JP2016111083A - パワーモジュール及びその製造方法 - Google Patents
パワーモジュール及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016111083A JP2016111083A JP2014244959A JP2014244959A JP2016111083A JP 2016111083 A JP2016111083 A JP 2016111083A JP 2014244959 A JP2014244959 A JP 2014244959A JP 2014244959 A JP2014244959 A JP 2014244959A JP 2016111083 A JP2016111083 A JP 2016111083A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porous member
- wiring
- semiconductor element
- power semiconductor
- power module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 158
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 37
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 27
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 16
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 35
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/2901—Shape
- H01L2224/29016—Shape in side view
- H01L2224/29017—Shape in side view being non uniform along the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29075—Plural core members
- H01L2224/29078—Plural core members being disposed next to each other, e.g. side-to-side arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/3701—Shape
- H01L2224/37012—Cross-sectional shape
- H01L2224/37013—Cross-sectional shape being non uniform along the connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/8434—Bonding interfaces of the connector
- H01L2224/84345—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/8484—Sintering
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明の実施の形態1にかかるパワーモジュールの構成を説明する。図1は、本発明の実施の形態1にかかるパワーモジュールの構成を概略的に示す断面図であり、(a)と(b)はパワー半導体素子と放熱板との間の構成が異なる。
本発明の実施の形態2では、本発明の実施の形態1と相違する部分について説明し、同一又は対応する部分についての説明は省略する。本発明の実施の形態2では、第1の配線1に形成する第1の多孔質部材2の形状が異なる。
本発明の実施の形態3は、本発明の実施の形態1及び本発明の実施の形態2と相違する部分について説明し、同一又は対応する部分についての説明は省略する。本発明の実施の形態3では、本発明の実施の形態1及び本発明の実施の形態2と異なり、第1の配線1が2つのパワー半導体素子5を接続している。
本発明の実施の形態4では、本発明の実施の形態1から本発明の実施の形態3と相違する部分について説明し、同一又は対応する部分についての説明は省略する。本発明の実施の形態4では、パワーモジュールの構成を、本発明の実施の形態1から本発明の実施の形態3で示したようないわゆるケース型パワーモジュールというものから、モールド型パワーモジュールというものにした。
Claims (16)
- 放熱板と、
前記放熱板上に設けられた絶縁板と、
前記絶縁板上に形成された回路パターンと、
前記回路パターン上に配置され、表面に電極が形成されたパワー半導体素子と、
前記電極上に配置され、金属性の第1の多孔質部材と、
前記第1の多孔質部材上に配置された板状の第1の配線と、
を備えたパワーモジュール。 - 前記回路パターン上に配置され、金属性の第2の多孔質部材と、
前記第2の多孔質部材上に配置された板状の第2の配線と、
をさらに備えた請求項1に記載のパワーモジュール。 - 放熱板と、
前記放熱板上に設けられた絶縁板と、
前記絶縁板上に形成された回路パターンと、
前記回路パターン上に配置され、表面に電極が形成されたパワー半導体素子と、
前記回路パターン上に配置され、金属性の第2の多孔質部材と、
前記第2の多孔質部材上に配置された板状の第2の配線と、
を備えたパワーモジュール。 - 前記第1の多孔質部材は、
前記第1の配線よりも、硬度が低いことを特徴とする、
請求項1又は請求項2に記載のパワーモジュール。 - 前記第2の多孔質部材は、
前記第2の配線よりも、硬度が低いことを特徴とする、
請求項2又は請求項3に記載のパワーモジュール。 - 前記絶縁板と、前記回路パターンと、前記パワー半導体素子と、前記第1の多孔質部材とを収納するケースと、
前記絶縁板と、前記回路パターンと、前記パワー半導体素子と、前記第1の多孔質部材とを封止する第1の封止樹脂と
をさらに備え、前記第1の封止樹脂は前記ケース内に充填された、
請求項1、請求項2又は請求項4のいずれか1項に記載のパワーモジュール。 - 前記絶縁板と、前記回路パターンと、前記パワー半導体素子と、前記第1の多孔質部材とをモールド封止する第2の封止樹脂と
をさらに備えた請求項1、請求項2又は請求項4のいずれか1項に記載のパワーモジュール。 - 前記絶縁板と、前記回路パターンと、前記パワー半導体素子と、前記第2の多孔質部材とを収納するケースと、
前記絶縁板と、前記回路パターンと、前記パワー半導体素子と、前記第2の多孔質部材とを封止する第1の封止樹脂と、
をさらに備え、前記第1の封止樹脂は前記ケース内に充填された、
請求項2、請求項3又は請求項5のいずれか1項に記載のパワーモジュール。 - 前記絶縁板と、前記回路パターンと、前記パワー半導体素子と、前記第2の多孔質部材とをモールド封止する第2の封止樹脂と
をさらに備えた請求項2、請求項3又は請求項5のいずれか1項に記載のパワーモジュール。 - 板状の配線の一方の面に第1の多孔質部材を形成する工程と、
パワー半導体素子の電極と前記配線とを前記配線の一方の面に形成された前記第1の多孔質部材を介して接合する工程と、
を備えたパワーモジュールの製造方法。 - 板状の配線の一方の面に第2の多孔質部材を形成する工程と、
回路パターンと前記配線とを前記配線の一方の面に形成された前記第2の多孔質部材を介して接合する工程と、
を備えたパワーモジュールの製造方法。 - パワー半導体素子の電極上に第1の多孔質部材を形成する工程と、
板状の配線と前記パワー半導体素子の電極とを前記第1の多孔質部材を介して接合する工程と、
を備えたパワーモジュールの製造方法。 - 回路パターン上に第2の多孔質部材を形成する工程と、
板状の配線と前記回路パターンとを前記第2の多孔質部材を介して接合する工程と、
を備えたパワーモジュールの製造方法。 - 前記第1の多孔質部材の素材を生成する方法が、
コールドスプレー法又は微粒子焼結法であることを特徴とする、
請求項10又は請求項12に記載のパワーモジュールの製造方法。 - 前記第2の多孔質部材の素材を生成する方法が、
コールドスプレー法又は微粒子焼結法であることを特徴とする、
請求項11又は請求項13に記載のパワーモジュールの製造方法。 - 前記接合が超音波接合であることを特徴とする、
