JP2021028996A - 半導体装置用基板、半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 143
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 132
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 145
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 145
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 33
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000000669 biting effect Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- -1 viscous Substances 0.000 description 1
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
以下、本発明の第1実施形態に係る半導体装置用基板及び半導体装置について、図1ないし図6に基づいて説明する。本実施形態に係る半導体装置用基板1は、図2に示すように、導電性を有する材質からなる母型基板10と、この母型基板10上に形成され、本基板を用いて製造される半導体装置70における電極部11bとなる金属部11とを備える構成である。
10 母型基板
11 金属部
11b 電極部
11c 張出部
11d 突出部
11e 窪み部
12 第一レジスト層
13 表面金属層
14 半導体素子
15 ワイヤ
16 第二レジスト層
17 薄膜
19 封止材
20 凹部
70 半導体装置
Claims (7)
- 母型基板(10)上に少なくとも電極部(11b)となる金属部(11)が形成されている半導体装置用基板であって、
前記母型基板(10)には凹部(20)が形成され、該凹部(20)を含む前記母型基板(10)上に前記金属部(11)が形成されており、
前記金属部(11)の母型基板面側には突出部(11d)が設けられ、該突出部(11d)のみが前記金属部(11)の母型基板面側より突出形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。 - 前記突出部(11d)は、前記凹部(20)内全体に金属が設けられることで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用基板。
- 前記金属部(11)の母型基板面側とは反対側の面には窪み部(11e)が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置用基板。
- 前記突出部(11d)と前記窪み部(11e)が前記金属部(11)の厚み方向において重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置用基板。
- 前記突出部(11d)の突出形状と前記窪み部(11e)の窪み形状が相似形であることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置用基板。
- 少なくとも半導体素子(14)と電気的に接続する電極部(11b)となる金属部(11)を有し、前記半導体素子(14)の搭載、前記半導体素子(14)と前記金属部(11)との電気的接続、封止材(19)による封止がなされる半導体装置であって、
前記封止材(19)の裏面から前記金属部(11)が露出され、前記金属部(11)の裏面が前記封止材(19)の裏面と同一平面となっており、
前記金属部(11)の裏面に設けられた突出部(11d)のみが前記金属部(11)の裏面より部分的に突出形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記突出部(11d)は、金属で形成されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020198627A JP7339231B2 (ja) | 2015-11-19 | 2020-11-30 | 半導体装置用基板、半導体装置 |
JP2022175209A JP2022189979A (ja) | 2020-11-30 | 2022-11-01 | 半導体装置用基板、半導体装置 |
JP2023193533A JP2024003147A (ja) | 2020-11-30 | 2023-11-14 | 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015226212A JP6806436B2 (ja) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | 半導体装置用基板とその製造方法、および半導体装置 |
JP2020198627A JP7339231B2 (ja) | 2015-11-19 | 2020-11-30 | 半導体装置用基板、半導体装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015226212A Division JP6806436B2 (ja) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | 半導体装置用基板とその製造方法、および半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022175209A Division JP2022189979A (ja) | 2020-11-30 | 2022-11-01 | 半導体装置用基板、半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021028996A true JP2021028996A (ja) | 2021-02-25 |
JP7339231B2 JP7339231B2 (ja) | 2023-09-05 |
Family
ID=87882254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020198627A Active JP7339231B2 (ja) | 2015-11-19 | 2020-11-30 | 半導体装置用基板、半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7339231B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2020
- 2020-11-30 JP JP2020198627A patent/JP7339231B2/ja active Active
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JP7339231B2 (ja) | 2023-09-05 |
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