JP2021039971A - 基板処理システムおよび基板搬送方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理システムおよび基板搬送方法に関して、インデクサブロック2の基板搬送機構MHU2(MHU1)は、載置台16に載置されたキャリアCに対して基板Wを出し入れ可能である。更に、基板搬送機構MHU2(MHU1)は、第1処理ブロック3および第2処理ブロック5の異なる高さ位置にある例えば2つの処理層A1,B1間で基板Wを搬送する。そのため、従来技術のように、インデクサブロックと処理ブロックの間に、上下方向の2つの処理層間で基板を移動させるための受渡ブロックを設けなくてもよい。そのため、基板処理システムのフットプリントを抑えることができる。
【選択図】図10
Description
図1を参照する。基板処理装置(基板処理システム)1は、IDブロック(インデクサブロック)2、第1処理ブロック3、第2処理ブロック5、インターフェースブロック(以下適宜、「IFブロック」と呼ぶ)6およびキャリアバッファ装置8を備えている。第1処理ブロック3、IDブロック2、第2処理ブロック5およびIFブロック6は、この順番で水平方向に直線状に連結されている。
IDブロック2は、図2、図3に示すように、4つのオープナ(キャリア載置部)11〜14と、2つの基板搬送機構(ロボット)MHU1,MHU2と、基板バッファBFとを備えている。2つの基板搬送機構MHU1,MHU2と基板バッファBFは、IDブロック2の内部に配置されている。なお、基板搬送機構MHU1は、本発明の第1インデクサ機構に相当する。基板搬送機構MHU2は、本発明の第2インデクサ機構に相当する。
4つのオープナ11〜14は、IDブロック2の外壁に設けられている。2つのオープナ11,12は、第1基板搬送機構MHU1がキャリアCに基板Wを出し入れできるように、第1基板搬送機構MHU1の周囲に配置されている。図2、図3において、2つのオープナ11,12は、基板搬送機構MHU1を挟み込むよう前後方向(X方向)に配置されている。2つのオープナ11,12と同様に、2つのオープナ13,14は、第2基板搬送機構MHU2がキャリアCに基板Wを出し入れできるように、第2基板搬送機構MHU2の周囲に配置されている。2つのオープナ13,14は、第2基板搬送機構MHU2を挟み込むように前後方向に配置されている。
図2に示すように、2つの基板搬送機構MHU1,MHU2は、基板バッファBFを挟み込むように配置されている。すなわち、第2基板搬送機構MHU2は、基板バッファBFを挟んで第1基板搬送機構MHU1の反対側に配置されている。また、2つの基板搬送機構MHU1,MHU2は、第1処理ブロック3および第2処理ブロック5が並んで配置される方向(X方向)と直交する方向(Y方向)に配置されている。
基板バッファBFは、複数の基板Wを載置する。基板バッファBFは、図2に示すように、第1処理ブロック3と第2処理ブロック5の中間(中央)に配置されている。これにより、第1処理ブロック3の基板搬送機構MHU3および第2処理ブロック5の基板搬送機構MHU4は共に、基板バッファBFに対して基板Wを出し入れすることができる。すなわち、IDブロック2の2台の基板搬送機構MHU1,MHU2を加えた4台の基板搬送機構MHU1〜MHU4は、基板バッファBFに載置されている基板Wを4方向から取り合うことができる。
図1、図2を参照する。第1処理ブロック3は、3つの処理層B2,B1,A1を備えている。3つの処理層B2,B1,A1は、積み重ねるように上下方向に配置されている。また、第2処理ブロック5は、3つの処理層C2,C1,A2を備えている。3つの処理層C2,C1,A2は、積み重ねるように上下方向に配置されている。例えば、2つの処理層A1,A2は、基板Wに対して反射防止膜を形成する。2つの処理層B1,B2は、基板Wに対してフォトレジスト膜を形成する。また、2つの処理層C1,C2は、基板Wに対して現像処理を行う。3つの処理層A1,B1,C1は、3つの処理層A2,B2,C2の処理と同じ処理を基板Wに対して行う。
