CN112447553A - 衬底处理***及衬底搬送方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种衬底处理***及衬底搬送方法。移载传送区块的衬底搬送机构能够对载置在载置台的载体取放衬底(W)。进而，衬底搬送机构在第1处理区块及第2处理区块的位于不同高度位置的例如2个处理层间搬送衬底(W)。因此，无须像现有技术那样在移载传送区块与处理区块之间设置用来使衬底在上下方向的2个处理层间移动的交接区块。因此能够抑制衬底处理***的占据面积。

Description

衬底处理***及衬底搬送方法
技术领域
本发明涉及一种对衬底进行处理的衬底处理***及该衬底处理***的衬底搬送方法。衬底例如可列举半导体衬底、FPD(Flat Panel Display，平板显示器)用衬底、光罩用玻璃衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、陶瓷衬底、及太阳电池用衬底等。FPD例如可列举液晶显示装置、有机EL(electroluminescence，电致发光)显示装置等。
背景技术
以往的衬底处理装置(衬底处理***)具备移载传送区块(以下适当称为“ID(Indexer)区块”)、及处理区块(例如参照日本专利特开2016-201526号公报及日本专利特开平09-045613号公报)。
处理区块连结于ID区块。在处理区块与ID区块之间设置着用来相互交接衬底的衬底载置部。在ID区块设置着载置载体的载体载置台。载体收纳衬底。ID区块具备移载传送机构。移载传送机构从载置在载体载置台的载体取出衬底，将取出的衬底搬送到衬底载置部。另外，移载传送机构将已利用处理区块进行过处理的衬底从衬底载置部送回载体。
日本专利特开2016-201526号公报中，公开了具备配置在ID区块与处理区块之间的交接区块的衬底处理***。交接区块具备在上下方向排列配置的多个衬底载置部(包含缓冲部)、及隔着多个衬底载置部配置的2个移换装置。2个移换装置排列配置在与ID区块及处理区块排列配置的方向(X方向)正交的方向(Y方向)上。2个移换机构通过各自在铅直方向移动，对上下方向排列配置的多个衬底载置部进行衬底的搬入搬出。
另外，日本专利特开平09-045613号公报中公开了一种衬底处理装置，该衬底处理装置中，涂布处理区块、匣盒台(相当于ID区块)及显影处理区块以该顺序在水平方向上呈直线状连结。匣盒台构成为能配置收容未处理的衬底及已处理的衬底的任一种的4个匣盒。另外，在涂布处理区块与匣盒台的边界部分，设置着衬底的对位用第1衬底载置部，并且在匣盒台与显影处理区块的边界部分设置着衬底的对位用第2衬底载置部。匣盒台的1个搬送机构经由这些衬底载置部向涂布处理区块及显影处理区块搬送衬底。此外，各区块并非在上下方向包含多个处理层而是由单一的处理层构成。
发明内容
[发明要解决的问题]
然而，以往的装置具有以下问题。即，以往的装置如日本专利特开2016-201526号公报所记载，具备上下方向排列配置的2个处理层。移换装置为了在2个处理层间移动衬底，利用在上下方向排列配置的多个衬底载置部来移换衬底。这里，移换装置及多个衬底载置部设置在配置于ID区块与处理区块之间的交接区块。因此，交接区块使衬底处理***的占据面积变大。
本发明是鉴于这种情况而完成，目的在于提供一种能够抑制占据面积的衬底处理***及衬底搬送方法。
[解决问题的技术手段]
本发明为了达成这种目的，采用如下构成。即，本发明的衬底处理***具备：移载传送区块，设置着用来载置能收纳衬底的载体的载置台；第1处理装置，具有配置在上下方向的多个处理层；及第2处理装置，具有配置在上下方向的多个处理层。所述第1处理装置、所述移载传送区块及所述第2处理装置以该顺序在水平方向连结。所述移载传送区块能够对载置在所述载置台的载体取放衬底，在内部具有搬送衬底的第1移载传送机构、及载置多个衬底的衬底缓冲区。所述第1移载传送机构在所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底。
根据本发明的衬底处理***，能够抑制衬底处理***的占据面积。即，移载传送区块的第1移载传送机构能够对载置在载置台的载体取放衬底。进而，第1移载传送机构在第1处理装置及第2处理装置的位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底。因此，可以无须像现有技术那样在移载传送区块与处理区块之间设置用于在上下方向的2个处理层间移动衬底的交接区块。因此，能够抑制衬底处理***的占据面积。
另外，所述衬底处理***中，优选以如下方式构成。所述第1处理装置及所述第2处理装置各自的处理层具备搬送衬底的衬底搬送机构、及对衬底进行规定处理的处理单元。当所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于相同高度位置的2个处理层间搬送衬底时，位于各处理层的衬底搬送机构经由所述衬底缓冲区交接衬底。另外，当所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底时，所述第1移载传送机构在位于与各处理层对应的高度位置的所述衬底缓冲区的2个缓冲部间搬送衬底。
在横穿移载传送区块，当在位于相同高度位置的2个处理层间搬送衬底时，能够不使用第1移载传送机构而是使用衬底缓冲区进行衬底的交接。另外，当在位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底时，能够使用第1移载传送机构及衬底缓冲区进行衬底的交接。此外，如果能够不使用第1移载传送机构搬送衬底，便能够减轻第1移载传送机构的负担。
另外，所述衬底处理***中，优选以如下方式构成。所述第1处理装置及所述第2处理装置各自的处理层具备搬送衬底的衬底搬送机构、及对衬底进行规定处理的处理单元。当在所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底时，所述第1移载传送机构不经由所述衬底缓冲区而是在所述2个处理层的2个处理单元间直接搬送衬底。
由此，第1处理装置的处理层的衬底搬送机构能够省略从第1处理装置内的处理单元取出衬底，将取出的衬底搬送到衬底缓冲区的动作。另外，第2处理装置的处理层的衬底搬送机构能够省略从第2处理装置内的处理单元取出衬底，将取出的衬底搬送到衬底缓冲区的动作。因此，能够减轻2个处理层的衬底搬送机构的负担。
另外，所述衬底处理***中，优选当在所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于相同高度位置的2个处理层间搬送衬底时，位于各处理层的衬底搬送机构经由所述衬底缓冲区交接衬底。由此，当在横穿移载传送区块在位于相同高度位置的2个处理层间搬送衬底的时，能够不使用第1移载传送机构搬送衬底。因此，能够减轻第1移载传送机构的负荷。
另外，所述衬底处理***中，优选所述第1移载传送机构不经由所述衬底缓冲区，而是从载置在所述载置台的载体向所述第1处理装置及所述第2处理装置的至少一个的处理层的处理单元直接搬送衬底。由此，处理层的衬底搬送机构能够省略从衬底缓冲区取出衬底，将取出的衬底搬送到处理层的处理单元的动作。因此，能够减轻处理层的衬底搬送机构的负担。
另外，所述衬底处理***中，优选所述第1移载传送机构从载置在所述载置台的载体同时取出多片衬底，不经由所述衬底缓冲区，而向所述第1处理装置及所述第2处理装置的至少一个的处理层的处理单元逐片地直接搬送衬底。第1移载传送机构从载体同时取出2片衬底。通过将这2片衬底逐片地搬送到处理单元，能够减少载体到处理单元的往返移动次数。因此，能够提升衬底的搬送效率。
另外，所述衬底处理***中，优选所述第1移载传送机构不经由所述衬底缓冲区，而是从所述第1处理装置及所述第2处理装置的至少一个的处理层的所述处理单元向载置在所述载置台的载体直接搬送衬底。由此，处理层的衬底搬送机构能够省略从处理单元取出衬底，将取出的衬底搬送到衬底缓冲区的动作。因此，能够减轻处理层的衬底搬送机构的负担。
