JP2022189979A - 半導体装置用基板、半導体装置 - Google Patents
半導体装置用基板、半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022189979A JP2022189979A JP2022175209A JP2022175209A JP2022189979A JP 2022189979 A JP2022189979 A JP 2022189979A JP 2022175209 A JP2022175209 A JP 2022175209A JP 2022175209 A JP2022175209 A JP 2022175209A JP 2022189979 A JP2022189979 A JP 2022189979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- substrate
- metal
- metal portion
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 116
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 143
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 143
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 22
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- -1 nickel-cobalt Chemical compound 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000669 biting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】母型基板10上に、少なくとも電極部11bとなる金属部11が形成されている半導体装置用基板である。母型基板10には凹部20が形成され、該凹部20内を含む母型基板10上に金属部11が形成されている。金属部11の裏面には突出部11dが設けられている。金属部11は、半導体素子と電気的に接続される接続領域を有する。金属部11の厚み方向において、突出部11dの形成領域と金属部11の接続領域とが重ならないように構成されている。
【選択図】図2
Description
以下、本発明の第1実施形態に係る半導体装置用基板及び半導体装置について、図1ないし図6に基づいて説明する。本実施形態に係る半導体装置用基板1は、図2に示すように、導電性を有する材質からなる母型基板10と、この母型基板10上に形成され、本基板を用いて製造される半導体装置70における電極部11bとなる金属部11とを備える構成である。
10 母型基板
11 金属部
11b 電極部
11c 張出部
11d 突出部
11e 窪み部
12 第一レジスト層
13 表面金属層
14 半導体素子
15 ワイヤ
16 第二レジスト層
17 薄膜
19 封止材
20 凹部
70 半導体装置
Claims (6)
- 母型基板(10)上に、少なくとも電極部(11b)となる金属部(11)が形成されている半導体装置用基板であって、
前記母型基板(10)には凹部(20)が形成され、該凹部(20)内を含む前記母型基板(10)上に前記金属部(11)が形成されており、
前記金属部(11)の裏面には実装基板と接合される突出部(11d)が設けられ、
前記金属部(11)は、半導体素子と電気的に接続される接続領域を有し、
前記金属部(11)の厚み方向において、前記突出部(11d)の形成領域と前記金属部(11)の接続領域とが重ならないように構成されていることを特徴とする半導体装置用基板。 - 前記金属部(11)の接続領域は、半導体素子とはんだ付けによって電気的に接続される領域であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用基板。
- 前記金属部(11)の接続領域は、半導体素子とフリップチップ方式で電気的に接続される領域であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置用基板。
- 半導体素子(14)と、前記半導体素子(14)と電気的に接続する電極部(11b)となる金属部(11)とが封止材(19)によって封止された半導体装置であって、
前記金属部(11)の裏面には、部分的に突出し、実装基板と接合される突出部(11d)が設けられており、
前記金属部(11)は、前記半導体素子(14)と電気的に接続される接続領域を有し、
前記金属部(11)の厚み方向において、前記突出部(11d)の形成領域と前記金属部(11)の接続領域とが重ならないように構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記金属部(11)の接続領域は、前記半導体素子(14)とはんだ付けによって電気的に接続されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記金属部(11)の接続領域は、前記半導体素子(14)とフリップチップ方式で電気的に接続されていることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022175209A JP2022189979A (ja) | 2020-11-30 | 2022-11-01 | 半導体装置用基板、半導体装置 |
JP2023193533A JP2024003147A (ja) | 2020-11-30 | 2023-11-14 | 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020198627A JP7339231B2 (ja) | 2015-11-19 | 2020-11-30 | 半導体装置用基板、半導体装置 |
JP2022175209A JP2022189979A (ja) | 2020-11-30 | 2022-11-01 | 半導体装置用基板、半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020198627A Division JP7339231B2 (ja) | 2015-11-19 | 2020-11-30 | 半導体装置用基板、半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023193533A Division JP2024003147A (ja) | 2020-11-30 | 2023-11-14 | 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022189979A true JP2022189979A (ja) | 2022-12-22 |
Family
ID=87885352
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022175209A Pending JP2022189979A (ja) | 2020-11-30 | 2022-11-01 | 半導体装置用基板、半導体装置 |
JP2023193533A Pending JP2024003147A (ja) | 2020-11-30 | 2023-11-14 | 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023193533A Pending JP2024003147A (ja) | 2020-11-30 | 2023-11-14 | 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2022189979A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006093575A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2015170809A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
2022
- 2022-11-01 JP JP2022175209A patent/JP2022189979A/ja active Pending
-
2023
- 2023-11-14 JP JP2023193533A patent/JP2024003147A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006093575A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2015170809A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2024003147A (ja) | 2024-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI421910B (zh) | 半導體元件基板、其製造方法及半導體裝置 | |
TWI479626B (zh) | 導線架基板及其製造方法以及半導體裝置 | |
JP6838104B2 (ja) | 半導体装置用基板および半導体装置 | |
TW201126618A (en) | Method and system for manufacturing an IC package | |
JP2023164634A (ja) | 半導体装置用基板とその製造方法、および半導体装置 | |
JP2015185619A (ja) | 半導体装置用基板、当該基板の製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6492930B2 (ja) | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 | |
JP2006303305A (ja) | 半導体装置 | |
JP7339231B2 (ja) | 半導体装置用基板、半導体装置 | |
JP2022189979A (ja) | 半導体装置用基板、半導体装置 | |
JP6806436B2 (ja) | 半導体装置用基板とその製造方法、および半導体装置 | |
JP6846484B2 (ja) | 半導体装置用基板及びその製造方法、半導体装置 | |
JP6626639B2 (ja) | 半導体装置用基板の製造方法 | |
JP7412376B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
CN107658286B (zh) | 半导体元件安装用基板、半导体装置及它们的制造方法 | |
JP6913993B2 (ja) | 半導体装置用基板、半導体装置の製造方法 | |
JP2023060010A (ja) | 半導体装置用基板及び半導体装置 | |
JP6889531B2 (ja) | 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置の製造方法 | |
JP6579667B2 (ja) | 半導体装置用基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6579666B2 (ja) | 半導体装置用基板、当該基板の製造方法、及び半導体装置 | |
JP2020205451A (ja) | 半導体装置用基板、半導体装置の製造方法 | |
JP2023073430A (ja) | 半導体装置用基板および半導体装置 | |
JP2003174121A (ja) | 半導体装置 | |
JP2020174203A (ja) | 半導体装置 | |
JP2019161238A (ja) | 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221101 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231114 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20240216 |