JP2020205414A - Dicing tape and dicing die-bonding film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムに関する。より詳しくは、基材が積層構造を有するダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムに関する。 The present invention relates to a dicing tape and a dicing die bond film. More specifically, the present invention relates to a dicing tape and a dicing die bond film in which the base material has a laminated structure.
従来、半導体装置の製造において、ダイボンディング用の半導体チップを得るために、ダイシングダイボンドフィルムを用いることが知られている。ダイシングダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層が積層されたダイボンドテープと、該ダイボンドテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備えている。 Conventionally, it is known to use a dicing die bond film in order to obtain a semiconductor chip for die bonding in the manufacture of a semiconductor device. The dicing die bond film includes a die bond tape in which an adhesive layer is laminated on a base material, and a die bond layer laminated on the adhesive layer of the dicing tape.
そして、前記ダイシングダイボンドフィルムを用いてダイボンディング用の半導体チップ（ダイ）を得る方法として、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべき半導体ウェハに溝を形成し、さらに半導体ウェハを研削して厚さを薄くするハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、バックグラインド工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層に貼付して、ダイシングテープに半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層と粘着剤層との間を剥離してダイボンド層が貼付された状態で半導体チップを取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層が貼付された状態の半導体チップを被着体（例えば、実装基板等）に接着させるダイボンド工程と、を有する方法を採用することが知られている。
なお、前記カーフ維持工程においては、ダイシングテープに熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当ててダイシングテープを熱収縮させた後冷却固化させて、割断された隣り合う半導体チップ間の距離（カーフ）を維持している。
Then, as a method of obtaining a semiconductor chip (die) for die bonding using the dicing die bond film, a groove is formed in the semiconductor wafer to be processed into a chip (die) by a cutting process, and the semiconductor wafer is further ground. The half-cut process to reduce the thickness, the back grind process to grind the semiconductor wafer after the half cut process to reduce the thickness, and one surface of the semiconductor wafer after the back grind process (for example, opposite to the circuit surface). A mounting process in which the side surface) is attached to the die bond layer to fix the semiconductor wafer to the dicing tape, an expanding process in which the distance between the half-cut semiconductor chips is widened, and a calf maintenance in which the distance between the semiconductor chips is maintained. The process, the pick-up process in which the semiconductor chip is taken out with the die bond layer attached by peeling between the die bond layer and the pressure-sensitive adhesive layer, and the semiconductor chip with the die bond layer attached are attached (for example, mounted). It is known to adopt a method having a die-bonding step of adhering to a substrate or the like).
In the calf maintenance step, hot air (for example, 100 to 130 ° C.) is applied to the dicing tape to heat-shrink the dicing tape and then cool and solidify it to cool and solidify the dicing tape, and the distance between the adjacent semiconductor chips (calf). Is maintained.
前記のようなダイボンディング用の半導体チップを得る方法のカーフ維持工程において、カーフをより十分に維持するために、ダイシングテープの物性と基材の物性とを特定の関係を満たすものとすることが知れている（例えば、特許文献１）。 In the calf maintenance step of the method for obtaining a semiconductor chip for die bonding as described above, in order to maintain the calf more sufficiently, the physical properties of the dicing tape and the physical properties of the base material may satisfy a specific relationship. It is known (for example, Patent Document 1).
しかしながら、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持するために、更なる検討が要望されている。 However, in the calf maintenance process, further studies are required in order to maintain the calf more sufficiently.
そこで、本発明は、カーフをより十分に維持することができるダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを提供することを課題とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a dicing tape and a dicing die bond film capable of maintaining a calf more sufficiently.
本発明者らが鋭意検討したところ、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープにおいて、前記基材を、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層と、前記第１樹脂層の一面上に積層された第２樹脂層と、前記第１樹脂層とは逆側において前記第２樹脂層に積層された第３樹脂層と、を備えるものとし、さらに、前記第２樹脂層を、前記第１樹脂層及び前記第３樹脂層よりも、室温における引張貯蔵弾性率が低いものとすることにより、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができることを見出して、本発明を想到するに至った。
また、本発明者らは、前記構成のダイシングテープを備えたダイシングダイボンドフィルムにおいても、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができることを見出した。
As a result of diligent studies by the present inventors, in a dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material, the base material is a first resin layer containing a first resin having a molecular weight dispersion degree of 5 or less, and the above. A second resin layer laminated on one surface of the first resin layer and a third resin layer laminated on the second resin layer on the opposite side of the first resin layer are provided, and further, the above. By making the second resin layer have a lower tensile storage elasticity at room temperature than the first resin layer and the third resin layer, the calf can be more sufficiently maintained in the calf maintenance step. I found it and came up with the present invention.
Further, the present inventors have found that the dicing die bond film provided with the dicing tape having the above-mentioned structure can more sufficiently maintain the calf in the calf maintenance step.
即ち、本発明に係るダイシングテープは、
基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープであって、
前記基材は、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層と、前記第１樹脂層の一面上に積層された第２樹脂層と、前記第１樹脂層とは逆側において前記第２樹脂層に積層された第３樹脂層と、を備え、
前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層及び前記第３樹脂層よりも、室温における引張貯蔵弾性率が低い。
That is, the dicing tape according to the present invention is
A dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material.
The base material has a first resin layer containing a first resin having a molecular weight dispersion of 5 or less, a second resin layer laminated on one surface of the first resin layer, and the opposite of the first resin layer. A third resin layer laminated on the second resin layer on the side is provided.
The second resin layer has a lower tensile storage elastic modulus at room temperature than the first resin layer and the third resin layer.
斯かる構成によれば、前記基材は、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層を備えるので、カーフ維持工程において、前記基材をより迅速に冷却固化することができる。
また、第１樹脂層の一面上に積層された第２樹脂層であって、前記第１樹脂層とは逆側に第３樹脂層が積層された第２樹脂層、すなわち、前記第１樹脂層と前記第３樹脂層とで挟まれた前記第２樹脂層の室温における引張貯蔵弾性率が、前記第１樹脂層及び前記第３樹脂層の室温における引張貯蔵弾性率よりも低いので、前記第２樹脂層を、引張応力を緩和する応力緩和層として機能させることができる。すなわち、前記基材に生じる引張応力を比較的小さくすることができるので、前記基材を適度な硬さを有しつつ、比較的伸び易いものとすることができる。
これにより、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
さらに、前記第２樹脂層の室温における引張貯蔵弾性率が、前記第１樹脂層及び前記第３樹脂層の室温における引張貯蔵弾性率よりも低いことにより、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性を向上させることができることに加えて、エキスパンド工程において、前記基材が破れて破損することを抑制することができる。
また、前記第１樹脂層に含まれる第１樹脂と前記第２樹脂層に含まれる第２樹脂とが親和性の高いものである場合、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とを剥離させることなく比較的良好に押出成形することができる。
According to such a configuration, since the base material includes a first resin layer containing a first resin having a molecular weight dispersion degree of 5 or less, the base material can be cooled and solidified more quickly in the calf maintenance step. it can.
Further, a second resin layer laminated on one surface of the first resin layer, that is, a second resin layer in which a third resin layer is laminated on the opposite side of the first resin layer, that is, the first resin. Since the tensile storage elasticity at room temperature of the second resin layer sandwiched between the layer and the third resin layer is lower than the tensile storage elasticity of the first resin layer and the third resin layer at room temperature, the above. The second resin layer can function as a stress relaxation layer that relaxes tensile stress. That is, since the tensile stress generated in the base material can be made relatively small, the base material can be made relatively easy to stretch while having an appropriate hardness.
Thereby, the calf can be more sufficiently maintained in the calf maintenance step.
Further, the tensile storage elastic modulus of the second resin layer at room temperature is lower than the tensile storage elastic modulus of the first resin layer and the third resin layer at room temperature, so that the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips. In addition to being able to improve the properties, it is possible to prevent the base material from being torn and damaged in the expanding step.
Further, when the first resin contained in the first resin layer and the second resin contained in the second resin layer have a high affinity, the first resin layer and the second resin layer are peeled off. It can be extruded relatively well without causing.
前記ダイシングテープにおいては、
前記第１樹脂は、１１５℃以上１３０℃以下の融点を有することが好ましい。
In the dicing tape,
The first resin preferably has a melting point of 115 ° C. or higher and 130 ° C. or lower.
斯かる構成によれば、前記第１樹脂が１１５℃以上１３０℃以下の融点を有しているので、カーフ維持工程において、前記ダイシングテープに当てる熱風（例えば、１００〜１３０℃）と前記第１樹脂層を構成する樹脂との温度差を比較的小さくすることができる。そのため、カーフ維持工程において、前記基材をより迅速に冷却固化することができる。
これにより、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
According to such a configuration, since the first resin has a melting point of 115 ° C. or higher and 130 ° C. or lower, hot air (for example, 100 to 130 ° C.) applied to the dicing tape and the first resin in the calf maintenance step. The temperature difference from the resin constituting the resin layer can be made relatively small. Therefore, in the calf maintenance step, the base material can be cooled and solidified more quickly.
Thereby, the calf can be more sufficiently maintained in the calf maintenance step.
前記ダイシングテープにおいては、
前記第１樹脂は、質量平均分子量が１０００００以上１００００００以下であり、数平均分子量が２００００以上６０００００以下であることが好ましい。
In the dicing tape,
The first resin preferably has a mass average molecular weight of 100,000 or more and 1,000,000 or less, and a number average molecular weight of 20,000 or more and 600,000 or less.
斯かる構成によれば、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。 According to such a configuration, the calf can be more sufficiently maintained in the calf maintenance step.
前記ダイシングテープにおいては、
前記第１樹脂は、メタロセン触媒による重合品であるポリプロピレン樹脂を含むことが好ましい。
In the dicing tape,
The first resin preferably contains a polypropylene resin which is a polymerized product of a metallocene catalyst.
斯かる構成によれば、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。 According to such a configuration, the calf can be more sufficiently maintained in the calf maintenance step.
前記ダイシングテープにおいては、
前記基材の厚さは６０μｍ以上１６０μｍ以下であり、
前記第２樹脂層の厚さに対する前記第１樹脂層の厚さの比は、１／４〜１／２０の範囲にあり、
前記第２樹脂層の厚さに対する前記第３樹脂層の厚さの比は、１／４〜１／２０の範囲にあることが好ましい。
In the dicing tape,
The thickness of the base material is 60 μm or more and 160 μm or less.
The ratio of the thickness of the first resin layer to the thickness of the second resin layer is in the range of 1/4 to 1/20.
The ratio of the thickness of the third resin layer to the thickness of the second resin layer is preferably in the range of 1/4 to 1/20.
斯かる構成によれば、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
また、割断工程におけるエキスパンド時に、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより向上させることができる。
According to such a configuration, the calf can be more sufficiently maintained in the calf maintenance step.
In addition, the splittability from the semiconductor wafer to the plurality of semiconductor chips at the time of expanding in the cutting step can be further improved.
前記ダイシングテープにおいては、
前記第２樹脂層は、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーを含むことが好ましい。
In the dicing tape,
The second resin layer preferably contains an α-olefin-based thermoplastic elastomer.
斯かる構成によれば、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
また、割断工程におけるエキスパンド時に、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより向上させることができる。
According to such a configuration, the calf can be more sufficiently maintained in the calf maintenance step.
In addition, the splittability from the semiconductor wafer to the plurality of semiconductor chips at the time of expanding in the cutting step can be further improved.
前記ダイシングテープにおいては、
前記α−オレフィン系熱可塑性エラストマーは、α−オレフィンのホモポリマー又はα−オレフィンの共重合体の少なくとも１種を含むことが好ましい。
In the dicing tape,
The α-olefin-based thermoplastic elastomer preferably contains at least one homopolymer of α-olefin or a copolymer of α-olefin.
斯かる構成によれば、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
また、割断工程におけるエキスパンド時に、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより向上させることができる。
According to such a configuration, the calf can be more sufficiently maintained in the calf maintenance step.
In addition, the splittability from the semiconductor wafer to the plurality of semiconductor chips at the time of expanding in the cutting step can be further improved.
本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、
前記ダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備える。
The dicing die bond film according to the present invention is
With the dicing tape
A dicing bond layer laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape is provided.
斯かる構成によれば、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。 According to such a configuration, the calf can be more sufficiently maintained in the calf maintenance step.
本発明によれば、カーフをより十分に維持することができるダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a dicing tape and a dicing die bond film capable of maintaining a calf more sufficiently.
以下、本発明の一実施形態について説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.
［ダイシングテープ］
図１に示しように、本実施形態に係るダイシングテープ１０は、基材１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープ１０である。
基材１は、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層１ａと、第１樹脂層１ａの一面上に積層された第２樹脂層１ｂと、第１樹脂層１ａとは逆側において第２樹脂層１ｂに積層された第３樹脂層１ｃとを備え、第２樹脂層１ｂは、第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃよりも室温（２３℃）における引張貯蔵弾性率が低い。
なお、第２樹脂層１ｂは第２樹脂を含み、第３樹脂層１ｃは第１樹脂を含んでいる。
ここで、第１樹脂の分子量分散度とは、第１樹脂の数平均分子量に対する第１樹脂の質量平均分子量の比を意味する。
[Dicing tape]
As shown in FIG. 1, the dicing tape 10 according to the present embodiment is a dicing tape 10 in which the pressure-sensitive adhesive layer 2 is laminated on the base material 1.
