JP2020194957A - 光源、その製造方法および光源を備える位置測定装置 - Google Patents

光源、その製造方法および光源を備える位置測定装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2020194957A
JP2020194957A JP2020065518A JP2020065518A JP2020194957A JP 2020194957 A JP2020194957 A JP 2020194957A JP 2020065518 A JP2020065518 A JP 2020065518A JP 2020065518 A JP2020065518 A JP 2020065518A JP 2020194957 A JP2020194957 A JP 2020194957A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light source
conductive layer
sensor unit
semiconductor layer
layer structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020065518A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020194957A5 (ja
JP7514101B2 (ja
Inventor
イェンス−マルティン・ゲーレ
Goehre Jens-Martin
カイ・ホルシュタイン
Hollstein Kai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dr Johannes Heidenhain GmbH
Original Assignee
Dr Johannes Heidenhain GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dr Johannes Heidenhain GmbH filed Critical Dr Johannes Heidenhain GmbH
Publication of JP2020194957A publication Critical patent/JP2020194957A/ja
Publication of JP2020194957A5 publication Critical patent/JP2020194957A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7514101B2 publication Critical patent/JP7514101B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/26Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
    • G01D5/32Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light
    • G01D5/34Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells
    • G01D5/347Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells using displacement encoding scales
    • G01D5/34707Scales; Discs, e.g. fixation, fabrication, compensation
    • G01D5/34715Scale reading or illumination devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0421Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Transform (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

【課題】価値が高い位置測定装置のセンサユニット用の光源を提供する。【解決手段】位置測定装置のセンサユニット用の光源において、第1の面と複数の別の面とを有し、別の面のうちの少なくとも1つは、第1の面に対して傾斜してまたは変位して配置されている、導電性の基材1と、第1の面に被着された半導体層構造2と、別の面のうちの少なくとも1つで基材にコンタクトする、導電性の層3と、第1の電気的な端子4および第2の電気的な端子5であって、第1の電気的な端子は、導電性の層に接続されており、第2の電気的な端子は、半導体層構造に接続されており、これにより、端子に電圧差が印加されると、半導体層構造によって、光源の第1の側Sで、第1の面に対して直交する方向成分を有する光を放出可能であり、両方の端子は、光源の第1の側に配置されている、第1の電気的な端子および第2の電気的な端子と、を備える。【選択図】図9

