JP2020136442A - レーザー加工装置の設定方法、レーザー加工方法、レーザー加工装置、薄化システム、および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
下地基板の主表面に形成されるデバイス層とは反対側から、前記下地基板の内部にレーザー光線を集光照射することにより、前記下地基板の内部に改質層を形成するレーザー加工装置の設定方法であって、
試験基板の主表面に形成されるダメージ確認層とは反対側から、前記試験基板の内部に前記レーザー光線を集光照射することにより、前記試験基板の内部に改質層を形成する工程と、
前記改質層の形成によって前記ダメージ確認層に生じるダメージの有無と、前記レーザー光線の集光点と前記試験基板の前記主表面との間隔との関係を検査する工程と、
前記ダメージの有無と前記間隔との関係に基づいて、前記下地基板の内部に前記改質層を形成する時の前記間隔の下限値を設定する工程とを有する。
62 レーザー加工装置
63 ベベル除去装置
64 研削装置
65 搬送ロボット
66 薄化装置
100 下地基板
110 デバイス層
130 支持基板
150 重合基板
160 試験基板
170 ダメージ確認層
210 チャック
221 集光レンズ
222 空間光変調器(間隔調整部)
230 昇降機構(間隔調整部)
240 制御部
LB レーザー光線
P 集光点
M1 第1改質層
Claims (15)
- 下地基板の主表面に形成されるデバイス層とは反対側から、前記下地基板の内部にレーザー光線を集光照射することにより、前記下地基板の内部に改質層を形成するレーザー加工装置の設定方法であって、
試験基板の主表面に形成されるダメージ確認層とは反対側から、前記試験基板の内部に前記レーザー光線を集光照射することにより、前記試験基板の内部に改質層を形成する工程と、
前記改質層の形成によって前記ダメージ確認層に生じるダメージの有無と、前記レーザー光線の集光点と前記試験基板の前記主表面との間隔との関係を検査する工程と、
前記ダメージの有無と前記間隔との関係に基づいて、前記下地基板の内部に前記改質層を形成する時の前記間隔の下限値を設定する工程とを有する、レーザー加工装置の設定方法。 - 前記ダメージ確認層は、前記デバイス層を形成する材料のうちの、最も低い融点の材料で形成される、請求項1に記載のレーザー加工装置の設定方法。
- 前記ダメージ確認層は、金属スズで形成される、請求項1に記載のレーザー加工装置の設定方法。
- 前記ダメージ確認層は、前記デバイス層を形成する層のうちの、最も低い融点の層と同じ厚さで形成される、請求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザー加工装置の設定方法。
- 前記試験基板は、前記下地基板と同じ材料で形成され、且つ前記下地基板と同じ厚さを有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載のレーザー加工装置の設定方法。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の設定方法で設定された前記下限値以上の前記間隔で、前記下地基板の内部に前記改質層を形成する工程を有する、レーザー加工方法。
- 前記下地基板を、前記デバイス層を介して保持するチャックと、
前記下地基板を基準として前記デバイス層とは反対側から前記下地基板の内部に前記レーザー光線を集光照射することにより、前記下地基板の内部に前記改質層を形成する集光レンズと、
前記レーザー光線の集光点と前記下地基板の前記主表面との間隔を調節する間隔調節部と、
前記下地基板の内部に前記改質層を形成する時に、請求項1〜5のいずれか1項に記載の設定方法で設定された前記下限値以上に、前記間隔を制御する制御部とを備える、レーザー加工装置。 - 下地基板を、前記下地基板の主表面に形成されるデバイス層を介して保持するチャックと、
前記下地基板を基準として前記デバイス層とは反対側から前記下地基板の内部にレーザー光線を集光することにより、前記下地基板の内部に改質層を形成する集光レンズと、
前記レーザー光線の集光点と前記下地基板の前記主表面との間隔を調節する間隔調節部と、
前記下地基板の内部に前記改質層を形成する時に、予め設定された下限値以上に、前記間隔を制御する制御部とを備える、レーザー加工装置。 - 前記チャックは、前記デバイス層を介して前記下地基板に貼合された支持基板を介して、前記下地基板を保持する、請求項7または8に記載のレーザー加工装置。
- 請求項7〜9のいずれか1項に記載のレーザー加工装置と、
前記下地基板の前記主表面に対して平行に並ぶ複数の前記改質層を起点に前記下地基板を分割することにより、前記下地基板を薄化する薄化装置とを備える、薄化システム。 - 前記下地基板の周方向に並ぶ複数の前記改質層を起点に前記下地基板を分割することにより、前記下地基板のベベルを除去するベベル除去装置を備える、請求項10に記載の薄化システム。
- 前記ベベル除去装置は、前記ベベルを除去した前記下地基板の外周面を撮像する撮像部と、前記撮像部で撮像した画像を画像処理する画像処理部とを有する、請求項11に記載の薄化システム。
- 前記薄化装置は、分割によって薄化した前記下地基板を砥石で研削する研削装置を含み、
前記下地基板に対して前記砥石を接近する速度を前記砥石と前記下地基板との接触前に第1速度から第2速度に減速開始する位置を、前記レーザー光線の集光照射位置に応じて決定する制御部を備える、請求項10に記載の薄化システム。 - 下地基板の主表面に形成されるデバイス層とは反対側から、前記下地基板の内部にレーザー光線を集光照射することにより、前記下地基板の内部に改質層を形成する基板処理方法であって、
前記下地基板と前記下地基板に貼り合せられれた支持基板とを含む重合基板を、チャックに保持することと、
前記改質層の形成によって前記デバイス層にダメージが生じない位置に前記レーザー光線を集光照射させることと、
前記改質層を起点に前記下地基板を分割し薄化することとを有する、基板処理方法。 - 分割によって薄化した前記下地基板を砥石で研削することと、
前記下地基板に対して前記砥石を接近する速度を前記砥石と前記下地基板との接触前に第1速度から第2速度に減速開始する位置を、前記レーザー光線の集光照射位置に応じて決定することとを有する、請求項14に記載の基板処理方法。
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