JP2021086882A - 半導体装置および放熱フィンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体パッケージと放熱フィンとを備えた半導体装置において、磁力により半導体パッケージと放熱フィンとを吸着させて固定する場合に、半導体パッケージと放熱フィンとの吸着力の低下を抑制できる技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置１００は、半導体パッケージ１と、半導体パッケージ１の上面のうち外周部よりも内側に位置する絶縁基板３と、半導体パッケージ１の上面に配置された放熱フィン１０と、半導体パッケージ１の上面の外周部に位置し、半導体パッケージ１と一体に形成された磁性体４およびボンド磁石１１の一方からなる第１の固定部と、放熱フィン１０の下面における第１の固定部に対向する箇所に位置し、放熱フィン１０と一体に形成された磁性体４およびボンド磁石１１の他方からなる第２の固定部とを備え、第１の固定部と第２の固定部との間に発生する磁力により、半導体パッケージ１と放熱フィン１０は吸着している。【選択図】図１
Description
本発明は、半導体装置および放熱フィンの製造方法に関するものである。
従来、半導体装置における半導体パッケージの放熱フィンへの取り付け方法として、ねじ締めによる方法が一般的に知られている。しかし、ねじ締めによる取り付け方法では、半導体パッケージと放熱フィンとの界面における熱膨張差によって発生する応力により、ねじ締結部が劣化して破損する場合がある。
このような問題の解決方法として、例えば特許文献１には、磁力による吸着現象を用いた取り付け方法が提案されている。
特許文献１に記載の技術では、下面にＬＳＩが取り付けられた金属板の両肩部を下方から支持するセラミックスの外周近傍の上部に磁石取付穴が設けられ、その中に上面がセラミックスの表面と同一の高さになるようにした磁石が埋設されて、接着剤によって固定されている。また、放熱フィンの下面において磁石と対向する位置に接着剤によって磁性体が取り付けられている。セラミックスに埋設された磁石の上面と、放熱フィンに取り付けられた磁性体の下面とが吸着することで、セラミックスを備える基部が、放熱フィンを備えるヒートシンク部に取り付けられる。
上記のように、特許文献１に記載の技術では、磁石と磁性体は、接着剤を用いてそれぞれセラミックスと放熱フィンに接着されている。しかし、接着剤を用いた製造方法の場合、接着剤の厚みばらつきの管理が重要となる。接着剤の厚みばらつきの管理を精度良く行うことができない場合、セラミックスの上面に対する磁石の上面の高さ位置、および放熱フィンの下面に対する磁性体の下面の高さ位置がばらつく。その結果、セラミックスと放熱フィンの吸着面の高さ位置に差異が生じて、セラミックスと放熱フィンとの吸着力が低下するという問題があった。
そこで、本発明は、半導体パッケージと放熱フィンとを備えた半導体装置において、磁力により半導体パッケージと放熱フィンとを吸着させて固定する場合に、半導体パッケージと放熱フィンとの吸着力の低下を抑制できる技術を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体装置は、半導体パッケージと、前記半導体パッケージの上面のうち外周部よりも内側に位置する絶縁基板と、前記半導体パッケージの前記上面に配置された放熱フィンと、前記半導体パッケージの前記上面の前記外周部に位置し、前記半導体パッケージと一体に形成された磁性体およびボンド磁石の一方からなる第１の固定部と、前記放熱フィンの下面における前記第１の固定部に対向する箇所に位置し、前記放熱フィンと一体に形成された前記磁性体および前記ボンド磁石の他方からなる第２の固定部とを備え、前記第１の固定部と前記第２の固定部との間に発生する磁力により、前記半導体パッケージと前記放熱フィンは吸着するものである。
本発明によれば、半導体パッケージおよび放熱フィンの一方に設けられる磁石としてボンド磁石が用いられるため、半導体素パッケージおよび放熱フィンの一方とボンド磁石との一体形成が可能となる。また、半導体パッケージおよび放熱フィンの他方にこれと磁性体が一体形成される。半導体パッケージおよび放熱フィンの一方とボンド磁石との固定と、半導体パッケージおよび放熱フィンの他方と磁性体との固定に関し接着剤が用いられないため、半導体パッケージおよび放熱フィンの吸着面の高さ位置を管理する必要がなくなる。その結果、半導体パッケージと放熱フィンの吸着面の高さ位置の管理が容易になるため、半導体パッケージと放熱フィンとの吸着力の低下を抑制できる。
＜実施の形態１＞
本発明の実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体装置１００の断面図である。
本発明の実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体装置１００の断面図である。
図１に示すように、半導体装置１００は、半導体パッケージ１、絶縁基板３、放熱フィン１０、磁性体４、およびボンド磁石１１を備えている。
半導体パッケージ１は、電子基板（図示省略）に接続するために下端部に設けられたリード端子２を備えている。半導体パッケージ１の上面のうち外周部よりも内側には下方に凹む凹部５が形成されている。絶縁基板３は凹部５に収容された状態で、図示しない半導体チップが搭載され電気的に接続されたリード端子とともにモールド封止されている。絶縁基板３の上面は、半導体パッケージ１の上面のうち外周部よりも内側に位置しており、放熱フィン１０の下面と接触している。
