JP2021012920A - インダクタ部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】特定の低周波領域での使用に適切であって、かつ、高周波領域での使用への影響も低減できるインダクタ部品を提供する。【解決手段】インダクタ部品は、柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを含むコアと、前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の前記端子電極に接続されたワイヤとを有し、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示す。【選択図】図１

Description

本発明は、インダクタ部品に関する。
従来、インダクタ部品としては、特開２００６−２５３３９４号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このインダクタ部品は、コアと、コアに設けられた端子電極と、コアに巻回され端子電極に接続されたワイヤと、ワイヤを被覆する磁性粉含有樹脂とを有する。
磁性粉含有樹脂により磁気効率を向上してインダクタンスを向上できる。これにより、通常よりワイヤの巻き数を少なくでき、銅損も低減でき、この結果、全体形状を小さくしながらＱ特性を向上できる。
特開２００６−２５３３９４号公報
ところで、前記従来のインダクタ部品のように、信号系に用いられるインダクタ部品では、高いＱ特性の実現が課題とされており、小型化、信号周波数の高周波化という使用環境の変化においてもいかに高いＱ特性を維持するかという点が技術開発の主眼であった。
小型化、高周波化における高いＱ特性の維持という観点では、インダクタンス値の取得効率、具体的には、いかに少ないワイヤの巻き数で、従来同等のインダクタンス値を維持するかがポイントであり、例えば、前記従来のインダクタ部品では、磁性粉含有樹脂によって課題を達成しようとしている。
一方で、本願発明者らは、前記従来のインダクタ部品のような信号系インダクタ部品の技術開発において、低周波領域におけるインピーダンス値の観点が抜け落ちていることに着目した。具体的には、低周波領域では高周波領域と比較して、インダクタンス値を取得する上でのワイヤの巻き数の依存度が高く、また、巻き数の低減による銅損（レジスタンス成分）の低減の影響も大きいため、従来の信号用インダクタ部品では、低周波領域で十分なインピーダンス値が取得できていないことを発見した。すなわち、従来の信号用インダクタ部品は、低周波領域での使用に適切ではない。
なお、前記従来のインダクタ部品とは逆の手法を用いて、１ＭＨｚ帯などの低周波領域でのインピーダンス値を確保することは可能であるが、この場合、高周波領域でのインピーダンス値がトレードオフになる。
そこで、本開示は、特定の低周波領域での使用に適切であって、かつ、高周波領域での使用への影響も低減できるインダクタ部品を提供することにある。
本願発明者らは、５００ＭＨｚ帯が信号系の分野においては低周波領域と認識されてはいるものの、５００ＭＨｚ帯のインピーダンス値の向上が、例えば１ＧＨｚ帯などの高周波領域のインピーダンス値の向上の大きなトレードオフとはならないことを発見した。これは、インピーダンス値の向上のメカニズム（交流信号に対するインダクタ部品のＬＣＲ成分の振る舞い）が５００ＭＨｚ帯と１ＧＨｚ帯で近いためと考えられる。このようにして、本願発明者らは、本開示のインダクタ部品を想到するに至った。
前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを含むコアと、
前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の前記端子電極に接続されたワイヤと
を有し、
周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示す。
前記態様によれば、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示しているので、特定の低周波領域（５００ＭＨｚ帯）において高いインピーダンス値が確保されつつ、かつ、高周波領域（例えば１ＧＨｚ帯）におけるインピーダンス値の低減が小さい。したがって、特定の低周波領域での使用に適切であって、かつ、高周波領域での使用への影響を低減できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において、前記インダクタ部品の幅寸法が０．３６ｍｍ以下である。
前記実施形態によれば、インダクタ部品を小型としても、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を取得することができる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において、前記インダクタ部品の幅寸法が０．３３ｍｍ以下である。
前記実施形態によれば、インダクタ部品を一層小型としても、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を取得することができる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において、前記インダクタ部品の幅寸法が０．３０ｍｍ以下である。
前記実施形態によれば、インダクタ部品を一層小型としても、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を取得することができる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記軸部の延びる第１の方向と直交する前記軸部の断面の面積は、前記第１の方向と直交する前記支持部の断面の面積の３５％以上７５％以下の範囲内である。
前記実施形態によれば、３５％以上とすることで、軸部の断面積の下限を設定して特性の低下を防止でき、７５％以下とすることで、軸部の断面積の上限を設定して軸部に巻回されるワイヤが端子電極に接触することを防止できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の４０％以上７０％以下の範囲内である。
前記実施形態によれば、特性の低下とワイヤの端子電極への接触をより確実に防止できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の４５％以上６５％以下の範囲内である。
前記実施形態によれば、特性の低下とワイヤの端子電極への接触をより確実に防止できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５０％以上６０％以下の範囲内である。
前記実施形態によれば、特性の低下とワイヤの端子電極への接触をより確実に防止できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５５％である。
前記実施形態によれば、特性の低下とワイヤの端子電極への接触をより確実に防止できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、６２０ｎＨ以上７４０ｎＨ以下の範囲内のインダクタンス値を示す。
前記実施形態によれば、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を取得する際に、有効なインダクタンス値となる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、６８０ｎＨのインダクタンス値を示す。
前記実施形態によれば、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を取得する際に、さらに有効なインダクタンス値となる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、周波数が３００ＭＨｚの入力信号に対して１１００Ω以上のインピーダンス値を示す。
前記実施形態によれば、より低周波の領域でもインピーダンス値を確保できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、周波数が６００ＭＨｚの入力信号に対して２８５０Ω以上のインピーダンス値を示す。
前記実施形態によれば、高周波領域での使用への影響がより低減される。
また、インダクタ部品の一実施形態では、周波数が８００ＭＨｚの入力信号に対して４８００Ω以上のインピーダンス値を示す。
前記実施形態によれば、高周波領域での使用への影響がより低減される。
また、インダクタ部品の一実施形態では、自己共振周波数が８００ＭＨｚ以上である。
前記実施形態によれば、高周波領域での使用への影響がより確実に低減される。
また、インダクタ部品の一実施形態では、自己共振周波数が９００ＭＨｚ以上である。
前記実施形態によれば、高周波領域での使用への影響がより確実に低減される。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記軸部の体積に対するインダクタンス値が１１５００ｎＨ／ｍｍ３以上を示す。
前記実施形態によれば、インダクタンス値の取得効率を向上でき、インダクタ部品を小型にできる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記軸部の体積に対するインダクタンス値が１９３００ｎＨ／ｍｍ３以上を示す。
前記実施形態によれば、インダクタンス値の取得効率をさらに向上でき、インダクタ部品をより小型にできる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記軸部に巻回されたワイヤのターン数が２０以上２２以下のターンである。
前記実施形態によれば、低周波領域におけるインピーダンス値を容易に向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記軸部に巻回されたワイヤのターン数が２１ターンである。
前記実施形態によれば、低周波領域におけるインピーダンス値をさらに容易に向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記ワイヤが前記軸部に対して１層巻きで巻き回されている。
前記実施形態によれば、浮遊容量を小さくでき、高周波特性を向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極と、前記底面部電極と連続するように前記支持部の端面に形成された端面部電極と、を含み、
前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高い。
前記実施形態によれば、端面部電極の高さを高く設定できるため、端子電極の表面積を大きくでき、回路基板に対する固着力を向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記端面部電極の上端が上側に凸となる弧状である。
前記実施形態によれば、端子電極の表面積をより大きくでき、回路基板に対する固着力をより向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．１以上である。
前記実施形態によれば、端子電極の表面積をより大きくでき、回路基板に対する固着力をより向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上である。
前記実施形態によれば、端子電極の表面積をより大きくでき、回路基板に対する固着力をより向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．３以上である。
前記実施形態によれば、端子電極の表面積をより大きくでき、回路基板に対する固着力をより向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記端子電極はさらに、前記底面部電極と連続するように前記支持部の側面に形成された側面部電極を含み、
前記側面部電極は、前記一対の支持部の互いの対向面から前記端面にむかって徐々に高さが高くなるように形成されている。
前記実施形態によれば、側面部電極における支持部の対向面側の高さを低くできるので、軸部に巻回されるワイヤが端子電極に接触することを防止でき、また、軸部の断面積を大きくでき特性の低下を防止できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記ワイヤの導線の直径は、１２μｍ以上１８μｍ以下の範囲内である。
前記実施形態によれば、ワイヤの軸部への巻密度を容易に高くでき、低周波領域においてインダクタンス値の確保がしやすくなる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記ワイヤの導線の直径は、１３μｍ以上１５μｍ以下の範囲内である。
前記実施形態によれば、ワイヤの軸部への巻密度をさらに容易に高くでき、低周波領域においてインダクタンス値の確保がよりしやすくなる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記ワイヤの導線の直径は、１４μｍである。
前記実施形態によれば、ワイヤの軸部への巻密度をさらに容易に高くでき、低周波領域においてインダクタンス値の確保がよりしやすくなる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記ワイヤの直径は、１６μｍ以上２２μｍ以下の範囲内である。
前記実施形態によれば、ワイヤの軸部への巻密度を容易に高くでき、低周波領域においてインダクタンス値の確保がしやすくなる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記ワイヤの直径は、１７μｍ以上１９μｍ以下の範囲内である。
前記実施形態によれば、ワイヤの軸部への巻密度をさらに容易に高くでき、低周波領域においてインダクタンス値の確保がよりしやすくなる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記ワイヤの直径は、１８μｍである。
