JP2021068953A - フィルタ装置およびマルチプレクサ - Google Patents

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Abstract

【課題】付加回路による通過特性の劣化を抑制できるフィルタ装置を提供する。【解決手段】フィルタ装置１００は、入出力端子３１と入出力端子３２との間に設けられたフィルタ１０と、フィルタ１０と並列接続された付加回路１１と、を備え、フィルタ１０は、フィルタ１０の通過帯域を形成する少なくとも２つの弾性波共振子を備え、付加回路１１は、縦結合型共振器Ｍ１と、縦結合型共振器Ｍ１と入出力端子３１との間に接続されたキャパシタＣ１と、を備え、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の容量は、少なくとも２つの弾性波共振子のうちの少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の容量よりも小さく、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の面積は、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の面積よりも小さい。【選択図】図１

Description

本発明は、付加回路を備えたフィルタ装置およびマルチプレクサに関する。
従来、フィルタを流れる不要信号と逆位相かつ同振幅の信号を生成するキャンセル回路を、フィルタと並列に接続することによって、フィルタの減衰特性またはアイソレーション特性を改善することが知られている。例えば、特許文献１には、キャンセル回路を有するデュプレクサが開示されている。
特開２０１７−２０４７４３号公報
キャンセル回路（本願では付加回路と呼ぶ）は、フィルタと並列に接続されるため、フィルタを流れるフィルタの通過帯域に対応する信号が付加回路に漏洩し、フィルタの通過特性が劣化してしまう。
そこで、本発明は、付加回路による通過特性の劣化を抑制できるフィルタ装置等を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係るフィルタ装置は、第１入出力端子と第２入出力端子との間に設けられた弾性波フィルタと、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子との間で前記弾性波フィルタと並列接続された付加回路と、を備え、前記弾性波フィルタは、前記弾性波フィルタの通過帯域を形成する少なくとも２つの弾性波共振子を備え、前記付加回路は、移相回路と、前記移相回路と前記第１入出力端子との間に接続された第１キャパシタと、を備え、前記少なくとも２つの弾性波共振子は、それぞれ、圧電体と前記圧電体上に設けられた複数の電極指からなるＩＤＴ電極とにより形成され、前記第１キャパシタは、前記圧電体と前記圧電体上に設けられた複数の電極指からなる櫛歯容量電極とにより形成され、前記第１キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の容量は、前記少なくとも２つの弾性波共振子のうちの少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の容量よりも小さく、前記圧電体における前記ＩＤＴ電極および前記櫛歯容量電極が形成された面を平面視したとき、前記第１キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の面積は、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の面積よりも小さい。
本発明の一態様に係るマルチプレクサは、上記のフィルタ装置を含む複数のフィルタを備え、前記複数のフィルタの入力端子または出力端子は、共通端子に接続されている。
本発明の一態様に係るマルチプレクサは、第１入力端子と第１出力端子との間に設けられた送信フィルタと、第２入力端子と第２出力端子との間に設けられた受信フィルタと、前記第１入力端子と前記第２出力端子との間に設けられた付加回路と、を備え、前記第１出力端子および前記第２入力端子は、共通端子に接続され、前記送信フィルタは、前記送信フィルタの通過帯域を形成する少なくとも２つの送信側弾性波共振子を備え、前記受信フィルタは、前記受信フィルタの通過帯域を形成する少なくとも２つの受信側弾性波共振子を備え、前記付加回路は、移相回路と、前記移相回路と前記第１入力端子との間、および、前記移相回路と前記第２出力端子との間の一方に設けられた第３キャパシタと、を備え、前記少なくとも２つの送信側弾性波共振子は、それぞれ、圧電体と前記圧電体上に設けられた複数の電極指からなるＩＤＴ電極とにより形成され、前記少なくとも２つの受信側弾性波共振子は、それぞれ、前記圧電体と前記圧電体上に設けられた複数の電極指からなるＩＤＴ電極とにより形成され、前記第３キャパシタは、前記圧電体と前記圧電体上に設けられた複数の電極指からなる櫛歯容量電極により形成され、前記第３キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の容量は、前記少なくとも２つの送信側弾性波共振子、および、前記少なくとも２つの受信側弾性波共振子のうちの少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の容量よりも小さく、前記圧電体における前記ＩＤＴ電極および前記櫛歯容量電極が形成された面を平面視したとき、前記第３キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の面積は、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の面積よりも小さい。
本発明によれば、付加回路による通過特性の劣化を抑制できるフィルタ装置等を実現できる。
図１は、実施の形態１に係るフィルタ装置の一例を示す構成図である。 図２は、同一の圧電体上に形成された弾性波フィルタおよび付加回路を模式的に示す図である。 図３は、弾性波共振子の一例を模式的に表す平面図および断面図である。 図４は、弾性波共振子の他の一例を模式的に表す平面図である。 図５は、実施の形態１に係るフィルタ装置における信号の大きさを説明するための図である。 図６は、実施の形態１に係るマルチプレクサの一例を示す構成図である。 図７は、実施の形態２に係るマルチプレクサの一例を示す構成図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ、または大きさの比は、必ずしも厳密ではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。また、以下の実施の形態において、「接続される」とは、直接接続される場合だけでなく、他の素子等を介して電気的に接続される場合も含まれる。
（実施の形態１）
実施の形態１について、図１から図６を用いて説明する。
図１は、実施の形態１に係るフィルタ装置１００の一例を示す構成図である。
フィルタ装置１００は、第１入出力端子である入出力端子３１および第２入出力端子である入出力端子３２を有する。例えば、入出力端子３２はアンテナ素子に接続され、入出力端子３１はスイッチＩＣまたは増幅回路等を介してＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）に接続される。フィルタ装置１００は、アンテナ素子とＲＦ信号処理回路との間で高周波信号を伝達する。
フィルタ装置１００は、ＲＦ信号処理回路からアンテナ素子へ高周波送信信号を伝達する送信フィルタであってもよいし、アンテナ素子からＲＦ信号処理回路へ高周波受信信号を伝達する受信フィルタであってもよい。
フィルタ装置１００が送信フィルタである場合、入出力端子３１は入力端子となり、入出力端子３２は出力端子となり、フィルタ装置１００が受信フィルタである場合、入出力端子３１は出力端子となり、入出力端子３２は入力端子となる。
なお、入出力端子３２にＲＦ信号処理回路が接続され、入出力端子３１にアンテナ素子が接続されてもよい。この場合には、フィルタ装置１００が送信フィルタである場合、入出力端子３１は出力端子となり、入出力端子３２は入力端子となり、フィルタ装置１００が受信フィルタである場合、入出力端子３１は入力端子となり、入出力端子３２は出力端子となる。
フィルタ装置１００は、フィルタ１０および付加回路１１を備える。
フィルタ１０は、入出力端子３１と入出力端子３２との間に設けられた弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、弾性波共振子を用いたフィルタである。フィルタ１０は、フィルタ１０の通過帯域を形成する少なくとも２つの弾性波共振子を備える。少なくとも２つの弾性波共振子は、それぞれ、圧電体と圧電体上に設けられた複数の電極指からなるＩＤＴ電極とにより形成される。ここでは、フィルタ１０は、少なくとも２つの弾性波共振子として、直列腕共振子Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３およびＳ１４、ならびに、並列腕共振子Ｐ１１、Ｐ１２およびＰ１３を備える。直列腕共振子Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３およびＳ１４は、入出力端子３１と入出力端子３２とを結ぶ経路上に配置され、互いに直列接続されている。並列腕共振子Ｐ１１は、直列腕共振子Ｓ１１と直列腕共振子Ｓ１２との間の接続ノードと、グランドとの間に接続される。並列腕共振子Ｐ１２は、直列腕共振子Ｓ１２と直列腕共振子Ｓ１３との間の接続ノードと、グランドとの間に接続される。並列腕共振子Ｐ１３は、直列腕共振子Ｓ１３と直列腕共振子Ｓ１４との間の接続ノードと、グランドとの間に接続される。
なお、フィルタ１０における直列腕共振子の数および並列腕共振子の数は図１に示されるものでなくてもよく、フィルタ１０は、少なくとも２つの直列腕共振子か、少なくとも２つの並列腕共振子か、少なくとも１つの直列腕共振子および少なくとも１つの並列腕共振子を備えていればよい。
付加回路１１は、入出力端子３１と入出力端子３２との間でフィルタ１０と並列接続された回路であり、フィルタ１０を流れる不要信号と逆位相の信号であって、当該不要信号成分を相殺するための相殺信号を生成する。ここで信号と信号が逆位相であるとは、−１８０°以上１８０°以下の範囲内で両者の位相差の絶対値が９０°より大きいことをいう。これは、両者が互いに逆方向の位相成分を有することと等しい。なお、相殺信号は、不要信号となるべく同じ振幅であることが好ましいが、振幅が異なっていても構わない。相殺信号と不要信号との位相差に応じて、両者の合算結果の振幅が元の不要信号の振幅よりも小さくなる場合は、フィルタ１０の減衰特性を向上させることができる。このような付加回路１１がフィルタ１０に並列接続されることで、フィルタ１０と付加回路１１との接続点において、フィルタ１０を流れる不要信号が付加回路１１によって生成された相殺信号によって相殺される。これにより、フィルタ１０の減衰特性またはアイソレーション特性が改善される。
