JP2020503231A - 改善された抵抗率制御により単結晶シリコンインゴットを形成する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2016年12月28日に出願された米国仮特許出願第62/439,743号の利益を主張する。この出願の内容は、参照により本明細書に包含される。
[C]s=ko[C]o(1−g)ko−1 (式1)
式1において、[C]sは、選択された固形割合gにおける、初期液体中の不純物Aの出発濃度[C]0に対する固体中の不純物Aの濃度である。不純物Aに対する偏析係数、および初期液体の濃度を知ることにより、増加する固形割合に対する濃度が決定される。1よりも小さい偏析係数を有する不純物に対して、固体中のAの濃度プロファイルの典型的な挙動が図3に示されている。
抵抗率=1/(n q u) (式2)
式2において、nは電荷担体の数、qは基本クーロン電荷、uは電荷担体の移動度を示す。典型的には、ドーパントは完全にイオン化されると考えられる。また、nは関与するドーパントの濃度に等しいと考えられる。抵抗率プロファイルは、図4に示されている。
nnet=|ndonors−nacceptors|(式3)
ドナーの数がアクセプターの数を超えると、抵抗率は式4により計算することができる。
抵抗率=(nnet q ue′) (式4)
式4において、ue′は電子の移動度を示す。逆に、ドナーの数がアクセプターの数より少ないと、抵抗率は式5により計算することができる。
抵抗率=1/(nnet q uh°) (式5)
式5において、uh°は正孔の移動度である。
本開示のプロセスは、以下の実施例によりさらに説明される。これらの実施例は、限定的な趣旨とみなされるべきではない。
ホウ素およびリンの不純物蓄積の積み重ねに由来する単結晶シリコンウェハにおける型変化が、図5にモデル化され、示されている。図5に示すように、P型からN型への型変化は、ホウ素と比較したリンの蓄積に起因して約17%の固形割合で発生する。ガリウムの添加は、P型からN型への型変化を約62%の固形割合まで遅延させる。これは、ガリウムがリン不純物蓄積を補償するよう作用していることを示す。約10,000ohm−cmから50,000ohm−cmまでの抵抗率目標が与えられたとき、ガリウムの使用は、40%の歩留まり改善をもたらした。
抵抗率を制御するために使用される少量のガリウムを促進するために、マスターガリウムシリコン合金が製造された。合金は、0.1から0.3wt%の範囲でガリウム濃度を有していた。シリコンおよびガリウムの量が測定された。原料は低勾配炉中の石英容器で溶融され凝固された。合金材料は容器から分離され、HF中で酸洗浄された。合金は、次に、3mm未満にするために、乾燥、粉砕、大きさごとに区分、および洗浄された。得られた合金材料が、図12に示されている。得られたガリウムシリコン合金は、実施例1に記載されたガリウムドーピングに使用するのに適切であった。
Claims (22)
- るつぼ内に保持されたシリコン融液から単結晶シリコンインゴットを製造する方法であって、
前記るつぼに多結晶シリコンを添加する工程と、
前記多結晶シリコンを加熱する工程と、
これにより、前記るつぼ内にシリコン融液を形成する、
ガリウムおよびインジウムにより構成されるグループから選択された第1ドーパントを前記るつぼに添加する工程と、
前記シリコン融液から標本インゴットを引き上げる工程と、
前記標本インゴットの抵抗率を測定する工程と、
前記シリコン融液に第2ドーパントを添加する工程と、
ここで、前記シリコン融液に添加される前記第2ドーパントの量は、測定された前記標本インゴットの前記抵抗率に部分的に基づく、
前記シリコン融液から製品インゴットを引き上げる工程と、
を含む、
方法。 - 前記シリコン融液に添加される前記第2ドーパントの量は、前記製品インゴットのプライム部分の目標抵抗率に部分的に基づく、
ここで、前記プライム部分は前記目標抵抗率を有する、
請求項1に記載の方法。 - 前記目標抵抗率は、最小抵抗率である、
請求項2に記載の方法。 - 前記最小抵抗率は、少なくとも約1,500Ω−cmである、または少なくとも約2,000Ω−cm、少なくとも約4,000Ω−cm、少なくとも約6,000Ω−cm、少なくとも約8,000Ω−cm、少なくとも約10,000Ω−cm、または約1,500Ω−cmから約50,000ohm−cm、または約8,000Ω−cmから約50,000Ω−cmである、
請求項3に記載の方法。 - 前記目標抵抗率は、最大抵抗率である、
請求項2に記載の方法。 - 前記第2ドーパントはリンおよびホウ素から選択される、
請求項1ないし5のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第2ドーパントはリンである、
請求項1ないし6のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1ドーパントはガリウムである、
請求項1ないし7のいずれか1項に記載の方法。 - ガリウムが前記るつぼに添加された後の前記シリコン融液中のガリウムの濃度が、約0.5ppma未満である、または約0.1ppma未満、約0.01ppma未満、約0.001ppma未満、約0.00001ppmaから約0.5ppma、または約0.0001ppmaから約0.1ppmaである、
請求項8に記載の方法。 - ガリウムは、シリコンガリウム合金として前記るつぼに添加される、
請求項8または9に記載の方法。 - 前記第1ドーパントはインジウムである、
請求項1ないし7のいずれか1項に記載の方法。 - インジウムが前記るつぼに添加された後の前記シリコン融液中のインジウムの濃度が、約0.5ppma未満である、または約0.1ppma未満、0.01ppma未満、約0.001ppma未満、約0.00001ppmaから約0.5ppma、または約0.0001ppmaから約0.1ppmaである。
請求項11に記載の方法。 - インジウムは、シリコンインジウム合金として前記るつぼに添加される、
請求項11または12に記載の方法。 - 前記標本インゴットは、約10,000ohm−cmまたは約5,000ohm−cm以下または約2,500ohm−cm以下、約500ohm−cmから約10,000ohm−cm、約500ohm−cmから約5,000ohm−cm、または約1000ohm−cmから約3000ohm−cmの抵抗率を有する、
請求項1ないし13のいずれか1項に記載の方法。 - 前記多結晶シリコンは、半導体グレードシリコンである、
請求項1ないし14のいずれか1項に記載の方法。 - るつぼ内に保持されたシリコン融液から単結晶シリコンインゴットを製造する方法であって、
前記るつぼに多結晶シリコンを添加する工程と、
前記多結晶シリコンを加熱する工程と、
これにより、前記るつぼ内にシリコン融液を形成する、
シリコンガリウムおよびシリコンインジウムにより構成されるグループから選択された合金を前記るつぼに添加する工程と、
前記シリコン融液から製品インゴットを引き上げる工程と、
を含む、
方法。 - 前記合金はシリコンガリウムであり、5wt%未満のガリウム、または1wt%未満、0.5wt%未満、約0.001wt%から約5wt%、または約0.01wt%から約1wt%のガリウムを含む、
請求項16に記載の方法。 - 前記合金はシリコンガリウムであり、ガリウムが前記るつぼに添加された後の前記シリコン融液中のガリウムの濃度が、0.5ppma未満である、または約0.1ppma未満、0.01ppma未満、約0.001ppma未満、約0.00001ppmaから約0.5ppma、または約0.0001ppmaから約0.1ppmaである、
請求項16または17に記載の方法。 - 前記合金はシリコンインジウムであり、5wt%未満のインジウム、または1wt%未満、0.5wt%未満のインジウム、約0.001wt%から約5wt%、または約0.01wt%から約1wt%のインジウムを含む、
請求項16に記載の方法。 - 前記合金はシリコンインジウムであり、インジウムが前記るつぼに添加された後の前記シリコン融液中のインジウムの濃度が、0.5ppma未満である、または約0.1ppma未満、0.01ppma未満、約0.001ppma未満、約0.00001ppmaから約0.5ppma、または約0.0001ppmaから約0.1ppmaである、
請求項16または19に記載の方法。 - 前記インゴットは、少なくとも約1,500Ω−cm、または少なくとも約2,000Ω−cm、少なくとも約4,000Ω−cm、少なくとも約6,000Ω−cm、少なくとも約8,000Ω−cm、少なくとも約10,000Ω−cm、または約1,500Ω−cmから約50,000ohm−cm、または約8,000Ω−cmから約50,000Ω−cmの抵抗率を持つプライム部分を有する、
請求項16ないし20のいずれか1項に記載の方法。 - 前記多結晶シリコンは、半導体グレードシリコンである、
請求項16ないし21のいずれか1項に記載の方法。
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