前記実施形態によれば、ワイヤの軸部への巻密度をさらに容易に高くでき、低周波領域においてインダクタンス値の確保がよりしやすくなる。
本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、特定の低周波領域での使用に適切であって、かつ、高周波領域での使用への影響を低減できる。
インダクタ部品の第１実施形態を示す斜視図である。 インダクタ部品の正面図である。 インダクタ部品の端面図である。 コアの断面を説明するための概略斜視図である。 周波数と挿入損失の関係を示すグラフである。 周波数とインダクタンス値の関係を示すグラフである。 周波数とインピーダンス値の関係を示すグラフである。 インダクタ部品の第２実施形態を示す斜視図である。
以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
（第１実施形態）
図１は、インダクタ部品の第１実施形態を示す斜視図である。図２は、インダクタ部品の正面図である。図３は、インダクタ部品の端面図である。
図１と図２と図３に示すように、インダクタ部品１０は、コア２０と、一対の端子電極４０と、ワイヤ５０とを有する。コア２０は、柱状の軸部２１と一対の支持部２２とを有している。軸部２１は直方体状に形成されている。一対の支持部２２は、軸部２１の両端から軸部２１の延びる第１の方向と直交する第２の方向に延びている。支持部２２は、軸部２１を実装対象（回路基板）と平行に支持する。一対の支持部２２は、軸部２１と一体に形成されている。
端子電極４０は、各支持部２２に形成されている。ワイヤ５０は、軸部２１に巻回されている。ワイヤ５０の両端部は、端子電極４０にそれぞれ接続されている。このインダクタ部品１０は、巻線型インダクタである。
インダクタ部品１０は、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示す。そして、本願発明者らが見出したように、５００ＭＨｚ帯の低周波領域のインピーダンス値の向上は、例えば１ＧＨｚ帯などの高周波領域のインピーダンス値の向上の大きなトレードオフとはならない。したがって、特定の低周波領域（５００ＭＨｚ帯）において高いインピーダンス値が確保されつつ、かつ、高周波領域（例えば１ＧＨｚ帯）におけるインピーダンス値の低減が小さい。これにより、特定の低周波領域での使用に適切であって、かつ、高周波領域での使用への影響を低減できる。
インダクタ部品１０は、好ましくは、周波数が３００ＭＨｚの入力信号に対して１１００Ω以上のインピーダンス値を示し、さらに好ましくは、周波数が６００ＭＨｚの入力信号に対して２８５０Ω以上のインピーダンス値を示し、さらに好ましくは、周波数が８００ＭＨｚの入力信号に対して４８００Ω以上のインピーダンス値を示す。このように、さらに他の特定の低周波領域（３００ＭＨｚ帯、６００ＭＨｚ帯）で一定以上のインピーダンス値が確保され、他の高周波領域（８００ＭＨｚ帯）でインピーダンス値が低減されないことにより、特定の低周波領域での使用にさらに適切であって、かつ、高周波領域での使用への影響をさらに低減できる。
インダクタ部品１０は、好ましくは、６２０ｎＨ以上７４０ｎＨ以下の範囲内のインダクタンス値を示し、さらに好ましくは、６８０ｎＨのインダクタンス値を示す。このインダクタンス値は、周波数が１０ＭＨｚで計測したときの値である。このように、インダクタンス値を一定の範囲とすることで、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を取得する際に、有効なインダクタンス値となる。
インダクタ部品１０は、好ましくは、自己共振周波数が８００ＭＨｚ以上であり、さらに好ましくは、自己共振周波数が９００ＭＨｚ以上である。これにより、高周波領域での使用への影響がより確実に低減される。
インダクタ部品１０は、概略で直方体状に形成されている。なお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。また、主面及び側面の一部又は全部に凹凸などが形成されていてもよい。また、「直方体状」では対向する面が必ずしも完全に平行となっている必要はなく、多少の傾きがあってもよい。
本明細書において、軸部２１の延びる方向を「長さ方向Ｌ（第１の方向）」と定義し、「長さ方向Ｌ」に直交する方向のうち図２及び図３の上下方向を「高さ方向（厚み方向）Ｔ」と定義し、「長さ方向Ｌ」及び「高さ方向Ｔ」のいずれにも直交する方向（図３の左右方向）を「幅方向Ｗ」と定義する。なお、本明細書において、「幅方向」は、長さ方向と直交する方向のうち、インダクタ部品１０が回路基板に実装された際、つまり端子電極４０により実装される回路基板と平行となる方向となる。
インダクタ部品１０の長さ方向Ｌの大きさ（長さ寸法Ｌ１）は、０ｍｍよりも大きく、１．０ｍｍ以下が好ましい。インダクタ部品１０の高さ方向Ｔの大きさ（高さ寸法Ｔ１）は、０ｍｍよりも大きく、０．８ｍｍ以下であることが好ましい。
インダクタ部品１０の幅方向Ｗの大きさ（幅寸法Ｗ１）は、０ｍｍよりも大きく、０．６ｍｍ以下であることが好ましい。また、幅寸法Ｗ１は、０．３６ｍｍ以下であることが好ましく、０．３３ｍｍ以下であることがより好ましく、０．３０ｍｍ以下であることがより好ましい。このように、幅寸法Ｗ１を０．３６ｍｍ以下とするなど、インダクタ部品１０を小型とした場合には、より低周波領域での使用と高周波領域での使用を両立することが困難になるため、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示すことによる効果がより一層効果的に発揮される。
軸部２１は、長さ方向Ｌに延在した直方体状に形成されている。一対の支持部２２は、長さ方向Ｌに薄い板状に形成されている。一対の支持部２２は、幅方向Ｗに対して高さ方向Ｔに長い直方体状に形成されている。
一対の支持部２２は、高さ方向Ｔ及び幅方向Ｗに向かって軸部２１の周囲に張り出すように形成されている。具体的には、長さ方向Ｌから見たときの各支持部２２の平面形状は、軸部２１に対して高さ方向Ｔ及び幅方向Ｗに張り出すように形成されている。
各支持部２２は、長さ方向Ｌにおいて相対向する内面３１及び端面３２と、幅方向Ｗにおいて相対向する一対の側面３３，３４と、高さ方向Ｔにおいて相対向する上面３５及び底面３６を有している。一方の支持部２２の内面３１は、他方の支持部２２の内面３１と相対向している。
なお、図示の通り、本明細書において、「底面」とはインダクタを回路基板に実装する際に、回路基板と対向する面を意味する。特に、支持部の底面とは、両側の支持部ともに端子電極が形成されている側の面を意味する。また、「端面」とは支持部のうち、軸部とは逆側に向く面を意味する。さらに「側面」は底面及び端面に隣接する面を意味する。
コア２０の材料としては、磁性材料（例えば、ニッケル（Ｎｉ）−亜鉛（Ｚｎ）系フェライト、マンガン（Ｍｎ）−Ｚｎ系フェライト）、アルミナ、金属磁性体などを用いることができる。これらの材料の粉末を、成型及び焼結することによりコア２０が得られる。