另外，所述衬底处理***中，优选以如下方式构成。所述第1处理装置及所述第2处理装置各自的处理层具备搬送衬底的衬底搬送机构、及对衬底进行规定处理的处理单元。当在所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底时，所述第1移载传送机构在所述衬底缓冲区与所述2个处理层的一个的处理单元之间直接搬送衬底。由此，2个处理层的一个的处理单元所在的处理层的衬底搬送机构能够省略在该单元与衬底缓冲区之间搬送衬底的动作。
另外，所述衬底处理***中，优选以如下方式构成。所述移载传送区块进而具备搬送衬底的第2移载传送机构。所述第2移载传送机构隔着所述衬底缓冲区配置在所述第1移载传送机构的相反侧。所述第1移载传送机构及所述第2移载传送机构配置在与所述第1处理装置及第2处理装置排列配置的方向正交的方向上。由此，能够减轻第1移载传送机构的负担。另外，能够向衬底处理***内送入多个衬底，能够从衬底处理***内取出多个衬底。
另外，所述衬底处理***中，优选还具备邻接处理单元，所述邻接处理单元邻接于所述第1移载传送区块，配置在所述第1处理装置及所述第2处理装置的至少一个的处理层，利用所述第1移载传送机构不经由所述衬底缓冲区而向所述邻接处理单元直接搬送衬底。由此，处理层的衬底搬送机构能够省略从衬底缓冲区取出衬底，将取出的衬底搬送到处理层的邻接处理单元的动作。因此，能够减轻处理层的衬底搬送机构的负担。
另外，本发明的衬底搬送方法是衬底处理***的衬底搬送方法，所述衬底处理***具备：移载传送区块，设置着用来载置能收纳衬底的载体的载置台；第1处理装置，具有配置在上下方向的多个处理层；及第2处理装置，具有配置在上下方向的多个处理层。所述第1处理装置、所述移载传送区块及所述第2处理装置以该顺序在水平方向上连结。所述移载传送区块能够对载置在所述载置台的载体取放衬底，在内部具有搬送衬底的第1移载传送机构、及载置多个衬底的衬底缓冲区。所述衬底搬送方法具备利用所述第1移载传送机构，在所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底的步骤。
根据本发明的衬底处理方法，能够抑制衬底处理***的占据面积。即，移载传送区块的第1移载传送机构能够对载置在载置台的载体取放衬底。进而，第1移载传送机构在第1处理装置及第2处理装置的位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底。因此，可以无须像现有技术那样在移载传送区块与处理区块之间设置用于在上下方向的2个处理层间移动衬底的交接区块。因此，能够抑制衬底处理***的占据面积。
[发明的效果]
根据本发明的衬底处理***及衬底搬送方法，能够抑制占据面积。
附图说明
为了对发明进行说明，图示现在认为较好的若干种形态，但应当理解的是发明并不限定于图示的构成及方案。
图1是实施例1的衬底处理装置的纵剖视图。
图2是实施例1的衬底处理装置的横剖视图。
图3是实施例1的衬底处理装置的俯视图。
图4是表示移载传送区块的衬底搬送机构的图。
图5是2个机器手及进退驱动部的俯视图。
图6是实施例1的衬底处理装置的右侧视图。
图7是实施例1的衬底处理装置的左侧视图。
图8是用于对能够从两个方向搬送衬底的热处理部进行说明的图。
图9是表示衬底处理装置的处理步骤的一例的流程图。
图10是用于对衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
图11是表示实施例2的衬底处理装置的左侧视图。
图12是用于对实施例2的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
图13是表示实施例3的衬底处理装置的右侧视图。
图14是表示实施例3的衬底处理装置的左侧视图。
图15是表示衬底处理装置的处理步骤的一例的流程图。
图16是用于对实施例3的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
图17A、图17B是用于对变化例的动作进行说明的图。
图18是用于对变化例的构成进行说明的图。
图19是表示变化例的衬底处理装置的左侧视图。
具体实施方式
[实施例1]
以下，参照附图对本发明的实施例1进行说明。图1是实施例1的衬底处理装置1的纵剖视图。图2是实施例1的衬底处理装置1的横剖视图。图3是实施例1的衬底处理装置1的俯视图。
＜衬底处理装置1的构成＞
参照图1。衬底处理装置(衬底处理***)1具备ID区块(移载传送区块)2、第1处理区块3、第2处理区块5、接口区块(以下适当称为“IF区块”)6及载体缓冲区装置8。第1处理区块3、ID区块2、第2处理区块5及IF区块6以该顺序在水平方向上呈直线状连结。
此外，图1、图2中，符号PP表示例如用于收容用来输送处理液的配管及电线等的收容区块。另外，本实施例中，第1处理区块3相当于本发明的第1处理装置。第2处理区块5及IF区块6相当于本发明的第2处理装置。
另外，如图2所示，衬底处理装置1具备控制部9及操作部10。控制部9具备例如中央运算处理装置(CPU，Central Processing Unit)。控制部9控制衬底处理装置1的各构成。操作部10具备显示部(例如液晶显示器)、存储部及输入部。存储部例如具备ROM(Read-OnlyMemory，只读存储器)、RAM(Random-Access Memory，随机存取存储器)、及硬盘的至少1个。输入部具备键盘、鼠标、触摸面板及各种按钮的至少1个。存储部中存储着衬底处理的各种条件及衬底处理装置1的控制所需的动作程序等。
(1-1)ID区块2的构成
如图2、图3所示，ID区块2具备4个开启器(载体载置部)11～14、2个衬底搬送机构(机器人)MHU1、MHU2、及衬底缓冲区BF。2个衬底搬送机构MHU1、MHU2与衬底缓冲区BF配置在ID区块2的内部。此外，衬底搬送机构MHU1相当于本发明的第1移载传送机构。衬底搬送机构MHU2相当于本发明的第2移载传送机构。
(1-1-1)开启器11～14等的构成
4个开启器11～14设置在ID区块2的外壁。2个开启器11、12以第1衬底搬送机构MHU1能够对载体C取放衬底W的方式配置在第1衬底搬送机构MHU1周围。图2、图3中，2个开启器11、12以隔着衬底搬送机构MHU1的方式配置在前后方向(X方向)。与2个开启器11、12同样地，2个开启器13、14以第2衬底搬送机构MHU2能够对载体C取放衬底W的方式配置在第2衬底搬送机构MHU2周围。2个开启器13、14以隔着第2衬底搬送机构MHU2的方式配置在前后方向。
如图1所示，4个开启器11～14分别如图2所示，具备载置台16、开口部18、挡板部件(未图示)、及挡板部件驱动机构(未图示)。载置台16用于载置载体C。
载体C能够收纳多片(例如25片)衬底W。载体C例如使用晶圆搬送盒(FOUP：FrontOpen Unified Pod)、SMIF(Standard Mechanical Inter Face，标准机械接口)盒。即，载体C例如使用如下构件，其具备：载体主体，设置着用于取放衬底W的开口部，收纳衬底W；及盖部，用于封闭开口部。
开口部18用于使衬底W通过。挡板部件进行开口部18的开闭，并且进行盖部相对于载体C的载体主体的装卸。挡板部件驱动部具备电动马达，驱动挡板部件。挡板部件于将盖部从载体主体卸下后，例如使其沿开口部18向水平方向(Y方向)或下方向(Z方向)移动。
载置台16配置在第1处理区块3及第2处理区块5的上方。具体来说，2个开启器11、13的各载置台16配置在比第1处理区块3更上方的位置。另外，2个开启器12、14的各载置台16配置在比第2处理区块5更上方的位置。此外，2个开启器11、13的各载置台16可以设置在第1处理区块3的上表面或顶上。另外，2个开启器12、14的各载置台16可以设置在第2处理区块5的上表面或顶上。
