JP2020150207A - 電子部品およびその製造方法、機器 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 102
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 93
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 93
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/52—Elements optimising image sensor operation, e.g. for electromagnetic interference [EMI] protection or temperature control by heat transfer or cooling elements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L31/02—Details
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
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- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/53—Constructional details of electronic viewfinders, e.g. rotatable or detachable
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- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/13099—Material
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Abstract
Description
電子素子および第1接続端子を有する電子基板と、
前記電子基板の上に配置されたパッケージ部材と、
第2接続端子を有する回路基板と、
を備える電子部品であって、
前記回路基板が、前記パッケージ部材と前記電子基板との間に配置され、かつ、前記パッケージ部材と前記電子基板との間から前記電子基板の縁よりも外側に延出しており、
前記回路基板と前記電子基板との間に配置され、前記第2接続端子と前記第1接続端子とを電気的に接続する接続部材と、
前記回路基板と前記パッケージ部材との間に配置され、前記回路基板と前記パッケージ部材とを接着する接着部材と、
を備え、
前記パッケージ部材と前記電子基板の間に、前記接続部材と前記回路基板と前記接着部材と、が位置する
ことを特徴とする電子部品である。
電子素子および第1接続端子を有する電子基板と、
前記電子基板に対向する対向基板と、
第2接続端子を有する回路基板と、
を備える電子部品であって、
前記回路基板が、前記対向基板と前記電子基板との間に配置され、かつ、前記対向基板と前記電子基板との間から前記電子基板の縁よりも外側に延出しており、
前記回路基板と前記電子基板との間に配置され、前記第2接続端子と前記第1接続端子とを電気的に接続する接続部材と、
前記回路基板と前記電子基板との間に配置され、前記回路基板と前記対向基板とを、接着する接着部材と、
を備え、
前記対向基板と前記電子基板の間に、前記接続部材と前記回路基板と前記接着部材と、が位置する
ことを特徴とする電子部品である。
電子素子および第1接続端子を有する電子基板を準備するステップと、
前記第1接続端子と、回路基板の第2接続端子とを、接続部材によって接続するステップと、
前記回路基板における前記第2接続端子が配置された面の反対側の面に接着部材を添付するステップと、
前記回路基板とパッケージ部材とを、前記接着部材によって接着する接着ステップと、を含み、
前記接着ステップでは、
前記パッケージ部材と前記電子基板との間から前記電子基板の縁よりも外側に、前記回路基板が延出するように、かつ、
前記パッケージ部材と前記電子基板の間に、前記接続部材と前記回路基板と前記接着部材と、が位置するように、接着する
ことを特徴とする電子部品の製造方法である。
本発明の実施形態1に係る電子部品について、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る電子部品を説明するための断面模式図である。
はじめに、本実施形態に係る電子部品の概略構成について、図1を用いて説明する。図1Aは、電子部品の断面図を示し、図1Bは、図1Aの矢印Xの方向(上部)から電子部品を見たときの透視図である。本実施形態に係る電子部品は、電子基板100、接続部材200、回路基板300、接着部材400、パッケージ部材500を有する。
できる。つまり、回路基板300は、電子基板100を外部と接続する。回路基板300は、接着部材400によってパッケージ部材500と接着される。より詳細には、回路基板300における接続部材200が設けられた第一主面の部分と反対側の第二主面の部分と、パッケージ部材500とが、接着部材400によって接着される。回路基板300は、パッケージ部材500と電子基板100との間から電子基板100の縁よりも外側に延出している。
次に本実施形態に係る電子部品の製造方法について、図2A〜図2Dの電子部品の製造過程を示す断面図および、図3が示す製造方法のフローチャートを用いて説明する。
まず、図2Aに示すように、シリコンやガラスなどの基材10の第一主面上に、電子素子20および外部接続端子30が配置(形成)される。電子素子20は、トランジスタなどの半導体素子に加えて、液晶素子や有機EL素子などの表示素子や圧電素子も含む。外部接続端子30は、アルミニウムや銅などの金属材料により構成され、フォトエッチングやデュアルダマシンなどの公知の半導体技術を用いてパターン形成されている。この工程により、電子基板100が形成される。なお、必ずしも、S1001において電子基板100が形成される必要はなく、例えば、事前に生成してある電子基板100が準備(用意)されてもよい。
次に、図2Bに示すように、電子基板100の外部接続端子30が、接続部材200を介して回路基板300の接続端子と接合(接続)される。本実施形態では、回路基板300としてフレキシブル配線板を用い、接続部材200として異方性導電フィルムを用いて、外部接続端子30に対して回路基板300を熱圧着することによって接合している。なお、電子基板100と回路基板300とは、接着力(接合の信頼性)を上げるために、回路基板300の表面・裏面側から電子基板100に跨がるように、接着部材400とは別の補強接着材(補強樹脂;樹脂部材)によって接着されていてもよい。なお、補強接着剤には、任意の接着剤および硬化方法を用いることができる。
