JP2020144972A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】電磁変換特性を向上することができる磁気記録媒体を提供する。【解決手段】磁気記録媒体１０は、テープ状の磁気記録媒体であって、基体１１と、基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層１３とを備える。磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たす。【選択図】図１

Description

本開示は、磁気記録媒体に関する。

近年、データストレージ用メディアとしてテープ状の磁気記録媒体が注目されている。この磁気記録媒体では、種々の特性向上が検討されており、それらの特性向上のうちの一つとして電磁変換特性の向上がある。

特許文献１〜３には、バリウムフェライト磁性粉の分散性を高めて、電磁変換特性を向上する技術が提案されている。

特開２００２−２９８３３３号公報 特開２００２−３７３４１３号公報 特開２００９−９９２４０号公報

本開示の目的は、電磁変換特性を向上することができる磁気記録媒体を提供することにある。

上述の課題を解決するために、本開示は、
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
基体上に設けられた下地層と、
下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と、
基体の下地層とは反対側に設けられたバック層と
を備え、
基体はＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たす磁気記録媒体。
本開示は、
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
基体上に設けられた下地層と、
下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と、
基体の下地層とは反対側に設けられたバック層と
を備え、
基体はＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７５の関係を満たす磁気記録媒体である。

本開示によれば、電磁変換特性を向上することができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果またはそれらと異質な効果であってもよい。

本開示の一実施形態に係る磁気記録媒体の断面図である。 図２Ａは、データバンドおよびサーボバンドのレイアウトの概略図である。図２Ｂは、データバンドの拡大図である。 磁性粒子の断面図である。 Ｍ−Ｈループの一例を示すグラフである。 ＳＦＤ曲線の一例を示すグラフである。 記録再生装置の概略図である。 変形例における磁性粒子の断面図である。 変形例における磁気記録媒体の断面図である。 図９Ａは、波長λでデータ信号を記録した場合のＭＦＭ像を示す。図９Ｂは、最短記録波長Ｌ’でデータ信号を記録した場合のＭＦＭ像を示す。

本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 磁気記録媒体の構成
２ 磁気記録媒体の製造方法
３ 記録再生装置の構成
４ 効果
５ 変形例

［１ 磁気記録媒体の構成］
まず、図１を参照して、一実施形態に係る磁気記録媒体１０の構成について説明する。磁気記録媒体１０は、長尺状の基体１１と、基体１１の一方の主面上に設けられた下地層１２と、下地層１２上に設けられた磁性層１３と、基体１１の他方の主面上に設けられたバック層１４とを備える。なお、下地層１２およびバック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。

磁気記録媒体１０は長尺のテープ状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。なお、磁性層１３の表面が、磁気ヘッドが走行される表面となる。磁気記録媒体１０は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。なお、本明細書において、“垂直方向”とは、磁気記録媒体１０の表面に対して垂直な方向（磁気記録媒体１０の厚み方向）を意味し、“長手方向”とは、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）を意味する。

（基体）
基体１１は、下地層１２および磁性層１３を支持する非磁性支持体である。基体１１は、長尺のフィルム状を有する。基体１１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。基体１１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。基体１１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基体１１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基体１１の強度低下を抑制することができる。

基体１１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基体１１以外の層（すなわち下地層１２、磁性層１３およびバック層１４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitsutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプル（基体１１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基体１１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

基体１１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。基体１１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。

ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。

ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。

その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。

（磁性層）
磁性層１３は、信号を記録するための記録層である。磁性層１３は、例えば、磁性粉および結着剤を含む。磁性層１３が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

磁性層１３は、図２Ａに示すように、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを予め有していることが好ましい。複数のサーボバンドＳＢは、磁気記録媒体１０の幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドＳＢの間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号が予め書き込まれている。データバンドＤＢには、ユーザデータが記録される。

磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの割合Ｒ_Ｓ（＝（Ｓ_ＳＢ／Ｓ）×１００）の上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにより好ましくは２．０％以下である。一方、磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの割合Ｒ_Ｓの下限値は、５以上のサーボトラックを確保する観点から、好ましくは０．８％以上である。

磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの割合Ｒ_Ｓは以下のようにして求められる。まず、磁性層１３の表面を磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を取得する。続いて、取得されたＭＦＭ像を用いて、サーボバンド幅Ｗ_ＳＢおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から割合Ｒ_Ｓを求める。
割合Ｒ_Ｓ［％］＝（（（サーボバンド幅Ｗ_ＳＢ）×（サーボバンド本数））／（磁気記録媒体１０の幅））×１００

サーボバンドＳＢの数の下限値は、好ましくは５以上、より好ましくは５＋４ｎ（但し、ｎは正の整数である。）以上、さらにより好ましくは９＋４ｎ以上である。サーボバンドＳＢの数が５以上であると、磁気記録媒体１０の幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、よりオフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。サーボバンドＳＢの数の上限値は特に限定されるものではないが、例えば３３以下である。

サーボバンドＳＢの数は以下のようにして確認可能である。まず、磁性層１３の表面を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を取得する。次に、ＭＦＭ像を用いてサーボバンドＳＢの数をカウントする。

サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの下限値は、好ましくは１０μｍ以上である。１０μｍ未満のサーボバンド幅Ｗ_ＳＢのサーボ信号を読み取り可能な記録ヘッドは製造が困難である。

サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの幅は以下のようにして求められる。まず、磁性層１３の表面を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を取得する。次に、ＭＦＭ像を用いてサーボバンド幅Ｗ_ＳＢの幅を測定する。

磁性層１３は、図２Ｂに示すように、データバンドＤＢに複数のデータトラックＴｋを形成可能に構成されている。データトラック幅Ｗの上限値は、トラック記録密度を向上し、高記録容量を確保する観点から、好ましくは３．０μｍ以下、より好ましくは１．６μｍ以下、さらにより好ましくは０．９５μｍ以下、特に好ましくは０．５１μｍ以下である。データトラック幅Ｗの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは０．０２μｍ以上である。