Description

本発明は、請求項1に記載の、位置測定装置のセンサユニット用の光源に関する。さらに本発明は、請求項8に記載の、この種の光源を製造する方法、および請求項12に記載の、光源を備える位置測定装置に関する。
位置測定装置は、たとえば、相互に相対的に回転可能な2つの機械部品の角度位置を特定する角度測定装置またはロータリエンコーダとして使用される。さらに、相互に相対的に摺動可能な2つの機械部品の直線的な変位を測定する測長装置が知られている。角度測定装置や測長装置は、通常、センサユニットを有し、センサユニットは、角度スケールまたは長さスケールまたは度器などの、センサユニットに対して相対的に運動可能な構成部材を走査するとともに位置に依存する信号を生成する。
光学測定装置では、多くの場合、光源および光検出器が光学センサユニットのプリント基板に実装されている。プリント基板に対向して、空隙を置いて、光学スケールが位置する。この場合、既知の原理に従って、位置に依存する信号を生成することができる。
この種の測定装置または測定器は、対応する機械部品の相対運動または相対位置を設定するための電気的な駆動装置に対して使用されることが多い。この場合、生成された位置値が、対応するインタフェース組立体を介して、駆動装置を駆動制御するための後続の電子装置に供給される。
独国特許出願公開第102017112223号明細書には、接続層を介して通電可能な半導体レーザ構成部材が記載されている。
独国特許出願公開第102017112223号明細書
本発明の根底を成す課題は、価値が高く上述の目的に適した、位置測定装置のセンサユニット用の光源を提供することである。
さらに本発明によって、光源を製造する方法が提供されるべきであり、この方法によって、品質的に価値の高い光源が経済的に製造可能である。
さらに本発明によって、位置測定装置が提供され、この装置によって、精密な位置測定が確実に可能である。
本発明によれば、これらの課題は、請求項1の特徴または請求項8および請求項12の特徴によって解決される。
それによれば、位置測定装置のセンサユニット用の光源は、導電性の基材を有し、基材は、第1の面と複数の別の面とを有し、別の面のうちの少なくとも1つは、第1の面に対して相対的に傾斜してまたは変位して配置されている。つまり別の面は、特に基材の表面または外面である。さらに、光源は、半導体層構造と導電性の層とを有し、半導体層構造は、光を放出するように設定されているとともに第1の面に被着されており、導電性の層は、第1の面に対して相対的に傾斜してまたは変位して配置された、基材の別の面のうちの少なくとも1つで基材に電気的にコンタクトする。光源は、さらに第1の電気的な端子と第2の電気的な端子とを有する。第1の電気的な端子は、導電性の層に接続されていて、第2の電気的な端子は、半導体層構造に接続されているので、両方の端子に電圧差が印加されると、半導体層構造によって、光源の第1の側で、第1の面に対して直交する方向成分を有する光を放出可能である。さらに、両方の端子は、光源の第1の側に配置されている。
傾斜してという用語は、以下、傾斜した別の面のそれぞれの法線ベクトルが、第1の面の法線ベクトルとは別の方向を有すると解することができる。相互に傾斜した面は、特に相互に非平行に配向された面である。
電気的な端子(第1のかつ/または第2の電気的な端子)は、たとえば導体トラックに電気的に接続されてよい。特に、第1の電気的な端子および/または第2の電気的な端子は、場合によっては三次元に延在する層または導体路として構成されてよい。したがって、以下、たとえば導体トラックは、第1の電気的な端子および/または第2の電気的な端子を介して、導電性の層または半導体層構造に接続された層または導体路と解することができる。電気的な端子は、対応するアクセス可能なパッドまたは端子面であってよい。
好適には、導電性の層は、第1の面に対して相対的に傾斜してまたは変位して配置された別の面のうちの2つで基材に電気的にコンタクトする。
本発明の別の形態によれば、導電性の層は、第1の面に対して相対的に傾斜してまたは変位して配置された別の面のうちの4つで基材に電気的にコンタクトする。特に、別の面のうちのこれらの4つは、第1の面に対して相対的に第1の面に対して傾斜して、特に第1の面に対して直交して配置されてよい。
好適には、導電性の層は、第1の面に対して相対的に傾斜してまたは変位して配置された別の表面のうちの5つで基材に電気的にコンタクトする。
好適には、基材は、直方体状の形状を有する。
本発明の別の形態によれば、導電性の層にヒートシンクが配置されている。
好適には、基材は、導電性の層とともに、第1の封止材に埋入されている。
光源は、特に電気的なコンタクトだけを有し、この場合、ワイヤまたはこれに類するものが使用されない。特に、線材ボンディングまたはワイヤボンディングを省くことができる。
別の側面によれば、本発明は、位置測定装置のセンサユニット用の光源を製造する方法において、以下のステップ:
基材を用意するステップであって、基材は、第1の面と複数の別の面、たとえば第2の面と第3の面と第4の面と第5の面と第6の面とを有し、これらの別の面のうちの少なくとも1つは、第1の面に対して相対的に傾斜してまたは変位して配置されており、第1の面に対して相対的に傾斜してまたは変位して配置された第1の面に、半導体層構造が被着されている、ステップと、