次に、図2Cに示すように、回路基板300における接続部材200との接合面(第一主面)と反対の面(第二主面)に、接着部材400が塗布により形成される。接着部材400としては、任意の接着材を用いることができるが、本実施形態では熱硬化型のエポキシ樹脂を用いる。
次に、図2Dに示すように、接着部材400が形成された回路基板300および電子基板100の上に被せる(接する)ようにパッケージ部材500が搭載される。また、その後、接着部材400が硬化され、回路基板300の第二主面とパッケージ部材500とが接着される。なお、パッケージ部材500と電子基板100との間から電子基板100の縁よりも、回路基板300が外側に延出するように接着される。本実施形態では、オーブンを用いることによって、60分の期間、120℃の加熱が行われることにより、接着部材400が硬化する。なお、S1004では、電子基板100と接続部材200と回路基板300と接着部材400とパッケージ部材500とが、接続部材200が設けられた部分において積層方向に隙間なく積層される。つまり、パッケージ部材500と電子基板100の間に、接続部材200と回路基板300と接着部材400と、が位置するように接着される。以上によって、実施形態1に係る電子部品が完成する。
このように、実施形態1に係る電子部品は、回路基板300とパッケージ部材500が接着部材400によって接着されているため、回路基板300への水平方向(電子基板の第一主面と平行な方向)の力に対する接着強度が向上する。さらに、電子基板100と、接続部材200と、回路基板300と、接着部材400と、パッケージ部材500とが積層方向に対して隙間なく積層されている。従って、電子部品は、電子基板100と回路基板300との接合部を、接着部材400およびパッケージ部材500が上から押さえつける構造である。このため、回路基板300に対する積層方向に力が印加された場合における、接着強度(接合強度)が向上している。
実施形態2に係る電子部品について、図4Aを用いて説明する。図4Aは、本実施形態に係る電子部品を説明するための断面模式図である。
大きいとよい。
実施形態3に係る電子部品について、図4Bを用いて説明する。図4Bは、本実施形態に係る電子部品を説明するための断面模式図である。
実施形態3に係る変形例1の電子部品について、図4Cを用いて説明する。図4Cに示すように、電子部品において、電子基板100と対向基板700との間に回路基板300が配されており、回路基板300と対向基板700とが、接着部材400により接着されている。より詳細には、回路基板300における接続部材200が設けられた第一主面の部分と反対側の第二主面の部分と、対向基板700とが接着されている。つまり、本変形例では、電子基板100と接続部材200と回路基板300と接着部材400と対向基板700とが順に、接続部材200が設けられた部分において積層方向に対して隙間なく積層されている。対向基板700と電子基板100の間に、接続部材200と回路基板300と接着部材400とが位置する。回路基板300は、対向基板700と電子基板100との間から電子基板100の縁よりも外側に延出している。
本発明の実施形態4に係る電子部品について、図5Aおよび図5Bを用いて説明する。図5Aは、本実施形態に係る電子部品を説明するための断面模式図である。図5Bは、図5Aの矢印Yの方向(側面方向)から見たときの電子部品の断面模式図である。本実施形態において、電子素子20は、有機EL素子である。
光取り出し効率が低下する。一方、本実施形態のように、電子素子20の形成領域全面に接合部材600を設けることによって、光取り出し効率を改善することができる。
PC1および/またはフレキシブルプリント配線板FPC2が接続された他の部品EC3を備えうる。カメラCMRは、カメラボディから着脱可能なレンズLNSあるいはカメラボディに固定されたレンズLNSを備えうる。上述した実施形態のいずれかの電子部品は、電子部品EC1と電子部品EC2のいずれかでありうる。イメージセンサーISは、電子素子20として光電変換素子を有する電子基板100を含み、フレキシブルプリント配線板FPC1が回路基板300に対応する。ディスプレイDPは、電子素子20として表示素子を有する電子基板100を含み、フレキシブルプリント配線板FPC2が回路基板300に対応する。電子部品EC2の電子基板100は電子ビューファインダ(EVF)を構成しうる。
300:回路基板、400:接着部材、500:パッケージ部材
Claims (19)
- 電子素子および第1接続端子を有する電子基板と、
前記電子基板の上に配置されたパッケージ部材と、
第2接続端子を有する回路基板と、
を備える電子部品であって、
前記回路基板が、前記パッケージ部材と前記電子基板との間に配置され、かつ、前記パッケージ部材と前記電子基板との間から前記電子基板の縁よりも外側に延出しており、
前記回路基板と前記電子基板との間に配置され、前記第2接続端子と前記第1接続端子とを電気的に接続する接続部材と、
前記回路基板と前記パッケージ部材との間に配置され、前記回路基板と前記パッケージ部材とを接着する接着部材と、
を備え、
前記パッケージ部材と前記電子基板の間に、前記接続部材と前記回路基板と前記接着部材と、が位置する
ことを特徴とする電子部品。 - 空間を介して前記電子基板に対向する光透過性部材を有し、
前記パッケージ部材は前記空間を囲む
ことを特徴とする請求項1に記載の電子部品。 - 前記接着部材は、前記パッケージ部材の前記空間に面する側面を覆う
ことを特徴とする請求項2に記載の電子部品。 - 電子素子および第1接続端子を有する電子基板と、
前記電子基板に対向する対向基板と、
第2接続端子を有する回路基板と、
を備える電子部品であって、
前記回路基板が、前記対向基板と前記電子基板との間に配置され、かつ、前記対向基板と前記電子基板との間から前記電子基板の縁よりも外側に延出しており、
前記回路基板と前記電子基板との間に配置され、前記第2接続端子と前記第1接続端子とを電気的に接続する接続部材と、
前記回路基板と前記電子基板との間に配置され、前記回路基板と前記対向基板とを、接着する接着部材と、
を備え、
前記対向基板と前記電子基板の間に、前記接続部材と前記回路基板と前記接着部材と、が位置する
ことを特徴とする電子部品。 - 前記接続部材は、異方性導電フィルムである
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電子部品。 - 前記回路基板は、フレキシブル配線板である
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の電子部品。 - 前記接着部材は、熱硬化型のエポキシ樹脂である
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の電子部品。 - 前記接着部材は、2液硬化型のエポキシ樹脂である
ことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の電子部品。 - 前記電子基板と前記回路基板とが、前記接着部材とは別の、樹脂部材によって接着されている
ことを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の電子部品。 - 前記電子基板に対向する対向基板を有し、
前記対向基板と電子基板とが、接合部材によって接合されており、
前記対向基板と前記回路基板とが、前記接着部材によって接着されている
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電子部品。 - 前記対向基板と前記電子基板とが、接合部材によって接合されている
ことを特徴とする請求項4に記載の電子部品。 - 前記対向基板と前記電子基板との間が、前記接合部材により接合されており、
前記接合部材が、前記接着部材によって囲われている
ことを特徴とする請求項10または11に記載の電子部品。 - 前記接着部材は、前記接合部材よりも防湿性が高い
ことを特徴とする請求項10から12のいずれか1項に記載の電子部品。 - 前記接合部材は、UV硬化型の樹脂である
ことを特徴とする請求項10から13のいずれか1項に記載の電子部品。 - 前記電子素子は、有機EL素子である
ことを特徴とする請求項1から14のいずれか1項に記載の電子部品。 - 前記電子素子は、光電変換素子である
ことを特徴とする請求項1から14のいずれか1項に記載の電子部品。 - 請求項1から16のいずれか1項に記載の電子部品と、
前記回路基板に接続された部品と、を備える機器。 - 請求項1から15のいずれか1項に記載の電子部品と、
前記回路基板に接続された部品と、を備えるカメラであって、
前記電子基板が電子ビューファインダを構成するカメラ。 - 電子素子および第1接続端子を有する電子基板を準備するステップと、
前記第1接続端子と、回路基板の第2接続端子とを、接続部材によって接続するステップと、
前記回路基板における前記第2接続端子が配置された面の反対側の面に接着部材を添付するステップと、
前記回路基板とパッケージ部材とを、前記接着部材によって接着する接着ステップと、を含み、
前記接着ステップでは、
前記パッケージ部材と前記電子基板との間から前記電子基板の縁よりも外側に、前記回路基板が延出するように、かつ、
前記パッケージ部材と前記電子基板の間に、前記接続部材と前記回路基板と前記接着部材と、が位置するように、接着する
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019048543A JP2020150207A (ja) | 2019-03-15 | 2019-03-15 | 電子部品およびその製造方法、機器 |
US16/809,987 US11528392B2 (en) | 2019-03-15 | 2020-03-05 | Electronic component including electronic substrate and circuit member, apparatus, and camera |
US18/048,541 US11765448B2 (en) | 2019-03-15 | 2022-10-21 | Electronic component including electronic substrate and circuit member, apparatus, and camera |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019048543A JP2020150207A (ja) | 2019-03-15 | 2019-03-15 | 電子部品およびその製造方法、機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020150207A true JP2020150207A (ja) | 2020-09-17 |
JP2020150207A5 JP2020150207A5 (ja) | 2022-03-18 |
Family
ID=72423211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019048543A Pending JP2020150207A (ja) | 2019-03-15 | 2019-03-15 | 電子部品およびその製造方法、機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11528392B2 (ja) |
JP (1) | JP2020150207A (ja) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148666A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-06-07 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2004015604A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品の製造方法 |
JP2005130497A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Samsung Electronics Co Ltd | カメラ装置のイメージセンサーモジュール及びその組立方法 |
JP2007194272A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Olympus Imaging Corp | 撮像モジュール |
JP2014053512A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Nikon Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2014150333A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Kyocera Corp | 圧電部品 |
JP2016110067A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-20 | ソニー株式会社 | カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法、撮像装置、並びに電子機器 |
JP2016127018A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 機能パネル、発光パネル、表示パネル、センサパネル |
