JP2018082072A - エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 - Google Patents
エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018082072A JP2018082072A JP2016223858A JP2016223858A JP2018082072A JP 2018082072 A JP2018082072 A JP 2018082072A JP 2016223858 A JP2016223858 A JP 2016223858A JP 2016223858 A JP2016223858 A JP 2016223858A JP 2018082072 A JP2018082072 A JP 2018082072A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- front surface
- wafer
- epitaxial layer
- edge region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 98
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 98
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 15
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
2 シリコンウェーハ
3 エピタキシャル層
4 シリコンソースガス
21 エッジ領域
22 ベベル領域
23 おもて面
24 裏面
Claims (7)
- おもて面及び裏面を有し、前記おもて面のエッジ領域に周期的な凹凸が周方向に形成されたシリコンウェーハと、
前記シリコンウェーハの前記おもて面に形成されたエピタキシャル層と、を備え、
前記エピタキシャル層は、前記シリコンウェーハの前記おもて面の前記凹凸に対して相補的な膜厚を有していることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 - 前記シリコンウェーハの前記おもて面は、第1の結晶方位のエッジ領域に対して第2の結晶方位のエッジ領域が凹形状を有していることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウェーハ。
- 前記シリコンウェーハの前記おもて面は(100)面であり、前記第1の結晶方位は<100>方位であり、前記第2の結晶方位は<110>方位であることを特徴とする請求項2に記載のエピタキシャルウェーハ。
- おもて面及び裏面を有するシリコンウェーハの前記おもて面のエッジ領域に、周期的な凹凸を周方向に形成する第1の工程と、
前記シリコンウェーハの前記おもて面に、前記凹凸に対して相補的な膜厚を有するエピタキシャル層を形成する第2の工程と、を備えることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記第1の工程は、第1の結晶方位のエッジ領域に対して第2の結晶方位のエッジ領域が凹形状となるよう、前記シリコンウェーハの前記おもて面を加工することにより行うことを特徴とする請求項4に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記第1の工程は、前記シリコンウェーハの前記おもて面を研磨する前に行うエッチング工程において、前記第2の結晶方位のエッジ領域におけるエッチング量を選択的に増加させることにより行うことを特徴とする請求項5に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記第1の工程は、前記シリコンウェーハの前記おもて面を研磨した後、前記第2の結晶方位のエッジ領域を選択的にエッチングすることにより行うことを特徴とする請求項5に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016223858A JP6256576B1 (ja) | 2016-11-17 | 2016-11-17 | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016223858A JP6256576B1 (ja) | 2016-11-17 | 2016-11-17 | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6256576B1 JP6256576B1 (ja) | 2018-01-10 |
JP2018082072A true JP2018082072A (ja) | 2018-05-24 |
Family
ID=60940191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016223858A Active JP6256576B1 (ja) | 2016-11-17 | 2016-11-17 | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6256576B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021082641A (ja) * | 2019-11-15 | 2021-05-27 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001087996A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハ外周部の鏡面面取り方法並びに鏡面面取り装置 |
JP2007294942A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Sumco Techxiv株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置 |
WO2008093488A1 (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | シリコンウエーハの面取り装置およびシリコンウエーハの製造方法ならびにエッチドシリコンウエーハ |
JP2014036153A (ja) * | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Sumco Corp | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ |
JP2014067955A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
JP2014116450A (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 円筒研削機および単結晶ウエーハの製造方法 |
JP2015535142A (ja) * | 2012-10-16 | 2015-12-07 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | エピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャル成長装置 |
JP2016100483A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
2016
- 2016-11-17 JP JP2016223858A patent/JP6256576B1/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001087996A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハ外周部の鏡面面取り方法並びに鏡面面取り装置 |
JP2007294942A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Sumco Techxiv株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置 |
WO2008093488A1 (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | シリコンウエーハの面取り装置およびシリコンウエーハの製造方法ならびにエッチドシリコンウエーハ |
JP2014036153A (ja) * | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Sumco Corp | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ |
JP2014067955A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
JP2015535142A (ja) * | 2012-10-16 | 2015-12-07 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | エピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャル成長装置 |
JP2014116450A (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 円筒研削機および単結晶ウエーハの製造方法 |
JP2016100483A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021082641A (ja) * | 2019-11-15 | 2021-05-27 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6256576B1 (ja) | 2018-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9033764B2 (en) | Method of polishing object to be polished | |
TWI531692B (zh) | 磊晶矽晶圓的製造方法以及磊晶矽晶圓 | |
JP5423384B2 (ja) | 半導体ウェーハおよびその製造方法 | |
JPWO2006001340A1 (ja) | 両面研磨用キャリアおよびその製造方法 | |
JP2006128269A (ja) | 半導体ウエーハの製造方法及び半導体ウエーハ | |
TWI604094B (zh) | 半導體磊晶晶圓的製造方法及半導體磊晶晶圓 | |
JP6441088B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2012156246A (ja) | 半導体ウェハ及び半導体デバイスウェハ | |
TW201721733A (zh) | 單晶半導體晶圓以及製備半導體晶圓的方法 | |
JP5472073B2 (ja) | 半導体ウェーハ及びその製造方法 | |
JP6256576B1 (ja) | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | |
CN110060959B (zh) | 贴合晶片的制造方法 | |
CN110383427B (zh) | 晶圆的制造方法 | |
JP4492293B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP5074845B2 (ja) | 半導体ウェハの研削方法、及び半導体ウェハの加工方法 | |
TW201829117A (zh) | 晶圓之製造方法以及晶圓 | |
JP7151664B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2019117857A (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ | |
JP2010040549A (ja) | 半導体ウェーハ及びその製造方法 | |
WO2020158210A1 (ja) | エッチング方法 | |
JP3444183B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される半導体ウエーハ | |
JP2007214368A (ja) | Movpe用化合物半導体ウェハ、その製造方法及びmovpe用化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法 | |
JP2019110213A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2015153999A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2009277947A (ja) | 半導体ウェーハ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171020 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6256576 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |