CN118256167A - 切割带 - Google Patents

Abstract

本发明提供在利用芯片接合装置来实施芯片接合工序和扩展工序这两者的工艺中能够充分消除粘在一起的相邻芯片接合层彼此的粘连的切割带。本发明所述的切割带具备基材和层叠在该基材上的粘合剂层，交替反复进行3次将前述切割带以500mm/min的速度沿着面方向拉伸至成为原长度的180％的长度为止的操作和将拉伸后的前述切割带复原的操作时，在第3次拉伸时测得的拉伸应力的值为7N/10mm以上。

Description

切割带

技术领域

本发明涉及切割带。

背景技术

以往，在半导体装置的制造中，为了获得芯片接合用半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜是已知的。

前述切割芯片接合薄膜具备在基材上层叠有粘合剂层的切割带和以能够剥离的方式层叠在该切割带的粘合剂层上的芯片接合层。

并且，作为使用前述切割芯片接合薄膜来获得芯片接合用半导体芯片(小片)的方法，下述专利文献1中记载了一种方法，其包括：半切割工序，其为了通过割断处理将半导体晶圆加工成芯片(小片)而在半导体晶圆中形成槽；背面研磨工序，其对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度；安装工序，其将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如与电路面相反一侧的面)粘贴于芯片接合层，从而将半导体晶圆固定于切割带；扩展工序，其扩宽经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔；切口维持工序，其维持半导体芯片彼此的间隔；拾取工序，其将芯片接合层与粘合剂层之间进行剥离，在粘贴有芯片接合层的状态下取出半导体芯片；以及芯片接合工序，其使粘贴有芯片接合层的状态的半导体芯片粘接于被粘物(例如安装基板等)。

并且，下述专利文献1中记载了：作为前述扩展工序，首先将粘贴在前述半导体晶圆的一面上的前述芯片接合层割断成与前述半导体芯片的尺寸相当的大小，得到多个带有芯片接合层的半导体芯片，并且，为了隔开相邻的带有芯片接合层的半导体芯片彼此的间隔，在-20℃～5℃这一低温下实施第一扩展工序，接着，为了进一步扩宽相邻的带有芯片接合层的半导体芯片彼此的间隔，在更高温度条件下(例如室温(23℃))下实施第二扩展工序。

另外，下述专利文献1中也记载了：在前述切口维持工序中，对前述切割带吹送热风(例如100～130℃)，在使前述切割带发生热收缩(热缩)后使其冷却固化，从而维持相邻的带有芯片接合层的半导体芯片之间的距离(切口)。

在上述那样的获得半导体芯片(小片)的方法中，前述扩展工序和前述热缩工序通常利用扩展装置(扩展器)来实施，前述拾取工序和前述芯片接合工序通常利用芯片接合装置(芯片接合器)来实施。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2021-77753号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在获得半导体芯片(小片)的方法中，作为前述扩展工序，有时不实施前述第一扩展工序而仅实施前述第二扩展工序，在此基础上，省略前述扩展工序后的前述热缩工序。

并且，在这种情况下，有时不利用前述扩展装置来实施前述第二扩展工序(不使用前述扩展装置)，而是在前述芯片接合装置中，在前述拾取工序和前述芯片接合工序之前实施前述第二扩展工序。

如上所述那样，在利用前述芯片接合装置来实施前述第二扩展工序和前述芯片接合工序这两者时，在前述芯片接合工序中，有时不使通过前述第二扩展工序而得到的多个带有芯片接合层的半导体芯片一次性地全部进行芯片接合，而是将带有芯片接合层的半导体芯片的一部分进行芯片接合。

在这种情况下，具有剩余的带有芯片接合层的半导体芯片的前述切割芯片接合薄膜从前述芯片接合装置中暂时被取出。

以具备剩余的带有芯片接合层的半导体芯片的状态从前述芯片接合装置取出的前述切割芯片接合薄膜暂时被保管。

然而，在该保管时，对于前述切割芯片接合薄膜而言，由于相邻的带有芯片接合层的半导体芯片彼此的间隔狭窄，因此，芯片接合层彼此有时会粘在一起。

上述那样的切割芯片接合薄膜在将剩余的带有芯片接合层的半导体芯片进行芯片接合时，再次以沿着面方向进行了拉伸的状态安装于前述芯片接合装置。另一方面，如上所述那样，若相邻的芯片接合层彼此粘在一起，则在沿着面方向进行拉伸后，有时无法充分消除相邻芯片接合层彼此的粘连。

像这样，若无法充分消除相邻芯片接合层彼此的粘连，则在前述拾取工序中，难以拾取各个带有芯片接合层的半导体芯片，故不优选。

然而，在利用芯片接合装置来实施芯片接合工序和扩展工序这两者的工艺中，关于充分消除粘在一起的相邻芯片接合层彼此的粘连，难以说已经进行了充分研究。

因而，本发明的课题在于，提供在利用芯片接合装置来实施芯片接合工序和扩展工序这两者的工艺中，能够充分消除粘在一起的相邻芯片接合层彼此的粘连的切割带。

用于解决问题的方案

本发明人等进行深入研究时发现：对于切割芯片接合薄膜所具备的切割带，在交替反复进行3次将前述切割带以500mm/min的速度沿着面方向拉伸至成为原长度的180％的长度的操作和将拉伸的前述切割带复原的操作时，通过将第3次拉伸时测得的拉伸应力的值设为7N/10mm以上，从而在利用芯片接合装置来实施芯片接合工序和扩展工序这两者的工艺中，能够充分消除粘在一起的相邻芯片接合层彼此的粘连。

并且，想到了本发明。

即，本发明所述的切割带在交替反复进行3次将前述切割带以500mm/min的速度沿着面方向拉伸至成为原长度的180％的长度的操作和将拉伸后的前述切割带复原的操作时，在第3次拉伸时测得的拉伸应力的值为7N/10mm以上。

发明的效果

根据本发明，在利用芯片接合装置来实施芯片接合工序和扩展工序这两者的工艺中，能够充分消除粘在一起的相邻芯片接合层彼此的粘连。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式所述的切割带的构成的截面图。

图2是表示本发明的一个实施方式所述的切割芯片接合薄膜的构成的截面图。

图3A是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的截面图。

图3B是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的截面图。

图3C是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的情况的截面图。

图3D是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的情况的截面图。

图4A是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情况的截面图。

图4B是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情况的截面图。

图5A是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的扩展工序的情况的截面图。

图5B是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的扩展工序的情况的截面图。

图5C是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的扩展工序的情况的截面图。

图6是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的拾取工序的情况的截面图。

附图标记说明

1 基材

2 粘合剂层

3 芯片接合层

10 切割带

20 切割芯片接合薄膜

G 背面研磨带

H 保持工具

J 吸附工具

T 晶圆加工用带

U 顶起构件

W 半导体晶圆

具体实施方式

以下，针对本发明的一个实施方式进行说明。

[切割带]

如图1所示那样，本实施方式所述的切割带10具备基材1和层叠在基材1上的粘合剂层2。

本实施方式所述的切割带10例如构成为片状的板状体。

另外，本实施方式所述的切割带10以例如制成卷体的状态加以保管。

本实施方式所述的切割带10在交替反复进行3次将切割带10以500min/min的速度沿着面方向拉伸至成为原长度的180％的长度的操作和将拉伸后的切割带10复原的操作时，在第3次拉伸时测得的拉伸应力的值TS₃为7N/10mm以上。

拉伸应力的值TS₃更优选为8N/10mm以上，更优选为9N/10mm以上。

拉伸应力的值TS₃的上限值通常为30N/10mm。

需要说明的是，如后所述那样，粘合剂层2包含通过活性能量射线的照射而固化的固化成分时，本实施方式所述的切割带10优选在前述活性能量射线的照射前和照射后第3次拉伸时测得的拉伸应力的值TS₃满足上述数值范围。