磁性層１３は、磁化反転間距離の最小値Ｌとデータトラック幅Ｗが好ましくはＷ／Ｌ≦２００、より好ましくはＷ／Ｌ≦６０、さらにより好ましくはＷ／Ｌ≦４５、特に好ましくはＷ／Ｌ≦３０となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞２００であると（すなわちトラック幅Ｗが大きいと）、トラック記録密度が上がらないため、記録容量を十分に確保できなくなる虞がある。また、トラック幅Ｗが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞２００であると（すなわち磁化反転間距離の最小値Ｌが小さいと）、ビット長さが小さくなり、線記録密度が上がるが、スペーシングロスの影響により、ＳＮＲが著しく悪化してしまう虞がある。したがって、記録容量を確保しながら、ＳＮＲの悪化を抑えるためには、上記のようにＷ／ＬがＷ／Ｌ≦６０の範囲にあることが好ましい。但し、Ｗ／Ｌは上記範囲に限定されるものではなく、Ｗ／Ｌ≦２３またはＷ／Ｌ≦１３であってもよい。Ｗ／Ｌの下限値は特に限定されるものではないが、例えば１≦Ｗ／Ｌである。

磁性層１３は、高記録容量を確保する観点から、磁化反転間距離Ｌの最小値が好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４８ｎｍ以下、さらにより好ましくは４４ｎｍ以下、特に好ましくは４０ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離Ｌの最小値の下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上である。

磁性層１３の平均厚みの上限値は、好ましくは９０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下である。磁性層１３の平均厚みの上限値が９０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層１３の厚み方向に均一に磁化を記録できるため、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ（Carrier to Noise Ratio））を向上することができる。

磁性層１３の平均厚みの下限値は、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは３５ｎｍ以上である。磁性層１３の平均厚みの上限値が３０ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を向上することができる。

磁性層１３の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０を、その主面に対して垂直に薄く加工して試料片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により観察を行う。以下に、装置および観察条件を示す。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向に少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚みを測定した後、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して磁性層１３の平均厚みを求める。なお、測定位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

（磁性粉）
磁性粉は、ε酸化鉄を含有するナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含む。ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、垂直方向に優先的に結晶配向していることが好ましい。

ε酸化鉄粒子は、球状もしくはほぼ球状を有しているか、または立方体状もしくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気記録媒体１０の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より優れた電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、図３に示すように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを備える。

コア部２１は、ε酸化鉄を含む。コア部２１に含まれるε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_２Ｏ_３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε−Ｆｅ_２Ｏ_３からなるものがより好ましい。

第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部２１と第１シェル部２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。

第１シェル部２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金またはＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α−Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

第２シェル部２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ_３Ｏ_４、Ｆｅ_２Ｏ_３およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部２２ａがα−Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα−Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部２２ａを有することで、熱安定性を確保するためにコア部２１単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部２２ｂを有することで、磁気記録媒体１０の製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆び等が発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体１０の特性劣化を抑制することができる。

磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。磁気記録媒体１０では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、良好なＳ／Ｎを得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０（例えば４４ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気記録媒体１０）において、良好な電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。

磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができると共に、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向度を高めることができる。よって、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を向上することができる。

上記の磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５０個のε酸化鉄粒子を無作為に選び出し、各ε酸化鉄粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、ε酸化鉄粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、ε酸化鉄粒子の長軸と直交する方向におけるε酸化鉄粒子の長さのうち最大のものを意味する。

続いて、測定した５０個のε酸化鉄粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬaveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した１０個のε酸化鉄粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳaveを求める。そして、平均長軸長ＤＬaveおよび平均短軸長ＤＳaveからε酸化鉄粒子の平均アスペクト比（ＤＬave／ＤＳave）を求める。

磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５６００ｎｍ^３以下、より好ましくは２５０ｎｍ^３以上５６００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは９００ｎｍ^３以上５６００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均粒子体積が５６００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が２５０ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

ε酸化鉄粒子が球状またはほぼ球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬaveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬave^３

ε酸化鉄粒子が立方体状またはほぼ立方体状を有している場合には、磁性粉の平均体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬaveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝ＤＬave^３

（結着剤）
結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

上記の全ての結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ_３Ｍ、−ＯＳＯ_３Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２（但し、式中Ｍは水素原子またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属を表す）や、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ⁻で表される末端基を有する側鎖型アミン、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ⁻で表される主鎖型アミン（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子または炭化水素基を表し、Ｘ⁻はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、無機イオンまたは有機イオンを表す。）、さらに−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基が導入されていてもよい。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０^−１〜１０^−８モル／ｇであるのが好ましく、１０^−２〜１０^−６モル／ｇであるのがより好ましい。

（潤滑剤）
潤滑剤としては、例えば、炭素数１０〜２４の一塩基性脂肪酸と、炭素数２〜１２の１価〜６価アルコールのいずれかとのエステル、これらの混合エステル、ジ脂肪酸エステル、トリ脂肪酸エステル等が挙げられる。潤滑剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エライジン酸、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、ステアリン酸ヘプチル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ミリスチン酸オクチル等が挙げられる。

（帯電防止剤）
帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。

（研磨剤）
研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα−アルミナ、β−アルミナ、γ−アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α−酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ−バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。

（硬化剤）
硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００〜３０００の範囲であることが望ましい。

（防錆剤）
防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。

（非磁性補強粒子）
非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。

（下地層）
下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、下地層１２の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層１２の厚みに応じて適宜調整される。

（非磁性粉）
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

（結着剤）
結着剤は、上述の磁性層１３と同様である。

（添加剤）
潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上述の磁性層１３と同様である。

（バック層）
バック層１４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の下地層１２と同様である。

非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

バック層１４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層１４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気記録媒体１０の平均厚みが５．６μｍ以下である場合でも、下地層１２や基体１１の厚みを厚く保つことができるので、磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層１４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。