なお、付加回路１１とフィルタ１０とが並列接続されるとは、付加回路１１とフィルタ１０を構成する少なくとも２つの弾性波共振子のうちの一部の弾性波共振子とが並列接続される場合も含む。例えば、付加回路１１のキャパシタＣ１が入出力端子３１と直列腕共振子Ｓ１１との間のノードに接続されていなくてもよく、直列腕共振子Ｓ１１と直列腕共振子Ｓ１２との間のノード、直列腕共振子Ｓ１２と直列腕共振子Ｓ１３との間のノード、または、直列腕共振子Ｓ１３と直列腕共振子Ｓ１４との間のノードに接続されていてもよい。また、付加回路１１のキャパシタＣ２が入出力端子３２と直列腕共振子Ｓ１４との間のノードに接続されていなくてもよく、直列腕共振子Ｓ１４と直列腕共振子Ｓ１４との間のノード、直列腕共振子Ｓ１３と直列腕共振子Ｓ１２との間のノード、または、直列腕共振子Ｓ１２と直列腕共振子Ｓ１１との間のノードに接続されていてもよい。
付加回路１１は、移相回路である縦結合型共振器Ｍ１と、入出力端子３１と縦結合型共振器Ｍ１との間に接続された第１キャパシタであるキャパシタＣ１を備える。また、付加回路１１は、さらに、縦結合型共振器Ｍ１と入出力端子３２との間に接続された第２キャパシタであるキャパシタＣ２を備える。縦結合型共振器Ｍ１ならびにキャパシタＣ１およびＣ２は、相殺信号を生成するための構成である。
キャパシタＣ１およびＣ２は、フィルタ１０に流れる不要信号と同振幅の相殺信号を生成するために、入力された信号の振幅を調整（具体的には小さく）する素子である。キャパシタＣ１およびＣ２は、圧電体と圧電体上に設けられた複数の電極指からなる櫛歯容量電極とにより形成される。
縦結合型共振器Ｍ１は、不要信号と逆位相かつ同振幅の相殺信号を生成するために、入力された信号の振幅および位相を調整する移相回路である。なお、付加回路１１は、縦結合型共振器Ｍ１の代わりに、移相回路として、弾性波の伝播を利用して信号を伝達するトランスバーサル型フィルタを備えていてもよいし、位相を遅延させる弾性波遅延線路を備えていてもよい。つまり、移相回路は、位相を調整可能な回路であれば特に限定されない。
キャパシタＣ１およびＣ２を形成する櫛歯容量電極と、フィルタ１０における少なくとも２つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極とは、互いに同じ圧電体上に設けられる。なお、縦結合型共振器Ｍ１についても上記圧電体上に設けることができる。
図２は、同一の圧電体１０２上に形成された弾性波フィルタ（フィルタ１０）および付加回路１１を模式的に示す図である。なお、図２には、付加回路１１として、付加回路１１の構成要素であるキャパシタＣ１およびＣ２、ならびに、縦結合型共振器Ｍ１を模式的に示している。また、図２では、フィルタ１０を構成する少なくとも２つの弾性波共振子の図示を省略している。
図２に示されるように、フィルタ１０と付加回路１１（具体的にはキャパシタＣ１およびＣ２、ならびに、縦結合型共振器Ｍ１）とが１つの圧電体１０２上に設けられていることがわかる。また、圧電体１０２上において、付加回路１１の構成要素が占める面積の割合が、フィルタ１０の構成要素が占める面積の割合よりもかなり小さいことがわかる。少なくとも２つの弾性波共振子ならびにキャパシタＣ１およびＣ２が１つの圧電体１０２上に設けられるため、少なくとも２つの弾性波共振子ならびにキャパシタＣ１およびＣ２を同一のプロセスで製造することができる。
ここで、少なくとも２つの弾性波共振子の構造について図３を用いて説明する。
図３は、弾性波共振子の一例を模式的に表す平面図および断面図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。なお、図３に示された弾性波共振子は、フィルタ装置１００を構成する各弾性波共振子の典型的な構造を説明するためのものである。このため、フィルタ装置１００の各弾性波共振子のＩＤＴ電極を構成する電極指の本数や長さなどは、同図に示すＩＤＴ電極の電極指の本数や長さに限定されない。なお、同図では、弾性波共振子を構成する反射器については図示を省略している。
同図の（ａ）および（ｂ）に示すように、弾性波共振子は、ＩＤＴ電極１０１と、当該ＩＤＴ電極１０１が形成された圧電体１０２と、当該ＩＤＴ電極１０１を覆う保護層１０３と、を備える。以下、これらの構成要素について、詳細に説明する。
図３の（ａ）に示すように、圧電体１０２の上には、ＩＤＴ電極１０１を構成する互いに対向する一対の櫛歯電極１０１ａおよび１０１ｂが形成されている。櫛歯電極１０１ａは、互いに平行な複数の電極指１１０ａと、複数の電極指１１０ａを接続するバスバー電極１１１ａとで構成されている。また、櫛歯電極１０１ｂは、互いに平行な複数の電極指１１０ｂと、複数の電極指１１０ｂを接続するバスバー電極１１１ｂとで構成されている。
なお、櫛歯電極１０１ａおよび１０１ｂは、それぞれが単体でＩＤＴ電極と称される場合もある。ただし、以下では、便宜上、一対の櫛歯電極１０１ａおよび１０１ｂによって１つのＩＤＴ電極１０１が構成されているものとして説明する。
また、複数の電極指１１０ａおよび１１０ｂ、ならびに、バスバー電極１１１ａおよび１１１ｂで構成されるＩＤＴ電極１０１は、図３の（ｂ）に示すように、密着層１０１ｇと主電極層１０１ｈとの積層構造となっている。
密着層１０１ｇは、圧電体１０２と主電極層１０１ｈとの密着性を向上させるための層であり、材料として、例えば、Ｔｉが用いられる。
主電極層１０１ｈは、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。
保護層１０３は、櫛歯電極１０１ａおよび１０１ｂを覆うように形成されている。保護層１０３は、主電極層１０１ｈの外部環境からの保護、周波数温度特性の調整、および、耐湿性の向上などを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。
なお、密着層１０１ｇ、主電極層１０１ｈおよび保護層１０３を構成する材料は、上述した材料に限定されない。さらに、ＩＤＴ電極１０１は、上記積層構造でなくてもよい。ＩＤＴ電極１０１は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属または合金から構成されてもよく、また、上記の金属または合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。また、密着層１０１ｇおよび保護層１０３は、形成されていなくてもよい。
圧電体１０２は、例えば、ＬｉＴａＯ３圧電単結晶、ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶、ＫＮｂＯ３圧電単結晶、水晶、または圧電セラミックスからなる圧電基板であってもよい。
また、圧電体１０２は、例えば、高音速支持基板と、低音速膜と、圧電膜とがこの順で積層された積層構造を有する圧電性基板であってもよい。圧電膜は、例えば、４２°ＹカットＸ伝播ＬｉＴａＯ３圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。高音速支持基板は、低音速膜、圧電膜およびＩＤＴ電極を支持する基板である。高音速支持基板は、さらに、圧電膜を伝播する表面波や境界波の弾性波よりも、高音速支持基板中のバルク波の音速が高速となる基板であり、弾性表面波を圧電膜および低音速膜が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板より下方に漏れないように機能する。高音速支持基板は、例えば、シリコン基板である。低音速膜は、圧電膜を伝播するバルク波よりも、低音速膜中のバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電膜と高音速支持基板との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーのＩＤＴ電極外への漏れが抑制される。低音速膜は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。なお、低音速膜の間に、ＴｉやＮｉなどからなる接合層を含んでいてもよい。低音速膜は複数の低音速材料からなる多層構造であってもよい。この積層構造によれば、圧電体１０２を単層で使用している構造と比較して、共振周波数および***振周波数におけるＱ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Ｑ値が高い弾性表面波共振子を構成し得るので、当該弾性表面波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。
なお、高音速支持基板は、支持基板と、圧電膜を伝播する表面波や境界波の弾性波よりも、伝播するバルク波の音速が高速となる高音速膜とが積層された構造を有していてもよい。この場合、支持基板は、リチウムタンタレート、リチュウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス、サファイア等の誘電体またはシリコン、窒化ガリウム等の半導体および樹脂基板等を用いることができる。また、高音速膜は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜またはダイヤモンド、上記材料を主成分とする媒質、上記材料の混合物を主成分とする媒質等、様々な高音速材料を用いることができる。
以上のように構成された弾性波共振子では、ＩＤＴ電極１０１の設計パラメータ等によって、励振される弾性波の波長およびＩＤＴ電極１０１の容量等が規定される。以下、ＩＤＴ電極１０１の設計パラメータ、すなわち櫛歯電極１０１ａおよび櫛歯電極１０１ｂの設計パラメータについて説明する。
弾性波の波長は、図３に示す櫛歯電極１０１ａおよび１０１ｂを構成する複数の電極指１１０ａまたは１１０ｂの繰り返し周期λで規定される。また、電極ピッチ（電極周期）とは、当該繰り返し周期λの１／２であり、櫛歯電極１０１ａおよび１０１ｂを構成する電極指１１０ａおよび１１０ｂのライン幅をＷとし、隣り合う電極指１１０ａと電極指１１０ｂとの間のギャップをＳとした場合、Ｗ＋Ｓで定義される。また、ＩＤＴ電極１０１の交叉幅Ｌとは、櫛歯電極１０１ａの電極指１１０ａと櫛歯電極１０１ｂの電極指１１０ｂとを図３の左右方向から見た場合の重複する電極指長さである。また、電極デューティ（デューティ比）は、複数の電極指１１０ａおよび１１０ｂのライン幅占有率であり、複数の電極指１１０ａおよび１１０ｂのライン幅と、複数の電極指１１０ａおよび１１０ｂ間のギャップとの加算値に対する当該ライン幅の割合であり、Ｗ／（Ｗ＋Ｓ）で定義される。また、対数とは、櫛歯電極１０１ａおよび１０１ｂのうち、対をなす電極指１１０ａおよび電極指１１０ｂの数であり、電極指１１０ａおよび電極指１１０ｂの総数の概ね半数である。また、ＩＤＴ電極１０１の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップをＴ１とする。また、ＩＤＴ電極１０１の膜厚とは、複数の電極指１１０ａおよび１１０ｂの厚みｈである。ＩＤＴ電極１０１の容量は、ギャップＳまたはギャップＴ１で規定される。すなわち、ギャップＳが大きいほど、または、ギャップＴ１が大きいほど、ＩＤＴ電極の容量は小さくなる。なお、ライン幅Ｗが小さいほどギャップＳが大きくなるという関係があるため、ＩＤＴ電極１０１の容量は、ライン幅Ｗでも規定でき、ライン幅Ｗが小さいほどＩＤＴ電極の容量は小さくなる。また、交叉幅Ｌが小さいほどギャップＴ１が大きくなるという関係があるため、ＩＤＴ電極１０１の容量は、交叉幅Ｌでも規定でき、交叉幅Ｌが小さいほどＩＤＴ電極の容量は小さくなる。