另外，前述活性能量射线优选照射至粘合剂层2中包含的固化成分充分固化的程度为止。

进而，拉伸应力的值TS₃优选在面方向之中的至少一个方向上满足上述数值范围，更优选在面方向之中的一个方向以及与该一个方向正交的方向上满足上述数值范围。

另外，在基材1为拉伸薄膜的情况下，面方向之中的一个方向优选与基材1的拉伸方向一致。

需要说明的是，后述拉伸应力的值TS₁和TS₂也同样，后述拉伸储能模量的值TSE₁、TSE₂和TSE₃也同样。

本实施方式所述的切割带10中，由于拉伸应力TS₃的值在上述范围内，因此，在沿着面方向进行拉伸后再解除该拉伸时，能够抑制该切割带10发生过度收缩。

因此，在使用图2所示那样的具备该切割带10的切割芯片接合薄膜20，将该切割芯片接合薄膜20沿着面方向进行拉伸，从而将粘贴于芯片接合层3的半导体晶圆单片化成带有芯片接合层3的多个半导体芯片后，在解除前述拉伸时，能够抑制相邻的带有芯片接合层3的半导体芯片彼此的间隔过度狭窄。

其结果，对于相邻的带有芯片接合层3的半导体芯片彼此而言，能够抑制芯片接合层3彼此过度粘连。

另外，通过使拉伸应力TS₃的值成为上述范围内，从而能够对切割带10传递充分的拉伸力。

因此，使用具备该切割带10的切割芯片接合薄膜20，将粘贴于芯片接合层3的半导体晶圆单片化成带有芯片接合层3的多个半导体芯片时，即便在相邻的芯片接合层3彼此粘在一起的情况下，也能够充分解除其粘连。

即，能够将芯片接合层3充分割断并进行单片化。

在基材1由树脂薄膜构成的情况下，通过适当调整对前述树脂薄膜进行拉伸成形时的拉伸倍率、或者适当调整拉伸时的张力，从而能够调整拉伸张力的值TS₃。

另外，在基材1由1种树脂薄膜构成的情况下，通过适当调整该1种树脂薄膜的厚度，从而能够调整拉伸张力的值TS₃。在基材1以多种树脂薄膜的层叠体的形式构成的情况下，通过适当调整各树脂薄膜的厚度比，从而能够调整拉伸张力的值TS₃。

进而，通过适当调整用于制作构成基材1的1种或多种树脂薄膜的树脂组合物中的树脂组成，也能够调整拉伸张力的值TS₃。通过使前述树脂组合物含有增塑剂等添加剂，从而也能够调整拉伸张力的值TS₃。

另外，通过以具有后述弹性体层与非弹性体层的层叠结构的树脂薄膜的形式构成基材1，从而也能够调整拉伸应力的值TS₃。

进而，在使用挤出成形机成形树脂薄膜的情况下，通过适当调整模头的挤出温度、或适当调整使从模头挤出成薄膜状的树脂冷却固化时的冷却速度，从而也能够调整拉伸张力的值TS₃。

需要说明的是，关于后述第1次拉伸时测得的拉伸应力的值TS₁和第2次拉伸时测得的拉伸应力的值TS₂，也可以与上述同样操作来进行调整。

交替反复进行3次将切割带10沿着面方向进行拉伸的操作和将拉伸后的切割带10复原的操作可按照下述步骤来实施。

(1)准备具有长度100mm×宽度10mm的平面尺寸的切割带的试验体。

(2)向具有一对夹具的拉伸试验机(例如岛津制作所制的商品名“AGS-X”)中安装前述切割带的试验体。具体而言，在将夹具间距离设为50mm的基础上，将前述切割带的试验体的长度方向的两端侧分别安装于前述一对夹具。

(3)以500mm/min的拉伸速度将前述切割带的试验体沿着长度方向拉伸至成为180％的长度(与原长度相比增加80％的长度)为止，在该状态下保持10分钟。

(4)从前述一对夹具上卸下前述切割带的试验体，放置一天。

(5)测定放置一天后的前述切割带的试验体的长度。

(6)将上述(1)～(5)共计反复3次。需要说明的是，在第2次及以后实施上述(1)～(5)的情况下，作为前述夹具间距离，采用50mm加上前述切割带的试验体延长的长度的量而得到的值。

此处，第3次拉伸时测得的拉伸应力的值TS₃是指：在第3次实施上述步骤(1)～(5)时，在上述步骤(3)中利用前述拉伸试验机而测得的试验力的值。

本实施方式所述的切割带10交替反复进行3次前述拉伸和前述复原时，第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值TSE₃优选为18N/mm²以上。

拉伸储能模量的值TSE₃更优选为19N/mm²以上，更优选为20N/mm²以上。

拉伸储能模量的值TSE₃的上限值通常为50N/mm²。

需要说明的是，如后所述那样，粘合剂层2包含通过活性能量射线的照射而固化的固化成分时，本实施方式所述的切割带10优选在前述活性能量射线的照射前和照射后，第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值TSE₃满足上述数值范围。

通过使拉伸储能模量TSE₃的值成为上述范围内，在使用具备该切割带10的切割芯片接合薄膜20，将该切割芯片接合薄膜20沿着面方向进行拉伸从而将粘贴于芯片接合层3的半导体晶圆单片化成带有芯片接合层3的多个半导体芯片后，在解除前述拉伸时，能够进一步抑制相邻的带有芯片接合层3的半导体芯片彼此的间隔过度狭窄。

其结果，对于相邻的带有芯片接合层3的半导体芯片彼此而言，能够进一步抑制芯片接合层3彼此过度粘连。

另外，通过使拉伸储能模量TSE₃的值成为上述范围内，从而能够向切割带10传递充分的拉伸力。

因此，使用具备该切割带10的切割芯片接合薄膜20而将粘贴于芯片接合层3的半导体晶圆单片化成带有芯片接合层3的多个半导体芯片时，能够将芯片接合层3更充分地割断而进行单片化。

第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值TSE₃是指：在第3次实施上述步骤(1)～(5)时，在上述步骤(3)中利用前述拉伸试验机而测得的拉伸弹性模量的值。

更具体而言，在应力-应变曲线(S-S曲线)中，可通过计算将前述切割带的试验体沿着长度方向拉伸至成为180％的长度(与原长度相比增加80％的长度)为止时的应变相对于应力的斜率来求出。

在基材1由树脂薄膜构成的情况下，与拉伸张力的值TS₃同样地，通过适当调整对前述树脂薄膜进行拉伸成形时的拉伸倍率、或者适当调整拉伸时的张力，从而能够调整拉伸储能模量的值TSE₃。

另外，在基材1由1种树脂薄膜构成的情况下，通过适当调整该1种树脂薄膜的厚度，从而能够调整拉伸储能模量的值TSE₃。在基材1以多种树脂薄膜的层叠体的形式构成的情况下，通过适当调整各树脂薄膜的厚度比，从而能够调整拉伸储能模量的值TSE₃。

进而，通过适当调整用于制作构成基材1的1种或多种树脂薄膜的树脂组合物中的树脂组成，从而能够调整拉伸储能模量的值TSE₃。通过使前述树脂组合物含有增塑剂等添加剂，从而也能够调整拉伸储能模量的值TSE₃。

另外，与拉伸张力的值TS₃同样地，通过以具有后述弹性体层与非弹性体层的层叠结构的树脂薄膜的形式构成基材1，从而也能够调整拉伸储能模量的值TSE₃。

进而，在使用挤出成形机成形树脂薄膜的情况下，通过适当调整模头的挤出温度、或适当调整使从模头挤出成薄膜状的树脂冷却固化时的冷却速度，从而也能够调整拉伸储能模量的值TSE₃。