バック層１４の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitsutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。続いて、サンプルのバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。その後、再び上記のレーザーホロゲージを用いてサンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、バック層１４を除去した磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。その後、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔ_ｂ［μｍ］を求める。
ｔ_ｂ［μｍ］＝ｔ_Ｔ［μｍ］−ｔ_Ｂ［μｍ］

（磁気記録媒体の平均厚み）
磁気記録媒体１０の平均厚み（平均全厚）の上限値が、好ましくは５．６μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、特に好ましくは４．６μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気記録媒体１０の平均厚みが５．６μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。

磁気記録媒体１０の平均厚みは、上述のバック層１４の平均厚みの求め方において説明した手順により求められる。

（垂直方向における保磁力Ｈｃ１）
垂直方向における保磁力Ｈｃ１の上限値が、３０００Ｏｅ以下、より好ましくは２９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは２８５０Ｏｅ以下である。保磁力Ｈｃ１が大きいことは、熱擾乱および反磁界の影響を受けにくくなり好ましいが、保磁力Ｈｃ１が３０００Ｏｅを超えると、記録ヘッドでの飽和記録が困難となる虞があり、それによって記録できない部分が存在しノイズが増加し、結果として電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）が悪化してしまう。

垂直方向における保磁力Ｈｃ１の下限値が、好ましくは２２００Ｏｅ以上、より好ましくは２４００Ｏｅ以上、さらにより好ましくは２６００Ｏｅ以上である。保磁力Ｈｃ１が２２００Ｏｅ以上であると、熱擾乱の影響および反磁界の影響による、高温環境下における電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）の低下を抑制することができる。

上記の保磁力Ｈｃ１は以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体１０から測定サンプルを切り出し、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて測定サンプルの垂直方向（厚み方向）に測定サンプル全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（下地層１２、磁性層１３およびバック層１４等）を払拭し、基体１１のみを残してバックグラウンド補正用のサンプルとし、ＶＳＭを用いて基体１１の垂直方向（厚み方向）に基体１１のＭ−Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ−Ｈループから基体１１のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループから保磁力Ｈｃ１を求める。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（長手方向における保磁力Ｈｃ２）
長手方向における保磁力Ｈｃ２の上限値が、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における保磁力Ｈｃ２が２０００Ｏｅ以下であると、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。

長手方向における保磁力Ｈｃ２の下限値が、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。長手方向における保磁力Ｈｃ２が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。

上記の保磁力Ｈｃ２は、測定サンプル全体およびバックグラウンド補正用のサンプルのＭ−Ｈループを磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に対応する方向に測定すること以外は、垂直方向における保磁力Ｈｃ１と同様にして求められる。

（Ｈｃ２／Ｈｃ１）
垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２の比Ｈｃ２／Ｈｃ１が、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８、好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７５、より好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７、さらにより好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６５、特に好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６の関係を満たす。保磁力Ｈｃ１、Ｈｃ２がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たすことで、磁性粉の垂直配向度を高めることができる。したがって、磁化遷移幅を低減し、かつ信号再生時に高出力の信号を得ることができるので、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を向上することができる。なお、上述したように、Ｈｃ２が小さいと、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。

比Ｈｃ２／Ｈｃ１がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８である場合、磁性層１３の平均厚みが９０ｎｍ以下であることが特に有効である。磁性層１３の平均厚みが９０ｎｍを超えると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層１３の下部領域（下地層１２側の領域）が長手方向に磁化されてしまい、磁性層１３を厚み方向に均一に磁化することができなくなる虞がある。したがって、比Ｈｃ２／Ｈｃ１をＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８としても（すなわち、磁性粉の垂直配向度を高めても）、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を向上することができなくなる虞がある。

Ｈｃ２／Ｈｃ１の下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．５≦Ｈｃ２／Ｈｃ１である。

なお、Ｈｃ２／Ｈｃ１は磁性粉の垂直配向度を表しており、Ｈｃ２／Ｈｃ１が小さいほど磁性粉の垂直配向度が高くなる。以下に、本実施形態において、磁性粉の垂直配向度を示す指標としてＨｃ２／Ｈｃ１を用いる理由について説明する。

従来、一般的には磁性粉の垂直配向度を示す指標（パラメータ）としては、角形比ＳＱ（＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００、但し、Ｍｒ（ｅｍｕ）：残留磁化、Ｍｓ（ｅｍｕ）：飽和磁化）が用いられてきた。しかしながら、本発明者らの知見によれば、角形比ＳＱという指標は、以下の理由により磁性粉の垂直配向度を示す指標としては適当でない。
（１）角形比ＳＱは、磁性粉の保磁力Ｈｃの値により変動してしまう。例えば、図５に示すように、磁性粉の保磁力Ｈｃが大きくなると、見かけ上、角形比ＳＱも大きい値となる。
（２）角形比ＳＱは、過分散によるＭ−Ｈループの歪みの影響を受ける。

そこで、本実施形態においては、より適切に磁性粉の配向度を示す指標として、Ｈｃ２／Ｈｃ１を用いる。保磁力Ｈｃ１、Ｈｃ２は磁性粉の配向方向によって単純に変化するため、Ｈｃ２／Ｈｃ１が磁性粉の配向度を示す指標としてより適切である。

（ＳＦＤ）
磁気記録媒体１０のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、好ましくは３．０以上、より好ましくは５．０以上、さらにより好ましくは７．０以上、特に好ましくは１０．０以上、最も好ましくは２０．０以上である（図５参照）。ピーク比Ｘ／Ｙが３．０以上であると、実際の記録に寄与するε酸化鉄粒子の他にε酸化鉄特有の低保磁力成分（例えば軟磁性粒子や超常磁性粒子等）が磁性粉中に多く含まれることを抑制できる。したがって、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できるので、より優れた電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。ピーク比Ｘ／Ｙの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００以下である。

上記のピーク比Ｘ／Ｙは、以下のようにして求められる。まず、上記の保磁力Ｈｃ１の測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。次に、得られたＭ−ＨループからＳＦＤカーブを算出する。ＳＦＤカーブの算出には測定機に付属のプログラムを用いてもよいし、その他のプログラムを用いてもよい。算出したＳＦＤカーブがＹ軸（ｄＭ／ｄＨ）を横切る点の絶対値を「Ｙ」とし、Ｍ−Ｈループで言うところの保磁力Ｈｃ１近傍に見られるメインピークの高さを「Ｘ」として、ピーク比Ｘ／Ｙを算出する。

（活性化体積Ｖ_ａｃｔ）
活性化体積Ｖ_ａｃｔが、好ましくは８０００ｎｍ^３以下、より好ましくは６０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは５０００ｎｍ^３以下、特に好ましくは４０００ｎｍ^３以下、最も好ましくは３０００ｎｍ^３以下である。活性化体積Ｖ_ａｃｔが８０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を低減することができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、より優れた電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。

上記の活性化体積Ｖ_ａｃｔは、Ｓｔｒｅｅｔ＆Ｗｏｏｌｌｅｙにより導出された下記の式により求められる。
Ｖ_ａｃｔ（ｎｍ^３）＝ｋ_Ｂ×Ｔ×Χ_ｉｒｒ／（μ_０×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋ_Ｂ：ボルツマン定数（１．３８×１０^−２３Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χ_ｉｒｒ：非可逆磁化率、μ_０：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ^３））

上記式に代入される非可逆磁化率Χ_ｉｒｒ、飽和磁化Ｍｓおよび磁気粘性係数Ｓは、ＶＳＭを用いて以下のようにして求められる。なお、ＶＳＭによる測定方向は、垂直方向とする。また、ＶＳＭによる測定は、長尺状の磁気記録媒体１０から切り出された測定サンプルに対して２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（非可逆磁化率Χ_ｉｒｒ）
非可逆磁化率Χ_ｉｒｒは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気記録媒体１０全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧ_ｉｒｒとなる。

（飽和磁化Ｍｓ）
まず、上記の保磁力Ｈｃ１の測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。次に、得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の磁性層１３の体積（ｃｍ^３）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ^３）を算出する。なお、磁性層１３の体積は測定サンプルの面積に磁性層１３の平均厚みを乗ずることにより求められる。磁性層１３の体積の算出に必要な磁性層１３の平均厚みの算出方法は、上述した通りである。

（磁気粘性係数Ｓ）
まず、磁気記録媒体１０（測定サンプル）全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）の関係を以下の式に照らし合わせて、磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）

［２ 磁気記録媒体の製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

次に、下地層形成用塗料を基体１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このような磁場配向処理をすることで、比Ｈｃ２／Ｈｃ１を低くすることができる。したがって、磁性粉の垂直配向度を向上することができる。磁性層１３の形成後、基体１１の他方の主面にバック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。

比Ｈｃ２／Ｈｃ１は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料中における固形分の濃度、磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより所望の値に設定される。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保磁力の２倍以上３倍以下であることが好ましい。比Ｈｃ２／Ｈｃ１をさらに高めるためには、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態を向上させることが好ましい。また、比Ｈｃ２／Ｈｃ１をさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも有効である。なお、上記の比Ｈｃ２／Ｈｃ１の調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。

その後、得られた磁気記録媒体１０を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、磁気記録媒体１０に対してカレンダー処理を行った後、所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする細長い長尺状の磁気記録媒体１０が得られる。

［３ 記録再生装置の構成］
次に、図６を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の記録および再生を行う記録再生装置３０の構成について説明する。

記録再生装置３０は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している。ここでは、説明を容易とするために、記録再生装置３０が、１つの磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している場合について説明するが、記録再生装置３０が、複数の磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有していてもよい。

記録再生装置３０は、ネットワーク４３を介してサーバ４１およびパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）４２等の情報処理装置に接続されており、これらの情報処理装置から供給されたデータを磁気記録媒体カートリッジ１０Ａに記録可能に構成されている。

記録再生装置３０は、図６に示すように、スピンドル３１と、記録再生装置３０側のリール３２と、スピンドル駆動装置３３と、リール駆動装置３４と、複数のガイドローラ３５と、ヘッドユニット３６と、通信インターフェース（以下、Ｉ／Ｆ）３７と、制御装置３８とを備える。

スピンドル３１は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装着可能に構成されている。磁気記録媒体カートリッジ１０Ａは、例えば、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格に準拠しており、カートリッジケース１０Ｂに磁気記録媒体１０を巻装した単一のリール１０Ｃを回転可能に収容している。磁気記録媒体１０には、サーボ信号としてハの字状のサーボパターンが予め記録されている。リール３２は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａから引き出された磁気記録媒体１０の先端を固定可能に構成されている。

スピンドル駆動装置３３は、スピンドル３１を回転駆動させる装置である。リール駆動装置３４は、リール３２を回転駆動させる装置である。磁気記録媒体１０に対してデータの記録または再生を行う際には、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが、スピンドル３１とリール３２とを回転駆動させることによって、磁気記録媒体１０を走行させる。ガイドローラ３５は、磁気記録媒体１０の走行をガイドするためのローラである。

ヘッドユニット３６は、磁気記録媒体１０にデータ信号を記録するための複数の記録ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているデータ信号を再生するための複数の再生ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているサーボ信号を再生するための複数のサーボヘッドとを備える。記録ヘッドとしては例えばリング型ヘッドを用いることができるが、記録ヘッドの種類はこれに限定されるものではない。

通信Ｉ／Ｆ３７は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置と通信するためのものであり、ネットワーク４３に対して接続される。

