JP2020177785A - プラズマ処理装置 - Google Patents

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和宏 西川
大輔 ▲高▼橋
大輔 ▲高▼橋
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野村 勝
Masaru Nomura
野村  勝
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Abstract

【課題】ワークをステージに適切にセットしてプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置の提供。【解決手段】ステージ1に載置されたワーク200をプラズマ処理するプラズマ処理装置100であって、ワーク200のステージ1への載置状態の検査に使用される検査回路部C2と、プラズマ処理に使用されるプラズマ処理回路部と、検査回路部C2と前記プラズマ処理回路部との選択を可能とする第1切替部4と、を有し、検査回路部C2は、ステージ1に含まれ、ワーク200がステージ1におけるプラズマ処理用の所定位置に載置された場合にワーク200と電気的に接続される検査用接続部13と、ワーク200と検査用接続部13との間の電気抵抗を含む検査用電気抵抗を計測可能に設けられる計測部5と、を有する。【選択図】図2

Description

本発明は、プラズマ処理装置に関する。
従来、一対の電極間に設けた載置台にワークを位置させた状態にて、一対の電極間に高周波を印加することによりプラズマを発生させ、ワークをプラズマ処理する方法が知られている。
特開2010−87049号公報には、対向配置された上部電極および下部電極と、上部電極および下部電極間に被処理面を有するワークが位置するように、ワークを載置する載置面を備える載置部と、を有するプラズマ処理装置が開示される。載置面を備える下部電極には、載置面から出没自在なピン(突起)が設けられている。突起は、その先端面が載置面より突出した突出状態と、載置面と一致した収容状態とに移動する。
特開2010−87049号公報
特開2010−87049号公報の構成によれば、載置面上の所定位置にワークを正確に配置することができる。ただし、この構成では、所定位置に配置されたワークが、載置面に対して正しく載せられているか否かまでは把握することはできない。例えば、ワークと載置面との間に微小な隙間が形成された場合に、プラズマ処理を適切に行えなくなる可能性がある。
本発明は、ワークをステージに適切にセットしてプラズマ処理を行うことができる技術を提供することを目的とする。
本発明の例示的なプラズマ処理装置は、ステージに載置されたワークをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記ワークの前記ステージへの載置状態の検査に使用される検査回路部と、前記プラズマ処理に使用されるプラズマ処理回路部と、前記検査回路部と前記プラズマ処理回路部との選択を可能する第1切替部と、を有する。前記検査回路部は、前記ステージに含まれ、前記ワークが前記ステージにおける前記プラズマ処理用の所定位置に載置された場合に前記ワークと電気的に接続される検査用接続部と、前記ワークと前記検査用接続部との間の電気抵抗を含む検査用電気抵抗を計測可能に設けられる計測部と、を有する。
例示的な本発明によれば、ワークをステージに適切にセットしてプラズマ処理を行うことができる。
図1は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を示す模式図である。 図2は、図1に示す状態から使用する回路部が切り替えられた状態を示す模式図である。 図3は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を示すブロック図である。 図4は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部による制御処理を示すフローチャートである。 図5は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第1変形例を示す模式図である。 図6は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第2変形例を示す模式図である。 図7は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第3変形例を示す模式図である。 図8は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第4変形例を示す模式図である。 図9は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第5変形例を示す模式図である。 図10は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第6変形例を示す模式図である。 図11は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第6変形例を示す模式図である。 図12は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の第7変形例を示す模式図である。
以下、本発明の例示的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本明細書では、プラズマ処理装置100の説明にあたって、ステージ1に対してワーク200が配置される側を上として、上下方向を定義する。また、上下方向に直交する面と平行な方向を水平方向とする。これらの方向は、各部の形状や位置関係を説明するために用いられる名称であって、実際の位置関係及び方向を限定するものではない。
<1.プラズマ処理に関わる構成>