なお、バスバー電極の電極指側にダミー電極が設けられていてもよい。これについて、図４を用いて説明する。
図４は、弾性波共振子の他の一例を模式的に表す平面図である。図４に示された弾性波共振子は、バスバー電極１１１ａから電極指１１０ｂ側に向けてダミー電極１１２ａが延びるように設けられ、バスバー電極１１１ｂから電極指１１０ａ側に向けてダミー電極１１２ｂが延びるように設けられる。その他の点は、図３に示された弾性波共振子と同じであるため説明は省略する。
ＩＤＴ電極１０１の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップをＴ２とする。この場合、ＩＤＴ電極１０１の容量は、ギャップＴ２でも規定でき、ギャップＴ２が大きいほどＩＤＴ電極の容量は小さくなる。
なお、本態様では、キャパシタＣ１およびＣ２の基本的な構造は弾性波共振子と類似するため、キャパシタＣ１およびＣ２の構造の図示は省略し、図３および図４の説明において弾性波共振子としているところをキャパシタＣ１およびＣ２と置き換えることができ、ＩＤＴ電極としているところを櫛歯容量電極と置き換えることができる。ただし、キャパシタＣ１およびＣ２を形成する櫛歯容量電極は、弾性波の励振を目的とするものではないため、キャパシタＣ１およびＣ２を形成する櫛歯容量電極では弾性波が励振されなくてもよい。
付加回路１１は、フィルタ１０を流れる不要信号を相殺できるためフィルタ１０の減衰特性またはアイソレーション特性を改善することができる。一方で、付加回路１１は、フィルタ１０と並列に接続されることにより、フィルタ１０を流れるフィルタ１０の通過帯域に対応する信号が付加回路１１に漏洩し、フィルタ１０の通過特性を劣化させてしまう場合がある。
そこで、本態様では、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の容量は、フィルタ１０が備える少なくとも２つの弾性波共振子のうちの少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の容量よりも小さくなっている。櫛歯容量電極の容量を小さくするために、圧電体１０２におけるＩＤＴ電極および櫛歯容量電極が形成された面を平面視したとき、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の面積は、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の面積よりも小さい。なお、櫛歯容量電極の面積およびＩＤＴ電極の面積は、図３および図４に示される交叉幅Ｌと電極指の対数との積で決定される。
キャパシタＣ１に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの弾性波共振子のうちのキャパシタＣ１に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ１１を含む。つまり、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の容量は、直列腕共振子Ｓ１１を形成するＩＤＴ電極の容量よりも小さく、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の面積は、直列腕共振子Ｓ１１を形成するＩＤＴ電極の面積よりも小さい。
このように、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の容量は、直列腕共振子Ｓ１１を形成するＩＤＴ電極の容量よりも小さいことで、フィルタ装置１００における信号の大きさは図５に示されるようになる。
図５は、実施の形態１に係るフィルタ装置１００における信号の大きさを説明するための図である。図５では、信号の大きさを矢印の太さで表現している。
図５に示されるように、入出力端子３１に入力されたフィルタ１０の通過帯域に対応する信号は、フィルタ１０を流れ、かつ、フィルタ１０に並列接続された付加回路１１に向けても流れる。このとき、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の容量は小さくなっているため、付加回路１１におけるキャパシタＣ１の縦結合型共振器Ｍ１側に信号が流れにくくなっている。キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の容量が小さいことから、キャパシタＣ１のインピーダンスが大きいためである。
このように、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の容量が小さいことで、フィルタ１０を流れるフィルタ１０の通過帯域に対応する信号が付加回路１１に漏洩しにくくなり、付加回路１１による通過特性の劣化を抑制できる。
また、本態様では、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の容量は、フィルタ１０が備える少なくとも２つの弾性波共振子のうちの少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の容量よりも小さくなっている。櫛歯容量電極の容量を小さくするために、圧電体１０２におけるＩＤＴ電極および櫛歯容量電極が形成された面を平面視したとき、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の面積は、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の面積よりも小さい。
キャパシタＣ２に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの弾性波共振子のうちのキャパシタＣ２に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ１４を含む。つまり、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の容量は、直列腕共振子Ｓ１４を形成するＩＤＴ電極の容量よりも小さく、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の面積は、直列腕共振子Ｓ１４を形成するＩＤＴ電極の面積よりも小さい。
このように、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の容量は、直列腕共振子Ｓ１４を形成するＩＤＴ電極の容量よりも小さいことで、入出力端子３１に入力されたフィルタ１０の通過帯域に対応する信号が、容量の小さい２つのキャパシタＣ１およびＣ２によって、付加回路１１におけるキャパシタＣ１の縦結合型共振器Ｍ１側にさらに流れにくくなっている。したがって、フィルタ１０を流れるフィルタ１０の通過帯域に対応する信号が付加回路１１にさらに漏洩しにくくなるため、付加回路１１による通過特性の劣化をさらに抑制できる。
本態様では、上述したように、キャパシタＣ１およびＣ２を形成する櫛歯容量電極および少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極が同一の圧電体に形成され、同一のプロセスで製造される。すなわち、キャパシタＣ１およびＣ２を形成する櫛歯容量電極、および、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極に対する製造ばらつきは同じとなる。例えば、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極に対する製造ばらつきが±０．１μｍである場合、キャパシタＣ１およびＣ２を形成する櫛歯容量電極に対する製造ばらつきも±０．１μｍとなる。上述したように、キャパシタＣ１およびＣ２を形成する櫛歯容量電極の面積がフィルタ１０を構成する少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の面積よりも小さいため、面積の小さい櫛歯容量電極に対する製造ばらつきの影響は、面積の大きいＩＤＴ電極に対する製造ばらつきの影響よりも大きくなる。このため、製造ばらつきの影響によって、キャパシタＣ１およびＣ２を形成する櫛歯容量電極の容量が大きくばらつく場合があり、付加回路１１により生成される相殺信号が設計通りの信号とならず、付加回路１１による減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能が劣化する場合がある。
そこで、例えば、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップは、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の隣り合う電極指間のギャップよりも大きくてもよい。櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップおよびＩＤＴ電極の隣り合う電極指間のギャップは、図３におけるＳに対応する。なお、当該ギャップを大きくする方法は特に限定されず、例えば、図３に示される繰り返し周期λを大きくすることで当該ギャップを大きくしてもよいし、図３に示されるライン幅Ｗを小さくすることで当該ギャップを大きくしてもよい。
キャパシタＣ１に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの弾性波共振子のうちのキャパシタＣ１に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ１１を含む。つまり、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップは、直列腕共振子Ｓ１１を形成するＩＤＴ電極の隣り合う電極指間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップが大きいことで、固定値である製造ばらつきの影響は小さくなる。例えば、ギャップが１μｍの場合、±０．１μｍの製造ばらつきの影響はギャップに対して１０％となり、すなわち容量が１０％ずれ得ることになるが、ギャップが２μｍの場合には、±０．１μｍの製造ばらつきの影響はギャップに対して５％と小さくなる。