制御装置３８は、記録再生装置３０の全体を制御する。例えば、制御装置３８は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット３６により磁気記録媒体１０に記録する。また、制御装置３８は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット３６により、磁気記録媒体１０に記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。

［４ 効果］
一実施形態に係る磁気記録媒体１０では、（１）磁性層１３の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、（２）磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、（３）垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、（４）垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たす。これにより、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を向上することができる。

［５ 変形例］
（変形例１）
上述の一実施形態では、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有している場合について説明したが、図７に示すように、ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部２３を有していてもよい。この場合、シェル部２３は、第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述した一実施形態におけるように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有していることが好ましい。

（変形例２）
上述の一実施形態では、ε酸化鉄粒子がコアシェル構造を有している場合について説明したが、ε酸化鉄粒子が、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。

具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_２−ｘＭ_ｘＯ_３結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

（変形例３）
磁性粉が、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状またはほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ_１２Ｏ_１９で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが３０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１２ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は上述の一実施形態と同様である。

なお、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ法等により加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から、水平方向に対して７５度以上の角度で配向した磁性粉を５０個無作為に選び出し、各磁性粉の最大板厚ＤＡを測定する。続いて、測定した５０個の磁性粉の最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡaveを求める。

次に、磁気記録媒体１０の磁性層１３の表面をＴＥＭにより観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５０個の磁性粉を無作為に選び出し、各磁性粉の最大板径ＤＢを測定する。ここで、最大板径ＤＢとは、磁性粉の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。続いて、測定した５０個の磁性粉の最大板径ＤＢを単純に平均（算術平均）して平均最大板径ＤＢaveを求める。このようにして求めた平均最大板径ＤＢaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。次に、平均最大板厚ＤＡaveおよび平均最大板径ＤＢaveから磁性粉の平均アスペクト比（ＤＢave／ＤＡave）を求める。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５９００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上３４００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは１０００ｎｍ^３以上２５００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均粒子体積が５９００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを３０ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１２ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

なお、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均最大板厚ＤＡaveおよび平均最大板径ＤＢaveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均粒子体積Ｖを求める。
Ｖ＝３√３/８×ＤＡave×ＤＢave^２

（変形例４）
磁性粉は、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。コバルトフェライト粒子は、一軸異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状またはほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式（１）で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_Ｚ ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２３ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は上述の一実施形態と同様である。また、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比の算出方法も上述の一実施形態と同様にして求められる。

磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは１５０００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上１２０００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均粒子体積が１５０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２５ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。なお、磁性粉の平均粒子体積は、上述の一実施形態における磁性粉の平均粒子体積の算出方法（ε酸化鉄粒子が立方体状またはほぼ立方体状を有している場合の平均粒子体積の算出方法）と同様である。

（変形例５）
磁気記録媒体１０が、図８に示すように、基体１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層１５をさらに備えるようにしてもよい。バリア層１５は、基体１１が有する環境に応じた寸法変化を抑制するための層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例として、基体１１の吸湿性があるが、バリア層１５を設けることにより基体１１への水分の侵入速度を低減することができる。バリア層１５は、例えば、金属または金属酸化物を含む。金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、ＡｕおよびＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、上記金属を１種または２種以上含む金属酸化物を用いることができる。より具体的には例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５およびＺｒＯ_２のうちの少なくとも１種を用いることができる。また、バリア層１５が、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンド等を含むようにしてもよい。

バリア層１５の平均厚みは、好ましくは２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。バリア層１５の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、バリア層１５の厚みに応じて適宜調整される。

（変形例６）
上述の一実施形態に係る磁気記録媒体１０をライブラリ装置に用いるようにしてもよい。この場合、ライブラリ装置は、上述の一実施形態における記録再生装置３０を複数備えるものであってもよい。

以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

本実施例において、ベースフィルム（基体）の平均厚み、磁性層の平均厚み、下地層の平均厚み、バック層の平均厚み、磁気テープ（磁気記録媒体）の平均厚み、磁性粉の平均アスペクト比、磁性粉の平均粒子サイズ、磁性粉の平均粒子体積、垂直方向における磁気テープの保磁力Ｈｃ１、長手方向における磁気テープの保磁力Ｈｃ２およびサーボバンド幅Ｗ_ＳＢは、上述の一実施形態にて説明した測定方法により求められたものである。

［実施例１〜９、比較例１〜６］
（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
磁性粉：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：１０質量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ_３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α−Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）
なお、磁性粉としては、表１に示すものを用いた。

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部

最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（成膜工程）
上述のようにして作製した塗料を用いて、メディア構成１の磁気テープを以下のようにして作製した。まず、支持体として、長尺状を有する、平均厚み４．０μｍのＰＥＮフィルム（ベースフィルム）を準備した。次に、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に平均厚み１．０〜１．１μｍの下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に平均厚み６０〜１００ｎｍの磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向させた。具体的には、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの走行方向（長手方向）に一旦磁場配向させたのちに、ＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整し、垂直方向における保磁力Ｈｃ１を２４５０〜３１００Ｏｅ、長手方向における保磁力Ｈｃ２を１８２０〜２０８０Ｏｅ、Ｈｃ２／Ｈｃ１＝０．６５〜０．８５に設定した。

続いて、下地層、および磁性層が形成されたＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、平均厚み０．４μｍのバック層を形成した。そして、下地層、磁性層、およびバック層が形成されたＰＥＮフィルムに対して硬化処理を行った。その後、カレンダー処理を行い、磁性層表面を平滑化した。

（裁断の工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、長尺状を有する、平均厚み５．６μｍの磁気テープが得られた。

（サーボ信号およびデータ信号の書き込み）
上述のようにして得られた長尺状の磁気テープにサーボ信号およびデータ信号を以下のようにして書き込んだ。まず、サーボライタを用いて、磁気テープにサーボ信号を書き込むことにより、サーボバンド幅Ｗ_ＳＢが９６μｍである５本のサーボバンドを形成した。なお、サーボ信号の書き込みにより、各サーボバンドには、ハの字の磁気パターンの列が形成された。