図４に示すように、軸部２１の軸方向（長さ方向Ｌ）と直交する断面２１ａの面積は、その軸方向と直交する支持部２２の断面２２ａの面積に対して、３５％以上７５％以下の範囲内であることが好ましい。このように、軸部２１の断面積の比率を３５％以上とすることで、軸部２１の太さの下限を設定し、これにより、コア２０を通過する磁束の飽和量が向上して、特性の低下を抑制できる。一方、軸部２１の断面積の比率を７５％以下とすることで、軸部２１の太さの上限を設定し、これにより、軸部２１に巻回されるワイヤ５０が、支持部２２の底面３６に接近して、端子電極４０に接触することを防止できる。
軸部２１の断面の面積は、好ましくは、支持部２２の断面の面積の４０％以上７０％以下の範囲内であり、さらに好ましくは、４５％以上６５％以下の範囲内であり、さらに好ましくは、５０％以上６０％以下の範囲内であり、さらに好ましくは、５５％である。これにより、特性の低下とワイヤ５０の端子電極４０への接触を一層防止できる。
軸部２１の体積に対するインダクタンス値は、好ましくは、１１５００ｎＨ／ｍｍ３以上を示す。このとき、例えば、インダクタンス値が６７０ｎＨであり、軸部２１は、Ｌ寸法が０．４４ｍｍであり、Ｗ寸法が０．３０ｍｍであり、Ｔ寸法が０．４４ｍｍである。これによれば、インダクタンス値の取得効率を向上でき、インダクタ部品１０を小型にできる。
軸部２１の体積に対するインダクタンス値は、さらに好ましくは、１９３００ｎＨ／ｍｍ３以上を示す。このとき、例えば、インダクタンス値が６８０ｎＨであり、軸部２１は、Ｌ寸法が０．４４ｍｍであり、Ｗ寸法が０．２５ｍｍであり、Ｔ寸法が０．３２ｍｍである。これによれば、インダクタンス値の取得効率を向上でき、インダクタ部品１０を小型にできる。
ワイヤ５０は、軸部２１に巻回されている。ワイヤ５０の両端部は、端子電極４０にそれぞれ電気的に接続されている。ワイヤ５０と端子電極４０の接続には、例えばはんだを用いることができる。
ワイヤ５０のターン数は、好ましくは、２０以上２２以下のターンであり、さらに好ましくは、２１ターンである。これによれば、低周波領域におけるインピーダンス値を容易に向上できる。つまり、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を容易に実現できる。
ワイヤ５０は、好ましくは、軸部２１に対して１層巻きで巻き回されている。これによれば、ワイヤ５０間の浮遊容量を小さくでき、高周波特性を向上できる。
ワイヤ５０は、例えば円形状の断面を有する導線と、導線の表面を被覆する被膜とを含む。導線の材料としては、例えば、ＣｕやＡｇ等の導電性材料を主成分とすることができる。被膜の材料としては、例えばポリウレタンやポリエステル等の絶縁材料を用いることができる。
ワイヤ５０の導線の直径は、好ましくは、１２μｍ以上１８μｍ以下の範囲内であり、さらに好ましくは、１３μｍ以上１５μｍ以下の範囲内であり、さらに好ましくは、１４μｍである。また、ワイヤ５０の直径（つまり、導線の直径と被膜の厚みを合算した値）は、好ましくは、１６μｍ以上２２μｍ以下の範囲内であり、さらに好ましくは、１７μｍ以上１９μｍ以下の範囲内であり、さらに好ましくは、１８μｍである。
このように、ワイヤ５０やワイヤ５０の導線を細線となる上記範囲に設定することで、ワイヤ５０の軸部２１への巻密度を容易に高くでき、低周波領域においてインダクタンス値の確保がしやすくなる。つまり、直径の上限値を設定することで巻密度を確保でき、直径の下限値を設定することでワイヤ５０の強度を確保できる。
端子電極４０は、支持部２２の底面３６に形成された底面部電極４１を有している。底面部電極４１は、支持部２２の底面３６の全体にわたって形成されている。端子電極４０は、支持部２２の端面３２に形成された端面部電極４２を有している。端面部電極４２は、支持部２２の端面３２の一部（下側部分）を覆うように形成されている。端面部電極４２は、底面部電極４１から連続するように形成されている。
図３に示すように、端面部電極４２は、支持部２２の端面３２において、幅方向の両端部４２ｂよりも幅方向の中央部４２ａが高く形成されている。端面部電極４２の上端４２ｃは上側に凸となる弧状である。これによれば、端面部電極４２の高さを高く設定できるため、端子電極４０の表面積を大きくできる。このため、インダクタ部品１を回路基板にはんだを介して実装する際、端子電極４０のはんだとの接触面積を大きくでき、インダクタ部品１の回路基板に対する固着力を向上できる。さらに、端面部電極４２の上端４２ｃは弧状であるので、端子電極４０の表面積をより大きくでき、回路基板に対する固着力をより向上できる。
端面部電極４２は、端部４２ｂの高さＴｂに対する中央部４２ａの高さＴａの比が１．１以上であることが好ましく、高さの比が１．２以上であることがより好ましく、高さの比が１．３以上であることがさらに好ましい。これによれば、端子電極４０の表面積をより大きくでき、回路基板に対する固着力をより向上できる。
なお、端面部電極４２の高さとは、端面３２側から見て、底面部電極４１の表面（下端）から高さ方向Ｔに沿って測定した端面部電極４２の端部（上端）までの長さである。また、特に、端部４２ｂの高さＴｂは、端面３２の平面部分における幅方向の端部の高さである。図３では、端面３２における平面部分の端部を一点鎖線にて示している。コア２０は、外表面（角部や稜線部）に曲面状の丸みを持つように面取りが施されている。面取りは、例えばバレル研磨により行われる。曲面状の部分では、下端の位置が変動するため、端面部電極４２の高さにばらつきを生じやすい。このため、端面部電極４２の端部４２ｂは、端面３２における平面部分の幅方向の端部とする。なお、端面３２の平面部分の端部が不明確である場合は、端部４２ｂを、図３において、支持部２２の側面３３，３４から５０μｍ内側の箇所とする。
端子電極４０は、支持部２２の側面３３，３４に形成された側面部電極４３を有している。側面部電極４３は、支持部２２の側面３３の一部（下側部分）を覆うように形成されている。側面部電極４３は、底面部電極４１及び端面部電極４２から連続するように形成されている。側面部電極４３は、一対の支持部２２の互いの対向面（内面３１）から、端面３２に向かって、徐々に高くなるように、即ち、支持部２２の側面３３における端子電極４０の上辺が傾斜した態様で形成されている。なお、側面３４における側面部電極４３も同様に形成されている。これによれば、側面部電極４３における支持部２２の対向面側の高さを低くできるので、軸部２１に巻回されるワイヤ５０が端子電極４０に接触することを防止でき、また、軸部２１の断面積を大きくでき特性の低下を防止できる。
端子電極４０は、金属層と、その金属層の表面のめっき層とを含む。金属層としては例えば銀（Ａｇ）であり、めっき層としては例えば錫（Ｓｎ）めっきである。なお、金属層として、銅（Ｃｕ）等の金属、ニッケル（Ｎｉ）−クロム（Ｃｒ）、Ｎｉ−銅（Ｃｕ）等の合金を用いてもよい。また、めっき層として、Ｎｉめっき、２種類以上のめっきを用いてもよい。