このように、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップが大きいことで、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の容量が設計値に対してずれにくくなり、言い換えると設計値通りの相殺信号を生成しやすくなり、付加回路１１による減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能の劣化を抑制できる。
また、例えば、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップは、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップ、および、ＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップは、図３におけるＴ１に対応する。なお、当該ギャップを大きくする方法は特に限定されず、例えば、図３に示される交叉幅Ｌを小さくすることで当該ギャップを大きくしてもよいし、図３に示されるバスバー電極１１１ａおよび１１１ｂを電極指の先端部分から離すことで当該ギャップを大きくしてもよい。
キャパシタＣ１に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの弾性波共振子のうちのキャパシタＣ１に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ１１を含む。つまり、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップは、直列腕共振子Ｓ１１を形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップが大きいことで、固定値である製造ばらつきの影響は小さくなる。
このように、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップが大きいことで、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の容量が設計値に対してずれにくくなり、言い換えると設計値通りの相殺信号を生成しやすくなり、付加回路１１による減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能の劣化を抑制できる。
また、例えば、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップは、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップ、および、ＩＤＴ電極の複数の電極指の先端と対向するダミー電極との間のギャップは、図４におけるＴ２に対応する。なお、当該ギャップを大きくする方法は特に限定されず、例えば、図４に示される交叉幅Ｌを小さくすることで当該ギャップを大きくしてもよいし、図４に示されるダミー電極１１２ａおよび１１２ｂを小さくすることで当該ギャップを大きくしてもよいし、バスバー電極１１１ａおよび１１１ｂを電極指の先端部分から離すことで当該ギャップを大きくしてもよい。
キャパシタＣ１に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの弾性波共振子のうちのキャパシタＣ１に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ１１を含む。つまり、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップは、直列腕共振子Ｓ１１を形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップが大きいことで、固定値である製造ばらつきの影響は小さくなる。
このように、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップが大きいことで、キャパシタＣ１を形成する櫛歯容量電極の容量が設計値に対してずれにくくなり、言い換えると設計値通りの相殺信号を生成しやすくなり、付加回路１１による減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能の劣化を抑制できる。
また、例えば、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップは、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の隣り合う電極指間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ２に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの弾性波共振子のうちのキャパシタＣ２に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ１４を含む。つまり、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップは、直列腕共振子Ｓ１４を形成するＩＤＴ電極の隣り合う電極指間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップが大きいことで、固定値である製造ばらつきの影響は小さくなる。
このように、キャパシタＣ１だけでなく、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップも大きいことで、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の容量も設計値に対してずれにくくなり、付加回路１１による減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能の劣化をさらに抑制できる。
また、例えば、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップは、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ２に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの弾性波共振子のうちのキャパシタＣ２に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ１４を含む。つまり、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップは、直列腕共振子Ｓ１４を形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップが大きいことで、固定値である製造ばらつきの影響は小さくなる。
このように、キャパシタＣ１だけでなく、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップも大きいことで、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の容量も設計値に対してずれにくくなり、付加回路１１による減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能の劣化をさらに抑制できる。
また、例えば、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップは、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ２に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの弾性波共振子のうちのキャパシタＣ２に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ１４を含む。つまり、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップは、直列腕共振子Ｓ１４を形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップが大きいことで、固定値である製造ばらつきの影響は小さくなる。
このように、キャパシタＣ１だけでなく、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップも大きいことで、キャパシタＣ２を形成する櫛歯容量電極の容量も設計値に対してずれにくくなり、付加回路１１による減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能の劣化をさらに抑制できる。
なお、キャパシタＣ１に対して、容量、隣り合う電極指間のギャップ、および、複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極またはダミー電極との間のギャップの比較対象を直列腕共振子Ｓ１１としているのは、直列腕共振子Ｓ１１が各弾性波共振子のなかで最も入出力端子３１に近く接続された、入出力端子３１に対する初段の弾性波共振子であり、フィルタ１０の通過特性および減衰特性に影響を与えやすい弾性波共振子であるためである。
また、キャパシタＣ２に対して、容量、隣り合う電極指間のギャップ、および、複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極またはダミー電極との間のギャップの比較対象を直列腕共振子Ｓ１４としているのは、直列腕共振子Ｓ１４が各弾性波共振子のなかで最も入出力端子３２に近く接続された、入出力端子３２に対する初段の弾性波共振子であり、フィルタ１０の通過特性および減衰特性に影響を与えやすい弾性波共振子であるためである。
なお、フィルタ装置１００は、マルチプレクサに適用することが可能である。フィルタ装置１００が適用されたマルチプレクサについて、図６を用いて説明する。
図６は、実施の形態１に係るマルチプレクサ１の一例を示す構成図である。
マルチプレクサ１は、フィルタ装置１００を含む複数のフィルタを備え、複数のフィルタの入力端子または出力端子は、共通端子３０に接続されている。複数のフィルタは、例えば、フィルタ装置１００および２００を含む。つまり、本実施の形態では、マルチプレクサ１は、複数のフィルタとして、フィルタ装置１００および２００の２つのフィルタ装置からなるデュプレクサである。本実施の形態では、複数のフィルタのそれぞれの入力端子または出力端子として入出力端子３２および３４が共通端子３０に共通接続されているが、入出力端子３１および３３が共通端子３０に共通接続されていてもよい。
