

基材は、検知ユニットおよび配線を支持する。

配線は、いずれも行方向に延在する第１の制御線乃至第３の制御線と、列方向に延在し且つ検知信号を供給されることができる信号線と、第１の電源電位を供給することができる第１の電源線と、第２の電源電位を供給することができる第２の電源線と、を含む。

第１の行に配設される検知ユニットは、第１の制御線および第２の制御線と電気的に接続される。

第２の行に配設される検知ユニットは、第２の制御線および第３の制御線と電気的に接続される。

一の列に配設される検知ユニットは、一の信号線と電気的に接続される。

検知ユニットは、第１の電源線および第２の電源線と電気的に接続される。

出力部は、信号線と電気的に接続される出力ユニットを備える。

上記本発明の一態様の入力装置は、検知パネルと出力部を含んで構成される。検知パネルは、第１の制御線、第２の制御線および第３の制御線ならびに第１の行に配設され第１の制御線および第２の制御線と電気的に接続される検知ユニットと、第２の行に配設され第２の制御線および第３の制御線と電気的に接続される検知ユニットと、一の列に配設される検知ユニットと電気的に接続される信号線と、を備える。また、検知パネルは検知信号を供給し、出力部は検知信号を供給され検知情報を供給する。

これにより、第２の制御線は制御信号を第１の行に配設される検知ユニットおよび第２の行に配設される検知ユニットに供給することができ、配線の数を削減できる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。または、新規な入力装置を提供することができる。

また、本発明の一態様は、第１の制御線乃至第３の制御線が透光性を備える領域を具備し、基材が制御線の透光性を備える領域と重なる位置に透光性を備える領域を具備する上記の入力装置である。

また、本発明の一態様は、容量素子が制御線および基材が透光性を備える領域と重なる位置に透光性を備える第１の電極を具備する上記の入力装置である。

上記本発明の一態様の入力装置は、透光性を備える領域を含んで構成される。これにより、一方の側から他方の側に光を透過することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。または、新規な入力装置を提供することができる。

また、本発明の一態様は、第１の電源線が第２の制御線と第３の制御線の間に配設され且つ第１の行に配設される検知ユニットおよび第２の行に配設される検知ユニットと電気的に接続される上記の入力装置である。

また、本発明の一態様は、第２の電源線が第２の制御線と第３の制御線の間に配設され且つ第１の行に配設される検知ユニットおよび第２の行に配設される検知ユニットと電気的に接続される上記の入力装置である。

上記本発明の一態様の入力装置は、電源電位を供給する配線を共有する、第１の検知ユニットおよび第２の検知ユニットを含んで構成される。これにより、配線の数を削減できる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。または、新規な入力装置を提供することができる。

また、本発明の一態様は、第１の電源線または／および第２の電源線が、透明導電膜を含む上記の入力装置である。

上記本発明の一態様の入力装置は、第１の電源線または／および第２の電源線が透光性を備える領域を含んで構成される。これにより、第１の電源線および第２の電源線が反射する光の強度を低減することができる。一方の側から他方の側に光を透過することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。または、新規な入力装置を提供することができる。

なお、本明細書において、出力ユニットを第１のユニット、検知ユニットを第２のユニット、第１の制御線を第１の配線、第２の制御線を第２の配線、第１の電源線を第３の配線、第２の電源線を第４の配線、信号線を第５の配線、第３の電源線を第６の配線、第４の電源線を第７の配線、第３の制御線を第８の配線、検知パネルをパネルと読み替えることができる。

なお、本明細書において、エレクトロルミネッセンス素子の一対の電極間に設けられた層をＥＬ層という。また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光性の有機化合物を含む発光層を備える。従って、一対の電極間に設けられた発光層はＥＬ層の一態様である。

また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マトリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲスト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。

なお、本明細書中において、画像表示装置または光源（照明装置含む）は、発光装置に含まれる。

また、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）またはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクターが取り付けられたモジュール、当該モジュールのＴＣＰの先にプリント配線板が取り付けられたものもしくはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が実装され且つ発光素子が形成された基板も、発光装置に含まれる。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ａから出力された信号がＢへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含むものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置を提供できる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供できる。または、新規な検知装置、新規な入力装置または、新規な半導体装置を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る検知装置の構成を説明するブロック図および回路図ならびに動作を説明するタイミングチャート。 実施の形態に係る検知ユニットの構成を説明する底面図および断面図。 実施の形態に係る検知ユニットの構成を説明する底面図。 実施の形態に係る検知ユニットの構成を説明する底面図および断面図。 実施の形態に係る入力装置の構成を説明するブロック図および回路図ならびに動作を説明するタイミングチャート。 実施の形態に係る入力装置の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る検知パネルの構成を説明する底面図および断面図。 実施の形態に係る検知パネルの構成を説明する底面図および断面図。 実施の形態に係る検知パネルの構成を説明する底面図および断面図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する投影図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る検知回路に用いることができるトランジスタの構成を説明する図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る支持体に開口部を有する積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る加工部材の構成を説明する模式図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する投影図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する投影図。

本発明の一態様の検知装置は、第１の制御信号および第２の制御信号を供給され、検知信号を供給する検知ユニットと、第１の制御信号を供給する第１の制御線と、第２の制御信号を供給する第２の制御線と、検知信号を供給される信号線と、を有する。そして、検知ユニットは、第１の電極が信号線に電気的に接続され、第２の電極が第２の電源線と電気的に接続されるトランジスタと、第１の電極がトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の電極が第２の制御線と電気的に接続される容量素子を含んで構成される。なお、トランジスタのゲートは、第１の電源電位に基づく電位を第１の制御信号に基づいて供給され、次いで容量素子の容量および静電容量ならびに第２の制御信号に基づいて変化する電位を供給される。また、第１の制御線および第２の制御線は透光性を備える導電膜を含む。

これにより、検知ユニットに近接するものがもたらす静電容量の変化に基づいて、検知情報を供給することができる。また、第１の制御線および第２制御線が反射する光の強度を低減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。または、新規な検知装置、新規な入力装置または、新規な半導体装置を提供できる。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の検知装置の構成について、図１および図２を参照しながら説明する。

図１は本発明の一態様の検知装置の構成を説明する図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の検知装置１０のブロック図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）に示す検知ユニット１０Ｕに用いることができる回路の一例を説明する回路図であり、図１（Ｃ）は図１（Ａ）に示す出力ユニット１５に用いることができる回路の一例を説明する回路図である。また、図１（Ｄ）は検知装置１０の駆動方法を説明するタイミングチャートである。

図２は本発明の一態様の検知ユニット１０ＵＡの構成を説明する図である。図２（Ａ）は本発明の一態様の検知ユニット１０ＵＡの上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）に示す検知ユニット１０ＵＡの切断線Ｘ１−Ｘ２および切断線Ｘ３−Ｘ４における断面を説明する図である。

＜検知装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する検知装置１０は、検知信号を供給され且つ検知情報を供給することができる出力ユニット１５と、検知信号を供給することができる検知ユニット１０Ｕと、検知ユニット１０Ｕと電気的に接続される配線と、検知ユニット１０Ｕおよび配線を支持する基材１６と、を有する（図１（Ａ）および図１（Ｂ）参照）。

配線は、第１の制御信号を供給することができる第１の制御線Ｇ（１）、第２の制御信号を供給することができる第２の制御線Ｇ（２）、第１の電源電位を供給することができる第１の電源線ＶＲＥＳ、第２の電源電位を供給することができる第２の電源線ＶＰおよび検知信号を供給することができる信号線ＤＬを含む（図１（Ｂ）参照）。

検知ユニット１０Ｕは、制御端子が第１の制御線Ｇ（１）と電気的に接続され、第１の端子が第１の電源線ＶＲＥＳと電気的に接続される、スイッチＳＷを備える（図１（Ｂ）参照）。例えば、トランジスタをスイッチＳＷに用いることができる。

また、ゲートがスイッチＳＷの第２の端子と電気的に接続され、第１の電極が信号線ＤＬと電気的に接続され、第２の電極が第２の電源線ＶＰと電気的に接続される第１のトランジスタＭ１を備える。

また、第１の電極が第１のトランジスタＭ１のゲートと電気的に接続され、第２の電極が第２の制御線Ｇ（２）と電気的に接続される容量素子Ｃを備える。

なお、スイッチＳＷの第２の端子、トランジスタＭ１のゲートおよび容量素子Ｃの第１の電極が電気的に接続される結節部を、ノードＡという。

出力ユニット１５は、ゲートが第３の電源電位を供給することができる第３の電源線ＢＲと電気的に接続され、第１の電極が第４の電源電位を供給することができる第４の電源線ＶＰＯと電気的に接続され、第２の電極が信号線ＤＬおよび検知情報を供給することができる端子ＯＵＴと電気的に接続される第２のトランジスタを備える（図１（Ｃ）参照）。例えば、接地電位を第１の電源電位および第２の電源電位に用いることができる。また、スイッチＳＷ、トランジスタＭ１およびトランジスタＭ２等が適切に動作する程度に高い電位を第３の電源電位および第４の電源電位に用いることができる。具体的には、およそ５Ｖを用いることができる。

また、第１の制御線Ｇ（１）は透光性を備える第１の導電膜を含み、第２の制御線Ｇ（２）は透光性を備える第２の導電膜を含む。

上記本発明の一態様の検知装置１０は、第１の制御信号および第２の制御信号を供給され、検知信号を供給する検知ユニット１０Ｕと、第１の制御信号を供給する第１の制御線Ｇ（１）と、第２の制御信号を供給する第２の制御線Ｇ（２）と、検知信号を供給される信号線ＤＬと、を有する。そして、検知ユニット１０Ｕは、第１の電極が信号線ＤＬに電気的に接続され、第２の電極が第２の電源線ＶＰと電気的に接続されるトランジスタＭ１と、第１の電極がトランジスタＭ１のゲートと電気的に接続され、第２の電極が第２の制御線Ｇ（２）と電気的に接続される容量素子Ｃを含んで構成される。なお、トランジスタＭ１のゲートは、第１の電源電位に基づく電位を第１の制御信号に基づいて供給され、次いで容量素子Ｃの容量および静電容量ならびに第２の制御信号に基づいて変化する電位を供給される。また、第１の制御線Ｇ（１）および第２の制御線Ｇ（２）は透光性を備える導電膜を含む。

これにより、検知ユニットに近接するものがもたらす静電容量の変化に基づいて、検知情報を供給することができる。また、第１の制御線および第２制御線が反射する光の強度を低減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知装置を提供することができる。または、新規な検知装置を提供することができる。

以下に、検知装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

《全体の構成》
本実施の形態の検知装置１０は、出力ユニット１５、検知ユニット１０Ｕ、配線または基材１６を有する。

なお、検知装置１０の作製に適用することができる積層体の作製方法の一例を実施の形態５乃至実施の形態７において詳細に説明する。

《検知ユニット》
検知ユニット１０Ｕは、検知信号を供給することができる。例えば、近接するものを検知して検知信号を供給することができる。例えば静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく情報を供給する。具体的には、容量素子、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または共振器等を検知素子に用いることができる。

例えば、検知ユニット１０Ｕは、スイッチＳＷ、第１のトランジスタＭ１または容量素子Ｃを備える（図１（Ｂ）参照）。

大気中において、指などの大気より大きな誘電率を備えるものが導電膜に近接すると、指と導電膜の間の静電容量が変化する。検知ユニット１０Ｕは、例えばこの静電容量の変化を検知して検知信号を供給することができる。

具体的には、容量素子Ｃの第１の電極または第２の電極もしくは第２の電極と電気的に接続する第２の制御線Ｇ（２）などを検知ユニット１０Ｕに用いることができる。

第１の制御信号が制御端子に供給されるスイッチＳＷが、ノードＡの電位を第１の電源電位に基づく電位に制御する。次いで、容量素子Ｃの第２の電極に供給される第２の制御信号が、ノードＡの電位を容量素子Ｃの容量および静電容量に基づいて変化する。

具体的には、指などがノードＡと電気的に接続する導電膜に近接し、指などとノードＡの間に大きな静電容量が生じている状態においては、ノードＡの電位の変化（振幅ともいう）が小さくなる。この電位の変化を検知信号に用いることができる。または、この電圧の変化を増幅して、検知信号に用いることができる。

《スイッチ、トランジスタ》
検知ユニット１０Ｕは、第１の制御信号に基づいて導通状態または非導通状態にすることができるスイッチＳＷを備える。例えば、トランジスタをスイッチＳＷに用いることができる。