基板搬送機構MHU3,MHU4は各々、基板Wを搬送する。基板搬送機構MHU3,MHU4は各々、2つのハンド41、進退駆動部43、回転駆動部45、第1移動機構47および第2移動機構48を備えている。2つのハンド41、進退駆動部43および回転駆動部45はそれぞれ、例えば第1基板搬送機構MHU1の2つのハンド21、進退駆動部23、回転部25Bと同じように構成されている。すなわち、2つのハンド41は各々、基板Wを保持する。2つのハンド41は各々、1つの基礎部分と、その基礎部分から分かれた2つの先端部分とを有している。基礎部分および、2つの先端部分には、それぞれ基板Wを吸着することで基板Wを保持するための吸着部が設けられている。
図6は、基板処理装置1の右側面図である。6つの処理層A1,A2,B1,B2,C1,C2(以下適宜、「6つの処理層(A1等)」と呼ぶ)は各々、8つの液処理ユニット36を備えている。8つの液処理ユニット36は、上下方向に2段×水平方向に4列で配置することが可能である。図6において、例えば、2つの処理層A1,A2は各々、8つの塗布ユニットBARCを備えている。2つの処理層B1,B2は各々、8つの塗布ユニットPRを備えている。また、2つの処理層C1,C2は各々、8つの現像ユニットDEVを備えている。なお、液処理ユニット36の個数および種類は、必要に応じて変更される。
図7は、基板処理装置1の左側面図である。6つの処理層(A1等)は各々、24個の熱処理部37を備えることが可能である。24個の熱処理部37は、4段×6列で配置される。熱処理部37は、基板Wに対して熱処理(所定の処理)を行うために、基板Wを載置するプレート57(図2参照)を備えている。熱処理部37は、プレート57を加熱するために例えば電熱器などのヒータを備えている。また、熱処理部37は、プレート57を冷却するために例えば水冷式の循環機構またはペルチェ素子を備えている。
IFブロック6は、第2処理ブロック5に連結されている。IFブロック6は、外部装置である露光装置EXPに基板Wの搬出および搬入を行う。図1、図2、図6、図7に示すように、IFブロック6は、3つの基板搬送機構HU5〜HU7、露光前洗浄ユニット161、露光後洗浄ユニットSOAK、露光後ベーク処理部PEB、バッファ部PSB4,PSB5、載置兼冷却部P−CPおよび基板載置部PS9を備えている。
キャリアバッファ装置8は、図1、図3のように、キャリア搬送機構61とキャリア保管棚63とを備えている。キャリア搬送機構61およびキャリア保管棚63(すなわちキャリアバッファ装置8)は、IDブロック2および2つの処理ブロック3,5の上に搭載されている。キャリア搬送機構61は、4つのオープナ11〜14の各々の載置台16とキャリア保管棚63との間でキャリアCを搬送する。キャリア保管棚63は、キャリアCを保管する。なお、キャリア搬送機構61およびキャリア保管棚63は各々、IDブロック2および2つの処理ブロック3,5の少なくとも1つの上に搭載されていてもよい。また、キャリア搬送機構61およびキャリア保管棚63は各々、IFブロック6の上に搭載されていてもよい。
次に、基板処理装置1の動作について説明する。図9は、基板処理装置1の処理工程の一例を示すフローチャートである。図10は、基板処理装置1の動作を説明するためのフローチャートである。
IDブロック2の基板搬送機構MHU1は、バッファ部BU3(基板バッファBF)を介さずに、オープナ11の載置台16に載置されたキャリアCから第1処理ブロック3の処理層A1の4つの冷却部CPの少なくとも1つに基板Wを直接搬送する。そのため、キャリアCから取り出された基板Wは、図8に示す基板搬入口59Bを通って、冷却部CPのプレート57Aに搬送される。これにより、処理層A1の基板搬送機構MHU3がバッファ部BU3から基板Wを取り出して、取り出した基板Wを、基板搬入口59Aを通って、冷却部CPのプレート57Aに搬送する動作を省略することができる。そのため、処理層A1の基板搬送機構MHU3の基板搬送の負荷が軽減される。
処理層A1は、キャリアCから搬送された基板W上に反射防止膜を形成する。具体的に説明する。基板搬送機構MHU1によって直接搬送された基板Wは、冷却部CPによって、冷却処理される。処理層A1の基板搬送機構MHU3は、冷却部CPから基板Wを取り出し、取り出された基板Wを、塗布ユニットBARC、加熱処理部PAB、バッファ部BU3の順番に搬送する。塗布ユニットBARCは、基板Wに対して反射防止膜を形成する。なお、処理層A2は、処理層A1と同様の処理が行われる。
基板搬送機構MHU3は、反射防止膜が形成された基板Wをバッファ部BU3に搬送する。IDブロック2の基板搬送機構MHU2は、バッファ部BU3からバッファ部BU2に基板Wを搬送する。すなわち、異なる高さ位置にある2つの処理層A1,B1間で基板Wを搬送する場合、基板搬送機構MHU2は、各処理層A1,B1に対応する高さ位置にある2つのバッファ部BU3,BU2間で基板Wを搬送する。その後、処理層B1の基板搬送機構MHU3は、バッファ部BU2から基板Wを取り出す。なお、異なる高さ位置にある2つの処理層A2,B2間で基板Wを搬送する場合、基板搬送機構MHU2は、バッファ部BU3からバッファ部BU1に基板Wを搬送する。これらの動作により、処理層A1,A2の階層(3階)と異なる階層(1階、2階)の処理層B1,B2に基板Wを搬送することができる。また、バッファ部BU3からバッファ部BU2(BU1)への基板搬送は、基板搬送機構MHU1が行ってもよい。
処理層B1は、異なる高さ位置の処理層A1から搬送された基板W上にフォトレジスト膜を形成する。すなわち、処理層B1の基板搬送機構MHU3は、バッファ部BU2から取り出した基板Wを、冷却部CP、塗布ユニットPR、加熱処理部PABの順番に搬送する。塗布ユニットPRは、基板W上(すなわち反射防止膜上)にフォトレジスト膜を形成する。なお、処理層B2は、処理層B1と同様の処理が行われる。
その後、処理層B1の基板搬送機構MHU3は、フォトレジスト膜が形成された基板Wをバッファ部BU2に搬送する。処理層C1は、処理層B1と同じ高さ位置(2階)にある。処理層C1の基板搬送機構MHU4は、処理層B1の基板搬送機構MHU3が搬送した基板Wをバッファ部BU2から受け取る。すなわち、同じ高さ位置にある2つの処理層B1,C1間で基板Wを搬送する場合、各処理層B1,C1にある基板搬送機構MHU3,MHU4は、バッファ部BU2を介して基板Wを受け渡しする。処理層B1から処理層C1への基板搬送は、IDブロック2の2つの基板搬送機構MHU1,MHU2を用いずに行われる。これにより、2つの基板搬送機構MHU1,MHU2の基板搬送の負担を軽減することができる。
処理層C1の基板搬送機構MHU4は、バッファ部BU2から受け取った基板Wを、検査部LSCM1、エッジ露光部EEW、バッファ部PSB4の順番に搬送する。同様に、処理層C2の基板搬送機構MHU4は、バッファ部BU1から受け取った基板Wを、検査部LSCM1、エッジ露光部EEW、バッファ部PSB5の順番に搬送する。検査部LSCM1は、フォトレジスト膜(塗布膜)を検査および測定する。
IFブロック6は、処理層C1(C2)により搬送された基板Wを露光装置EXPに搬出する。また、IFブロック6は、露光装置EXPで露光処理された基板WをIFブロック6に搬入する。
処理層C1の基板搬送機構MHU4は、バッファ部PSB4から基板Wを受け取り、受け取った基板Wを、冷却部CP、現像ユニットDEV、ポストベーク部PB、検査部LSCM2、バッファ部BU2の順番に搬送する。現像ユニットDEVは、露光装置EXPで露光処理された基板Wに対して現像処理を行う。検査部LSCM2は、現像後の基板Wを検査する。
