JP2020131287A - 材、溶接方法、及び溶接装置 - Google Patents
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Abstract
Description
金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とが溶接された材であって、
前記材における溶接部は、
前記材の少なくとも一面側の表層に、侵入型元素との化合物が、下記要件を満たす範囲内で、存在してなり、
前記表層よりも深い位置の内層には、侵入型元素との化合物が存在しないか、存在しても、その量は下記要件を満たす範囲内であり、
前記化合物の量は、
前記溶接部でのアノード分極曲線における電流密度が4.0×10−6A/cm2以下となる量であり、
前記溶接部でのビッカース硬度が117HV〜180HVとなる量であり、
前記溶接部での引張強度試験における最大応力σが0.3GPa〜0.5GPaとなる量である
材を提案する。
金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とが溶接された材であって、
前記材における溶接部は、
その厚さが0.4mm以上であり、
前記材の少なくとも一面側の表面からの深さが1μm迄の位置の表層に侵入型元素が下記要件を満たす範囲内で存在し、
前記表面からの深さが100μmより深い位置の内層には、侵入型元素が存在しないか、存在しても、その量は下記要件を満たす範囲内であり、
前記表層における前記侵入型元素の量は、前記元素による化合物の理論的な化学量論的組成比を100%とした場合の90〜100%であり、
前記内層における前記侵入型元素の量は、前記元素による化合物の理論的な化学量論的組成比を100%とした場合の5%以下である
材を提案する。
金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接装置を用いて溶接する方法であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具の先端側に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給される
溶接方法を提案する。
金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接装置を用いて溶接する方法であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具の先端側に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される
溶接方法を提案する。
金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接装置を用いて溶接する方法であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具の先端側に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される
溶接方法を提案する。
金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接装置を用いて溶接する方法であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具側の溶融池表面に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給される
溶接方法を提案する。
金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接装置を用いて溶接する方法であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具側の溶融池表面に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される
溶接方法を提案する。
金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接装置を用いて溶接する方法であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具側の溶融池表面に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される
溶接方法を提案する。
金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接する装置であって、
溶接具と、
不活性ガスが、前記溶接具の先端側に、供給される手段と、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給される手段
とを具備する溶接装置を提案する。
金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接する装置であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具の先端側に、供給される手段と、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される手段
とを具備する溶接装置を提案する。
金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接する装置であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具の先端側に、供給される手段と、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給される手段と、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される手段
とを具備する溶接装置を提案する。
チタン材を溶接トーチにより溶接するチタン溶接方法であって、
前記溶接トーチの先端部にシールドガスを供給するトーチシールドガス供給工程と、
前記チタン材の溶接部の裏側表面にシールドガスを供給するバックシールドガス供給工程と、
前記溶接トーチの後方の溶接部(溶接済個所)の表側表面にシールドガスを供給するアフターシールドガス供給工程
とを備え、
前記バックシールドガス供給工程と前記アフターシールドガス供給工程との少なくとも何れか一方で供給される前記シールドガスに酸素を混入することで前記溶接部の表面に酸化皮膜を形成する
溶接方法を提案する。
チタン材を溶融溶接するチタン溶接方法であって、
前記チタン材の溶接部の表側の溶融池表面にシールドガスを供給する溶融池シールドガス供給工程と、
前記チタン材の前記溶接部の裏側表面にシールドガスを供給するバックシールドガス供給工程と、
前記溶融池の後方の前記溶接部(溶接済個所)の表側表面にシールドガスを供給するアフターシールドガス供給工程
とを備え、
前記バックシールドガス供給工程と前記アフターシールドガス供給工程との少なくとも何れか一方で供給される前記シールドガスに酸素を混入することで前記溶接部の表面に酸化皮膜を形成する
溶接方法を提案する。
チタン材を溶接トーチにより溶接してチタン溶接物を製造するチタン溶接物の製造方法であって、
前記溶接トーチの先端部にシールドガスを供給するトーチシールドガス供給工程と、
前記チタン材の溶接部の裏側表面にシールドガスを供給するバックシールドガス供給工程と、
前記溶接トーチの後方の前記溶接部(溶接済個所)の表側表面にシールドガスを供給するアフターシールドガス供給工程
とを備え、
前記バックシールドガス供給工程と前記アフターシールドガス供給工程との少なくとも何れか一方で供給される前記シールドガスに酸素を混入することで前記溶接部の表面に酸化皮膜を形成する
溶接方法を提案する。
チタン材を溶接するチタン溶接装置であって、
溶接トーチと、
前記溶接トーチの先端部にシールドガスを供給するシールドガス供給装置
とを備え、
前記シールドガス供給装置は、さらに、前記チタン材の溶接部の裏側表面と、前記溶接トーチの後方の前記溶接部(溶接済個所)の表側表面との少なくとも一方に、酸素が所定量混入された前記シールドガスを供給する
溶接装置を提案する。
チタン材を溶接するチタン溶接装置であって、
溶接トーチと、
前記溶接トーチの先端部にシールドガスを供給するトーチシールド部と、
前記チタン材の溶接部の裏側表面にシールドガスを供給するバックシールド部と、
前記溶接トーチの後方の前記溶接部(溶接済個所)の表側表面にシールドガスを供給するアフターシールド部と、
前記トーチシールド部、前記バックシールド部及び前記アフターシールド部に前記シールドガスを供給するシールドガス供給装置であって、前記バックシールド部に供給する前記シールドガスと前記アフターシールド部に供給する前記シールドガスとの少なくとも一方に酸素を混入するシールドガス供給装置
とを備える溶接装置を提案する。
前記材は、金属A材と金属B材とが溶接された材である。溶接は、例えば母材(例えば、前記金属A,B材)の溶融による。前記金属Aはチタン及びチタン合金の群の中から選ばれた金属である。前記金属Bは、前記金属Aと異種であっても良い。例えば、Fe,Ni,Cu,Al等の構造材料金属(合金)であっても良い。しかしながら、前記金属Aと前記金属Bとが異種金属の場合、溶接部では脆い金属間化合物が形成され易い。従って、前記金属Bは、好ましくは、チタン及びチタン合金の群の中から選ばれた金属である。前記金属A材と前記B材とは同じ金属材であることが好ましい。
ここで、表層と内層とに分けて記載しているが、結局は、全体における量であろう。但し、最表面に形成されているのは、例えばTiO2,TiN,TiC等であろう。これ等の化合物による膜は耐食性に優れている。深い位置に進むにつれて、O,N,C量は減少するであろう。O,N,C量を少なくする事によって、脆化の問題が解決されるであろう。
前記侵入型元素の量は、前記溶接部のアノード分極曲線における電流密度が4.0×10−6A/cm2以下となる量であった。好ましくは、3.0×10−6A/cm2以下となる量であった。更に好ましくは、2.0×10−6A/cm2以下となる量であった。前記溶接部のアノード分極曲線における電流密度は低ければ低い方が良い。例えば、1.0×10−9A/cm2であっても良い。
前記侵入型元素の量は、前記溶接部のビッカース硬度が117HV以上で180HV以下となる量であった。好ましくは、175HV以下となる量であった。更に好ましくは、150HV以下となる量であった。好ましくは、140HV以上となる量であった。
前記侵入型元素の量は、前記溶接部の引張強度試験での最大応力σが0.3GPa以上で0.5GPa以下となる量であった。好ましくは、0.45GPa以下となる量であった。更に好ましくは、0.4GPa以下となる量であった。
前記アノード分極曲線における電流密度はJIS T 0302より腐食性の高い濃度30%の塩酸溶液中で6x10mmの試験片にて求められた。
前記ビッカース硬度はJIS Z 2244に準じて求められた。
前記引張強度試験における応力σはJIS Z 2241に準じて求められた。
前記材の少なくとも一面側の前記表層には侵入型元素が下記要件を満たす範囲内で存在する。
前記内層には、侵入型元素が存在しないか、存在しても、その量は下記要件を満たす範囲内であった。
前記表層における前記侵入型元素の量は、前記元素による化合物の理論的な化学量論的組成比を100%とした場合の90〜100%であった。
