JP2020144972A5 - - Google Patents
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- MFJDFPRQTMQVHI-UHFFFAOYSA-N 3,5-dioxabicyclo[5.2.2]undeca-1(9),7,10-triene-2,6-dione Chemical compound O=C1OCOC(=O)C2=CC=C1C=C2 MFJDFPRQTMQVHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
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- 230000002441 reversible Effects 0.000 claims 1
Claims (10)
- テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と、
前記基体の前記下地層とは反対側に設けられたバック層と
を備え、
前記基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
前記磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たす磁気記録媒体。 - テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と、
前記基体の前記下地層とは反対側に設けられたバック層と
を備え、
前記基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
前記磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７５の関係を満たす磁気記録媒体。 - 前記磁性層が、複数のサーボバンドを有し、
前記磁性層の表面の面積に対する前記複数のサーボバンドの総面積の割合が、４．０％以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。 - 前記サーボバンドの数が、５以上である請求項３に記載の磁気記録媒体。
- 前記サーボバンドの数が、５＋４ｎ（但し、ｎは正の整数である。）以上である請求項３に記載の磁気記録媒体。
- 前記サーボバンドの幅が、９５μｍ以下である請求項３に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層が、複数のデータトラックを形成可能に構成され、
前記データトラックの幅が、３．０μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層が、磁化反転間距離の最小値Ｌとデータトラックの幅Ｗの比率Ｗ／ＬがＷ／Ｌ≦２００の関係を満たすように、データを記録可能に構成されている請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層が、磁化反転間距離の最小値Ｌが４８ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁気記録媒体の長手方向における前記保磁力Ｈｃ２が、２０００Ｏｅ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
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