CN112951779A - 半导体装置以及散热鳍片的制造方法 - Google Patents
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Abstract
目的在于提供下述技术：对于具有半导体封装件和散热鳍片的半导体装置，能够在通过磁力使半导体封装件与散热鳍片吸附而固定的情况下，抑制半导体封装件与散热鳍片之间的吸附力的下降。半导体装置具有：半导体封装件；绝缘基板，其位于半导体封装件的上表面中的与外周部相比的内侧；散热鳍片，其配置于半导体封装件的上表面；第1固定部，其位于半导体封装件的上表面的外周部，由磁体及粘结磁铁中与半导体封装件一体形成的一者构成；以及第2固定部，其位于散热鳍片的下表面中的与第1固定部相对的部位，由磁体及粘结磁铁中与散热鳍片一体形成的另一者构成，通过在第1固定部与第2固定部之间产生的磁力而使半导体封装件与散热鳍片吸附。
Description
技术领域
本发明涉及半导体装置以及散热鳍片的制造方法。
背景技术
以往，作为半导体装置的半导体封装件向散热鳍片的安装方法，通常已知通过螺钉紧固实现的方法。但是，就基于螺钉紧固的安装方法而言，有时由于半导体封装件与散热鳍片之间的界面处的热膨胀差所产生的应力，螺钉紧固部劣化而破损。
作为上述这样的问题的解决方法，例如在专利文献1中提出了使用由磁力实现的吸附现象的安装方法。
在专利文献1所记载的技术中，在从下方对下表面安装有LSI的金属板的两肩部进行支撑的陶瓷的外周附近的上部设置有磁铁安装孔，在其中埋设上表面与陶瓷的表面成为相同高度的磁铁，通过粘接剂进行固定。另外，在散热鳍片的下表面，在与磁铁相对的位置通过粘接剂安装有磁体。埋设于陶瓷的磁铁的上表面与安装于散热鳍片的磁体的下表面进行吸附，由此具有陶瓷的基部被安装于具有散热鳍片的散热器部。
专利文献1：日本特开平9-283675号公报
如上所述，在专利文献1所记载的技术中，磁铁和磁体被分别使用粘接剂而粘接于陶瓷和散热鳍片。但是，在使用了粘接剂的制造方法的情况下，粘接剂的厚度波动的管理变得重要。在无法高精度地进行粘接剂的厚度波动的管理的情况下，与陶瓷的上表面相对的磁铁的上表面的高度位置、以及与散热鳍片的下表面相对的磁体的下表面的高度位置产生波动。其结果，存在下述问题，即，陶瓷与散热鳍片的吸附面的高度位置产生差异，陶瓷与散热鳍片之间的吸附力下降。
发明内容
因此，本发明的目的在于，就具有半导体封装件和散热鳍片的半导体装置而言，提供能够在通过磁力使半导体封装件与散热鳍片吸附而固定的情况下，抑制半导体封装件与散热鳍片之间的吸附力的下降的技术。
本发明涉及的半导体装置具有：半导体封装件；绝缘基板，其位于所述半导体封装件的上表面中的与外周部相比的内侧；散热鳍片，其配置于所述半导体封装件的所述上表面；第1固定部，其位于所述半导体封装件的所述上表面的所述外周部，由磁体以及粘结磁铁中的与所述半导体封装件一体地形成的一者构成；以及第2固定部，其位于所述散热鳍片的下表面中的与所述第1固定部相对的部位，由所述磁体以及所述粘结磁铁中的与所述散热鳍片一体地形成的另一者构成，通过在所述第1固定部与所述第2固定部之间产生的磁力而使所述半导体封装件与所述散热鳍片吸附。
发明的效果
根据本发明，使用粘结磁铁作为在半导体封装件以及散热鳍片的一者设置的磁铁，因此能够实现半导体封装件以及散热鳍片的一者与粘结磁铁的一体形成。另外，在半导体封装件以及散热鳍片的另一者，与其一体地形成磁体。关于半导体封装件以及散热鳍片的一者与粘结磁铁之间的固定、半导体封装件以及散热鳍片的另一者与磁体之间的固定，不使用粘接剂，因此不再需要对半导体封装件以及散热鳍片的吸附面的高度位置进行管理。其结果，半导体封装件与散热鳍片的吸附面的高度位置的管理变得容易，因此能够抑制半导体封装件与散热鳍片之间的吸附力的下降。
附图说明
图1是实施方式1涉及的半导体装置的剖面图。
图2是用于对挤出加工工序进行说明的剖面图。
图3是用于对熔融注塑工序进行说明的剖面图。
图4是用于对冷却工序进行说明的剖面图。
图5是用于对磁化工序进行说明的剖面图。
图6是用于对表面研磨工序进行说明的剖面图。
图7是用于对鳍片部接合工序进行说明的剖面图。
图8是实施方式2涉及的半导体装置的剖面图。
标号的说明
1半导体封装件，3绝缘基板，4磁体，10散热鳍片，10a主体部，11粘结磁铁，12导轨，13凹部，14磁轭，21混炼材料，100、100A半导体装置。
具体实施方式
＜实施方式1＞
以下，使用附图，对本发明的实施方式1进行说明。图1是实施方式1涉及的半导体装置100的剖面图。
如图1所示，半导体装置100具有半导体封装件1、绝缘基板3、散热鳍片10、磁体4以及粘结磁铁11。
半导体封装件1具有为了与电子基板(省略图示)连接而在下端部设置的引线端子2。在半导体封装件1的上表面中的与外周部相比的内侧形成有向下方凹陷的凹部5。绝缘基板3在被收容于凹部5的状态下，与搭载有未图示的半导体芯片且电连接至该半导体芯片的引线端子一起被模塑封装。绝缘基板3的上表面位于半导体封装件1的上表面中的与外周部相比的内侧，与散热鳍片10的下表面接触。
在半导体封装件1的上部的外周部，以包围绝缘基板3的方式呈矩形框状地形成有向下方凹陷的凹部6。磁体4也对应于凹部6而形成为矩形框状，磁体4在被收容于凹部6的状态下一体地形成。磁体4的上表面位于半导体封装件1的上表面的外周部，与位于散热鳍片10的下表面处的粘结磁铁11的下表面接触。