(1-1-2)衬底搬送机构MHU1、MHU2的构成
如图2所示，2个衬底搬送机构MHU1、MHU2以隔着衬底缓冲区BF的方式配置。即，第2衬底搬送机构MHU2隔着衬底缓冲区BF配置在第1衬底搬送机构MHU1的相反侧。另外，2个衬底搬送机构MHU1、MHU2配置在与第1处理区块3及第2处理区块5排列配置的方向(X方向)正交的方向(Y方向)。
第1衬底搬送机构MHU1能够在载置于2个开启器11、12的各载置台16的载体C与衬底缓冲区BF之间搬送衬底W。另外，第1衬底搬送机构MHU1能够在载置于2个开启器11、12的各载置台16的载体C与后述热处理部37之间直接搬送衬底W。另一方面，第2衬底搬送机构MHU2能够在载置于2个开启器13、14的各载置台16的载体C与衬底缓冲区BF之间搬送衬底W。
参照图4、图5。2个衬底搬送机构MHU1、MHU2各自具备2个机器手21、进退驱动部23、及升降旋转驱动部25。2个机器手21分别保持衬底W。2个机器手21能够各自在水平方向进退。因此，能够从载体C取出1片衬底W，或同时取出2片衬底W。
如图5所示，机器手21具有1个基础部分21A、从该基础部分21A分出的2个前端部分21B、21C，构成为如Y字状、U字状或双岔的叉状。在基础部分21A及2个前端部分21B、21C，设置着通过吸附衬底W来保持衬底W的吸附部27A、27B、27C。3个吸附部27A～27C例如构成为被经由配管连接的泵赋予吸附力。此外，2个衬底搬送机构MHU1、MHU2分别具备2个机器手21，也可以具备3个以上机器手21。
进退驱动部23支撑各机器手21使它们能够移动，并且使各机器手21进退移动。进退驱动部23为了驱动1个机器手21，例如具备电动马达、直线状的螺旋轴、具有与螺旋轴啮合的孔部的可动部件、及引导可动部件的引导部。
升降旋转驱动部25通过使进退驱动部23升降及旋转来使2个机器手21升降及旋转。如图4所示，升降旋转驱动部25具备支柱部25A及旋转部25B。支柱部25A以在上下方向延伸的方式设置。支柱部25A固定在ID区块2的底板部。因此，支柱部25A、即升降旋转驱动部25的水平方向(XY方向)的位置被固定而不会移动。旋转部25B使进退驱动部23绕铅直轴AX1旋转。利用升降旋转驱动部25进行的升降及旋转是用电动马达驱动的。
(1-1-3)衬底缓冲区BF的构成
衬底缓冲区BF载置多个衬底W。如图2所示，衬底缓冲区BF配置在第1处理区块3与第2处理区块5的中间(中央)。由此，第1处理区块3的衬底搬送机构MHU3及第2处理区块5的衬底搬送机构MHU4能够共同对衬底缓冲区BF取放衬底W。即，包括ID区块2的2台衬底搬送机构MHU1、MHU2在内的4台衬底搬送机构MHU1～MHU4能够从4个方向交替取走载置在衬底缓冲区BF的衬底W。
如图1所示，衬底缓冲区BF具备3个缓冲区部BU1～BU3。3个缓冲区部BU1～BU3在上下方向配置成1列。3个缓冲部BU1～BU3各自为了载置衬底W，具备配置在上下方向的多个(例如15个)衬底载置部(未图示)。
第1缓冲部BU1设置在与第1处理区块3的处理层B2及第2处理区块5的处理层C2相同的层级(即第1层)。第2缓冲部BU2设置在与第1处理区块3的处理层B1及第2处理区块5的处理层C1相同的层级(即第2层)。第3缓冲部BU3设置在与第1处理区块3的处理层A1及第2处理区块5的处理层A2相同的层级(即第3层)。
此外，图1中，第1处理区块3的3个处理层B2、B1、A1中的例如处理层A1配置在与第2处理区块5的3个处理层C2、C1、A2中的处理层A2相同的层级(相同高度位置)。同样地，处理层B1配置在与处理层C1相同的层级。处理层B2配置在与处理层C2相同的层级。另外，2个处理层A1、A2的层级与4个处理层B1、B2、C1、C2不同。
(1-2)处理区块3、5的构成
参照图1、图2。第1处理区块3具备3个处理层B2、B1、A1。3个处理层B2、B1、A1以堆积的方式配置在上下方向。另外，第2处理区块5具备3个处理层C2、C1、A2。3个处理层C2、C1、A2以堆积的方式配置在上下方向。例如，2个处理层A1、A2对衬底W形成抗反射膜。2个处理层B1、B2对衬底W形成光阻膜。另外，2个处理层C1、C2对衬底W进行显影处理。3个处理层A1、B1、C1对衬底W进行与3个处理层A2、B2、C2的处理相同的处理。
本实施例中，第1处理区块3具备3个处理层B2、B1、A1，第2处理区块5具备3个处理层C2、C1、A2。然而，处理层并不限定于3个。即，第1处理区块3具备多个处理层，且第2处理区块5具备多个处理层即可。
3个处理层B2、B1、A1分别具备衬底搬送机构MHU3、多个液体处理单元36、多个热处理部37、及搬送空间39(参照图2)。另外，3个处理层C2、C1、A2分别具备衬底搬送机构MHU4、多个液体处理单元36、多个热处理部37、及搬送空间39。搬送空间39在俯视下为X方向较长的长方形的空间。衬底搬送机构MHU3、MHU4分别配置在搬送空间39。液体处理单元36与热处理部37以隔着搬送空间39的方式配置。另外，液体处理单元36与热处理部37分别沿搬送空间39的长边方向(X方向)配置。
(1-2-1)衬底搬送机构MHU3、MHU4的构成
衬底搬送机构MHU3、MHU4分别搬送衬底W。衬底搬送机构MHU3、MHU4分别具备2个机器手41、进退驱动部43、旋转驱动部45、第1移动机构47及第2移动机构48。2个机器手41、进退驱动部43及旋转驱动部45例如分别与第1衬底搬送机构MHU1的2个机器手21、进退驱动部23、旋转部25B同样地构成。也就是说，2个机器手41分别保持衬底W。2个机器手41分别具有1个基础部分、及从该基础部分分出的2个前端部分。在基础部分及2个前端部分分别设置着用于吸附衬底W来保持衬底W的吸附部。
2个机器手41分别能够移动地安装在进退驱动部43。进退驱动部43使2个机器手41各自进退。旋转驱动部45使进退驱动部43绕铅直轴AX3旋转。由此，能够改变2个机器手41的朝向。第1移动机构47能够使旋转驱动部45在图1的前后方向(X方向)移动。第2移动机构48能够使第1移动机构47在图1的上下方向(Z方向)移动。利用2个移动机构47、48能够使2个机器手41及进退驱动部43在XZ方向移动。
进退驱动部43、旋转驱动部45、第1移动机构47及第2移动机构48分别具备电动马达。
(1-2-2)液体处理单元36的构成
图6是衬底处理装置1的右侧视图。6个处理层A1、A2、B1、B2、C1、C2(以下适当称为“6个处理层(A1等)”)分别具备8个液体处理单元36。8个液体处理单元36可以配置成上下方向2段×水平方向4列。图6中，例如，2个处理层A1、A2分别具备8个涂布单元BARC。2个处理层B1、B2分别具备8个涂布单元PR。另外，2个处理层C1、C2分别具备8个显影单元DEV。此外，液体处理单元36的个数及种类视需要变更。
如图2所示，液体处理单元36(涂布单元BARC、PR及显影单元DEV)分别具备保持旋转部51、喷嘴52及喷嘴移动机构53。保持旋转部51例如通过真空吸附保持衬底W的下表面，使保持的衬底W绕铅直轴(Z方向)旋转。喷嘴52对衬底W喷出处理液(例如用于形成抗反射膜的液体、光阻液、或显影液)。喷嘴52经由配管连接在处理液供给源，在配管设置着泵及开闭阀。喷嘴移动机构53使喷嘴52移动到任意位置。保持旋转部51及喷嘴移动机构53分别具备例如电动马达。
(1-2-3)热处理部37的构成
图7是衬底处理装置1的左侧视图。6个处理层(A1等)分别可以具备24个热处理部37。24个热处理部37配置成4段×6列。热处理部37为了对衬底W进行热处理(规定处理)，具备载置衬底W的板57(参照图2)。热处理部37为了加热板57，例如具备电热器等加热器。另外，热处理部37为了冷却板57，例如具备水冷式循环机构或珀尔帖元件。
