JP2020204739A - 露光装置、および物品製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (12)
- 基板を露光する露光装置であって、
マスクのパターンを前記基板に投影する投影光学系と、
互いに屈折率が異なる複数の気体を予め設定された混合率である設定混合比で混合して得られる混合気体を、前記投影光学系の内部の光学素子間の空間に供給する供給部と、
前記設定混合比を制御することにより前記投影光学系の結像特性を補正して前記基板を露光する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記供給部により一定の混合比で混合気体を供給したときの前記結像特性の推移を示す応答特性を取得し、
前記設定混合比を目標混合比に設定して前記基板を露光する際、前記結像特性が定常状態に遷移する前の過渡期間中は、前記設定混合比を、前記応答特性に基づいて前記目標混合比を補正して得られる値に設定して前記基板を露光する
ことを特徴とする露光装置。 - 前記制御部は、前記過渡期間の経過後は、前記設定混合比を前記目標混合比に設定して前記基板を露光することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記結像特性を調整する調整部を更に有し、
前記制御部は、前記設定混合比を制御することにより、前記結像特性として、複数の収差成分のうちの第1収差成分を補正し、
前記調整部は、前記過渡期間中に前記制御部により前記設定混合比が変更されたことに応じて、前記結像特性として、前記第1収差成分以外の他の収差成分を補正する
ことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。 - 前記マスクを保持するマスクステージと、
前記基板を保持する基板ステージと、を更に有し、
前記調整部は、前記投影光学系の光学素子の駆動、前記マスクステージの駆動、および前記基板ステージの駆動のうちの少なくとも1つを行うことにより、前記結像特性を調整する、ことを特徴とする請求項3に記載の露光装置。 - 前記他の収差成分の補正量が前記調整部による補正可能範囲を超えているときは、前記制御部は、前記調整部による補正が可能になるまで前記基板の露光を停止することを特徴とする請求項3または4に記載の露光装置。
- 前記結像特性は、球面収差、倍率収差、歪曲収差、像面湾曲、非点収差、コマ収差のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記第1収差成分は球面収差であり、前記他の収差成分は、倍率収差および歪曲収差であることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記応答特性は、球面収差、倍率収差、および歪曲収差それぞれについての応答特性を含むことを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 前記複数の気体は、ヘリウム、窒素、酸素、二酸化炭素、乾燥空気のうちから選択される複数の気体であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記投影光学系が設置されている空間の大気圧を計測する気圧計を更に有し、
前記制御部は、前記気圧計により計測された大気圧の値に基づいて、大気圧の変化の影響によって発生した前記結像特性の変化量を求め、該変化量に基づいて前記結像特性の補正量を求める
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記投影光学系を透過した光を検出する検出器を更に有し、
前記制御部は、前記計測器を用いて、前記投影光学系が露光エネルギーを吸収することによって生じる前記結像特性の変化量を求め、該変化量に基づいて前記結像特性の補正量を求める
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の露光装置。 - 請求項1乃至11のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記露光された基板を現像する工程と、
を含み、前記現像された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019113049A JP7213761B2 (ja) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | 露光装置、および物品製造方法 |
TW109114012A TWI803747B (zh) | 2019-06-18 | 2020-04-27 | 曝光裝置、及物品製造方法 |
KR1020200070656A KR20200144483A (ko) | 2019-06-18 | 2020-06-11 | 노광장치, 및 물품 제조방법 |
CN202010556563.4A CN112099318B (zh) | 2019-06-18 | 2020-06-17 | 曝光装置及物品制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019113049A JP7213761B2 (ja) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | 露光装置、および物品製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020204739A true JP2020204739A (ja) | 2020-12-24 |
JP2020204739A5 JP2020204739A5 (ja) | 2022-06-06 |
JP7213761B2 JP7213761B2 (ja) | 2023-01-27 |
Family
ID=73749659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019113049A Active JP7213761B2 (ja) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | 露光装置、および物品製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7213761B2 (ja) |
KR (1) | KR20200144483A (ja) |
CN (1) | CN112099318B (ja) |
TW (1) | TWI803747B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102022114969A1 (de) * | 2022-06-14 | 2023-12-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Heizen eines optischen Elements sowie optisches System |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6238580B2 (ja) * | 2013-06-07 | 2017-11-29 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、それらを用いたデバイスの製造方法 |
-
2019
- 2019-06-18 JP JP2019113049A patent/JP7213761B2/ja active Active
-
2020
- 2020-04-27 TW TW109114012A patent/TWI803747B/zh active
- 2020-06-11 KR KR1020200070656A patent/KR20200144483A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-06-17 CN CN202010556563.4A patent/CN112099318B/zh active Active
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JP2019028402A (ja) * | 2017-08-03 | 2019-02-21 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置、および物品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112099318A (zh) | 2020-12-18 |
KR20200144483A (ko) | 2020-12-29 |
CN112099318B (zh) | 2024-01-02 |
JP7213761B2 (ja) | 2023-01-27 |
TWI803747B (zh) | 2023-06-01 |
TW202101132A (zh) | 2021-01-01 |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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