JPH09153444A

JPH09153444A - Ｘ線投影露光装置

Info

Publication number: JPH09153444A
Application number: JP7312277A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Oshino; 哲也押野
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1995-11-30
Filing date: 1995-11-30
Publication date: 1997-06-10
Anticipated expiration: 2015-11-30
Also published as: JP3632264B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】スループットを低下させないで、作動中の解
像度の低下を防止できるＸ線投影露光装置を提供する。【解決手段】Ｘ線をマスク１上に照射する照明光学
系、マスク１を保持するマスクステージ１１、該マスク
１からのＸ線９を受けてマスク１上に形成されたパター
ンをウエハー３上に投影結像する投影結像光学系２、及
び該ウエハ３を保持するウェハステージ１２を備え、投
影結像光学系２からのＸ線９’の収差を測定する収差測
定機構５と、収差測定時に前記ウェハステージ１２を投
影結像光学系２の結像位置から遠ざけて、収差測定機構
５を結像位置またはその付近に配置させ、投影露光時に
収差測定機構５を結像位置またはその付近から遠ざけ
て、前記ウェハステージ１２を結像位置に配置させる移
動機構４と、Ｘ線９’の収差を低減または解消する収差
補正機構６、７、８と、を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスク（マ
スクまたはレチクル）上の回路パターンをＸ線光学系等
のミラープロジェクション方式により、投影結像光学系
を介してウエハ等の基板上に転写する際に好適なＸ線投
影露光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造用の露光装置は、物体面とし
てのフォトマスク（以下、マスクと称する）面上に形成
された回路パターンを結像装置を介してウエハ等の基板
上に投影転写する。基板にはレジストが塗布されてお
り、露光することによってレジストが感光し、レジスト
パターンが得られる。

【０００３】露光装置の解像力w は、主に露光波長λと
結像光学系の開口数NAで決まり、次式で表される。 w=k λ/NA k:定数従って、解像力を向上させるためには、波長を短くする
か、或いは開口数を大きくすることが必要となる。現
在、半導体の製造に用いられている露光装置は、主に波
長365nm のｉ線を使用しており、開口数約0.5 の場合で
0.5 μｍの解像力が得られている。

【０００４】開口数を大きくすることは、光学設計上困
難であることから、解像力を向上させるためには、今後
は露光光の短波長化が必要となる。ｉ線より短波長の露
光光としては、例えばエキシマレーザーが挙げられ、そ
の波長はKrF で248nm 、ArFで193nm である。従って、K
rF では0.25μｍ、ArF では0.18μｍの解像力が得られ
る。

【０００５】そして、露光光としてさらに波長の短いＸ
線を用いると、例えば波長13nmで0.1 μｍ以下の解像力
が得られる。従来の、露光装置（一例）の構成（一部）
を概念的に図６に示す。露光装置は主に、光源及び照明
光学系（不図示）、マスク１のステージ１１、結像光学
系２、ウエハ３のステージ１２により構成される。

【０００６】マスク１には、描画するパターンの等倍あ
るいは拡大パターンが形成されている。結像光学系２
は、複数のレンズまたは反射鏡等により構成され、マス
ク１上のパターンをウエハ３上に結像するようになって
いる。露光装置が所望の解像力を有するためには、少な
くとも結像光学系２が無収差または無収差に近い光学系
である必要がある。仮に、結像光学系２に収差がある
と、レジストパターンの断面形状が劣化し、露光後のプ
ロセスに悪影響を及ぼす他、像が歪んでしまうという問
題点が発生する。

【０００７】無収差と同等の性能を得るための、収差の
許容上限値（rms 値）としては、波長の14分の1 程度の
値が要求される。従って、波長が短くなるほど収差の値
も小さくしなければならない。例えば、露光光がｉ線の
場合、収差の許容上限値は約26nmrms である。無収差の
光学系を作製するためには、まず各光学素子の形状を設
計値どうりに加工しなければならない。要求される形状
精度、即ち形状誤差の許容上限値は、収差の許容上限値
と比較して少なくとも小さく、また、光学素子の数が多
くなるほど値は小さくなる。

【０００８】そして、光学素子が全てレンズの場合は、
屈折面の数をN とすると、形状誤差の許容上限値は収差
のそれの1/N^1/2程度の値が要求される。例えば露光光が
ｉ線の場合、屈折面の数を30とすると、形状誤差の許容
上限値は約5nmrmsとなる。次に、この様にして作製した
光学素子を高精度に位置合わせして組立なければならな
い。組立精度は、光学計算から求めることができるが、
露光光がｉ線の場合、少なくともμｍオーダーでの位置
合わせが必要になる。

【０００９】以上のように、無収差の光学系を作製する
ためには、高い加工精度および組み立て精度が必要であ
るが、これまでは高精度な加工および組立を行うことに
より、無収差光学系を作製することができた。また、光
学系の収差は、装置の作動中も許容上限値以下に保持さ
れる必要がある。しかし、実際には外部の温度変化の影
響で、光学素子等が熱変形を起こしてしまう場合があ
る。さらに、露光光を光学素子が吸収することでも温度
は変化してしまう。

【００１０】そこで、光学系を高精度に温度コントロー
ルされたチャンバーの中に入れて、熱変形しない程度に
温度を一定に保持している。以上の様にして、従来の露
光装置は、作動中も所望の解像度を得ることができた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、露光装
置の解像度を向上するために露光光の波長を短くする
と、それに従って収差の許容上限値も小さくなる。露光
光をＸ線とし、例えば波長を13nmとすると、収差の許容
上限値は約1nmrmsとなる。この値は、ｉ線における収差
の許容上限値約26nmrms と比較して非常に小さい。従っ
て、光学素子はさらに形状精度の高いものが要求され
る。

【００１２】Ｘ線露光装置の場合、光学系は全て反射鏡
であることが好ましい。反射面の形状誤差は、屈折の場
合の半分の値が必要であるため、反射面の数をN とする
と、必要な形状誤差は収差の1/（2N^1/2）となる。例え
ば反射面の数を4 とすると、波長13nmにおける形状誤差
は0.23nmrms となる。このように、Ｘ線投影露光装置
は、結像光学系２の収差として極めて小さな値が要求さ
れ、そのため、光学素子の形状精度もnm以下の精度が要
求される。この様な結像光学系は、作製することができ
ても、その精度を装置の作動（運転）中も保持すること
が困難であるという問題点を有している。

【００１３】即ち、露光装置の作動中に、光学素子の熱
変形を含めた様々な原因により収差が変化するが、その
変化は、従来の温度制御だけでは抑えることができない
という問題点を有している。以上のように、従来のＸ線
投影露光装置においては、装置作動中の収差の変化を抑
制することが困難であり、これが原因で装置作動中にＸ
線露光装置の解像度が低下するという問題点があった。

【００１４】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、作動中の解像度の低下を防止できるＸ線投
影露光装置を提供すること、好ましくはスループットを
低下させないで、作動中の解像度の低下を防止できるＸ
線投影露光装置を提供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「少なくとも、Ｘ線源、該Ｘ線源から発生するＸ線を
マスク上に照射する照明光学系、該マスクを保持するマ
スクステージ、該マスクからのＸ線を受けて該マスク上
に形成されたパターンをウエハー上に投影結像する投影
結像光学系、及び該ウエハを保持するウェハステージを
備えたＸ線投影露光装置において、前記投影結像光学系
からのＸ線の収差を測定する収差測定機構と、前記Ｘ線
の収差を低減または解消する収差補正機構と、を設けた
ことを特徴とするＸ線投影露光装置（請求項１）」を提
供する。

【００１６】また、本発明は第二に「少なくとも、Ｘ線
源、該Ｘ線源から発生するＸ線をマスク上に照射する照
明光学系、該マスクを保持するマスクステージ、該マス
クからのＸ線を受けて該マスク上に形成されたパターン
をウエハー上に投影結像する投影結像光学系、及び該ウ
エハを保持するウェハステージを備えたＸ線投影露光装
置において、前記投影結像光学系からのＸ線の収差を測
定する収差測定機構と、収差測定時に前記ウェハステー
ジを前記投影結像光学系の結像位置から遠ざけて、前記
収差測定機構を前記結像位置またはその付近に配置さ
せ、投影露光時に前記収差測定機構を前記結像位置また
はその付近から遠ざけて、前記ウェハステージを前記結
像位置に配置させる移動機構と、前記Ｘ線の収差を低減
または解消する収差補正機構と、を設けたことを特徴と
するＸ線投影露光装置（請求項２）」を提供する。

【００１７】また、本発明は第三に「前記収差測定機構
が前記ウエハステージに固定され、該ウエハステージが
前記移動機構を兼ねていることを特徴とする請求項２記
載のＸ線投影露光装置（請求項３）」を提供する。ま
た、本発明は第四に「前記収差測定機構がＸ線空間像の
測定器であることを特徴とする請求項１〜３記載のＸ線
投影露光装置（請求項４）」を提供する。

【００１８】また、本発明は第五に、「前記収差補正機
構は少なくとも、前記投影結像光学系を構成する光学素
子の位置及び形状の調整、前記マスクの形状の調整、ま
たは前記ウエハの形状の調整を行うことにより前記Ｘ線
の収差を低減または解消することを特徴とする請求項１
〜４記載のＸ線投影露光装置（請求項５）」を提供す
る。

【００１９】また、本発明は第六に「前記収差測定機
構、移動機構及び収差補正機構の動作を制御する制御機
構をさらに設けたことを特徴とする請求項１〜５記載の
Ｘ線投影露光装置（請求項６）」を提供する。また、本
発明は第七に「前記制御機構は、前記ウエハを交換する
時間内、または装置をメンテナンスする時間内に、前記
収差測定機構、移動機構及び収差補正機構を動作させる
ことを特徴とする請求項６記載のＸ線投影露光装置（請
求項７）」を提供する。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１は、本発明にかかる露光装置
（一例）の構成（一部）を示すブロック図である。図１
の露光装置は、Ｘ線源、該Ｘ線源から発生するＸ線をマ
スク１上に照射する照明光学系（不図示）、マスク１の
ステージ１１、マスク１からのＸ線９を受けてマスク１
上に形成されたパターンをウエハ３上に投影結像する投
影結像光学系２、ウエハ３のステージ１２、結像光学系
２からのＸ線９’の収差を測定する収差測定機構５、収
差測定時に前記ウェハステージ１２を前記投影結像光学
系２の結像位置から遠ざけて、前記収差測定機構５を前
記結像位置またはその付近に配置させ、投影露光時に前
記収差測定機構５を前記結像位置またはその付近から遠
ざけて、前記ウェハステージ１２を前記結像位置に配置
させる移動機構４、前記Ｘ線９’の収差を補正する収差
補正機構６、７、８、前記収差測定機構５、移動機構４
及び収差補正機構６、７、８の動作を制御する制御機構
１３を有する。

【００２１】収差測定機構５は、通常（収差測定を行わ
ないとき）はウエハステージ１２の下部或いは隣接する
位置に配置されている。そして、収差を測定するとき
は、図３に示すように、移動機構４により、ウエハステ
ージ１２を結像光学系２の結像位置以外にスライドさせ
て、収差測定機構５を前記結像位置またはその付近に移
動させる。さらに、結像光学系２を透過したＸ線９’
を、収差測定機構５に導入することにより、収差を測定
する。

【００２２】また、図２は、本発明にかかる露光装置
（別の一例）の構成（一部）を示すブロック図であり、
本発明にかかる露光装置の別の一例を示している。図２
の露光装置は、Ｘ線源、該Ｘ線源から発生するＸ線をマ
スク１上に照射する照明光学系（不図示）、マスク１の
ステージ１１、マスク１からのＸ線９を受けてマスク１
上に形成されたパターンをウエハ３上に投影結像する投
影結像光学系２、ウエハ３のステージ１２、結像光学系
２からのＸ線９’の収差を測定する収差測定機構５、前
記Ｘ線９’の収差を補正する収差補正機構６、７、８、
前記収差測定機構５、収差補正機構６、７、８及びウェ
ハステージ１２の動作を制御する制御機構１３を有す
る。

【００２３】収差測定機構５は、ウエハステージ１２に
固定されており、ウエハステージとともにその位置を移
動する。そして、収差を測定するときは、図４に示すよ
うに、ウエハステージ１２を結像光学系２の結像位置以
外にスライドさせると同時に、収差測定機構５を前記結
像位置付近に移動させる。さらに、結像光学系２を透過
したＸ線９’を、収差測定機構５に導入することによ
り、収差を測定する。

【００２４】即ち、図２の露光装置では、ウエハステー
ジ１２自身が収差測定時にウェハステージ１２を前記投
影結像光学系２の結像位置から遠ざけて、前記収差測定
機構５を前記結像位置またはその付近に配置させ、投影
露光時に前記収差測定機構５を前記結像位置またはその
付近から遠ざけて、ウェハステージ１２を前記結像位置
に配置させる移動機構としての機能を果たしている。

【００２５】本発明にかかる収差測定機構５としては、
露光光自体の収差を測定するために測定精度が高い、例
えばＸ線空間像測定装置が好ましい（請求項４）。Ｘ線
空間像測定装置は、マスクパターンのＸ線像を検出器上
に結像させて、その強度分布を測定するものであり、強
度分布を計算値と比較することにより収差を知ることが
できる。

【００２６】収差測定機構５による測定から、収差が許
容上限値よりも大きいことが判明したら、収差を低減ま
たは解消するように補正する。収差は、主に投影結像光
学系２を構成する光学素子の形状変化および位置変化に
より生じるので、収差を補正するためには、形状および
位置を元に戻してやることが好ましい。そこで、収差を
補正するためには、例えば、収差補正機構として、投影
結像光学系２を構成する光学素子の形状および位置を調
整する光学系調整機構６を設ければよい。

【００２７】光学系調整機構６は、例えば図５に示すよ
うに、光学素子（例えば、反射鏡１４）の周囲にピエゾ
素子等のアクチュエータ１５を配置したものであり、ア
クチュエータ１５を用いて光学素子に所望の応力を加え
ることにより、位置及び形状を変えることができる。収
差の補正は、このように光学系調整機構６を用いて光学
素子の形状および位置を変える方法により可能である
が、この方法に限らない。

【００２８】例えば、収差により像に歪みが生じた場合
は、その歪みを補正するようにマスク１及び／またはウ
エハ３の形状を変形させてもよい。また、像面湾曲のよ
うに像面が光軸方向にゆがんだ場合にも、マスク１及び
／またはウエハ３を湾曲させることにより、補正するこ
とが可能である。このような場合は、収差補正機構とし
て、マスク１の形状を調整するマスク調整機構７、及び
／またはウエハ３の形状を調整するウエハ調整機構８を
設けてやればよい。かかる調整機構においても、マスク
１及び／またはウエハ３の周囲に例えばアクチュエータ
を配置して、マスク１及び／またはウエハ３に応力を加
えて変形させてやればよい。

【００２９】図１の装置では、三つの収差補正機構（光
学系調整機構６、マスク調整機構７、ウエハ調整機構
８）を配置したが、収差補正機構が必ずしも三つ必要で
あるとは限らない。例えば、光学系調整機構６による補
正だけで収差の補正が可能であるならば、他の収差補正
機構７、８は設けなくてもよい。即ち、必要に応じて収
差補正機構を設ければよい。

【００３０】以上述べたように、本発明によるＸ線露光
装置によれば、投影結像光学系２からのＸ線９’の収差
を測定し、さらに該収差を補正することが可能である。
また、本発明によるＸ線露光装置では、収差測定してい
る間、Ｘ線９がウエハ３上に入射しないため露光はでき
ない。一方、収差測定は、露光装置のスループットを低
下させずに行うのが好ましい。従って、収差測定は露光
を行わない時間に行うことが好ましい。

【００３１】露光を行わない時としては、例えば、ウエ
ハ３を交換する時間がある。従来の露光装置では、これ
らの時間において、光源を停止するか、或いは露光光を
シャッターで遮蔽していた。即ち、これらの時間では露
光を行わないので、本発明のように、結像位置に収差測
定機構を配置しても問題はない。

【００３２】従って、スループットを低下させないため
に、ウエハ交換時間内に収差を測定することが好まし
い。さらに、収差変動が小さくて例えば１日に１回測定
すれば十分な場合には、測定時間がスループットに及ぼ
す影響は極めて小さいため、メンテナンス時間等に測定
しても良い。

【００３３】即ち、本発明にかかる露光装置には、ウエ
ハを交換する時間内、または装置をメンテナンスする時
間内に、前記収差測定機構、移動機構、及び収差補正機
構を動作させる制御機構を設けることが好ましい（請求
項７）。以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明
するが、本発明はこれらの例に限定されるものではな
い。

【００３４】

【実施例】

＜第一実施例＞図１は、本実施例のＸ線投影露光装置の
構成を示すブロック図である。図１の露光装置は、Ｘ線
源、該Ｘ線源から発生するＸ線をマスク１上に照射する
照明光学系（不図示）、マスク１のステージ１１、マス
ク１からのＸ線９を受けてマスク１上に形成されたパタ
ーンをウエハ３上に投影結像する投影結像光学系２、ウ
エハ３のステージ１２、結像光学系２からのＸ線９’の
収差を測定する収差測定機構５、前記Ｘ線９’の収差を
補正する収差補正機構６、７、８、前記収差測定機構
５、収差補正機構６、７、８及びウェハステージ１２の
動作を制御する制御機構１３を有する。

【００３５】本装置は、光源としてレーザープラズマＸ
線源を用い、Ｘ線を照明装置を介してマスク１に照射す
る。露光波長は13nmとし、またマスク１は反射型のもの
を用いた。マスク１で反射したＸ線９は、結像光学系２
を透過してウエハ３上に到達し、マスクパターンがウエ
ハ３上に縮小転写される。結像光学系２は４枚の反射鏡
で構成され、それぞれの反射鏡には温度調節機構が設け
てあり、露光時でも温度の変化が0.1 ℃以下に保たれ
る。さらに、露光装置は恒温チャンバー内に置かれ、温
度の変化が0.1 ℃以下に抑えられるようになっている。

【００３６】収差測定機構５は、露光中はウエハステー
ジ１２の下部或いは隣接する位置に配置されている。そ
して、ウエハ交換中に、図３に示すように、移動機構４
により、ウエハステージ１２を結像光学系２の結像位置
以外にスライドさせて、収差測定機構５を前記結像位置
付近に移動させる。さらに、結像光学系２を透過したＸ
線９’を、収差測定機構５に導入することにより、収差
を測定する。収差測定機構５は、Ｘ線空間像評価装置で
構成され、結像光学系２からのＸ線９’の収差が測定で
きる。

【００３７】露光装置の作動中は収差が変化するので、
測定値が0.9nmrmsを超えた場合には、制御機構１３を用
いて収差補正機構である光学系調整機構６、マスク調整
機構７、ウエハ調整機構８の動作を制御することにより
収差の補正を行う。本実施例の露光装置を用いて露光す
ると、最小サイズ0.1 μｍのレジストパターンが作製で
き、さらに、24時間以上の長時間運転においてもレジス
トパターンの断面形状に劣化は認められないことが分か
った。

【００３８】一方、収差測定機構、移動機構、収差補正
機構を設けていない従来の露光装置による露光の場合
は、運転開始後、徐々にレジストパターンの断面形状が
劣化し、さらに、0.1 μｍサイズのパターンは形成され
なくなってしまった。＜第二実施例＞図２は、本実施例のＸ線投影露光装置の
構成を示すブロック図である。

【００３９】図２の露光装置は、Ｘ線源、該Ｘ線源から
発生するＸ線をマスク１上に照射する照明光学系（不図
示）、マスク１のステージ１１、マスク１からのＸ線９
を受けてマスク１上に形成されたパターンをウエハ３上
に投影結像する投影結像光学系２、ウエハ３のステージ
１２、結像光学系２からのＸ線９’の収差を測定する収
差測定機構５、前記Ｘ線９’の収差を補正する収差補正
機構６、７、８、前記収差測定機構５、収差補正機構
６、７、８及びウェハステージ１２の動作を制御する制
御機構１３を有する。

【００４０】本装置は、光源としてレーザープラズマＸ
線源を用い、Ｘ線を照明装置を介してマスク１に照射す
る。露光波長は13nmとし、またマスク１は反射型のもの
を用いた。マスク１で反射したＸ線９は、結像光学系２
を透過してウエハ３上に到達し、マスクパターンがウエ
ハ３上に縮小転写される。結像光学系２は4 枚の反射鏡
で構成され、それぞれの反射鏡には温度調節機構が設け
てあり、露光時でも温度の変化が0.1 ℃以下に保たれ
る。さらに、露光装置は恒温チャンバー内に置かれ温度
の変化が0.1 ℃以下に抑えられるようになっている。

【００４１】収差測定機構５は、ウエハステージ１２に
固定されており、ウエハステージ１２とともにその位置
を移動する。そして、ウエハ交換中に、図４に示すよう
に、ウエハステージ１２を結像光学系２の結像位置以外
にスライドさせると同時に、収差測定機構５を該結像位
置付近に移動させる。さらに、結像光学系２を透過した
Ｘ線９’を、収差測定機構５に導入することにより、収
差を測定する。収差測定機構５は、Ｘ線空間像評価装置
で構成され、結像光学系２の収差が測定できる。

【００４２】即ち、本実施例の露光装置では、ウエハス
テージ１２自身が収差測定時にウェハステージ１２を前
記投影結像光学系２の結像位置から遠ざけて、前記収差
測定機構５を前記結像位置またはその付近に配置させ、
投影露光時に前記収差測定機構５を前記結像位置または
その付近から遠ざけて、ウェハステージ１２を前記結像
位置に配置させる移動機構としての機能を果たしてい
る。

【００４３】露光装置の作動中は収差が変化するので、
測定値が0.9nmrmsを超えた場合には、制御機構１３を用
いて収差補正機構である光学系調整機構６、マスク調整
機構７、ウエハ調整機構８の動作を制御することにより
収差の補正を行う。本実施例の露光装置を用いて露光す
ると、最小サイズ0.1 μｍのレジストパターンが作製で
き、さらに、24時間以上の長時間運転においてもレジス
トパターンの断面形状に劣化は認められないことが分か
った。

【００４４】一方、収差測定機構５、移動機構、収差補
正機構６、７、８を設けていない従来の露光装置による
露光の場合は、運転開始後、徐々にレジストパターンの
断面形状が劣化し、さらに、0.1 μｍサイズのパターン
は形成されなくなってしまった。

【００４５】

【発明の効果】以上の如く、本発明（第１〜第７発明）
によれば、装置作動中の解像度の低下を防止できる。ま
た、本第７発明によれば、スループットを低下させない
で、装置作動中の解像度の低下を防止できる。即ち、本
発明の露光装置は（特に第７発明の装置では、そのスル
ープットを低下させずに）、Ｘ線の収差を測定すること
ができ、さらにその測定結果に基づいて収差を補正する
ことができる。

【００４６】そのため、本発明の露光装置は長時間の作
動中、高い解像力を維持することができるので、微細な
レジストパターンを作製し続けることができる。また、
収差の測定は露光光自体を測定するため、測定精度が高
い。本第７発明の装置では、収差の測定をウエハを交換
する時間、メンテナンス時間等の露光しない時間に行う
ので、スループットは従来の露光装置と同じく、高スル
ープットを維持できる。従って、高いスループットで、
マスクのパターンを忠実に基板上に転写することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、本発明にかかるＸ線投影露光装置（一例）
の構成（一部）を示すブロック図である。

【図２】は、本発明にかかるＸ線投影露光装置（別の一
例）の構成（一部）を示すブロック図である。

【図３】は、本発明にかかるＸ線投影露光装置（一例）
における収差測定プロセスを示す図である（ａは露光時
を示す図、ｂはウエハステージ１２及び収差測定機構５
の移動時を示す図、ｃは収差測定時を示す図である）。

【図４】は、本発明にかかるＸ線投影露光装置（別の一
例）における収差測定プロセスを示す図である（ａは露
光時を示す図、ｂはウエハステージ１２及び収差測定機
構５の移動時を示す図、ｃは収差測定時を示す図であ
る）。

【図５】は、本発明にかかるＸ線投影露光装置の収差補
正機構としての光学系調整機構（一例）の構成図であ
る。

【図６】は、従来のＸ線投影露光装置（一例）の構成
（一部）を示すブロック図である。

【主要部分の符号の説明】

１．．．マスク２．．．投影結像光学系３．．．ウエハ４．．．移動機構５．．．収差測定機構６．．．光学系調整機構（収差補正機構の一例）７．．．マスク調整機構（収差補正機構の一例）８．．．ウエハ調整機構（収差補正機構の一例）９．．．マスクからのＸ線９'．．．投影結像光学系からのＸ線１０．．．配線１１．．．マスクステージ１２．．．ウエハステージ１３．．．制御機構１４．．．反射鏡１５．．．アクチュエータ１６．．．反射鏡ホルダー以上

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、Ｘ線源、該Ｘ線源から発生
するＸ線をマスク上に照射する照明光学系、該マスクを
保持するマスクステージ、該マスクからのＸ線を受けて
該マスク上に形成されたパターンをウエハー上に投影結
像する投影結像光学系、及び該ウエハを保持するウェハ
ステージを備えたＸ線投影露光装置において、前記投影結像光学系からのＸ線の収差を測定する収差測
定機構と、前記Ｘ線の収差を低減または解消する収差補正機構と、
を設けたことを特徴とするＸ線投影露光装置。
【請求項２】少なくとも、Ｘ線源、該Ｘ線源から発生
するＸ線をマスク上に照射する照明光学系、該マスクを
保持するマスクステージ、該マスクからのＸ線を受けて
該マスク上に形成されたパターンをウエハー上に投影結
像する投影結像光学系、及び該ウエハを保持するウェハ
ステージを備えたＸ線投影露光装置において、前記投影結像光学系からのＸ線の収差を測定する収差測
定機構と、収差測定時に前記ウェハステージを前記投影結像光学系
の結像位置から遠ざけて、前記収差測定機構を前記結像
位置またはその付近に配置させ、投影露光時に前記収差
測定機構を前記結像位置またはその付近から遠ざけて、
前記ウェハステージを前記結像位置に配置させる移動機
構と、前記Ｘ線の収差を低減または解消する収差補正機構と、
を設けたことを特徴とするＸ線投影露光装置。
【請求項３】前記収差測定機構が前記ウエハステージ
に固定され、該ウエハステージが前記移動機構を兼ねて
いることを特徴とする請求項２記載のＸ線投影露光装
置。
【請求項４】前記収差測定機構がＸ線空間像の測定器
であることを特徴とする請求項１〜３記載のＸ線投影露
光装置。
【請求項５】前記収差補正機構は少なくとも、前記投
影結像光学系を構成する光学素子の位置及び形状の調
整、前記マスクの形状の調整、または前記ウエハの形状
の調整を行うことにより前記Ｘ線の収差を低減または解
消することを特徴とする請求項１〜４記載のＸ線投影露
光装置。
【請求項６】前記収差測定機構、移動機構及び収差補
正機構の動作を制御する制御機構をさらに設けたことを
特徴とする請求項１〜５記載のＸ線投影露光装置。
【請求項７】前記制御機構は、前記ウエハを交換する
時間内、または装置をメンテナンスする時間内に、前記
収差測定機構、移動機構及び収差補正機構を動作させる
ことを特徴とする請求項６記載のＸ線投影露光装置。