热处理部37包含主要进行加热处理及冷却处理的原本的热处理部、作为不进行加热处理及冷却处理的处理单元的边缘曝光部EEW及***LSCM1、LSCM2。本实施例中，将液体处理单元36以外的处理单元称为热处理部37。
图7中，2个处理层A1、A2分别具备例如4个冷却部CP及8个加热处理部PAB。冷却部CP冷却衬底W。加热处理部PAB对涂布后的衬底W进行烘烤处理。图7中，2个处理层A1、A2各自的4个冷却部CP与ID区块2邻接配置。于是，本实施例中将与ID区块2邻接配置的单元称为“邻接处理单元AD”。在这4个冷却部CP(邻接处理单元AD)，为了从两个方向进行衬底W的取放，例如设置着2个衬底搬入口59A、59B(参照图8)。
如图7、图8所示，在配置了4个冷却部CP的处理层A1，处理层A1的衬底搬送机构MHU3能够通过衬底搬入口59A向冷却部CP的板57A搬送衬底W，并且ID区块2的衬底搬送机构MHU1能够通过衬底搬入口59B向该板57A搬送衬底W。另外，在处理层A2，处理层A2的衬底搬送机构MHU4能够通过衬底搬入口59A向冷却部CP的板57B搬送衬底，并且ID区块2的衬底搬送机构MHU1能够通过衬底搬入口59B向该板57B搬送衬底W。此外，在热处理部37是冷却部CP的情况下，如图8所示，板57可以是1个。
另外，2个处理层B1、B2分别具备例如4个冷却部CP及8个加热处理部PAB。进而，2个处理层C1、C2分别具备4个冷却部CP、4个曝光后烘烤处理部PEB、8个后烘烤部PB、2个边缘曝光部EEW、及2个***LSCM1、LSCM2。
曝光后烘烤处理部PEB对曝光后的衬底W进行烘烤处理。后烘烤部PB对显影处理后的衬底W进行烘烤处理。边缘曝光部EEW进行衬底W的周边部的曝光处理。2个***LSCM1、LSCM2分别具备CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)相机或影像传感器。***LSCM1检查涂布膜(例如光阻膜)。***LSCM2检查显影后的衬底W。
此外，6个处理层(A1等)的至少1个可以具备密接强化处理部AHP。密接强化处理部AHP将六甲基二矽氮烷(HMDS)等密接强化剂涂布在衬底W并进行加热。加热处理部PAB、曝光后烘烤处理部PEB、后烘烤部PB、及密接强化处理部AHP分别具有冷却功能。另外，热处理部37的个数、种类及位置适当变更。
(1-3)IF区块6的构成
IF区块6连结于第2处理区块5。IF区块6对作为外部装置的曝光装置EXP进行衬底W的搬出及搬入。如图1、图2、图6、图7所示，IF区块6具备3个衬底搬送机构HU5～HU7、曝光前清洗单元161、曝光后清洗单元SOAK、曝光后烘烤处理部PEB、缓冲部PSB4、PSB5、载置兼冷却部P-CP及衬底载置部PS9。
此外，清洗单元161、SOAK具备保持衬底W的保持旋转部、及例如对衬底W喷出清洗液的喷嘴。另外，处理前清洗单元161可以使用刷子等进行衬底W的背面及端部(斜角部)的抛光处理。此外，衬底W的背面是指例如与形成电路图案的面为相反侧的面。缓冲部PSB4、PSB5分别能够载置多个衬底W。
如图2所示，2个衬底搬送机构HU5、HU6排列配置在与X方向正交的Y方向。另外，2个衬底搬送机构HU5、HU6隔着能够载置多个衬底W的缓冲区部PSB4配置。第7衬底搬送机构HU7隔着(横穿)2个衬底搬送机构HU5、HU6配置在第2处理区块5的相反侧。也就是说，在第7衬底搬送机构HU7与第2处理区块5之间配置着2个衬底搬送机构HU5、HU6。在3个衬底搬送机构HU5～HU7之间配置着多个载置兼冷却部P-CP及衬底载置部PS9。多个载置兼冷却部P-CP及衬底载置部PS9配置在上下方向。衬底载置部PS9构成为能够载置多个衬底W。
第5衬底搬送机构HU5在曝光前清洗单元161(参照图2的箭头RS侧、图6)、曝光后清洗单元SOAK(箭头RS侧)、曝光后烘烤处理部PEB(箭头RS侧)、缓冲区部PSB4、PSB5、载置兼冷却部P-CP及衬底载置部PS9之间搬送衬底W。第6衬底搬送机构HU6在曝光前清洗单元161(参照图2的箭头LS侧、图7)、曝光后清洗单元SOAK(箭头LS侧)、曝光后烘烤处理部PEB(箭头LS侧)、缓冲区部PSB4、PSB5、载置兼冷却部P-CP及衬底载置部PS9之间搬送衬底W。第7衬底搬送机构HU7在曝光装置EXP、载置兼冷却部P-CP及衬底载置部PS9之间搬送衬底W。
3个衬底搬送机构HU5～HU7分别具备机器手21、进退驱动部23及升降旋转驱动部58。机器手21及进退驱动部23与例如衬底搬送机构MHU1的机器手21及进退驱动部23同样地构成。升降旋转驱动部58具备电动马达，使机器手21及进退驱动部23升降，另外，使机器手21及进退驱动部23绕铅直轴旋转。
(1-4)载体缓冲区装置8的构成
如图1、图3所示，载体缓冲区装置8具备载体搬送机构61及载体保管架63。载体搬送机构61及载体保管架63(即载体缓冲区装置8)搭载在ID区块2及2个处理区块3、5之上。载体搬送机构61在4个开启器11～14各自的载置台16与载体保管架63之间搬送载体C。载体保管架63保管载体C。此外，载体搬送机构61及载体保管架63也可以分别搭载在ID区块2及2个处理区块3、5的至少1个之上。另外，载体搬送机构61及载体保管架63也可以分别搭载在IF区块6之上。
参照图3。载体搬送机构61具备2个多关节臂65、66。在第1多关节臂65的一端设置着握持部67，在第2多关节臂66的一端设置着握持部68。第1多关节臂65的另一端由支柱状的升降驱动部69支撑，能够在上下方向(Z方向)移动，第2多关节臂66的另一端由升降驱动部69支撑，能够在上下方向移动。
2个握持部67、68分别例如以握持载体C的上表面设置的突起部的方式构成。升降驱动部69以使2个多关节臂65、66能个别地升降的方式构成。2个把持部67、68、2个多关节臂65、66及升降驱动部69分别具备电动马达。
前后驱动部70具备支撑升降驱动部69的支撑部70A、在前后方向(X方向)较长地延伸的长边部70B、及电动马达。例如，长边部70B可以是轨道(引导轨道)，支撑部70A可以是台车。在该情况下，可以构成为利用电动马达使台车(支撑部70A)沿轨道(长边部70B)移动。
另外，例如电动马达、多个滑轮、传送带及引导轨道可以内置于长边部70B，支撑部70A可以固定于传送带。在该情况下，利用电动马达使滑轮旋转，从而使挂设于多个滑轮的传送带移动，由此使支撑部70A沿引导轨道移动。另外，例如也可以是电动马达、螺旋轴及引导轨道内置于长边部70B，与螺旋轴啮合的螺帽部设置在支撑部70A。在该情况下，可以利用电动马达使螺旋轴，由此使支撑部70A沿引导轨道移动。
另外，载体保管棚63从外部搬送机构OHT(Overhead Hoist Transport，高架起重机运输)接收收纳着未处理的衬底W的载体C。另外，载体保管棚63将收纳着处理后的衬底W的载体C交付给外部搬送机构OHT。外部搬送机构OHT在工厂内搬送载体C。未处理的衬底W是指尚未利用本实施例中的衬底处理装置1进行衬底处理的衬底W，处理后的衬底W是指已经利用本实施例中的衬底处理装置1进行过衬底处理的衬底W。在载体保管棚63的一部分的上方，设置着外部搬送机构OHT的轨道77。外部搬送机构OHT对载体保管棚63进行载体C的交接。载体搬送机构61能够在载置台16及各棚63之间自由移动载体C。
(2)衬底处理装置1的动作
其次，对衬底处理装置1的动作进行说明。图9是表示衬底处理装置1的处理步骤的一例的流程图。图10是用于对衬底处理装置1的动作进行说明的流程图。
图3所示的载体搬送机构61将利用外部搬送机构OHT搬送的收纳着未处理的衬底W的载体C搬送到开启器11、12的一个。在本说明中，将载体C搬送到开启器11。挡板部件及挡板部件驱动机构(均未图示)卸除载置在开启器11的载置台16的载体C的盖部，使开口部18敞开。
[步骤S11]从载体C向处理层A1(A2)直接搬送衬底W