請求項10から請求項15のいずれか1項に記載のパワーモジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014244959A JP6287789B2 (ja) | 2014-12-03 | 2014-12-03 | パワーモジュール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014244959A JP6287789B2 (ja) | 2014-12-03 | 2014-12-03 | パワーモジュール及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016111083A true JP2016111083A (ja) | 2016-06-20 |
JP6287789B2 JP6287789B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=56122235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014244959A Active JP6287789B2 (ja) | 2014-12-03 | 2014-12-03 | パワーモジュール及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6287789B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018135465A1 (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
JP2018190930A (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-29 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール及びその製造方法並びに電力変換装置 |
JPWO2018025571A1 (ja) * | 2016-08-05 | 2019-06-13 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置 |
JP2020009995A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置、及び半導体装置の製造方法 |
WO2020075549A1 (ja) * | 2018-10-09 | 2020-04-16 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2020110860A1 (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力用半導体モジュール、電力変換装置および電力用半導体モジュールの製造方法 |
JP2021141149A (ja) * | 2020-03-04 | 2021-09-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置、および半導体装置の製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02281737A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Toshiba Corp | 半田バンプ型半導体装置 |
JP2003174055A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Asahi Kasei Corp | 微細パターン接続用回路部品およびその形成方法 |
JP2006352080A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-12-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
WO2007142175A1 (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | 接合方法 |
JP2008235651A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012513682A (ja) * | 2008-12-23 | 2012-06-14 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 電気複合構成部材または電子複合構成部材、および、電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法 |
JP2013030759A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-02-07 | Tohoku Univ | パッケージされたデバイス、パッケージング方法及びパッケージ材の製造方法 |
JP2013098266A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2013219139A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US20140264796A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Microchip Technology Incorporated | Insulated Bump Bonding |
-
2014
- 2014-12-03 JP JP2014244959A patent/JP6287789B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02281737A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Toshiba Corp | 半田バンプ型半導体装置 |
JP2003174055A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Asahi Kasei Corp | 微細パターン接続用回路部品およびその形成方法 |
JP2006352080A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-12-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
WO2007142175A1 (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | 接合方法 |
JP2008235651A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012513682A (ja) * | 2008-12-23 | 2012-06-14 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 電気複合構成部材または電子複合構成部材、および、電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法 |
JP2013030759A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-02-07 | Tohoku Univ | パッケージされたデバイス、パッケージング方法及びパッケージ材の製造方法 |
JP2013098266A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2013219139A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US20140264796A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Microchip Technology Incorporated | Insulated Bump Bonding |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10727186B2 (en) | 2016-08-05 | 2020-07-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
