JP2021024754A - ガラス基板の面取り方法及び面取り装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡単な方法で、かつガラス基板の両面のエッジに対して同時に面取りを行う。【解決手段】ガラス基板にレーザ光を照射する基板端部の面取りであって、ガラス基板端部の第1主面側からCOパルスレーザ光を第1主面から法線方向外側に所定距離離れた位置に集光(デフォーカス)するように照射しながらガラス基板端部に沿って走査し、ガラス基板端部の第1主面側及び第1主面と逆の第2主面側のエッジを同時に溶融面取りする。【選択図】図1
Description
本発明は、ガラス基板の面取り方法及び面取り装置に関する。
ガラス基板の搬送時や、加工のための位置決め時に、外力(衝撃)によってガラス基板端部に割れや欠けが発生する場合がある。ガラス基板端部の強度(端面強度)を向上する目的で、ガラス基板端部のエッジを面取りすることが行われている。ガラス基板の面取り方法としては、研磨による方法が最も一般的であるが、レーザ光による方法も知られている(特許文献1参照)。
特許文献1には、ガラス基板の表面及び裏面の両方又は片方からレーザ光を照射するとともに、ガラス基板の端面に対して直交する方向からレーザ光を照射し、ガラス基板端部を溶融させてエッジの面取りを行うことが記載されている。
特許文献1では、レーザ光として、波長が10.6μmのCO2レーザ光が好ましいとされている。特許文献1では、CO2レーザ光を、ガラス基板の表面及び/又は裏面に照射するとともに端面に対しても照射し、端部を加熱溶融して面取りを行っている。
特許文献1では、少なくとも2方向からレーザ光を照射しなければならない。また、ガラス基板の端面に対してほぼ直交する方向からレーザ光を照射しなければならない。このため、特許文献1記載の方法を実施するためには構成が複雑な装置が必要となる。
本発明は、ガラス基板端部両面のエッジを同時に面取りすることが可能で且つ簡単な方法及び装置を提供するものである。レーザ光源は波長5μm〜6μm前後のCOレーザ光とする。
本発明のガラス基板の面取り方法は、ガラス基板にレーザ光を照射して基板端部の面取りを行う方法であって、第1工程と第2工程とを備えている。第1工程は、ワークテーブルに載置されたガラス基板のワークテーブルから突き出た端部の第1主面側からCOパルスレーザ光を第1主面から法線方向外側に所定距離離れた位置に集光するように照射する。第2工程は、レーザ光をガラス基板の端部に沿って走査し、ガラス基板端部の第1主面側及び第1主面と逆の第2主面側のエッジを同時に面取りする。
COパルスレーザ光は、照射面(ガラス基板のレーザ光が照射される面)である第1主面にのみ吸収されるのではなく、基板内部や裏面である第2主面(照射面とは逆の主面)にも到達し、基板端部における厚み方向の全体が加熱される。その結果、基板端部の両面のエッジが軟化し、面取りされる。このため、ガラス基板をテーブルに載置した状態で、テーブルから突き出たガラス基板端部の第1主面側からレーザ光を照射するだけで第1主面側のエッジに対してだけではなく第2主面側のエッジに対しても同時に面取りを行うことができる。すなわち、COパルスレーザ光を使用することによって第1主面側からの照射という簡単な構成によって表裏両面のエッジを同時に面取りすることができる。この際、COパルスレーザ光を、第1主面から法線方向外側に所定距離離れた位置に集光(デフォーカス)するように照射することによって、ガラス基板の端部に割れを発生させることなく面取りを行うことができ、また、面取り後の端部の残留応力が低減され、端面強度が向上する。
本発明では、COパルスレーザ光がガラス基板に対して照射される。COパルスレーザ光は、ガラス基板の内部まで浸透しながら吸収されるために、ガラス基板の第1主面から内部及び第2主面にわたって、熱分布の偏りが少なくなる。このため、ガラス基板の端面が全体にわたって加熱され、レーザ光を表面側から照射するだけで、表面側及び裏面側のエッジを同時に面取りすることができる。
本発明では、第1及び第2工程において、COパルスレーザ光はガラス基板端部の照射面側のエッジが照射範囲に含まれるように照射されることが好ましい。照射面側のエッジが照射範囲に含まれないと、レーザ光による熱が端部まで伝わりにくくなり、端部を十分に加熱するためにレーザ光の出力を大きくすることが必要となる。