ID区块2的衬底搬送机构MHU1不经由缓冲部BU3(衬底缓冲区BF)，而是从载置在开启器11的载置台16的载体C向第1处理区块3的处理层A1的4个冷却部CP的至少1个直接搬送衬底W。因此，从载体C取出的衬底W通过图8所示的衬底搬入口59B被搬送到冷却部CP的板57A。由此，能够省略处理层A1的衬底搬送机构MHU3从缓冲部BU3取出衬底W，将取出的衬底W通过衬底搬入口59A搬送到冷却部CP的板57A的动作。因此，减轻了处理层A1的衬底搬送机构MHU3搬送衬底的负荷。
此外，ID区块2的衬底搬送机构MHU1具有2个机器手21。衬底搬送机构MHU1使用2个机器手21从载体C同时取出2片衬底W，不经由缓冲部BU3而向第1处理区块3的处理层A1的2个冷却部CP的各板57A逐片地直接搬送衬底W。由此，能够减少衬底搬送机构MHU1的往返移动次数。另外，衬底搬送机构MHU1向处理层A1搬送2片衬底W后，衬底搬送机构MHU1向处理层A2的4个冷却部CP(邻接处理单元AD)中的2个冷却部CP的各板57B逐片地直接搬送从载体C同时取出的2片衬底W。即，衬底搬送机构MHU1向2个处理层A1、A2交替地搬送从载体C取出的2片衬底W。此外，也可以将同时取出的2片衬底W中的1片搬送到处理层A1的冷却部CP，并将1片搬送到处理层A2的冷却部CP。
另外，从载体C取出全部衬底W后，将变空的载体C搬送到2个开启器13、14的一个(例如开启器13)。
[步骤S12]利用处理层A1(A2)形成抗反射膜
处理层A1在从载体C搬送来的衬底W上形成抗反射膜。具体进行说明。对于利用衬底搬送机构MHU1直接搬送来的衬底W，利用冷却部CP进行冷却处理。处理层A1的衬底搬送机构MHU3从冷却部CP取出衬底W，将取出的衬底W依序搬送到涂布单元BARC、加热处理部PAB、缓冲部BU3。涂布单元BARC对衬底W形成抗反射膜。此外，处理层A2与处理层A1进行同样的处理。
[步骤S13]在位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底
衬底搬送机构MHU3将形成了抗反射膜的衬底W搬送到缓冲部BU3。ID区块2的衬底搬送机构MHU2从缓冲部BU3向缓冲部BU2搬送衬底W。即，当在位于不同高度位置的2个处理层A1、B1间搬送衬底W时，衬底搬送机构MHU2在位于与各处理层A1、B1对应的高度位置的2个缓冲部BU3、BU2间搬送衬底W。其后，处理层B1的衬底搬送机构MHU3从缓冲部BU2取出衬底W。此外，当在位于不同高度位置的2个处理层A2、B2间搬送衬底W时，衬底搬送机构MHU2从缓冲部BU3向缓冲部BU1搬送衬底W。通过这些动作，能够向与处理层A1、A2的层级(第3层)不同的层级(第1层、第2层)的处理层B1、B2搬送衬底W。另外，可以由衬底搬送机构MHU1从缓冲部BU3向缓冲部BU2(BU1)搬送衬底。
[步骤S14]利用处理层B1(B2)形成光阻膜
处理层B1在从不同高度位置的处理层A1搬送来的衬底W上形成光阻膜。即，处理层B1的衬底搬送机构MHU3将从缓冲部BU2取出的衬底W依序搬送到冷却部CP、涂布单元PR、加热处理部PAB。涂布单元PR在衬底W上(即抗反射膜上)形成光阻膜。此外，处理层B2与处理层B1进行同样的处理。
[步骤S15]在位于相同高度位置的2个处理层间搬送衬底
其后，处理层B1的衬底搬送机构MHU3将形成了光阻膜的衬底W搬送到缓冲部BU2。处理层C1位于与处理层B1相同的高度位置(第2层)。处理层C1的衬底搬送机构MHU4从缓冲部BU2接收由处理层B1的衬底搬送机构MHU3搬送的衬底W。即，当在位于相同高度位置的2个处理层B1、C1间搬送衬底W时，位于各处理层B1、C1的衬底搬送机构MHU3、MHU4经由缓冲部BU2交接衬底W。不使用ID区块2的2个衬底搬送机构MHU1、MHU2从处理层B1向处理层C1搬送衬底。由此，能够减轻2个衬底搬送机构MHU1、MHU2搬送衬底的负担。
此外，同样地，处理层B2的衬底搬送机构MHU3向缓冲部BU1搬送衬底W。其后，处理层C2的衬底搬送机构MHU4从缓冲部BU1接收由处理层B2的衬底搬送机构MHU3搬送的衬底W。
[步骤S16]利用处理层C1(C2)搬送衬底
处理层C1的衬底搬送机构MHU4将从缓冲部BU2接收的衬底W依序搬送到***LSCM1、边缘曝光部EEW、缓冲部PSB4。同样地，处理层C2的衬底搬送机构MHU4将从缓冲部BU1接收的衬底W依序搬送到***LSCM1、边缘曝光部EEW、缓冲部PSB5。***LSCM1对光阻膜(涂布膜)进行检查及测定。
[步骤S17]利用IF区块6搬送衬底
IF区块6将利用处理层C1(C2)搬送来的衬底W搬出到曝光装置EXP。另外，IF区块6将已用曝光装置EXP进行过曝光处理的衬底W搬入IF区块6。
2个衬底搬送机构HU5、HU6分别从缓冲部PSB4(PSB5)接收衬底W。2个衬底搬送机构HU5、HU6分别将接收的衬底W依序搬送到曝光前清洗单元161(图6、图7)、载置兼冷却部P-CP(图1)。衬底搬送机构HU7从载置兼冷却部P-CP接收衬底W，将接收的衬底W搬出到曝光装置EXP。对于搬出的衬底W，曝光装置EXP进行曝光处理。IF区块6的衬底搬送机构HU7将已利用曝光装置EXP进行过处理的衬底W搬入IF区块6，将搬入的衬底W搬送到衬底载置部PS9。其后，2个衬底搬送机构HU5、HU6分别从衬底载置部PS9接收衬底W。2个衬底搬送机构HU5、HU6分别将接收的衬底W依序搬送到曝光后清洗单元SOAK、曝光后烘烤处理部PEB、缓冲部PSB4(PSB5)。
此外，从处理层C1搬送来的衬底W送回处理层C1。从处理层C2搬送来的衬底W送回处理层C2。
[步骤S18]利用处理层C1(C2)进行的显影处理
处理层C1的衬底搬送机构MHU4从缓冲部PSB4接收衬底W，将接收的衬底W依序搬送到冷却部CP、显影单元DEV、后烘烤部PB、***LSCM2、缓冲部BU2。显影单元DEV对已利用曝光装置EXP进行过曝光处理的衬底W进行显影处理。***LSCM2对显影后的衬底W进行检查。
此外，处理层C2与处理层C1进行同样的处理。处理层C2将显影后的衬底W最终搬送到缓冲部BU1。另外，在步骤S17中利用曝光后烘烤处理部PEB进行处理，但也可以在本步骤中进行曝光后的烘烤处理。
[步骤S19]从处理层C1(C2)向载体C搬送衬底
ID区块2的衬底搬送机构MHU2从缓冲部BU2(BU1)取出衬底W，将取出的衬底W搬送到载置在2个开启器13、14的一个(例如开启器13)的载置台16的载体C。此外，衬底搬送机构MHU2从2个缓冲部BU1、BU2交替地取出衬底W，将取出的衬底W搬送到载置在载置台16的载体C。当将所有衬底W送回载体C时，挡板部件及挡板驱动机构在载体C安装盖，并封闭开口部18。其后，载体搬送机构61交付到外部搬送机构OHT，因此从开启器13搬送收纳着处理后的衬底W的载体C。
根据本实施例，能够抑制衬底处理装置1的占据面积。具体进行说明。ID区块2的衬底搬送机构MHU2(MHU1)能够对载置在载置台16的载体C取放衬底W。进而，衬底搬送机构MHU2(MHU1)在第1处理区块3及第2处理区块5的位于不同高度位置的例如2个处理层A1、B1间搬送衬底W。因此，可以无须像现有技术那样在移载传送区块与处理区块之间设置用于在上下方向的2个处理层间移动衬底的交接区块。因此，能够抑制衬底处理装置1的占据面积。
另外，当横穿ID区块2在位于相同高度位置的例如2个处理层B1、C1间搬送衬底W时，能够不使用2个衬底搬送机构MHU1、MHU2而是使用衬底缓冲区BF进行衬底W的交接。另外，当在位于不同高度位置的例如2个处理层A1、B1间搬送衬底W时，例如能够使用第1衬底搬送机构MHU1及衬底缓冲区BF进行衬底W的交接。此外，如果能够不使用2个衬底搬送机构MHU1、MHU2搬送衬底W，便能够减轻2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的负担。