半導体パッケージ１の上部の外周部には、絶縁基板３を囲むように下方に凹む凹部６が矩形枠状に形成されている。磁性体４も凹部６に対応して矩形枠状に形成されており、磁性体４は凹部６に収容された状態で、一体に形成されている。磁性体４の上面は、半導体パッケージ１の上面の外周部に位置しており、放熱フィン１０の下面に位置するボンド磁石１１の下面と接触している。
放熱フィン１０は、半導体パッケージ１の上面に配置されており、絶縁基板３を介して伝えられた半導体パッケージ１の熱を外部に放熱する。
放熱フィン１０は、本体部１０ａ、フィン部１０ｂ、および一対のガイドレール１２を備えている。本体部１０ａは、半導体パッケージ１の上面、具体的には、半導体パッケージ１に埋設された絶縁基板３の上面と接触する平板状の部材である。フィン部１０ｂは、複数の突起を有し、本体部１０ａの上面に接合されている。
一対のガイドレール１２は、本体部１０ａの下面の外端に設けられ、半導体パッケージ１に対する放熱フィン１０の位置を規制する。一対のガイドレール１２は、半導体パッケージ１に対する放熱フィン１０の位置ずれ、換言すると、放熱フィン１０に対する半導体パッケージ１の位置ずれを抑制するために設けられている。また、放熱フィン１０と半導体パッケージ１との熱膨張差によって発生する応力を緩和するために、一対のガイドレール１２と半導体パッケージ１における横方向の外端との間に予め定められた隙間を有している。
本体部１０ａにおける磁性体４に対向する位置に上方に凹む矩形枠状の凹部１３が形成されており、凹部１３に矩形枠状のボンド磁石１１が収容された状態で本体部１０ａとボンド磁石１１が一体形成されている。ボンド磁石１１の下面は、放熱フィン１０の下面における磁性体４に対向する箇所に位置しており、半導体パッケージ１の上面に位置する磁性体４の上面と接触している。ここで、磁性体４が第１の固定部に相当し、ボンド磁石１１が第２の固定部に相当する。
次に、図２〜図７を用いて、放熱フィン１０の製造方法について説明する。図２は、押出加工工程を説明するための断面図である。図３は、溶融射出工程を説明するための断面図である。図４は、冷却工程を説明するための断面図である。図５は、着磁工程を説明するための断面図である。図６は、表面研磨工程を説明するための断面図である。図７は、フィン部取り付け工程を説明するための断面図である。
最初に、図２に示すように、放熱フィン１０の本体部１０ａに対して押出加工を実施し、ボンド磁石１１が形成される凹部１３を形成する。次に、図３に示すように、ディスペンサー２０により凹部１３に磁石片と熱可塑性樹脂を含む混錬材２１を溶融射出する。なお、磁石片とは、微小な磁石粒または磁石粉末である。
次に、図４に示すように、本体部１０ａを冷却器２２にセットして、凹部１３に溶融射出された混錬材２１を冷却し硬化させることで、本体部１０ａにボンド磁石１１が一体形成される。冷却器２２から本体部１０ａを取り出して、図５に示すように、着磁用電源２４に接続された磁界発生用コイル２３に本体部１０ａをセットする。そして、本体部１０ａに一体形成されたボンド磁石１１を着磁する。
着磁が完了すると、磁界発生用コイル２３から本体部１０ａを取り出し、図６に示すように、本体部１０ａの表面を研磨し平坦化する。次に、図７に示すように、放熱フィン１０の放熱性能を向上させるために、本体部１０ａにフィン部１０ｂが例えばろう付けにより接合される。なお、放熱フィン１０の放熱性能を向上させる必要がない場合、この工程は省略可能である。
なお、製造工程の容易性を考慮すると、本実施の形態のようにボンド磁石１１は放熱フィン１０と一体形成されている態様が望ましいが、製造工程の容易性を考慮しなくても良い場合、ボンド磁石１１は半導体パッケージ１と一体形成されていてもよい。この場合、対向する磁性体４は放熱フィン１０と一体に形成される。ここでは、ボンド磁石１１が第１の固定部に相当し、磁性体４が第２の固定部に相当する。
また、本実施の形態では、ボンド磁石１１と磁性体４は矩形枠状であると説明したが、絶縁基板３の各辺に対応する位置に設けられた直線状の部材で構成されていてもよい。または、絶縁基板３の各辺に対応する位置に設けられた複数の直方体状の部材で構成されていてもよい。これらの場合、凹部６，１３はボンド磁石１１と磁性体４の形状に合わせて形成される。
以上のように、実施の形態１に係る半導体装置１００は、半導体パッケージ１と、半導体パッケージ１の上面のうち外周部よりも内側に位置する絶縁基板３と、半導体パッケージ１の上面に配置された放熱フィン１０と、半導体パッケージ１の上面の外周部に位置し、半導体パッケージ１と一体に形成された磁性体４およびボンド磁石１１の一方からなる第１の固定部と、放熱フィン１０の下面における第１の固定部に対向する箇所に位置し、放熱フィン１０と一体に形成された磁性体４およびボンド磁石１１の他方からなる第２の固定部とを備え、第１の固定部と第２の固定部との間に発生する磁力により、半導体パッケージ１と放熱フィン１０は吸着している。
半導体パッケージ１および放熱フィン１０の一方に設けられる磁石としてボンド磁石１１が用いられるため、半導体パッケージ１および放熱フィン１０の一方とボンド磁石１１との一体形成が可能となる。また、半導体パッケージ１および放熱フィン１０の他方にこれと磁性体４が一体形成される。半導体パッケージ１および放熱フィン１０の一方とボンド磁石１１との固定と、半導体パッケージ１および放熱フィン１０の他方と磁性体４との固定に関し接着剤が用いられないため、半導体パッケージ１および放熱フィン１０の吸着面の高さ位置を管理する必要がなくなる。その結果、半導体パッケージ１と放熱フィン１０の吸着面の高さ位置の管理が容易になるため、半導体パッケージ１と放熱フィン１０との吸着力の低下を抑制できる。