IDブロック2の基板搬送機構MHU2は、バッファ部BU2(BU1)から基板Wを取り出し、取り出した基板Wを、2つのオープナ13,14の一方(例えばオープナ13)の載置台16に載置されたキャリアCに搬送する。なお、基板搬送機構MHU2は、2つのバッファ部BU1,BU2から交互に基板Wを取り出して、取り出した基板Wを載置台16に載置されたキャリアCに搬送する。キャリアCに全ての基板Wが戻されると、シャッタ部材およびシャッタ駆動機構は、キャリアCに蓋を取り付けつつ、開口部18を塞ぐ。その後、キャリア搬送機構61は、外部搬送機構OHTに引き渡すため、オープナ13から処理後の基板Wが収納されたキャリアCを搬送する。
キャリアCは、例えばオープナ13の載置台16に載置されている。IDブロック2の基板搬送機構MHU2は、オープナ13の載置台16に載置されたキャリアCから基板Wを取り出し、取り出した基板Wをバッファ部BU3に搬送する。
処理層A1は、キャリアCから搬送された基板W上に反射防止膜を形成する。処理層A1の基板搬送機構MHU3は、バッファ部BU3から基板Wを受け取り、受け取った基板Wを、冷却部CP、塗布ユニットBARC、加熱処理部PABの順番に搬送する。塗布ユニットBARCは、基板Wに対して反射防止膜を形成する。なお、処理層A2は、処理層A1と同様の処理が行われる。
異なる高さ位置にある例えば2つの処理層A1,B1間で基板Wを搬送する場合、第1基板搬送機構MHU1は、バッファ部BU3,BU2を介さずに、処理層A1の加熱処理部PABと処理層B1の冷却部CPとの間(2つの処理ユニット間)で基板Wを直接搬送する。すなわち、第1基板搬送機構MHU1は、処理層A1の加熱処理部PABから処理層B1の冷却部CPに基板Wを直接搬送する。これにより、処理層A1の基板搬送機構MHU3は、加熱処理部PABから基板Wを取り出し、取り出した基板Wをバッファ部BU3に搬送する動作を省略することができる。また、処理層B1の基板搬送機構MHU3は、バッファ部BU2から基板Wを取り出し、取り出した基板Wを冷却部CPに搬送する動作を省略することができる。そのため、2つの処理層A1,B1の2つの基板搬送機構MHU3の基板搬送の負担を軽減することができる。
処理層B1は、異なる高さ位置の処理層A1から搬送された基板W上にフォトレジスト膜を形成する。具体的に説明する。基板搬送機構MHU1によって直接搬送された基板Wは、冷却部CPによって、冷却処理される。処理層B1の基板搬送機構MHU3は、冷却部CPから取り出した基板Wを、塗布ユニットPR、加熱処理部PABの順番に搬送する。塗布ユニットPRは、基板W上(すなわち反射防止膜上)にフォトレジスト膜を形成する。なお、処理層B2は、処理層B1と同様の処理が行われる。
その後、処理層B1の基板搬送機構MHU3は、フォトレジスト膜が形成された基板Wをバッファ部BU2に搬送する。処理層C1の基板搬送機構MHU4は、処理層B1の基板搬送機構MHU3が搬送した基板Wをバッファ部BU2から受け取る。この処理層B1から処理層C1への基板搬送は、IDブロック2の2つの基板搬送機構MHU1,MHU2を用いずに行われる。これにより、2つの基板搬送機構MHU1,MHU2の基板搬送の負担を軽減することができる。
処理層C1の基板搬送機構MHU4は、バッファ部BU2から受け取った基板Wを、検査部LSCM1、エッジ露光部EEW、バッファ部PSB4の順番に搬送する。同様に、処理層C2の基板搬送機構MHU4は、バッファ部BU1から受け取った基板Wを、検査部LSCM1、エッジ露光部EEW、バッファ部PSB5の順番に搬送する。検査部LSCM1は、フォトレジスト膜(塗布膜)を検査および測定する。
IFブロック6は、処理層C1(C2)により搬送された基板Wを露光装置EXPに搬出する。また、IFブロック6は、露光装置EXPで露光処理された基板WをIFブロック6に搬入する。