The base material 1 includes a first resin layer 1a containing a first resin having a molecular weight dispersion degree of 5 or less, a second resin layer 1b laminated on one surface of the first resin layer 1a, and a first resin layer 1a. Is provided with a third resin layer 1c laminated on the second resin layer 1b on the opposite side, and the second resin layer 1b is tensilely stored at room temperature (23 ° C.) than the first resin layer 1a and the third resin layer 1c. Low elasticity.
The second resin layer 1b contains the second resin, and the third resin layer 1c contains the first resin.
Here, the degree of molecular weight dispersion of the first resin means the ratio of the mass average molecular weight of the first resin to the number average molecular weight of the first resin.
基材１が、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層１ａを備えることにより、カーフがより十分に維持される理由については、以下のように考えられる。
第１樹脂は５以下という比較的小さい分子量分散度を示す、すなわち、第１樹脂は比較的均一な分子量を有する樹脂であるので、このような第１樹脂を含む第１樹脂層においては、層が溶融する温度は比較的均一になると考えられる。
そして、層が溶融する温度が比較的均一であることにより、カーフ維持工程において、ダイシングテープ１０に熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当ててダイシングテープ１０を熱収縮させた後冷却固化させるときに、熱風により溶融した層部分を比較的均一な速度で固化させることができると考えられる。すなわち、溶融した層部分が固化する速度にバラツキがない分だけ、溶融した層部分を比較的迅速に固化させることができると考えられる。
その結果、ダイシングテープ１０を熱収縮させた後に、基材１が縮むことをより十分に抑制することができるようになり、カーフをより十分に維持することができるようになると考えられる。
The reason why the calf is more sufficiently maintained by providing the first resin layer 1a containing the first resin having a molecular weight dispersion degree of 5 or less can be considered as follows.
The first resin exhibits a relatively small molecular weight dispersion of 5 or less, that is, since the first resin is a resin having a relatively uniform molecular weight, the first resin layer containing such a first resin has a layer. It is considered that the melting temperature of the plastic is relatively uniform.
Then, when the temperature at which the layers melt is relatively uniform, hot air (for example, 100 to 130 ° C.) is applied to the dicing tape 10 to heat-shrink the dicing tape 10 and then cool and solidify the dicing tape 10 in the calf maintenance step. In addition, it is considered that the layer portion melted by hot air can be solidified at a relatively uniform rate. That is, it is considered that the molten layer portion can be solidified relatively quickly because there is no variation in the solidification speed of the molten layer portion.
As a result, it is considered that the shrinkage of the base material 1 can be more sufficiently suppressed after the dicing tape 10 is heat-shrinked, and the calf can be more sufficiently maintained.
第１樹脂の数平均分子量及び質量平均分子量は、以下の条件においてＧＰＣにより測定することができる。
・測定装置：Ｗａｓｔｅｒ社製、型式「Ａｌｌｉａｎｃｅ ＧＰＣ ２０００型」
・カラム：ＴＳｋｇｅｌ ＧＭＨ６−ＨＴ（東ソー社製）を２本直列に接続し、下流側に、さらにＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨ−ＨＴＬを２本直列に接続したもの
・カラムサイズ：ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨ６−ＨＴ及びＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨ−ＨＴＬ共に、内径７．５ｍｍ×長さ３００ｍｍ
・カラム温度：１４０℃
・流速：１．０ｍＬ／分
・溶離液：ｏ−ジクロロベンゼン
・サンプル調製濃度：０．１０質量％（ｏ−ジクロロベンゼンに溶解）
・サンプル注入量：４０μＬ
・検出器：ＲＩ（示差屈折計）
・標準試料：ポリスチレン
The number average molecular weight and the mass average molecular weight of the first resin can be measured by GPC under the following conditions.
-Measuring device: Made by Waster, model "Alliance GPC 2000 type"
-Column: Two TSkgel GMH6-HT (manufactured by Tosoh) connected in series, and two TSKgel GMH-HTL connected in series on the downstream side.-Column size: TSKgel GMH6-HT and TSKgel GMH-HTL Both have an inner diameter of 7.5 mm and a length of 300 mm.
-Column temperature: 140 ° C
-Flow velocity: 1.0 mL / min-Eluent: o-dichlorobenzene-Sample preparation concentration: 0.10% by mass (dissolved in o-dichlorobenzene)
-Sample injection volume: 40 μL
・ Detector: RI (differential refractometer)
・ Standard sample: Polystyrene
第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃとしては、室温での引張貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下のものが挙げられ、第２樹脂層１ｂとしては、室温での引張貯蔵弾性率が２００ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下のものが挙げられる。 Examples of the first resin layer 1a and the third resin layer 1c include those having a tensile storage elastic modulus of 10 MPa or more and 100 MPa or less at room temperature, and the second resin layer 1b has a tensile storage elastic modulus of 200 MPa or more at room temperature. Those of 500 MPa or less can be mentioned.
常温における引張貯蔵弾性率は、以下のようにして測定することができる。
詳しくは、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍのダイシングテープを試験片とし、固体粘弾性測定装置（例えば、型式ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック株式会社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、ひずみ量０．１％、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２２．５ｍｍの条件において、−５０〜１００℃の温度範囲で前記試験片の引張貯蔵弾性率を測定することにより求めることができる。その際、２３℃での値を読み取り、２３℃における引張貯蔵弾性率とする。
なお、前記測定は、前記試験片をＭＤ方向（樹脂流れ方向）に引っ張ることにより行う。
The tensile storage elastic modulus at room temperature can be measured as follows.
Specifically, a dicing tape having a length of 40 mm (measurement length) and a width of 10 mm is used as a test piece, and a solid viscoelasticity measuring device (for example, model RSAIII, manufactured by Leometric Scientific Co., Ltd.) is used to measure strain at a frequency of 1 Hz. It can be obtained by measuring the tensile storage elastic modulus of the test piece in a temperature range of -50 to 100 ° C. under the conditions of an amount of 0.1%, a heating rate of 10 ° C./min, and a chuck-to-chuck distance of 22.5 mm. .. At that time, the value at 23 ° C. is read and used as the tensile storage elastic modulus at 23 ° C.
The measurement is performed by pulling the test piece in the MD direction (resin flow direction).
第１樹脂としては非エラストマーを用いることが好ましい。非エラストマーとしては、メタロセン触媒の共重合品であるポリプロピレン樹脂（以下、メタロセンＰＰという）が挙げられる。メタロセンＰＰとしては、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィン共重合体が挙げられる。第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃがメタロセンＰＰを含むことにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
なお、市販のメタロセンＰＰとしては、ウィンテックＷＸＫ１２３３、ウィンテックＷＭＸ０３（いずれも、日本ポリプロ社製）が挙げられる。
It is preferable to use a non-elastomer as the first resin. Examples of the non-elastomer include polypropylene resin (hereinafter referred to as metallocene PP) which is a copolymer of a metallocene catalyst. Examples of the metallocene PP include a propylene / α-olefin copolymer which is a polymer product of a metallocene catalyst. Since the first resin layer 1a and the third resin layer 1c contain metallocene PP, the dicing tape can be efficiently produced, and the semiconductor wafer attached to the dicing tape can be efficiently cut.
Examples of commercially available metallocene PPs include Wintech WXK1233 and Wintech WMX03 (both manufactured by Japan Polypropylene Corporation).
ここで、メタロセン触媒とは、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む周期表第４族の遷移金属化合物（いわゆる、メタロセン化合物）と、メタロセン化合物と反応して該メタロセン化合物を安定なイオン状態に活性化し得る助触媒とからなる触媒であり、必要により、有機アルミニウム化合物を含む。メタロセン化合物は、プロピレンの立体規則性重合を可能とする架橋型のメタロセン化合物である。 Here, the metallocene catalyst is a transition metal compound of Group 4 of the periodic table (so-called metallocene compound) containing a ligand having a cyclopentadienyl skeleton, and reacts with the metallocene compound to stabilize the metallocene compound. It is a catalyst consisting of a co-catalyst that can be activated into a state, and if necessary, contains an organic aluminum compound. The metallocene compound is a crosslinked metallocene compound that enables stereoregular polymerization of propylene.
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィン共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体が好ましく、前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数２のα−オレフィンランダム共重合体、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数４のα−オレフィンランダム共重合体、及び、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数５のα−オレフィンランダム共重合体の中から選ばれるものが好ましく、これらの中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／エチレンランダム共重合体が最適である。 Among the propylene / α-olefin copolymer which is a polymer product of the metallocene catalyst, the propylene / α-olefin random copolymer which is a polymer product of the metallocene catalyst is preferable, and propylene / α- which is a polymer product of the metallocene catalyst is preferable. Among the olefin random copolymers, a propylene / α-olefin random copolymer having 2 carbon atoms, which is a polymer product of a metallocene catalyst, and an α-olefin random copolymer having propylene / 4 carbon atoms, which is a polymer product of a metallocene catalyst, In addition, those selected from the propylene / α-olefin random copolymer having 5 carbon atoms, which is a polymer product of the metallocene catalyst, are preferable, and among these, the propylene / ethylene random copolymer which is a polymer product of the metallocene catalyst is preferable. Optimal.
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体としては、前記エラストマー層との共押出成膜性、及び、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハの割断性の観点から、融点が８０℃以上１４０℃以下、特に、１００℃以上１３０℃以下のものが好ましい。
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体の融点は、示差走査熱量（ＤＳＣ）分析により測定することができる。例えば、示差走査熱量計装置（ＴＡインスツルメント社製 型式ＤＳＣ Ｑ２０００）を用い、窒素ガス気流下、昇温速度５℃／ｍｉｎにて２００℃まで昇温し、吸熱ピークのピーク温度を求めることにより測定することができる。
第１樹脂は、質量平均分子量が１０００００以上１００００００以下であり、数平均分子量が２００００以上６０００００以下であることが好ましい。
The propylene / α-olefin random copolymer, which is a polymer of the metallocene catalyst, has a melting point of 80 from the viewpoint of coextrusion film formation with the elastomer layer and splittability of the semiconductor wafer attached to the dicing tape. ℃ or more and 140 ° C or less, particularly preferably 100 ° C or more and 130 ° C or less.
The melting point of the propylene / α-olefin random copolymer, which is a polymer of the metallocene catalyst, can be measured by differential scanning calorimetry (DSC) analysis. For example, using a differential scanning calorimeter (model DSC Q2000 manufactured by TA Instruments), the temperature is raised to 200 ° C at a heating rate of 5 ° C / min under a nitrogen gas stream to obtain the peak temperature of the endothermic peak. Can be measured by.
The first resin preferably has a mass average molecular weight of 100,000 or more and 1,000,000 or less, and a number average molecular weight of 20,000 or more and 600,000 or less.
第２樹脂としてはエラストマーを用いることが好ましい。エラストマーとしては、例えば、α−オレフィン系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。α−オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、例えば、α−オレフィンのホモポリマー、２種以上のα−オレフィンの共重合体、ブロックポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、１種または２種以上のα−オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体等が挙げられる。
α−オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、プロピレン・エチレン共重合体とプロピレンホモポリマーとを組み合わせたもの、または、プロピレン・エチレン・炭素数４以上のα−オレフィン三元共重合体も挙げられる。
α−オレフィン系熱可塑性エラストマーの市販品としては、例えば、プロピレン系エラストマー樹脂であるビスタマックス３９８０（エクソンモービルケミカル社製）が挙げられる。
It is preferable to use an elastomer as the second resin. Examples of the elastomer include α-olefin-based thermoplastic elastomers. Examples of α-olefin-based thermoplastic elastomers include α-olefin homopolymers, two or more α-olefin copolymers, block polypropylene, random polypropylene, one or more α-olefins, and other α-olefins. Examples thereof include a copolymer with a vinyl monomer.
Examples of the α-olefin-based thermoplastic elastomer include a combination of a propylene / ethylene copolymer and a propylene homopolymer, or an α-olefin ternary copolymer having propylene / ethylene / carbon number 4 or more.
Examples of commercially available products of α-olefin-based thermoplastic elastomers include Vistamax 3980 (manufactured by ExxonMobil Chemical Co., Ltd.), which is a propylene-based elastomer resin.
α−オレフィンのホモポリマーとしては、炭素数２以上１２以下のα−オレフィンのホモポリマーであることが好ましい。このようなホモポリマーとしては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン等が挙げられる。 The α-olefin homopolymer is preferably an α-olefin homopolymer having 2 or more and 12 or less carbon atoms. Examples of such homopolymers include ethylene, propylene, 1-butene, 4-methyl-1-pentene and the like.
２種以上のα−オレフィンの共重合体としては、エチレン／プロピレン共重合体、エチレン／１−ブテン共重合体、エチレン／プロピレン／１−ブテン共重合体、エチレン／炭素数５以上１２以下のα−オレフィン共重合体、プロピレン／エチレン共重合体、プロピレン／１−ブテン共重合体、プロピレン／炭素数５以上１２以下のα−オレフィン共重合体等が挙げられる。 Examples of the copolymers of two or more kinds of α-olefins include ethylene / propylene copolymer, ethylene / 1-butene copolymer, ethylene / propylene / 1-butene copolymer, and ethylene / carbon number 5 or more and 12 or less. Examples thereof include α-olefin copolymers, propylene / ethylene copolymers, propylene / 1-butene copolymers, and α-olefin copolymers having 5 or more and 12 or less carbon atoms.
１種または２種以上のα−オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等が挙げられる。 Examples of the copolymer of one or more kinds of α-olefins and other vinyl monomers include ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA).
基材１が前記のような三層構造の場合、第１樹脂と第２樹脂とを共押出して、第２樹脂層１ｂの両面側に第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃが積層された積層構造とする共押出成形により得られることが好ましい。共押出成形としては、フィルムやシート等の製造において一般に行われる任意の適切な共押出成形を採用することができる。共押出成形の中でも、基材１を効率良く安価に得ることができる点から、インフレーション法や共押出Ｔダイ法を採用することが好ましい。 When the base material 1 has a three-layer structure as described above, the first resin and the second resin are co-extruded, and the first resin layer 1a and the third resin layer 1c are laminated on both side surfaces of the second resin layer 1b. It is preferably obtained by coextrusion molding having a laminated structure. As the coextrusion molding, any suitable coextrusion molding generally performed in the production of films, sheets and the like can be adopted. Among the coextrusion moldings, it is preferable to adopt the inflation method or the coextrusion T-die method from the viewpoint that the base material 1 can be obtained efficiently and inexpensively.
第２樹脂層１ｂがα−オレフィン系熱可塑性エラストマーを含み、かつ、第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃがメタロセンＰＰのようなポリオレフィンを含む場合、第２樹脂層１ｂは、第２樹脂層１ｂに含まれるエラストマーの総質量に対して、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーを５０質量％以上１００質量％以下含んでいることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下含んでいることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下含んでいることがさらに好ましく、９０質量％以上１００質量％以下含んでいることが特に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下含んでいることが最適である。α−オレフィン系熱可塑性エラストマーが前記範囲で含まれていることにより、第１樹脂層１ａと第２樹脂層１ｂとの親和性及び第３樹脂層１ｃと第２樹脂層１ｂとの親和性が高くなるため、基材１を比較的容易に押出成形することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。 When the second resin layer 1b contains an α-olefin thermoplastic elastomer and the first resin layer 1a and the third resin layer 1c contain a polyolefin such as metallocene PP, the second resin layer 1b is a second resin. The α-olefin-based thermoplastic elastomer is preferably contained in an amount of 50% by mass or more and 100% by mass or less, and more preferably 70% by mass or more and 100% by mass or less, based on the total mass of the elastomer contained in the layer 1b. It is more preferable to contain 80% by mass or more and 100% by mass or less, particularly preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, and most preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less. .. Since the α-olefin thermoplastic elastomer is contained in the above range, the affinity between the first resin layer 1a and the second resin layer 1b and the affinity between the third resin layer 1c and the second resin layer 1b are improved. Since the height is high, the base material 1 can be extruded relatively easily, and the semiconductor wafer attached to the dicing tape can be efficiently cut.
積層構造をなす基材１を共押出成形にて得る場合、第１樹脂層１ａ及び第２樹脂層１ｂ、並びに、第３樹脂層１ｃ及び第２樹脂層１ｂは、加熱されて溶融された状態で接するため、前記第１樹脂及び前記第２樹脂の融点差は小さい方が好ましい。融点差が小さいことにより、低融点樹脂に過度の熱がかかることが抑制されることから、低融点樹脂の熱劣化によって副生成物が生成されることを抑制できる。また、低融点樹脂の粘度が過度に低下することにより、第１樹脂層１ａと第２樹脂層１ｂとの間、及び、第３樹脂層１ｃと第２樹脂層１ｂとの間に積層不良が生じることも抑制できる。前記第１樹脂及び前記第２樹脂の融点差は、０℃以上７０℃以下であることが好ましく、０℃以上５５℃以下であることがより好ましい。
前記第１樹脂及び前記第２樹脂の融点は、前記した方法によって測定することができる。
When the base material 1 having a laminated structure is obtained by coextrusion molding, the first resin layer 1a and the second resin layer 1b, and the third resin layer 1c and the second resin layer 1b are in a heated and melted state. Therefore, it is preferable that the melting point difference between the first resin and the second resin is small. Since the small melting point difference suppresses excessive heat from being applied to the low melting point resin, it is possible to suppress the formation of by-products due to thermal deterioration of the low melting point resin. Further, due to the excessive decrease in the viscosity of the low melting point resin, poor lamination occurs between the first resin layer 1a and the second resin layer 1b and between the third resin layer 1c and the second resin layer 1b. It can also be suppressed. The melting point difference between the first resin and the second resin is preferably 0 ° C. or higher and 70 ° C. or lower, and more preferably 0 ° C. or higher and 55 ° C. or lower.
The melting points of the first resin and the second resin can be measured by the method described above.
基材１の厚さは、５５μｍ以上１９５μｍ以下であることが好ましく、５５μｍ以上１９０μｍ以下であることがより好ましく、５５μｍ以上１７０μｍ以下であることがさらに好ましく、６０μｍ以上１６０μｍ以下であることが最適である。基材１の厚さを前記の範囲とすることにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
基材１の厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製 型式Ｒ−２０５）を用いて、ランダムに選んだ任意の５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。
The thickness of the base material 1 is preferably 55 μm or more and 195 μm or less, more preferably 55 μm or more and 190 μm or less, further preferably 55 μm or more and 170 μm or less, and most preferably 60 μm or more and 160 μm or less. is there. By setting the thickness of the base material 1 within the above range, the dicing tape can be efficiently manufactured, and the semiconductor wafer attached to the dicing tape can be efficiently cut.
The thickness of the base material 1 is determined by, for example, using a dial gauge (model R-205 manufactured by PEACOCK) to measure the thickness of any five randomly selected points and arithmetically averaging these thicknesses. Can be sought.
基材１において、第２樹脂層１ｂの厚さに対する第１樹脂層１ａの厚さの比、及び、第２樹脂層１ｂの厚さに対する第３樹脂層１ｃの厚さの比は、１／２５以上１／３以下であることが好ましく、１／２５以上１／３．５以下であることがより好ましく、１／２５以上１／４以下であることがさらに好ましく、１／２２以上１／４以下であることが特に好ましく、１／２０以上１／４以下であることが最適である。第２樹脂層１ｂの厚さに対する第１樹脂層１ａの厚さの比、及び、第２樹脂層１ｂの厚さに対する第３樹脂層１ｃの厚さの比を前記範囲とすることにより、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハをより効率良く割断することができる。
第１樹脂層１ａ、第２樹脂層１ｂ、及び、第３樹脂層１ｃの厚さは、凍結ミクロトーム法により第１樹脂層１ａから切り出した断面を顕微鏡で観察することにより求めることができる。例えば、電子顕微鏡を用いて１００倍の倍率で凍結ミクロトーム法により切り出した断面の中央部分を観察し、第１樹脂層１ａ、第２樹脂層１ｂ、及び、第３樹脂層１ｃについてＭＤ方向（樹脂流れ方向）に沿って任意に選んだ３点の厚さをそれぞれ測定し、各層について測定した３点の測定値をそれぞれ算術平均することにより求めることができる。
In the base material 1, the ratio of the thickness of the first resin layer 1a to the thickness of the second resin layer 1b and the ratio of the thickness of the third resin layer 1c to the thickness of the second resin layer 1b are 1 /. It is preferably 25 or more and 1/3 or less, more preferably 1/25 or more and 1 / 3.5 or less, further preferably 1/25 or more and 1/4 or less, and 1/22 or more and 1 /. It is particularly preferably 4 or less, and optimally 1/20 or more and 1/4 or less. Dicing by setting the ratio of the thickness of the first resin layer 1a to the thickness of the second resin layer 1b and the ratio of the thickness of the third resin layer 1c to the thickness of the second resin layer 1b within the above ranges. The semiconductor wafer attached to the tape can be cut more efficiently.
The thicknesses of the first resin layer 1a, the second resin layer 1b, and the third resin layer 1c can be determined by observing a cross section cut out from the first resin layer 1a by the frozen microtome method with a microscope. For example, the central portion of the cross section cut out by the freezing microtome method at a magnification of 100 times is observed using an electron microscope, and the MD direction (resin) for the first resin layer 1a, the second resin layer 1b, and the third resin layer 1c. It can be obtained by measuring the thickness of each of the three points arbitrarily selected along the flow direction) and arithmetically averaging the measured values of the three points measured for each layer.
第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃは、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。第１樹脂層１ａは、１層〜５層構造であることが好ましく、１層〜３層構造であることがより好ましく、１層〜２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃが積層構造である場合、全ての層が同じ第１樹脂を含んでいてもよいし、少なくも２層が異なる第１樹脂を含んでいてもよい。 The first resin layer 1a and the third resin layer 1c may have a single layer (one layer) structure or a laminated structure. The first resin layer 1a preferably has a 1-layer to 5-layer structure, more preferably a 1-layer to 3-layer structure, further preferably a 1-layer to 2-layer structure, and has a 1-layer structure. Is the best. When the first resin layer 1a and the third resin layer 1c have a laminated structure, all the layers may contain the same first resin, or at least two layers may contain different first resins.
第２樹脂層１ｂは、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。第２樹脂層１ｂは、１層〜５層構造であることが好ましく、１層〜３層構造であることがより好ましく、１層〜２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。第２樹脂層１ｂが積層構造である場合、全ての層が同じ第２樹脂を含んでいてもよいし、少なくとも２層が異なる第２樹脂を含んでいてもよい。 The second resin layer 1b may have a single layer (one layer) structure or a laminated structure. The second resin layer 1b preferably has a 1-layer to 5-layer structure, more preferably a 1-layer to 3-layer structure, further preferably a 1-layer to 2-layer structure, and has a 1-layer structure. Is the best. When the second resin layer 1b has a laminated structure, all the layers may contain the same second resin, or at least two layers may contain different second resins.
ここで、エラストマー層が基材１の最外層に配されていると、基材１をロール体とした場合に、最外層に配されたエラストマー層同士がブロッキングし易くなる（くっつき易くなる）。そのため、基材１をロール体から巻き戻し難くなる。これに対し、本実施形態に係る基材１では、第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃが非エラストマー層であり、第２樹脂層１ｂがエラストマー層である、すなわち、最外層に非エラストマー層が配されているので、このような態様の基材１は、耐ブロッキング性に優れたものとなる。これにより、ブロッキングによってダイシングテープ１０を用いた半導体装置の製造が遅延することを抑制できる。 Here, when the elastomer layer is arranged on the outermost layer of the base material 1, when the base material 1 is a roll body, the elastomer layers arranged on the outermost layer are likely to be blocked (easily adhere to each other). Therefore, it becomes difficult to rewind the base material 1 from the roll body. On the other hand, in the base material 1 according to the present embodiment, the first resin layer 1a and the third resin layer 1c are non-elastomer layers, and the second resin layer 1b is an elastomer layer, that is, the outermost layer is non-elastomer. Since the layers are arranged, the base material 1 in such an embodiment has excellent blocking resistance. As a result, it is possible to prevent delay in the production of the semiconductor device using the dicing tape 10 due to blocking.
第２樹脂層１ｂは、１１５℃以上１３０℃以下の融点を有し、かつ、分子量分散度（質量平均分子量／数平均分子量）が５以下である樹脂で構成されていることが好ましい。このような樹脂としては、メタロセンＰＰが挙げられる。
第２樹脂層１ｂが前記のごとき樹脂で構成されていることにより、低温条件下で半導体ウェハを割断して得た複数の半導体チップ間の間隔（カーフ）を維持するために、前記半導体ウェハの外周縁との境界部分のダイシングテープに熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当てて前記ダイシングテープを熱収縮させた後に、熱風を当てることにより溶融した非エラストマー層（最外層）が固化するように要する時間を比較的短くすることができる。
これにより、カーフをより好適に維持することができる。
The second resin layer 1b is preferably composed of a resin having a melting point of 115 ° C. or higher and 130 ° C. or lower and having a molecular weight dispersion degree (mass average molecular weight / number average molecular weight) of 5 or less. Examples of such a resin include metallocene PP.
Since the second resin layer 1b is made of the resin as described above, in order to maintain the distance (calf) between the plurality of semiconductor chips obtained by cutting the semiconductor wafer under low temperature conditions, the semiconductor wafer Hot air (for example, 100 to 130 ° C.) is applied to the dicing tape at the boundary with the outer peripheral edge to heat-shrink the dicing tape, and then hot air is applied so that the melted non-epolymer layer (outermost layer) is solidified. The time required for the dicing can be relatively short.
This makes it possible to maintain the calf more favorably.
粘着剤層２は、粘着剤を含有する。粘着剤層２は、半導体チップに個片化するための半導体ウェハを粘着することにより保持する。本実施形態では、基材１の第１樹脂層１ａ上に粘着剤層２が積層されている。 The pressure-sensitive adhesive layer 2 contains a pressure-sensitive adhesive. The pressure-sensitive adhesive layer 2 is held by adhering a semiconductor wafer for individualization to a semiconductor chip. In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 2 is laminated on the first resin layer 1a of the base material 1.
前記粘着剤としては、ダイシングテープ１０の使用過程において外部からの作用により粘着力を低減可能なもの（以下、粘着低減型粘着剤という）が挙げられる。 Examples of the adhesive include those capable of reducing the adhesive force by an action from the outside in the process of using the dicing tape 10 (hereinafter, referred to as an adhesive reducing adhesive).
粘着剤として粘着低減型粘着剤を用いる場合、ダイシングテープ１０の使用過程において、粘着剤層２が比較的高い粘着力を示す状態（以下、高粘着状態という）と、比較的低い粘着力を示す状態（以下、低粘着状態という）とを使い分けることができる。例えば、ダイシングテープ１０に貼付された半導体ウェハが割断に供されるときには、半導体ウェハの割断により個片化された複数の半導体チップが、粘着剤層２から浮き上がったり剥離したりすることを抑制するために、高粘着状態を利用する。これに対し、半導体ウェハの割断後に、個片化された複数の半導体チップをピックアップするためには、粘着剤層２から複数の半導体チップをピックアップし易くするために、低粘着状態を利用する。 When an adhesive-reducing adhesive is used as the adhesive, the adhesive layer 2 exhibits a relatively high adhesive force (hereinafter referred to as a high adhesive state) and a relatively low adhesive force in the process of using the dicing tape 10. The state (hereinafter referred to as low adhesive state) can be used properly. For example, when the semiconductor wafer attached to the dicing tape 10 is subjected to cutting, it is possible to prevent the plurality of semiconductor chips separated by the cutting of the semiconductor wafer from floating or peeling from the pressure-sensitive adhesive layer 2. Therefore, the high adhesive state is used. On the other hand, in order to pick up a plurality of fragmented semiconductor chips after the semiconductor wafer is cut, a low adhesive state is used in order to facilitate picking up the plurality of semiconductor chips from the pressure-sensitive adhesive layer 2.
前記粘着低減型粘着剤としては、例えば、ダイシングテープ１０の使用過程において放射線照射によって硬化させることが可能な粘着剤（以下、放射線硬化粘着剤という）が挙げられる。 Examples of the adhesive-reducing adhesive include an adhesive that can be cured by irradiation in the process of using the dicing tape 10 (hereinafter referred to as a radiation-curable adhesive).
前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはＸ線の照射によって硬化するタイプの粘着剤が挙げられる。これらの中でも、紫外線照射により硬化する粘着剤（紫外線硬化粘着剤）を用いることが好ましい。 Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include a type of pressure-sensitive adhesive that cures by irradiation with an electron beam, ultraviolet rays, α-rays, β-rays, γ-rays, or X-rays. Among these, it is preferable to use an adhesive (ultraviolet curable adhesive) that is cured by ultraviolet irradiation.
前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマーなどのベースポリマーと、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分とを含む、添加型の放射線硬化粘着剤が挙げられる。 The radiation-curable pressure-sensitive adhesive includes, for example, a base polymer such as an acrylic polymer and a radiation-polymerizable monomer component or a radiation-polymerizable oligomer component having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond. Examples include additive-type radiation-curable pressure-sensitive adhesives.
前記アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。 Examples of the acrylic polymer include those containing a monomer unit derived from a (meth) acrylic acid ester. Examples of the (meth) acrylic acid ester include (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, and (meth) acrylic acid aryl ester.
粘着剤層２は、外部架橋剤を含んでいてもよい。外部架橋剤としては、ベースポリマーであるアクリル系ポリマーと反応して架橋構造を形成できるものであれば、どのようなものでも用いることができる。このような外部架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、及び、メラミン系架橋剤等が挙げられる。 The pressure-sensitive adhesive layer 2 may contain an external cross-linking agent. As the external cross-linking agent, any one that can react with the acrylic polymer as the base polymer to form a cross-linked structure can be used. Examples of such an external cross-linking agent include polyisocyanate compounds, epoxy compounds, polyol compounds, aziridine compounds, and melamine-based cross-linking agents.
前記放射線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、および、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。前記放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系などの種々のオリゴマーが挙げられる。前記放射線硬化粘着剤中の放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分の含有割合は、粘着剤層２の粘着性を適切に低下させる範囲で選ばれる。 Examples of the radiation-polymerizable monomer component include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, and dipentaerythritol monohydroxypenta (meth). ) Acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate and the like. Examples of the radiation-polymerizable oligomer component include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based, and polybutadiene-based. The content ratio of the radiation-polymerizable monomer component and the radiation-polymerizable oligomer component in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is selected within a range that appropriately reduces the stickiness of the pressure-sensitive adhesive layer 2.
前記放射線硬化粘着剤は、光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、α−ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、及び、アシルホスフォナート等が挙げられる。 The radiation-curable pressure-sensitive adhesive preferably contains a photopolymerization initiator. Examples of the photopolymerization initiator include α-ketol compounds, acetophenone compounds, benzoin ether compounds, ketal compounds, aromatic sulfonyl chloride compounds, photoactive oxime compounds, benzophenone compounds, thioxanthone compounds, and camphor. Examples thereof include quinone, halogenated ketone, acylphosphinoxide, and acylphosphonate.
粘着剤層２は、前記各成分に加えて、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、顔料や染料などの着色剤等を含んでいてもよい。 The pressure-sensitive adhesive layer 2 may contain, in addition to the above-mentioned components, a cross-linking accelerator, a pressure-sensitive adhesive, an anti-aging agent, a colorant such as a pigment or a dye, and the like.
粘着剤層２の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがさらに好ましい。 The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is preferably 1 μm or more and 50 μm or less, more preferably 2 μm or more and 30 μm or less, and further preferably 5 μm or more and 25 μm or less.
［ダイシングダイボンドフィルム］
次に、図２を参照しながら、ダイシングダイボンドフィルム２０について説明する。なお、ダイシングダイボンドフィルム２０の説明において、ダイシングテープ１０と重複する部分においては、その説明は繰り返さない。
[Dicing die bond film]
Next, the dicing die bond film 20 will be described with reference to FIG. In the description of the dicing die bond film 20, the description will not be repeated in the portion overlapping with the dicing tape 10.
図２に示したように、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、基材１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープ１０と、ダイシングテープ１０の粘着剤層２上に積層されたダイボンド層３とを備える。
基材１は、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層１ａと、第１樹脂層１ａの一面上に積層された第２樹脂層１ｂと、第１樹脂層１ａとは逆側において第２樹脂層１ｂに積層された第３樹脂層１ｃとを備え、第２樹脂層１ｂは、第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃよりも室温（２３℃）における引張貯蔵弾性率が低い。
なお、第２樹脂層１ｂは第２樹脂を含み、第３樹脂層１ｃは第１樹脂を含んでいる。
ダイシングダイボンドフィルム２０では、ダイボンド層３上に半導体ウェハが貼付される。
ダイシングダイボンドフィルム２０を用いた半導体ウェハの割断においては、半導体ウェハと共にダイボンド層３も割断される。ダイボンド層３は、個片化された複数の半導体チップのサイズに相当する大きさに割断される。これにより、ダイボンド層３付の半導体チップを得ることができる。
As shown in FIG. 2, the dicing die bond film 20 according to the present embodiment is laminated on the dicing tape 10 in which the adhesive layer 2 is laminated on the base material 1 and on the adhesive layer 2 of the dicing tape 10. A die bond layer 3 is provided.
The base material 1 includes a first resin layer 1a containing a first resin having a molecular weight dispersion degree of 5 or less, a second resin layer 1b laminated on one surface of the first resin layer 1a, and a first resin layer 1a. Is provided with a third resin layer 1c laminated on the second resin layer 1b on the opposite side, and the second resin layer 1b is tensilely stored at room temperature (23 ° C.) than the first resin layer 1a and the third resin layer 1c. Low elasticity.
The second resin layer 1b contains the second resin, and the third resin layer 1c contains the first resin.
In the dicing die bond film 20, a semiconductor wafer is attached on the dicing layer 3.
In the cutting of the semiconductor wafer using the dicing die bond film 20, the die bond layer 3 is also cut together with the semiconductor wafer. The die bond layer 3 is divided into a size corresponding to the size of a plurality of semiconductor chips that have been separated. As a result, a semiconductor chip with the die bond layer 3 can be obtained.
本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０においては、ダイシングテープ１０と同様に、第１樹脂の融点は１１５℃以上１３０℃以下であることが好ましく、第１樹脂は、質量平均分子量が１０００００以上１００００００以下であり、数平均分子量が２００００以上６０００００以下であることが好ましく、第１樹脂はメタロセン触媒による重合品であるポリプロピレン樹脂を含むことが好ましい。
また、ダイシングダイボンドフィルム２０は、ダイシングテープ１０と同様に、基材１の厚さが６０μｍ以上１６０μｍ以下であり、第２樹脂層１ｂの厚さに対する第１樹脂層１ａの厚さの比は、１／４〜１／２０の範囲にあり、第２樹脂層１ｂの厚さに対する第３樹脂層１ｃの厚さの比は、１／４〜１／２０の範囲にあることが好ましい。
また、ダイシングダイボンドフィルム２０は、ダイシングテープ１０と同様に、第２樹脂層１ｂは、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーを含むことが好ましく、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーは、α−オレフィンのホモポリマー又はα−オレフィンの共重合体の少なくとも１種を含むことが好ましい。
In the dying die bond film 20 according to the present embodiment, the melting point of the first resin is preferably 115 ° C. or higher and 130 ° C. or lower, and the mass average molecular weight of the first resin is 100,000 or more and 1,000,000 or less. The number average molecular weight is preferably 20,000 or more and 600,000 or less, and the first resin preferably contains a polypropylene resin which is a polymer product produced by a metallocene catalyst.
Further, in the dicing die bond film 20, similarly to the dicing tape 10, the thickness of the base material 1 is 60 μm or more and 160 μm or less, and the ratio of the thickness of the first resin layer 1a to the thickness of the second resin layer 1b is It is preferably in the range of 1/4 to 1/20, and the ratio of the thickness of the third resin layer 1c to the thickness of the second resin layer 1b is preferably in the range of 1/4 to 1/20.
Further, in the dying die bond film 20, similarly to the dying tape 10, the second resin layer 1b preferably contains an α-olefin-based thermoplastic elastomer, and the α-olefin-based thermoplastic elastomer is a homopolymer of α-olefin. Alternatively, it preferably contains at least one copolymer of α-olefin.
ダイボンド層３は、熱硬化性を有することが好ましい。ダイボンド層３に熱硬化性樹脂及び熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂の少なくとも一方を含ませることにより、ダイボンド層３に熱硬化性を付与することができる。 The die bond layer 3 preferably has thermosetting property. By including at least one of a thermosetting resin and a thermoplastic resin having a thermosetting functional group in the die bond layer 3, the die bond layer 3 can be imparted with thermosetting property.
ダイボンド層３が熱硬化性樹脂を含む場合、このような熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、及び、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの中でもエポキシ樹脂を用いることが好ましい。 When the die bond layer 3 contains a thermosetting resin, examples of such a thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting polyimide. Examples include resin. Among these, it is preferable to use an epoxy resin.
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、及び、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂が挙げられる。 Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type and orthocresol. Examples thereof include novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylol ethane type, hydantin type, trisglycidyl isocyanurate type, and glycidylamine type epoxy resins.
エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、及び、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。 Examples of the phenol resin as a curing agent for the epoxy resin include novolak type phenol resin, resol type phenol resin, and polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene.
ダイボンド層３が、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、このような熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂が挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂としては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。
熱硬化性官能基を有する熱硬化性樹脂においては、熱硬化性官能基の種類に応じて、硬化剤が選ばれる。
When the die bond layer 3 contains a thermoplastic resin having a thermosetting functional group, examples of such a thermoplastic resin include a thermosetting functional group-containing acrylic resin. Examples of the acrylic resin in the thermosetting functional group-containing acrylic resin include those containing a monomer unit derived from (meth) acrylic acid ester.
In the thermosetting resin having a thermosetting functional group, a curing agent is selected according to the type of the thermosetting functional group.
ダイボンド層３は、樹脂成分の硬化反応を十分に進行させたり、硬化反応速度を高めたりする観点から、熱硬化触媒を含有していてもよい。熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、およびトリハロゲンボラン系化合物が挙げられる。 The die bond layer 3 may contain a thermosetting catalyst from the viewpoint of sufficiently advancing the curing reaction of the resin component and increasing the curing reaction rate. Examples of the thermosetting catalyst include imidazole compounds, triphenylphosphine compounds, amine compounds, and trihalogen borane compounds.
ダイボンド層３は、上記熱硬化性樹脂に加えて、熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。熱可塑性樹脂はバインダとして機能する。熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド６やポリアミド６，６等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく、かつ、耐熱性が高いために、ダイボンド層による接続信頼性が確保し易くなるという観点から、アクリル樹脂が好ましい。 The die bond layer 3 may contain a thermoplastic resin in addition to the thermosetting resin. The thermoplastic resin functions as a binder. Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, and polycarbonate resin. Examples thereof include thermoplastic polyimide resins, polyamide resins such as polyamide 6 and polyamides 6 and 6, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, and fluororesins. As the thermoplastic resin, only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination. As the thermoplastic resin, an acrylic resin is preferable from the viewpoint that the connection reliability by the die bond layer can be easily ensured because the amount of ionic impurities is small and the heat resistance is high.
上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を質量割合で最も多いモノマー単位として含むポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他の成分に由来するモノマー単位を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリルニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられる。ダイボンド層において高い凝集力を実現するという観点から、上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステル（特に、アルキル基の炭素数が４以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル）と、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマー（特に、ポリグリシジル系多官能モノマー）との共重合体であることが好ましく、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル（メタ）アクリレートとの共重合体であることがより好ましい。 The acrylic resin is preferably a polymer containing a monomer unit derived from (meth) acrylic acid ester as the monomer unit having the largest mass ratio. Examples of the (meth) acrylic acid ester include (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, and (meth) acrylic acid aryl ester. The acrylic resin may contain monomer units derived from other components copolymerizable with the (meth) acrylic acid ester. Examples of the other components include functional groups such as a carboxy group-containing monomer, an acid anhydride monomer, a hydroxy group-containing monomer, a glycidyl group-containing monomer, a sulfonic acid group-containing monomer, a phosphoric acid group-containing monomer, acrylamide, and acrylic nitrile. Examples thereof include monomers and various polyfunctional monomers. From the viewpoint of achieving high cohesiveness in the die bond layer, the acrylic resin contains a (meth) acrylic acid ester (particularly, a (meth) acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 4 or less carbon atoms) and a carboxy group-containing monomer. , And preferably a copolymer of a nitrogen atom-containing monomer and a polyfunctional monomer (particularly, a polyglycidyl-based polyfunctional monomer), and contains ethyl acrylate, butyl acrylate, acrylate, acrylonitrile, and the like. More preferably, it is a copolymer with polyglycidyl (meth) acrylate.
ダイボンド層３は、必要に応じて、１種又は２種以上の他の成分を含有してもよい。他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。 The die bond layer 3 may contain one or more other components, if necessary. Other components include, for example, flame retardants, silane coupling agents, and ion trapping agents.
ダイボンド層３の厚さは、４０μｍ以上であることが好ましく、６０μｍ以上であることがより好ましく、８０μｍ以上であることがさらに好ましい。また、ダイボンド層３の厚さは、２００μｍ以下であることが好ましく、１６０μｍ以下であることがより好ましく、１２０μｍ以下であることがさらに好ましい。 The thickness of the die bond layer 3 is preferably 40 μm or more, more preferably 60 μm or more, and further preferably 80 μm or more. The thickness of the die bond layer 3 is preferably 200 μm or less, more preferably 160 μm or less, and further preferably 120 μm or less.
本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、例えば、半導体集積回路を製造するための補助用具として使用される。以下、ダイシングダイボンドフィルム２０の使用の具体例について説明する。
以下では、基材１が一層であるダイシングダイボンドフィルム２０を用いた例について説明する。
The dicing die bond film 20 according to the present embodiment is used, for example, as an auxiliary tool for manufacturing a semiconductor integrated circuit. Hereinafter, specific examples of using the dicing die bond film 20 will be described.
Hereinafter, an example using the dicing die bond film 20 in which the base material 1 is one layer will be described.
半導体集積回路を製造する方法は、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべく半導体ウェハに溝を形成し、さらに半導体ウェハを研削して厚さを薄くするハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、バックグラインド工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層３に貼付して、ダイシングテープ１０に半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層３と粘着剤層２との間を剥離してダイボンド層３が貼付された状態で半導体チップ（ダイ）を取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップ（ダイ）を被着体に接着させるダイボンド工程と、を有する。これらの工程を実施するときに、本実施形態のダイシングテープ（ダイシングダイボンドフィルム）が製造補助用具として使用される。 The methods for manufacturing semiconductor integrated circuits are a half-cut process in which a groove is formed in the semiconductor wafer so that the semiconductor wafer is processed into a chip (die) by a cutting process, and the semiconductor wafer is further ground to reduce the thickness. The back grind process of grinding the semiconductor wafer after the process to reduce the thickness and one surface of the semiconductor wafer after the back grind process (for example, the surface opposite to the circuit surface) are attached to the die bond layer 3 for dying. A mounting step of fixing the semiconductor wafer to the tape 10, an expanding step of widening the distance between the half-cut semiconductor chips, a calf maintenance step of maintaining the distance between the semiconductor chips, and a die bond layer 3 and an adhesive layer 2. A pickup step in which the semiconductor chip (die) is taken out with the die bond layer 3 attached by peeling between the gaps, and a die bond step in which the semiconductor chip (die) with the die bond layer 3 attached is adhered to the adherend. Has. When carrying out these steps, the dicing tape (dicing die bond film) of the present embodiment is used as a manufacturing auxiliary tool.
ハーフカット工程では、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、半導体集積回路を小片（ダイ）に割断するためのハーフカット加工を施す。詳しくは、半導体ウェハＷの回路面とは反対側の面に、ウェハ加工用テープＴを貼り付ける（図３Ａ参照）。また、ウェハ加工用テープＴにダイシングリングＲを取り付ける（図３Ａ参照）。ウェハ加工用テープＴを貼付した状態で、分割用の溝を形成する（図３Ｂ参照）。バックグラインド工程では、図３Ｃ及び図３Ｄに示すように、半導体ウェハを研削して厚さを薄くする。詳しくは、溝を形成した面にバックグラインドテープＧを貼付する一方で、始めに貼り付けたウェハ加工用テープＴを剥離する（図３Ｃ参照）。バックグラインドテープＧを貼付した状態で、半導体ウェハＷが所定の厚さになるまで研削加工を施す（図３Ｄ参照）。 In the half-cut step, as shown in FIGS. 3A and 3B, a half-cut process is performed to cut the semiconductor integrated circuit into small pieces (dies). Specifically, the wafer processing tape T is attached to the surface of the semiconductor wafer W opposite to the circuit surface (see FIG. 3A). Further, the dicing ring R is attached to the wafer processing tape T (see FIG. 3A). With the wafer processing tape T attached, a groove for division is formed (see FIG. 3B). In the back grind process, as shown in FIGS. 3C and 3D, the semiconductor wafer is ground to reduce the thickness. Specifically, while the back grind tape G is attached to the surface on which the groove is formed, the wafer processing tape T attached first is peeled off (see FIG. 3C). With the back grind tape G attached, grinding is performed until the semiconductor wafer W has a predetermined thickness (see FIG. 3D).
マウント工程では、図４Ａ〜図４Ｂに示すように、ダイシングテープ１０の粘着剤層２にダイシングリングＲを取り付けた後、露出したダイボンド層３の面に、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを貼付する（図４Ａ参照）。その後、半導体ウェハＷからバックグラインドテープＧを剥離する（図４Ｂ参照）。 In the mounting step, as shown in FIGS. 4A to 4B, the dicing ring R is attached to the adhesive layer 2 of the dicing tape 10, and then the half-cut semiconductor wafer W is attached to the surface of the exposed die bond layer 3. (See FIG. 4A). Then, the back grind tape G is peeled off from the semiconductor wafer W (see FIG. 4B).
エキスパンド工程では、図５Ａ〜図５Ｃに示すように、ダイシングリングＲをエキスパンド装置の保持具Ｈに固定する。エキスパンド装置が備える突き上げ部材Ｕを用いて、ダイシングダイボンドフィルム２０を下側から突き上げることによって、ダイシングダイボンドフィルム２０を面方向に広げるように引き伸ばす（図５Ｂ参照）。これにより、特定の温度条件において、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを割断する。上記温度条件は、例えば−２０〜５℃であり、好ましくは−１５〜０℃、より好ましくは−１０〜−５℃である。突き上げ部材Ｕを下降させることによって、エキスパンド状態を解除する（図５Ｃ参照）。
さらに、エキスパンド工程では、図６Ａ〜図６Ｂに示すように、より高い温度条件下（例えば、室温（２３℃））において、面積を広げるようにダイシングテープ１０を引き延ばす。これにより、割断された隣り合う半導体チップＷをフィルム面の面方向に引き離して、さらに間隔を広げる。
In the expanding step, as shown in FIGS. 5A to 5C, the dicing ring R is fixed to the holder H of the expanding device. By pushing up the dicing die bond film 20 from below using the push-up member U included in the expanding device, the dicing die bond film 20 is stretched so as to spread in the plane direction (see FIG. 5B). As a result, the semiconductor wafer W that has been half-cut is cut under a specific temperature condition. The above temperature conditions are, for example, -20 to 5 ° C, preferably -15 to 0 ° C, and more preferably -10 to -5 ° C. The expanded state is released by lowering the push-up member U (see FIG. 5C).
Further, in the expanding step, as shown in FIGS. 6A to 6B, the dicing tape 10 is stretched so as to increase the area under higher temperature conditions (for example, room temperature (23 ° C.)). As a result, the cut adjacent semiconductor chips W are separated from each other in the plane direction of the film surface, and the interval is further widened.
カーフ維持工程では、図７に示すように、ダイシングテープ１０に熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当ててダイシングテープ１０を熱収縮させた後冷却固化させて、割断された隣り合う半導体チップＷ間の距離（カーフ）を維持する。
ここで、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０では、基材１が、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層１ａと、第１樹脂層１ａの一面上に積層された第２樹脂層１ｂと、第１樹脂層１ａとは逆側において第２樹脂層１ｂに積層された第３樹脂層１ｃとを備え、第２樹脂層１ｂは、第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃよりも室温（２３℃）における引張貯蔵弾性率が低いので、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
In the calf maintenance step, as shown in FIG. 7, hot air (for example, 100 to 130 ° C.) is applied to the dicing tape 10 to heat-shrink the dicing tape 10 and then cool and solidify the dicing tape 10 to be cooled and solidified. Maintain the distance (calf) between.
Here, in the dicing die bond film 20 according to the present embodiment, the base material 1 is laminated on one surface of the first resin layer 1a containing the first resin having a molecular weight dispersion degree of 5 or less and the first resin layer 1a. A second resin layer 1b and a third resin layer 1c laminated on the second resin layer 1b on the opposite side of the first resin layer 1a are provided, and the second resin layer 1b includes the first resin layer 1a and the first resin layer 1a. Since the tensile storage elasticity at room temperature (23 ° C.) is lower than that of the resin layer 1c, the calf can be more sufficiently maintained in the calf maintenance step.
ピックアップ工程では、図８に示すように、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップＷをダイシングテープ１０の粘着剤層２から剥離する。詳しくは、ピン部材Ｐを上昇させて、ピックアップ対象の半導体チップＷを、ダイシングテープ１０を介して突き上げる。突き上げられた半導体チップを吸着治具Ｊによって保持する。 In the pick-up step, as shown in FIG. 8, the semiconductor chip W to which the die bond layer 3 is attached is peeled from the adhesive layer 2 of the dicing tape 10. Specifically, the pin member P is raised to push up the semiconductor chip W to be picked up via the dicing tape 10. The pushed-up semiconductor chip is held by the suction jig J.
ダイボンド工程では、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップＷを被着体に接着させる。
なお、上記の半導体集積回路の製造においては、ダイシングダイボンドフィルム２０を補助具として用いる例について説明したが、ダイシングテープ１０を補助具として用いた場合にも、上記と同様にして半導体集積回路を製造することができる。
In the die-bonding step, the semiconductor chip W to which the die-bonding layer 3 is attached is adhered to the adherend.
In the manufacture of the above-mentioned semiconductor integrated circuit, an example in which the dicing die bond film 20 is used as an auxiliary tool has been described, but even when the dicing tape 10 is used as an auxiliary tool, the semiconductor integrated circuit is manufactured in the same manner as described above. can do.
なお、本発明に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、前記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、前記した作用効果によって限定されるものでもない。本発明に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 The dicing tape and the dicing die bond film according to the present invention are not limited to the above-described embodiment. Further, the dicing tape and the dicing die bond film according to the present invention are not limited by the above-mentioned effects. The dicing tape and the dicing die bond film according to the present invention can be variously modified without departing from the gist of the present invention.
次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。 Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The following examples are for explaining the present invention in more detail, and do not limit the scope of the present invention.
［実施例１］
＜基材の成形＞
２種３層押出Ｔダイ成形機を用いて、Ａ層／Ｂ層／Ｃ層の３層構造（Ｂ層を中心層とし、Ｂ層の両面に外層たるＡ層及びＣ層が積層された３層構造）を有する基材を成形した。Ａ層及びＣ層の樹脂にはメタロセンＰＰ（商品名：ウィンテックＷＸＫ１２３３、日本ポリプロ社製）を用い、Ｂ層の樹脂にはＥＶＡ（商品名：エバフレックスＥＶ２５０、三井・デュポンポリケミカル社製）を用いた。
前記押出成形は、ダイス温度１９０℃で行った。すなわち、Ａ層、Ｂ層、及び、Ｃ層は１９０℃で押出成形された。押出成形により得られた基材の厚さは１００μｍであった。なお、Ａ層、Ｂ層、及びＣ層の厚さの比（層厚比）は、Ａ層：Ｂ層：Ｃ層＝１：１０：１であった。
成形された基材を十分に固化させた後に、固化後の基材をロール状に巻き取ってロール体とした。
なお、基材の共押出成形性は良好であった。
＜ダイシングテープの作製＞
ロール状の基材から基材の一方の表面に、アプリケータを用いて厚さ１０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布した。粘着剤組成物塗布後の基材を１１０℃で３分加熱乾燥し、粘着剤層を形成することにより、ダイシングテープを得た。
前記粘着剤組成物は、以下のようにして調製した。
まず、ＩＮＡ（イソノニルアクリレート）１７３質量部、ＨＥＡ（ヒドロキシエチルアクリレート）５４．５質量部、ＡＩＢＮ（２，２’−アゾビスイソブチロニトリル）０．４６質量部、酢酸エチル３７２質量部を混合して第１樹脂組成物を得た。
次に、丸底セパラブルフラスコ（容量１Ｌ）、温度計、窒素導入管、及び、撹拌翼が装備された重合用実験装置の前記丸底セパラブルフラスコ内に前記第１樹脂組成物を加え、前記第１樹脂組成物を撹拌しながら、前記第１樹脂組成物の液温を常温（２３℃）として、前記丸底セパラブルフラスコ内を６時間窒素置換した。
引き続き前記丸底セパラブルフラスコ内に窒素を流入させた状態で、前記第１樹脂組成物を撹拌しながら、前記第１樹脂組成物の液温を６２℃で３時間保持した後さらに７５℃で２時間保持して、前記ＩＮＡ、前記ＨＥＡ、及び、前記ＡＩＢＮを重合させて、第２樹脂組成物を得た。その後、前記丸底セパラブルフラスコ内への窒素の流入を停止した。
液温が常温となるまで前記第２樹脂組成物を冷却した後、前記第２樹脂組成物に、重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物として、２−イソシアナトエチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ（登録商標）」）５２．５質量部、及び、ジラウリン酸ジブチルスズＩＶ（和光純薬工業社製）０．２６質量部を加えて得た第３樹脂組成物を、大気雰囲気下にて、液温５０℃で２４時間撹拌した。
次に、前記第３樹脂組成物において、ポリマー固形分１００質量部に対してコロネートＬ（イソシアネート化合物）及びＯｍｎｉｒａｄ１２７（光重合開始剤）をそれぞれ０．７５質量部及び２質量部加えた後、酢酸エチルを用いて、固形分濃度が２０質量％となるように前記第３樹脂組成物を希釈して、粘着剤組成物を調製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ−Ｐ３」、ガラス転移温度１２℃）１００質量部、エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＪＥＲ１００１」）４６質量部、フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」）５１質量部、球状シリカ（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ−２５Ｒ」）１９１質量部、及び、硬化触媒（四国化成工業社製、商品名「キュアゾールＰＨＺ」）０．６質量部を、メチルエチルケトンに加えて混合し、固形分濃度２０質量％のダイボンド組成物を得た。
次に、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理を施した面上に、アプリケータを用いて厚さ１０μｍとなるように前記ダイボンド組成物を塗布し、１３０℃で２分間乾燥して前記ダイボンド組成物から脱溶媒し、前記剥離ライナー上にダイボンド層が積層されたダイボンドシートを得た。
次に、前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に、前記ダイボンドシートにおける前記剥離シートが積層されていない側を貼り合せた後、前記剥離ライナーを前記ダイボンド層から剥離して、ダイボンド層を備えるダイシングダイボンドフィルムを得た。
[Example 1]
<Molding of base material>
Using a two-kind three-layer extrusion T-die molding machine, a three-layer structure of A layer / B layer / C layer (the B layer is the central layer, and the outer layers A and C are laminated on both sides of the B layer 3). A substrate having a layered structure) was molded. Metallocene PP (trade name: Wintech WXK1233, manufactured by Japan Polypropylene Corporation) is used for the resin of the A layer and C layer, and EVA (trade name: Evaflex EV250, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical) is used for the resin of the B layer. Was used.
The extrusion molding was performed at a die temperature of 190 ° C. That is, the A layer, the B layer, and the C layer were extruded at 190 ° C. The thickness of the base material obtained by extrusion molding was 100 μm. The thickness ratio (layer thickness ratio) of the A layer, the B layer, and the C layer was A layer: B layer: C layer = 1:10: 1.
After the molded base material was sufficiently solidified, the solidified base material was wound into a roll to form a roll body.
The coextrusion moldability of the base material was good.
<Making dicing tape>
The pressure-sensitive adhesive composition was applied from the roll-shaped base material to one surface of the base material using an applicator so as to have a thickness of 10 μm. The base material after applying the pressure-sensitive adhesive composition was dried by heating at 110 ° C. for 3 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer, thereby obtaining a dicing tape.
The pressure-sensitive adhesive composition was prepared as follows.
First, 173 parts by mass of INA (isononyl acrylate), 54.5 parts by mass of HEA (hydroxyethyl acrylate), 0.46 parts by mass of AIBN (2,2'-azobisisobutyronitrile), and 372 parts by mass of ethyl acetate. The mixture was mixed to obtain a first resin composition.
Next, the first resin composition was added into the round-bottom separable flask of the experimental apparatus for polymerization equipped with a round-bottom separable flask (capacity 1 L), a thermometer, a nitrogen introduction tube, and a stirring blade. While stirring the first resin composition, the liquid temperature of the first resin composition was set to room temperature (23 ° C.), and the inside of the round bottom separable flask was replaced with nitrogen for 6 hours.
With nitrogen flowing into the round bottom separable flask, the liquid temperature of the first resin composition was maintained at 62 ° C. for 3 hours while stirring the first resin composition, and then at 75 ° C. After holding for 2 hours, the INA, the HEA, and the AIBN were polymerized to obtain a second resin composition. After that, the inflow of nitrogen into the round bottom separable flask was stopped.
After cooling the second resin composition until the liquid temperature reaches room temperature, 2-isocyanatoethyl methacrylate (manufactured by Showa Denko Co., Ltd.) is used as a compound having a polymerizable carbon-carbon double bond in the second resin composition. , Trade name "Karenzu MOI (registered trademark)") 52.5 parts by mass, and dibutyltin dilaurate IV (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.26 parts by mass to obtain a third resin composition in the atmosphere. The mixture was stirred at a liquid temperature of 50 ° C. for 24 hours in an atmosphere.
Next, in the third resin composition, 0.75 parts by mass and 2 parts by mass of coronate L (isocyanate compound) and Omnirad 127 (photopolymerization initiator) were added to 100 parts by mass of the polymer solid content, respectively, and then acetic acid. The pressure-sensitive adhesive composition was prepared by diluting the third resin composition with ethyl so that the solid content concentration was 20% by mass.
<Preparation of dicing die bond film>
100 parts by mass of acrylic resin (manufactured by Nagase ChemteX, trade name "SG-P3", glass transition temperature 12 ° C), 46 parts by mass of epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., trade name "JER1001"), phenol resin (Meiwa Kasei) 51 parts by mass of spherical silica (manufactured by Admatex, trade name "SO-25R"), and curing catalyst (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name "Curesol") PHZ ”) 0.6 parts by mass was added to methyl ethyl ketone and mixed to obtain a diebond composition having a solid content concentration of 20% by mass.
Next, the die bond composition was applied to a silicone-treated surface of a PET-based separator (thickness 50 μm) as a release liner so as to have a thickness of 10 μm using an applicator, and dried at 130 ° C. for 2 minutes. Then, the solvent was removed from the die bond composition to obtain a die bond sheet in which the die bond layer was laminated on the release liner.
Next, the side of the dicing tape on which the release sheet is not laminated is attached to the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape, and then the release liner is peeled from the die bond layer to provide a dicing with the die bond layer. A die bond film was obtained.
上のようにして得たダイシングダイボンドフィルムについて、以下のようにして、ウェハ及びダイボンド層の割断性（以下、割断性という）、ダイシングテープからのダイボンド層の浮き上がり（以下、ダイボンド層の浮きという）、及び、カーフの維持性について評価した。 Regarding the dicing die bond film obtained as described above, the dicing property of the wafer and the die bond layer (hereinafter referred to as "breakability") and the lifting of the dicing layer from the dicing tape (hereinafter referred to as "floating of the die bond layer") are as follows. , And the maintainability of the calf was evaluated.
（割断性の評価）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムに、ベアウェハ（直径３００ｍｍ）及びダイシングリングを貼付した。次に、ダイセパレータＤＤＳ２３０（ディスコ社製）を用いて、ベアウェハ及びダイボンド層の割断を行うことにより割断性を評価した。
ベアウェハは、長さ３．２ｍｍ×幅１．４ｍｍ×厚さ０．０２５ｍｍの大きさのベアチップに割断した。
(Evaluation of splittability)
A bare wafer (diameter 300 mm) and a dicing ring were attached to the dicing die bond film according to Example 1. Next, the breakability was evaluated by cutting the bare wafer and the die bond layer using a die separator DDS230 (manufactured by Disco Corporation).
The bare wafer was cut into bare chips having a size of 3.2 mm in length × 1.4 mm in width × 0.025 mm in thickness.
割断性は、詳細には以下のようにして評価した。
まず、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度−５℃、エキスパンド速度１００ｍｍ／秒、エキスパンド量１４ｍｍの条件でベアウェハ及びダイボンド層を割断し、ダイボンド層付き半導体チップを得た。
次に、室温、エキスパンド速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量１０ｍｍの条件で常温エキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度２００℃、ヒート距離１８ｍｍ、ローテーションスピード５°／ｓｅｃの条件で、ベアウェハの外周縁との境界部分のダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた。
次に、顕微鏡観察によりダイボンド層付き半導体チップの割断部を観察し、割断率を算出した。そして、割断率が９０％以上である場合を〇と評価し、割断率が９０％未満の場合を×と評価した。
The splittability was evaluated in detail as follows.
First, the bare wafer and the die bond layer were cut by a cool expander unit under the conditions of an expanding temperature of −5 ° C., an expanding speed of 100 mm / sec, and an expanding amount of 14 mm to obtain a semiconductor chip with a die bond layer.
Next, normal temperature expansion was performed under the conditions of room temperature, an expanding speed of 1 mm / sec, and an expanding amount of 10 mm. Then, while maintaining the expanded state, the dicing die bond film at the boundary with the outer peripheral edge of the bare wafer was heat-shrinked under the conditions of a heat temperature of 200 ° C., a heat distance of 18 mm, and a rotation speed of 5 ° / sec.
Next, the split portion of the semiconductor chip with the die bond layer was observed by microscopic observation, and the split rate was calculated. Then, the case where the division rate was 90% or more was evaluated as 〇, and the case where the division rate was less than 90% was evaluated as ×.
（ダイボンド層の浮きの評価）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムに、ベアウェハ（直径３００ｍｍ）及びダイシングリングを貼付した。次に、ダイセパレータＤＤＳ２３０（ディスコ社製）を用いて、ベアウェハ及びダイボンド層の割断を行い、割断後におけるダイボンド層の浮きを評価した。
ベアウェハは、長さ１２ｍｍ×幅４ｍｍ×厚さ０．０５５ｍｍの大きさのベアチップに割断した。
なお、ベアウェハとしては、反りウェハを用いた。
(Evaluation of floating die bond layer)
A bare wafer (diameter 300 mm) and a dicing ring were attached to the dicing die bond film according to Example 1. Next, the bare wafer and the die bond layer were cut using a die separator DDS230 (manufactured by Disco Corporation), and the floating of the die bond layer after the cut was evaluated.
The bare wafer was cut into bare chips having a size of 12 mm in length × 4 mm in width × 0.055 mm in thickness.
As the bare wafer, a warped wafer was used.
反りウェハは以下のようにして作製した。
まず、下記（ａ）〜（ｆ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度２０質量％の反り調整組成物を得た。
（ａ）アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ−７０Ｌ」）：５質量部
（ｂ）エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＪＥＲ８２８」）：５質量部
（ｃ）フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＬＤＲ８２１０」）：１４質量部
（ｄ）エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＭＥＨ−８００５」）：２質量部
（ｅ）球状シリカ（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ−２５Ｒ」）：５３質量部
（ｆ）リン系触媒（ＴＰＰ−Ｋ）：１質量部
次に、前記反り調整組成物を、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理した面上に、アプリケータを用いて厚さ２５μｍで塗布し、１３０℃で２分間乾燥して前記反り調整組成物から脱溶媒し、前記剥離ライナー上に反り調整層が積層された反り調整シートを得た。
次に、前記反り調整シートにおける前記剥離ライナーが積層されていない側に、ラミネータ（ＭＣＫ社製、型式ＭＲＫ−６００）を用いて、６０℃、０．１ＭＰａ、１０ｍｍ／ｓの条件でベアウェハを貼付し、オーブンに入れて１７５℃で１時間加熱して前記反り調整層における樹脂を熱硬化させ、これにより、前記反り調整層が収縮することにより反ったベアウェハを得た。
前記反り調整層を収縮させた後、反ったベアウェハにおける前記反り調整層が積層されていない側にウェハ加工用テープ（日東電工株式会社製、商品名「Ｖ−１２ＳＲ２」）を貼付した後、前記ウェハ加工用テープを介して、反ったベアウェハにダイシングリングを固定した。その後、反ったベアウェハから前記反り調整層を取り除いた。
ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製、型番６３６１）を用いて、反ったベアウェハにおける前記反り調整層を取り除いた面（以下、一方面という）の全体に、この面から１００μｍの深さの溝を格子状（巾２０μｍ）に形成した。
次に、反ったベアウェハの一方面にバックグラインドテープを貼り合せ、反ったベアウェハの他方面（前記一方面と反対側の面）から前記ウェハ加工用テープを取り除いた。
次に、バックグラインダー（ＤＩＳＣＯ社製、型式ＤＧＰ８７６０）を用いて、反ったベアウェハの厚みが５５μｍ（０．０５５ｍｍ）となるように、他方面側から反ったベアウェハを研削することにより得られたウェハを、反りウェハとした。
The warped wafer was produced as follows.
First, the following (a) to (f) were dissolved in methyl ethyl ketone to obtain a warp adjusting composition having a solid content concentration of 20% by mass.
(A) Acrylic resin (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name "SG-70L"): 5 parts by mass (b) Epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., trade name "JER828"): 5 parts by mass (c) Phenolic resin (Manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., trade name "LDR8210"): 14 parts by mass (d) Epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., trade name "MEH-8005"): 2 parts by mass (e) Spherical silica (manufactured by Admatex Co., Ltd., Product name "SO-25R"): 53 parts by mass (f) Phosphorus catalyst (TPP-K): 1 part by mass Next, the warp adjusting composition is subjected to silicone of a PET-based separator (thickness 50 μm) as a release liner. On the treated surface, a thickness of 25 μm was applied using an applicator, dried at 130 ° C. for 2 minutes to remove the solvent from the warp adjusting composition, and a warp adjusting layer was laminated on the release liner to adjust the warp. I got a sheet.
Next, a bare wafer is attached to the side of the warp adjusting sheet on which the release liner is not laminated, using a laminator (manufactured by MCK, model MRK-600) under the conditions of 60 ° C., 0.1 MPa, and 10 mm / s. Then, it was placed in an oven and heated at 175 ° C. for 1 hour to heat-cure the resin in the warp adjusting layer, whereby a warped bare wafer was obtained by shrinking the warp adjusting layer.
After shrinking the warp adjusting layer, a wafer processing tape (manufactured by Nitto Denko KK, trade name "V-12SR2") is attached to the side of the warped bare wafer where the warp adjusting layer is not laminated, and then the above. The dicing ring was fixed to the warped bare wafer via the wafer processing tape. Then, the warp adjusting layer was removed from the warped bare wafer.
Using a dicing device (manufactured by DISCO Corporation, model number 6361), grooves having a depth of 100 μm from this surface are formed in a grid pattern on the entire surface (hereinafter referred to as one surface) from which the warp adjusting layer has been removed in the warped bare wafer. The width was 20 μm).
Next, a back grind tape was attached to one side of the warped bare wafer, and the wafer processing tape was removed from the other side of the warped bare wafer (the side opposite to the one side).
Next, a wafer obtained by grinding the warped bare wafer from the other side using a back grinder (manufactured by DISCO, model DGP8760) so that the thickness of the warped bare wafer is 55 μm (0.055 mm). Was used as a warped wafer.
ダイボンド層の浮きは、詳細には以下のようにして評価した。
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムにおいて、ダイボンド層がダイシングテープから浮いている部分の面積（ダイボンド層全体の面積を１００％としたときの浮いているダイボンド層の面積の割合）を顕微鏡で観察し、ダイボンド層の浮きの面積を算出した。そして、ダイボンド層の浮きの面積が３０％未満の場合を〇と評価し、３０％以上の場合を×と評価した。
The floating of the die bond layer was evaluated in detail as follows.
In the dicing die bond film according to Example 1, the area of the portion where the die bond layer is floating from the dicing tape (the ratio of the area of the floating die bond layer when the total area of the die bond layer is 100%) is observed with a microscope. , The floating area of the die bond layer was calculated. Then, the case where the floating area of the die bond layer was less than 30% was evaluated as ◯, and the case where the floating area was 30% or more was evaluated as x.
（カーフ維持性の評価）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムに、ベアウェハ（直径３００ｍｍ）及びダイシングリングを貼付した。次に、ダイセパレータＤＤＳ２３０（ディスコ社製）を用いて、ベアウェハ及びダイボンド層の割断を行い、割断後のカーフ維持性について評価した。
ベアウェハは、長さ１２ｍｍ×幅４ｍｍ×厚さ０．０５５ｍｍの大きさのベアチップに割断した。
なお、ベアウェハとしては、反りウェハを用いた。反りウェハは上記と同様にして作製した。
(Evaluation of calf maintainability)
A bare wafer (diameter 300 mm) and a dicing ring were attached to the dicing die bond film according to Example 1. Next, the bare wafer and the die bond layer were cut using a die separator DDS230 (manufactured by Disco Corporation), and the calf maintainability after the cutting was evaluated.
The bare wafer was cut into bare chips having a size of 12 mm in length × 4 mm in width × 0.055 mm in thickness.
As the bare wafer, a warped wafer was used. The warped wafer was manufactured in the same manner as described above.
カーフ維持性は、詳細には以下の様にして評価した。
まず、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度−５℃、エキスパンド速度１００ｍｍ／秒、エキスパンド量１２ｍｍの条件で、半導体ウェハ及びダイボンド層を割断して、複数のダイボンド層付き半導体チップを得た。割断後、顕微鏡観察により、複数のダイボンド層付き反りチップ間の間隔を測定した（以下、割断後チップ間隔という）。複数のダイボンド層付き反りチップ間の間隔は、任意の１０点の間隔を測定し、算術平均することにより求めた。
次に、室温、エキスパンド速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量５ｍｍの条件で常温エキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度２００℃、ヒート距離１８ｍｍ、ローテーションスピード５°／ｓｅｃの条件で、半導体ウェハの外周縁との境界部分のダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた。熱収縮後、顕微鏡観察により、複数のダイボンド層付き半導体チップ間の間隔（以下、熱収縮後チップ間隔という）を測定した。複数のダイボンド層付き半導体チップ間の間隔は、任意の１０点の間隔を測定し、算術平均することにより求めた。
次に、割断後チップ間隔に対する熱収縮後チップ間隔の減少比率を算出した。そして、減少比率が１０％未満である場合を〇と評価し、減少比率が１０％以上である場合を×と評価した。
The calf maintainability was evaluated in detail as follows.
First, a semiconductor wafer and a die bond layer were cut by a cool expander unit under the conditions of an expanding temperature of −5 ° C., an expanding speed of 100 mm / sec, and an expanding amount of 12 mm to obtain a plurality of semiconductor chips with a die bond layer. After cutting, the distance between the warped chips with a plurality of die bond layers was measured by microscopic observation (hereinafter referred to as the post-cutting chip spacing). The spacing between the warped chips with a plurality of die bond layers was determined by measuring the spacing at any 10 points and arithmetically averaging them.
Next, normal temperature expansion was performed under the conditions of room temperature, an expanding speed of 1 mm / sec, and an expanding amount of 5 mm. Then, while maintaining the expanded state, the dicing die bond film at the boundary with the outer peripheral edge of the semiconductor wafer was heat-shrinked under the conditions of a heat temperature of 200 ° C., a heat distance of 18 mm, and a rotation speed of 5 ° / sec. After heat shrinkage, the distance between the semiconductor chips with a plurality of die bond layers (hereinafter referred to as the post-heat shrinkage chip distance) was measured by microscopic observation. The spacing between the semiconductor chips with a plurality of die bond layers was determined by measuring the spacing at any 10 points and arithmetically averaging them.
Next, the reduction ratio of the chip interval after heat shrinkage to the chip interval after cutting was calculated. Then, the case where the reduction ratio was less than 10% was evaluated as 〇, and the case where the reduction ratio was 10% or more was evaluated as ×.
（融点の測定）
Ａ層及びＣ層の樹脂であるウィンテックＷＸＫ１２３３、並びに、Ｂ層の樹脂であるエバフレックスＥＶ２５０について融点を測定した。測定した融点については以下の表１に示した。
融点の測定は、以下の条件で行った。
すなわち、示差走査熱量計装置（ＴＡインスツルメント社製 型式ＤＳＣ Ｑ２０００）を用い、窒素ガス気流下、昇温速度５℃／ｍｉｎにて２００℃まで昇温し、吸熱ピークのピーク温度を求めることにより測定した。
(Measurement of melting point)
The melting points of Wintec WXK1233, which is the resin of the A layer and C layer, and Evaflex EV250, which is the resin of the B layer, were measured. The measured melting points are shown in Table 1 below.
The melting point was measured under the following conditions.
That is, using a differential scanning calorimeter (model DSC Q2000 manufactured by TA Instruments), the temperature is raised to 200 ° C. at a heating rate of 5 ° C./min under a nitrogen gas stream to obtain the peak temperature of the endothermic peak. Measured by.
（数平均分子量、質量平均分子量、及び、分子量分散度の測定）
Ａ層及びＣ層の樹脂であるウィンテックＷＸＫ１２３３の数平均分子量及び質量平均分子量を、以下の条件で測定した。
また、以下の条件で測定した数平均分子量及び質量平均分子量から、ウィンテックＷＸＫ１２３３の分子量分散度（質量平均分子量／数平均分子量）を求めた。
・測定装置：Ｗａｓｔｅｒ社製、型式「Ａｌｌｉａｎｃｅ ＧＰＣ ２０００型」
・カラム：ＴＳｋｇｅｌ ＧＭＨ６−ＨＴ（東ソー社製）を２本直列に接続し、下流側に、さらにＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨ−ＨＴＬを２本直列に接続したもの
・カラムサイズ：ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨ６−ＨＴ及びＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨ−ＨＴＬ共に、内径７．５ｍｍ×長さ３００ｍｍ
・カラム温度：１４０℃
・流速：１．０ｍＬ／分
・溶離液：ｏ−ジクロロベンゼン
・サンプル調製濃度：０．１０質量％（ｏ−ジクロロベンゼンに溶解）
・サンプル注入量：４０μＬ
・検出器：ＲＩ（示差屈折計）
・標準試料：ポリスチレン
(Measurement of number average molecular weight, mass average molecular weight, and molecular weight dispersion)
The number average molecular weight and the mass average molecular weight of Wintech WXK1233, which is a resin of the A layer and the C layer, were measured under the following conditions.
In addition, the molecular weight dispersion (mass average molecular weight / number average molecular weight) of Wintech WXK1233 was determined from the number average molecular weight and the mass average molecular weight measured under the following conditions.
-Measuring device: Made by Waster, model "Alliance GPC 2000 type"
-Column: Two TSkgel GMH6-HT (manufactured by Tosoh) connected in series, and two TSKgel GMH-HTL connected in series on the downstream side.-Column size: TSKgel GMH6-HT and TSKgel GMH-HTL Both have an inner diameter of 7.5 mm and a length of 300 mm.
-Column temperature: 140 ° C
-Flow velocity: 1.0 mL / min-Eluent: o-dichlorobenzene-Sample preparation concentration: 0.10% by mass (dissolved in o-dichlorobenzene)
-Sample injection volume: 40 μL
・ Detector: RI (differential refractometer)
・ Standard sample: Polystyrene
［実施例２］
基材を８０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例２に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例２に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
[Example 2]
A dicing die bond film according to Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the base material was 80 μm. The coextrusion moldability of the base material was good.
Further, with respect to the dicing die bond film according to Example 2, the splittability, the floating of the die bond layer, and the maintainability of the calf were evaluated in the same manner as in Example 1.
［実施例３］
基材を１５０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例３に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例３に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
[Example 3]
A dicing die bond film according to Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the base material was 150 μm. The coextrusion moldability of the base material was good.
Further, with respect to the dicing die bond film according to Example 3, the splittability, the floating of the die bond layer, and the maintainability of the calf were evaluated in the same manner as in Example 1.
［実施例４］
基材のＢ層（中心層）を構成する樹脂をエバフレックスＥＶ５５０（三井・デュポンポリケミカル社製）とし、基材を８０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例４に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
さらに、エバフレックスＥＶ５５０について、実施例１と同様にして融点を測定した。測定した融点については以下の表１に示した。
[Example 4]
The same as in Example 1 except that the resin constituting the B layer (central layer) of the base material was Evaflex EV550 (manufactured by Mitsui / DuPont Polychemical Co., Ltd.) and the base material was 80 μm. A dicing die bond film was obtained. The coextrusion moldability of the base material was good.
Further, with respect to the dicing die bond film according to Example 4, the splittability, the floating of the die bond layer, and the maintainability of the calf were evaluated in the same manner as in Example 1.
Further, the melting point of Evaflex EV550 was measured in the same manner as in Example 1. The measured melting points are shown in Table 1 below.
［実施例５］
Ｂ層の樹脂をプロピレン系エラストマー（商品名：ビスタマックス３９８０、エクソンモービルケミカル社製）とした以外は、実施例１と同様にして、実施例５に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例５に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
さらに、ビスタマックス３９８０について、実施例１と同様にして、融点を測定した。測定した融点については以下の表１に示した。
[Example 5]
A dicing die bond film according to Example 5 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the resin of the B layer was a propylene-based elastomer (trade name: Vistamax 3980, manufactured by ExxonMobil Chemical Co., Ltd.). The coextrusion moldability of the base material was good.
Further, with respect to the dicing die bond film according to Example 5, the splittability, the floating of the die bond layer, and the maintainability of the calf were evaluated in the same manner as in Example 1.
Further, the melting point of Vistamax 3980 was measured in the same manner as in Example 1. The measured melting points are shown in Table 1 below.
［実施例６］
基材の厚さを８０μｍとし、基材の層厚比を、Ａ層：Ｂ層：Ｃ層＝１：４：１とした以外は、実施例１と同様にして、実施例６に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例６に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
[Example 6]
Dicing according to Example 6 in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the base material was 80 μm and the layer thickness ratio of the base material was A layer: B layer: C layer = 1: 4: 1. A die bond film was obtained. The coextrusion moldability of the base material was good.
Further, with respect to the dicing die bond film according to Example 6, the splittability, the floating of the die bond layer, and the maintainability of the calf were evaluated in the same manner as in Example 1.
［実施例７］
基材の厚さを８０μｍとし、基材の層厚比を、Ａ層：Ｂ層：Ｃ層＝１：２０：１とした以外は、実施例１と同様にして、実施例７に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例７に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
[Example 7]
Dicing according to Example 7 in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the base material was 80 μm and the layer thickness ratio of the base material was A layer: B layer: C layer = 1: 20: 1. A die bond film was obtained. The coextrusion moldability of the base material was good.
Further, with respect to the dicing die bond film according to Example 7, the splittability, the floating of the die bond layer, and the maintainability of the calf were evaluated in the same manner as in Example 1.
［実施例８］
基材のＡ層及びＣ層（外層）を構成するメタロセンＰＰをウィンテックＷＭＸ０３（日本ポリプロ社製）とした以外は、実施例１と同様にして、実施例８に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例８に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
[Example 8]
A dicing die bond film according to Example 8 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the metallocene PP constituting the A layer and C layer (outer layer) of the base material was Wintec WMX03 (manufactured by Japan Polypropylene Corporation). .. The coextrusion moldability of the base material was good.
Further, with respect to the dicing die bond film according to Example 8, the splittability, the floating of the die bond layer, and the maintainability of the calf were evaluated in the same manner as in Example 1.
［比較例１］
基材のＡ層及びＣ層（外層）を構成する樹脂を非メタロセンランダムＰＰ（商品名：ノバティックＰＰ ＥＧ７ＦＴ、日本ポリプロ社製）とした以外は、実施例１と同様にして、比較例１に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は不良であった。
また、比較例１に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
さらに、ノバティックＰＰ ＥＧ７ＦＴについて、実施例１と同様にして、融点を測定した。測定した融点については以下の表１に示した。
[Comparative Example 1]
Comparative Example 1 in the same manner as in Example 1 except that the resin constituting the A layer and C layer (outer layer) of the base material was non-metallocene random PP (trade name: Novatic PP EG7FT, manufactured by Japan Polypropylene Corporation). A dicing die bond film according to the above was obtained. The coextrusion moldability of the base material was poor.
Further, the dicing die bond film according to Comparative Example 1 was evaluated in the same manner as in Example 1 in terms of breakability, floating of the die bond layer, and maintainability of the calf.
Furthermore, the melting point of Novatic PP EG7FT was measured in the same manner as in Example 1. The measured melting points are shown in Table 1 below.
［比較例２］
基材のＡ層及びＣ層（外層）を構成する樹脂を非メタロセン低密度ポリエチレン（商品名：ノバティックＬＣ ＬＣ７２０、日本ポリプロ社製）とした以外は、実施例１と同様にして、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
さらに、ノバティックＬＣ ＬＣ７２０について、実施例１と同様にして、融点を測定した。測定した融点については以下の表１に示した。
[Comparative Example 2]
Comparative Example in the same manner as in Example 1 except that the resin constituting the A layer and C layer (outer layer) of the base material was non-metallocene low-density polyethylene (trade name: Novatic LC LC720, manufactured by Japan Polypropylene Corporation). A dicing die bond film according to No. 2 was obtained. The coextrusion moldability of the base material was good.
Further, with respect to the dicing die bond film according to Comparative Example 2, the splittability, the floating of the die bond layer, and the maintainability of the calf were evaluated in the same manner as in Example 1.
Further, the melting point of Novatic LC LC720 was measured in the same manner as in Example 1. The measured melting points are shown in Table 1 below.
［比較例３］
基材のＡ層及びＣ層（外層）を構成する樹脂をエバフレックスＥＶ２５０とした以外は、実施例１と同様にして、比較例３に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、比較例３に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
[Comparative Example 3]
A dicing die bond film according to Comparative Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the resin constituting the A layer and C layer (outer layer) of the base material was Evaflex EV250. The coextrusion moldability of the base material was good.
Further, with respect to the dicing die bond film according to Comparative Example 3, the splittability, the floating of the die bond layer, and the maintainability of the calf were evaluated in the same manner as in Example 1.
［比較例４］
基材のＡ層、Ｂ層、及びＣ層を構成する樹脂をビスタマックス３９８０とした以外は、実施例１と同様にして、比較例４に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、比較例４に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
[Comparative Example 4]
A dicing die bond film according to Comparative Example 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the resin constituting the A layer, B layer, and C layer of the base material was Vistamax 3980. The coextrusion moldability of the base material was good.
Further, with respect to the dicing die bond film according to Comparative Example 4, the splittability, the floating of the die bond layer, and the maintainability of the calf were evaluated in the same manner as in Example 1.
［比較例５］
基材のＢ層を構成する樹脂をウィンテックＷＸＫ１２３３とした以外は、実施例１と同様にして、比較例５に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、比較例５に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフ維持性について評価した。
[Comparative Example 5]
A dicing die bond film according to Comparative Example 5 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the resin constituting the B layer of the base material was Wintec WXK1233. The coextrusion moldability of the base material was good.
Further, the dicing die bond film according to Comparative Example 5 was evaluated in the same manner as in Example 1 in terms of breakability, floating of the die bond layer, and calf retention.
各例に係るダイシングダイボンドフィルムについて、基材の共押出性、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフ維持性について評価した結果を以下の表１に示した。 Table 1 below shows the results of evaluation of the coextrudability, splittability, floating of the dicing layer, and calf retention of the dicing die bond film according to each example.
表１より、実施例１〜８に係るダイシングダイボンドフィルムは、基材の共押出成形性が良好であり、割断性に優れ、ダイボンド層の浮きを抑制でき、かつ、カーフ維持性が良好であることが分かる。
これに対し、比較例１に係るダイシングダイボンドフィルムは、割断性に優れ、ダイボンド層の浮きを抑制できるものの、基材の共押出性が不良であり、カーフを十分に維持できていないことが分かる。
また、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムは、基材の共押出成形性が良好であり、割断性に優れ、ダイボンド層の浮きを抑制できるもの、カーフを十分に維持できていないことが分かる。
さらに、比較例３及び４に係るダイシングダイボンドフィルムは、基材の共押出成形性が良好であり、割断性に優れるものの、ダイボンド層の浮きを十分に抑制できず、カーフを十分に維持できていないことが分かる。
また、比較例５に係るダイシングダイボンドフィルムは、基材の共押出成形性が良好であるものの、割断性が不良であり、ダイボンド層の浮きを十分に抑制できず、カーフを十分に維持できていないことが分かる。
なお、表１に掲載した結果は、ダイシングダイボンドフィルムに関するものであるが、ダイシングダイボンドフィルムに含まれるダイシングテープにおいても、表１に示したものと同様の結果が得られると予想される。
From Table 1, the dicing die bond films according to Examples 1 to 8 have good coextrusion moldability of the base material, excellent breakability, can suppress the floating of the dicing layer, and have good calf retention. You can see that.
On the other hand, it can be seen that the dicing die bond film according to Comparative Example 1 has excellent splittability and can suppress the floating of the die bond layer, but the coextrusion property of the base material is poor and the calf cannot be sufficiently maintained. ..
Further, it can be seen that the dicing die bond film according to Comparative Example 2 has good coextrusion moldability of the base material, is excellent in splittability, can suppress the floating of the dicing die bond layer, and cannot sufficiently maintain the calf.
Further, the dicing die bond films according to Comparative Examples 3 and 4 have good coextrusion moldability of the base material and excellent splittability, but the floating of the dicing die bond layer cannot be sufficiently suppressed and the calf can be sufficiently maintained. It turns out that there is no.
Further, the dicing die bond film according to Comparative Example 5 has good coextrusion moldability of the base material, but has poor splittability, cannot sufficiently suppress the floating of the dicing die bond layer, and can sufficiently maintain the calf. It turns out that there is no.
The results shown in Table 1 relate to the dicing die bond film, but it is expected that the same results as those shown in Table 1 can be obtained with the dicing tape contained in the dicing die bond film.
１ 基材
２ 粘着剤層
３ ダイボンド層
１０ ダイシングテープ
２０ ダイシングダイボンドフィルム
１ａ 第１樹脂層
１ｂ 第２樹脂層
１ｃ 第３樹脂層
Ｇ バックグラインドテープ
Ｈ 保持具
Ｊ 吸着治具
Ｐ ピン部材
Ｒ ダイシングリング
Ｔ ウェハ加工用テープ
Ｕ 突き上げ部材
Ｗ 半導体ウェハ
1 Base material 2 Adhesive layer 3 Die bond layer 10 Dicing tape 20 Dicing die bond film 1a 1st resin layer 1b 2nd resin layer 1c 3rd resin layer G Back grind tape H Holder J Adsorption jig P pin member R Dicing ring T Wafer processing tape U Push-up member W Semiconductor wafer
Claims (8)
前記基材は、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層と、前記第１樹脂層の一面上に積層された第２樹脂層と、前記第１樹脂層とは逆側において前記第２樹脂層に積層された第３樹脂層と、を備え、
前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層及び前記第３樹脂層よりも、室温における引張貯蔵弾性率が低い
ダイシングテープ。 A dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material.
The base material has a first resin layer containing a first resin having a molecular weight dispersion of 5 or less, a second resin layer laminated on one surface of the first resin layer, and the opposite of the first resin layer. A third resin layer laminated on the second resin layer on the side is provided.
The second resin layer is a dicing tape having a lower tensile storage elastic modulus at room temperature than the first resin layer and the third resin layer.
請求項１に記載のダイシングテープ。 The dicing tape according to claim 1, wherein the first resin has a melting point of 115 ° C. or higher and 130 ° C. or lower.
請求項１または２に記載のダイシングテープ。 The dicing tape according to claim 1 or 2, wherein the first resin has a mass average molecular weight of 100,000 or more and 1,000,000 or less, and a number average molecular weight of 20,000 or more and 600,000 or less.
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のダイシングテープ。 The dicing tape according to any one of claims 1 to 3, wherein the first resin contains a polypropylene resin which is a polymerized product of a metallocene catalyst.
前記第２樹脂層の厚さに対する前記第１樹脂層の厚さの比は、１／４〜１／２０の範囲にあり、
前記第２樹脂層の厚さに対する前記第３樹脂層の厚さの比は、１／４〜１／２０の範囲にある
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のダイシングテープ。 The thickness of the base material is 60 μm or more and 160 μm or less.
The ratio of the thickness of the first resin layer to the thickness of the second resin layer is in the range of 1/4 to 1/20.
The dicing tape according to any one of claims 1 to 4, wherein the ratio of the thickness of the third resin layer to the thickness of the second resin layer is in the range of 1/4 to 1/20.
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のダイシングテープ。 The dicing tape according to any one of claims 1 to 5, wherein the second resin layer contains an α-olefin thermoplastic elastomer.
請求項６に記載のダイシングテープ。 The dicing tape according to claim 6, wherein the α-olefin-based thermoplastic elastomer contains at least one homopolymer of α-olefin or a copolymer of α-olefin.
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備える
ダイシングダイボンドフィルム。 The dicing tape according to any one of claims 1 to 7 and the dicing tape.
A dicing die bond film comprising a die bond layer laminated on an adhesive layer of the dicing tape.
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