JP2016524329A (ja) * | 2013-06-03 | 2016-08-12 | オプティツ インコーポレイテッド | 露出センサアレイを伴うセンサパッケージ及びその製造方法 |
JP2017152521A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 京セラ株式会社 | 撮像素子実装用基板および撮像装置 |
JP2018125393A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電子部品、カメラモジュール |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4510403B2 (ja) | 2003-05-08 | 2010-07-21 | 富士フイルム株式会社 | カメラモジュール及びカメラモジュールの製造方法 |
JP2005109092A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Konica Minolta Opto Inc | 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置 |
US8092102B2 (en) | 2006-05-31 | 2012-01-10 | Flextronics Ap Llc | Camera module with premolded lens housing and method of manufacture |
DE102008009180A1 (de) | 2007-07-10 | 2009-01-22 | Sick Ag | Optoelektronischer Sensor |
JP2013243340A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-12-05 | Canon Inc | 電子部品、実装部材、電子機器およびこれらの製造方法 |
EP2869549B1 (en) | 2012-06-29 | 2018-08-08 | Sony Corporation | Camera module and electronic device |
JP6214337B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2017-10-18 | キヤノン株式会社 | 電子部品、電子機器および電子部品の製造方法。 |
JP6690157B2 (ja) | 2014-11-27 | 2020-04-28 | ソニー株式会社 | カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法、撮像装置、並びに電子機器 |
WO2017090223A1 (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | ソニー株式会社 | 撮像素子パッケージ、撮像装置及び撮像素子パッケージの製造方法 |
-
2019
- 2019-03-15 JP JP2019048543A patent/JP2020150207A/ja active Pending
-
2020
- 2020-03-05 US US16/809,987 patent/US11528392B2/en active Active
-
2022
- 2022-10-21 US US18/048,541 patent/US11765448B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148666A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-06-07 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2004015604A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品の製造方法 |
JP2005130497A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Samsung Electronics Co Ltd | カメラ装置のイメージセンサーモジュール及びその組立方法 |
JP2007194272A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Olympus Imaging Corp | 撮像モジュール |
JP2014053512A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Nikon Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2014150333A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Kyocera Corp | 圧電部品 |
JP2016524329A (ja) * | 2013-06-03 | 2016-08-12 | オプティツ インコーポレイテッド | 露出センサアレイを伴うセンサパッケージ及びその製造方法 |
JP2016110067A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-20 | ソニー株式会社 | カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法、撮像装置、並びに電子機器 |
JP2016127018A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 機能パネル、発光パネル、表示パネル、センサパネル |
JP2017152521A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 京セラ株式会社 | 撮像素子実装用基板および撮像装置 |
JP2018125393A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電子部品、カメラモジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200296271A1 (en) | 2020-09-17 |
US20230053757A1 (en) | 2023-02-23 |
US11765448B2 (en) | 2023-09-19 |
US11528392B2 (en) | 2022-12-13 |
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