本発明のレーザ加工装置は、ガラス基板にレーザ光を照射して基板端部の面取りを行う装置であって、ワークテーブルと、レーザ発振器と、レーザ光照射機構と、を備えている。ワークテーブルはガラス基板が載置される。レーザ発振器はCOパルスレーザ光を発振する。COパルスレーザ光はガラス基板のレーザ光照射面である第1主面及び内部で吸収される。レーザ光照射機構は、ワークテーブルから突き出たガラス基板端部の第1主面側から前記レーザ発振器からのCOパルスレーザ光を第1主面から法線方向外側に所定距離離れた位置に集光するように照射するとともに、前記レーザ光をガラス基板の端部に沿って走査し、ガラス基板端部の第1主面側及び第1主面と逆の第2主面側のエッジを同時に面取りする。
本発明によれば、簡単な方法及び装置で、ガラス基板両面のエッジを同時に面取りすることができる。
[面取り装置]
図1に本発明のレーザ加工装置の一実施形態の概略構成を示す。このレーザ加工装置は、ガラス基板Gが載置されるワークテーブル1と、レーザ発振器2と、光学系3と、走査機構としてのテーブル移動機構4と、を備えている。光学系3及びテーブル移動機構4によって、レーザ光照射機構が構成されている。
図1に本発明のレーザ加工装置の一実施形態の概略構成を示す。このレーザ加工装置は、ガラス基板Gが載置されるワークテーブル1と、レーザ発振器2と、光学系3と、走査機構としてのテーブル移動機構4と、を備えている。光学系3及びテーブル移動機構4によって、レーザ光照射機構が構成されている。
レーザ発振器2は、COパルスレーザ光を発振する。
光学系3は、複数の反射ミラー6a,6b,6c及び集光レンズ7を含んでいる。集光レンズ7は、レーザ光をガラス基板Gのレーザ照射面である第1主面から法線方向外側に所定距離(例えば、2〜20mm)離れた位置に集光(デフォーカス)するように設定されている。デフォーカスによって、ガラス基板の照射面におけるCOパルスレーザ光の照射範囲(例えば、直径0.1〜5mm)を調節することができる。
テーブル移動機構4は、互いに直交するX及びY方向にワークテーブル1を移動させるための機構である。このテーブル移動機構4によって、照射位置をガラス基板端部に沿って走査することができる。
[面取り方法]
前記面取り装置を用いて、ガラス基板Gの端部の表裏両面を同時に面取りする場合は、以下の工程によって行われる。
前記面取り装置を用いて、ガラス基板Gの端部の表裏両面を同時に面取りする場合は、以下の工程によって行われる。
ガラス基板Gをワークテーブル1上にセットする。ワークテーブル1上から突き出たガラス基板Gの端部に対して、COパルスレーザ光を、ガラス基板Gの第1主面から法線方向外側に所定距離離れた位置に集光(デフォーカス)させて照射し、基板端部に沿って走査する。ガラス基板Gの第1主面側のエッジがCOパルスレーザ光の第1主面上の照射範囲位置に含まれるようにセットする。
以上のようなレーザ光の照射及び走査によって、ガラス基板の端部が加熱される。COパルスレーザ光を照射することによって、レーザ光はガラス基板の内部まで透過しながら吸収される。そのため、ガラス基板の端部は、レーザ光の照射面である表面(第1主面)側のみではなく、基板内部及び裏面(第2主面)側の全体にわたって均一に加熱される。その結果、ガラス基板の端面は基板厚みの中央部が外側に膨らむように変形し、表面側及び裏面側のエッジが同時に面取りされる。ガラス基板Gの表面(第1主面)側のエッジがCOパルスレーザ光の照射位置に含まれないと、表面側も、裏面側も、エッジの面取りが不十分になりやすい傾向がある。ガラス基板Gの端部がワークテーブル1上にあり、突き出ていない場合、ガラス基板Gの裏面からテーブル1への伝熱等により、裏面側のエッジの面取りが阻害される場合がある。
[実験例1]
図2に、ガラス基板にCOパルスレーザ光によって面取りされたガラス基板端部の断面写真を示す。図2はレーザ光を照射した加工後の断面写真である。本実験におけるガラス基板及びレーザ照射条件は以下の通りである。
図2に、ガラス基板にCOパルスレーザ光によって面取りされたガラス基板端部の断面写真を示す。図2はレーザ光を照射した加工後の断面写真である。本実験におけるガラス基板及びレーザ照射条件は以下の通りである。
(1)ガラス基板:無アルカリガラス(OA10=製品名:日本電気硝子株式会社製)、厚み=0.2mm
(2)レーザ光:COパルスレーザ光、出力4W、走査速度3mm/s、デフォーカス13.5mm(照射面上の照射半径0.5mm)、パルス幅200μ秒、繰返し周波数3kHz
(3)照射位置:レーザ光照射面の基板端面から基板内側に向かって30μmの位置にレーザ光の照射範囲の中心点が位置
(2)レーザ光:COパルスレーザ光、出力4W、走査速度3mm/s、デフォーカス13.5mm(照射面上の照射半径0.5mm)、パルス幅200μ秒、繰返し周波数3kHz
(3)照射位置:レーザ光照射面の基板端面から基板内側に向かって30μmの位置にレーザ光の照射範囲の中心点が位置