導電性の層を別の面のうちの少なくとも1つに被着するステップであって、これにより、導電性の層が基材に電気的にコンタクトする、ステップであって、このステップに先行して、たとえば付着促進剤、導電性の開始層またはこれに類するものを用いた蒸着またはスパッタリングなどのプレコーティングを行うことができる、ステップと、
第1の電気的な端子が導電性の層に電気的に接続され、かつ第2の電気的な端子が半導体層構造に電気的に接続されるように、第1の電気的な端子および第2の電気的な端子を形成するステップであって、これにより、端子に電圧差が印加されると、半導体層構造によって、光源の第1の側で、第1の面に対して直交する方向成分を有する光を放出可能であり、両方の端子は、光源の第1の側に配置されている、ステップと、
を有する。
最も簡単なケースでは、第1の電気的な端子および/または第2の電気的な端子は、パッドまたは露出した面であってよい。
好適には、導電性の層が被着される前に半導体層構造が第1のサブキャリアに取り付けられるので、半導体層構造は、基材の第1の面と第1のサブキャリアとの間に配置されている。
方法の別の形態によれば、導電性の層が、第1のサブキャリアにも被着される。第1のサブキャリアは、第1の電気的な端子および/または第2の電気的な端子の形成前に除去される。
好適には、導電性の層が、電気めっきプロセスによって被着される。
別の側面によれば、本発明は、位置測定装置を含み、位置測定装置は、それ自体、センサユニットと、センサユニットに対して相対的に運動可能な、スケールを有する構成部材とを備える。センサユニットは、光源と光検出器とを有する。
好適には、光検出器は、感光性の面を有し、この場合、光源の第1の側と感光性の面とが、センサユニットの同一の側に配置されている。
本発明の別の形態によれば、センサユニットに対して運動可能な構成部材が、センサユニットに対して相対的に回転可能であり、スケールが、角度スケールとして構成されている。
代替的に、位置決め測定装置は、構成部材がセンサユニットに対して相対的に線形に摺動可能であり、スケールが長さスケールとして構成されているように構成されてよい。
好適には、構成部材が、センサユニットに対して相対的に線形に摺動可能であり、スケールが、長さスケールとして構成されている。
要するに、スケールは、角度スケールまたは長さスケールとして構成されてよく、インクリメンタル式またはアブソリュート式の位置測定のために構成されてよい。スケールという用語は、インクリメンタル式またはアブソリュート式の目盛を有し、多くの場合に測定基準器とも称される物体と解される。
位置測定装置の別の形態によれば、構成部材が、センサユニットに対して相対的に回転可能であり、スケールが、角度スケールとして構成されている。
本発明の好適な形態は、従属請求項から看取される。
本発明に係る光源および本発明に係る方法または位置測定装置のさらなる詳細および利点は、添付の図面に基づく2つの実施の形態の以下の説明から明らかである。
光源の第1の製造段階における、半導体層構造とともに基材および第1のサブキャリアの断面図を示す。 図1による組立体の平面図を示す。 後続の光源の一製造段階における断面図を示す。 後の時点での光源の一製造段階における断面図を示す。 後続の、ヒートシンクとともに光源の一製造段階における断面図を示す。 第1の封止材を塗布した後の、後続の光源の一製造段階における断面図を示す。 第1のサブキャリアを除去した後の光源の断面図を示す。 後の時点での一製造ステップ後の光源の断面図を示す。 後の時点での一製造ステップ後の、形成された端子とともに光源の断面図を示す。 前の時点での一製造段階におけるセンサユニットの側面図を示す。 後続の一製造段階におけるセンサユニットの断面図を示す。 後続の一製造段階におけるセンサユニットの断面図を示す。 位置測定装置の側面図を示す。 第2の実施の形態による光源の最初の製造段階における第1のサブキャリアの断面図を示す。 第2の実施の形態による光源の最初の製造段階における、半導体層構造とともに基材および第1のサブキャリアの断面図を示す。 第2の実施の形態による、後の時点での一製造ステップ後の、形成された端子をともに光源の断面図を示す。
実施の一形態によれば、図1に示されているように、まずはその上に半導体層構造2が配置される基材1が用意される。基材1は、ここでは直方体状の形状を有するとともに、図1および図2によれば、第1の面1.1を有し、第1の面1.1に半導体層構造2が被着されおり、第1の面1.1は、半導体層構造2に対して平行に配向されている。第1の面1.1は、図面においてxy平面内に延在する。半導体層構造2についても同じことがいえる。
さらに基材1は、別の面、つまり第2の面1.2と第3の面1.3と第4の面1.4と第5の面1.5とを有し、これらの面は、半導体層構造2に対して非平行に、つまり第1の面1.1に対して傾斜して(ここでは90°)配向されている。さらに基材1は、第6の面1.6を有し、第6の面1.6は、第1の面1.1に対して(z方向に関して)変位して平行に配向されている。したがって、要するに基材1は、第1の面1.1と別の面1.2〜1.6とを有し、この場合、別の面1.2〜1.6は、第1の面1.1に対して相対的に傾斜して(面1.2〜面1.5)または変位して(面1.6)配置されている。基材1は、導電性の材料から、提案される実施の形態ではケイ素から作られており、半導体層構造2は、たとえば導電性の接着剤を使用して、基材1に電気的にコンタクトしている。半導体層構造2は、電圧差が印加されるとこの半導体層構造2によって光を放出可能である性質を有する。