需要说明的是，关于后述第1次拉伸时测得的拉伸储能模量的值TSE₁和第2次拉伸时测得的拉伸储能模量的值TSE₂，也可以与上述同样操作来进行调整。

本实施方式所述的切割带10中，交替反复进行3次前述拉伸和前述复原时，第3次拉伸时测得的拉伸应力的值TS₃相对于第1次拉伸时测得的拉伸应力的值TS₁的维持率优选为95％以上。

拉伸应力的值TS₃相对于拉伸应力的值TS₁的维持率优选为96％以上，更优选为97％以上，更优选为98％以上，更优选为99％以上。

拉伸应力的值TS₃相对于拉伸应力的值TS₁的维持率的上限值可以为120％。

需要说明的是，如后述那样，粘合剂层2包含通过活性能量射线的照射而固化的固化成分时，本实施方式所述的切割带10优选在前述活性能量射线的照射前和照射后，第3次拉伸时测得的拉伸应力的值TS₃相对于第1次拉伸时测得的拉伸应力的值TS₁的维持率满足上述数值范围。

通过使拉伸应力的值TS₃相对于拉伸应力的值TS₁的维持率在上述范围内，即，通过使拉伸应力的值的变动小且大致恒定，在使用具备该切割带10的切割芯片接合薄膜20并将该切割芯片接合薄膜20沿着面方向进行拉伸，从而将粘贴于芯片接合层3的半导体晶圆单片化成带有芯片接合层3的多个半导体芯片后，在解除前述拉伸时，能够进一步抑制相邻的带有芯片接合层3的半导体芯片彼此的间隔过度狭窄。

此处，第1次拉伸时测得的拉伸应力的值TS₁是指：在第1次实施上述步骤(1)～(5)时，在上述步骤(3)中利用前述拉伸试验机而测得的试验力的值。

另外，后述实施例项中的第2次拉伸时测得的拉伸应力的值TS₂是指：在第2次实施上述步骤(1)～(5)时，在上述步骤(3)中利用前述拉伸试验机而测得的试验力的值。

本实施方式所述的切割带10在反复进行3次前述拉伸和前述复原时，第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值TSE₃相对于第1次拉伸时测得的拉伸储能模量的值TSE₁的维持率优选为35％以上。

拉伸储能模量的值TSE₃相对于拉伸储能模量的值TSE₁的维持率更优选为38％以上，更优选为40％以上。

拉伸储能模量的值TSE₃相对于拉伸储能模量的值TSE₁的维持率的上限值可以为100％。

需要说明的是，如后述那样，粘合剂层2包含通过活性能量射线的照射而固化的固化成分时，本实施方式所述的切割带10优选在前述活性能量射线的照射前和照射后，第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值TSE₃相对于第1次拉伸时测得的拉伸储能模量的值TSE₁的维持率满足上述数值范围。

通过使拉伸储能模量的值TSE₃相对于拉伸储能模量的值TSE₁的维持率在上述范围内，即，通过使拉伸储能模量的值的变动为规定值以上，在使用具备该切割带10的切割芯片接合薄膜20并将该切割芯片接合薄膜20沿着面方向进行拉伸，从而将粘贴于芯片接合层3的半导体晶圆单片化成带有芯片接合层3的多个半导体芯片后，在解除前述拉伸时，能够进一步抑制相邻的带有芯片接合层3的半导体芯片彼此的间隔过度狭窄。

此处，第1次拉伸时测得的拉伸储能模量TSE₁是指：在第1次实施上述步骤(1)～(5)时，在上述步骤(3)中利用前述拉伸试验机而测得的拉伸储能模量的值。

另外，后述实施例项中的第2次拉伸时测得的拉伸储能模量TSE₂是指：在第2次实施上述步骤(1)～(5)时，在上述步骤(3)中利用前述拉伸试验机而测得的拉伸储能模量的值。

本实施方式所述的切割带10在反复进行3次前述拉伸和前述复原时，第1次拉伸时测得的屈服应力的值可以为8N以上，也可以为9N以上。

另外，第1次拉伸时测得的屈服应力的值可以为20N以下，也可以为15N以下，还可以为12N以下。

第1次拉伸时测得的屈服应力的值是指：在第1次拉伸时，切割带10产生屈服点的应变时的应力。

屈服点的应变是指：在实施上述步骤(3)时，即，将前述切割带的试验体沿着长度方向从原长度拉伸至增加80％的长度为止时，对在该期间内测得的拉伸应力确认到3％以上的减少的情况下，在确认到该减少之前显示出最大应力时的应变量。

本实施方式所述的切割带10在反复进行3次前述拉伸和前述复原时，将第1次拉伸时测得的屈服应力的值设为YS₁的情况下，YS₁、TS₂和TS₃优选满足YS₁:TS₂:TS₃＝1:0.7～1.3:0.7～1.3的关系，更优选满足YS₁:TS₂:TS₃＝1:0.8～1.2:0.8～1.2的关系，更优选满足YS₁:TS₂:TS₃＝1:0.9～1.1:0.9～1.1的关系。

需要说明的是，如上说明的那样，TS₂是第2次拉伸时测得的拉伸应力的值。TS₃是第3次拉伸时测得的拉伸应力的值。

通过满足上述关系，从而在将具备该切割带10的切割芯片接合薄膜20反复沿着面方向进行拉伸的情况下，在各次拉伸中也能够对切割芯片接合薄膜20施加充分的力。

实施方式所述的切割带10在反复进行3次前述拉伸和前述复原时，第1次拉伸时测得的屈服伸长率的值可以为10mm以上，也可以为15mm以上，还可以为17mm以上。

另外，第1次拉伸时测得的屈服点伸长率的值可以为50mm以下，也可以为40mm以下，还可以为35mm以下。

需要说明的是，前述屈服点伸长率的值可根据应力-应变曲线(S-S曲线)来求出。具体而言，在应力-应变曲线中，可通过获得至出现屈服点为止的伸长率的值来求出。

基材1支承粘合剂层2。

基材1使用树脂薄膜来制作。

作为前述树脂薄膜中包含的树脂，可列举出聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯硫醚、氟树脂、纤维素系树脂和硅树脂等。

上述各种树脂之中，前述树脂薄膜优选包含聚烯烃。

作为聚烯烃，可列举出例如α-烯烃的均聚物、2种以上的α-烯烃的共聚物、1种或2种以上的α-烯烃与其它乙烯基单体的共聚物等。

另外，作为α-烯烃的共聚物，可列举出嵌段聚丙烯、无规聚丙烯等。

作为α-烯烃的均聚物，优选为碳原子数2以上且12以下的α-烯烃的均聚物。作为这种均聚物，可列举出乙烯、丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯等。

作为2种以上的α-烯烃的共聚物，可列举出乙烯/丙烯共聚物、乙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/丙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/碳原子数5以上且12以下的α-烯烃共聚物、丙烯/乙烯共聚物、丙烯/1-丁烯共聚物、丙烯/碳原子数5以上且12以下的α-烯烃共聚物等。

作为1种或2种以上的α-烯烃与其它乙烯基单体的共聚物，可列举出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等。

前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)中的乙酸乙烯酯含量可以为5％以上，也可以为6％以上，还可以为7％以上。

前述乙酸乙烯酯含量可以为30％以下，可以为25％以下，可以为20％以下，可以为15％以下，可以为10％以下。

前述乙酸乙烯酯含量优选为7％以上且10％以下。

作为前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)的市售品，可列举出例如东曹公司制的Ultrathene(注册商标)系列、DOW-MITSUIPOLYCHEMICALS公司制的EVAFLEX(注册商标)系列等。

作为前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的市售品，优选使用前述Ultrathene(注册商标)系列，在前述Ultrathene(注册商标)系列之中，特别优选为Ultrathene(注册商标)520F。

聚烯烃可以是被称为α-烯烃系热塑性弹性体的物质。作为α-烯烃系热塑性弹性体，可列举出将丙烯-乙烯共聚物与丙烯均聚物组合而得到的弹性体、或者丙烯-乙烯-碳原子数4以上的α-烯烃三元共聚物。

前述α-烯烃系热塑性弹性体树脂中的乙烯含量可以为7％以上，也可以为8％以上。

前述乙烯含量可以为20％以下，可以为15％以下，可以为10％以下。

前述乙烯含量特别优选为8％以上且10％以下。

作为前述α-烯烃系热塑性弹性体的市售品，可列举出例如作为烯烃系弹性体树脂的Exxon Mobil公司制的Vistamax系列。

前述Vistamax系列之中，特别优选作为丙烯系弹性体树脂的Vistamax(Vistamax)3980。

树脂薄膜可以包含1种前述树脂，也可以包含2种以上的前述树脂。

需要说明的是，在粘合剂层2包含后述紫外线固化粘合剂的情况下，制作基材1的树脂薄膜优选以具有紫外线透过性的方式构成。

基材1可以为单层结构，也可以为层叠结构。

基材1可通过无拉伸成形来获得，也可以通过拉伸成形来获得，优选通过拉伸成形来获得。

在基材1为单层结构的情况下，基材1优选由包含聚烯烃树脂的树脂薄膜构成，作为前述聚烯烃树脂，优选由包含前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)和前述α-烯烃系热塑性弹性体树脂中至少一者的树脂薄膜构成。

即，优选以包含弹性体的层(以下称为弹性体层)的形式来构成。

在弹性体层包含前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)和前述α-烯烃系热塑性弹性体树脂这两者作为前述聚烯烃树脂的情况下，前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)与前述α-烯烃系热塑性弹性体树脂的质量比率优选为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA):α-烯烃系热塑性弹性体＝20:80～80:20的范围。

另外，在基材1为单层结构的情况下，作为基材1，也可以使用大仓工业公司制的制品名“ODZ5”。

需要说明的是，ODZ5为聚烯烃系树脂薄膜。

在基材1为层叠结构的情况下，基材1优选具有弹性体层和包含非弹性体的层(以下称为非弹性体层)。

通过将基材1制成具有弹性体层和非弹性体层的基材，从而能够使弹性体层作为缓和拉伸应力的应力缓和层而发挥功能。即，由于能够使基材1中产生的拉伸应力较小，因此，能够使基材1具有适度的硬度且比较容易伸长。

由此，能够提高从半导体晶圆割断成多个半导体芯片的割断性。

另外，在扩展工序中的割断时，能够抑制基材1破裂而破损。

本说明书中，弹性体层是指：与非弹性体层相比在室温下的拉伸储能模量低的低弹性模量层。作为弹性体层，可列举出在室温下的拉伸储能模量为10MPa以上且小于200MPa的层，作为非弹性体层，可列举出在室温下的拉伸储能模量为200MPa以上且500MPa以下的层。

另外，本说明书中，室温是指23±2℃的温度。

本说明书中，室温下的拉伸储能模量是指使用固体粘弹性测定装置(例如型号：RSAIII、Rheometric Scientific公司制)而测得的值。

室温下的拉伸储能模量可按照下述步骤来求出。

(1)准备长度40mm(测定长度)、宽度10mm的试验片。

(2)使用固体粘弹性测定装置(例如型号：RSAIII、Rheometric Scientific公司制)，在频率为1Hz、升温速度为10℃/min、夹具间距离为22.5mm的条件下，在-30～280℃的温度范围内测定前述试验片的拉伸储能模量。并且，读取室温(23±2℃)下的值。

弹性体层优选如上说明那样地构成。

非弹性体层可以包含1种非弹性体，也可以包含2种以上的非弹性体，优选包含后述茂金属PP。

在基材1具有弹性体层和非弹性体层的情况下，基材1优选形成为以弹性体层作为中心层且在该中心层的彼此相对的两面具有非弹性体层的三层结构(非弹性体层/弹性体层/非弹性体层)。

基材1为弹性体层与非弹性体层的层叠结构，弹性体层包含α-烯烃系热塑性弹性体且非弹性体层包含后述茂金属PP等聚烯烃时，弹性体层中，相对于形成该弹性体层的弹性体的总质量，优选包含50质量％以上且100质量％以下的α-烯烃系热塑性弹性体，更优选包含70质量％以上且100质量％以下，更优选包含80质量％以上且100质量％以下，更优选包含90质量％以上且100质量％以下，更优选包含95质量％以上且100质量％以下。

通过以前述范围包含α-烯烃系热塑性弹性体，从而弹性体层与非弹性体层的亲和性变高，因此，能够比较容易地挤出成形为基材1。另外，由于能够使弹性体层作为应力缓和层而发挥作用，因此，在使用后述切割芯片接合薄膜将半导体晶圆割断而单片化成多个半导体芯片时，能够高效地实施前述半导体晶圆的割断。

基材1为弹性体层与非弹性体层的层叠结构时，基材1优选通过将弹性体与非弹性体共挤出而制成弹性体层与非弹性体层的层叠结构的共挤出成形来获得。作为共挤出成形，可以采用在薄膜、片等的制造中通常进行的任意适当的共挤出成形。在共挤出成形之中，从能够高效且廉价地获得基材1的观点出发，优选采用吹胀法、共挤出T模法。

通过共挤出成形来获得形成层叠结构的基材1时，前述弹性体层与前述非弹性体层以被加热而熔融的状态接触，因此，前述弹性体与前述非弹性体的熔点差优选较小。

通过使熔点差小，从而可抑制对呈现低熔点的前述弹性体或前述非弹性体中的任一者施加过度的热。由此，能够抑制呈现低熔点的前述弹性体或前述非弹性体中的任一者因热劣化而生成副产物。

另外，也能够抑制因呈现低熔点的前述弹性体或前述非弹性体中任一者的粘度过度降低而导致前述弹性体层与前述非弹性体层之间发生层叠不良。

前述弹性体与前述非弹性体的熔点差优选为0℃以上且70℃以下，更优选为0℃以上且55℃以下。

前述弹性体和前述非弹性体的熔点可通过差示扫描热量(DSC)分析来进行测定。例如，使用差示扫描量热装置(TA Instruments公司制、型号：DSC Q2000)，在氮气气流下以5℃/min的升温速度升温至200℃，求出吸热峰的峰温度，由此能够进行测定。

基材1的厚度优选为55μm以上且195μm以下，更优选为55μm以上且190μm以下，进一步优选为55μm以上且170μm以下，最适合为60μm以上且160μm以下。

通过将基材1的厚度设为前述范围，从而能够高效地制造切割带，且能够高效地割断粘贴于切割带的半导体晶圆。

基材1的厚度可通过例如使用千分表(PEACOCK公司制、型号：R-205)，测定随机选择的任意5个测定点的厚度，并将这些厚度进行算术平均来求出。

在层叠有弹性体层和非弹性体层的基材1中，非弹性体层的厚度相对于弹性体层的厚度之比优选为1/25以上且1/3以下，更优选为1/25以上且1/3.5以下，进一步优选为1/25以上且1/4，特别优选为1/22以上且1/4以下，最适合为1/20以上且1/4以下。

通过将非弹性体层的厚度相对于弹性体层的厚度之比设为前述范围，从而在使用后述切割芯片接合薄膜对半导体晶圆进行割断而单片化成多个半导体芯片时，能够高效地实施前述半导体晶圆的割断。

弹性体层可以为单层(1层)结构，也可以为层叠结构。弹性体层优选为1层～5层结构，更优选为1层～3层结构，进一步优选为1层～2层结构，最适合为1层结构。在弹性体层为层叠结构的情况下，可以是全部层包含相同的弹性体，也可以是至少2层包含不同的弹性体。

非弹性体层可以为单层(1层)结构，也可以为层叠结构。非弹性体层优选为1层～5层结构，更优选为1层～3层结构，进一步优选为1层～2层结构，最适合为1层结构。在非弹性体层为层叠结构的情况下，可以是全部层包含相同的非弹性体，也可以是至少2层包含不同的非弹性体。

非弹性体层中，作为非弹性体，优选包含作为基于茂金属催化剂的聚合品的聚丙烯树脂(以下称为茂金属PP)。

作为茂金属PP，可列举出作为茂金属催化剂的聚合品的丙烯/α-烯烃共聚物。

通过使非弹性体层包含茂金属PP，从而能够高效地制造切割带。

另外，在使用后述切割芯片接合薄膜对半导体晶圆进行割断而单片化成多个半导体芯片时，能够高效地实施前述半导体晶圆的割断。

作为前述茂金属PP的市售品，可列举出例如Japan Polypropylene公司的WINTEC(注册商标)系列。

前述茂金属PP的熔体流动速率(MFR)可以为2.0g/10min以上，也可以为5.0g/10min以上。

另外，前述熔体流动速率(MFR)可以为30g/10min以下，可以为25g/10min以下，可以为20g/10min以下，可以为10g/10min以下。

前述WINTEC(注册商标)系列之中，特别优选为WINTEC(注册商标)WXK1233。

此处，茂金属催化剂是指：由包含具有环戊二烯骨架的配体的元素周期表第4族的过渡金属化合物(所谓茂金属化合物)以及能够与茂金属化合物反应而将该茂金属化合物激活为稳定离子状态的助催化剂形成的催化剂。茂金属催化剂根据需要包含有机铝化合物。茂金属化合物是能够使丙烯进行立构规整性聚合的交联型茂金属化合物。

作为前述茂金属催化剂的聚合品的丙烯/α-烯烃共聚物之中，优选作为茂金属催化剂的聚合品的丙烯/α-烯烃无规共聚物。作为前述茂金属催化剂的聚合品的丙烯/α-烯烃无规共聚物之中，优选为选自作为茂金属催化剂的聚合品的丙烯/碳原子数2的α-烯烃无规共聚物、作为茂金属催化剂的聚合品的丙烯/碳原子数4的α-烯烃无规共聚物和作为茂金属催化剂的聚合品的丙烯/碳原子数5的α-烯烃无规共聚物中的共聚物，这些之中，最适合为作为茂金属催化剂的聚合品的丙烯/乙烯无规共聚物。

此处，若前述弹性体层被配置于基材1的最外层，则在将基材1制成卷体的情况下，配置于最外层的前述弹性体层彼此容易粘连(容易粘在一起)。因此，难以将基材1从卷体退卷。

对此，前述层叠结构的基材1的优选方式中，配置成非弹性体层/弹性体层/非弹性体层，即，在最外层配置有非弹性体层。因此，这种方式的基材1的耐粘连性变得优异。

由此，能够抑制由粘连导致的使用后述切割芯片接合薄膜进行的半导体装置的制造发生延迟。

粘合剂层2含有粘合剂。

粘合剂层2通过粘合用于单片化成半导体芯片的半导体晶圆而保持。

作为前述粘合剂，可列举出在切割带10的使用过程中能够借助来自外部的作用而降低粘合力的粘合剂(以下称为粘合降低型粘合剂)。

在使用粘合降低型粘合剂作为粘合剂的情况下，在切割带10的使用过程中，粘合剂层2可以分为显示出较高粘合力的状态(以下称为高粘合状态)和显示出较低粘合力的状态(以下称为低粘合状态)使用。例如，在粘贴于切割带10的半导体晶圆被供于割断时，为了抑制通过半导体晶圆的割断而单片化的多个半导体芯片从粘合剂层2上浮起或剥离，利用高粘合状态。

与此相对，在半导体晶圆的割断后，为了拾取单片化的多个半导体芯片，为了容易从粘合剂层2上拾取多个半导体芯片，利用低粘合状态。

作为前述粘合降低型粘合剂，可列举出例如在切割带10的使用过程中能够通过活性能量射线的照射而固化的粘合剂(以下称为活性能量射线固化粘合剂)。

即，前述粘合降低型粘合剂包含通过活性能量射线的照射而固化的固化成分。

作为前述活性能量射线固化粘合剂，可列举出例如通过电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线或X射线的照射而固化这一类型的粘合剂。这些之中，优选使用通过紫外线照射而固化的粘合剂(紫外线固化粘合剂)。

作为前述活性能量射线固化粘合剂，可列举出例如添加型的活性能量射线固化粘合剂，其包含作为主成分的基质聚合物、以及具有活性能量射线聚合性的碳-碳双键等官能团的活性能量射线聚合性单体成分或活性能量射线聚合性低聚物成分。

作为前述基质聚合物，优选使用丙烯酸系聚合物。

需要说明的是，前述基质聚合物可以是通过照射活性能量射线而发生聚合并固化，由此使粘合剂层2的粘合力降低的聚合物。

作为前述丙烯酸系聚合物，可列举出包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，可列举出例如(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯和(甲基)丙烯酸芳基酯等。

作为源自前述(甲基)丙烯酸酯的单体单元，优选使用例如丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)、丙烯酸乙酯(EA)、丙烯酸丁酯(BA)、丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、丙烯酸异壬酯(iNA)、丙烯酸月桂酯(LA)、4-丙烯酰基吗啉(AMCO)、2-异氰酰基乙基甲基丙烯酸酯(MOI)等。

源自前述(甲基)丙烯酸酯的单体单元可以仅使用1种，也可以组合使用2种以上。

前述丙烯酸系聚合物中，作为源自前述(甲基)丙烯酸酯的单体单元，优选包含前述丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、前述丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)和前述2-异氰酰基乙基甲基丙烯酸酯(MOI)。

另外，前述丙烯酸系聚合物中，作为源自前述(甲基)丙烯酸酯的单体单元，除包含前述2EHA、前述HEA和前述MOI之外还可以包含前述丙烯酸月桂酯(LA)和丙烯酸异壬酯(iNA)。

粘合剂层2可以包含外部交联剂。

作为外部交联剂，只要能够与基质聚合物(例如丙烯酸系聚合物)反应而形成交联结构，则任意交联剂均可使用。

作为这种外部交联剂，可列举出例如多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物和三聚氰胺系交联剂等。

作为前述活性能量射线聚合性单体成分，可列举出例如氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯和1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。

作为前述活性能量射线聚合性低聚物成分，可列举出例如氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物。前述活性能量射线固化粘合剂中的活性能量射线聚合性单体成分、活性能量射线聚合性低聚物成分的含有比例在使粘合剂层2的粘合性适当降低的范围内进行选择。

前述活性能量射线固化粘合剂优选包含光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可列举出例如偶氮化合物、α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦和酰基磷酸酯等。

作为前述偶氮化合物，可列举出例如偶氮双异丁腈(AIBN)。

在粘合剂层2包含外部交联剂的情况下，粘合剂层2优选包含0.1质量份以上且3质量份以下的外部交联剂。

另外，在粘合剂层2包含光聚合引发剂的情况下，粘合剂层2优选包含0.1质量份以上且10质量份以下的光聚合引发剂。

粘合剂层2除包含前述各成分之外，还可以包含交联促进剂、增粘剂、防老剂、颜料或染料等着色剂等。

粘合剂层2的厚度优选为1μm以上且50μm以下，更优选为2μm以上且30μm以下，进一步优选为5μm以上且25μm以下。

[切割芯片接合薄膜]

如图2所示那样，本实施方式所述的切割芯片接合薄膜20具备切割带10和层叠在切割带10上的芯片接合层3。

如上所述那样，切割带10具备基材1和层叠在基材1上的粘合剂层2。

因此，本实施方式所述的切割芯片接合薄膜20在切割带10的粘合剂层2上层叠有芯片接合层3。

切割芯片接合薄膜20中，在芯片接合层3上粘贴半导体晶圆。

在使用切割芯片接合薄膜20进行的半导体晶圆的割断中，芯片接合层3也与半导体晶圆一同被割断。

芯片接合层3被割断成与单片化的多个半导体芯片的尺寸相当的大小。由此，能够得到带有芯片接合层3的半导体芯片。

本实施方式所述的切割芯片接合薄膜20中，基材1和粘合剂层2与上述的说明同样地构成。

因此，以下针对芯片接合层3进行说明。

芯片接合层3优选具有热固性。

通过使芯片接合层3包含热固性树脂和具有热固性官能团的热塑性树脂中的至少一者，从而能够对芯片接合层3赋予热固性。

在芯片接合层3包含热固性树脂的情况下，作为这种热固性树脂，可列举出例如环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅树脂和热固性聚酰亚胺树脂等。这些之中，优选使用环氧树脂。

作为环氧树脂，可列举出例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型和缩水甘油胺型的环氧树脂。

关于作为环氧树脂的固化剂的酚醛树脂，可列举出例如酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶酚醛型酚醛树脂和聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯。

在芯片接合层3包含具有热固性官能团的热塑性树脂的情况下，作为这种热塑性树脂，可列举出例如含有热固性官能团的丙烯酸系树脂。作为含有热固性官能团的丙烯酸系树脂中的丙烯酸系树脂，可列举出包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的树脂。

具有热固性官能团的热固性树脂中，根据热固性官能团的种类来选择固化剂。

从充分进行树脂成分的固化反应或者提高固化反应速度的观点出发，芯片接合层3可以含有热固化催化剂(固化促进剂)。作为热固化催化剂，可列举出例如咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物和三卤素硼烷系化合物。

芯片接合层3可以包含热塑性树脂。热塑性树脂作为粘结剂而发挥功能。

作为热塑性树脂，可列举出例如天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺6、聚酰胺6,6等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸系树脂、PET、PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂等。

上述热塑性树脂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。

作为上述热塑性树脂，从离子性杂质少、且由于耐热性高而容易确保基于芯片接合层的连接可靠性的观点出发，优选为丙烯酸系树脂。

上述丙烯酸系树脂优选为包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为以质量比例计最多的单体单元的聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，可列举出例如(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯和(甲基)丙烯酸芳基酯等。上述丙烯酸系树脂可以包含源自能够与(甲基)丙烯酸酯共聚的其它成分的单体单元。作为上述其它成分，可列举出例如含羧基的单体、酸酐单体、含羟基的单体、含缩水甘油基的单体、含磺酸基的单体、含磷酸基的单体、丙烯酰胺、丙烯腈等含官能团的单体；各种多官能性单体等。从使芯片接合层实现高内聚力的观点出发，上述丙烯酸系树脂优选为(甲基)丙烯酸酯(尤其是烷基的碳原子数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯)与含羧基的单体与含氮原子的单体与多官能性单体(尤其是聚缩水甘油基系多官能单体)的共聚物，更优选为丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯与丙烯酸与丙烯腈与聚(甲基)丙烯酸缩水甘油酯的共聚物。

芯片接合层3根据需要可以含有1种或2种以上的其它成分。作为其它成分，可列举出例如阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕捉剂。

芯片接合层3的厚度没有特别限定，例如为1μm以上且200μm以下。该厚度可以为3μm以上且150μm以下，也可以为5μm以上且100μm以下。

本实施方式所述的切割芯片接合薄膜20例如作为用于制造半导体集成电路的辅助用具而使用。

以下，针对切割芯片接合薄膜20的使用的具体例进行说明。

制造半导体集成电路的方法具有：半切割工序，其为了通过割断处理将半导体晶圆加工成芯片(小片)而在半导体晶圆中形成槽；背面研磨工序，其对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度；安装工序，其将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如与电路面相反一侧的面)粘贴于芯片接合层3，将半导体晶圆固定于切割带10；扩展工序，其扩宽经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔；拾取工序，其将芯片接合层3与粘合剂层2之间进行剥离，在粘贴有芯片接合层3的状态下取出半导体芯片(小片)；以及芯片接合工序，其使粘贴有芯片接合层3的状态的半导体芯片(小片)粘接于被粘物。

在实施这些工序时，本实施方式所述的切割芯片接合薄膜20被用作制造辅助用具。

在半切割工序中，如图3A和图3B所示那样，实施用于将半导体集成电路割断成小片(小片)的半切割加工。详细而言，在半导体晶圆W的与电路面相反一侧的面上粘贴晶圆加工用带T(参照图3A)。另外，对晶圆加工用带T安装切割环R(参照图3A)。在粘贴有晶圆加工用带T的状态下，形成分割用槽(参照图3B)。在背面研磨工序中，如图3C和图3D所示那样，对半导体晶圆进行磨削而减薄厚度。详细而言，在形成有槽的面上粘贴背面研磨带G，另一方面，将最初粘贴的晶圆加工用带T剥离(参照图3C)。在粘贴有背面研磨带G的状态下，实施磨削加工，直至半导体晶圆W成为规定厚度为止(参照图3D)。

在安装工序中，如图4A～图4B所示那样，在切割带10的粘合剂层2上安装切割环R后，在露出的芯片接合层3的面上粘贴经半切割加工的半导体晶圆W(参照图4A)。其后，从半导体晶圆W上剥离背面研磨带G(参照图4B)。

本实施方式的扩展工序中，在较高温度条件下(例如室温(23±2℃))实施扩展。

即，本实施方式的扩展工序中，在较高温度条件下的扩展之前，不实施在较低温度条件下(例如-20℃～5℃)的扩展。

因此，本实施方式的扩展工序利用芯片接合装置来实施。

扩展工序中，如图5A～图5C所示那样，将切割环R固定于芯片接合装置的保持工具H。使用芯片接合装置所具备的顶起构件U，将切割芯片接合薄膜20从下侧顶起，由此将切割芯片接合薄膜20以沿着面方向扩展的方式进行拉伸(参照图5B)。由此，在较高温度条件下(例如室温(23±2℃))将经半切割加工的半导体晶圆W单片化成多个半导体芯片，并且，将芯片接合层3割断成与经单片化的多个半导体芯片相当的大小。由此，得到带有芯片接合层3的多个半导体芯片。

另外，扩展工序中，如上所述那样，通过将切割芯片接合薄膜20以沿着面方向扩展的方式进行拉伸，从而扩宽相邻的带有芯片接合层3的半导体芯片彼此的间隔。

并且，如上所述那样，在扩宽相邻的带有芯片接合层3的半导体芯片彼此的间隔后，通过使顶起构件U下降来解除扩展状态(参照图5C)。

拾取工序中，如图6所示那样，将带有芯片接合层3的半导体芯片自切割带10的粘合剂层2剥离。

详细而言，使芯片接合装置所具备的销构件P上升，隔着切割带10将成为拾取对象的带有芯片接合层3的半导体芯片顶起。利用芯片接合装置所具备的吸附夹具J来保持被顶起的带有芯片接合层3的半导体芯片。

芯片接合工序中，利用芯片接合装置使带有芯片接合层3的半导体芯片粘接于安装基板等被粘物。

此处，本实施方式中，前述扩展工序、前述拾取工序和前述芯片接合工序一同在芯片接合装置中实施，但有时仅将通过前述扩展工序而得到的带有芯片接合层3的半导体芯片的一部分供于前述拾取工序和前述芯片接合工序。

在这种情况下，将具有剩余的带有芯片接合层3的半导体芯片的切割芯片接合薄膜20从前述芯片接合装置中暂时取出并加以保管。

此处，本实施方式所述的切割芯片接合薄膜20所具备的切割带10如上说明的那样，在交替反复进行3次将切割带10以500mm/min的速度拉伸至成为原长度的180％的长度的操作和将拉伸后的切割带10复原的操作时，第3次拉伸时测得的拉伸应力TS₃的值成为7N/10mm以上。

因此，将具有剩余的带有芯片接合层3的半导体芯片的切割芯片接合薄膜20从前述芯片接合装置中暂时取出并保管时，能够抑制由切割带10过度收缩导致的、相邻的带有芯片接合层3的半导体芯片彼此的间隔狭窄至芯片接合层3彼此过度粘连的程度。

另外，由于拉伸应力TS₃的值成为上述范围内，因此，能够对切割带10传递充分的拉伸力。

由此，为了将剩余的带有芯片接合层3的半导体芯片供给至前述拾取工序和前述芯片接合工序而将切割芯片接合薄膜20安装于前述芯片接合装置时，即便在相邻的芯片接合层3彼此粘在一起的情况下，通过再次供给至扩展工序，也能够充分解除相邻的芯片接合层3彼此的粘连。

其结果，能够在适宜地拾取各个带有芯片接合层3的半导体芯片的基础上，使其粘接于安装基板等被粘物。

需要说明的是，本发明所述的切割带不限定于前述实施方式。

另外，本发明所述的切割带不受前述作用效果的限定。

进而，本发明所述的切割带可以在不超出本发明主旨的范围内进行各种变更。

通过本说明书而公开的事项包括以下的技术方案。

(1)

一种切割带，其具备基材和层叠在该基材上的粘合剂层，

交替反复进行3次将前述切割带以500mm/min的速度沿着面方向拉伸至成为原长度的180％的长度为止的操作和将拉伸后的前述切割带复原的操作时，在第3次拉伸时测得的拉伸应力的值为7N/10mm以上。

(2)

根据上述(1)所述的切割带，其中，交替反复进行3次前述拉伸和前述复原时，第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值为18N/mm²以上。

(3)

根据上述(1)或(2)所述的切割带，其中，交替反复进行3次前述拉伸和前述复原时，

第3次拉伸时测得的拉伸应力的值相对于第1次拉伸时测得的拉伸应力的值的维持率为95％以上。

(4)

根据上述(1)～(3)中任一项所述的切割带，其中，交替反复进行3次前述拉伸和前述复原时，

第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值相对于第1次拉伸时测得的拉伸储能模量的值的维持率为35％以上。

(5)

根据上述(1)所述的切割带，其中，前述粘合剂层包含通过活性能量射线的照射而固化的固化成分，

在前述活性能量射线的照射前和照射后，

交替反复进行3次前述拉伸和前述复原时，第3次拉伸时测得的拉伸应力的值为7N/10mm以上。

(6)

根据上述(5)所述的切割带，其中，在前述活性能量射线的照射前和照射后，

交替反复进行3次前述拉伸和前述复原时，第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值为18N/mm²以上。

(7)

根据上述(5)或(6)所述的切割带，其中，在前述活性能量射线的照射前和照射后，

交替反复进行3次前述拉伸和前述复原时，

第3次拉伸时测得的拉伸应力的值相对于第1次拉伸时测得的拉伸应力的值的维持率为95％以上。

(8)

根据上述(5)～(7)中任一项所述的切割带，其中，在前述活性能量射线的照射前和照射后，

交替反复进行3次前述拉伸和前述复原时，

第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值相对于第1次拉伸时测得的拉伸储能模量的值的维持率为95％以上。

实施例

接着，列举出实施例，针对本发明更具体地进行说明。以下的实施例用于更详细地说明本发明，本发明的范围不限定于此。

<粘合剂组合物A的制作>

主要以下述表1所示的比率(质量份)，使用丙烯酸系单体、引发剂和催化剂来制作粘合剂组合物A。

具体而言，首先向具备冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器内添加作为丙烯酸系单体的丙烯酸2-乙基己酯(以下称为2EHA)、丙烯酸2-羟基乙酯(以下称为HEA)，进一步添加作为引发剂的偶氮双异丁腈(以下称为AIBN)，以前述丙烯酸系单体的浓度成为38质量％的方式添加乙酸乙酯后，在氮气气流下在62℃下聚合4小时，在75℃下进行2小时的聚合处理，得到丙烯酸系聚合物A。

接着，向该丙烯酸系聚合物A中添加2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(以下称为MOI)，进一步添加作为催化剂的二月桂酸二丁基锡IV后，在空气气流下在50℃下进行12小时的加成反应处理，得到丙烯酸系聚合物A’。

接着，相对于丙烯酸系聚合物A’100质量份，添加作为外部交联剂的多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、日本聚氨酯公司制)0.75质量份和光聚合引发剂(商品名“Omnirad127”、IGM公司制)2质量份后，使用乙酸乙酯，以固体成分浓度成为20质量％的方式进行稀释，制作粘合剂组合物A。

<粘合剂组合物B的制作>

在获得丙烯酸系聚合物A的步骤中，除2EHA和HEA之外，还以下述表1所示的比率(质量份)使用丙烯酸月桂酯(以下称为LA)和丙烯酸异壬酯(iNA)，除此之外，与粘合剂组合物A同样操作，制作粘合剂组合物B。

[表1]

[实施例1]

<切割带的制作>

在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离膜(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上，使用涂抹器涂布前述粘合剂组合物A后(参照下述表2)，在120℃下干燥2分钟，形成具有厚度10μm(参照下述表2)的实施例1所述的粘合剂层。

其后，在该粘合剂层上贴合表3的实施例1的项中示出的基材后，在50℃下熟化24小时，得到实施例1所述的切割带。

[表2]

[表3]

需要说明的是，作为材料，使用Ultrathene(注册商标)520F(东曹公司制)，使用单层的挤出T模成形机，成形实施例1所述的基材。

使用挤出T模成形机进行的成形在200℃的模头温度下实施。

通过挤出成形而得到的基材的厚度为125μm。

使成形后的基材在室温下充分固化后，将固化后的基材卷成卷状，制成卷体。

并且，通过将从前述卷体抽出的基材切成规定尺寸的平面尺寸，从而准备实施例1所述的基材。

[实施例2]

<切割带的制作>

使用粘合剂组合物B来代替粘合剂组合物A，将厚度设为30μm，除此之外，与实施例1同样操作，在PET隔离膜上形成实施例2所述的粘合剂层(参照上述表2)。

其后，在该粘合剂层上贴合表3的实施例2的项中示出的基材后，在50℃下熟化24小时，得到实施例2所述的切割带。

需要说明的是，作为材料，使用以Vistamax 3980(Exxon Mobil公司制)70质量％、Ultrathene(注册商标)520F(东曹公司制)30质量％的质量比率混合而得到的混合树脂，使用单层的挤出T模成形机，成形实施例2所述的基材。

使用挤出T模成形机进行的成形在200℃的模头温度下实施。

通过挤出成形而得到的基材的厚度为100μm。

使成形后的基材在室温下充分固化后，将固化后的基材卷成卷状，制成卷体。

并且，通过将从前述卷体抽出的基材切成规定尺寸的平面尺寸，从而准备实施例2所述的基材。

[实施例3]

<切割带的制作>

将厚度设为30μm，除此之外，与实施例1同样操作，在PET隔离膜上形成实施例3所述的粘合剂层(参照上述表2)。

其后，在该粘合剂层上贴合表3的实施例3的项中示出的基材后，在50℃下熟化24小时，得到实施例3所述的切割带。

需要说明的是，作为材料，使用WINTEC WXK1233(Japan Polypropylene公司制)和Ultrathene(注册商标)520F(东曹公司制)，使用2种3层的挤出T模成形机，成形实施例3所述的基材。

使用前述挤出T模成形机进行的成形在200℃的模头温度下实施。

通过挤出成形而得到的基材的厚度为100μm。

需要说明的是，成形后的基材为A层/B层/C层的3层结构。该3层结构具有B层作为中间层，在B层的两面具有A层和C层作为外层。B层由Ultrathene(注册商标)520F构成，A层和C层由WINTEC WXK1233构成。

另外，A层、B层和C层的厚度比(层厚比)为A层:B层:C层＝1:10:1。

使成形后的基材在室温下充分固化后，将固化后的基材卷成卷状，制成卷体。

并且，通过将从前述卷体抽出的基材切成规定尺寸的平面尺寸，从而准备实施例3所述的基材。

[实施例4]

<切割带的制作>

使用粘合剂组合物B来代替粘合剂组合物A，将厚度设为30μm，除此之外，与实施例1同样操作，在PET隔离膜上形成实施例4所述的粘合剂层(参照上述表2)。

其后，在该粘合剂层上贴合表3的实施例4的项中示出的基材后，在50℃下熟化24小时，得到实施例4所述的切割带。

需要说明的是，作为材料，使用WINTEC WXK1233(Japan Polypropylene公司制)和以Vistamax 3980(Exxon Mobil公司制)70质量％、Ultrathene(注册商标)520F(东曹公司制)30质量％的质量比率混合而得到的混合树脂，并使用2种3层的挤出T模成形机，成形实施例4所述的基材。

使用前述挤出T模成形机进行的成形在200℃的模头温度下实施。

通过挤出成形而得到的基材的厚度为100μm。

需要说明的是，成形后的基材为A层/B层/C层的3层结构。该3层结构具有B层作为中间层，在B层的两面具有A层和C层作为外层。B层由前述混合树脂构成，A层和C层由WINTECWXK1233构成。

另外，A层、B层和C层的厚度比(层厚比)为A层:B层:C层＝1:10:1。

使成形后的基材在室温下充分固化后，将固化后的基材卷成卷状，制成卷体。

并且，通过将从前述卷体抽出的基材切成规定尺寸的平面尺寸，从而准备实施例4所述的基材。

[实施例5]

<切割带的制作>

将厚度设为30μm，除此之外，与实施例1同样操作，在PET隔离膜上形成实施例5所述的粘合剂层(参照上述表2)。

其后，在该粘合剂层上贴合表3的实施例5一项中示出的基材后，在50℃下熟化24小时，得到实施例5所述的切割带。

需要说明的是，实施例5所述的基材“ODZ5”是大仓工业公司制的聚烯烃系树脂薄膜，其厚度为80μm。

[比较例1]

<切割带的制作>

将厚度设为30μm，除此之外，与实施例1同样操作，在PET隔离膜上形成比较例1所述的粘合剂层(参照上述表2)。

其后，在该粘合剂层上贴合表3的比较例1的项中示出的基材后，在50℃下熟化24小时，得到比较例1所述的切割带。

需要说明的是，比较例1所述的基材“ODZ4”为大仓工业公司制的聚烯烃系树脂薄膜，其厚度为80μm。

[比较例2]

<切割带的制作>

与实施例1同样操作，在PET隔离膜上形成比较例2所述的粘合剂层(参照上述表2)。

其后，在该粘合剂层上贴合表3的比较例2的项中示出的基材后，在50℃下熟化24小时，得到比较例2所述的切割带。

需要说明的是，作为材料，使用ACRYFT CM8013(住友化学公司制)，并使用单层的挤出T模成形机，成形比较例2所述的基材。

使用挤出T模成形机进行的成形在200℃的模头温度下实施。

通过挤出成形而得到的基材的厚度为125μm。

使成形后的基材在室温下充分固化后，将固化后的基材卷成卷状，制成卷体。

并且，通过将从前述卷体抽出的基材切成规定尺寸的平面尺寸，从而准备比较例2所述的基材。

(拉伸应力)

针对各例所述的切割带，如上述实施方式的项中说明的那样，测定第1次拉伸时的拉伸应力、第2次拉伸时的拉伸应力和第3次拉伸时的拉伸应力。

需要说明的是，各例所述的切割带的粘合剂层均通过活性能量射线的照射而固化，因此，针对活性能量射线的照射前和照射后这两种情况测定了各次拉伸时的拉伸应力。

将活性能量射线的照射前的测定结果示于下述表4，将活性能量射线的照射后的测定结果示于下述表5。

另外，下述表4和表5中，还示出各次拉伸时的拉伸应力的值相对于第1次拉伸时的拉伸应力的值的比率。

(拉伸储能模量)

针对各例所述的切割带，如上述实施方式的项中说明的那样，测定第1次拉伸时的拉伸储能模量、第2次拉伸时的拉伸储能模量和第3次拉伸时的拉伸储能模量。

需要说明的是，针对拉伸储能模量，也对活性能量射线的照射前和照射后的两种情况进行了测定。

将活性能量射线的照射前的测定结果示于下述表4，将活性能量射线的照射后的测定结果示于下述表5。

另外，下述表4和5中，也示出各次拉伸时的拉伸储能模量的值相对于第1次拉伸时的拉伸储能模量的值的比率。

(屈服应力)

针对各例所述的切割带，如上述实施方式的项中说明的那样，求出第1次拉伸时的屈服应力。

需要说明的是，针对第1次拉伸时的屈服应力，也求出活性能量射线的照射前和照射后的两种情况的屈服应力。

将活性能量射线的照射前的测定结果示于下述表4，将活性能量射线的照射后的测定结果示于下述表5。

需要说明的是，下述表4和表5中，示出第1次拉伸时的拉伸应力相对于屈服应力的比率，并且，也示出第3次拉伸时的拉伸应力相对于屈服应力的比率。

(屈服伸长率)

针对各例所述的切割带，如上述实施方式的项中说明的那样，求出第1次拉伸时的屈服伸长率。

需要说明的是，针对第1次拉伸时的屈服伸长率，也求出活性能量射线的照射前和照射后的两种情况的屈服伸长率。

将活性能量射线的照射前的测定结果示于下述表4，将活性能量射线的照射后的测定结果示于下述表5。

[表4]

[表5]

如表4和表5所示那样可明确：第3次拉伸时的拉伸应力的值与第1次拉伸时的拉伸应力的值没有显著差异，另外，在第3次拉伸时，拉伸应力也显示出7N/10mm以上的较高的值。

由此可以认为：在利用芯片接合装置来实施芯片接合工序和扩展工序这两者的工艺中，能够充分解除粘在一起的相邻芯片接合层彼此的粘连。

Claims (8)

1.一种切割带，其具备基材和层叠在该基材上的粘合剂层，

交替反复进行3次将所述切割带以500mm/min的速度沿着面方向拉伸至成为原长度的180％的长度为止的操作和将拉伸后的所述切割带复原的操作时，在第3次拉伸时测得的拉伸应力的值为7N/10mm以上。

2.根据权利要求1所述的切割带，其中，交替反复进行3次所述拉伸和所述复原时，在第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值为18N/mm²以上。

3.根据权利要求1或2所述的切割带，其中，交替反复进行3次所述拉伸和所述复原时，

第3次拉伸时测得的拉伸应力的值相对于第1次拉伸时测得的拉伸应力的值的维持率为95％以上。

4.根据权利要求2所述的切割带，其中，交替反复进行3次所述拉伸和所述复原时，

第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值相对于第1次拉伸时测得的拉伸储能模量的值的维持率为35％以上。

5.根据权利要求1所述的切割带，其中，所述粘合剂层包含通过活性能量射线的照射而固化的固化成分，

在所述活性能量射线的照射前和照射后，

交替反复进行3次所述拉伸和所述复原时，第3次拉伸时测得的拉伸应力的值为7N/10mm以上。

6.根据权利要求5所述的切割带，其中，在所述活性能量射线的照射前和照射后，

交替反复进行3次所述拉伸和所述复原时，第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值为18N/mm²以上。

7.根据权利要求5或6所述的切割带，其中，在所述活性能量射线的照射前和照射后，

交替反复进行3次所述拉伸和所述复原时，

第3次拉伸时测得的拉伸应力的值相对于第1次拉伸时测得的拉伸应力的值的维持率为95％以上。

8.根据权利要求6所述的切割带，其中，在所述活性能量射线的照射前和照射后，

交替反复进行3次所述拉伸和所述复原时，

第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值相对于第1次拉伸时测得的拉伸储能模量的值的维持率为35％以上。