此外，本实施例中，ID区块2具备2台衬底搬送机构MHU1、MHU2。关于该方面，ID区块2可以只具备图2中配置在热处理部37侧的第1衬底搬送机构MHU1。图10所示的流程图的步骤S19中，第2衬底搬送机构MHU2例如从处理层C1向载置在载置台16的载体C搬送衬底W时，经由缓冲部BU2搬送衬底W。可以如下方式构成。例如处理层C1的***LSCM2可以构成为作为邻接处理单元AD，能够从两个方向(参照图8)取放衬底W。而且，ID区块2的衬底搬送机构MHU1可以从该处理层C1的***LSCM2向载体C直接搬送衬底W。
另外，ID区块2具备2台衬底搬送机构MHU1、MHU2，通常可以只用第1衬底搬送机构MHU1进行衬底搬送。并且，在紧急情况下，可以只用第2衬底搬送机构MHU2、或用2个衬底搬送机构MHU1、MHU2协作进行衬底搬送。
[实施例2]
其次，参照附图对本发明的实施例2进行说明。此外，省略与实施例1重复的说明。图11表示实施例2的衬底处理装置1的左侧视图。图12是用于对实施例2的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
实施例2中，对与实施例1不同的动作进行说明。此外，图11中，2个处理层A1、A2分别具备4个加热处理部PAB作为与ID区块2邻接的邻接处理单元AD。另外，2个处理层B1、B2分别具备4个冷却部CP作为邻接处理单元AD。进而，2个处理层C1、C2具备1个***LSCM2作为邻接处理单元AD。此外，对于图11所示的热处理部37，液体处理单元36以实施例1的图6所示的方式配置。如上所述，在邻接处理单元AD，为了从两个方向进行衬底W的取放，设置了2个衬底搬入口59A、59B(参照图8)。
实施例1中，衬底搬送机构MHU1从载体C取出衬底W，衬底搬送机构MHU2对载体C收纳衬底W。关于该方面，实施例2与实施例1相反，即衬底搬送机构MHU2从载体C取出衬底W，衬底搬送机构MHU1对载体C收纳衬底W。此外，也可以构成为衬底搬送机构MHU1从载体C取出衬底W。
[步骤S21]从载体C向处理层A1(A2)搬送衬底
载体C例如载置在开启器13的载置台16。ID区块2的衬底搬送机构MHU2从载置在开启器13的载置台16的载体C取出衬底W，将取出的衬底W搬送到缓冲部BU3。
[步骤S22]利用处理层A1(A2)形成抗反射膜
处理层A1在从载体C搬送来的衬底W上形成抗反射膜。处理层A1的衬底搬送机构MHU3从缓冲部BU3接收衬底W，将接收的衬底W依序搬送到冷却部CP、涂布单元BARC、加热处理部PAB。涂布单元BARC对衬底W形成抗反射膜。此外，处理层A2与处理层A1进行同样的处理。
[步骤S23]在位于不同高度位置的2个处理层间直接搬送衬底W
当在位于不同高度位置的例如2个处理层A1、B1间搬送衬底W时，第1衬底搬送机构MHU1不经由缓冲部BU3、BU2而是在处理层A1的加热处理部PAB与处理层B1的冷却部CP之间(2个处理单元间)直接搬送衬底W。即，第1衬底搬送机构MHU1从处理层A1的加热处理部PAB向处理层B1的冷却部CP直接搬送衬底W。由此，处理层A1的衬底搬送机构MHU3能够省略从加热处理部PAB取出衬底W，将取出的衬底W搬送到缓冲部BU3的动作。另外，处理层B1的衬底搬送机构MHU3能够省略从缓冲部BU2取出衬底W，将取出的衬底W搬送到冷却部CP的动作。因此，能够减轻2个处理层A1、B1的2个衬底搬送机构MHU3搬送衬底的负担。
此外，当在位于不同高度位置的2个处理层A2、B2间搬送衬底W时，衬底搬送机构MHU1不经由缓冲部BU3、BU1而是从处理层A2的加热处理部PAB向处理层B2的冷却部CP直接搬送衬底W。
[步骤S24]利用处理层B1(B2)形成光阻膜
处理层B1在从不同高度位置的处理层A1搬送来的衬底W上形成光阻膜。具体进行说明。利用冷却部CP对利用衬底搬送机构MHU1直接搬送来的衬底W进行冷却处理。处理层B1的衬底搬送机构MHU3将从冷却部CP取出的衬底W依序搬送到涂布单元PR、加热处理部PAB。涂布单元PR在衬底W上(即抗反射膜上)形成光阻膜。此外，处理层B2与处理层B1进行同样的处理。
[步骤S25]在位于相同高度位置的2个处理层间搬送衬底
其后，处理层B1的衬底搬送机构MHU3将形成了光阻膜的衬底W搬送到缓冲部BU2。处理层C1的衬底搬送机构MHU4从缓冲部BU2接收由处理层B1的衬底搬送机构MHU3搬送的衬底W。该衬底从处理层B1向处理层C1的搬送不使用ID区块2的2个衬底搬送机构MHU1、MHU2进行。由此，能够减轻2个衬底搬送机构MHU1、MHU2搬送衬底的负担。
此外，同样地，处理层B2的衬底搬送机构MHU3向缓冲部BU1搬送衬底W。其后，处理层C2的衬底搬送机构MHU4从缓冲部BU1接收由处理层B2的衬底搬送机构MHU3搬送的衬底W。
[步骤S26]利用处理层C1(C2)进行衬底搬送
处理层C1的衬底搬送机构MHU4将从缓冲部BU2接收的衬底W依序搬送到***LSCM1、边缘曝光部EEW、缓冲部PSB4。同样地，处理层C2的衬底搬送机构MHU4将从缓冲部BU1接收的衬底W依序搬送到***LSCM1、边缘曝光部EEW、缓冲部PSB5。***LSCM1对光阻膜(涂布膜)进行检查及测定。
[步骤S27]利用IF区块6进行衬底搬送
IF区块6将利用处理层C1(C2)搬送来的衬底W搬送到曝光装置EXP。另外，IF区块6将已利用曝光装置EXP进行过曝光处理的衬底W搬入IF区块6。
为了将进行过曝光处理的衬底W搬送到处理层C1而将其搬送到缓冲部PSB4。另外，为了将进行过曝光处理的衬底W搬送到处理层C2而将其搬送到缓冲部PSB5。此外，从处理层C1搬送的衬底W送回处理层C1。从处理层C2搬送的衬底W送回处理层C2。
[步骤S28]利用处理层C1(C2)进行显影处理
处理层C1的衬底搬送机构MHU4从缓冲部PSB4接收衬底W，将接收的衬底W依序搬送到冷却部CP、显影单元DEV、后烘烤部PB、***LSCM2。显影单元DEV对已利用曝光装置EXP进行过曝光处理的衬底W进行显影处理。***LSCM2对显影后的衬底W进行检查。此外，处理层C2与处理层C1进行同样的处理。
[步骤S29]从处理层C1(C2)向载体C直接搬送衬底W
ID区块2的衬底搬送机构MHU1不经由缓冲部BU2(BU1)，而是从第2处理区块5的处理层C1(C2)的***LSCM2向载置在2个开启器11、12的一个(例如开启器11)的载置台16的载体C直接搬送衬底W(直接收纳)。由此，处理层C1(C2)的衬底搬送机构MHU4能够省略从***LSCM2取出衬底W，将取出的衬底W搬送到缓冲部BU2(BU1)的动作。
衬底搬送机构MHU1从第1处理区块3及第2处理区块5的至少一个(例如第2处理区块5)的2个处理层C1、C2的2个***LSCM2逐片地取出。然后，衬底搬送机构MHU1不经由缓冲部BU1、BU2，将取出的2片衬底W同时直接搬送到载置在载置台16的载体C。由此，能够减少衬底搬送机构MHU1的往返移动次数。因此，能够提升衬底W的搬送效率。
根据本实施例，与实施例1同样能够抑制衬底处理装置1的占据面积。
[实施例3]
其次，参照附图对本发明的实施例3进行说明。此外，省略实施例1、2重复的说明。图13是表示实施例3的衬底处理装置1的右侧视图。图14是表示实施例3的衬底处理装置1的左侧视图。
实施例1、2中，衬底处理装置1具备IF区块6。关于该方面，实施例3中，衬底处理装置1不具备IF区块6。此外，本实施例中，第1处理区块3相当于本发明的第1处理装置。第2处理区块5相当于本发明的第2处理装置。
参照图13。第1处理区块3具备3个处理层C1、A2、A1。另一方面，第2处理区块5具备3个处理层C2、B2、B1。2个处理层A1、A2分别对衬底W形成下层膜(例如SOC(Spin On Carbon，旋涂碳)膜)。2个处理层B1、B2分别对衬底W形成中间膜(例如SOG(Spin On Glass，旋涂玻璃)膜)。而且，2个处理层C1、C2对衬底W形成光阻膜。
因此，如图13所示，2个处理层A1、A2分别具备8个涂布单元BL。2个处理层B1、B2分别具备8个涂布单元ML。而且，2个处理层C1、C2分别具备8个涂布单元PR。