共通端子３０は、フィルタ装置１００および２００に共通に設けられる。共通端子３０は、アンテナ素子に接続される。つまり、共通端子３０は、マルチプレクサ１のアンテナ端子でもある。
フィルタ装置１００の入出力端子３１およびフィルタ装置２００の入出力端子３３は、スイッチＩＣまたは増幅回路等を介してＲＦ信号処理回路に接続される。
なお、マルチプレクサ１は、複数のフィルタとして２つのフィルタ装置から構成されたが、３つ以上のフィルタ装置から構成されていてもよい。
なお、マルチプレクサ１は、１つのフィルタ装置１００を備えているが、通過帯域の異なる２つ以上のフィルタ装置１００を備えていてもよい。
以上のように、フィルタ装置１００を備えるマルチプレクサ１によれば、付加回路１１による通過特性の劣化を抑制できる。
（実施の形態２）
次に、実施の形態２について図７を用いて説明する。
図７は、実施の形態２に係るマルチプレクサ１ａの一例を示す構成図である。
マルチプレクサ１ａは、第１入力端子である入出力端子３１、第１出力端子である入出力端子３２、第２出力端子である入出力端子３３、第２入力端子である入出力端子３４および共通端子３０を有する。入出力端子３２および３４は、アンテナ素子に接続される共通端子３０に接続され、入出力端子３１および３３はスイッチＩＣまたは増幅回路等を介してＲＦ信号処理回路に接続される。
マルチプレクサ１ａは、送信フィルタ１００ａと、受信フィルタ２００ａと、付加回路１１ａと、を備える。
送信フィルタ１００ａは、入出力端子３１と入出力端子３２との間に設けられた弾性波フィルタである。送信フィルタ１００ａは、送信フィルタ１００ａの通過帯域を形成する少なくとも２つの送信側弾性波共振子を備える。少なくとも２つの送信側弾性波共振子は、それぞれ、圧電体と圧電体上に設けられた複数の電極指からなるＩＤＴ電極とにより形成される。ここでは、送信フィルタ１００ａは、少なくとも２つの送信側弾性波共振子として、直列腕共振子Ｓ１１ａ、Ｓ１２ａ、Ｓ１３ａおよびＳ１４ａ、ならびに、並列腕共振子Ｐ１１ａ、Ｐ１２ａおよびＰ１３ａを備える。直列腕共振子Ｓ１１ａ、Ｓ１２ａ、Ｓ１３ａおよびＳ１４ａは、入出力端子３１と入出力端子３２とを結ぶ経路上に配置され、互いに直列接続されている。並列腕共振子Ｐ１１ａは、直列腕共振子Ｓ１１ａと直列腕共振子Ｓ１２ａとの間の接続ノードと、グランドとの間に接続される。並列腕共振子Ｐ１２ａは、直列腕共振子Ｓ１２ａと直列腕共振子Ｓ１３ａとの間の接続ノードと、グランドとの間に接続される。並列腕共振子Ｐ１３ａは、直列腕共振子Ｓ１３ａと直列腕共振子Ｓ１４ａとの間の接続ノードと、グランドとの間に接続される。
なお、送信フィルタ１００ａにおける直列腕共振子の数および並列腕共振子の数は図７に示されるものでなくてもよく、送信フィルタ１００ａは、少なくとも２つの直列腕共振子か、少なくとも２つの並列腕共振子か、少なくとも１つの直列腕共振子および少なくとも１つの並列腕共振子を備えていればよい。
受信フィルタ２００ａは、入出力端子３４と入出力端子３３との間に設けられた弾性波フィルタである。受信フィルタ２００ａは、受信フィルタ２００ａの通過帯域を形成する少なくとも２つの受信側弾性波共振子を備える。少なくとも２つの受信側弾性波共振子は、それぞれ、圧電体と圧電体上に設けられた複数の電極指からなるＩＤＴ電極とにより形成される。ここでは、受信フィルタ２００ａは、少なくとも２つの受信側弾性波共振子として、直列腕共振子Ｓ２１ａ、Ｓ２２ａ、Ｓ２３ａおよびＳ２４ａ、ならびに、並列腕共振子Ｐ２１ａ、Ｐ２２ａおよびＰ２３ａを備える。直列腕共振子Ｓ２１ａ、Ｓ２２ａ、Ｓ２３ａおよびＳ２４ａは、入出力端子３３と入出力端子３４とを結ぶ経路上に配置され、互いに直列接続されている。並列腕共振子Ｐ２１ａは、直列腕共振子Ｓ２１ａと直列腕共振子Ｓ２２ａとの間の接続ノードと、グランドとの間に接続される。並列腕共振子Ｐ２２ａは、直列腕共振子Ｓ２２ａと直列腕共振子Ｓ２３ａとの間の接続ノードと、グランドとの間に接続される。並列腕共振子Ｐ２３ａは、直列腕共振子Ｓ２３ａと直列腕共振子Ｓ２４ａとの間の接続ノードと、グランドとの間に接続される。
なお、受信フィルタ２００ａにおける直列腕共振子の数および並列腕共振子の数は図７に示されるものでなくてもよく、受信フィルタ２００ａは、少なくとも２つの直列腕共振子か、少なくとも２つの並列腕共振子か、少なくとも１つの直列腕共振子および少なくとも１つの並列腕共振子を備えていればよい。
ここで、送信フィルタ１００ａおよび受信フィルタ２００ａを共通端子３０で共通接続し、送信フィルタ１００ａおよび受信フィルタ２００ａのそれぞれに対応する複数の周波数帯域の信号を同時に送受信する、いわゆるＣＡ（キャリアアグリゲーション）を行うことが要望されている。このとき、例えば、送信フィルタ１００ａの通過帯域の送信信号が入出力端子３２および３４を介して、受信フィルタ２００ａに漏洩しないように、受信フィルタ２００ａの、送信フィルタ１００ａの通過帯域に対応する周波数帯域の減衰特性を改善する必要がある。
そこで、付加回路１１ａが用いられる。付加回路１１ａは、入出力端子３１と入出力端子３３との間に設けられた回路であり、その一方端が入出力端子３１および３２を結ぶ経路上に接続され、その他方端が入出力端子３３および３４を結ぶ経路上に接続される。例えば、付加回路１１ａは、その一方端が入出力端子３１に接続され、その他方端が入出力端子３３に接続される。付加回路１１ａは、送信フィルタ１００ａから受信フィルタ２００ａに漏洩する、送信フィルタ１００ａの通過帯域に対応する周波数帯域の不要信号と逆位相の信号であって、当該不要信号を相殺するための相殺信号を生成する。受信フィルタ２００ａに漏洩する不要信号が、受信フィルタ２００ａと付加回路１１ａとの接続点において、付加回路１１によって生成された相殺信号によって相殺される。これにより、送信フィルタ１００ａの通過帯域に対応する周波数帯域において受信フィルタ２００ａの減衰特性が改善される。
なお、付加回路１１ａは、その一方端が入出力端子３１と直列腕共振子Ｓ１１ａとの間のノードに接続されていなくてもよく、直列腕共振子Ｓ１１ａと直列腕共振子Ｓ１２ａとの間のノード、直列腕共振子Ｓ１２ａと直列腕共振子Ｓ１３ａとの間のノード、または、直列腕共振子Ｓ１３ａと直列腕共振子Ｓ１４ａとの間のノードに接続されていてもよい。また、付加回路１１ａは、その他方端が入出力端子３３と直列腕共振子Ｓ２１ａとの間のノードに接続されていなくてもよく、直列腕共振子Ｓ２１ａと直列腕共振子Ｓ２２ａとの間のノード、直列腕共振子Ｓ２２ａと直列腕共振子Ｓ２３ａとの間のノード、または、直列腕共振子Ｓ２３ａと直列腕共振子Ｓ２４ａとの間のノードに接続されていてもよい。
付加回路１１ａは、移相回路である縦結合型共振器Ｍ２と、縦結合型共振器Ｍ２と入出力端子３１との間、および、縦結合型共振器Ｍ１と入出力端子３３との間の一方に設けられた第３キャパシタを備える。例えば、ここでは、付加回路１１ａは、第３キャパシタとして、縦結合型共振器Ｍ２と入出力端子３１との間に設けられたキャパシタＣ３を備える。また、付加回路１１ａは、さらに、縦結合型共振器Ｍ２と入出力端子３１との間、および、縦結合型共振器Ｍ１と入出力端子３３との間の他方に設けられた第４キャパシタを備える。例えば、ここでは、付加回路１１ａは、第４キャパシタとして、縦結合型共振器Ｍ２と入出力端子３３との間に設けられたキャパシタＣ４を備える。縦結合型共振器Ｍ２ならびにキャパシタＣ３およびＣ４は、相殺信号を生成するための構成である。なお、キャパシタＣ３が第４キャパシタであってもよく、キャパシタＣ４が第３キャパシタであってもよい。
キャパシタＣ３およびＣ４は、受信フィルタ２００ａに流れる不要信号と同振幅の相殺信号を生成するために、入力された信号の振幅を調整（具体的には小さく）する素子である。キャパシタＣ３およびＣ４は、圧電体と圧電体上に設けられた複数の電極指からなる櫛歯容量電極とにより形成される。
縦結合型共振器Ｍ２は、不要信号と逆位相かつ同振幅の相殺信号を生成するために、入力された信号の振幅および位相を調整する移相回路である。なお、実施の形態１と同じように、移相回路は、トランスバーサル型フィルタであってもよいし、弾性波遅延線路であってもよい。
キャパシタＣ３およびＣ４を形成する櫛歯容量電極と、送信フィルタ１００ａにおける少なくとも２つの送信側弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極と、受信フィルタ２００ａにおける少なくとも２つの受信側弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極とは、互いに同じ圧電体上に設けられる。なお、縦結合型共振器Ｍ２についても上記圧電体上に設けることができる。キャパシタＣ３およびＣ４を形成する櫛歯容量電極、少なくとも２つの送信側弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極、および、少なくとも２つの受信側弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の構造は、例えば、図３または図４に示される構造となっている。
付加回路１１ａは、送信フィルタ１００ａから受信フィルタ２００ａに漏洩する不要信号を相殺できるため受信フィルタ２００ａの減衰特性を改善することができる。一方で、送信フィルタ１００ａを流れる送信フィルタ１００ａの通過帯域に対応する信号が付加回路１１ａに漏洩し、送信フィルタ１００ａの通過特性を劣化させてしまう場合がある。
そこで、本態様では、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の容量は、少なくとも２つの送信側弾性波共振子、および、少なくとも２つの受信側弾性波共振子のうちの少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の容量よりも小さくなっている。櫛歯容量電極の容量を小さくするために、圧電体におけるＩＤＴ電極および櫛歯容量電極が形成された面を平面視したとき、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の面積は、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の面積よりも小さい。
キャパシタＣ３に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの送信側弾性波共振子のうちのキャパシタＣ３に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ１１ａを含む。つまり、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の容量は、直列腕共振子Ｓ１１ａを形成するＩＤＴ電極の容量よりも小さく、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の面積は、直列腕共振子Ｓ１１ａを形成するＩＤＴ電極の面積よりも小さい。
このように、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の容量が小さいことで、送信フィルタ１００ａを流れる送信フィルタ１００ａの通過帯域に対応する信号が付加回路１１ａに漏洩しにくくなるため、付加回路１１ａによる通過特性の劣化を抑制できる。
なお、第３キャパシタが縦結合型共振器Ｍ２と入出力端子３３との間に設けられたキャパシタＣ４である場合には、キャパシタＣ４に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの受信側弾性波共振子のうちのキャパシタＣ４に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ２１ａを含む。つまり、第３キャパシタとしてキャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の容量は、直列腕共振子Ｓ２１ａを形成するＩＤＴ電極の容量よりも小さく、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の面積は、直列腕共振子Ｓ２１ａを形成するＩＤＴ電極の面積よりも小さい。
また、第３キャパシタをキャパシタＣ３とする本態様では、第４キャパシタとしてキャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の容量は、少なくとも２つの送信側弾性波共振子、および、少なくとも２つの受信側弾性波共振子のうちの少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の容量よりも小さくなっている。櫛歯容量電極の容量を小さくするために、圧電体におけるＩＤＴ電極および櫛歯容量電極が形成された面を平面視したとき、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の面積は、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の面積よりも小さい。
キャパシタＣ４に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの受信側弾性波共振子のうちのキャパシタＣ４に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ２１ａを含む。つまり、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の容量は、直列腕共振子Ｓ２１ａを形成するＩＤＴ電極の容量よりも小さく、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の面積は、直列腕共振子Ｓ２１ａを形成するＩＤＴ電極の面積よりも小さい。
このように、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の容量は、直列腕共振子Ｓ２１ａを形成するＩＤＴ電極の容量よりも小さいことで、入出力端子３１に入力された送信フィルタ１００ａの通過帯域に対応する信号が、容量の小さい２つのキャパシタＣ３およびＣ４によって、付加回路１１ａにおけるキャパシタＣ３の縦結合型共振器Ｍ２側にさらに流れにくくなっている。したがって、送信フィルタ１００ａを流れる送信フィルタ１００ａの通過帯域に対応する信号が付加回路１１ａにさらに漏洩しにくくなるため、付加回路１１ａによる通過特性の劣化をさらに抑制できる。
本態様では、上述したように、キャパシタＣ３およびＣ４を形成する櫛歯容量電極および少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極が同一の圧電体に形成され、同一のプロセスで製造される。すなわち、キャパシタＣ３およびＣ４を形成する櫛歯容量電極、および、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極に対する製造ばらつきは同じとなる。上述したように、キャパシタＣ３およびＣ４を形成する櫛歯容量電極の面積が少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の面積よりも小さいため、面積の小さい櫛歯容量電極に対する製造ばらつきの影響は、面積の大きいＩＤＴ電極に対する製造ばらつきの影響よりも大きくなる。このため、製造ばらつきの影響によって、キャパシタＣ３およびＣ４を形成する櫛歯容量電極の容量が大きくばらつく場合があり、付加回路１１ａにより生成される相殺信号が設計通りとならず、付加回路１１ａによる減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能が劣化する場合がある。
そこで、例えば、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップは、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の隣り合う電極指間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ３に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの送信側弾性波共振子のうちのキャパシタＣ３に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ１１ａを含む。つまり、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップは、直列腕共振子Ｓ１１ａを形成するＩＤＴ電極の隣り合う電極指間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップが大きいことで、固定値である製造ばらつきの影響は小さくなる。
このように、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップが大きいことで、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の容量が設計値に対してずれにくくなり、言い換えると設計値通りの相殺信号を生成しやすくなり、付加回路１１ａによる減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能の劣化を抑制できる。
また、例えば、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップは、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ３に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの送信側弾性波共振子のうちのキャパシタＣ３に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ１１ａを含む。つまり、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップは、直列腕共振子Ｓ１１ａを形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップが大きいことで、固定値である製造ばらつきの影響は小さくなる。
このように、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップが大きいことで、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の容量が設計値に対してずれにくくなり、言い換えると設計値通りの相殺信号を生成しやすくなり、付加回路１１ａによる減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能の劣化を抑制できる。
また、例えば、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップは、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ３に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの送信側弾性波共振子のうちのキャパシタＣ３に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ１１ａを含む。つまり、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップは、直列腕共振子Ｓ１１ａを形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップが大きいことで、固定値である製造ばらつきの影響は小さくなる。
このように、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップが大きいことで、キャパシタＣ３を形成する櫛歯容量電極の容量が設計値に対してずれにくくなり、言い換えると設計値通りの相殺信号を生成しやすくなり、付加回路１１ａによる減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能の劣化を抑制できる。
また、例えば、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップは、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の隣り合う電極指間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ４に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの受信側弾性波共振子のうちのキャパシタＣ４に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ２１ａを含む。つまり、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップは、直列腕共振子Ｓ２１ａを形成するＩＤＴ電極の隣り合う電極指間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップが大きいことで、固定値である製造ばらつきの影響は小さくなる。
このように、キャパシタＣ３だけでなく、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップも大きいことで、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の容量も設計値に対してずれにくくなり、付加回路１１ａによる減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能の劣化をさらに抑制できる。