また、検知信号を増幅して供給することができるトランジスタＭ１を備える。

同一の工程で作製することができるトランジスタを、スイッチＳＷおよびトランジスタＭ１に用いることができる。これにより、作製工程を簡略化することができる。

トランジスタは半導体層を備える。例えば、４族の元素、化合物半導体、酸化物半導体または有機半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを半導体層に適用できる。また、有機半導体などを半導体層に用いることができる。

様々な結晶性を備える半導体層をトランジスタに用いることができる。例えば、非結晶を含む半導体層、微結晶を含む半導体層、多結晶を含む半導体層または単結晶を含む半導体層等を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、レーザーアニールなどの処理により結晶化したポリシリコンまたはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技術を用いて形成された半導体層等を用いることができる。

半導体層に用いる酸化物半導体は、例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される材料を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。

酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。

なお、酸化物半導体を半導体層に適用したトランジスタの構成を、実施の形態４において詳細に説明する。

《配線》
配線は、第１の制御線Ｇ（１）、第２の制御線Ｇ（２）、第１の電源線ＶＲＥＳ、第２の電源線ＶＰおよび信号線ＤＬを含む。

第１の制御線Ｇ（１）は、第１の制御信号を供給することができる。第２の制御線Ｇ（２）は、第２の制御信号を供給することができる。

第１の電源線ＶＲＥＳは、第１の電源電位を供給することができる。

第２の電源線ＶＰは、第２の電源電位を供給することができる。

信号線ＤＬは、信号線を供給することができる。

第１の制御線Ｇ（１）は透光性を備える第１の導電膜を含む。第２の制御線Ｇ（２）は透光性を備える第２の導電膜を含む。

例えば、透光性を備える導電膜に金属酸化物等の導電性材料を用いることができる。または、光が透過できる程度の厚さの金属薄膜を用いることができる。

さまざまな導電性を有する材料を配線に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを、導電膜に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウム、ジルコニウム、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線等に用いることができる。特に、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用いることができる。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を積層する積層構造を用いることができる。

または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を導電膜に用いることができる。

または、グラフェンまたはグラファイトを導電膜に用いることができる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

または、導電性高分子を導電膜に用いることができる。

また、導電性が付与された半導体膜を、導電性の膜に用いることができる。例えば、半導体膜に不純物を添加して導電性を付与することができる。例えば、トランジスタの半導体層に用いるために形成される半導体膜のトランジスタに用いない部分に導電性を付与して、配線に用いることができる。

例えば、不純物を添加された４族の元素、化合物半導体、酸化物半導体または有機半導体を用いることができる。具体的には、ｎ型またはｐ型にする不純物を添加されたシリコンを含む半導体を導電性の膜に用いることができる。または、水素等が添加された酸化物半導体を導電性の膜に用いることができる。不純物として水素等が添加された酸化物半導体は透光性を備え、透光性を備える導電性の膜に用いることができる。

《容量素子》
容量素子Ｃは、絶縁性の膜と、絶縁性の膜を挟持する２つの導電性の膜を備える。例えば、絶縁層Ｃ２、第１の電極Ｃ１および第２の制御線Ｇ（２）を容量素子Ｃに用いることができる（図２（Ｂ）参照）。

なお、絶縁性の膜および導電性の膜に透光性を備える材料を選択して用いることにより、容量素子Ｃに透光性を付与することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料等を絶縁性の膜に用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を絶縁性の材料に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、絶縁膜に用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、絶縁膜に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、絶縁膜に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を絶縁膜に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、絶縁膜に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、絶縁膜に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、絶縁膜に用いることができる。

配線に用いることができる材料と同様の材料を、導電性の膜に用いることができる。

例えば、トランジスタに用いるために形成された半導体層のトランジスタに用いない部分に導電性を付与して、容量素子Ｃの電極に用いることができる。

《基材》
基材１６は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。特に、可撓性を有する材料を基材１６に用いると、検知装置１０を折り畳んだ状態または展開された状態にすることができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材１６に用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックスまたは金属等の無機材料を基材１６に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、基材１６に用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、基材１６に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、基材１６に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材１６に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材１６に用いることができる。

例えば、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基材１６に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を基材１６に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、基材１６に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層材料を、基材１６に用いることができる。

具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、基材１６に適用できる。

または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された積層材料を、基材１６に適用できる。

具体的には、可撓性を有する基材１６ｂ、意図しない不純物の拡散を防ぐバリア膜１６ａおよび基材１６ｂとバリア膜１６ａを貼り合わせる樹脂層１６ｃの積層体を用いることができる（図２（Ｂ）参照）。

《出力ユニット》
出力ユニット１５は、検知信号に基づく検知情報を端子ＯＵＴに供給することができる。

さまざまな回路を出力ユニット１５に用いることができる。例えば、検知ユニット１０Ｕに配設された回路と電気的に接続することにより、ソースフォロワ回路やカレントミラー回路が構成される回路を出力ユニット１５に用いることができる。

例えば、ゲートが第３の電源電位を供給することができる電源線ＢＲと電気的に接続され、第１の電極が第４の電源電位を供給することができる電源線ＶＰＯと電気的に接続され、第２の電極が信号線ＤＬと電気的に接続されるトランジスタＭ２などを出力ユニット１５に用いることができる。

また、出力ユニット１５を検知ユニット１０Ｕと同一の基材１６に配設することができる。なお、検知ユニット１０Ｕが備えるトランジスタＭ１と同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭ２に用いることができる。

＜検知ユニットの配置例１＞
本発明の一態様の検知ユニット１０ＵＡについて、図２を用いて説明する。

検知ユニット１０ＵＡは、第１の制御線Ｇ（１）および第２の制御線Ｇ（２）を備え、第１の制御線Ｇ（１）および第２の制御線Ｇ（２）は透光性を備える導電膜を含む。また、第１の制御線Ｇ（１）および第２の制御線Ｇ（２）に比べて基材１６の側に、第１の電源線ＶＲＥＳおよび第２の電源線ＶＰを備える。そして、第１の電源線ＶＲＥＳは第１の制御線Ｇ（１）および第２の制御線Ｇ（２）の間に配設される（図２（Ａ）および図２（Ｂ）参照）。

また、第２の制御線Ｇ（２）と基材１６の間に、トランジスタＭ１およびスイッチＳＷを備える。なお、トランジスタＭ１と同一の工程で形成することができるトランジスタをスイッチＳＷに用いることができる。

トランジスタＭ１のゲートは、スイッチの第２の端子と電気的に接続される。例えば、第１の電極Ｃ１を用いて接続することができる。

検知ユニット１０ＵＡは、第２の制御線Ｇ（２）と第１の電極Ｃ１の間に絶縁層Ｃ２を備える。そして、第２の制御線Ｇ（２）、第１の電極Ｃ１および絶縁層Ｃ２は容量素子Ｃを構成する。

なお、透光性を備える導電膜を第１の制御線Ｇ（１）または第２の制御線Ｇ（２）に用いると、第１の制御線Ｇ（１）または第２の制御線Ｇ（２）に透光性を備える領域を設けることができる。さらに、透光性を備える材料を基材１６に用いると、第１の制御線Ｇ（１）の透光性を備える領域または第２の制御線Ｇ（２）の透光性を備える領域を基材１６の透光性を備える領域と重ねることができる。これにより、一方の側から他方の側に光を透過することができる。

また、透光性を備える導電膜を第２の制御線Ｇ（２）に用い、透光性を備える材料を基材１６に用い、透光性を備える導電膜を容量素子Ｃの第１の電極Ｃ１に用いると、第２の制御線Ｇ（２）の透光性を備える領域と、基材１６の透光性を備える領域と、容量素子Ｃの透光性を備える第１の電極Ｃ１と、を重ねることができる。これにより、一方の側から他方の側に光を透過することができる。

＜検知ユニットの配置例２＞
配置が検知ユニット１０ＵＡとは異なる本発明の一態様の検知ユニット１０ＵＢについて、図３を用いて説明する。図３は本発明の一態様の検知ユニット１０ＵＢの上面図である。

検知ユニット１０ＵＢは、第２の電源線ＶＰが第１の制御線Ｇ（１）および第２の制御線Ｇ（２）の間に配設される点が、図２を参照しながら説明する検知ユニット１０ＵＡとは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

＜検知ユニットの配置例３＞
配置が検知ユニット１０ＵＡおよび検知ユニット１０ＵＢとは異なる本発明の一態様の検知ユニット１０ＵＣについて、図４を用いて説明する。図４（Ａ）は本発明の一態様の検知ユニット１０ＵＣの上面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）に示す検知ユニット１０ＵＣの切断線Ｘ１−Ｘ２および切断線Ｘ３−Ｘ４における断面を説明する図である。

検知ユニット１０ＵＣは、透光性を備える導電膜を第１の電源線ＶＲＥＳおよび第２の電源線ＶＰに用いている点が、図４を参照しながら説明する検知ユニット１０ＵＢとは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

＜検知装置の駆動方法＞
検知装置１０の駆動方法を、図１（Ｄ）を参照しながら説明する。

《第１のステップ》
期間Ｔ１において、第１の制御信号を第１の制御線Ｇ（１）に供給する。第１の制御信号を制御端子に供給されたスイッチＳＷは、第１の端子と第２の端子を導通状態にする。その結果、ノードＡの電位を第１の電源電位に基づく電位にすることができる。

《第２のステップ》
期間Ｔ２において、第２の制御信号を第２の制御線Ｇ（２）に供給する。第２の制御信号は、ノードＡの電位を容量素子Ｃの容量および静電容量に基づいて変化する。

具体的には、指などがノードＡと電気的に接続する導電膜に近接し、指などとノードＡの間に大きな静電容量が生じている状態（図１（Ｄ）のＡ’を参照）においては、指などが近接していない状態（図１（Ｄ）のＡを参照）に比べてノードＡの電位の変化（振幅ともいう）が小さくなる。この電位の変化を指などの近接状態を検知する検知信号に用いることができる。または、この電圧の変化を増幅して、検知信号に用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置の構成について、図５乃至図９を参照しながら説明する。

図５は本発明の一態様の入力装置の構成を説明する図である。図５（Ａ）は本発明の一態様の入力装置１００のブロック図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）に示す検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）に用いることができる回路の一例を説明する回路図であり、図５（Ｃ）は図５（Ａ）に示す出力部１０３Ｄに用いることができる回路の一例を説明する回路図である。また、図５（Ｄ）は入力装置１００の駆動方法を説明するタイミングチャートである。

図６は本発明の一態様の入力装置を説明するブロック図である。図６（Ａ）は本発明の一態様の入力装置１００が備える検知ユニットの配置を説明するブロック図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）とは異なる他の配置を説明するブロック図であり、図６（Ｃ）は図６（Ａ）および図６（Ｂ）とは異なる他の配置を説明するブロック図である。

図７乃至図９は本発明の一態様の入力装置に用いることができる検知パネルの一例を説明する図である。具体的には、検知ユニットおよび配線の配置を説明する図である。

図７（Ａ）は本発明の一態様の入力装置１００に用いることができる検知パネルを説明する底面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）に示す検知パネルの切断線Ｙ１−Ｙ２および切断線Ｙ３−Ｙ４における断面を説明する図である。

図８（Ａ）は本発明の一態様の入力装置１００に用いることができる検知パネルを説明する底面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）に示す検知パネルの切断線Ｙ１−Ｙ２および切断線Ｙ３−Ｙ４における断面を説明する図である。

図９（Ａ）は本発明の一態様の入力装置１００に用いることができる検知パネルを説明する底面図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）に示す検知パネルの切断線Ｙ１−Ｙ２および切断線Ｙ３−Ｙ４における断面を説明する図である。

＜入力装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する入力装置１００は、検知信号を供給することができる検知パネルと、検知信号を供給され検知情報を供給することができる出力部１０３Ｄと、を有する（図５（Ａ）参照）。

検知パネルは、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配設される複数の検知ユニットと、検知ユニットと電気的に接続される配線と、検知ユニットおよび配線を支持する基材と、を備える。なお、ｍは２以上の自然数、ｎは１以上の自然数、ｉはｍ−１以下の自然数またｊはｎ以下の自然数であるとする。

配線は、行方向に延在し、第１の制御線Ｇ（ｉ−１）、第２の制御線Ｇ（ｉ）および第３の制御線Ｇ（ｉ＋１）を含む。また、列方向に延在し且つ検知信号を供給されることができる信号線ＤＬ（ｊ）を含む。また、第１の電源電位を供給することができる第１の電源線ＶＲＥＳと、第２の電源電位を供給することができる第２の電源線ＶＰと、を含む（図６参照）。

第１の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ，１）乃至検知ユニット１０２（ｉ，ｎ）は、第１の制御線Ｇ（ｉ−１）および第２の制御線Ｇ（ｉ）と電気的に接続される。例えば、１行目に配設される検知ユニット１０２（１，１）乃至検知ユニット１０２（１，ｎ）は、制御線Ｇ（０）および制御線Ｇ（１）と電気的に接続される（図５（Ａ）および図６参照）。