このような端子電極４０を形成するには、端子電極４０を構成する導電性ペーストにコア２０の支持部２２の底面３６を浸漬する。支持部２２の底面３６が斜め上方を向くように、コア２０を傾斜して配置する。そうすると、導電性ペーストは、端面３２を伝い広がり、上記形状の端子電極４０を形成することができる。
インダクタ部品１０は、さらにカバー部材６０を有している。カバー部材６０は、軸部２１に巻回されたワイヤ５０を覆うように、軸部２１の上面と支持部２２の上面とに塗布されている。カバー部材６０の上面６０ａは、平面である。カバー部材６０の材料としては、例えば、エポキシ系の樹脂を用いることができる。
カバー部材６０は、例えば、インダクタ部品１０を回路基板に実装する際に、吸引ノズルによる吸着が確実に行えるようにする。また、カバー部材６０は、吸引ノズルによる吸着時にワイヤ５０に傷がつくのを防止する。なお、カバー部材６０に磁性材料を用いることで、インダクタ部品１０のインダクタンス値（Ｌ値）を向上することができる。一方、カバー部材６０に非磁性材料を用いることで、磁性損失を低減し、Ｑ値を向上することができる。
次に、上記のインダクタ部品１０の作用を説明する。
図５は、周波数と挿入損失の関係を示すグラフである。図６は、周波数とインダクタンス値の関係を示すグラフである。図７は、周波数とインピーダンス値の関係を示すグラフである。実線は実施例のインダクタ部品１０の特性を示し、点線は比較例のインダクタ部品の特性を示す。
実施例および比較例では、同じ形状のコアおよび端子電極を用いている。一方、実施例では、５００ＭＨｚのインピーダンス値を向上させるため、比較例よりも細線のワイヤを用いてワイヤの巻き数を増やしている。具体的には、実施例および比較例では、Ｌ／Ｗ／Ｔ＝０．７ｍｍ／０．３ｍｍ／０．５ｍｍのコアを用い、比較例では１９μｍ径のワイヤを１９ターン巻回し、実施例では１８μｍ径のワイヤを２１ターン巻回している。
ここで、インダクタンス測定条件として、以下に示す。
テスト信号レベル（Test signal level）：約0dBm
電極間隔（Electrode spaces）：0.2mm
電気長（Electrical length）：10.0mm
加重（Adding weight）：約1〜3N
測定器具（Measuring Fixture）：KEYSIGHT 16197A
図５に示すように、実施例の挿入損失は、５００ＭＨｚなどの低周波領域において、比較例の挿入損失よりも明らかに大きい一方、１ＧＨｚを超える高周波においても、実施例の挿入損失は、比較例の挿入損失と同等であることが分かる。挿入損失（I.L.: Insertion loss）が大きい（グラフの下方側に向かう）ほど、インピーダンス値が大きいことを意味する。
図６に示すように、低周波領域において、実施例のインダクタンス値は、比較例のインダクタンス値よりも大きい。これは、５００ＭＨｚなどの低周波領域において、実施例は、比較例よりも、高いインピーダンス値を有することを意味する。
図７に示すように、周波数が５００ＭＨｚにおいて、実施例のインピーダンス値は、２１００Ω以上であり、比較例のインピーダンス値は、２１００Ωよりも小さい。さらに、周波数が１ＧＨｚにおいて、実施例のインピーダンス値は、比較例のインピーダンス値と比べて小さくならない。
したがって、実施例のインダクタ部品によれば、５００ＭＨｚ帯付近の低周波領域においても、２１００Ωという非常に高いインピーダンス値が確保されつつ、１ＧＨｚ帯におけるインピーダンス値も大きく低減されないため、特定の低周波領域での使用に適切であって、かつ高周波領域での使用への影響も低減できる。
なお、上述したようなコア寸法、ワイヤ径および巻き数は、あくまで５００ＭＨｚにおいて２１００Ω以上を実現する手段の一例である。電気的には、５００ＭＨｚにおいて２１００Ω以上という指標が重要なのであって、この条件を満たすインダクタ部品であれば、上記発明の効果は得られる。つまり、５００ＭＨｚにおいてインピーダンス値を向上する手段としては、上述したようにワイヤ径やワイヤの巻き数をパラメータとして変更する以外に、軸部の断面積（ワイヤのターン内径）、コアの材料（特に５００ＭＨｚ帯での透磁率）、ワイヤが巻回された部分の軸部の長さ（コイル長）、端子電極の位置、端子電極の面積を変更することができ、これらの２つ以上を組み合わせてもよい。
（第２実施形態）
図８は、インダクタ部品の第２実施形態を示す斜視図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、端子電極およびカバー部材の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図８に示すように、第２実施形態のインダクタ部品１０Ａでは、端子電極４０Ａは、底面部電極４１のみを有する構成である。したがって、端子電極４０Ａの製造が容易となる。
インダクタ部品１０Ａは、前記第１実施形態のカバー部材６０の代わりに、天面カバー部材８０と底面カバー部材９０を有している。天面カバー部材８０は、一対の支持部２２の間に配設され、上面３５側でワイヤ５０を覆っている。底面カバー部材９０は、一対の支持部２２の間に配設され底面３６側でワイヤ５０を覆っている。天面カバー部材８０および底面カバー部材９０を設けることで、インダクタ部品１０Ａの強度を向上できる。
また、本開示の他の実施形態では、
柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、
前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の前記端子電極に接続されたワイヤと
を有し、
周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示し、
前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５５％であり、
６２０ｎＨ以上７４０ｎＨ以下の範囲内のインダクタンス値を示す。
前記実施形態によれば、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示しているので、特定の低周波領域（５００ＭＨｚ帯）におけるインピーダンス値が確保されつつ、かつ、高周波領域（１ＧＨｚ帯）におけるインピーダンス値の低減が小さい。したがって、特定の低周波領域での使用に適切であって、かつ、高周波領域での使用への影響を低減できる。
また、軸部の断面の面積は、支持部の断面の面積の５５％であるので、特性の低下とワイヤの端子電極への接触をより確実に防止できる。
また、６２０ｎＨ以上７４０ｎＨ以下の範囲内のインダクタンス値を示すので、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を取得する際に、有効なインダクタンス値である。
また、本開示の他の実施形態では、
柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、
前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の前記端子電極に接続されたワイヤと
を有し、
周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示し、