処理層C1の基板搬送機構MHU4は、バッファ部PSB4から基板Wを受け取り、受け取った基板Wを、冷却部CP、現像ユニットDEV、ポストベーク部PB、検査部LSCM2の順番に搬送する。現像ユニットDEVは、露光装置EXPで露光処理された基板Wに対して現像処理を行う。検査部LSCM2は、現像後の基板Wを検査する。なお、処理層C2は、処理層C1と同様の処理を行う。
IDブロック2の基板搬送機構MHU1は、バッファ部BU2(BU1)を介さずに、第2処理ブロック5の処理層C1(C2)の検査部LSCM2から2つのオープナ11,12の一方(例えばオープナ11)の載置台16に載置されたキャリアCに基板Wを直接搬送(直接収納)する。これにより、処理層C1(C2)の基板搬送機構MHU4は、検査部LSCM2から基板Wを取り出し、取り出した基板Wを、バッファ部BU2(BU1)に搬送する動作を省略することができる。
次に、基板処理装置1の動作について説明する。図15は、基板処理装置1の処理工程の一例を示すフローチャートである。図16は、実施例3に係る基板処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。
キャリアCは、2つのオープナ11,12の一方(例えばオープナ11)の載置台16に載置されている。IDブロック2の基板搬送機構MHU1は、バッファ部BU3(BU2)を介さずに、オープナ11の載置台16に載置されたキャリアCから第1処理ブロック3の処理層A1(A2)の4つの密着強化処理部AHPの少なくとも1つに基板Wを直接搬送する。2つの処理層A1,A2には、交互に基板が搬送される。
2つの処理層A1,A2は各々、キャリアCから搬送された基板W上に下層膜を形成する。具体的に説明する。密着強化処理部AHPは、基板搬送機構MHU1によって直接搬送された基板Wに対して、密着強化処理を行う。処理層A1の基板搬送機構MHU3は、密着強化処理部AHPから基板Wを取り出し、取り出された基板Wを、冷却部CP、塗布ユニットBL、加熱処理部PAB(1段目)の順番に搬送する。ここで、塗布ユニットBLは、基板W上に下層膜を形成する。処理層A2は、処理層A1と同様の処理を行う。
その後、処理層A1の基板搬送機構MHU3は、下層膜が形成された基板Wをバッファ部BU3に搬送する。処理層B1は、処理層A1と同じ高さ位置(3階)にある。処理層B1の基板搬送機構MHU4は、処理層A1の基板搬送機構MHU3が搬送した基板Wをバッファ部BU3から受け取る。すなわち、同じ高さ位置にある2つの処理層A1,B1間で基板Wを搬送する場合、各処理層A1,B1にある基板搬送機構MHU3,MHU4は、バッファ部BU3を介して基板Wを受け渡しする。この処理層A1から処理層B1への基板搬送は、IDブロック2の2つの基板搬送機構MHU1,MHU2を用いずに行われる。これにより、2つの基板搬送機構MHU1,MHU2の基板搬送の負担を軽減することができる。
2つの処理層B1,B2は各々、2つの基板搬送機構MHU1,MHU2を用いずに搬送された基板W上に中間膜を形成する。具体的に説明する。処理層B1の基板搬送機構MHU4は、バッファ部BU3から基板Wを取り出し、取り出した基板Wを、加熱処理部PAB(2段目)、冷却部CP、塗布ユニットML、加熱処理部PABの順番に搬送される。ここで、塗布ユニットMLは、基板W上(すなわち下層膜上)に中間膜を形成する。また、2段目の加熱処理部PABによる処理は、1段目の加熱処理部PABによる処理よりも高温で行われる。なお、処理層B2は、処理層B1と同様の処理を行う。
異なる高さ位置にある例えば2つの処理層B1,C1間で基板Wを搬送する場合、第1基板搬送機構MHU1は、バッファ部BU3,BU1を介さずに、処理層B1の加熱処理部PABと処理層C1の冷却部CPとの間(2つの処理ユニット間)で基板Wを直接搬送する。すなわち、第1基板搬送機構MHU1は、処理層B1の加熱処理部PABから処理層C1の冷却部CPに基板Wを直接搬送する。これにより、処理層B1の基板搬送機構MHU4は、加熱処理部PABから基板Wを取り出し、取り出した基板Wをバッファ部BU3に搬送する動作を省略することができる。また、処理層C1の基板搬送機構MHU3は、バッファ部BU1から基板Wを取り出し、取り出した基板Wを冷却部CPに搬送する動作を省略することができる。そのため、2つの処理層B1,C1の2つの基板搬送機構MHU3,MHU4の基板搬送の負担を軽減することができる。