次に、記録再生装置を用いて、サーボバンド間のデータバンドにデータ信号を書き込んだ。この際、記録トラック幅Ｗが２．９μｍ、記録波長λが０．２０８μｍの単一記録波長となるように記録再生装置を制御した。なお、データ信号の記録波長λ［ｎｍ］は、最短記録波長で記録された際の磁化反転間距離Ｌ［ｎｍ］（＝０．０５２μｍ）の４倍（すなわち、最短記録波長Ｌ’＝２×Ｌであり、記録波長λ＝（Ｌ’の２倍長））とした。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用いた。

ここで、記録波長λを最短記録波長Ｌ’の２倍にしているのは、以下の理由による。すなわち、短波長を用いた記録再生系では、Ｃ／Ｎとしては一般的に最短記録波長の２倍の記録波長で記録再生した際の出力／ノイズの比を用いることが多い。また、２倍の記録波長でのＣ／Ｎは、最短記録波長でのＣ／Ｎよりもエラーレートとの相関性が高い。更に、最短記録波長でＣ／Ｎ計測を行った場合、記録再生系の波長特性によっては、テープノイズが記録再生系のシステムノイズに隠れてしまい、メディアのノイズ特性を正しく反映しない場合もある。特に高線記録密度記録の場合、メディアのノイズ特性を正しく反映しない場合が多い。

磁化反転間距離の最小値Ｌとデータトラック幅Ｗは、以下のようにして求められた。まず、磁性層１３の表面を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を取得した。図９Ａ、図９Ｂに、ＭＦＭ像の一例を示す。次に、取得したＭＦＭ像から、磁気テープの幅方向における磁化パターン列の寸法を測定し、トラック幅Ｗ［ｎｍ］とした。また、磁気テープの長手方向における明部と明部の距離または暗部と暗部の距離をλ［ｎｍ］とした。その後、λ［ｎｍ］の半分の値をＬ’［ｎｍ］とし、更にＬ’［ｎｍ］の半分をＬ［ｎｍ］とした。

［実施例１０］
以下の点以外は実施例１と同様にしてメディア構成２の磁気テープを得た。すなわち、記録トラック幅Ｗが１．５μｍ、記録波長λが０．１９２μｍの単一記録波長となるように記録再生装置を制御した。なお、データ信号の記録波長λ［ｎｍ］は、最短記録波長で記録された際の磁化反転間距離Ｌ［ｎｍ］（＝０．０４８μｍ）の４倍とした。

［実施例１１］
以下の点以外は実施例２と同様にしてメディア構成３の磁気テープを得た。すなわち、支持体として平均厚み３．６μｍのＰＥＮフィルムを用い、磁気テープの平均厚みを５．２μｍとした。また、記録トラック幅Ｗが０．９５μｍ、記録波長λが０．１６８μｍの単一記録波長となるように記録再生装置を制御した。なお、データ信号の記録波長λ［ｎｍ］は、最短記録波長で記録された際の磁化反転間距離Ｌ［ｎｍ］（＝０．０４２μｍ）の４倍とした。

［実施例１２］
以下の点以外は実施例８と同様にしてメディア構成４の磁気テープを得た。すなわち、支持体として平均厚み３．６μｍのＰＥＮフィルムを用い、磁気テープの平均厚みを５．２μｍとした。また、サーボバンド幅Ｗ_ＳＢが９６μｍである９本のサーボバンドを形成した。また、記録トラック幅Ｗが０．５１μｍ、記録波長λが０．１５６μｍの単一記録波長となるように記録再生装置を制御した。なお、データ信号の記録波長λ［ｎｍ］は、最短記録波長で記録された際の磁化反転間距離Ｌ［ｎｍ］（＝０．０３９μｍ）の４倍とした。

［実施例１３］
以下の点以外は実施例８と同様にしてメディア構成５の磁気テープを得た。すなわち、支持体として平均厚み３．１μｍのＰＥＮフィルムを用い、磁気テープの平均厚みを４．５μｍとした。また、サーボバンド幅Ｗ_ＳＢが９６μｍである９本のサーボバンドを形成した。また、記録トラック幅Ｗが０．８３μｍ、記録波長λが０．１５６μｍの単一記録波長となるように記録再生装置を制御した。なお、データ信号の記録波長λ［ｎｍ］は、最短記録波長で記録された際の磁化反転間距離Ｌ［ｎｍ］（＝０．０３９μｍ）の４倍とした。

［実施例１４］
以下の点以外は実施例９と同様にしてメディア構成６の磁気テープを得た。すなわち、支持体として平均厚み３．１μｍのＰＥＮフィルムを用い、磁気テープの平均厚みを４．５μｍとした。また、サーボバンド幅Ｗ_ＳＢが９６μｍである９本のサーボバンドを形成した。また、記録トラック幅Ｗが０．６３μｍ、記録波長λが０．１５２μｍの単一記録波長となるように記録再生装置を制御した。なお、データ信号の記録波長λ［ｎｍ］は、最短記録波長で記録された際の磁化反転間距離Ｌ［ｎｍ］（＝０．０３８μｍ）の４倍とした。

［実施例１５］
以下の点以外は実施例１と同様にしてメディア構成１の磁気テープを得た。すなわち、磁性層形成用塗料の塗布厚を調整し、下地層上に平均厚み９０ｎｍの磁性層を形成した。また、磁性層形成用塗料の分散条件および磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整し、垂直方向における保磁力Ｈｃ１を２９９０Ｏｅ、長手方向における保磁力Ｈｃ２を１５００Ｏｅ、Ｈｃ２／Ｈｃ１＝０．５０に設定した。