自己共振周波数が９００ＭＨｚ以上であり、
前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極と、前記底面部電極と連続するように前記支持部の端面に形成された端面部電極と、を含み、
前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高く、
前記端面部電極の上端が上側に凸となる弧状であり、
前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上であり、
前記ワイヤの導線の直径は、１４μｍである。
前記実施形態によれば、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示しているので、特定の低周波領域（５００ＭＨｚ帯）におけるインピーダンス値が確保されつつ、かつ、高周波領域（例えば１ＧＨｚ帯）におけるインピーダンス値の低減が小さい。したがって、特定の低周波領域での使用に適切であって、かつ、高周波領域での使用への影響を低減できる。
また、自己共振周波数が９００ＭＨｚ以上であるので、高周波領域での使用への影響がより確実に低減される。
また、端面部電極は、端面の幅方向の端部よりも端面の幅方向の中央部が高く、端面部電極の上端が上側に凸となる弧状であるので、端面部電極の高さを高く設定でき、これにより、端子電極の表面積を大きくでき、回路基板に対する固着力を向上できる。
また、端面部電極は、端面の幅方向の端部の高さに対する端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上であるので、端子電極の表面積をより大きくでき、回路基板に対する固着力をより向上できる。
また、ワイヤの導線の直径は、１４μｍであるので、ワイヤの軸部への巻密度を高くでき、低周波領域においてインダクタンス値の確保がよりしやすくなる。
また、本開示の他の実施形態では、
柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、
前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の前記端子電極に接続されたワイヤと
を有し、
周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示し、
前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３０ｍｍ以下であり、
６８０ｎＨのインダクタンス値を示し、
前記軸部に巻回されたワイヤのターン数が２１ターンであり、
前記ワイヤが前記軸部に対して１層巻きで巻き回されている。
前記実施形態によれば、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示しているので、特定の低周波領域（５００ＭＨｚ帯）におけるインピーダンス値が確保されつつ、かつ、高周波領域（例えば１ＧＨｚ帯）におけるインピーダンス値の低減が小さい。したがって、特定の低周波領域での使用に適切であって、かつ、高周波領域での使用への影響を低減できる。
また、軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において端子電極を含む幅寸法が０．３０ｍｍ以下であるので、インダクタ部品を一層小型としても、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を取得することができる。
また、６８０ｎＨのインダクタンス値を示すので、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を取得する際に、有効なインダクタンス値である。
また、軸部に巻回されたワイヤのターン数が２１ターンであるので、低周波領域におけるインピーダンス値を容易に向上できる。
また、ワイヤが軸部に対して１層巻きで巻き回されているので、浮遊容量を小さくでき、高周波特性を向上できる。
また、本開示の他の実施形態では、
柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、
前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の前記端子電極に接続されたワイヤと
を有し、
周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示し、
前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３０ｍｍ以下であり、
前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５５％であり、
６８０ｎＨのインダクタンス値を示し、
自己共振周波数が９００ＭＨｚ以上であり、
前記軸部の体積に対するインダクタンス値が１１５００ｎＨ／ｍｍ３以上を示し、
前記軸部に巻回されたワイヤのターン数が２１ターンであり、
前記ワイヤが前記軸部に対して１層巻きで巻き回されており、
前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極と、前記底面部電極と連続するように前記支持部の端面に形成された端面部電極と、を含み、
前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高く、
前記端面部電極の上端が上側に凸となる弧状であり、
前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上であり、
前記ワイヤの導線の直径は、１４μｍである。
前記実施形態によれば、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示しているので、特定の低周波領域（５００ＭＨｚ帯）におけるインピーダンス値が確保されつつ、かつ、高周波領域（例えば１ＧＨｚ帯）におけるインピーダンス値の低減が小さい。したがって、特定の低周波領域での使用に適切であって、かつ、高周波領域での使用への影響を低減できる。
また、軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において端子電極を含む幅寸法が０．３０ｍｍ以下であるので、インダクタ部品を一層小型としても、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を取得することができる。
また、軸部の断面の面積は、支持部の断面の面積の５５％であるので、特性の低下とワイヤの端子電極への接触をより確実に防止できる。
また、６８０ｎＨのインダクタンス値を示すので、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を取得する際に、有効なインダクタンス値である。
また、自己共振周波数が９００ＭＨｚ以上であるので、高周波領域での使用への影響がより確実に低減される。