レーザ光を基板端部に沿って走査した結果、図2に示すように、基板端部が端面の厚み方向の中央部分から表面側及び裏面側に丸みを帯びた面取り部が形成された。
[実験例2]
実験例1とデフォーカスを変えた場合(1.8mm、21.8mm)の面取り後のガラス基板端部のリタデーションの測定結果を図3に示す。横軸は基板端面(0mm)から基板内部(マイナス)方向への距離を示す。本来リタデーションは常に正の値をとるが、引張応力に対応するものを正、圧縮応力に対応するものを負として表示する。デフォーカスを大きくすることによって、応力の発生する範囲が広くなり、応力の大きさ(絶対値の最大値)は小さくなることがわかる。この傾向は、基板端部の割れにくさ、欠けにくさ、端面強度の向上に寄与するものと考えられる。
実験例1とデフォーカスを変えた場合(1.8mm、21.8mm)の面取り後のガラス基板端部のリタデーションの測定結果を図3に示す。横軸は基板端面(0mm)から基板内部(マイナス)方向への距離を示す。本来リタデーションは常に正の値をとるが、引張応力に対応するものを正、圧縮応力に対応するものを負として表示する。デフォーカスを大きくすることによって、応力の発生する範囲が広くなり、応力の大きさ(絶対値の最大値)は小さくなることがわかる。この傾向は、基板端部の割れにくさ、欠けにくさ、端面強度の向上に寄与するものと考えられる。
[特徴]
(1)COパルスレーザ光をガラス基板端部の表面(第1主面)側に照射するだけで、表面側及び裏面側(第2主面)の面取りを同時に行うことができる。
(1)COパルスレーザ光をガラス基板端部の表面(第1主面)側に照射するだけで、表面側及び裏面側(第2主面)の面取りを同時に行うことができる。
(2)COパルスレーザ光をレーザ照射面である第1主面から法線方向外側に所定距離離れた位置に集光するように照射することによって、面取り時のガラス基板端部の割れや欠けを抑制することができ、また、面取り後の基板端部の残留応力を低減することができる。
1 ワークテーブル
2 レーザ発振器
3 光学系
4 テーブル移動機構
G ガラス基板
2 レーザ発振器
3 光学系
4 テーブル移動機構
G ガラス基板
Claims (2)
- ガラス基板にレーザ光を照射して基板端部の面取りを行う方法であって、
ワークテーブルに載置されたガラス基板のワークテーブルから突き出たガラス基板端部の第1主面側からCOパルスレーザ光を第1主面から法線方向外側に所定距離離れた位置に集光するように照射する第1工程と、
前記レーザ光をガラス基板の端部に沿って走査し、ガラス基板端部の前記第1主面側及び前記第1主面と逆の第2主面側のエッジを同時に面取りする第2工程と、
を備えたガラス基板の面取り方法。 - ガラス基板にレーザ光を照射して基板端部の面取りを行う装置であって、
ガラス基板が載置されるワークテーブルと、
COパルスレーザ光を発振するレーザ発振器と、
前記ワークテーブルから突き出たガラス基板端部の第1主面側から前記レーザ発振器からのCOパルスレーザ光を第1主面から法線方向外側に所定距離離れた位置に集光するように照射するとともに、前記レーザ光をガラス基板の端部に沿って走査し、ガラス基板端部の前記第1主面側及び前記第1主面と逆の第2主面側のエッジを同時に面取りするレーザ光照射機構と、
を備えたガラス基板の面取り装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019142542A JP2021024754A (ja) | 2019-08-01 | 2019-08-01 | ガラス基板の面取り方法及び面取り装置 |
CN202010641872.1A CN112299695A (zh) | 2019-08-01 | 2020-07-06 | 玻璃基板的倒角方法和倒角装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019142542A JP2021024754A (ja) | 2019-08-01 | 2019-08-01 | ガラス基板の面取り方法及び面取り装置 |
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2019
- 2019-08-01 JP JP2019142542A patent/JP2021024754A/ja not_active Abandoned
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- 2020-07-06 CN CN202010641872.1A patent/CN112299695A/zh active Pending
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