［実施例１６］
以下の点以外は実施例１と同様にしてメディア構成１の磁気テープを得た。すなわち、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整し、垂直方向における保磁力Ｈｃ１を２６９０Ｏｅ、長手方向における保磁力Ｈｃ２を２１５０Ｏｅ、Ｈｃ２／Ｈｃ１＝０．８０に設定した。

［実施例１７］
以下の点以外は実施例６と同様にしてメディア構成１の磁気テープを得た。すなわち、磁性層形成用塗料の塗布厚を調整し、下地層上に平均厚み９０ｎｍの磁性層を形成した。また、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整し、垂直方向における保磁力Ｈｃ１を２９００Ｏｅ、長手方向における保磁力Ｈｃ２を１９５０Ｏｅ、Ｈｃ２／Ｈｃ１＝０．６７に設定した。

（Ｃ／Ｎ）
まず、ループテスター（Microphysics社製）を用いて、磁気テープの再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
ｈｅａｄ：ＧＭＲ ｈｅａｄ
ｓｐｅｅｄ：２ｍ／ｓ
ｓｉｇｎａｌ：単一記録周波数（１０ＭＨｚ）
記録電流：最適記録電流

次に、再生信号をスペクトラムアナライザ（spectrum analyze）によりで取り込み、１０ＭＨｚの再生出力値と、１０ＭＨｚ±１ＭＨｚのノイズの平均値を計測し、それらの差をＣ／Ｎとした。その結果を、比較例１のＣ／Ｎを０ｄＢとする相対値で表１に示した。なお、Ｃ／Ｎが１．５ｄＢ以上であると、短波長・狭トラック密度にも耐えうるメディアを実現できる。

表１は、実施例１〜１７、比較例１〜６の磁気テープの磁気特性および評価結果を示す。

表２は、実施例１〜１７、比較例１〜６の磁気テープで採用したメディア構成を示す。

表１、表２から以下のことがわかる。
実施例１〜５、１５、１６では、（１）磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、（２）磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、（３）垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、（４）垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たす。これにより、良好なＣ／Ｎを得ることができる。
磁性粉としてε酸化鉄粒子粉またはＣｏ含有スピネルフェライト粒子粉を用いた実施例６、７、１７でも、磁性粉として六方晶フェライト粒子粉を用いた実施例１〜５と同様に、上記の（１）〜（４）の構成を満たすことで、良好なＣ／Ｎを得ることができる。
磁性粉として超微粒子粉を用いた実施例８、９でも、上記の（１）〜（４）の構成を満たすことで、良好なＣ／Ｎを得ることができる。
実施例１〜９、１５〜１７よりも記録密度を向上させた実施例１０〜１４でも、上記の（１）〜（４）の構成を満たすことで、良好なＣ／Ｎを得ることができる。

比較例１では、磁性粉の平均アスペクト比が３．０を超えている、すなわち上記の（２）の構成を満たしていないため、磁性粉がスタッキングし、良好なＣ／Ｎを得ることができない。
比較例２では、磁性層の平均厚みが９０ｎｍを超えている、すなわち上記の（１）の構成を満たしていないため、短波長の特性が劣化し、良好なＣ／Ｎを得ることができない。
比較例３では、Ｈｃ２／Ｈｃ１が０．８を超える、すなわち上記の（４）の構成を満たしていないため、磁性粉の垂直配向度が低い。したがって、良好なＣ／Ｎを得ることができない。
比較例４では、垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅを超えている、すなわち上記の（３）の構成を満たしていないため、記録ヘッドでの飽和記録が困難となる。したがって、良好なＣ／Ｎを得ることができない。
磁性粉としてε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを用いた比較例５、６でも、磁性粉として六方晶フェライトを用いた比較例１〜４と同様に、上記の（１）〜（４）の構成を満たしていないと、良好なＣ／Ｎを得ることができない。

以上、本開示の実施形態およびその変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態およびその変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。

また、上述の実施形態およびその変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本明細書において、「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載された数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載された数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。本明細書に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
前記磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たす磁気記録媒体。
（２）
前記磁性層が、複数のサーボバンドを有し、
前記磁性層の表面の面積に対する前記サーボバンドの総面積の割合が、４．０％以下である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
前記サーボバンドの数が、５以上である（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
前記サーボバンドの数が、５＋４ｎ（但し、ｎは正の整数である。）以上である（２）に記載の磁気記録媒体。
（５）
前記サーボバンドの幅が、９５μｍ以下である（２）から（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
前記磁性層が、複数のデータトラックを形成可能に構成され、
前記データトラックの幅が、３．０μｍ以下である（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記磁性層が、磁化反転間距離の最小値Ｌとデータトラックの幅Ｗの比率Ｗ／ＬがＷ／Ｌ≦２００の関係を満たすように、データを記録可能に構成されている（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記磁性層が、磁化反転間距離Ｌの最小値が４８ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
長手方向における前記保磁力Ｈｃ１が、２０００Ｏｅ以下である（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．６μｍ以下である（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１１）
前記基体の平均厚みが、４．２μｍ以下である（１）から（１０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１２）
前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．６μｍ以下であり、
前記磁性層が、複数のサーボバンドを有し、前記サーボバンドの数が、５以上であり、
前記磁性層が、複数のデータトラックを形成可能に構成され、前記データトラックの幅が、１．６μｍ以下であり、前記磁化反転間距離Ｌの最小値が、５０ｎｍ以下であり、前記磁化反転間距離の最小値Ｌと前記データトラックの幅Ｗの比率Ｗ／ＬがＷ／Ｌ≦３０の関係を満たす（１）に記載の磁気記録媒体。
（１３）
前記磁性粉が、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む（１）から（１２）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１４）
前記六方晶フェライトが、ＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含み、
前記ε酸化鉄が、ＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種を含む（１３）に記載の磁気記録媒体。
（１５）
前記磁性層の平均厚みが、８０ｎｍ以下である（１）から（１４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１６）
前記磁性層の平均厚みが、７０ｎｍ以下である（１）から（１５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１７）
垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７の関係を満たす（１）から（１６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１８）
垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、２２００Ｏｅ以上である（１）から（１７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。