其次，参照图14。2个处理层A1、A2分别具备4个密接强化处理部AHP、3个冷却部CP、及7个加热处理部PAB。2个处理层B1、B2分别具备16个加热处理部PAB及3个冷却部CP。而且，2个处理层C1、C2具备6个加热处理部PAB、9个冷却部CP及2个***LSCM1。此外，密接强化处理部AHP将六甲基二矽氮烷(HMDS)等密接强化剂涂布在衬底W并加热。
这里，2个处理层A1、A2中，配置4个密接强化处理部AHP作为邻接处理单元AD。2个处理层B1、B2中，配置4个加热处理部PAB作为邻接处理单元AD。而且，2个处理层C1、C2中，配置4个冷却部CP作为邻接处理单元AD。
(2)衬底处理装置1的动作
其次，对衬底处理装置1的动作进行说明。图15是表示衬底处理装置1的处理步骤的一例的流程图。图16是用于对实施例3的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
[步骤S31]从载体C向处理层A1(A2)直接搬送衬底W
载体C载置在2个开启器11、12的一个(例如开启器11)的载置台16。ID区块2的衬底搬送机构MHU1不经由缓冲部BU3(BU2)，而是从载置在开启器11的载置台16的载体C向第1处理区块3的处理层A1(A2)的4个密接强化处理部AHP的至少1个直接搬送衬底W。对2个处理层A1、A2交替地搬送衬底。
[步骤S32]利用处理层A1(A2)形成下层膜
2个处理层A1、A2分别在从载体C搬送来的衬底W上形成下层膜。具体进行说明。密接强化处理部AHP对利用衬底搬送机构MHU1直接搬送来的衬底W进行密接强化处理。处理层A1的衬底搬送机构MHU3从密接强化处理部AHP取出衬底W，将取出的衬底W依序搬送到到冷却部CP、涂布单元BL、加热处理部PAB(第1段)。这里，涂布单元BL在衬底W上形成下层膜。处理层A2与处理层A1进行同样的处理。
[步骤S33]在位于相同高度位置的2个处理层间搬送衬底
其后，处理层A1的衬底搬送机构MHU3将形成了下层膜的衬底W搬送到缓冲部BU3。处理层B1位于与处理层A1相同的高度位置(第3层)。处理层B1的衬底搬送机构MHU4从缓冲部BU3接收由处理层A1的衬底搬送机构MHU3搬送的衬底W。即，当在位于相同高度位置的2个处理层A1、B1间搬送衬底W时，位于各处理层A1、B1的衬底搬送机构MHU3、MHU4经由缓冲部BU3交接衬底W。衬底从该处理层A1向处理层B1的搬送不使用ID区块2的2个衬底搬送机构MHU1、MHU2进行。由此，能够减轻2个衬底搬送机构MHU1、MHU2搬送衬底的负担。
此外，同样地，处理层A2的衬底搬送机构MHU3向缓冲部BU2搬送衬底W。其后，处理层B2的衬底搬送机构MHU4从缓冲部BU2接收由处理层A2的衬底搬送机构MHU3搬送的衬底W。
[步骤S34]利用处理层B1(B2)形成中间膜
2个处理层B1、B2分别在不使用2个衬底搬送机构MHU1、MHU2搬送来的衬底W上形成中间膜。具体进行说明。处理层B1的衬底搬送机构MHU4从缓冲部BU3取出衬底W，将取出的衬底W依序搬送到加热处理部PAB(第2段)、冷却部CP、涂布单元ML、加热处理部PAB。这里，涂布单元ML在衬底W上(即下层膜上)形成中间膜。另外，利用第2段加热处理部PAB进行的处理是在比利用第1段加热处理部PAB进行的处理更高的温度下进行的。此外，处理层B2与处理层B1进行同样的处理。
[步骤S35]在位于不同高度位置的2个处理层间直接搬送衬底W
当在位于不同高度位置的例如2个处理层B1、C1间搬送衬底W时，第1衬底搬送机构MHU1不经由缓冲部BU3、BU1而是在处理层B1的加热处理部PAB与处理层C1的冷却部CP之间(2个处理单元间)直接搬送衬底W。即，第1衬底搬送机构MHU1从处理层B1的加热处理部PAB(邻接处理单元AD)向处理层C1的冷却部CP(邻接处理单元AD)直接搬送衬底W。由此，处理层B1的衬底搬送机构MHU4能够省略从加热处理部PAB取出衬底W，将取出的衬底W搬送到缓冲部BU3的动作。另外，处理层C1的衬底搬送机构MHU3能够省略从缓冲部BU1取出衬底W，将取出的衬底W搬送到冷却部CP的动作。因此，能够减轻2个处理层B1、C1的2个衬底搬送机构MHU3、MHU4搬送衬底的负担。
此外，当在位于不同高度位置的2个处理层B2、C2间搬送衬底W时，衬底搬送机构MHU1不经由缓冲部BU2、BU1，而是从处理层B2的加热处理部PAB(邻接处理单元AD)向处理层C2的冷却部CP(邻接处理单元AD)直接搬送衬底W。
[步骤S36]利用处理层C1(C2)形成光阻膜
2个处理层C1、C2分别在搬送的衬底W上形成光阻膜。具体进行说明。冷却部CP对利用衬底搬送机构MHU1直接搬送来的衬底W进行冷却处理。处理层C1(C2)的衬底搬送机构MHU3(MHU4)从冷却部CP取出衬底W，将取出的衬底W依序搬送到涂布单元PR、加热处理部PAB、冷却部CP、***LSCM1、缓冲部BU1。这里，涂布单元PR在衬底W上(即中间膜上)形成光阻膜。
[步骤S37]从处理层C1(C2)向载体C搬送衬底
ID区块2的衬底搬送机构MHU2从缓冲部BU1取出衬底W，将取出的衬底W收纳到载置在2个开启器13、14的一个(例如开启器13)的载置台16的载体C。衬底搬送机构MHU2将从处理层C1搬送到缓冲部BU1的衬底W、及从处理层C2搬送到缓冲部BU1的衬底W交替地收纳到载体C。
根据本实施例，与实施例1同样能够抑制衬底处理装置1的占据面积。
本发明并不限定于所述实施方式，可如下所述进行变化实施。
(1)所述实施例1的步骤S13(参照图10)中，第2衬底搬送机构MHU2从缓冲部BU3向2个缓冲部BU1、BU2的一个搬送衬底W。关于该方面，如图17A所示，第1衬底搬送机构MHU1也可以从缓冲部BU3向作为邻接处理单元AD的冷却部CP直接搬送衬底W。由此，例如在设置冷却部CP作为邻接处理单元AD的处理层B1中，衬底搬送机构MHU3能够省略从缓冲部BU3取出衬底W，将取出的衬底W搬送到冷却部CP的动作。
另外，也可以构成为如图17B所示。图7所示的2个处理层A1、A2分别具有4个冷却部CP作为邻接处理单元AD。也可以将这4个冷却部CP中的2个冷却部CP置换为2个加热处理部PAB。在该情况下，第1衬底搬送机构MHU1例如可以从处理层A1的加热处理部PAB向缓冲部BU3直接搬送衬底W。由此，2个处理层A1、A2各自的衬底搬送机构MHU3能够省略从加热处理部PAB取出衬底W，将取出的衬底W送到缓冲部BU3的动作。
(2)所述实施例1的步骤S19中，第2衬底搬送机构MHU2例如从处理层C1经由缓冲部BU2对载置在载置台16的载体C搬送衬底W。关于该方面，ID区块2的第2衬底搬送机构MHU2也可以构成为向载体C直接搬送。参照图18。可以代替1个显影单元DEV配置***LSCM2。该***LSCM2为邻接处理单元AD。由此，处理层C1的衬底搬送机构MHU4能够省略从***LSCM2取出衬底W，将取出的衬底W搬送到缓冲部BU2的动作。因此，能够减轻处理层C1的衬底搬送机构MHU4搬送衬底的负担。另外，当在热处理部37的区域配置***LSCM2时，如图12的步骤S29，由第1衬底搬送机构MHU1负责直接搬送衬底W。根据本变化例，第2衬底搬送机构MHU2也能够直接搬送衬底W，从而能够调整2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的运转率的平衡。
另外，为了由第2衬底搬送机构MHU2向各处理层的邻接处理单元AD的至少1个直接搬送衬底W，也可以如下方式构成。2个处理区块3、5在图2的纸面上侧设置着热处理部37，在图2的纸面下侧设置着液体处理单元36。关于该方面，在第1处理区块3中，热处理部37配置在图2的纸面上侧，液体处理单元36配置在纸面下侧。与此相对，在第2处理区块5中，可以是液体处理单元36配置在图2的纸面上侧，热处理部37配置在图2的纸面下侧。即，第1处理区块3的液体处理单元36与热处理部37的配置可以和第2处理区块5的液体处理单元36与热处理部37的配置隔着搬送空间39相反。
(3)所述实施例1中，IF区块6连结在第2处理区块5。关于该方面，IF区块6也可以连结在第1处理区块3。在该情况下，根据IF区块6的配置决定6个处理层(A1等)的液体处理单元36及热处理部37的种类、个数及配置。另外，第1处理区块3及IF区块6相当于本发明的第1处理装置。第2处理区块5相当于本发明的第2处理装置。
(4)所述实施例1、2中，按处理层A1、B1、C1的顺序、及处理层A2、B2、C2的顺序进行衬底处理。关于该方面，也可以按处理层A2、B1、C1的顺序、及处理层A1、B2、C2的顺序进行衬底处理。另外，所述实施例3中，按处理层A1、B1、C1的顺序、及处理层A2、B2、C2的顺序进行衬底处理。关于该方面，也可以按处理层A1、B1、C2的顺序、及处理层A2、B2、C1的顺序进行衬底处理。
(5)所述实施例3中，图14所示的2个处理层C1、C2分别具有4个冷却部CP作为邻接处理单元AD。例如，可以将这4个冷却部CP中的2个冷却部CP置换成2个***LSCM1。在该情况下，第1衬底搬送机构MHU1可以例如从处理层C1的***LSCM1向载置在载置台16的载体C直接搬送衬底W。
(6)所述各实施例及各变化例中，在ID区块2内的衬底搬送时，使用第1衬底搬送机构MHU1及第2衬底搬送机构MHU2中的哪一个可以由操作者任意设定。
(7)所述各实施例可以视需要以如下方式构成。参照图19。第1处理区块3的3个处理层A1～A3分别形成光阻膜。另一方面，第2处理区块5的3个处理层B1～B3分别进行显影处理。3个处理层A1～A3分别具备4个密接强化处理部AHP或4个冷却部CP作为邻接处理单元AD。另外，3个处理层B1～B3分别具备1个***LSCM2作为邻接处理单元AD。此外，图19所示的衬底处理装置1构成为不在不同高度位置进行2个处理层间的衬底W的搬送。
图19所示的构成中，ID区块2的衬底搬送机构MHU1例如可以不经由缓冲部BU3，而是从载置在载置台16的载体C向例如处理层A1的4个密接强化处理部AHP的至少1个直接搬送衬底W。另外，衬底搬送机构MHU1可以不经由缓冲部BU3，例如从处理层B1的***LSCM2向载置在载置台16的载体C直接搬送衬底W。
本发明能够在不脱离其思想或本质的前提下以其它具体形式实施，因此，以上的说明并不表示发明的范围，而应当参照附加的权利要求书。
[符号的说明]
1 衬底处理装置
2 移载传送区块(ID区块)
3 第1处理区块
5 第2处理区块
16 载置台
C 载体
BF 衬底缓冲区
MHU1～MHU4 衬底搬送机构
36 液体处理单元
37 热处理部
A1、A2、B1、B2、C1、C2 处理层
LSCM1 ***
LSCM2 ***
CP 冷却部
PAB 加热处理部

Claims (11)

1.一种衬底处理***，其特征在于，具备：
移载传送区块，设置着用来载置能收纳衬底的载体的载置台；
第1处理装置，具有配置在上下方向的多个处理层；及
第2处理装置，具有配置在上下方向的多个处理层；
所述第1处理装置、所述移载传送区块及所述第2处理装置以该顺序在水平方向上连结，
所述移载传送区块能够对载置在所述载置台的载体取放衬底，在内部具有搬送衬底的第1移载传送机构、及载置多个衬底的衬底缓冲区，
所述第1移载传送机构在所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底。
2.根据权利要求1所述的衬底处理***，其特征在于，
所述第1处理装置及所述第2处理装置各自的处理层具备搬送衬底的衬底搬送机构、及对衬底进行规定处理的处理单元，
当在所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于相同高度位置的2个处理层间搬送衬底时，位于各处理层的衬底搬送机构经由所述衬底缓冲区交接衬底，
当在所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底时，所述第1移载传送机构在位于与各处理层对应的高度位置的所述衬底缓冲区的2个缓冲部间搬送衬底。
3.根据权利要求1所述的衬底处理***，其特征在于，
所述第1处理装置及所述第2处理装置各自的处理层具备搬送衬底的衬底搬送机构、及对衬底进行规定处理的处理单元，
当在所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底时，所述第1移载传送机构不经由所述衬底缓冲区而是在所述2个处理层的2个处理单元间直接搬送衬底。
4.根据权利要求3所述的衬底处理***，其特征在于，
当在所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于相同高度位置的2个处理层间搬送衬底时，位于各处理层的衬底搬送机构经由所述衬底缓冲区交接衬底。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的衬底处理***，其特征在于，
所述第1移载传送机构不经由所述衬底缓冲区，而是从载置在所述载置台的载体向所述第1处理装置及所述第2处理装置的至少一个的处理层的处理单元直接搬送衬底。
6.根据权利要求5所述的衬底处理***，其特征在于，
所述第1移载传送机构从载置在所述载置台的载体同时取出多片衬底，不经由所述衬底缓冲区，而向所述第1处理装置及所述第2处理装置的至少一个的处理层的处理单元逐片地直接搬送衬底。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的衬底处理***，其特征在于，
所述第1移载传送机构不经由所述衬底缓冲区，而是从所述第1处理装置及所述第2处理装置的至少一个的处理层的所述处理单元向载置在所述载置台的载体直接搬送衬底。
8.根据权利要求1所述的衬底处理***，其特征在于，
所述第1处理装置及所述第2处理装置各自的处理层具备搬送衬底的衬底搬送机构、及对衬底进行规定处理的处理单元，
当在所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底时，所述第1移载传送机构在所述衬底缓冲区与所述2个处理层的一个的处理单元之间直接搬送衬底。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的衬底处理***，其特征在于，
所述移载传送区块进而具备搬送衬底的第2移载传送机构，
所述第2移载传送机构隔着所述衬底缓冲区配置在所述第1移载传送机构的相反侧，
所述第1移载传送机构及所述第2移载传送机构配置在与所述第1处理装置及第2处理装置排列配置的方向正交的方向上。
10.根据权利要求1所述的衬底处理***，其特征在于，
还具备邻接处理单元，所述邻接处理单元邻接于所述第1移载传送区块，配置在所述第1处理装置及所述第2处理装置的至少一个的处理层，利用所述第1移载传送机构不经由所述衬底缓冲区而向所述邻接处理单元直接搬送衬底。
11.一种衬底处理***的衬底搬送方法，所述衬底处理***具备：
移载传送区块，设置着用来载置能收纳衬底的载体的载置台；
第1处理装置，具有配置在上下方向的多个处理层；及
第2处理装置，具有配置在上下方向的多个处理层；
所述第1处理装置、所述移载传送区块及所述第2处理装置以该顺序在水平方向上连结；所述衬底处理***的衬底搬送方法的特征在于，
所述移载传送区块能够对载置在所述载置台的载体取放衬底，在内部具有搬送衬底的第1移载传送机构、及载置多个衬底的衬底缓冲区，
所述衬底搬送方法具备下述步骤，即，利用所述第1移载传送机构，在所述第1处理装置及所述第2处理装置的位于不同高度位置的2个处理层间搬送衬底。
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