JP7142925B2 - マイクロラフな電解銅箔及び銅箔基板 - Google Patents
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Description
また、V字溝123の状態を観測するために、電解銅箔12をスライス切断した後、走査型電子顕微鏡(Hitachi社製、型番:S-3400N、Tilt(0deg))を用いて観測を行った。V字溝123に係る寸法の測定は、走査式電子顕微鏡による5000倍の写真で行う。
[マイクロラフな電解銅箔の作製方法]
[実施例1]
[実施例2~3]
[比較例1~2]
[比較例3]
[比較例4]
11 基材
12 マイクロラフな電解銅箔
121 マイクロラフな表面
122 突起
123 V字溝
124 微結晶クラスター
125 微結晶
2 連続式電解設備
21 巻き出しロール
22 巻き入れロール
23 タンク
231 白金電極
24 電解ロールセット
241 電解ロール
25 補助ロールセット
251 補助ロール
Claims (7)
- マイクロラフな表面を有するマイクロラフな電解銅箔であって、
走査式電子顕微鏡による5000倍の写真で観察した場合に、前記マイクロラフな表面は、複数の突起、複数のV字溝、及び複数の微結晶クラスターを含み、隣り合う2つの前記突起により1つの前記V字溝を画成し、前記V字溝の平均深さが1ミクロン未満であり、前記微結晶クラスターが前記突起の頂部に位置し、前記微結晶クラスターの平均高さが1.3ミクロン未満であり、且つ、
前記微結晶クラスターそれぞれは、複数の微結晶が積み重なってなるものであり、前記微結晶の平均直径が0.05~0.5ミクロンであり、
前記マイクロラフな電解銅箔の、マイクロラフな表面のRlr値が1.06未満である、マイクロラフな電解銅箔。 - 前記マイクロラフな電解銅箔の、マイクロラフな表面のRlr値が1.055未満である、請求項1に記載のマイクロラフな電解銅箔。
- 基材と、前記基材に貼り付けるためのマイクロラフな表面を有するマイクロラフな電解銅箔を備える銅箔基板であって、
走査式電子顕微鏡による5000倍の写真で観察した場合に、前記マイクロラフな表面は、複数の突起、複数のV字溝、及び複数の微結晶クラスターを含み、隣り合う2つの前記突起により1つの前記V字溝を画成し、前記V字溝の平均深さが1ミクロン未満であり、前記微結晶クラスターが前記突起の頂部に位置し、前記微結晶クラスターの平均高さが1ミクロン未満であり、
前記微結晶クラスターの平均最大幅が5ミクロン未満であり、一部の前記微結晶クラスターに分岐構造が形成され、前記複数の微結晶クラスターそれぞれは、複数の微結晶が積み重なってなるものであり、前記微結晶の平均直径が0.05~0.5ミクロンであり、前記マイクロラフな電解銅箔の、マイクロラフな表面のRlr値が1.06未満であり、
前記銅箔基板の、20GHzでの挿入損失が0~-0.635db/inであり、
前記マイクロラフな電解銅箔と前記基材の間の剥離強度が3lb/inを超過する、銅箔基板。 - 前記銅箔基板の、30GHzでの挿入損失が0~-0.935db/inである、請求項3に記載の銅箔基板。
- 前記銅箔基板の、8GHzでの挿入損失が0~-0.31db/inであり、前記銅箔基板の、12.89GHzでの挿入損失が0~-0.43db/inであり、前記銅箔基板の、16GHzでの挿入損失が0~-0.53db/inであり、前記マイクロラフな電解銅箔と前記基材の間の剥離強度が3.5lb/inを超過する、請求項3又は4に記載の銅箔基板。
- 前記銅箔基板の、12.89GHzでの挿入損失が0~-0.42db/inであり、前記銅箔基板の、16GHzでの挿入損失が0~-0.52db/inであり、前記銅箔基板の、20GHzでの挿入損失が0~-0.63db/inであり、前記銅箔基板の、30GHzでの挿入損失が0~-0.92db/inであり、前記マイクロラフな電解銅箔と前記基材の間の剥離強度が3.9lb/inを超過する、請求項3から5までの何れか一項に記載の銅箔基板。
- 前記基材の、周波数1GHzでのDk値が3.8未満であり、且つ周波数1GHzでのDf値が0.002未満である、請求項3に記載の銅箔基板。
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