散热鳍片10配置于半导体封装件1的上表面，将经由绝缘基板3而传递的半导体封装件1的热向外部散热。
散热鳍片10具有主体部10a、鳍片部10b以及一对导轨12。主体部10a是与半导体封装件1的上表面，具体地说，是与埋设于半导体封装件1的绝缘基板3的上表面进行接触的平板状的部件。鳍片部10b具有多个凸起，鳍片部10b与主体部10a的上表面接合。
一对导轨12设置于主体部10a的下表面的外端，规定散热鳍片10相对于半导体封装件1的位置。一对导轨12是为了抑制散热鳍片10相对于半导体封装件1的位置偏差，换言之，半导体封装件1相对于散热鳍片10的位置偏差而设置的。另外，为了缓和由散热鳍片10与半导体封装件1之间的热膨胀差而产生的应力，在一对导轨12与半导体封装件1的横向的外端之间具有预先确定的间隙。
在主体部10a中的与磁体4相对的位置形成有向上方凹陷的矩形框状的凹部13，在矩形框状的粘结磁铁11被收容于凹部13的状态下，主体部10a与粘结磁铁11一体形成。粘结磁铁11的下表面位于散热鳍片10的下表面中的与磁体4相对的部位，与位于半导体封装件1的上表面处的磁体4的上表面接触。这里，磁体4相当于第1固定部，粘结磁铁11相当于第2固定部。
接下来，使用图2～图7，对散热鳍片10的制造方法进行说明。图2是用于对挤出加工工序进行说明的剖面图。图3是用于对熔融注塑工序进行说明的剖面图。图4是用于对冷却工序进行说明的剖面图。图5是用于对磁化工序进行说明的剖面图。图6是用于对表面研磨工序进行说明的剖面图。图7是用于对鳍片部安装工序进行说明的剖面图。
首先，如图2所示，针对散热鳍片10的主体部10a实施挤出加工而形成凹部13，其中，该凹部13用于形成粘结磁铁11。接下来，如图3所示，通过滴涂器20将包含磁铁片和热塑性树脂在内的混炼材料21熔融注塑至凹部13。此外，磁铁片是指微小的磁铁粒或者磁铁粉末。
接下来，如图4所示，将主体部10a设置于冷却器22，使熔融注塑至凹部13的混炼材料21冷却而硬化，从而使粘结磁铁11与主体部10a一体形成。从冷却器22取出主体部10a，如图5所示，将主体部10a设置于与磁化用电源24连接的磁场产生用线圈23。然后，将与主体部10a一体形成的粘结磁铁11磁化。
如果完成磁化，则从磁场产生用线圈23取出主体部10a，如图6所示，对主体部10a的表面进行研磨、使其平坦化。接下来，如图7所示，为了提高散热鳍片10的散热性能，例如通过钎焊而将鳍片部10b接合于主体部10a。此外，在不需要使散热鳍片10的散热性能提高的情况下，能够省略该工序。
此外，如果考虑到制造工序的容易性，则优选如本实施方式这样粘结磁铁11与散热鳍片10一体形成的方式，但在可以不考虑制造工序的容易性的情况下，也可以是粘结磁铁11与半导体封装件1一体形成。在这种情况下，相对的磁体4与散热鳍片10一体形成。这里，粘结磁铁11相当于第1固定部，磁体4相当于第2固定部。
另外，在本实施方式中，对粘结磁铁11和磁体4呈矩形框状进行了说明，但也可以由在与绝缘基板3的各边对应的位置设置的直线状的部件构成。或者，也可以由在与绝缘基板3的各边对应的位置设置的多个长方体状的部件构成。在这些情况下，凹部6、13匹配于粘结磁铁11和磁体4的形状而形成。
如上所述，实施方式1涉及的半导体装置100具有：半导体封装件1；绝缘基板3，其位于半导体封装件1的上表面中的与外周部相比的内侧；散热鳍片10，其配置于半导体封装件1的上表面；第1固定部，其位于半导体封装件1的上表面的外周部，由磁体4以及粘结磁铁11中的与半导体封装件1一体地形成的一者构成；以及第2固定部，其位于散热鳍片10的下表面中的与第1固定部相对的部位，由磁体4以及粘结磁铁11中的与散热鳍片10一体地形成的另一者构成，通过在第1固定部与第2固定部之间产生的磁力而使半导体封装件1与散热鳍片10进行吸附。
由于使用粘结磁铁11作为在半导体封装件1以及散热鳍片10的一者设置的磁铁，因此能够实现半导体封装件1以及散热鳍片10的一者与粘结磁铁11的一体形成。另外，在半导体封装件1以及散热鳍片10的另一者，与其一体地形成磁体4。关于半导体封装件1以及散热鳍片10的一者与粘结磁铁11之间的固定、半导体封装件1以及散热鳍片10的另一者与磁体4之间的固定，不使用粘接剂，因此不再需要对半导体封装件1以及散热鳍片10的吸附面的高度位置进行管理。其结果，半导体封装件1与散热鳍片10的吸附面的高度位置的管理变得容易，因此能够抑制半导体封装件1与散热鳍片10之间的吸附力的下降。
另外，半导体封装件1以及散热鳍片10的一者与粘结磁铁11一体形成，并且半导体封装件1以及散热鳍片10的另一者与磁体4一体形成，由此半导体装置100的制造工序中的粘接剂的使用量减少，因此能够实现原材料的减量化。
另外，第1固定部由磁体4构成，第2固定部由粘结磁铁11构成。这种情况下的散热鳍片10的制造方法具有：工序(a)，针对散热鳍片10的主体部10a实施挤出加工而形成凹部13，该凹部13用于形成粘结磁铁11；工序(b)，将包含磁铁片和热塑性树脂在内的混炼材料21熔融注塑至凹部13；工序(c)，使被熔融注塑至凹部13的混炼材料21冷却而硬化，由此将粘结磁铁11与主体部10a一体形成；以及工序(d)，对与主体部10a一体形成的粘结磁铁11进行磁化。