図1は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置100の構成を示す模式図である。図1に示すように、プラズマ処理装置100は、ステージ1と、電極部2と、電源部3とを有する。
ステージ1は、プラズマ処理の対象となるワーク200が載置される場所である。ステージ1は、主として、例えば金属等の導電性を有する部材で構成される。本実施形態では、ステージ1は、水平方向に広がる板状である。ステージ1は、後述のリレースイッチ41がオンとされることにより、電源部3と電気的に接続される。なお、ステージ1の上側に載置されるワーク200は、例えば金属等の導電性の材料で構成される。ワーク200は、リレースイッチ41がオンである場合に、ステージ1を介して電源部3に電気的に接続される。
電極部2は、ステージ1に載置されたワーク200と対向して配置される。詳細には、電極部2は、ステージ1に載置されたワーク200の上側に隙間Sを介して配置される。電極部2は、上下に延びる柱状である。本実施形態では、電極部2は、概ね金属等の導電性の部材で構成される。電極部2は、導電性の部材の下面を覆う誘電体21を有する。このために、ワーク200は、誘電体21と上下方向に隙間Sを介して対向する。誘電体21は、例えば、アルミナ、ジルコニア、又は、快削性セラミック等のセラミック材料により構成される。
電源部3は、ステージ1と電気的に接続される端子と反対側の端子が電極部2に電気的に接続される。電源部3は、高電圧電源である。電源部3は、高電圧を高周波で印加することができる交流電源である。電源部3が印加する電圧の周波数は、例えば、1kHz〜100kHzである。電源部3が印加する電圧の波形は、パルス波形が好ましい。ただし、印加電圧の波形は、例えば正弦波又は矩形波等の他の波形であってもよい。また、電源部3が印加する電圧の大きさは、例えば5kVpp〜20kVppである。印加電圧の大きさは、例えば電極部2とワーク200との上下方向間の隙間Sの大きさ等を考慮して適宜設定される。
ワーク200がステージ1に載置され、図1に示す状態で電源部3により高周波の高電圧が印加される。これにより、電極部2とワーク200との間で誘電体バリア放電が行われ、隙間Sに供給される処理ガスがプラズマ化される。プラズマPがワーク200の表面に接触し、ワーク200の表面がプラズマ処理される。すなわち、プラズマ処理装置100は、ステージ1に載置されたワーク200をプラズマ処理する。プラズマ処理には、例えば、表面改質処理、薄膜形成処理、アッシング処理、又は洗浄処理等が含まれる。
なお、処理ガスは、不図示のガス供給手段によって外部から隙間Sに供給されてよい。ただし、ガス供給手段は配置されなくてもよく、処理ガスは隙間Sに自然に供給されるガスであってもよい。また、処理ガスの種類は、処理目的に応じて適宜選択されればよく、特に限定されない。例えば、金属製のワーク200の表面に付着した切削油などの残渣を除去する場合には、処理ガスは窒素に対して微量に酸素を添加した混合ガスであってよい。
また、電源部3によって印加する電圧の波形制御によりアーク放電を抑制することができる場合等には、電極部2は誘電体21を有さなくてもよい。すなわち、電極部2の誘電体21は必須ではない。
また、本実施形態では、プラズマ処理は大気圧下で行われる。これによれば、密閉容器内にワーク200を配置して減圧下でプラズマ処理を行う場合に比べて、作業効率を向上することができる。また、減圧に耐える強固な密閉容器が不要になるため、プラズマ処理を安価に行うことができる。ただし、プラズマ処理装置100は、減圧下でプラズマ処理を行う装置とされてもよい。
以上の説明からわかるように、プラズマ処理装置100は、プラズマ処理に使用されるプラズマ処理回路部C1を有する。プラズマ処理回路部C1は、ステージ1、電極部2、および、電源部3を有する。プラズマ処理回路部C1は、誘電体バリア放電により生じるプラズマを介して電極部2と電気的に接続されるワーク200とともにプラズマ処理時の回路を形成する。
<2.載置状態の検査に関わる構成>
図2は、図1に示す状態から使用する回路部が切り替えられた状態を示す模式図である。プラズマ処理装置100は、図1に示すプラズマ処理回路部C1を使用する状態から、図2に示す検査回路部C2を使用する状態に切替可能に設けられる。当該切替は、第1切替部4により行われる。換言すると、プラズマ処理装置100は、プラズマ処理回路部C1と、検査回路部C2と、第1切替部4とを有する。第1切替部4は、プラズマ処理回路部C1と検査回路部C2との選択を可能とする。
検査回路部C2は、ワーク200のステージ1への載置状態の検査に使用される。検査回路部C2は、検査用接続部13と、計測部5とを有する。
検査用接続部13は、ステージ1に含まれる。検査用接続部13は、ワーク200がステージ1におけるプラズマ処理用の所定位置に配置された場合にワーク200と電気的に接続される。換言すると、検査用接続部13がワーク200と電気的に接続されていない場合には、ワーク200はステージ1におけるプラズマ処理用の所定位置に配置されていない。このような状態では、プラズマ処理は適切に行われない。ワーク200が検査用接続部13と電気的に接続された状態で、プラズマ処理回路部C1を用いたプラズマ処理が適切に行われる。
本実施形態では、検査用接続部13は、ステージ1の上面から上方に向けて延びるピン形状である。これに対応にして、ワーク200の下面には、検査用接続部13を挿入する不図示の凹部が形成されている。検査用接続部13をピン形状とすることにより、ワーク200を所定位置に簡単に配置し易くできる。検査用接続部13は導電性を有する。検査用接続部13の上端部は、例えば球面状であってよい。検査用接続部13は、ステージ1と単一部材であってよい。また、検査用接続部13は、ステージ1とは別部材で構成され、ステージ1に固定されることによりステージ1と一体になってもよい。
なお、検査用接続部13は、ピン形状でなくてもよく、例えば、ステージ1の上面の一部の平面領域であってよい。この構成の場合、ワーク200は、例えば負圧発生手段により発生される負圧を利用して平面領域に固定されてよい。また、検査用接続部13は、ステージ1の上面に形成される凹部であってもよい。この構成の場合、ワーク200の下面には、凹部に挿入される凸部が設けられてよい。
検査用接続部13は、ステージ1の上面に複数配置される。検査用接続部13の数は、例えば3つとすることが好ましい。これにより、ステージ1上における検査用接続部13の数を少なくしてワーク200をバランス良く支持することができる。また、これにより、プラズマ処理中にワーク200が所定位置からずれるといった事態の発生を抑制することができる。
詳細には、ステージ1は、互いに電気的に独立した第1分割ステージ11および第2分割ステージ12を有する。第1分割ステージ11と第2分割ステージ12とは、水平方向に間隔をあけて配置される。第1分割ステージ11と第2分割ステージ12との水平方向間には、絶縁部材14が配置される。絶縁部材14は、例えば絶縁性の樹脂またはセラミック等で構成される。なお、第1分割ステージ11は、第1導線6aにより、後述のリレースイッチ41を介して電源部3に接続される。一方、第2分割ステージ12を電源部3に接続する導線は設けられない。また、ステージ1が有する分割ステージの数は3つ以上であってよい。
第1分割ステージ11および第2分割ステージ12には、それぞれ、検査用接続部13が設けられる。本実施形態では、第1分割ステージ11には、検査用接続部13が1つ設けられる。第2分割ステージ12には、検査用接続部13が2つ設けられる。以下、第1分割ステージ11に配置される検査用接続部13を第1検査用接続部131と記載することがある。第2分割ステージ12に配置される検査用接続部13を第2検査用接続部132と記載することがある。
なお、例えば、検査用接続部13の数が3つ、且つ、分割ステージの数が3つである場合には、各分割ステージに1つずつ検査用接続部13が配置されてよい。すなわち、検査用接続部13が3つ以上であっても、第2分割ステージ12には、検査用接続部13が1つのみ設けられてよい。
計測部5は、ワーク200と検査用接続部13との間の電気抵抗を含む検査用電気抵抗を測定可能に設けられる。本実施形態において、計測部5は抵抗計である。第1切替部4による検査回路部C2の選択時において、計測部5が有する2つの接続端子(不図示)のうちの一方は、第1分割ステージ11に電気的に接続される。2つの接続端子のうちの他方は第2分割ステージ12に接続される。
本実施形態では、第1切替部4は複数のリレースイッチ41〜43により構成される。第1切替部4を構成するリレースイッチは、耐圧性の高い機械式のリレースイッチであることが好ましい。第1リレースイッチ41は、電源部3と第1分割ステージ11とを接続する第1導線6aの途中に配置される。第1リレースイッチ41がオンとされると、電源部3と第1分割ステージ11とが電気的に接続される。第1リレースイッチ41がオフとされると、電源部3と第1分割ステージ11とは電気的に非接続になる。
第2リレースイッチ42は、計測部5と第1分割ステージ11とを接続する第2導線6bの途中に配置される。第2リレースイッチ42がオンとされると、計測部5と第1分割ステージ11とが電気的に接続される。第2リレースイッチ42がオフとされると、計測部5と第1分割ステージ11とは電気的に非接続になる。第3リレースイッチ43は、計測部5と第2分割ステージ12とを接続する第3導線6cの途中に配置される。第3リレースイッチ43がオンとされると、計測部5と第2分割ステージ12とが電気的に接続される。第3リレースイッチ43がオフとされると、計測部5と第2分割ステージ12とは電気的に非接続になる。
図1に示すように、第1リレースイッチ41がオンとされ、第2リレースイッチ42および第3リレースイッチ43がオフとされることにより、プラズマ処理回路部C1が選択される。これにより、上述したプラズマ処理回路部C1を用いた、ワーク200のプラズマ処理が可能になる。
一方、図2に示すように、第1リレースイッチ41がオフとされ、第2リレースイッチ42および第3リレースイッチ43がオンとされることにより、検査回路部C2が選択される。検査回路部C2は、計測部5と、第1検査用接続部131を含む第1分割ステージ11と、第2検査用接続部132を含む第2分割ステージ12とを有する。ステージ1にワーク200が載置されると、検査回路部C2は、ワーク200とともに抵抗計測回路を形成する。
ワーク200がステージ1にプラズマ処理を行うための適切な位置に載置された場合、ワーク200と検査用接続部13とは接触し、この部分に大きな抵抗は生じない。このために、計測部5は、抵抗計測回路を構成する各部材の抵抗値を合算した抵抗値、或いは、それに近い抵抗値を計測する。一方、ワーク200がステージ1に正しく載せられず、ワーク200と検査用接続部13との間に隙間が生じることがある。この場合、計測部5は、各部材の抵抗値を合算した抵抗値を大きく超える抵抗値を計測する。すなわち、本実施形態によれば、計測部5の計測結果に基づき、ワーク200がプラズマ処理を行うための所定位置に適切に載置された否かを確認することができ、プラズマ処理を適切に行うことができる。
プラズマ処理装置100においては、検査用接続部13は、プラズマ処理回路部C1に兼用される。このために、プラズマ処理回路部C1と検査回路部C2との2つの回路部を有するプラズマ処理装置100の構成を簡素化できる。また、本構成では、プラズマ処理時にプラズマ処理用の回路を構成する部分に対して直接的に検査回路部C2を用いた検査を適用することができる。このために、プラズマ処理時に不具合が発生する可能性を低減することができる。
本実施形態では、第1分割ステージ11の検査用接続部13がプラズマ処理回路部C1に兼用される。すなわち、第1検査用接続部131がプラズマ処理回路部C1に兼用される。プラズマ処理時においては、第1検査用接続部131を含む第1分割ステージ11が電気の通り道となる。ワーク200のステージ1への載置の仕方が不適切で、第1検査用接続部131とワーク200との間に隙間が生じることが起り得る。このような状態でプラズマ処理が行われると、第1検査用接続部131とワーク200との間の隙間で放電が生じる可能性がある。このような異常放電が生じると、ワーク200の表面に所定のプラズマ処理が行えないだけでなく、ワーク200に損傷を与える可能性がある。本実施形態では、検査回路部C2を用いた検査によって、プラズマ処理を行う前に、第1検査用接続部131とワーク200との間に隙間が発生していることを検出することができる。このために、本実施形態によれば、ワーク200に損傷を与えることなく、ワーク200の表面に適切にプラズマ処理を行うことができる。
また、本実施形態では、第1検査用接続部131を含む第1分割ステージ11と、第2検査用接続部132を含む第2分割ステージ12とにステージ1を分割しているために、ワーク200をステージ1に載置するだけで検査回路部C2を用いた検査を簡単に行うことができる。更に、本実施形態では、2つの分割ステージ11、12のうちの一方だけがプラズマ処理回路部C1と検査回路部C2とに兼用される構成であるために、配線を簡素化することができる。
<3.制御処理について>
図3は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置100の構成を示すブロック図である。図3に示すように、プラズマ処理装置100は、上述した電源部3、第1切替部4、および計測部5を有する。プラズマ処理装置100は制御部7を更に有する。制御部7は、プラズマ処理装置100の全体を制御する。制御部7は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Unit)、及び、ROM(Read Only Memory)などを備えるコンピュータで構成される。
プラズマ処理装置100は、その他、報知部8を有する。報知部8は、検査回路部C2を用いた検査によってワーク200の載置状態に関して異常を検出した場合に、異常を作業者に報知する。報知部8は、例えば、音によって異常を報知する手段であってよい。また、報知部8は、例えば、文字等を表示する表示画面を利用して異常を報知する手段であってよい。また、報知部8は、例えば、光の点灯を利用して異常を報知する手段であってよい。報知部8は、前述した複数の手段を組み合わせた構成であってもよい。
制御部7は、第1切替部4の動作を制御する。本実施形態では、制御部7は、第1リレースイッチ41、第2リレースイッチ42、および、第3リレースイッチ43のオンオフを制御する。これによれば、制御部7により自動的に第1切替部4を動作させることができ、作業負担を軽減できる。制御部7は、その他、電源部3、計測部5、および、報知部8の動作を制御する。また、制御部7は、計測部5による計測結果を計測部5から受け取る。
図4は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置100の制御部7による制御処理を示すフローチャートである。制御部7は、ワーク200がステージ1に載置されると、制御動作を開始する。なお、制御部7は、ワーク200がステージ1に載置されたことを自動で検出してもよいし、作業者からの指令で検出してもよい。制御部7は、例えば、不図示のカメラから得られる画像を画像処理することにより、ワーク200がステージ1に載置されたことを自動検出する。
ステップS1では、制御部7は、第1切替部4を制御して検査回路部C2を選択させる。詳細は、制御部7は、第1リレースイッチ41をオフ、第2リレースイッチ42および第3リレースイッチ43をオンとさせる。これにより、プラズマ処理装置100は、検査回路部C2を使用した検査動作を行うことが可能になる。制御部7は、検査回路部C2を選択させる動作の終了により、次のステップS2に処理を進める。
ステップS2では、制御部7は、計測部5を制御して検査用電気抵抗を計測させる。これにより、制御部7は、計測部5から検査用電気抵抗の計測結果を取得する。制御部7は、計測結果の取得により、次のステップS3に処理を進める。
ステップS3では、制御部7は、計測結果から異常が認められるか否かを確認する。詳細には、制御部7は、取得した抵抗値が所定の閾値以上である場合に、ワーク200がステージ1に適切に載置されていない異常状態を検出する。一方、制御部7は、取得した抵抗値が所定の閾値より小さい場合には、異常状態を検出しない。制御部7は、異常が検出された場合に(ステップS3でYes)、ステップS4に処理を進める。一方、制御部7は、異常が検出されなかった場合に(ステップS3でNo)、ステップS5に処理を進める。
ステップS4では、制御部7は、報知部8を制御して、ワーク200の載置状態が不適切であることを作業者に向けて報知させる。報知部8の動作により、例えば警報音が発せられる。これにより、作業者はワーク200をステージ1に置き直す等の対応を行うことができる。
ステップS5では、制御部7は、第1切替部4を制御してプラズマ処理回路部C1を選択させる。詳細は、制御部7は、第1リレースイッチ41をオン、第2リレースイッチ42および第3リレースイッチ43をオフとさせる。これにより、プラズマ処理装置100は、プラズマ処理回路部C1を使用したプラズマ処理を行うことが可能になる。制御部7は、プラズマ処理回路部C1を選択させる動作の終了により、次のステップS6に処理を進める。
ステップS6では、制御部7は、電源部3の動作を制御して、プラズマを発生させる。プラズマの発生により、ワーク200の表面がプラズマ処理される。本実施形態では、ワーク200がステージ1に適切に載置された状態でプラズマ処理が行われるので、適切にワーク200のプラズマ処理を行うことができる。
<4.変形例>
(4−1.第1変形例)
図5は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置100の第1変形例を示す模式図である。図5は、プラズマ処理回路部C1Aが選択された状態を示す。図5に示すように、第1変形例のプラズマ処理装置100Aにおいては、ステージ1は電源部3に接続可能とされる代わりに、接地可能とされている。
プラズマ処理回路部C1Aが選択された場合には、第1切替部4Aを構成する第1リレースイッチ41Aがオンされて、ステージ1は接地される。詳細には、第1分割ステージ11が接地される。第1リレースイッチ41Aは、第1分割ステージ11とグラウンドとを接続する第4導線6dの途中に配置される。なお、プラズマ処理回路部C1Aが選択された場合には、第2リレースイッチ42および第3リレースイッチ43はオフである。このような構成においても、上述の実施形態と同様に、ワーク200がステージ1に適切に載置された状態でプラズマ処理が行え、ワーク200のプラズマ処理を適切に行うことができる。
(4−2.第2変形例)
図6は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置100の第2変形例を示す模式図である。図6は、プラズマ処理回路部C1が選択された状態を示す。第2変形例のプラズマ処理装置100Bにおいても、第1切替部4Bは、複数のリレースイッチ41〜45により構成される。ただし、第4リレースイッチ44および第5リレースイッチ45が追加された点が上述の実施形態と異なる。
第2変形例においては、検査回路部C2Bは、検査用接続部13と計測部5との間において直列に配置される複数のリレースイッチ42〜45を有する。詳細には、上述の実施形態の構成と比べて、第1検査用接続部131と計測部5との間に、第4リレースイッチ44が追加されている。第4リレースイッチ44は、第2リレースイッチ42と計測部5との間に直列に配置される。すなわち、第1検査用接続部131と計測部5との間に、直列に配置される2つのリレースイッチ42、44が配置される。また、上述の実施形態の構成と比べて、第2検査用接続部132と計測部5との間に、第5リレースイッチ45が追加されている。第5リレースイッチ45は、第3リレースイッチ43と計測部5との間に直列に配置される。すなわち、第2検査用接続部132と計測部5との間に、直列に配置される2つのリレースイッチ43、45が配置される。
本変形例によれば、例えば第2リレースイッチ42および第3リレースイッチ43が故障してオフとならなかった場合でも、第4リレースイッチ44および第5リレースイッチ45がオフとなっていれば、プラズマ処理時に計測部5に電流が流れ込むことを阻止できる。すなわち、本変形例によれば、プラズマ処理時に計測部5に電流が流れ込んで計測部5が故障する可能性を低減できる。
なお、本変形例において、第1検査用接続部131と計測部5との間、および、第2検査用接続部132と計測部5との間に配置されるリレースイッチの数は、それぞれ、3つ以上であってもよい。また、第1検査用接続部131と計測部5の間と、第2検査用接続部132と計測部5の間とで、配置されるリレースイッチの数が異なってもよい。
(4−3.第3変形例)
図7は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置100の第3変形例を示す模式図である。図7は、プラズマ処理回路部C1が選択された状態を示す。第3変形例のプラズマ処理装置100Cは、第2変形例の構成と概ね同じである。ただし、プラズマ処理装置100Cが、第2切替部9を更に有する。この点が第2変形例と異なる。
第2切替部9は、計測部5と並列に配置される。第2切替部9は、第1分割ステージ11と第2分割ステージ12との電気的な接続の切り替えを可能とする。第2切替部9は、リレースイッチであってよい。第2切替部9を構成するリレースイッチは、耐圧性の高い機械式のリレースイッチであることが好ましい。第2切替部9の動作は、制御部7によって制御されることが好ましい。詳細には、第2切替部9の一方の端子は、第5導線6eと第2導線6bの一部とを介して、第1分割ステージ11と第2リレースイッチ42の一方の端子とに電気的に接続される。第2切替部9の他方の端子は、第6導線6fと第3導線6cの一部とを介して、第2分割ステージ12と第3リレースイッチ43の一方の端子とに電気的に接続される。
第2切替部9は、第1切替部4Cによる検査回路部C2Cの選択時においてはオフとされる。これにより、第1分割ステージ11と第2分割ステージ12との絶縁状態が維持され、ステージ1におけるワーク200の載置状態を適切に検査することができる。一方、第2切替部9は、第1切替部4Cによるプラズマ処理回路部C1の選択時においてはオンとされる。これにより、プラズマ処理時においては、第1分割ステージ11と第2分割ステージ12とを導通させることができる。このために、プラズマ処理時に第2〜第5リレースイッチ42〜45が故障してオフとされなかった場合でも、計測部5の両端に高電圧が印加されることを抑制することができる。すなわち、計測部5が故障する可能性を低減することができる。
なお、第4リレースイッチ44および第5リレースイッチ45は設けられなくてもよい。
(4−4.第4変形例)
図8は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置100の第4変形例を示す模式図である。図8は、プラズマ処理回路部C1が選択された状態を示す。第4変形例のプラズマ処理装置100Dは、第3変形例の構成と概ね同じである。ただし、第2切替部9Dの配置が異なる。
本変形例では、第2切替部9Dの一方の端子は、第7導線6gと第2導線6bの一部とを介して、第2リレースイッチ42の一方の端子と第4リレースイッチ44の一方の端子とに電気的に接続される。第2切替部9Dの他方の端子は、第8導線6hと第3導線6cの一部とを介して、第3リレースイッチ43の一方の端子と第5リレースイッチ45の一方の端子とに電気的に接続される。本変形例でも、第2切替部9Dは、第1切替部4Dによる検査回路部C2Dの選択時においてはオフとされ、第1切替部4Dによるプラズマ処理回路部C1の選択時においてはオンとされる。本変形例でも、計測部5が故障する可能性を低減することができる。
(4−5.第5変形例)
図9は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置100の第5変形例を示す模式図である。図9は、プラズマ処理回路部C1Eが選択された状態を示す。第5変形例のプラズマ処理装置100Eは、第2分割ステージ12が電源部3と電気的に接続可能に設けられる点が、上述の実施形態の構成と異なる。この変更により、第2分割ステージ12と電源部3とを接続する第9導線6iが設けられ、第9導線6iの途中に第6リレースイッチ46が配置される。第6リレースイッチ46は、第1〜第3リレースイッチ41〜43とともに第1切替部4Eを構成する。
本変形例においては、第1分割ステージ11および第2分割ステージ12の検査用接続部13は、プラズマ処理回路部C1Eに兼用される。プラズマ処理回路部C1Eの選択時において、第1リレースイッチ41と第6リレースイッチ46とがオンとされ、第2リレースイッチ42と第3リレースイッチ43とがオフとされる。検査回路部C2の選択時において、第1リレースイッチ41と第6リレースイッチ46とがオフとされ、第2リレースイッチ42と第3リレースイッチ43とがオンとされる。
本変形例においては、第1検査用接続部131を含む第1分割ステージ11と、第2検査用接続部132を含む第2分割ステージ12とのうち、一方の分割ステージにおいて不具合があっても、他方側の分割ステージによりプラズマ処理用の回路を構成してプラズマ処理を行うことができる。
なお、第1分割ステージ11および第2分割ステージ12は、電源部3に接続可能とされる代わりに、接地可能とされてよい。
(4−6.第6変形例)
図10および図11は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置100の第6変形例を示す模式図である。図10は、プラズマ処理回路部C1Fが選択された状態を示す。図11は、検査回路部C2Fが選択された状態を示す。
本変形例でも、プラズマ処理回路部C1Fは、ステージ1Fと、電極部2と、電源部3とを有する。ただし、ステージ1Fは、上述の実施形態と異なり、分割されていない。
本変形例でも、検査回路部C2Fは、検査用接続部13と、計測部5とを有する。ただし、本変形例では、検査回路部C2Fは、第1金属プローブ101と第2金属プローブ102とを更に有する。この点、上述の実施形態と異なる。第1金属プローブ101は、ステージ1Fに対して電気的に接続可能に設けられる。第2金属プローブ102は、ワーク200に対して電気的に接続可能に設けられる。
計測部5が有する2つの接続端子(不図示)のうちの一方は、第1金属プローブ101に接続される。2つの接続端子のうちの他方は、第2金属プローブ102に接続される。図11に示すように、第1金属プローブ101の先端をステージ1Fに対して接触させ、且つ、第2金属プローブ102の先端をワーク200に対して接触させると、検査用抵抗を測定する抵抗計測回路が形成される。
すなわち、本変形例でも、ステージ1Fにワーク200が適切に配置されているか否かを確認することができる。本変形例では、抵抗計測回路を構成するに際して、金属プローブ101、102が利用されるために、ステージ1Fおよびワーク200との接触箇所における電気抵抗を小さくすることができる。このために、検査用接続部13とワーク200との間の抵抗を正確に判断しやくすることができる。
本変形例でも、プラズマ処理装置100Fは、検査回路部C2Fとプラズマ処理回路部C1Fとの選択を可能とする第1切替部4Fを有する。ただし、その構成は、上述の実施形態と異なる。第1切替部4Fは、ステージ1Fと、第1金属プローブ101および第2金属プローブ102とのうち少なくともいずれか一方を移動させる移動機構である。
本変形例では、第1切替部4Fは、第1移動機構47と第2移動機構48とを有する。第1移動機構47は、ステージ1Fを水平方向に移動可能とする公知の機構である。第2移動機構48は、計測部5とともに第1金属プローブ101および第2金属プローブ102を上下方向に移動可能とする公知の機構である。なお、第2移動機構48は、計測部5と、第1金属プローブ101および第2金属プローブ102とのうち、第1金属プローブ101および第2金属プローブ102のみを移動させる機構であってもよい。
図10に示す状態から、第1移動機構47によりステージ1Fを左方に移動させ、更に、第2移動機構48により計測部5、第1金属プローブ101および第2金属プローブ102を下方に移動させる。これにより、検査回路部C2Fを選択した状態が得られる。すなわち、ワーク200と検査用接続部13との間の電気抵抗を含む検査用電気抵抗を計測することができる。
一方、図11に示す状態から、第1移動機構47によりステージ1Fを右方に移動させ、更に、第2移動機構48により計測部5、第1金属プローブ101および第2金属プローブ102を上方に移動させる。これにより、プラズマ処理回路部C1Fを選択した状態が得られる。プラズマ処理回路部C1Fが選択された状態では、ステージ1Fに載置されるワーク200と、電極部2とが対向する。これにより、誘電体バリア放電により生じるプラズマPによりワーク200の表面をプラズマ処理することができる。
本変形例によれば、移動機構47、48を利用して検査回路部C2Fとプラズマ処理回路部C1Fとの選択を行うことができ、検査回路部C2Fとプラズマ処理回路部C1Fとの切り替えを効率良く行うことができる。なお、ステージ1Fを移動させる移動機構47と、金属プローブ101、102を移動させる移動機構48とは、いずれか一方だけ設けられてもよい。この場合、各移動機構47、48による移動方向は、図10および図11に示す移動方向から適宜変更されてよい。
(4−7.第7変形例)