また、軸部の体積に対するインダクタンス値が１１５００ｎＨ／ｍｍ３以上を示すので、インダクタンス値の取得効率を向上でき、インダクタ部品を小型にできる。
また、軸部に巻回されたワイヤのターン数が２１ターンであるので、低周波領域におけるインピーダンス値を容易に向上できる。
また、ワイヤが軸部に対して１層巻きで巻き回されているので、浮遊容量を小さくでき、高周波特性を向上できる。
また、端面部電極は、端面の幅方向の端部よりも端面の幅方向の中央部が高く、端面部電極の上端が上側に凸となる弧状であるので、端面部電極の高さを高く設定でき、これにより、端子電極の表面積を大きくでき、回路基板に対する固着力を向上できる。
また、端面部電極は、端面の幅方向の端部の高さに対する端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上であるので、端子電極の表面積をより大きくでき、回路基板に対する固着力をより向上できる。
また、ワイヤの導線の直径は、１４μｍであるので、ワイヤの軸部への巻密度を容易に高くでき、低周波領域においてインダクタンス値の確保がしやすくなる。
なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１と第２実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。また、コアの形状や端子電極の形状は、適宜、設計変更可能である。また、カバー部材を省略してもよい。また、ワイヤは、軸部に対して１層巻きで巻き回されているが、ワイヤは、軸部に対して複数層巻きで巻き回されてもよい。
１０，１０Ａ インダクタ部品
２０ コア
２１ 軸部
２２ 支持部
３１ 内面
３２ 端面
３３，３４ 側面
３５ 上面
３６ 底面
４０，４０Ａ 端子電極
４１ 底面部電極
４２ 端面部電極
４２ａ 中央部
４２ｂ 両端部
４２ｃ 上端
４３ 側面部電極
５０ ワイヤ
６０，８０，９０ カバー部材

Claims (37)

  1. 柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを含むコアと、
    前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
    前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の前記端子電極に接続されたワイヤと
    を有し、
    周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示す、インダクタ部品。
  2. 前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において、前記インダクタ部品の幅寸法が０．３６ｍｍ以下である、請求項１に記載のインダクタ部品。
  3. 前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において、前記インダクタ部品の幅寸法が０．３３ｍｍ以下である、請求項２に記載のインダクタ部品。
  4. 前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において、前記インダクタ部品の幅寸法が０．３０ｍｍ以下である、請求項３に記載のインダクタ部品。
  5. 前記軸部の延びる第１の方向と直交する前記軸部の断面の面積は、前記第１の方向と直交する前記支持部の断面の面積の３５％以上７５％以下の範囲内である、請求項１から４の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  6. 前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の４０％以上７０％以下の範囲内である、請求項５に記載のインダクタ部品。
  7. 前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の４５％以上６５％以下の範囲内である、請求項６に記載のインダクタ部品。
  8. 前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５０％以上６０％以下の範囲内である、請求項７に記載のインダクタ部品。
  9. 前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５５％である、請求項８に記載のインダクタ部品。
  10. ６２０ｎＨ以上７４０ｎＨ以下の範囲内のインダクタンス値を示す、請求項１から９の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  11. ６８０ｎＨのインダクタンス値を示す、請求項１０に記載のインダクタ部品。
  12. 周波数が３００ＭＨｚの入力信号に対して１１００Ω以上のインピーダンス値を示す、請求項１から１１の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  13. 周波数が６００ＭＨｚの入力信号に対して２８５０Ω以上のインピーダンス値を示す、請求項１２に記載のインダクタ部品。
  14. 周波数が８００ＭＨｚの入力信号に対して４８００Ω以上のインピーダンス値を示す、請求項１３に記載のインダクタ部品。
  15. 自己共振周波数が８００ＭＨｚ以上である、請求項１から１４の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  16. 自己共振周波数が９００ＭＨｚ以上である、請求項１５に記載のインダクタ部品。
  17. 前記軸部の体積に対するインダクタンス値が１１５００ｎＨ／ｍｍ３以上を示す、請求項１から１６の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  18. 前記軸部の体積に対するインダクタンス値が１９３００ｎＨ／ｍｍ３以上を示す、請求項１７に記載のインダクタ部品。
  19. 前記軸部に巻回されたワイヤのターン数が２０以上２２以下のターンである、請求項１から１８の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  20. 前記軸部に巻回されたワイヤのターン数が２１ターンである、請求項１９に記載のインダクタ部品。
  21. 前記ワイヤが前記軸部に対して１層巻きで巻き回されている、請求項１から２０の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  22. 前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極と、前記底面部電極と連続するように前記支持部の端面に形成された端面部電極と、を含み、
    前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高い、請求項１から２１の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  23. 前記端面部電極の上端が上側に凸となる弧状である、請求項２２に記載のインダクタ部品。