2つの処理層C1,C2は各々、搬送された基板W上にフォトレジスト膜を形成する。具体的に説明する。冷却部CPは、基板搬送機構MHU1によって直接搬送された基板Wを冷却処理する。処理層C1(C2)の基板搬送機構MHU3(MHU4)は、冷却部CPから基板Wを取り出し、取り出した基板Wを、塗布ユニットPR、加熱処理部PAB、冷却部CP、検査部LSCM1、バッファ部BU1の順番に基板Wを搬送する。ここで、塗布ユニットPRは、基板W上(すなわち中間膜上)にフォトレジスト膜を形成する。
IDブロック2の基板搬送機構MHU2は、バッファ部BU1から基板Wを取り出し、取り出した基板Wを、2つのオープナ13,14の一方(例えばオープナ13)の載置台16に載置されたキャリアCに収納する。基板搬送機構MHU2は、処理層C1からバッファ部BU1に搬送された基板Wと、処理層C2からバッファ部BU1に搬送された基板Wとを交互にキャリアCに収納する。
2 … インデクサブロック(IDブロック)
3 … 第1処理ブロック
5 … 第2処理ブロック
16 … 載置台
C … キャリア
BF … 基板バッファ
MHU1〜MHU4 … 基板搬送機構
36 … 液処理ユニット
37 … 熱処理部
A1,A2,B1,B2,C1,C2 … 処理層
LSCM1 … 検査部
LSCM2 … 検査部
CP … 冷却部
PAB … 加熱処理部
Claims (11)
- 基板を収納することが可能なキャリアを載置するための載置台が設けられたインデクサブロックと、
上下方向に配置された複数の処理層を有する第1処理装置と、
上下方向に配置された複数の処理層を有する第2処理装置と、を備え、
前記第1処理装置、前記インデクサブロックおよび前記第2処理装置は、この順番で水平方向に連結されており、
前記インデクサブロックは、前記載置台に載置されたキャリアに対して基板を出し入れすることができ、基板を搬送する第1インデクサ機構と、複数の基板を載置する基板バッファとを内部に有し、
前記第1インデクサ機構は、前記第1処理装置および前記第2処理装置の異なる高さ位置にある2つの処理層間で基板を搬送することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記第1処理装置および前記第2処理装置の各々の処理層は、基板を搬送する基板搬送機構と、基板に対して所定の処理を行う処理ユニットとを備え、
前記第1処理装置および前記第2処理装置の同じ高さ位置にある2つの処理層間で基板を搬送する場合、各処理層にある基板搬送機構は、前記基板バッファを介して基板を受け渡し、
前記第1処理装置および前記第2処理装置の異なる高さ位置にある2つの処理層間で基板を搬送する場合、前記第1インデクサ機構は、各処理層に対応する高さ位置にある前記基板バッファの2つのバッファ部間で基板を搬送することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記第1処理装置および前記第2処理装置の各々の処理層は、基板を搬送する基板搬送機構と、基板に対して所定の処理を行う処理ユニットとを備え、
前記第1処理装置および前記第2処理装置の異なる高さ位置にある2つの処理層間で基板を搬送する場合、前記第1インデクサ機構は、前記基板バッファを介さずに、前記2つの処理層の2つの処理ユニット間で基板を直接搬送することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項3に記載の基板処理システムにおいて、
前記第1処理装置および前記第2処理装置の同じ高さ位置にある2つの処理層間で基板を搬送する場合、各処理層にある基板搬送機構は、前記基板バッファを介して基板を受け渡しすることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から4にいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記第1インデクサ機構は、前記基板バッファを介さずに、前記載置台に載置されたキャリアから、前記第1処理装置および前記第2処理装置の少なくとも一方の処理層の処理ユニットに基板を直接搬送することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項5に記載の基板処理システムにおいて、
前記第1インデクサ機構は、前記載置台に載置されたキャリアから複数枚の基板を同時に取り出し、前記基板バッファを介さずに、前記第1処理装置および前記第2処理装置の少なくとも一方の処理層の処理ユニットに1枚ずつ基板を直接搬送することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から6のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記第1インデクサ機構は、前記基板バッファを介さずに、前記第1処理装置および前記第2処理装置の少なくとも一方の処理層の前記処理ユニットから前記載置台に載置されたキャリアに基板を直接搬送することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記第1処理装置および前記第2処理装置の各々の処理層は、基板を搬送する基板搬送機構と、基板に対して所定の処理を行う処理ユニットとを備え、
前記第1処理装置および前記第2処理装置の異なる高さ位置にある2つの処理層間で基板を搬送する場合、前記第1インデクサ機構は、前記基板バッファと前記2つの処理層の一方の処理ユニットと間で基板を直接搬送することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から8のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記インデクサブロックは、基板を搬送する第2インデクサ機構を更に備え、
前記第2インデクサ機構は、前記基板バッファを挟んで前記第1インデクサ機構の反対側に配置されており、
前記第1インデクサ機構および前記第2インデクサ機構は、前記第1処理装置および第2処理装置が並んで配置される方向と直交する方向に配置されていることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記第1インデクサブロックに隣接し、前記第1処理装置および前記第2処理装置の少なくとも一方の処理層に配置され、前記第1インデクサ機構により前記基板バッファを介さずに、基板が直接搬送される隣接処理ユニットを更に備えていることを特徴とする基板処理システム。 - 基板を収納することが可能なキャリアを載置するための載置台が設けられたインデクサブロックと、
上下方向に配置された複数の処理層を有する第1処理装置と、
上下方向に配置された複数の処理層を有する第2処理装置と、を備え、
前記第1処理装置、前記インデクサブロックおよび前記第2処理装置が、この順番で水平方向に連結されている基板処理システムの基板搬送方法において、
前記インデクサブロックは、前記載置台に載置されたキャリアに対して基板を出し入れすることができ、基板を搬送する第1インデクサ機構と、複数の基板を載置する基板バッファとを内部に有し、
前記第1インデクサ機構によって、前記第1処理装置および前記第2処理装置の異なる高さ位置にある2つの処理層間で基板を搬送する工程を備えていることを特徴とする基板処理システムの基板搬送方法。
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