図12は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置100の第7変形例を示す模式図である。図12は、プラズマ処理回路部C1が選択された状態を示す。第7変形例のプラズマ処理装置100Gは、上述の実施形態(図1および図2参照)の構成と概ね同様の構成である。ただし、ステージ1Gの構成が上述の実施形態の構成と異なる。
本変形例においては、水平方向の広がる導電性のステージ1Gは、その上面に、互いに水平方向に間隔をあけて配置される2つの絶縁部材14Gを有する。ステージ1Gは、2つの絶縁部材14Gの一方の上面から上方に延びる導電性の第1分割ステージ11Gと、2つの絶縁部材14Gの他方の上面から上方に延びる導電性の第2分割ステージ12Gとを有する。すなわち、本変形例においても、ステージ1Gは、互いに電気的に独立した第1分割ステージ11Gと第2分割ステージ12Gとを有する。
第1分割ステージ11Gは、第1導線6aにより、第1リレースイッチ41を介して電源部3に接続される。第1分割ステージ11Gは、第2導線6bにより、第2リレースイッチ42を介して計測部5が有する2つの接続端子の一方に接続される。第2分割ステージ12Gは、第3導線6cにより、第3リレースイッチ43を介して計測部5が有する2つの接続端子の他方に接続される。
第1分割ステージ11Gおよび第2分割ステージ12Gには、それぞれ、導電性の検査用接続部13Gが設けられる。本変形例では、第1分割ステージ11Gには、第1分割ステージ11Gから上方に延びる第1検査用接続部131Gが1つ設けられる。第2分割ステージ12Gには、第2分割ステージ12Gから上方に延びる第2検査用接続部13が少なくとも1つ設けられる。ワーク200は、第1検査用接続部131Gおよび第2検査用接続部132Gに支持される。
第1分割ステージ11Gは、プラズマ処理回路部C1に兼用される。第1切替部4による検査回路部C2の選択時において、計測部5が有する2つの接続端子のうちの一方は第1分割ステージ11Gに接続され、2つの接続端子のうちの他方は第2分割ステージ12Gに接続される。
<5.留意事項>
本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。また、本明細書中に示される複数の実施形態および変形例は可能な範囲で組み合わせて実施されてよい。
本発明は、ワークのプラズマ処理を行う装置に利用することができる。
1・・・ステージ
4・・・第1切替部
5・・・計測部
7・・・制御部
9・・・第2切替部
11・・・第1分割ステージ
12・・・第2分割ステージ
13・・・検査用接続部
41・・・第1リレースイッチ
42・・・第2リレースイッチ
43・・・第3リレースイッチ
44・・・第4リレースイッチ
45・・・第5リレースイッチ
46・・・第6リレースイッチ
47・・・第1移動機構
48・・・第2移動機構
100・・・プラズマ処理装置
101・・・第1金属プローブ
102・・・第2金属プローブ
200・・・ワーク
C1・・・プラズマ処理回路部
C2・・・検査回路部

Claims (10)

  1. ステージに載置されたワークをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
    前記ワークの前記ステージへの載置状態の検査に使用される検査回路部と、
    前記プラズマ処理に使用されるプラズマ処理回路部と、
    前記検査回路部と前記プラズマ処理回路部との選択を可能とする第1切替部と、
    を有し、
    前記検査回路部は、
    前記ステージに含まれ、前記ワークが前記ステージにおける前記プラズマ処理用の所定位置に載置された場合に前記ワークと電気的に接続される検査用接続部と、
    前記ワークと前記検査用接続部との間の電気抵抗を含む検査用電気抵抗を計測可能に設けられる計測部と、
    を有する、プラズマ処理装置。
  2. 前記検査用接続部は、前記プラズマ処理回路部に兼用される、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記ステージは、互いに電気的に独立した第1分割ステージおよび第2分割ステージを有し、
    前記第1分割ステージおよび前記第2分割ステージには、それぞれ、前記検査用接続部が設けられ、
    前記第1切替部による前記検査回路部の選択時において、前記計測部が有する2つの接続端子のうちの一方は、前記第1分割ステージに電気的に接続され、前記2つの接続端子のうちの他方は、前記第2分割ステージに電気的に接続され、
    前記第1分割ステージの前記検査用接続部は、前記プラズマ処理回路部に兼用される、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記計測部と並列に配置され、前記第1分割ステージと前記第2分割ステージとの電気的な接続の切り替えを可能とする第2切替部を更に有する、請求項3に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記ステージは、互いに電気的に独立した第1分割ステージおよび第2分割ステージを有し、
    前記第1分割ステージおよび前記第2分割ステージには、それぞれ、前記検査用接続部が設けられ、
    前記第1切替部による前記検査回路部の選択時において、前記計測部が有する2つの接続端子のうちの一方は、前記第1分割ステージに電気的に接続され、前記2つの接続端子のうちの他方は、前記第2分割ステージに電気的に接続され、
    前記第1分割ステージおよび前記第2分割ステージの前記検査用接続部は、前記プラズマ処理回路部に兼用される、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記第1切替部は、複数のリレースイッチにより構成され、
    前記検査回路部は、前記検査用接続部と前記計測部との間において直列に配置される複数の前記リレースイッチを有する、請求項1から5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
  7. 前記第1切替部の動作を制御する制御部を更に有する、請求項1から6のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
  8. 前記検査回路部は、
    前記ステージに対して電気的に接続可能に設けられる第1金属プローブと、
    前記ワークに対して電気的に接続可能に設けられる第2金属プローブと、
    を更に有し、
    前記計測部が有する2つの接続端子のうちの一方は、前記第1金属プローブに接続され、前記2つの接続端子のうちの他方は、前記第2金属プローブに接続される、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  9. 前記第1切替部は、前記ステージと、前記第1金属プローブおよび前記第2金属プローブとのうち少なくともいずれか一方を移動させる移動機構である、請求項8に記載のプラズマ処理装置。
  10. 前記プラズマ処理は大気圧下で行われる、請求項1から9のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010087049A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Epson Toyocom Corp プラズマ処理装置
JP2010161301A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09326385A (ja) * 1996-06-04 1997-12-16 Tokyo Electron Ltd 基板冷却方法
JP5404984B2 (ja) * 2003-04-24 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置
US7829468B2 (en) * 2006-06-07 2010-11-09 Lam Research Corporation Method and apparatus to detect fault conditions of plasma processing reactor
JP5246836B2 (ja) * 2007-01-24 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用のプロセス性能検査方法及び装置
JP5315942B2 (ja) * 2008-05-21 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 載置台機構、これを用いたプラズマ処理装置及び静電チャックへの電圧印加方法
JP5012701B2 (ja) * 2008-07-02 2012-08-29 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置における放電状態監視方法
WO2010038674A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 東京エレクトロン株式会社 基板の異常載置状態の検知方法、基板処理方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および基板処理装置
KR101570171B1 (ko) * 2014-07-25 2015-11-20 세메스 주식회사 플라즈마 발생 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
JP6380094B2 (ja) * 2014-12-26 2018-08-29 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
JP6518505B2 (ja) * 2015-05-12 2019-05-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2016225439A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び基板剥離検知方法
JP2017059640A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP6541565B2 (ja) * 2015-09-25 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
JP6556046B2 (ja) * 2015-12-17 2019-08-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
KR20180033842A (ko) * 2016-09-26 2018-04-04 에이피시스템 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판의 위치 이탈 검출 방법
KR20180033995A (ko) * 2016-09-27 2018-04-04 삼성전자주식회사 모니터링 유닛, 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 칩의 제조 방법
KR102269344B1 (ko) * 2017-07-25 2021-06-28 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010087049A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Epson Toyocom Corp プラズマ処理装置
JP2010161301A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法

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