それぞれ半導体層構造2と基材1とから成る多数のこの種のアッセンブリが、ピックアンドプレースプロセスによって、提案される実施の形態では接着層7.1を含む第1のサブキャリア7に取り付けられ、特に接着される。その後では、アッセンブリは、それぞれ半導体層構造2が第1のサブキャリア7に面するように配置されている。図面には、単一のこの種のアッセンブリが第1のサブキャリア7上に例示されている。第1のサブキャリア7は、ガラスまたは金属から作られてよい。
これに続いて、図3によれば、半導体層構造2の周囲に絶縁性の層8が被着される。代替的に、周囲に延在する絶縁性の層8は、すでに半導体層構造2が装着された基材1の取付け前に、たとえば周囲に延在する絶縁性の層8が予め第1のサブキャリア7に被着されることによって、第1のサブキャリア7上で処理されてもよい。
図4によれば、その後で、電気めっきプロセスを準備するために、基材1の表面に蒸着またはスパッタリングが行われ、これに続いて、実際の電気めっきプロセスで、導電性の層3が被着される。この導電性の層3は、たとえば銅を含んでよい。このようにして、別の面1.2〜1.6、つまり第2の面1.2、第3の面1.3、第4の面1.4、第5の面1.5および第6の面1.6に導電性の層3が被覆されるので、基材1は、導電性の層3に電気的にコンタクトしている。さらに、導電性の層3は、第1のサブキャリア7または接着層7.1上で、半導体層構造2に対して面一にかつ平行に延在する(図4)。
提案される実施の形態では、次に、図5によれば、熱伝導性の接着剤9が、半導体層構造2とともに第1の面1.1とは反対の側に配置された第6の面1.6に塗布され、ヒートシンク10が相応に固定される。任意選択的に、ヒートシンクの装着を省いてもよく、この場合にはもちろん熱伝導性の接着剤を省いてもよい。
次の製造ステップでは、第1の封止材11(図6)が、第1のサブキャリア7に塗布されるので、基材1およびヒートシンク10の周囲の体積が第1の封止材11によって充填されている。ここでは、第1の封止材11を塗布するために、たとえばディスペンサまたは封止装置またはモールディング装置を使用することができる。提案される実施の形態では、ソフトな封止法と相俟って、接着層7.1の付着特性によって、第1の封止材11を塗布する間に基材1の変位が生じないことを保証することができる。
したがって、たとえば充填剤を含むエポキシ材料として構成されてよい第1の封止材11の注入および硬化の後で、封入された要素は、第1の封止材11によって、相互に相対的に位置固定されている。このようにして、製造段階において第1のサブキャリア7によって覆われる第1の表面O1と、第1の表面O1とは(z方向に関して)反対の側に配置された第2の表面O2とを有するパネルまたはウェハが製作される。
次に、第2の表面O2が平坦に研削される、つまり研削プロセスにさらされ、その後で、その時点までに製作された組立体またはパネルが180°回動させられる。後続のステップでは、第1の封止材11のそれぞれ研削された表面O2が洗浄され、接着層12によって支持体13に固定される(図7)。製造の後続のステップでは、第1のサブキャリア7が接着層7.1とともに除去される。したがって半導体層構造2のそれぞれ一方の側が、導電性の層3の第1の表面O1と面一に配置されている。これに続いて、半導体層構造2および導電性の層3の、その時点で露出した表面が、洗浄される。適切な封止法またはモールディング法が用いられるときには、第2の表面O2に関して、研削プロセスを省いてもよい。
代替的に、製造方法は、第1のサブキャリア7が接着層7.1とともに導電性の層3の被着後であるが第1の封止材11による封止前にすでに除去されるように構成されてもよい。
図8によれば、これに続いて、絶縁性の第1の層14、特にポリイミドから成る層が、第1の表面O1に、つまり導電性の層3および半導体層構造2に被着される。この第1の層14は、貫通開口が設けられるように構成されている。貫通開口において、部分的に第1の層14に、導電性の材料(ここでは銅)が被着される。導電性の材料および第1の層14に、ここでもポリイミドから成る第2の層15が被着される。第2の層15には、開口が形成され、この場合、導電性の材料がアクセス可能であるとともにコンタクト可能であるので、図9によれば、第1の端子および第2の端子5が形成される。
この場合、結果として、第1の端子4がそれぞれ設けられ、第1の端子4は、それぞれ第1の部分と第2の部分とを有する。その第1の部分では、第1の端子4は、第1の層14を貫通してガイドされている。さらに、端子4の第1の部分では、図9からも分かるように、第1の端子4と導電性の層3との間の電気的なコンタクトが形成される。
第1の端子4の第2の部分は、いわゆる端子パッドを有し、この場合、第1の端子4は、第2の部分において、第2の部分表面O2に対して平行に、第1の層14上に延在する。したがって、この第2の部分は、第1の層14の厚さに応じて、導電性の層3から間隔を置いている。
さらに第2の端子5が、第1の端子4の形成と同様に形成される。したがって第2の端子5もまた第1の部分と第2の部分とを有するとともにそれぞれ端子パッドを有するので、端子パッドと半導体層構造2との間に電気的なコンタクトが形成されている。
上述のように、多数の光源Lを有するパネルPまたはウェハが形成され、この場合、各光源Lは、基材1と半導体層構造2とを有する。ここで、個々の各光源Lの信頼性を確保するために、端子4,5にそれぞれ1つの電極が印加されるので、これらの端子4,5の間に電圧差が存在する。これに応じて、電圧差に起因して、電流が、端子4、5を介して、導電性の層3と基材1と半導体層構造2とを通って流れる。