また、例えば、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップは、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ４に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの受信側弾性波共振子のうちのキャパシタＣ４に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ２１ａを含む。つまり、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップは、直列腕共振子Ｓ２１ａを形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップが大きいことで、固定値である製造ばらつきの影響は小さくなる。
このように、キャパシタＣ３だけでなく、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極との間のギャップも大きいことで、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の容量も設計値に対してずれにくくなり、付加回路１１ａによる減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能の劣化をさらに抑制できる。
また、例えば、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップは、少なくとも１つの弾性波共振子を形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ４に対する少なくとも１つの弾性波共振子は、例えば、少なくとも２つの受信側弾性波共振子のうちのキャパシタＣ４に最も近く接続された弾性波共振子を含み、具体的には、直列腕共振子Ｓ２１ａを含む。つまり、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップは、直列腕共振子Ｓ２１ａを形成するＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップよりも大きくてもよい。
キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップが大きいことで、固定値である製造ばらつきの影響は小さくなる。
このように、キャパシタＣ３だけでなく、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するダミー電極との間のギャップも大きいことで、キャパシタＣ４を形成する櫛歯容量電極の容量も設計値に対してずれにくくなり、付加回路１１ａによる減衰特性またはアイソレーション特性の改善機能の劣化をさらに抑制できる。
なお、キャパシタＣ３に対して、容量、隣り合う電極指間のギャップ、および、複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極またはダミー電極との間のギャップの比較対象を直列腕共振子Ｓ１１ａとしているのは、直列腕共振子Ｓ１１ａが各弾性波共振子のなかで最も入出力端子３１に近く接続された、入出力端子３１に対する初段の弾性波共振子であり、送信フィルタ１００ａの通過特性および減衰特性に影響を与えやすい弾性波共振子であるためである。
また、キャパシタＣ４に対して、容量、隣り合う電極指間のギャップ、および、複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極またはダミー電極との間のギャップの比較対象を直列腕共振子Ｓ２１ａとしているのは、直列腕共振子Ｓ２１ａが各弾性波共振子のなかで最も入出力端子３３に近く接続された、入出力端子３３に対する初段の弾性波共振子であり、受信フィルタ２００ａの通過特性および減衰特性に影響を与えやすい弾性波共振子であるためである。
なお、マルチプレクサ１ａは、送信フィルタ１００ａおよび受信フィルタ２００ａの他に共通端子３０に共通接続されるフィルタを備えていてもよい。
（その他の実施の形態）
以上、本発明の実施の形態に係るフィルタ装置およびマルチプレクサについて説明したが、本発明は、上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係るフィルタ装置およびマルチプレクサを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
例えば、実施の形態１では、キャパシタＣ１に対するフィルタ１０における少なくとも１つの弾性波共振子は、キャパシタＣ１に最も近く接続された直列腕共振子Ｓ１１を含むと説明したが、これに限らない。例えば、キャパシタＣ１に対するフィルタ１０における少なくとも１つの弾性波共振子は、フィルタ１０における直列腕共振子Ｓ１１を含んでいなくてもよく、直列腕共振子Ｓ１１以外の弾性波共振子を含んでいてもよい。
また、例えば、実施の形態１では、キャパシタＣ２に対するフィルタ１０における少なくとも１つの弾性波共振子は、キャパシタＣ２に最も近く接続された直列腕共振子Ｓ１４を含むと説明したが、これに限らない。例えば、キャパシタＣ２に対するフィルタ１０における少なくとも１つの弾性波共振子は、フィルタ１０における直列腕共振子Ｓ１４を含んでいなくてもよく、直列腕共振子Ｓ１４以外の弾性波共振子を含んでいてもよい。
また、例えば、実施の形態１では、フィルタ装置１００は、キャパシタＣ２を備えると説明したが、備えていなくてもよい。
また、例えば、実施の形態２では、キャパシタＣ３に対する送信フィルタ１００ａおよび受信フィルタ２００ａにおける少なくとも１つの弾性波共振子は、キャパシタＣ３に最も近く接続された直列腕共振子Ｓ１１ａを含むと説明したが、これに限らない。例えば、キャパシタＣ３に対する送信フィルタ１００ａおよび受信フィルタ２００ａにおける少なくとも１つの弾性波共振子は、直列腕共振子Ｓ１１ａを含んでいなくてもよく、送信フィルタ１００ａにおける直列腕共振子Ｓ１１ａ以外の弾性波共振子を含んでいてもよい。
また、例えば、実施の形態２では、キャパシタＣ４に対する送信フィルタ１００ａおよび受信フィルタ２００ａにおける少なくとも１つの弾性波共振子は、キャパシタＣ４に最も近く接続された直列腕共振子Ｓ２１ａを含むと説明したが、これに限らない。例えば、キャパシタＣ４に対する送信フィルタ１００ａおよび受信フィルタ２００ａにおける少なくとも１つの弾性波共振子は、直列腕共振子Ｓ２１ａを含んでいなくてもよく、受信フィルタ２００ａにおける直列腕共振子Ｓ２１ａ以外の弾性波共振子を含んでいてもよい。
また、例えば、実施の形態２では、付加回路１１ａは、キャパシタＣ３およびＣ４を備えると説明したが、キャパシタＣ３およびＣ４のいずれかを備えていなくてもよい。
本発明は、フィルタ装置およびマルチプレクサとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
１、１ａ マルチプレクサ
１０ フィルタ
１１、１１ａ 付加回路
３０ 共通端子
３１、３２、３３、３４ 入出力端子
１００、２００ フィルタ装置
１００ａ 送信フィルタ
２００ａ 受信フィルタ
１０１ ＩＤＴ電極
１０１ａ、１０１ｂ 櫛歯電極
１０２ 圧電体
１０１ｇ 密着層
１０１ｈ 主電極層
１０３ 保護層
１１０ａ、１１０ｂ 電極指
１１１ａ、１１１ｂ バスバー電極
１１２ａ、１１２ｂ ダミー電極
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４ キャパシタ
Ｍ１、Ｍ２ 縦結合型共振器
Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ１１ａ、Ｐ１２ａ、Ｐ１３ａ、Ｐ２１ａ、Ｐ２２ａ、Ｐ２３ａ 並列腕共振子
Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１１ａ、Ｓ１２ａ、Ｓ１３ａ、Ｓ１４ａ、Ｓ２１ａ、Ｓ２２ａ、Ｓ２３ａ、Ｓ２４ａ 直列腕共振子

Claims (19)

  1. 第１入出力端子と第２入出力端子との間に設けられた弾性波フィルタと、
    前記第１入出力端子と前記第２入出力端子との間で前記弾性波フィルタと並列接続された付加回路と、を備え、
    前記弾性波フィルタは、前記弾性波フィルタの通過帯域を形成する少なくとも２つの弾性波共振子を備え、
    前記付加回路は、
    移相回路と、
    前記移相回路と前記第１入出力端子との間に接続された第１キャパシタと、を備え、
    前記少なくとも２つの弾性波共振子は、それぞれ、圧電体と前記圧電体上に設けられた複数の電極指からなるＩＤＴ電極とにより形成され、
    前記第１キャパシタは、前記圧電体と前記圧電体上に設けられた複数の電極指からなる櫛歯容量電極とにより形成され、
    前記第１キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の容量は、前記少なくとも２つの弾性波共振子のうちの少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の容量よりも小さく、
    前記圧電体における前記ＩＤＴ電極および前記櫛歯容量電極が形成された面を平面視したとき、前記第１キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の面積は、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の面積よりも小さい、
    フィルタ装置。
  2. 前記第１キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップは、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の隣り合う電極指間のギャップよりも大きい、
    請求項１に記載のフィルタ装置。
  3. 前記第１キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極またはダミー電極との間のギャップは、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極またはダミー電極との間のギャップよりも大きい、
    請求項１または２に記載のフィルタ装置。
  4. 前記少なくとも１つの弾性波共振子は、前記少なくとも２つの弾性波共振子のうちの前記第１キャパシタに最も近く接続された弾性波共振子を含む、