第２の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ＋１，１）乃至検知ユニット１０２（ｉ＋１，ｎ）は、第２の制御線Ｇ（ｉ）および第３の制御線Ｇ（ｉ＋１）と電気的に接続される。例えば、２行目に配設される検知ユニット１０２（２，１）乃至検知ユニット１０２（２，ｎ）は、制御線Ｇ（１）および制御線Ｇ（２）と電気的に接続される。

一の列に配設される検知ユニット１０２（１，ｊ）乃至検知ユニット１０２（ｍ，ｊ）は、一の信号線ＤＬ（ｊ）と電気的に接続される。例えば、１列目に配設される検知ユニット１０２（１，１）乃至検知ユニット１０２（ｍ，１）は、信号線ＤＬ（１）と電気的に接続される。

検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）は、第１の電源線ＶＲＥＳおよび第２の電源線ＶＰと電気的に接続される。

出力部１０３Ｄは、信号線ＤＬ（ｊ）と電気的に接続される出力ユニット１５（ｊ）を備える。

本実施の形態で説明する入力装置１００は、検知パネルと出力部１０３Ｄを含んで構成される。検知パネルは、第１の制御線Ｇ（ｉ−１）、第２の制御線Ｇ（ｉ）および第３の制御線Ｇ（ｉ＋１）ならびに第１の行に配設され第１の制御線Ｇ（ｉ−１）および第２の制御線Ｇ（ｉ）と電気的に接続される検知ユニット１０２（ｉ，１）乃至検知ユニット１０２（ｉ，ｎ）と、第２の行に配設され第２の制御線Ｇ（ｉ）および第３の制御線Ｇ（ｉ＋１）と電気的に接続される検知ユニット１０２（ｉ＋１，１）乃至検知ユニット１０２（ｉ＋１，ｎ）と、一の列に配設される検知ユニット１０２（１，ｊ）乃至検知ユニット１０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される信号線ＤＬ（ｊ）と、を備える。また、検知パネルは検知信号を供給し、出力部１０３Ｄは検知信号を供給され検知情報を供給する。

これにより、第２の制御線Ｇ（ｉ）は制御信号を第１の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ，１）乃至検知ユニット１０２（ｉ，ｎ）および第２の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ＋１，１）乃至検知ユニット１０２（ｉ＋１，ｎ）に供給することができ、配線の数を削減できる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。または、新規な入力装置を提供することができる。

また、各検知ユニットが検知する検知情報を検知ユニットの位置情報と共に供給することができる。また、検知情報を供給させない検知ユニットと信号線を非導通状態にすることで、検知信号を供給させる検知ユニットへの電気的な干渉を低減することができる。

以下に、入力装置１００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

《全体の構成》
本実施の形態で説明する入力装置１００は、検知パネルまたは出力部１０３Ｄを有する。

また、制御線に制御信号を供給する駆動回路１０３Ｇを有していてもよい。

また、可視光を透過する窓部と、窓部を囲む遮光性の層ＢＭを有していてもよい。

なお、入力装置１００の作製に適用することができる積層体の作製方法の一例を実施の形態５乃至実施の形態７において詳細に説明する。

《検知パネル》
検知パネルは検知信号を供給する。また、検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）、配線または基材１１０を備える。

《検知ユニット》
検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）は、検知信号を供給することができる。例えば、近接するものを検知して検知信号を供給することができる。例えば静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく情報を供給する。具体的には、容量素子、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または共振器等を検知素子に用いることができる。

例えば、検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ（ｉ，ｊ）、第１のトランジスタＭ１（ｉ，ｊ）または容量素子１５０（ｉ，ｊ）を備える（図５（Ｂ）参照）。

大気中において、指などの大気より大きな誘電率を備えるものが導電膜に近接すると、指と導電膜の間の静電容量が変化する。例えば、検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）は、この静電容量の変化を検知して検知信号を供給することができる。

具体的には、容量素子１５０（ｉ，ｊ）の第１の電極または第２の電極もしくは第２の電極と電気的に接続する第２の制御線Ｇ（ｉ）などを検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）に用いることができる。

制御端子に第１の制御信号を供給されるスイッチＳＷ（ｉ，ｊ）が、ノードＡの電位を第１の電源電位に基づく電位に制御する。次いで、容量素子１５０（ｉ，ｊ）の第２の電極に供給される第２の制御信号が、ノードＡの電位を容量素子１５０（ｉ，ｊ）の容量および静電容量に基づいて変化する。

具体的には、指などがノードＡと電気的に接続する導電膜に近接し、指などとノードＡの間に大きな静電容量が生じている状態においては、ノードＡの電位の変化（振幅ともいう）が小さくなる。この電位の変化を検知信号に用いることができる。または、この電圧の変化を増幅して、検知信号に用いることができる。

なお、実施の形態１と同様の構成を備える検知ユニットを用いることができる。同様の構成を用いることができる構成は、上記の説明を援用する。

《スイッチ、トランジスタ》
検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）は、第１の制御信号に基づいて導通状態または非導通状態にすることができるスイッチＳＷを備える。例えば、トランジスタをスイッチＳＷに用いることができる。

また、検知信号を増幅して供給することができるトランジスタＭ１を備える。

同一の工程で作製することができるトランジスタを、スイッチＳＷおよびトランジスタＭ１に用いることができる。これにより、作製工程を簡略化することができる。

トランジスタは半導体層を備える。例えば、４族の元素、化合物半導体、酸化物半導体または有機半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを半導体層に適用できる。また、有機半導体などを半導体層に用いることができる。

様々な結晶性を備える半導体層をトランジスタに用いることができる。例えば、非結晶を含む半導体層、微結晶を含む半導体層、多結晶を含む半導体層または単結晶を含む半導体層等を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、レーザーアニールなどの処理により結晶化したポリシリコンまたはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技術を用いて形成された半導体層等を用いることができる。

なお、酸化物半導体を半導体層に適用したトランジスタの構成を、実施の形態４において詳細に説明する。

なお、実施の形態１と同様の構成を備えるスイッチまたはトランジスタを用いることができる。同様の構成を用いることができる構成は、上記の説明を援用する。

《配線》
配線は、第１の制御線Ｇ（ｉ−１）、第２の制御線Ｇ（ｉ）および第３の制御線Ｇ（ｉ＋１）を含む。また、配線は信号線ＤＬ（ｊ）を含む。また、配線は第１の電源線ＶＲＥＳまたは第２の電源線ＶＰを含む（図６参照）。

第１の制御線Ｇ（ｉ−１）、第２の制御線Ｇ（ｉ）および第３の制御線Ｇ（ｉ＋１）は制御信号を供給することができる。

第１の電源線ＶＲＥＳは、第１の電源電位を供給することができる。

第２の電源線ＶＰは、第２の電源電位を供給することができる。

信号線ＤＬは、検知信号を供給され供給することができる。

第１の制御線Ｇ（ｉ−１）は透光性を備える第１の導電膜を含む。または、第２の制御線Ｇ（ｉ）は透光性を備える第２の導電膜を含む（図７（Ａ）参照）。

さまざまな導電性を有する材料を配線に用いることができる。

《基材》
基材１１０は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。特に、可撓性を有する材料を基材１１０に用いると、検知パネルを折り畳んだ状態または展開された状態にすることができる。

なお、実施の形態１で説明する基材１６と同様の基材を基材１１０に用いることができる。同様の構成を用いることができる構成は、上記の説明を援用する。

また、第１の制御線Ｇ（ｉ−１）が透光性を備える領域を具備し且つ第１の制御線Ｇ（ｉ−１）が透光性を備える領域と重なる位置に、透光性を備える領域を具備する基材１１０を用いることができる。

また、第２の制御線Ｇ（ｉ）が透光性を備える領域を具備し且つ第２の制御線Ｇ（ｉ）が透光性を備える領域と重なる位置に、透光性を備える領域を具備する基材１１０を用いることができる。

これにより、入力装置１００は、一方の側から他方の側に光を透過することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。または、新規な入力装置を提供することができる。

《容量素子》
容量素子１５０（ｉ，ｊ）は、絶縁層Ｃ２と、絶縁層Ｃ２を挟持する２つの導電性の膜を備える。

なお、実施の形態１で説明する容量素子１５０（ｉ，ｊ）と同様の構成を用いることができる。同様の構成を用いることができる構成は、上記の説明を援用する。

また、第２の制御線Ｇ（ｉ）および基材１１０が透光性を備える領域と重なる位置に、第１の電極Ｃ１（ｉ，ｊ）が透光性を備える容量素子１５０（ｉ，ｊ）を用いることができる（図７参照）。

これにより、入力装置１００は、一方の側から他方の側に光を透過することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。または、新規な入力装置を提供することができる。

《出力部》
出力部１０３Ｄは、出力ユニット１５（ｊ）を備える。例えば、複数の出力ユニット１５（ｊ）を備える。

出力ユニット１５（ｊ）は、信号線ＤＬ（ｊ）と電気的に接続され、検知ユニット１０２（１，ｊ）乃至検知ユニット１０２（ｍ，ｊ）が供給する検知信号に基づく検知情報を端子ＯＵＴに供給することができる。

さまざまな回路を出力ユニット１５に用いることができる。例えば、検知ユニット１０Ｕに配設された回路と電気的に接続することにより、ソースフォロワ回路やカレントミラー回路が構成される回路を出力ユニット１５に用いることができる。

例えば、トランジスタＭ２などを出力ユニット１５に用いることができる。

また、出力ユニット１５を検知ユニット１０Ｕと同一の基材１１０に配設することができる。なお、検知ユニット１０Ｕが備えるトランジスタＭ１と同一の工程で形成することができるトランジスタを用いることができる。

なお、実施の形態１で説明する出力ユニット１５（ｊ）と同様の構成を出力部１０３Ｄに用いることができる。同様の構成を用いることができる構成は、上記の説明を援用する。

《駆動回路》
駆動回路１０３Ｇは、制御信号を供給する。例えば、シフトレジスタ、フリップフロップ回路などの組み合わせ回路などを用いることができる。

《窓部、着色層および遮光性の層》
窓部は可視光を透過する。

窓部に重なる位置に所定の色の光を透過する着色層を備える。例えば、青色の光を透過する着色層、緑磯の光を透過する着色層または赤色の光を透過する着色層を備える。

なお、青色、緑色または／および赤色に加えて、白色の光を透過する着色層または黄色の光を透過する着色層などさまざまな色の光を透過する着色層を備えることができる。

金属材料、顔料または染料等を着色層に用いることができる。

なお、着色層および遮光性の層ＢＭを覆う透光性のオーバーコート層を備えることができる。

窓部を囲む遮光性の層ＢＭは窓部より光を透過しにくい。

カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光性の層ＢＭに用いることができる。

＜検知ユニットの配置例１＞
本発明の一態様の入力装置１００に用いることができる検知パネルについて、図６（Ａ）および図７を参照しながら説明する。

具体的には、検知パネルが備える検知ユニット１０２（ｉ−１，ｊ）および検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）の配置について、説明する。

図６（Ａ）に図示する検知パネルは、検知ユニット１０２（ｉ−１，ｊ）および検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）を備える。また、第１の電源線ＶＲＥＳおよび第２の電源線ＶＰならびに第１の制御線Ｇ（ｉ−１）、第２の制御線Ｇ（ｉ）および第３の制御線Ｇ（ｉ＋１）を備える。

第１の電源線ＶＲＥＳおよび第２の電源線ＶＰが、第２の制御線Ｇ（ｉ）と第３の制御線Ｇ（ｉ＋１）の間に配設される。

また、第１の電源線ＶＲＥＳが第２の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

また、第２の電源線ＶＰが第１の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ−１，ｊ）と電気的に接続される。

図７は図６（Ａ）に図示する検知パネルの具体的な配置を説明する図である。第１の電源線ＶＲＥＳおよび第２の電源線ＶＰならびに第１の制御線Ｇ（ｉ−１）および第２の制御線Ｇ（ｉ）を備える。

第１の電源線ＶＲＥＳおよび第２の電源線ＶＰが、第１の制御線Ｇ（ｉ−１）と第２の制御線Ｇ（ｉ）の間に配設される。

また、第１の電源線ＶＲＥＳは第２の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）が備えるスイッチＳＷの第１の端子と電気的に接続される。

また、第２の電源線ＶＰは第１の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ−１，ｊ）が備えるトランジスタＭ１の第２の電極と電気的に接続される。

また、容量素子１５０（ｉ，ｊ）は、第２の制御線Ｇ（ｉ）および第２の制御線Ｇ（ｉ）と重なる第１の電極Ｃ１（ｉ，ｊ）を含む。

＜検知ユニットの配置例２＞
上記の検知パネルと配置が異なる検知パネルを図６（Ｂ）および図８に図示する。また、図９に図示する。

具体的には、第１の電源線ＶＲＥＳが第２の制御線Ｇ（ｉ）と第３の制御線Ｇ（ｉ＋１）の間に配設される。また、第１の電源線ＶＲＥＳが第１の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ−１，ｊ）および第２の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

本実施の形態で説明する入力装置１００は、電源電位を供給する配線を共有する、第１の検知ユニット１０２（ｉ−１，ｊ）および第２の検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）を含んで構成される。これにより、配線の数を削減できる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。または、新規な入力装置を提供することができる。

図８に図示する検知パネルは、第１の電源線ＶＲＥＳおよび第２の電源線ＶＰならびに第１の制御線Ｇ（ｉ−１）および第２の制御線Ｇ（ｉ）を備える（図８（Ａ）参照）。

第２の電源線ＶＰが、第１の制御線Ｇ（ｉ−１）と第２の制御線Ｇ（ｉ）の間に配設される。

また、第１の電源線ＶＲＥＳは第２の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）が備えるスイッチＳＷの第１の端子と電気的に接続される。

また、第２の電源線ＶＰは第１の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ−１，ｊ）が備えるトランジスタＭ１の第２の電極と電気的に接続される。

また、容量素子１５０（ｉ，ｊ）は、第２の制御線Ｇ（ｉ）および第２の制御線Ｇ（ｉ）と重なる第１の電極Ｃ１（ｉ，ｊ）を含む（図８（Ｂ）参照）。

なお、図８に図示する検知パネルと、第１の電源線ＶＲＥＳおよび第２の電源線ＶＰが透光性を備える導電膜を含む点が異なる検知パネルを図９に図示する。

＜検知ユニットの配置例３＞
上記の検知パネルと配置が異なる検知パネルを図６（Ｃ）に図示する。

具体的には、第２の電源線ＶＰが第２の制御線Ｇ（ｉ）と第３の制御線Ｇ（ｉ＋１）の間に配設される。また、第２の電源線ＶＰが第１の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ−１，ｊ）および第２の行に配設される検知ユニット１０２（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

＜入力装置の駆動方法＞
入力装置１００の駆動方法を説明する（図５（Ｄ）参照）。

《第１のステップ》
期間Ｔ１において、第１の制御信号を第１の制御線Ｇ（ｉ−１）に供給する。第１の制御信号を制御端子に供給されたスイッチＳＷ（ｉ，ｊ）は、第１の端子と第２の端子を導通状態にする。その結果、ノードＡ（ｉ，ｊ）の電位を第１の電源電位に基づく電位にすることができる。

《第２のステップ》
期間Ｔ２において、第２の制御信号を第２の制御線Ｇ（ｉ）に供給する。第２の制御信号は、ノードＡ（ｉ，ｊ）の電位を容量素子１５０（ｉ，ｊ）の容量および静電容量に基づいて変化する。

具体的には、指などがノードＡ（ｉ，ｊ）と電気的に接続する導電膜に近接し、指などとノードＡ（ｉ，ｊ）の間に大きな静電容量が生じている状態においては、ノードＡの電位の変化（振幅ともいう）が小さくなる。この電位の変化を検知信号に用いることができる。または、この電圧の変化を増幅して、検知信号に用いることができる。

なお、第２のステップにおいて供給される第２の制御信号は、検知ユニット１０２（ｉ＋１，ｊ）のスイッチＳＷ（ｉ＋１、ｊ）に、第１の制御信号として供給される。

《第３のステップ》
期間Ｔ３において、第３の制御信号を第３の制御線Ｇ（ｉ＋１）に供給する。第３の制御信号は、ノードＡ（ｉ＋１，ｊ）の電位を容量素子１５０（ｉ＋１，ｊ）の容量および静電容量に基づいて変化する。

このように、直前のステップで一の行に配置される検知ユニットの容量素子１５０（ｉ，ｊ）の第２の電極に供給される制御信号が次の行に配置される検知ユニットのスイッチの制御端子に供給される。これにより、列方向に配置された検知ユニットを順番に駆動することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１０および図１１を参照しながら説明する。

図１０は本発明の一態様の入出力装置５００ＴＰの構成を説明する投影図である。なお、説明の便宜のために検知ユニット６０２の一部および画素５０２の一部を拡大して図示している。

図１１（Ａ）は図１０に示す本発明の一態様の入出力装置５００ＴＰの一部のＺ１−Ｚ２における断面図であり、図１０（Ｂ）および図１０（Ｃ）は図１０（Ａ）に示す構造の一部を置換することができる構造の変形例を示す断面図である。

＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置５００ＴＰは、表示部５００および表示部５００に重なる入力部６００を有する（図１０参照）。

入力部６００は、マトリクス状に配設される複数の検知ユニット６０２を有する。

また、行方向（図中に矢印Ｒで示す）に配置される複数の検知ユニット６０２が電気的に接続される制御線Ｇなどを有する。

また、列方向（図中に矢印Ｃで示す）に配置される複数の検知ユニット６０２が電気的に接続される信号線ＤＬなどを有する。

検知ユニット６０２は検知回路を備える。検知回路は制御線Ｇ（ｉ−１）、制御線Ｇ（ｉ）または信号線ＤＬ（ｊ）などと電気的に接続される。

トランジスタまたは／および検知素子等を検知回路に用いることができる。例えば、導電膜と当該導電膜に電気的に接続される容量素子を検知素子に用いることができる。また、容量素子と当該容量素子に電気的に接続されるトランジスタを用いることができる。

絶縁層６５３、絶縁層６５３を挟持する第１の電極６５１（ｉ，ｊ）および第２の電極６５２を備える容量素子６５０（ｉ，ｊ）を用いることができる（図１１（Ａ）参照）。なお、第２の電極６５２は制御線Ｇ（ｉ）と電気的に接続される。

また、検知ユニットはマトリクス状に配置された複数の窓部６６７を有する。窓部６６７は可視光を透過し、遮光性の層ＢＭを複数の窓部６６７の間に配設してもよい。

窓部６６７に重なる位置に着色層を備える。着色層は、所定の色の光を透過する。なお、着色層はカラーフィルタということができる。例えば、青色の光を透過する着色層ＣＦＢ、緑色の光を透過する着色層ＣＦＧまたは赤色の光を透過する着色層ＣＦＲを用いることができる。また、黄色の光を透過する着色層や白色の光を透過する層を用いてもよい。

表示部５００は、マトリクス状に配置された複数の画素５０２を有する。画素５０２は入力部６００の窓部６６７と重なるように配置されている。

画素５０２は、検知ユニット６０２に比べて高い精細度で配設されてもよい。

本実施の形態で説明する入出力装置５００ＴＰは、可視光を透過する窓部６６７を具備し、マトリクス状に配設される複数の検知ユニット６０２を備える入力部６００と、窓部６６７に重なる画素５０２を複数備える表示部５００と、を有し、窓部６６７と画素５０２の間に着色層を含んで構成される。また、それぞれの検知ユニットは他の検知ユニットへの電気的な干渉を低減することができるスイッチを備える。なお、トランジスタ等をスイッチに用いることができる。

これにより、各検知ユニットが検知する検知情報を検知ユニットの位置情報と共に供給することができる。また、画像を表示する画素の位置情報に関連付けて検知情報を供給することができる。また、検知情報を供給させない検知ユニットと信号線を非導通状態にすることで、検知信号を供給させる検知ユニットへの電気的な干渉を低減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

例えば、入出力装置５００ＴＰの入力部６００は検知情報を検知して位置情報と共に供給することができる。具体的には、入出力装置５００ＴＰの使用者は、入力部６００に近接させた指等をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。

入力部６００は、入力部６００に近接または接触する指等を検知して、検知した位置または軌跡等を含む検知情報を供給することができる。

演算装置は供給された情報が所定の条件を満たすか否かをプログラム等に基づいて判断し、所定のジェスチャーに関連付けられた命令を実行する。

これにより、入力部６００の使用者は、所定のジェスチャーを供給し、所定のジェスチャーに関連付けられた命令を演算装置に実行させることができる。

例えば、入出力装置５００ＴＰの入力部６００は、一の信号線に検知情報を供給することができる複数の検知ユニットから一の検知ユニットを選択し、選択された検知ユニットを除いた他の検知ユニットと当該一の信号線を非導通状態にすることができる。これにより、選択されていない他の検知ユニットがもたらす選択された検知ユニットへの干渉を低減することができる。

具体的には、選択されていない検知ユニットの検知素子がもたらす選択された検知ユニットの検知素子への干渉を低減できる。

例えば、容量素子および当該容量素子の一の電極が電気的に接続された導電膜を検知素子に用いる場合において、選択されていない検知ユニットの導電膜の電位がもたらす、選択された検知ユニットの導電膜の電位への干渉を低減することができる。具体的には、雑音の低減に寄与することができる。

これにより、入出力装置５００ＴＰはその大きさに依存することなく、検知ユニットを駆動して、検知情報を供給させることができる。例えば、ハンドヘルド型に用いることができる大きさから、電子黒板に用いることができる大きさまで、さまざまな大きさの入出力装置５００ＴＰを提供することができる。

また、入出力装置５００ＴＰが折り畳まれた状態および展開された状態にすることができ且つ折り畳まれた状態と展開された状態とで選択されていない検知ユニットがもたらす選択された検知ユニットへの電気的な干渉が異なる場合においても、入出力装置５００ＴＰの状態に依存することなく検知ユニットを駆動して、検知情報を供給させることができる。

また、例えば演算装置等は表示情報Ｖを供給し、入出力装置５００ＴＰの表示部５００は表示情報Ｖを供給される。

以上の構成に加えて、入出力装置５００ＴＰは以下の構成を備えることもできる。

入出力装置５００ＴＰの入力部６００は、駆動回路６０３ｇまたは駆動回路６０３ｄを備えてもよい。また、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１と電気的に接続されてもよい。

入出力装置５００ＴＰの表示部５００は、駆動回路５０３ｇまたは駆動回路５０３ｓもしくは配線５１１または端子５１９を備えてもよい。また、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ２と電気的に接続されてもよい。

また、傷の発生を防いで入出力装置５００ＴＰを保護する保護層６７０を備えてもよい。例えば、セラミックコート層またはハードコート層を保護層６７０に用いることができる。具体的には、酸化アルミニウムを含む層またはＵＶ硬化樹脂を用いることができる。また、入出力装置５００ＴＰが反射する外光の強度を弱める反射防止層６７０ｐを用いることができる。具体的には、円偏光板等を用いることができる。

以下に、入出力装置５００ＴＰを構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

例えば、複数の窓部６６７に重なる位置に着色層を備える入力部６００は、入力部６００であるとともにカラーフィルタでもある。

また、例えば入力部６００が表示部５００に重ねられた入出力装置５００ＴＰは、入力部６００であるとともに表示部５００でもある。なお、表示部５００に入力部６００が重ねられた入出力装置５００ＴＰをタッチパネルともいう。

《全体の構成》
本実施の形態で説明する入出力装置５００ＴＰは、入力部６００または表示部５００を有する。

なお、入出力装置５００ＴＰの作製に適用することができる積層体の作製方法の一例を実施の形態５乃至実施の形態７において詳細に説明する。

《入力部》
入力部６００は、検知ユニット６０２、制御線Ｇ（ｉ−１）、制御線Ｇ（ｉ）、信号線ＤＬ（ｊ）または基材６１０を備える。

なお、基材６１０に入力部６００を形成するための膜を成膜し、当該膜を加工する方法を用いて、入力部６００を形成してもよい。

または、入力部６００の一部を他の基材に形成し、当該一部を基材６１０に転置する方法を用いて、入力部６００を形成してもよい。

《検知ユニット》
検知ユニット６０２は近接または接触するものを検知して検知信号を供給する。例えば静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく情報を供給する。具体的には、容量素子、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または共振器等を検知素子に用いることができる。

検知ユニット６０２は、例えば、近接または接触するものとの間の静電容量の変化を検知する。具体的には、導電膜および導電膜と電気的に接続された検知回路を用いてもよい。

なお、大気中において、指などの大気より大きな誘電率を備えるものが導電膜に近接すると、指と導電膜の間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を検知して検知情報を供給することができる。具体的には、導電膜および当該導電膜に一方の電極が接続された容量素子を含む検知回路を検知ユニット６０２に用いることができる。

例えば、静電容量の変化に伴い容量素子との間で電荷の分配が引き起こされ、容量素子の一対の電極間の電圧が変化する。この電圧の変化を検知信号に用いることができる。具体的には、容量素子６５０（ｉ，ｊ）の第１の電極６５１に対する第２の電極６５２の電圧は一方の電極に電気的に接続された導電膜にものが近接することにより変化する（図１１（Ａ）参照）。

《スイッチ、トランジスタ》
検知ユニット６０２は、第１の制御信号に基づいて導通状態または非導通状態にすることができるスイッチを備える。例えば、トランジスタＭ１２をスイッチに用いることができる。

また、検知信号を増幅するトランジスタを検知ユニット６０２に用いることができる。

同一の工程で作製することができるトランジスタを、検知信号を増幅するトランジスタおよびスイッチに用いることができる。これにより、作製工程が簡略化された入力部６００を提供できる。

トランジスタは半導体層を備える。例えば、４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを半導体層に適用できる。また、有機半導体などを半導体層に用いることができる。テトラセンやペンタセンなどのアセン類などを有機半導体に用いることができる。

様々な結晶性を備える半導体層をトランジスタに用いることができる。例えば、非結晶を含む半導体層、微結晶を含む半導体層、多結晶を含む半導体層または単結晶を含む半導体層等を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、レーザーアニールなどの処理により結晶化したポリシリコンまたはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技術を用いて形成された半導体層等を用いることができる。

半導体層に用いる酸化物半導体は、例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される材料を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。

酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。

《配線》
入力部６００は配線を備える。配線は制御線Ｇ（ｉ−１）、制御線Ｇ（ｉ）または信号線ＤＬ（ｊ）などを含む。

導電性を有する材料を、配線などに用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを、配線に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウム、ジルコニウム、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線等に用いることができる。特に、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用いることができる。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を積層する積層構造を用いることができる。

または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。

または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

または、導電性高分子を用いることができる。

《駆動回路》
駆動回路６０３ｇは例えば所定のタイミングで選択信号を供給することができる。具体的には、選択信号を制御線ごとに所定の順番で供給する。

さまざまな回路を駆動回路６０３ｇに用いることができる。例えば、シフトレジスタ、フリップフロップ回路などの組み合わせ回路などを用いることができる。例えば、入力部６００が表示部５００の所定の動作に基づいて動作するように、駆動回路６０３ｇが選択信号を供給してもよい。具体的には、表示部５００の帰線期間中に入力部６００が動作するように選択信号を供給してもよい。これにより、表示部５００の動作に伴う雑音を入力部６００が検知してしまう不具合を軽減できる。

駆動回路６０３ｄは、検知ユニット６０２が供給する検知信号に基づいて検知情報を供給する。

さまざまな回路を駆動回路６０３ｄに用いることができる。例えば、検知ユニットに配設された検知回路と電気的に接続されることによりソースフォロワ回路やカレントミラー回路を構成することができる回路を、駆動回路６０３ｄに用いることができる。また、検知信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換回路を備えていてもよい。

《基材》
基材６１０は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。特に、可撓性を有する材料を基材６１０に用いると、入力部６００を折り畳んだ状態または展開された状態にすることができる。なお、表示部５００が表示をする側に入力部６００を配置する場合は、透光性を備える材料を基材６１０に用いる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材６１０に用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックスまたは金属等の無機材料を基材６１０に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、基材６１０に用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、基材６１０に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、基材６１０に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材６１０に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材６１０に用いることができる。

例えば、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基材６１０に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材６１０に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を基材６１０に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、基材６１０に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層材料を、基材６１０に用いることができる。

具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、基材６１０に適用できる。

または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された積層材料を、基材６１０に適用できる。

具体的には、可撓性を有する基材６１０ｂ、意図しない不純物の拡散を防ぐバリア膜６１０ａおよび基材６１０ｂとバリア膜６１０ａを貼り合わせる樹脂層６１０ｃの積層体を用いることができる（図１１（Ａ）参照）。

《フレキシブルプリント基板》
フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１は、タイミング信号、電源電位等を供給し、検知信号を供給される。

《表示部》
表示部５００は、画素５０２、走査線、信号線または基材５１０を備える（図１０参照）。

なお、基材５１０に表示部５００を形成するための膜を成膜し、当該膜を加工して表示部５００を形成してもよい。

または、表示部５００の一部を他の基材に形成し、当該一部を基材５１０に転置して、表示部５００を形成してもよい。

《画素》
画素５０２は副画素５０２Ｂ、副画素５０２Ｇおよび副画素５０２Ｒを含み、それぞれの副画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。

《画素回路》
画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を表示部に用いることが出来る。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いることが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。

アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることが出来る。

画素回路は、例えば、トランジスタ５０２ｔを含む。

表示部５００はトランジスタ５０２ｔを覆う絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、絶縁膜５２１に不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を適用することができる。これにより、予期せぬ不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。

《表示素子》
さまざまな表示素子を表示部５００に用いることができる。例えば、電気泳動方式や電子粉流体方式やエレクトロウェッティング方式などにより表示を行う表示素子（電子インクともいう）、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、液晶素子などを用いることができる。

また、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイなどに用いることができる表示素子を用いることができる。

例えば、射出する光の色が異なる有機エレクトロルミネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。

例えば、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を適用できる。

例えば、発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を有する。

副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。副画素５０２Ｒは、発光素子５５０Ｒおよび発光素子５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば着色層ＣＦＲ）を備える。

なお、特定の波長の光を効率よく取り出せるように、発光モジュール５８０Ｒに微小共振器構造を配設することができる。具体的には、特定の光を効率よく取り出せるように配置された可視光を反射する膜および半反射・半透過する膜の間に発光性の有機化合物を含む層を配置してもよい。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に着色層ＣＦＲを有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等の光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素を着色層が設けられていない窓部に重なるように配置して、着色層を透過しないで発光素子の発する光を射出させてもよい。

着色層ＣＦＲは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は着色層ＣＦＲを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

着色層（例えば着色層ＣＦＲ）を囲むように遮光性の層ＢＭがある。

なお、光を取り出す側に封止材５６０が設けられている場合、封止材５６０は発光素子５５０Ｒと着色層ＣＦＲに接してもよい。

下部電極は絶縁膜５２１の上に配設される。下部電極に重なる開口部が設けられた隔壁５２８を備える。なお、隔壁５２８の一部は下部電極の端部に重なる。

下部電極は、上部電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持して発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）を構成する。画素回路は発光素子に電力を供給する。

また、隔壁５２８上に、基材６１０と基材５１０の間隔を制御するスペーサを有する。

なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。

また、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。また、適用する表示素子に好適な構成を様々な画素回路から選択して用いることができる。

《基材》
可撓性を有する材料を基材５１０に用いることができる。例えば、基材６１０に用いることができる材料と同様の材料を基材５１０に適用することができる。

なお、基材５１０が透光性を必要としない場合は、例えば透光性を有しない材料、具体的にはＳＵＳまたはアルミニウム等を用いることができる。

例えば、可撓性を有する基材５１０ｂと、意図しない不純物の拡散を防ぐバリア膜５１０ａと、基材５１０ｂおよびバリア膜５１０ａを貼り合わせる樹脂層５１０ｃと、が積層された積層体を基材５１０に好適に用いることができる（図１１（Ａ）参照）。

《封止材》
封止材５６０は基材６１０と基材５１０を貼り合わせる。封止材５６０は空気より大きい屈折率を備える。また、封止材５６０側に光を取り出す場合は、封止材５６０は光学接合層を兼ねるとよい。

なお、画素回路または発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）は基材５１０と基材６１０の間にある。

《駆動回路の構成》
駆動回路５０３ｇは選択信号を供給する。例えば、走査線に選択信号を供給する。

また、画像信号を供給する駆動回路５０３ｓを備えていてもよい。例えば、トランジスタ５０３ｔまたは容量５０３ｃを駆動回路５０３ｓに用いることができる。

例えば、シフトレジスタ、フリップフロップ回路などの組み合わせ回路などを駆動回路５０３ｇまたは駆動回路５０３ｓに用いることができる。

なお、画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができるトランジスタを駆動回路に用いることができる。

《配線》
表示部５００は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。さまざまな導電膜を用いることができる。例えば、入力部６００に用いることができる導電膜と同様の材料を用いることができる。

表示部５００は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ２にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

《他の構成》
入出力装置５００ＴＰは、反射防止層６７０ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層６７０ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

＜入出力装置の変形例＞
様々なトランジスタを入力部６００または／および表示部５００に適用できる。

ボトムゲート型のトランジスタを入力部６００に適用する場合の構成を図１１（Ａ）に示す。

ボトムゲート型のトランジスタを表示部５００に適用する場合の構成を図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を図１１（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層を、図１１（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

トップゲート型のトランジスタを表示部５００に適用する場合の構成を、図１１（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図１１（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の検知装置等に用いることのできるトランジスタの構成について、図１２を用いて説明する。

図１２（Ａ）乃至図１２（Ｃ）に、トランジスタＱ５１の上面図及び断面図を示す。図１２（Ａ）はトランジスタＱ５１の上面図であり、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂ間の切断面の断面図に相当し、図１２（Ｃ）は、図１２（Ａ）の一点鎖線Ｃ−Ｄ間の切断面の断面図に相当する。なお、図１２（Ａ）では、明瞭化のため、構成要素の一部を省略して図示している。

なお、本実施の形態において、第１の電極はトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方を、第２の電極は他方を指すものとする。

トランジスタＱ５１は、基板Ｑ０２上に設けられるゲート電極Ｑ０４ａと、基板Ｑ０２及びゲート電極Ｑ０４ａ上に形成される絶縁膜Ｑ０６及び絶縁膜Ｑ０７を含む第１の絶縁膜Ｑ０８と、第１の絶縁膜Ｑ０８を介して、ゲート電極Ｑ０４ａと重なる酸化物半導体膜Ｑ１０と、酸化物半導体膜Ｑ１０に接する第１の電極Ｑ１２ａ及び第２の電極Ｑ１２ｂとを有する。

また、第１の絶縁膜Ｑ０８、酸化物半導体膜Ｑ１０、第１の電極Ｑ１２ａ及び第２の電極Ｑ１２ｂ上に、絶縁膜Ｑ１４、Ｑ１６、Ｑ１８を含む第２の絶縁膜Ｑ２０と、第２の絶縁膜Ｑ２０上に形成されるゲート電極Ｑ２２ｃとを有する。

ゲート電極Ｑ２２ｃは、第１の絶縁膜Ｑ０８及び第２の絶縁膜Ｑ２０に設けられる開口Ｑ４２ｅにおいて、ゲート電極Ｑ０４ａと接続する。また、絶縁膜Ｑ１８上に画素電極として機能する導電膜Ｑ２２ａが形成され、導電膜Ｑ２２ａは、第２の絶縁膜Ｑ２０に設けられる開口Ｑ４２ａにおいて、第２の電極Ｑ１２ｂと接続する。

なお、第１の絶縁膜Ｑ０８は、トランジスタＱ５１の第１のゲート絶縁膜として機能し、第２の絶縁膜Ｑ２０は、トランジスタＱ５１の第２のゲート絶縁膜として機能する。また、導電膜Ｑ２２ａは、画素電極として機能する。

本実施の形態に示すトランジスタＱ５１は、チャネル幅方向において、ゲート電極Ｑ０４ａ及びゲート電極Ｑ２２ｃの間に、第１の絶縁膜Ｑ０８及び第２の絶縁膜Ｑ２０を介して酸化物半導体膜Ｑ１０が設けられている。また、ゲート電極Ｑ０４ａは図１２（Ａ）に示すように、上面形状において、第１の絶縁膜Ｑ０８を介して酸化物半導体膜Ｑ１０の側面と重なる。

第１の絶縁膜Ｑ０８及び第２の絶縁膜Ｑ２０には複数の開口を有する。代表的には、図１２（Ｂ）に示すように、第２の電極Ｑ１２ｂの一部が露出する開口Ｑ４２ａを有する。また、図１２（Ｃ）に示すように、開口Ｑ４２ｅを有する。

開口Ｑ４２ａにおいて、第２の電極Ｑ１２ｂと導電膜Ｑ２２ａが接続する。

また、開口Ｑ４２ｅにおいて、ゲート電極Ｑ０４ａ及びゲート電極Ｑ２２ｃが接続する。

ゲート電極Ｑ０４ａ及びゲート電極Ｑ２２ｃを有し、且つゲート電極Ｑ０４ａ及びゲート電極Ｑ２２ｃを同電位とすることで、キャリアが酸化物半導体膜Ｑ１０の広い範囲を流れる。これにより、トランジスタＱ５１を移動するキャリアの量が増加する。

この結果、トランジスタＱ５１のオン電流が大きくなる共に、電界効果移動度が高くなり、代表的には電界効果移動度が１０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上、さらには２０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上となる。なお、ここでの電界効果移動度は、酸化物半導体膜の物性値としての移動度の近似値ではなく、トランジスタの飽和領域における電流駆動力の指標であり、見かけ上の電界効果移動度である。

なお、トランジスタのチャネル長（Ｌ長ともいう。）を０．５μｍ以上６．５μｍ以下、好ましくは１μｍより大きく６μｍ未満、より好ましくは１μｍより大きく４μｍ以下、より好ましくは１μｍより大きく３．５μｍ以下、より好ましくは１μｍより大きく２．５μｍ以下とすることで、電界効果移動度の増加が顕著である。また、チャネル長が０．５μｍ以上６．５μｍ以下のように小さいことで、チャネル幅も小さくすることが可能である。

また、ゲート電極Ｑ０４ａ及びゲート電極Ｑ２２ｃを有することで、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有するため、基板Ｑ０２及びゲート電極Ｑ０４ａの間、ゲート電極Ｑ２２ｃ上に設けられる荷電粒子等の電荷が、酸化物半導体膜Ｑ１０に影響しない。この結果、ストレス試験（例えば、ゲート電極にマイナスの電位を印加する−ＧＢＴ（Ｇａｔｅ Ｂｉａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験）の劣化が抑制されると共に、異なるドレイン電圧におけるオン電流の立ち上がり電圧の変動を抑制することができる。

なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジスタの特性変化（即ち、経年変化）を、短時間で評価することができる。特に、ＢＴストレス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標となる。ＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであるといえる。

以下に、基板Ｑ０２およびトランジスタＱ５１を構成する個々の要素について説明する。

《基板Ｑ０２》
基板Ｑ０２としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料を用いる。量産する上では、基板Ｑ０２は、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のマザーガラスを用いることが好ましい。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に収縮するため、マザーガラスを使用して量産を行う場合、作製工程の加熱処理は、好ましくは６００℃以下、さらに好ましくは４５０℃以下、さらに好ましくは３５０℃以下とすることが望ましい。

《ゲート電極Ｑ０４ａ》
ゲート電極Ｑ０４ａに用いる材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、ゲート電極Ｑ０４ａに用いる材料は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。また、ゲート電極Ｑ０４ａに用いる材料としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

《第１の絶縁膜Ｑ０８》
第１の絶縁膜Ｑ０８は、絶縁膜Ｑ０６と絶縁膜Ｑ０７の２層の積層構造を例示している。なお、第１の絶縁膜Ｑ０８の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造または３層以上の積層構造としてもよい。

絶縁膜Ｑ０６としては、例えば、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などを用いればよく、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。また、絶縁膜Ｑ０６を積層構造とした場合、第１の窒化シリコン膜として、欠陥が少ない窒化シリコン膜とし、第１の窒化シリコン膜上に、第２の窒化シリコン膜として、水素放出量及びアンモニア放出量の少ない窒化シリコン膜を設けると好適である。この結果、絶縁膜Ｑ０６に含まれる水素及び窒素が、後に形成される酸化物半導体膜Ｑ１０へ移動または拡散することを抑制できる。

絶縁膜Ｑ０７としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などを用いればよく、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。

また、第１の絶縁膜Ｑ０８としては、絶縁膜Ｑ０６として、例えば、厚さ４００ｎｍの窒化シリコン膜を形成し、その後、絶縁膜Ｑ０７として、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する積層構造を用いることができる。該窒化シリコン膜と、該酸化窒化シリコン膜は、真空中で連続して形成すると不純物の混入が抑制され好ましい。なお、ゲート電極Ｑ０４ａと重畳する位置の第１の絶縁膜Ｑ０８は、トランジスタＱ５１のゲート絶縁膜として機能する。また、窒化酸化シリコンとは、窒素の含有量が酸素の含有量より大きい絶縁材料であり、他方、酸化窒化シリコンとは、酸素の含有量が窒素の含有量より大きな絶縁材料のことをいう。

《酸化物半導体膜Ｑ１０》
酸化物半導体膜Ｑ１０は、酸化物半導体を用いると好ましい。酸化物半導体としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される材料を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。

スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある。

酸化物半導体膜Ｑ１０を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。

酸化物半導体膜Ｑ１０の成膜方法は、スパッタリング法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いることができる。とくに、酸化物半導体膜Ｑ１０を成膜する際、スパッタリング法を用いると緻密な膜が形成されるため、好適である。

酸化物半導体膜Ｑ１０として、酸化物半導体膜を成膜する際、できる限り膜中に含まれる水素濃度を低減させることが好ましい。水素濃度を低減させるには、例えば、スパッタリング法を用いて成膜を行う場合には、成膜室内を高真空排気するのみならずスパッタガスの高純度化も必要である。スパッタガスとして用いる酸素ガスやアルゴンガスは、露点が−４０℃以下、好ましくは−８０℃以下、より好ましくは−１００℃以下、より好ましくは−１２０℃以下にまで高純度化したガスを用いることで酸化物半導体膜に水分等が取り込まれることを可能な限り防ぐことができる。

また、成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子、水（Ｈ_２Ｏ）など水素原子を含む化合物（より好ましくは炭素原子を含む化合物も）等の排気能力が高いため、当該成膜室で成膜した膜中に含まれる不純物の濃度を低減できる。

また、酸化物半導体膜Ｑ１０として、酸化物半導体膜をスパッタリング法で成膜する場合、成膜に用いる金属酸化物ターゲットの相対密度（充填率）は９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上１００％以下とする。相対密度の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜される膜を緻密な膜とすることができる。

なお、基板Ｑ０２を高温に保持した状態で酸化物半導体膜Ｑ１０として、酸化物半導体膜を形成することも、酸化物半導体膜中に含まれうる不純物濃度を低減するのに有効である。基板Ｑ０２を加熱する温度としては、１５０℃以上４５０℃以下とすればよく、好ましくは基板温度が２００℃以上３５０℃以下とすればよい。

次に、第１の加熱処理を行うこがと好ましい。第１の加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下の温度で、不活性ガス雰囲気、酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気、または減圧状態で行えばよい。また、第１の加熱処理の雰囲気は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気で行ってもよい。第１の加熱処理によって、酸化物半導体膜Ｑ１０に用いる酸化物半導体の結晶性を高め、さらに第１の絶縁膜Ｑ０８及び酸化物半導体膜Ｑ１０から水素や水などの不純物を除去することができる。なお、酸化物半導体膜Ｑ１０を島状に加工する前に第１の加熱工程を行ってもよい。

《第１の電極、第２の電極》
第１の電極Ｑ１２ａおよび第２の電極Ｑ１２ｂに用いることのできる導電膜Ｑ１２の材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、導電膜は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

《絶縁膜Ｑ１４、Ｑ１６》
第２の絶縁膜Ｑ２０は、絶縁膜Ｑ１４、Ｑ１６、Ｑ１８の３層の積層構造を例示している。なお、第２の絶縁膜Ｑ２０の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造、２層の積層構造、または４層以上の積層構造としてもよい。

絶縁膜Ｑ１４、Ｑ１６としては、酸化物半導体膜Ｑ１０として用いる酸化物半導体との界面特性を向上させるため、酸素を含む無機絶縁材料を用いることができる。酸素を含む無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜等が挙げられる。また、絶縁膜Ｑ１４、Ｑ１６としては、例えば、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いて形成することができる。

絶縁膜Ｑ１４の厚さは、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることができる。絶縁膜Ｑ１６の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。

また、絶縁膜Ｑ１４、Ｑ１６は、同種の材料の絶縁膜を用いることができるため、絶縁膜Ｑ１４と絶縁膜Ｑ１６の界面が明確に確認できない場合がある。したがって、本実施の形態においては、絶縁膜Ｑ１４と絶縁膜Ｑ１６の界面は、破線で図示している。なお、本実施の形態においては、絶縁膜Ｑ１４と絶縁膜Ｑ１６の２層構造について、説明したが、これに限定されず、例えば、絶縁膜Ｑ１４の単層構造、絶縁膜Ｑ１６の単層構造、または３層以上の積層構造としてもよい。

絶縁膜Ｑ１８は、外部からの不純物、例えば、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が、酸化物半導体膜Ｑ１０へ拡散するのを防ぐ材料で形成される膜であり、更には水素を含む。

絶縁膜Ｑ１８の一例としては、厚さ１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等を用いることができる。本実施の形態においては、絶縁膜Ｑ１８として、厚さ１５０ｎｍの窒化シリコン膜を用いる。

また、上記窒化シリコン膜は、不純物等からのブロック性を高めるために、高温で成膜されることが好ましく、例えば基板温度１００℃以上基板の歪み点以下、より好ましくは３００℃以上４００℃以下の温度で加熱して成膜することが好ましい。また高温で成膜する場合は、酸化物半導体膜Ｑ１０として用いる酸化物半導体から酸素が脱離し、キャリア濃度が上昇する現象が発生することがあるため、このような現象が発生しない温度とする。

《導電膜Ｑ２２ａ、ゲート電極Ｑ２２ｃ》
導電膜Ｑ２２ａ、ゲート電極Ｑ２２ｃに用いることのできる導電膜としては、インジウムを含む酸化物を用いればよい。例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、導電膜Ｑ２２ａ、Ｑ２２ｂに用いることのできる導電膜としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の検知装置、入力装置または入出力装置を作製する際に用いることができる積層体の作製方法について、図１３を参照しながら説明する。

図１３は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図１３の左側に、加工部材および積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図１３（Ｃ）を除いて右側に示す。

＜積層体の作製方法＞
加工部材８０から積層体８１を作製する方法について、図１３を参照しながら説明する。

加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を備える（図１３（Ａ−１）および図１３（Ａ−２））。

なお、加工部材８０の構成の詳細は、実施の形態７で説明する。

《剥離の起点の形成》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備する。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓがあらかじめ接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備する（図１３（Ｂ−１）および図１３（Ｂ−２）参照）。

《第２のステップ》
加工部材８０の一方の表層８０ｂを剥離する。これにより、加工部材８０から第１の残部８０ａを得る。

具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図１３（Ｃ）参照）。これにより、第１の被剥離層Ｆ３、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０および接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５を備える第１の残部８０ａを得る。

また、剥離層Ｆ２と被剥離層Ｆ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、剥離層Ｆ２から被剥離層を剥離する際に、剥離層Ｆ２と被剥離層Ｆ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、剥離層Ｆ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｆ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｆ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第３のステップ》
第１の接着層３１を第１の残部８０ａに形成し、第１の接着層３１を用いて第１の残部８０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる（図１３（Ｄ−１）および図１３（Ｄ−２）参照）。これにより、第１の残部８０ａから、積層体８１を得る。

具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を備える積層体８１を得る（図１３（Ｅ−１）および図１３（Ｅ−２）参照）。

なお、様々な方法を、接合層３０を形成する方法に用いることができる。例えば、ディスペンサやスクリーン印刷法等を用いて接合層３０を形成する。接合層３０を接合層３０に用いる材料に応じた方法を用いて硬化する。例えば接合層３０に光硬化型の接着剤を用いる場合は、所定の波長の光を含む光を照射する。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の検知装置、入力装置または入出力装置を作製する際に用いることができる積層体の作製方法について、図１４および図１５を参照しながら説明する。

図１４および図１５は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図１４および図１５の左側に、加工部材および積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図１４（Ｃ）、図１５（Ｂ）および図１５（Ｃ）を除いて右側に示す。

＜積層体の作製方法＞
加工部材９０から積層体９２を作製する方法について、図１４乃至図１５を参照しながら説明する。

加工部材９０は、接合層３０の他方の面が、基材Ｓ５に換えて第２の被剥離層Ｓ３の一方の面に接する点が加工部材８０と異なる。

具体的には、基材Ｓ５に換えて、第２の基板Ｓ１、第２の基板Ｓ１上の第２の剥離層Ｓ２、第２の剥離層Ｓ２と他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３を有し、第２の被剥離層Ｓ３の一方の面が、接合層３０の他方の面に接する点が、異なる。

加工部材９０は、第１の基板Ｆ１と、第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置される（図１４（Ａ−１）および図１４（Ａ−２）参照）。

なお、加工部材９０の構成の詳細は、実施の形態７で説明する。

《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材９０を準備する（図１４（Ｂ−１）および図１４（Ｂ−２）参照）。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

例えば、第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

《第２のステップ》
加工部材９０の一方の表層９０ｂを剥離する。これにより、加工部材９０から第１の残部９０ａを得る。

具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図１４（Ｃ）参照）。これにより、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置される第１の残部９０ａを得る。

また、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、剥離層Ｓ２から被剥離層を剥離する際に、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｓ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｓ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第３のステップ》
第１の残部９０ａに第１の接着層３１を形成し（図１４（Ｄ−１）および図１４（Ｄ−２）参照）、第１の接着層３１を用いて第１の残部９０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる。これにより、第１の残部９０ａから、積層体９１を得る。

具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置された積層体９１を得る（図１４（Ｅ−１）および図１４（Ｅ−２）参照）。

《第６のステップ》
積層体９１の第１の接着層３１の端部近傍にある第２の被剥離層Ｓ３の一部を、第２の基板Ｓ１から分離して、第２の剥離の起点９１ｓを形成する。

例えば、第１の支持体４１および第１の接着層３１を、第１の支持体４１側から切削し、且つ新たに形成された第１の接着層３１の端部に沿って第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２の基板Ｓ１から分離する。

具体的には、剥離層Ｓ２上の第２の被剥離層Ｓ３が設けられた領域にある、第１の接着層３１および第１の支持体４１を、鋭利な先端を備える刃物等を用いて切削し、且つ新たに形成された第１の接着層３１の端部に沿って、第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２の基板Ｓ１から分離する（図１５（Ａ−１）および図１５（Ａ−２）参照）。

このステップにより、新たに形成された第１の支持体４１ｂおよび第１の接着層３１の端部近傍に剥離の起点９１ｓが形成される。

《第７のステップ》
積層体９１から第２の残部９１ａを分離する。これにより、積層体９１から第２の残部９１ａを得る。（図１５（Ｃ）参照）。

具体的には、第１の接着層３１の端部近傍に形成された剥離の起点９１ｓから、第２の基板Ｓ１を第２の剥離層Ｓ２と共に第２の被剥離層Ｓ３から分離する。これにより、第１の支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、がこの順に配置される第２の残部９１ａを得る。

また、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、剥離層Ｓ２から被剥離層を剥離する際に、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｓ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｓ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第９のステップ》
第２の残部９１ａに第２の接着層３２を形成する（図１５（Ｄ−１）および図１５（Ｄ−２）参照）。

第２の接着層３２を用いて第２の残部９１ａと第２の支持体４２を貼り合わせる。このステップにより、第２の残部９１ａから、積層体９２を得る（図１５（Ｅ−１）および図１５（Ｅ−２）参照）。

具体的には、第１の支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の接着層３２と、第２の支持体４２と、をこの順に配置される積層体９２は備える。

＜支持体に開口部を有する積層体の作製方法＞
開口部を支持体に有する積層体の作製方法について、図１６を参照しながら説明する。

図１６は、被剥離層の一部が露出する開口部を支持体に有する積層体の作製方法を説明する図である。図１６の左側に、積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を右側に示す。

図１６（Ａ−１）乃至図１６（Ｂ−２）は、第１の支持体４１ｂより小さい第２の支持体４２ｂを用いて開口部を有する積層体９２ｃを作製する方法について説明する図である。

図１６（Ｃ−１）乃至図１６（Ｄ−２）は、第２の支持体４２に形成された開口部を有する積層体９２ｄを作製する方法について説明する図である。

《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例１》
上記の第９のステップにおいて、第２の支持体４２に換えて、第１の支持体４１ｂより小さい第２の支持体４２ｂを用いる点が異なる他は、同様のステップを有する積層体の作製方法である。これにより、第２の被剥離層Ｓ３の一部が露出した状態の積層体を作製することができる（図１６（Ａ−１）および図１６（Ａ−２）参照）。

液状の接着剤を第２の接着層３２に用いることができる。または、流動性が抑制され且つあらかじめ枚葉状に成形された接着剤（シート状の接着剤ともいう）を用いることができる。シート状の接着剤を用いると、第２の支持体４２ｂより外側にはみ出す接着層３２の量を少なくすることができる。また、接着層３２の厚さを容易に均一にすることができる。

また、第２の被剥離層Ｓ３の露出した部分を切除して、第１の被剥離層Ｆ３が露出する状態にしてもよい（図１６（Ｂ−１）および図１６（Ｂ−２）参照）。

具体的には、鋭利な先端を有する刃物等を用いて、露出した第２の被剥離層Ｓ３に傷を形成する。次いで、例えば、傷の近傍に応力が集中するように粘着性を有するテープ等を露出した第２の被剥離層Ｓ３の一部に貼付し、貼付されたテープ等と共に第２の被剥離層Ｓ３の一部を剥離して、その一部を選択的に切除することができる。

また、接合層３０の第１の被剥離層Ｆ３に接着する力を抑制することができる層を、第１の被剥離層Ｆ３の一部に選択的に形成してもよい。例えば、接合層３０と接着しにくい材料を選択的に形成してもよい。具体的には、有機材料を島状に蒸着してもよい。これにより、接合層３０の一部を選択的に第２の被剥離層Ｓ３と共に容易に除去することができる。その結果、第１の被剥離層Ｆ３を露出した状態にすることができる。

なお、例えば、第１の被剥離層Ｆ３が機能層と、機能層に電気的に接続された導電層Ｆ３ｂと、を含む場合、導電層Ｆ３ｂを第２の積層体９２ｃの開口部に露出させることができる。これにより、例えば開口部に露出された導電層Ｆ３ｂを、信号が供給される端子に用いることができる。

その結果、開口部に一部が露出した導電層Ｆ３ｂは、機能層が供給する信号を取り出すことができる端子に用いることができる。または、機能層が供給される信号を外部の装置が供給することができる端子に用いることができる。

《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例２》
第２の支持体４２に設ける開口部と重なるように設けられた開口部を有するマスク４８を、積層体９２に形成する。次いで、マスク４８の開口部に溶剤４９を滴下する。これにより、溶剤４９を用いてマスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を膨潤または溶解することができる（図１６（Ｃ−１）および図１６（Ｃ−２）参照）。

余剰の溶剤４９を除去した後に、マスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を擦る等をして、応力を加える。これにより、マスク４８の開口部に重なる部分の第２の支持体４２等を除去することができる。

また、接合層３０を膨潤または溶解する溶剤を用いれば、第１の被剥離層Ｆ３を露出した状態にすることができる（図１６（Ｄ−１）および図１６（Ｄ−２）参照）。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の検知装置、入力装置または入出力装置に加工することができる加工部材の構成について、図１７を参照しながら説明する。

図１７は積層体に加工することができる加工部材の構成を説明する模式図である。

図１７（Ａ−１）は、積層体に加工することができる加工部材８０の構成を説明する断面図であり、図１７（Ａ−２）は、対応する上面図である。

図１７（Ｂ−１）は、積層体に加工することができる加工部材９０の構成を説明する断面図であり、図１７（Ｂ−２）は、対応する上面図である。

＜１．加工部材の構成例＞
加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を有する図１７（Ａ−１）および図１７（Ａ−２）。

なお、剥離の起点Ｆ３ｓが、接合層３０の端部近傍に設けられていてもよい。

《第１の基板》
第１の基板Ｆ１は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ＳＵＳまたはアルミニウム等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に適用できる。

または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に適用できる。

《第１の剥離層》
第１の剥離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１と第１の被剥離層Ｆ３の間に設けられる。第１の剥離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１から第１の被剥離層Ｆ３を分離できる境界がその近傍に形成される層である。また、第１の剥離層Ｆ２は、その上に被剥離層が形成され、第１の被剥離層Ｆ３の製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。

例えば無機材料または有機樹脂等を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金または該元素を含む化合物等の無機材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。

例えば、単層の材料または複数の層が積層された材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層が積層された材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

なお、タングステンの酸化物を含む層は、タングステンを含む層に他の層を積層する方法を用いて形成することができる。具体的には、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層に酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を積層する方法により形成してもよい。

また、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層の表面を熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理または酸化力の強い溶液（例えば、オゾン水等）を用いる処理等により形成してもよい。

具体的には、ポリイミドを含む層を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。ポリイミドを含む層は、第１の被剥離層Ｆ３を形成する際に要する様々な製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備える。

例えば、ポリイミドを含む層は、２００℃以上、好ましくは２５０℃以上、より好ましくは３００℃以上、より好ましくは３５０℃以上の耐熱性を備える。

第１の基板Ｆ１に形成されたモノマーを含む膜を加熱し、縮合したポリイミドを含む膜を用いることができる。

《第１の被剥離層》
第１の被剥離層Ｆ３は、第１の基板Ｆ１から分離することができ、製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。

第１の被剥離層Ｆ３を第１の基板から分離することができる境界は、第１の被剥離層Ｆ３と第１の剥離層Ｆ２の間に形成されてもよく、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に形成されてもよい。

第１の被剥離層Ｆ３と第１の剥離層Ｆ２の間に境界が形成される場合は、第１の剥離層Ｆ２は積層体に含まれず、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に境界が形成される場合は、第１の剥離層Ｆ２は積層体に含まれる。

無機材料、有機材料または単層の材料または複数の層が積層された積層材料等を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等の無機材料を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、ポリイミド膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、第１の剥離層Ｆ２と重なる機能層と、第１の剥離層Ｆ２と機能層の間に当該機能層の機能を損なう不純物の意図しない拡散を防ぐことができる絶縁層と、が積層された構造を有する材料を用いることができる。

具体的には、厚さ０．７ｍｍのガラス板を第１の基板Ｆ１に用い、第１の基板Ｆ１側から順に厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜および３０ｎｍのタングステン膜が積層された積層材料を第１の剥離層Ｆ２に用いる。そして、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪素が積層された積層材料を含む膜を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。なお、酸化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸素の組成より多い。

具体的には、上記の第１の被剥離層Ｆ３に換えて、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素、厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素膜を積層された積層材料を含む膜を被剥離層に用いることができる。

具体的には、第１の剥離層Ｆ２側から順に、ポリイミド膜と、酸化シリコンまたは窒化シリコン等を含む層と、機能層と、が順に積層された積層材料を用いることができる。

《機能層》
機能層は第１の被剥離層Ｆ３に含まれる。

例えば、機能回路、機能素子、光学素子または機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を、機能層に用いることができる。

具体的には、表示装置に用いることができる表示素子、表示素子を駆動する画素回路、画素回路を駆動する駆動回路、カラーフィルタまたは防湿膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を挙げることができる。

《接合層》
接合層３０は、第１の被剥離層Ｆ３と基材Ｓ５を接合するものであれば、特に限定されない。

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層３０に用いることができる。

例えば、融点が４００℃以下好ましくは３００℃以下のガラス層または接着剤等を用いることができる。

例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を接合層３０に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を用いることができる。

《基材》
基材Ｓ５は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。

基材Ｓ５に用いることができる材料は、例えば、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いることができる。

《剥離の起点》
加工部材８０は剥離の起点Ｆ３ｓを接合層３０の端部近傍に有していてもよい。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

＜２．加工部材の構成例２＞
積層体にすることができる、上記とは異なる加工部材の構成について、図１７（Ｂ−１）および図１７（Ｂ−２）を参照しながら説明する。

加工部材９０は、接合層３０の他方の面が、基材Ｓ５に換えて第２の被剥離層Ｓ３の一方の面に接する点が加工部材８０と異なる。

具体的には、加工部材９０は、第１の剥離層Ｆ２および第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３が形成された第１の基板Ｆ１と、第２の剥離層Ｓ２および第２の剥離層Ｓ２に他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３が形成された第２の基板Ｓ１と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面を接し且つ第２の被剥離層Ｓ３の一方の面と他方の面が接する接合層３０と、を有する。（図１７（Ｂ−１）および図１７（Ｂ−２）参照）。

《第２の基板》
第２の基板Ｓ１は、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いることができる。なお、第２の基板Ｓ１を第１の基板Ｆ１と同一の構成とする必要はない。

《第２の剥離層》
第２の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と同様の構成を用いることができる。また、第２の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と異なる構成を用いることもできる。

《第２の被剥離層》
第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と同様の構成を用いることができる。また、第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と異なる構成を用いることもできる。

具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が機能回路を備え、第２の被剥離層Ｓ３が当該機能回路への不純物の拡散を防ぐ機能層を備える構成としてもよい。

具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が第２の被剥離層に向けて光を射出する発光素子、当該発光素子を駆動する画素回路、当該画素回路を駆動する駆動回路を備え、発光素子が射出する光の一部を透過するカラーフィルタおよび発光素子への意図しない不純物の拡散を防ぐ防湿膜を第２の被剥離層Ｓ３が備える構成としてもよい。なお、このような構成を有する加工部材は、可撓性を有する表示装置として用いることができる積層体にすることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置を用いて構成することができる情報処理装置の構成について、図１８を参照しながら説明する。

図１８は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。

図１８（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置Ｋ１００の入出力装置Ｋ２０が展開された状態を説明する投影図であり、図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２における情報処理装置Ｋ１００の断面図である。図１８（Ｃ）は入出力装置Ｋ２０が折り畳まれた状態を説明する投影図である。

＜情報処理装置の構成例＞
本実施の形態で説明する情報処理装置Ｋ１００は、入出力装置Ｋ２０と、演算装置Ｋ１０と、筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０１（３）を有する（図１８参照）。

《入出力装置》
入出力装置Ｋ２０は、表示部Ｋ３０および入力装置Ｋ４０を備える。入出力装置Ｋ２０は、画像情報Ｖを供給され且つ検知情報Ｓを供給する。

表示部Ｋ３０は画像情報Ｖを供給され、入力装置Ｋ４０は検知情報Ｓを供給する（図１８（Ｂ）参照）。

入力装置Ｋ４０と表示部Ｋ３０が一体に重ねられた入出力装置Ｋ２０は、表示部Ｋ３０であるとともに、入力装置Ｋ４０でもある。

なお、入力装置Ｋ４０にタッチセンサを用い、表示部Ｋ３０に表示パネルを用いた入出力装置Ｋ２０は、タッチパネルである。

《表示部》
表示部Ｋ３０は、第１の領域Ｋ３１（１１）、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）、第２の領域Ｋ３１（１２）、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）および第３の領域Ｋ３１（１３）がこの順で縞状に配置された領域Ｋ３１を有する（図１８（Ａ）参照）。

表示部Ｋ３０は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）に形成される第１の畳み目および第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）に形成される第２の畳み目で折り畳まれた状態および展開された状態にすることができる（図１８（Ａ）および図１８（Ｃ）参照）。

《演算装置》
演算装置Ｋ１０は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備える。また、画像情報Ｖを供給し且つ検知情報Ｓを供給される。

《筐体》
筐体は、筐体Ｋ０１（１）、ヒンジＫ０２（１）、筐体Ｋ０１（２）、ヒンジＫ０２（２）および筐体Ｋ０１（３）を含み、この順に配置される。

筐体Ｋ０１（３）は、演算装置Ｋ１０を収納する。また、筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０１（３）は、入出力装置Ｋ２０を保持し、入出力装置Ｋ２０を折り畳まれた状態または展開された状態にすることができる（図１８（Ｂ）参照）。

本実施の形態では、３つの筐体が２つのヒンジを用いて接続される構成を備える情報処理装置を例示する。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置Ｋ２０を２か所で折って折り畳むことができる。

なお、ｎ（ｎは２以上の自然数）個の筐体を（ｎ−１）個のヒンジを用いて接続してもよい。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置Ｋ２０を（ｎ−１）箇所で折って折り畳むことができる。

筐体Ｋ０１（１）は、第１の領域Ｋ３１（１１）と重なり、釦Ｋ４５（１）を備える。

筐体Ｋ０１（２）は、第２の領域Ｋ３１（１２）と重なる。

筐体Ｋ０１（３）は、第３の領域Ｋ３１（１３）と重なり、演算装置Ｋ１０、アンテナＫ１０ＡおよびバッテリーＫ１０Ｂを収納する。

ヒンジＫ０２（１）は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）と重なり、筐体Ｋ０１（１）を筐体Ｋ０１（２）に対して回動可能に接続する。

ヒンジＫ０２（２）は、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）と重なり、筐体Ｋ０１（２）を筐体Ｋ０１（３）に対して回動可能に接続する。

アンテナＫ１０Ａは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、信号を供給または供給される。

また、アンテナＫ１０Ａは、外部装置から無線で電力を供給され、電力をバッテリーＫ１０Ｂに供給する。

バッテリーＫ１０Ｂは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、電力を供給または供給する。

《折り畳みセンサ》
折り畳みセンサＫ４１は、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、筐体の状態を示す情報を供給する。

演算装置Ｋ１０は、筐体の状態を示す情報を供給される。

筐体Ｋ０１の状態を示す情報が折り畳まれた状態を示す情報である場合、演算装置Ｋ１０は第１の領域Ｋ３１（１１）に第１の画像を含む画像情報Ｖを供給する（図１８（Ｃ）参照）。

また、筐体Ｋ０１の状態を示す情報が展開された状態を示す情報である場合、演算装置Ｋ１０は表示部Ｋ３０の領域Ｋ３１に画像情報Ｖを供給する（図１８（Ａ））。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置を入出力部に用いた情報処理装置の構成について、図１９を参照しながら説明する。

図１９は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。

図１９（Ａ−１）乃至図１９（Ａ−３）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。

図１９（Ｂ−１）および図１９（Ｂ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。

図１９（Ｃ−１）および図１９（Ｃ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置の上面図および底面図ある。

《情報処理装置Ａ》
情報処理装置３０００Ａは、入出力部３１２０および入出力部３１２０を支持する筐体３１０１を有する（図１９（Ａ−１）乃至図１９（Ａ−３）参照）。

また、情報処理装置３０００Ａは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ａは、側面または／および上面に表示情報を表示することができる。

情報処理装置３０００Ａの使用者は、側面または／および上面に接する指を用いて操作命令を供給することができる。

《情報処理装置Ｂ》
情報処理装置３０００Ｂは、入出力部３１２０および入出力部３１２０ｂを有する（図１９（Ｂ−１）および図１９（Ｂ−２）参照）。

また、情報処理装置３０００Ｂは入出力部３１２０を支持する筐体３１０１および可撓性を有するベルト状の筐体３１０１ｂを有する。

また、情報処理装置３０００Ｂは入出力部３１２０ｂを支持する筐体３１０１を有する。

また、情報処理装置３０００Ｂは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ｂは、可撓性を有するベルト状の筐体３１０１ｂに支持される入出力部３１２０に表示情報を表示することができる。

情報処理装置３０００Ｂの使用者は、入出力部３１２０に接する指を用いて操作命令を供給することができる。

《情報処理装置Ｃ》
情報処理装置３０００Ｃは、入出力部３１２０ならびに入出力部３１２０を支持する筐体３１０１および筐体３１０１ｂを有する（図１９（Ｃ−１）および図１９（Ｃ−２）参照）。

入出力部３１２０および筐体３１０１ｂは可撓性を有する。

また、情報処理装置３０００Ｃは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ｃは、筐体３１０１ｂの部分で二つに折り畳むことができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

ＢＲ 電源線
Ｃ 容量素子
Ｃ１ 第１の電極
Ｃ２ 絶縁層
Ｆ１ 基板
Ｆ２ 剥離層
Ｆ３ 被剥離層
Ｆ３ｂ 導電層
Ｆ３ｓ 起点
Ｋ０１ 筐体
Ｋ０２ ヒンジ
Ｋ１０ 演算装置
Ｋ１０Ａ アンテナ
Ｋ１０Ｂ バッテリー
Ｋ２０ 入出力装置
Ｋ３０ 表示部
Ｋ３１ 領域
Ｋ４０ 入力装置
Ｋ４１ センサ
Ｋ４５ 釦
Ｋ１００ 情報処理装置
Ｍ１ トランジスタ
Ｍ２ トランジスタ
Ｍ１２ トランジスタ
ＯＵＴ 端子
Ｑ０２ 基板
Ｑ０４ａ ゲート電極
Ｑ０６ 絶縁膜
Ｑ０７ 絶縁膜
Ｑ０８ 絶縁膜
Ｑ１０ 酸化物半導体膜
Ｑ１２ 導電膜
Ｑ１２ａ 第１の電極
Ｑ１２ｂ 第２の電極
Ｑ１４ 絶縁膜
Ｑ１６ 絶縁膜
Ｑ１８ 絶縁膜
Ｑ２０ 絶縁膜
Ｑ２２ａ 導電膜
Ｑ２２ｂ 導電膜
Ｑ２２ｃ ゲート電極
Ｑ４２ａ 開口
Ｑ４２ｅ 開口
Ｑ５１ トランジスタ
Ｓ１ 基板
Ｓ２ 剥離層
Ｓ３ 被剥離層
Ｓ５ 基材
Ｔ１ 期間
Ｔ２ 期間
Ｔ３ 期間
ＶＰ 電源線
ＶＰＯ 電源線
ＶＲＥＳ 電源線
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２ フレキシブルプリント基板
１０ 検知装置
１０Ｕ 検知ユニット
１０ＵＡ 検知ユニット
１０ＵＢ 検知ユニット
１０ＵＣ 検知ユニット
１５ 出力ユニット
１５（ｊ） 出力ユニット
１６ 基材
１６ａ バリア膜
１６ｂ 基材
１６ｃ 樹脂層
３０ 接合層
３１ 接着層
３２ 接着層
４１ 支持体
４１ｂ 支持体
４２ 支持体
４２ｂ 支持体
４８ マスク
４９ 溶剤
８０ 加工部材
８０ａ 残部
８０ｂ 表層
８１ 積層体
９０ 加工部材
９０ａ 残部
９０ｂ 表層
９１ 積層体
９１ａ 残部
９１ｓ 起点
９２ 積層体
９２ｃ 積層体
９２ｄ 積層体
９９ ノズル
１００ 入力装置
１０２ 検知ユニット
１０３Ｄ 出力部
１０３Ｇ 駆動回路
１１０ 基材
１５０ 容量素子
５００ 表示部
５００ＴＰ 入出力装置
５０２ 画素
５０２Ｂ 副画素
５０２Ｇ 副画素
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 駆動回路
５０３ｓ 駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５１０ 基材
５１０ａ バリア膜
５１０ｂ 基材
５１０ｃ 樹脂層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 封止材
５８０Ｒ 発光モジュール
６００ 入力部
６０２ 検知ユニット
６０３ｄ 駆動回路
６０３ｇ 駆動回路
６１０ 基材
６１０ａ バリア膜
６１０ｂ 基材
６１０ｃ 樹脂層
６５０ 容量素子
６５１ 第１の電極
６５２ 第２の電極
６５３ 絶縁層
６６７ 窓部
６７０ 保護層
６７０ｐ 反射防止層
３０００Ａ 情報処理装置
３０００Ｂ 情報処理装置
３０００Ｃ 情報処理装置
３１０１ 筐体
３１０１ｂ 筐体
３１２０ 入出力部
３１２０ｂ 入出力部

Claims (2)

1. パネルと、出力部と、第１の配線乃至第８の配線と、を有し、
   前記パネルは、複数の第２のユニットを有し、
   前記出力部は、第１のユニットを有し、
   前記複数の第２のユニットは、マトリクス状に配置され、
   前記第１の配線は、行方向に延在し、
   前記第２の配線は、行方向に延在し、
   前記第８の配線は、行方向に延在し、
   前記第５の配線は、列方向に延在し、
   前記複数の第２のユニットの一は、前記第１の配線および前記第２の配線と電気的に接続され、
   前記複数の第２のユニットの他は、前記第２の配線および前記第８の配線と電気的に接続され、
   前記複数の第２のユニットの一及び他は、前記第５の配線と電気的に接続され、
   前記複数の第２のユニットはそれぞれ、スイッチと第１のトランジスタと容量素子とを有し、
   前記第２のユニットの一において、
   前記スイッチの制御端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
   前記スイッチの第１の端子は、前記第３の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記スイッチの第２の端子と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタの第１の電極は、前記第５の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタの第２の電極は、前記第４の配線と電気的に接続され、
   前記容量素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記容量素子の第２の電極は、前記第２の配線と電気的に接続され、
   前記第２のユニットの他において、
   前記スイッチの制御端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
   前記スイッチの第１の端子は、前記第３の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記スイッチの第２の端子と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタの第１の電極は、前記第５の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタの第２の電極は、前記第４の配線と電気的に接続され、
   前記容量素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記容量素子の第２の電極は、前記第８の配線と電気的に接続され、
   前記第１のユニットは、第２のトランジスタを有し、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記第６の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第１の電極は、前記第７の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第２の電極が前記第５の配線および端子と電気的に接続され、
   前記複数の第２のユニットはそれぞれ、前記容量素子を含む検知素子の静電容量の変化を検知して得られた検知信号を、前記第１のユニットへ供給することができる機能を有し、
   前記第１のユニットは、前記検知信号に基づき検知情報を出力することができる機能を有し、
   前記端子は、前記検知情報を出力する端子であり、
   前記第１の配線は、透光性を備える第１の導電膜を有し、
   前記第２の配線は、透光性を備える第２の導電膜を有する、ことを特徴とする入出力装置。
2. 請求項１において、
   前記第３の配線は、前記第２の配線と前記第８の配線との間に配置され、
   前記第３の配線は、前記複数の第２のユニットの一及び他と電気的に接続される、ことを特徴とする入出力装置。

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