  24. 前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．１以上である、請求項２２または２３に記載のインダクタ部品。
  25. 前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上である、請求項２２または２３に記載のインダクタ部品。
  26. 前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．３以上である、請求項２２または２３に記載のインダクタ部品。
  27. 前記端子電極はさらに、前記底面部電極と連続するように前記支持部の側面に形成された側面部電極を含み、
    前記側面部電極は、前記一対の支持部の互いの対向面から前記端面にむかって徐々に高さが高くなるように形成されている、請求項２２から２６の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  28. 前記ワイヤの導線の直径は、１２μｍ以上１８μｍ以下の範囲内である、請求項１から２７の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  29. 前記ワイヤの導線の直径は、１３μｍ以上１５μｍ以下の範囲内である、請求項２８に記載のインダクタ部品。
  30. 前記ワイヤの導線の直径は、１４μｍである、請求項２９に記載のインダクタ部品。
  31. 前記ワイヤの直径は、１６μｍ以上２２μｍ以下の範囲内である、請求項１から２７の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  32. 前記ワイヤの直径は、１７μｍ以上１９μｍ以下の範囲内である、請求項３１に記載のインダクタ部品。
  33. 前記ワイヤの直径は、１８μｍである、請求項３２に記載のインダクタ部品。
  34. 柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、
    前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
    前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の前記端子電極に接続されたワイヤと
    を有し、
    周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示し、
    前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５５％であり、
    ６２０ｎＨ以上７４０ｎＨ以下の範囲内のインダクタンス値を示す、インダクタ部品。
  35. 柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、
    前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
    前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の前記端子電極に接続されたワイヤと
    を有し、
    周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示し、
    自己共振周波数が９００ＭＨｚ以上であり、
    前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極と、前記底面部電極と連続するように前記支持部の端面に形成された端面部電極と、を含み、
    前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高く、
    前記端面部電極の上端が上側に凸となる弧状であり、
    前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上であり、
    前記ワイヤの導線の直径は、１４μｍである、インダクタ部品。
  36. 柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、
    前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
    前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の前記端子電極に接続されたワイヤと
    を有し、
    周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示し、
    前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３０ｍｍ以下であり、
    ６８０ｎＨのインダクタンス値を示し、
    前記軸部に巻回されたワイヤのターン数が２１ターンであり、
    前記ワイヤが前記軸部に対して１層巻きで巻き回されている、インダクタ部品。
  37. 柱状の軸部と、前記軸部の両端部の一対の支持部とを有するコアと、
    前記一対の支持部のそれぞれに設けられた端子電極と、
    前記軸部に巻回され、両端部がそれぞれ前記一対の支持部の前記端子電極に接続されたワイヤと
    を有し、
    周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して２１００Ω以上のインピーダンス値を示し、
    前記軸部の延びる第１の方向と直交する方向のうち、前記端子電極により実装される回路基板と平行となる方向において前記端子電極を含む幅寸法が０．３０ｍｍ以下であり、
    前記軸部の断面の面積は、前記支持部の断面の面積の５５％であり、
    ６８０ｎＨのインダクタンス値を示し、
    自己共振周波数が９００ＭＨｚ以上であり、
    前記軸部の体積に対するインダクタンス値が１１５００ｎＨ／ｍｍ３以上を示し、
    前記軸部に巻回されたワイヤのターン数が２１ターンであり、
    前記ワイヤが前記軸部に対して１層巻きで巻き回されており、
    前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極と、前記底面部電極と連続するように前記支持部の端面に形成された端面部電極と、を含み、
    前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部よりも前記端面の幅方向の中央部が高く、
    前記端面部電極の上端が上側に凸となる弧状であり、
    前記端面部電極は、前記端面の幅方向の端部の高さに対する前記端面の幅方向の中央部の高さの比が１．２以上であり、
    前記ワイヤの導線の直径は、１４μｍである、インダクタ部品。
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