半導体層構造2は、通電状態で、つまりテスト動作時にも光を放出する。図9によれば、光源Lが、その第1の側Sで、光を放出し、これは平行な矢印により示されている。光がz成分(ここではz方向に対して平行)を有する方向に出射され、要するにこれにより、第1の面1.1に対して直交する方向成分を有する光が放出され、したがってx,y平面に放射されない。基材1が非透光性であるので、光は、第1の面1.1から離れる方へ放出される。場合によっては、第1の面1.1に光反射性の層が取り付けられてもよく、または半導体層構造2が光反射性の層を有してもよいので、z成分に方向付けられた光がより集中的に放出される。両方の端子4,5は、光源Lの第1の側Sに配置されている。
光源Lがたとえば1週間通電されることによって、光源Lの一時的な動作が行われる。この動作は、空調チャンバ内において高くされた温度で行われることが多い。一時的な動作の終了時に、どの光源Lが正常に作動しないか、つまり発光しないまたは発光量が少なすぎるか検査され、該当する不良の光源Lは、相応にマーキングされる。
これに続いて、光源Lが個別化される。そのためにパネルまたはウェハ、特に第1の封止材11が分割される。提案される実施の形態では、切断研削法によって、Y方向およびX方向に沿って進行する、部分的に平行する複数の切断が行われる。一時的な動作の後で機能性が十分でない不良の光源Lが取り除かれる。
位置測定器用のセンサユニットを製造するために、続いて、光源L、電子素子16および抵抗などのたとえば電子部品17が、図10によれば、第2のサブキャリア18上に設置される。第2のサブキャリア18は、たとえば接着シートとして構成されている。ここではICチップとして構成された電子素子16は、光信号を電気信号へと変換する光検出器16.1または1つまたは複数の光検出器アレイを有する。さらに電子素子16は、電気信号へと変換するための回路、特に信号をデジタル化するかつ信号をデジタル後続処理するための回路16を有する。
これに続くステップでは、第2の封止材19(図11)が第2のサブキャリア18に塗布されるので、電子素子16、光源Lおよび電子部品17の周囲の体積に第2の封止材19が充填される。このプロセスステップでも、第2の封止材19を塗布するために、たとえばディスペンサまたは封止装置またはモールディング装置を使用することができる。光検出器16.1の感光性の表面は、第2の封止材19により囲繞されていない。硬化した第2の封止材19によって、とりわけ光源Lと電子素子16とが、相互に相対的に精密に位置固定されている。特に、光検出器16.1の感光性の表面は、z方向に、半導体層構造2の、光を放出する表面O1と面一に配置されている。
ここでは、導体トラックという用語は、一平面上に延在するまたは三次元空間内に延在する導体路と解することができる。したがって、特に、導体トラックは、スルーホールまたはビアホールを有する導体路であってもよい。導体トラックは、単一の層として構成されてよい、または複数の層を有してよい。
これに続いて、図12によれば、さらなる層構築が行われ、特に、電気絶縁性の第1の層24.1が被着され、そこにまた導電性の層20が被着される。この導電性の層20は、図12によれば、最終的に第1の導体トラック20.1および第2の導体トラック20.2が選択的な導体トラック構築によって形成されるように加工されるまたは構造化される。第1の導体トラック20.1は、第1の電気的な端子4と電子部品17のコンタクトとに電気的に接続されている。第2の導体トラック20.2は、第2の電気的な端子5を電子素子16のコンタクトに接続する。
導電性の層20または第1の導体トラック20.1および第2の導体トラック20.2に、その後で、電気絶縁性の第2の層24.2または不動態化層が被着される。任意選択的に、さらに別の層および別の導体トラックが形成されてもよい。
そのように構成されたセンサユニットは、図12によれば、そこで位置測定装置に組み付けられ、特に図13の原理図によればロータリエンコーダまたは角度測定器に組み付けられる。位置測定装置は、本発明によるセンサユニットと、これに対して相対的に運動可能な(ここではセンサユニットに対して相対的に回転可能な)構成部材21とを有する。構成部材21は、スケール21.1、ここでは角度スケールと、シャフト21.2とから構成されている。提案される実施の形態では、スケール21.1は、反射法により反射式に走査可能な環状の少なくとも1つの目盛トラックまたはコードトラックを有する。
代替的に、光源Lは、所定の透過光組立体との関連において使用することもできる。
センサユニットは、提案される実施の形態では、主に円盤状のプレート22またはプレート22の凹部に実装されており、プレート22は、たとえばモータハウジングなどの機械部品に取り付けることができる。プレート22は、ここでは剛体の金属体または金属リングとして構成されている。プレート22は、少なくとも1つの表面に、絶縁性の層を有し、絶縁性の層に、導体路およびコンタクト面が形成されている。
通常、構成部材21.1または角度スケールは、ロータとして用いられ、回転軸線Rを中心に回転可能な機械部品に取り付けられる。これに対して、この場合、センサユニットは、角度測定装置として構成された位置測定装置のステータを形成するので、ステータは、定位置の機械部品に位置固定される。位置測定装置の組立て状態では、構成部材21.1とセンサユニットとは、比較的小さな空隙を置いて対向しており、この場合、空隙は、図13の原理図に示されているよりも小さい。
位置測定装置の動作時に、光源Lが、光を放出する。光は、図13に示唆されたビーム路に従ってスケール21.1の目盛トラックによって反射され、光検出器16.1に入射する。光検出器16.1は、入射光を光電流または電気信号へと変換する。回転軸線Rは、構成部材21またはスケール21.1の中心を通って延在する。そうして構成部材21とセンサユニットとの間の相対回転時に、光検出器16に、その都度の角度位置に依存する信号を生成可能である。
センサユニットの上述の構造によって、比較的簡単で安価な形で、光検出器16.1とスケール21.1との間または光源Lとスケール21.1との間の間隙の正確な調整を可能にする組立体を提供することができる。特に、構造に起因して、電子素子2の、スケール21.1に面する表面が第1の表面O1と面一に配置されていることが保証されている。光源Lに対して相対的な電子素子16の正確な位置決めによって、光源Lが機械部品に実装されたまたは固定された後で、電子素子16、特に光検出器16.1および光源Lが精密に設置されていることを保証することができる。
プレート22(またはコンタクト面)に実装された部品22.1は、信号に対する評価素子として作動する。部品22.1のデジタル部分における論理回路において、個々の目盛トラックの走査の結果として位置値が検出されるまたは算出される。位置値は、ケーブル23を介して、後続の電子装置、たとえば機械の数値制御装置へと伝送することができる。ゆえに、センサユニットが装着された位置決め装置または角度測定装置は、機械部品に位置固定可能なセンサユニットと、スケール21.1を有する構成部材21との間の角度位置を検出するのに用いられる。
さらにプレート22には、背面側に、つまり第2の面に、たとえばケーブル端子22.2(ここでは差込式コネクタ)および別の電子部品22.3が実装される。したがって別の電子部品22.3およびケーブル端子22.2は、プレート22の第1の表面O1とは反対の側の、プレート22の第2の面に配置されている。
図13における組立体によるセンサユニットを、ここではたとえば背面側で、電気絶縁性の材料の射出成形により取り囲むことができるので、プレート22の、図13において上側に位置する面、電子部品22.1,22.2、および接続ケーブル23の接続のためのケーブル端子22.2が、外部影響から防護されている。この場合、射出成形部は、同時に、ケーブル23に対するストレインリリーフとして用いられてもよい。
図14、図15および図16に基づいて、第2の実施の形態を説明する。この第2の実施の形態によれば、第1のサブキャリア7に、第1の補助層71が、たとえばスパッタリングまたは蒸着によって、または接着層として被着される。提案される実施の形態では、第1補助層71の材料として、アルミニウムが用いられる。この場合、第1の補助層71に誘電性の層72が被着される。ここでは、誘電性の層72の材料として、たとえば割合小さな粒径を有する充填材料を含むフェノール樹脂を使用することができる。
これに続いて、誘電性の層72は、光化学法を用いて、誘電性の層72内に開口72.1,72.2が生じるように構造化され、その際、該当する箇所では、第1の補助層71が露出している。
その後で、半導体層構造2が、基材1とともに、ピックアンドプレースプロセスによって、基材1が誘電性の層72に押し込まれるように第1のサブキャリア7上に設置される。その際、半導体層構造2の周囲に延在する縁部が、誘電性の層72によって囲繞されるので、半導体層構造2は、そこに取り付けられており、縁領域は、付加的に不動態化されているが、第1の補助層71から間隔を置いて配置されている。
第2の実施の形態による、光源を製造する別の加工プロセスは、原則として、第1の実施の形態と同様に進行する。ただし第2の実施の形態では、導電性の層30は、第1の実施の形態とは異なる形状を有する。図16によれば、導電性の層30が開口72.2内へ延在するように、電気めっきプロセスが行われる。さらにここでは、光源の製造中に、第1のサブキャリア7が、第1の補助層71とともに、別の層構造から分離される。したがって、つまり製造プロセスにおいて、第1の補助層71が誘電性の層72から分離されるので、誘電性の層72が光源の構造に留まる。
導電性の層30は、開口72.2の領域で、第1の端子4にコンタクトされる。第2の端子5は、第1の実施の形態に相応して、半導体層構造2にコンタクトする。
1 基材
1.1 第1の面
1.2 第2の面
1.3 第3の面
1.4 第4の面
1.5 第5の面
1.6 第6の面
2 半導体構造
3 導電性の層
7 第1のサブキャリア
7.1 接着層
8 絶縁性の層
9 接着剤
10 ヒートシンク
11 封止材
12 接着層
13 支持体
14 第1の層
15 第2の層
16 電子素子
18 第2のサブキャリア
20 導電性の層
20.1 第1の導体トラック
20.2 第2の導体トラック
21 構成部材
21.1 スケール
21.2 シャフト
22 プレート
22.1 電子部品
22.2 電子部品
22.3 電子部品
23 接続ケーブル
24.1 電気絶縁性の第1の層
24.2 電気絶縁性の第2の層
30 導電性の層
71 補助層
72 誘電性の層
72.1,72.2 開口
L 光源
P パネル
R 回転軸線
S 側