また、半導体パッケージ１および放熱フィン１０の一方とボンド磁石１１とが一体形成されるとともに、半導体パッケージ１および放熱フィン１０の他方と磁性体４とが一体形成されることで、半導体装置１００の製造工程における接着剤の使用量が減るため、原材料の減量化を図ることが可能となる。
また、第１の固定部は磁性体４からなり、第２の固定部はボンド磁石１１からなる。この場合の放熱フィン１０の製造方法は、放熱フィン１０の本体部１０ａに対して押出加工を実施し、ボンド磁石１１が形成される凹部１３を形成する工程（ａ）と、凹部１３に磁石片と熱可塑性樹脂を含む混錬材２１を溶融射出する工程（ｂ）と、凹部１３に溶融射出された混錬材２１を冷却し硬化させることで本体部１０ａにボンド磁石１１を一体形成する工程（ｃ）と、本体部１０ａに一体形成されたボンド磁石１１を着磁する工程（ｄ）とを備えている。
したがって、従来は必要であった放熱フィンと磁石との接着工程が不要となることで、半導体装置１００の生産性が向上するとともに、放熱フィン１０とボンド磁石１１との固定に関し接着剤が不要となることで、接着剤の厚みばらつき、および放熱フィン１０の吸着面の高さ位置のばらつきの管理も不要となる。これにより、半導体パッケージ１と放熱フィン１０の吸着面の高さ位置を容易に均一化することができるため、ボンド磁石１１と磁性体４との間で磁力が効率良く作用し半導体パッケージ１と放熱フィン１０との吸着力が向上する。
＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２に係る半導体装置１００Ａについて説明する。図８は、実施の形態２に係る半導体装置１００Ａの断面図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態２に係る半導体装置１００Ａについて説明する。図８は、実施の形態２に係る半導体装置１００Ａの断面図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
図８に示すように、実施の形態２では、半導体装置１００Ａは、放熱フィン１０におけるボンド磁石１１の周囲に配置されたヨーク１４をさらに備えている。
ヨーク１４は、ボンド磁石１１における下面の除く部分を覆うように断面視にてコの字状であり、かつ、ボンド磁石１１の延在方向に沿って延びており、ボンド磁石１１と磁性体４との間で発生する磁力線の拡散を抑制する。ヨーク１４の材質として、主に鉄、ニッケル、コバルト、パーマロイ、およびケイ素銅等の軟磁性体が用いられる。
次に、放熱フィン１０の製造方法について説明する。ここでは、実施の形態１の場合と異なっている溶融射出工程についてのみ説明し、他の工程については実施の形態１の場合と同じであるため説明を省略する。
溶融射出工程では、ヨーク１４が凹部１３に嵌合などにより接着剤を用いることなく固定された後、ヨーク１４に混錬材２１を溶融射出することで、ボンド磁石１１はヨーク１４に一体形成される。その結果、放熱フィン１０、ヨーク１４およびボンド磁石１１は、接着剤を用いることなく固定される。
以上のように、実施の形態２に係る半導体装置１００Ａは、放熱フィン１０におけるボンド磁石１１の周囲に配置されたヨーク１４をさらに備えている。
したがって、ボンド磁石１１と磁性体４との間で発生する磁力線の拡散を抑制することで、半導体装置１００Ａの周囲に電気的な影響が及ぶことを抑制するとともに、半導体パッケージ１と放熱フィン１０との間でさらに強い吸着力を得ることが可能となる。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
１ 半導体パッケージ、３ 絶縁基板、４ 磁性体、１０ 放熱フィン、１０ａ 本体部、１１ ボンド磁石、１２ ガイドレール、１３ 凹部、１４ ヨーク、２１ 混錬材、１００，１００Ａ 半導体装置。
Claims (5)
- 半導体パッケージと、
前記半導体パッケージの上面のうち外周部よりも内側に位置する絶縁基板と、
前記半導体パッケージの前記上面に配置された放熱フィンと、
前記半導体パッケージの前記上面の前記外周部に位置し、前記半導体パッケージと一体に形成された磁性体およびボンド磁石の一方からなる第１の固定部と、
前記放熱フィンの下面における前記第１の固定部に対向する箇所に位置し、前記放熱フィンと一体に形成された前記磁性体および前記ボンド磁石の他方からなる第２の固定部と、を備え、
前記第１の固定部と前記第２の固定部との間に発生する磁力により、前記半導体パッケージと前記放熱フィンは吸着する、半導体装置。 - 前記第１の固定部は前記磁性体からなり、前記第２の固定部は前記ボンド磁石からなる、請求項１に記載の半導体装置。
- 前記放熱フィンは、前記半導体パッケージに対する前記放熱フィンの位置を規制する一対のガイドレールを備え、
一対の前記ガイドレールと前記半導体パッケージにおける横方向の外端との間に予め定められた隙間を有する、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。 - 前記放熱フィンにおける前記ボンド磁石の周囲に配置されたヨークをさらに備えた、請求項２に記載の半導体装置。
- 請求項２に記載の半導体装置が備える前記放熱フィンを製造する方法であって、
（ａ）前記放熱フィンの本体部に対して押出加工を実施し、前記ボンド磁石が形成される凹部を形成する工程と、
（ｂ）前記凹部に磁石片と熱可塑性樹脂を含む混錬材を溶融射出する工程と、
（ｃ）前記凹部に溶融射出された前記混錬材を冷却し硬化させることで前記本体部に前記ボンド磁石を一体形成する工程と、
（ｄ）前記本体部に一体形成された前記ボンド磁石を着磁する工程と、
を備えた、放熱フィンの製造方法。
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| CN116313853A (zh) * | 2023-02-14 | 2023-06-23 | 纳宇半导体材料(宁波)有限责任公司 | 用于芯片粘结和封装互连的防氧化治具及封装互连的方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167344U (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-06 | ティーオーエー株式会社 | トランジスタの取付構造 |
| JPH09283675A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 放熱フィン取付構造 |
| JP2009117647A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US20120014068A1 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Fujitsu Limited | Electronic device |
| JP2019040971A (ja) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0494154A (ja) | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Koufu Nippon Denki Kk | ヒートシンクの取付構造 |
| JPH0714952A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US20080273308A1 (en) * | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Kells Trevor A | Magnetically coupled cooling block |
| TW201221041A (en) * | 2010-11-11 | 2012-05-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Heat dissipation apparatus assembly |
| JP2013070026A (ja) | 2011-09-08 | 2013-04-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装構造、およびパワー用半導体装置 |
| JP5954409B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-07-20 | 富士電機株式会社 | 放熱フィン付き半導体モジュール |
| TW201426263A (zh) * | 2012-12-26 | 2014-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 導熱膏保護罩 |
| TWM504269U (zh) * | 2014-11-19 | 2015-07-01 | Giga Byte Tech Co Ltd | 板件固定結構 |
| WO2018097027A1 (ja) * | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US11145568B2 (en) * | 2018-12-10 | 2021-10-12 | Intel Corporation | Magnetically affixed heat spreader |
-
2019
- 2019-11-26 JP JP2019213339A patent/JP7170620B2/ja active Active
-
2020
- 2020-08-26 US US17/002,946 patent/US11557527B2/en active Active
- 2020-10-21 DE DE102020127682.6A patent/DE102020127682A1/de active Pending
- 2020-11-20 CN CN202011307555.2A patent/CN112951779A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167344U (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-06 | ティーオーエー株式会社 | トランジスタの取付構造 |
| JPH09283675A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 放熱フィン取付構造 |
| JP2009117647A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US20120014068A1 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Fujitsu Limited | Electronic device |
| JP2012104796A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-05-31 | Fujitsu Ltd | 電子機器 |
| JP2019040971A (ja) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
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