１０ 磁気記録媒体
１０Ａ 磁気記録媒体カートリッジ
１０Ｂ カートリッジケース
１０Ｃ リール
１１ 基体
１２ 下地層
１３ 磁性層
１４ バック層
１５ バリア層
２１ コア部
２２ シェル部
２２ａ 第１シェル部
２２ｂ 第２シェル部
３０ 記録再生装置
３１ スピンドル
３２ リール
３３ スピンドル駆動装置
３４ リール駆動装置
３５ ガイドローラ
３６ ヘッドユニット
３７ 通信インターフェース
３８ 制御装置
４１ サーバ
４２ パーソナルコンピュータ
４３ ネットワーク

Claims (46)

1. テープ状の磁気記録媒体であって、
   基体と、
   前記基体上に設けられた下地層と、
   前記下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と、
   前記基体の前記下地層とは反対側に設けられたバック層と
   を備え、
   前記基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
   前記磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
   前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
   前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
   前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たす磁気記録媒体。
2. テープ状の磁気記録媒体であって、
   基体と、
   前記基体上に設けられた下地層と、
   前記下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と、
   前記基体の前記下地層とは反対側に設けられたバック層と
   を備え、
   前記基体は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含み、
   前記磁性層の平均厚みが、９０ｎｍ以下であり、
   前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上３．０以下であり、
   前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、３０００Ｏｅ以下であり、
   前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７５の関係を満たす磁気記録媒体。
3. 前記磁性層が、複数のサーボバンドを有し、
   前記磁性層の表面の面積に対する前記複数のサーボバンドの総面積の割合が、４．０％以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
4. 前記サーボバンドの数が、５以上である請求項３に記載の磁気記録媒体。
5. 前記サーボバンドの数が、５＋４ｎ（但し、ｎは正の整数である。）以上である請求項３に記載の磁気記録媒体。
6. 前記サーボバンドの幅が、９５μｍ以下である請求項３に記載の磁気記録媒体。
7. 前記磁性層が、複数のデータトラックを形成可能に構成され、
   前記データトラックの幅が、３．０μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
8. 前記磁性層が、磁化反転間距離の最小値Ｌとデータトラックの幅Ｗの比率Ｗ／ＬがＷ／Ｌ≦２００の関係を満たすように、データを記録可能に構成されている請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
9. 前記磁性層が、磁化反転間距離の最小値Ｌが４８ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
10. 前記磁気記録媒体の長手方向における前記保磁力Ｈｃ２が、２０００Ｏｅ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
11. 前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．６μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
12. 前記基体の平均厚みが、４．２μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
13. 前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．６μｍ以下であり、
    前記磁性層が、複数のサーボバンドを有し、前記サーボバンドの数が、５以上であり、
    前記磁性層が、複数のデータトラックを形成可能に構成され、前記データトラックの幅が、１．６μｍ以下であり、磁化反転間距離の最小値Ｌが、５０ｎｍ以下であり、前記磁化反転間距離の最小値Ｌと前記データトラックの幅Ｗの比率Ｗ／ＬがＷ／Ｌ≦３０の関係を満たす請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
14. 前記磁性粉が、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む請求項１から１３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
15. 前記六方晶フェライトが、ＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含み、
    前記ε酸化鉄が、ＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種を含む請求項１４に記載の磁気記録媒体。
16. 前記磁性層の平均厚みが、８０ｎｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
17. 前記磁性層の平均厚みが、７０ｎｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
18. 前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７の関係を満たす請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
19. 前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、２２００Ｏｅ以上である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
20. 前記バック層の平均厚みは、０．２μｍ以上０．６μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
21. 前記下地層の平均厚みは、０．６μｍ以上２．０μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
22. 前記磁気記録媒体のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、３．０以上である請求項１から２１のいずれかに記載の磁気記録媒体。
23. 前記磁気記録媒体のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、５．０以上である請求項１から２１のいずれかに記載の磁気記録媒体。
24. 前記磁気記録媒体のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、７．０以上である請求項１から２１のいずれかに記載の磁気記録媒体。
25. 前記基体の平均厚みが、３．８μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
26. 前記基体の平均厚みが、３．４μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
27. 前記磁性層の平均厚みが、３０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
28. 前記磁性粉の平均粒子サイズは、８ｎｍ以上２２ｎｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
29. 前記磁性粉の平均粒子サイズは、１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
30. 前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上２．５以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
31. 前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上２．１以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
32. 前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上１．８以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
33. 前記下地層の平均厚みは、０．６μｍ以上２．０μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
34. 前記下地層の平均厚みは、０．８μｍ以上１．４μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
35. 前記磁性粉の平均粒子体積は、２５０ｎｍ³以上５６００ｎｍ³以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
36. 前記磁性粉の平均粒子体積は、９００ｎｍ³以上５６００ｎｍ³以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
37. 前記バック層の平均厚みは、０．６μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
38. 前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．２μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
39. 前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．０μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
40. 前記磁気記録媒体の平均厚みが、４．６μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
41. 前記磁気記録媒体の平均厚みが、４．４μｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
42. 前記垂直方向における保磁力Ｈｃ１が、２９００Ｏｅ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
43. 前記垂直方向における保磁力Ｈｃ１のが、２８５０Ｏｅ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
44. 前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２の比Ｈｃ２／Ｈｃ１が、０．５≦Ｈｃ２／Ｈｃ１の関係を満たす請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
45. 前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２の比Ｈｃ２／Ｈｃ１が、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．６５の関係を満たす請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
46. 前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２の比Ｈｃ２／Ｈｃ１が、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．６の関係を満たす請求項１または２に記載の磁気記録媒体。

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