JPWO2018025571A1 (ja) * | 2016-08-05 | 2019-06-13 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置 |
JPWO2018135465A1 (ja) * | 2017-01-17 | 2019-11-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
WO2018135465A1 (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
JP2018190930A (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-29 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール及びその製造方法並びに電力変換装置 |
JP7026451B2 (ja) | 2017-05-11 | 2022-02-28 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール及びその製造方法並びに電力変換装置 |
JP2020009995A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP7020325B2 (ja) | 2018-07-12 | 2022-02-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置、及び半導体装置の製造方法 |
JPWO2020075549A1 (ja) * | 2018-10-09 | 2021-09-09 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2020075549A1 (ja) * | 2018-10-09 | 2020-04-16 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US11710705B2 (en) | 2018-10-09 | 2023-07-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP7322054B2 (ja) | 2018-10-09 | 2023-08-07 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2020110860A1 (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力用半導体モジュール、電力変換装置および電力用半導体モジュールの製造方法 |
JPWO2020110860A1 (ja) * | 2018-11-29 | 2021-05-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力用半導体モジュール、電力変換装置および電力用半導体モジュールの製造方法 |
JP7138720B2 (ja) | 2018-11-29 | 2022-09-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力用半導体モジュール、電力変換装置および電力用半導体モジュールの製造方法 |
JP2021141149A (ja) * | 2020-03-04 | 2021-09-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置、および半導体装置の製造方法 |
JP7387232B2 (ja) | 2020-03-04 | 2023-11-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置、および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6287789B2 (ja) | 2018-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6287789B2 (ja) | パワーモジュール及びその製造方法 | |
JP6272512B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4576448B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
CN107615464B (zh) | 电力用半导体装置的制造方法以及电力用半导体装置 | |
JP4973059B2 (ja) | 半導体装置及び電力変換装置 | |
US10522482B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method comprising bonding an electrode terminal to a conductive pattern on an insulating substrate using ultrasonic bonding | |
JP3988735B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2012028674A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP7026451B2 (ja) | パワー半導体モジュール及びその製造方法並びに電力変換装置 | |
JP2012119597A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6504962B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP6945418B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2010192591A (ja) | 電力用半導体装置とその製造方法 | |
JP6406996B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015015335A (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2017006916A1 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2011023748A (ja) | 電子機器装置 | |
JP7072624B1 (ja) | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 | |
JP2011216766A (ja) | 電極部材およびこれを用いた半導体装置 | |
JP7490974B2 (ja) | 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法 | |
JP2015037094A (ja) | 電子部品モジュール | |
JP2014143342A (ja) | 半導体モジュール及びその製造方法 | |
JP6274019B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2016225365A (ja) | パワー半導体装置 | |
JP2009016380A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160921 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170711 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170904 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180122 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6287789 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |