JP2020198420A - エピタキシャルウェーハの製造方法及びサセプタ - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 17
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 100
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置において、エピタキシャルウェーハを製造した。このときのエピタキシャルウェーハの製造条件としては、エピタキシャル成長用ウェーハとして、直径300mmのシリコンウェーハを用い、サセプタはポケット径が直径305mm、ポケット深さが800μmのものを用い、エピタキシャル成長温度は1100℃、エピタキシャル層の膜厚は5μmの条件でエピタキシャル成長を行った。このエピタキシャルウェーハの製造を、サセプタポケット深さのバラツキが異なる3種のサセプタを用いた。
実施例1〜3とは異なる3種のサセプタを用いてエピタキシャルウェーハの製造を行った。サセプタポケット深さの局所的なバラツキDが9.8μm(比較例1)、11.3μm(比較例2)、14.0μm(比較例3)の時、ウェーハ外周部の厚みバラツキの指標Rはそれぞれ、4.8nm、5.0nm、9.0nmとなり4.0nmより大きくなった。
C…周方向、 d…ポケット部の深さ(ポケット深さ) W…シリコンウェーハ。
Claims (4)
- シリコンウェーハをサセプタのポケット部に載置し、前記シリコンウェーハの主表面上に、シリコンエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記サセプタとして、前記ポケット部の深さの周方向分布の2階微分の絶対値が8μm以下のものを用いることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記シリコンウェーハとして直径300mm以上のものを用いることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記シリコンエピタキシャル層の気相成長を、前記サセプタを有する枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置を用いて行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- シリコンウェーハを載置するポケット部を有し、前記シリコンウェーハの主表面上に、シリコンエピタキシャル層を気相成長させるためのサセプタであって、
前記ポケット部の深さの周方向分布の2階微分の絶対値が8μm以下のものであることを特徴とするサセプタ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019099019 | 2019-05-28 | ||
JP2019099019 | 2019-05-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6733802B1 JP6733802B1 (ja) | 2020-08-05 |
JP2020198420A true JP2020198420A (ja) | 2020-12-10 |
Family
ID=71892473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019231739A Active JP6733802B1 (ja) | 2019-05-28 | 2019-12-23 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びサセプタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6733802B1 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2019
- 2019-12-23 JP JP2019231739A patent/JP6733802B1/ja active Active
Patent Citations (6)
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP6733802B1 (ja) | 2020-08-05 |
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