    請求項１〜３のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  5. 前記付加回路は、さらに、前記移相回路と前記第２入出力端子との間に接続された第２キャパシタを備え、
    前記第２キャパシタは、前記圧電体と前記圧電体上に設けられた複数の電極指からなる櫛歯容量電極とにより形成され、
    前記第２キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の容量は、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の容量よりも小さく、
    前記圧電体における前記ＩＤＴ電極および前記櫛歯容量電極が形成された面を平面視したとき、前記第２キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の面積は、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の面積よりも小さい、
    請求項１〜４のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  6. 前記第２キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップは、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の隣り合う電極指間のギャップよりも大きい、
    請求項５に記載のフィルタ装置。
  7. 前記第２キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極またはダミー電極との間のギャップは、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極またはダミー電極との間のギャップよりも大きい、
    請求項５または６に記載のフィルタ装置。
  8. 前記少なくとも１つの弾性波共振子は、前記少なくとも２つの弾性波共振子のうちの前記第２キャパシタに最も近く接続された弾性波共振子を含む、
    請求項５〜７のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  9. 前記移相回路は、縦結合型共振器である、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載のフィルタ装置を含む複数のフィルタを備え、
    前記複数のフィルタの入力端子または出力端子は、共通端子に接続されている、
    マルチプレクサ。
  11. 第１入力端子と第１出力端子との間に設けられた送信フィルタと、
    第２入力端子と第２出力端子との間に設けられた受信フィルタと、
    前記第１入力端子と前記第２出力端子との間に設けられた付加回路と、を備え、
    前記第１出力端子および前記第２入力端子は、共通端子に接続され、
    前記送信フィルタは、前記送信フィルタの通過帯域を形成する少なくとも２つの送信側弾性波共振子を備え、
    前記受信フィルタは、前記受信フィルタの通過帯域を形成する少なくとも２つの受信側弾性波共振子を備え、
    前記付加回路は、
    移相回路と、
    前記移相回路と前記第１入力端子との間、および、前記移相回路と前記第２出力端子との間の一方に設けられた第３キャパシタと、を備え、
    前記少なくとも２つの送信側弾性波共振子は、それぞれ、圧電体と前記圧電体上に設けられた複数の電極指からなるＩＤＴ電極とにより形成され、
    前記少なくとも２つの受信側弾性波共振子は、それぞれ、前記圧電体と前記圧電体上に設けられた複数の電極指からなるＩＤＴ電極とにより形成され、
    前記第３キャパシタは、前記圧電体と前記圧電体上に設けられた複数の電極指からなる櫛歯容量電極により形成され、
    前記第３キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の容量は、前記少なくとも２つの送信側弾性波共振子、および、前記少なくとも２つの受信側弾性波共振子のうちの少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の容量よりも小さく、
    前記圧電体における前記ＩＤＴ電極および前記櫛歯容量電極が形成された面を平面視したとき、前記第３キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の面積は、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の面積よりも小さい、
    マルチプレクサ。
  12. 前記第３キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップは、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の隣り合う電極指間のギャップよりも大きい、
    請求項１１に記載のマルチプレクサ。
  13. 前記第３キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極またはダミー電極との間のギャップは、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極またはダミー電極との間のギャップよりも大きい、
    請求項１１または１２に記載のマルチプレクサ。
  14. 前記第３キャパシタが前記移相回路と前記第１入力端子との間に設けられたキャパシタである場合、前記少なくとも１つの弾性波共振子は、前記少なくとも２つの送信側弾性波共振子のうちの前記第３キャパシタに最も近く接続された弾性波共振子を含み、
    前記第３キャパシタが前記移相回路と前記第２出力端子との間に設けられたキャパシタである場合、前記少なくとも１つの弾性波共振子は、前記少なくとも２つの受信側弾性波共振子のうちの前記第３キャパシタに最も近く接続された弾性波共振子を含む、
    請求項１１〜１３のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  15. 前記付加回路は、さらに、前記移相回路と前記第１入力端子との間、および、前記移相回路と前記第２出力端子との間の他方に設けられた第４キャパシタを備え、
    前記第４キャパシタは、前記圧電体と前記圧電体上に設けられた複数の電極指からなる櫛歯容量電極とにより形成され、
    前記第４キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の容量は、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の容量よりも小さく、
    前記圧電体における前記ＩＤＴ電極および前記櫛歯容量電極が形成された面を平面視したとき、前記第４キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の面積は、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の面積よりも小さい、
    請求項１１〜１４のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  16. 前記第４キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の隣り合う電極指間のギャップは、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の隣り合う電極指間のギャップよりも大きい、
    請求項１５に記載のマルチプレクサ。
  17. 前記第４キャパシタを形成する前記櫛歯容量電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極またはダミー電極との間のギャップは、前記少なくとも１つの弾性波共振子を形成する前記ＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部分と、当該先端部分と対向するバスバー電極またはダミー電極との間のギャップよりも大きい、
    請求項１５または１６に記載のマルチプレクサ。
  18. 前記第４キャパシタが前記移相回路と前記第２出力端子との間に設けられたキャパシタである場合、前記少なくとも１つの弾性波共振子は、前記少なくとも２つの受信側弾性波共振子のうちの前記第４キャパシタに最も近く接続された弾性波共振子を含み、
    前記第４キャパシタが前記移相回路と前記第１入力端子との間に設けられたキャパシタである場合、前記少なくとも１つの弾性波共振子は、前記少なくとも２つの送信側弾性波共振子のうちの前記第４キャパシタに最も近く接続された弾性波共振子を含む、
    請求項１５〜１７のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  19. 前記移相回路は、縦結合型共振器である、
    請求項１１〜１８のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112011103018B4 (de) * 2010-09-10 2016-03-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Verzweigungsfilter für elastische Wellen
WO2016190216A1 (ja) * 2015-05-22 2016-12-01 京セラ株式会社 弾性波装置および通信装置
JP6402080B2 (ja) * 2015-09-02 2018-10-10 太陽誘電株式会社 分波器及びモジュール
JP6556093B2 (ja) 2016-05-11 2019-08-07 太陽誘電株式会社 フィルタおよびマルチプレクサ
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JP6766874B2 (ja) 2016-09-13 2020-10-14 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP6590781B2 (ja) * 2016-11-10 2019-10-16 太陽誘電株式会社 フィルタおよびマルチプレクサ
JP7057636B2 (ja) * 2017-08-16 2022-04-20 株式会社村田製作所 マルチプレクサ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023037925A1 (ja) * 2021-09-08 2023-03-16 株式会社村田製作所 弾性波フィルタおよびマルチプレクサ

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