Claims (15)

  1. 位置測定装置のセンサユニット用の光源(L)において、
    第1の面(1.1)と複数の別の面(1.2〜1.6)とを有し、前記別の面(1.2〜1.6)のうちの少なくとも1つは、前記第1の面(1.1)に対して相対的に傾斜してまたは変位して配置されている、導電性の基材(1)と、
    前記第1の面(1)に被着された半導体層構造(2)と、
    前記別の面(1.2〜1.6)のうちの少なくとも1つで前記基材(1)にコンタクトする、導電性の層(3;30)と、
    第1の電気的な端子(4)および第2の電気的な端子(5)であって、前記第1の電気的な端子(4)は、前記導電性の層(3;30)に接続されていて、かつ前記第2の電気的な端子(5)は、前記半導体層構造(2)に接続されており、これにより、前記端子(4,5)に電圧差が印加されると、前記半導体層構造(2)によって、前記光源(L)の第1の側(S)で、前記第1の面(1.1)に対して直交する方向成分を有する光を放出可能であり、両方の前記端子(4,5)は、前記光源(L)の前記第1の側(S)に配置されている、第1の電気的な端子(4)および第2の電気的な端子(5)と、
    を備える、光源(L)。
  2. 前記導電性の層(3;30)は、前記別の面(1.2〜1.6)のうちの2つで前記基材(1)にコンタクトする、請求項1に記載の光源(L)。
  3. 前記導電性の層(3;30)は、前記別の面(1.2〜1.6)のうちの4つで前記基材(1)にコンタクトする、請求項1に記載の光源(L)。
  4. 前記別の面(1.2〜1.6)のうちの4つが、前記第1の面(1.1)に対して直交して配置されている、請求項3に記載の光源(L)。
  5. 前記導電性の層(3;30)は、前記別の表面(1.2〜1.6)のうちの5つで前記基材(1)にコンタクトする、請求項1に記載の光源(L)。
  6. 前記基材(1)は、直方体状の形状を有する、請求項1から5までのいずれか1項に記載の光源(L)。
  7. 前記基材(1)は、前記導電性の層(3;30)とともに、第1の封止材(11)に埋入されている、請求項1から6までのいずれか1項に記載の光源(L)。
  8. 位置測定装置のセンサユニット用の光源(L)を製造する方法において、以下のステップ:
    基材(1)を用意するステップであって、前記基材(1)は、第1の面(1.1)と複数の別の面(1.2〜1.6)とを有し、前記別の面(1.2〜1.6)のうちの少なくとも1つは、前記第1の面(1.1)に対して相対的に傾斜してまたは変位して配置されており、前記第1の面(1.1)に、半導体層構造(2)が被着されている、ステップと、
    導電性の層(3;30)を前記別の面(1.2〜1.6)のうちの少なくとも1つに被着するステップであって、これにより、前記導電性の層(3;30)が、前記基材(1)にコンタクトする、ステップと、
    第1の電気的な端子(4)が前記導電性の層(3;30)に接続され、かつ第2の電気的端子(5)が前記半導体層構造(2)に接続されるように、前記第1の電気的な端子(4)および前記第2の電気的な端子(5)を形成するステップであって、これにより、前記端子(4,5)に電圧差が印加されると、前記半導体層構造(2)によって、前記光源(L)の第1の側(S)で、前記第1の面(1.1)に対して直交する方向成分を有する光を放出可能であり、両方の前記端子(4,5)は、前記光源(L)の前記第1の側(S)に配置されている、ステップと、
    を有する、方法。
  9. 前記導電性の層(3;30)を被着する前に、前記半導体層構造(2)を第1のサブキャリア(7)に取り付け、これにより、前記半導体層構造(2)が、前記基材(1)の前記第1の面(1.1)と前記第1のサブキャリア(7)との間に配置されている、請求項8に記載の方法。
  10. 前記導電性の層(3;30)を、第1のサブキャリア(7)にも被着する、請求項9に記載の方法。
  11. 前記導電性の層(3;30)を、電気めっきプロセスによって被着する、請求項9または10に記載の方法。
  12. センサユニットと、該センサユニットに対して相対的に運動可能な、スケール(21.1)を有する構成部材(21)とを備え、前記センサユニットは、請求項1に記載の光源(L)と、光検出器(2)とを有する、位置測定装置。
  13. 前記光検出器(16)は、感光性の面(16.1)を有し、前記光源(L)の前記第1の側(S)と前記感光性の面(16.1)とは、前記センサユニットの同一の側に配置されている、請求項12に記載の位置測定装置。
  14. 前記構成部材(21)は、前記センサユニットに対して相対的に回転可能であり、前記スケール(21.1)は、角度スケールとして構成されている、請求項12または13に記載の位置測定装置。
  15. 前記構成部材(21)は、前記センサユニットに対して相対的に線形に摺動可能であり、前記スケール(21.1)は、長さスケールとして構成されている、請求項12または13に記載の位置測定装置。
JP2020065518A 2019-05-27 2020-04-01 光源、その製造方法および光源を備える位置測定装置 Active JP7514101B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP19176650.0A EP3745090B1 (de) 2019-05-27 2019-05-27 Lichtquelle sowie verfahren zu deren herstellung und positionsmesseinrichtung mit einer lichtquelle
EP19176650 2019-05-27

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020194957A true JP2020194957A (ja) 2020-12-03
JP2020194957A5 JP2020194957A5 (ja) 2023-01-06
JP7514101B2 JP7514101B2 (ja) 2024-07-10

Family

ID=66655184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020065518A Active JP7514101B2 (ja) 2019-05-27 2020-04-01 光源、その製造方法および光源を備える位置測定装置

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP3745090B1 (ja)
JP (1) JP7514101B2 (ja)
CN (1) CN112003123A (ja)
DE (1) DE102020203336A1 (ja)

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9166130B2 (en) * 2012-10-24 2015-10-20 Spectrasensors, Inc. Solderless mounting for semiconductor lasers
TWI251355B (en) 2004-12-22 2006-03-11 Opto Tech Corp A LED array package structure and method thereof
JP4708214B2 (ja) * 2006-02-23 2011-06-22 浜松ホトニクス株式会社 光送受信デバイス
JP4396754B2 (ja) 2007-07-11 2010-01-13 ソニー株式会社 配線への素子の電気的接続方法及び発光素子組立体の製造方法
US8111730B2 (en) * 2009-08-20 2012-02-07 International Business Machines Corporation 3D optoelectronic packaging
JP2011222724A (ja) 2010-04-08 2011-11-04 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP5681407B2 (ja) 2010-07-26 2015-03-11 株式会社小糸製作所 発光モジュール
US20130163627A1 (en) * 2011-12-24 2013-06-27 Princeton Optronics Laser Illuminator System
DE102012108627B4 (de) 2012-09-14 2021-06-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Halbleitervorrichtung und Trägerverbund
JP2014135306A (ja) 2013-01-08 2014-07-24 Ibiden Co Ltd 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP2015153793A (ja) 2014-02-11 2015-08-24 豊田合成株式会社 半導体発光素子とその製造方法および発光装置
JP6261380B2 (ja) 2014-02-27 2018-01-17 株式会社東京精密 光学式エンコーダ
US9647423B2 (en) * 2014-06-20 2017-05-09 PlayNitride Inc. Flip chip type laser diode and lateral chip type laser diode
KR101626832B1 (ko) * 2014-12-23 2016-06-02 금오공과대학교 산학협력단 면발광 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법
CN107926114B (zh) 2015-09-03 2021-08-06 亮锐控股有限公司 制作led设备的方法
EP3399284B1 (de) 2017-05-03 2019-07-10 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Sensoreinheit zur positionsmessung
DE102017112223A1 (de) 2017-06-02 2018-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser-Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaser-Bauteils

Also Published As

Publication number Publication date
CN112003123A (zh) 2020-11-27
DE102020203336A1 (de) 2020-12-03
EP3745090A1 (de) 2020-12-02
EP3745090B1 (de) 2021-07-14
JP7514101B2 (ja) 2024-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10192835B2 (en) Substrate designed to provide EMI shielding
US5093617A (en) Hall-effect sensor having integrally molded frame with printed conductor thereon
US20170148966A1 (en) Surface-Mountable Semiconductor Component and Method for Producing Same
JP2018124273A (ja) 位置を測定するためのセンサ
JP2004111906A (ja) 光電素子部品
CN108844458B (zh) 用于位置测量的传感器单元
JP7219675B2 (ja) 位置測定装置のセンサーユニットのための光源を製作する方法及び位置測定装置
JP2018189647A5 (ja)
JP7328798B2 (ja) 位置測定装置のセンサーユニット用の光源を製作する方法及び位置測定装置
WO2006008883A1 (ja) 反射形光学式検出器
US8835944B2 (en) Lighting device
JP2004193404A (ja) 回路モジュール、及びその製造方法
JP3196434B2 (ja) マルチチップicの製造方法
JP2020194957A (ja) 光源、その製造方法および光源を備える位置測定装置
TWI785195B (zh) 半導體裝置
US7518157B2 (en) Optoelectronic component assembly
JP2004273690A (ja) 極小光源用led素子およびその製造方法
KR20070028715A (ko) 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
CN112185946A (zh) 具有电气隔离的半导体芯片的半导体装置
JP2020194957A5 (ja)
JP6809049B2 (ja) 発光装置の検査方法
JP2001110847A (ja) 電子部品の保持治具、保持方法および電子部品の製造方法
US20210249390A1 (en) Optoelectronic semiconductor component and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor component
CN114597186A (zh) 芯片模块,芯片模块的用途,测试布置和测试方法
CN109073412A (zh) 传感器、传感器的基板以及传感器的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20200707

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221223

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221223

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20231113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240308

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240605

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240628

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7514101

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150