因此，不再需要以往所需的散热鳍片与磁铁之间的粘接工序，由此半导体装置100的生产率提高，并且，关于散热鳍片10与粘结磁铁11之间的固定，不再需要粘接剂，由此也不再需要对粘接剂的厚度波动以及散热鳍片10的吸附面的高度位置的波动的管理。由此，能够使半导体封装件1与散热鳍片10的吸附面的高度位置容易地均一化，因此磁力在粘结磁铁11与磁体4之间高效地起作用，半导体封装件1与散热鳍片10之间的吸附力提高。
＜实施方式2＞
接下来，对实施方式2涉及的半导体装置100A进行说明。图8是实施方式2涉及的半导体装置100A的剖面图。此外，在实施方式2中，对在实施方式1中说明过的结构要素相同的结构要素标注相同标号，省略说明。
如图8所示，在实施方式2中，半导体装置100A还具有在散热鳍片10处的粘结磁铁11的周围配置的磁轭14。
磁轭14在剖视观察时呈“コ”字状，以覆盖粘结磁铁11中的除下表面以外的部分，并且磁轭14沿粘结磁铁11的延伸方向而延伸，抑制在粘结磁铁11与磁体4之间产生的磁力线的扩散。作为磁轭14的材质，主要使用铁、镍、钴、坡莫合金以及硅铜等软磁体。
接下来，对散热鳍片10的制造方法进行说明。这里，仅对与实施方式1的情况不同的熔融注塑工序进行说明，对于其它工序，由于与实施方式1的情况相同，因此省略说明。
在熔融注塑工序中，在将磁轭14通过嵌合等而不使用粘接剂地固定于凹部13后，将混炼材料21熔融注塑于磁轭14，由此将粘结磁铁11与磁轭14一体形成。其结果，散热鳍片10、磁轭14以及粘结磁铁11被固定而不使用粘接剂。
如上所述，实施方式2涉及的半导体装置100A还具有在散热鳍片10处的粘结磁铁11的周围配置的磁轭14。
因此，通过抑制在粘结磁铁11与磁体4之间产生的磁力线的扩散，从而抑制电气影响波及半导体装置100A的周围，并且能够在半导体封装件1与散热鳍片10之间得到更强的吸附力。
此外，本发明能够在本发明的范围内，对各实施方式自由地进行组合，对各实施方式适当地进行变形、省略。
Claims (5)
1.一种半导体装置，其具有：
半导体封装件；
绝缘基板，其位于所述半导体封装件的上表面中的与外周部相比的内侧；
散热鳍片，其配置于所述半导体封装件的所述上表面；
第1固定部，其位于所述半导体封装件的所述上表面的所述外周部，由磁体以及粘结磁铁中的与所述半导体封装件一体地形成的一者构成；以及
第2固定部，其位于所述散热鳍片的下表面中的与所述第1固定部相对的部位，由所述磁体以及所述粘结磁铁中的与所述散热鳍片一体地形成的另一者构成，
通过在所述第1固定部与所述第2固定部之间产生的磁力而使所述半导体封装件与所述散热鳍片吸附。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1固定部由所述磁体构成，所述第2固定部由所述粘结磁铁构成。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述散热鳍片具有一对导轨，该一对导轨规定所述散热鳍片相对于所述半导体封装件的位置，
在一对所述导轨与所述半导体封装件的横向的外端之间具有预先确定的间隙。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
还具有磁轭，该磁轭配置在所述散热鳍片处的所述粘结磁铁的周围。
5.一种散热鳍片的制造方法，其制造权利要求2所述的半导体装置所具有的所述散热鳍片，该散热鳍片的制造方法具有下述工序：
(a)针对所述散热鳍片的主体部实施挤出加工而形成凹部，该凹部用于形成所述粘结磁铁；
(b)将包含磁铁片和热塑性树脂在内的混炼材料熔融注塑至所述凹部；
(c)使熔融注塑至所述凹部的所述混炼材料冷却而硬化，由此将所述粘结磁铁与所述主体部一体形成；以及
(d)对与所述主体部一体形成的所述粘结磁铁进行磁化。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116313853A (zh) * | 2023-02-14 | 2023-06-23 | 纳宇半导体材料(宁波)有限责任公司 | 用于芯片粘结和封装互连的防氧化治具及封装互连的方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714952A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH09283675A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 放熱フィン取付構造 |
| US20080273308A1 (en) * | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Kells Trevor A | Magnetically coupled cooling block |
| US20120014068A1 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Fujitsu Limited | Electronic device |
| CN104067388A (zh) * | 2012-03-22 | 2014-09-24 | 富士电机株式会社 | 带散热鳍片的半导体模块 |
| US20190115281A1 (en) * | 2018-12-10 | 2019-04-18 | Intel Corporation | Magnetically affixed heat spreader |
| CN110024119A (zh) * | 2016-11-24 | 2019-07-16 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167344U (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-06 | ティーオーエー株式会社 | トランジスタの取付構造 |
| JPH0494154A (ja) | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Koufu Nippon Denki Kk | ヒートシンクの取付構造 |
| JP2009117647A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| TW201221041A (en) * | 2010-11-11 | 2012-05-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Heat dissipation apparatus assembly |
| JP2013070026A (ja) | 2011-09-08 | 2013-04-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装構造、およびパワー用半導体装置 |
| TW201426263A (zh) * | 2012-12-26 | 2014-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 導熱膏保護罩 |
| TWM504269U (zh) * | 2014-11-19 | 2015-07-01 | Giga Byte Tech Co Ltd | 板件固定結構 |
| JP7031172B2 (ja) * | 2017-08-24 | 2022-03-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2019
- 2019-11-26 JP JP2019213339A patent/JP7170620B2/ja active Active
-
2020
- 2020-08-26 US US17/002,946 patent/US11557527B2/en active Active
- 2020-10-21 DE DE102020127682.6A patent/DE102020127682A1/de active Pending
- 2020-11-20 CN CN202011307555.2A patent/CN112951779A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714952A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH09283675A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 放熱フィン取付構造 |
| US20080273308A1 (en) * | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Kells Trevor A | Magnetically coupled cooling block |
| US20120014068A1 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Fujitsu Limited | Electronic device |
| CN104067388A (zh) * | 2012-03-22 | 2014-09-24 | 富士电机株式会社 | 带散热鳍片的半导体模块 |
| CN110024119A (zh) * | 2016-11-24 | 2019-07-16 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| US20190115281A1 (en) * | 2018-12-10 | 2019-04-18 | Intel Corporation | Magnetically affixed heat spreader |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116313853A (zh) * | 2023-02-14 | 2023-06-23 | 纳宇半导体材料(宁波)有限责任公司 | 用于芯片粘结和封装互连的防氧化治具及封装互连的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JP7170620B2 (ja) | 2022-11-14 |
| US11557527B2 (en) | 2023-01-17 |
| JP2021086882A (ja) | 2021-06-03 |
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