例えば、TiO2の場合(侵入型元素がOの場合)には、TiOx(x=1.8〜2)である。前記90%はTiO1.8を意味する。前記100%はTiO2を意味する。例えば、TiNの場合(侵入型元素がNの場合)には、TiNx(x=0.9〜1)である。前記90%はTiN0.9を意味する。前記100%はTiNを意味する。例えば、TiCの場合(侵入型元素がCの場合)には、TiCx(x=0.9〜1)である。前記90%はTiC0.9を意味する。前記100%はTiCを意味する。
最表面に形成されているのは、例えばTiO2,TiN,TiC等であろう。これ等の化合物による膜は耐食性に優れている。深い(下方)位置に進むにつれて、O,N,C量は減少するであろう。すなわち、TiO1.8,TiN0.9,TiC0.9と言った如く、O等の量が減少する。
前記内層における前記侵入型元素の量は、好ましくは、前記元素による化合物の理論的な化学量論的組成比を100%とした場合の5%以下であった。更に好ましくは1%以下であった。もっと好ましくは0.1%以下であった。勿論、0%であっても良い。
例えば、TiO2の場合(侵入型元素がOの場合)には、TiOx(x=0〜0.05)である。前記0%はOが0を意味する。前記5%はTiO0.1を意味する。例えば、TiNの場合(侵入型元素がNの場合)には、TiNx(x=0〜0.05)である。前記0%はNが0を意味する。前記5%はTiN0.05を意味する。例えば、TiCの場合(侵入型元素がCの場合)には、TiCx(x=0〜0.05)である。前記0%はCが0を意味する。前記5%はTiC0.05を意味する。
前記溶接部の厚みは0.4mm以上である。勿論、これより厚くても良い。例えば、0.7mm以上でも良い。1mm以上でも良い。2〜4mmであっても良い。1cmであっても良い。上限値に格別な制限はない。前記溶接部の厚さが薄過ぎると、溶接強度が弱い。
前記方法は、前記金属A材と前記金属B材とを溶接装置を用いて溶接する方法である。
前記方法の一つの例は次の通りである。不活性ガスが前記溶接装置の溶接具の先端側に供給され、不活性ガスと侵入型元素のガスとが前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給される。前記方法は、例えば、不活性ガスが前記溶接装置の溶接具の先端側に供給される工程と、不活性ガスと侵入型元素のガスとが前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給される工程とを具備する。
各々のガスが独立して(別々に)供給され、供給(吐出:噴射)された後で混ざる形態であっても良い。
前記侵入型元素のガスの雰囲気下に前記不活性ガスが供給され、前記侵入型元素のガスによる溶接部の変性が内部の深い位置に進む前に、前記不活性ガスによって前記侵入型元素のガスが溶接部から排除される形態であっても良い。
初期段階では前記侵入型元素のガスの供給量を抑えた状態で行い、或る時間経過以降では前記侵入型元素のガスの供給を停止すると共に、不活性ガスを供給する形態であっても良い。
不活性ガスの雰囲気下に前記侵入型元素のガスが供給され、前記侵入型元素のガスによる溶接部の変性が内部の深い位置にまで進まない形態であっても良い。
不活性ガスの供給と侵入型元素のガスの供給とが時間差で以って制御され、前記侵入型元素のガスによる溶接部の変性が内部の深い位置にまで進まない形態であっても良い。
しかし、不活性ガスと侵入型元素のガスとの混合ガスの形態で供給するのが最も簡単である。
前記不活性ガスは、例えばHe,Ne,Ar等である。特にArである。
前記製造方法は前記溶接方法が実施される方法である。すなわち、前記溶接方法が実施される事による製造方法である。
前記方法は、例えばチタン材を溶接トーチにより溶接してチタン溶接物を製造するチタン溶接物の製造方法である。前記方法は、例えば前記溶接トーチの先端部にシールドガスを供給するトーチシールドガス供給工程と、前記チタン材の溶接部の裏側表面にシールドガスを供給するバックシールドガス供給工程と、前記溶接トーチの後方の前記溶接部(溶接済個所)の表側表面にシールドガスを供給するアフターシールドガス供給工程とを具備してなり、前記バックシールドガス供給工程と前記アフターシールドガス供給工程との少なくとも何れか一方で供給される前記シールドガスに酸素を混入することで前記溶接部の表面に酸化皮膜を形成する方法である。
前記装置は、前記金属A材と前記金属B材とを溶接する装置である。
前記装置の一つの例は次の通りである。
前記装置は溶接具を具備する。前記装置は、不活性ガスが前記溶接具の先端側に供給される手段を具備する。前記装置は、不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給される手段を具備する。
前記装置は溶接具を具備する。前記装置は、不活性ガスが前記溶接具の先端側に供給される手段を具備する。前記装置は、不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される手段を具備する。
前記装置は溶接具を具備する。前記装置は、不活性ガスが前記溶接具の先端側に供給される手段を具備する。前記装置は、不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給される手段を具備する。前記装置は、不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される手段を具備する。
前記装置は、チタン材を溶接するチタン溶接装置であって、溶接トーチと、前記溶接トーチの先端部にシールドガスを供給するシールドガス供給装置とを具備してなり、前記シールドガス供給装置は、更に、前記チタン材の溶接部の裏側表面と、前記溶接トーチの後方の前記溶接部(溶接済個所)の表側表面との少なくとも一方に、酸素が所定量混入された前記シールドガスを供給する。
前記装置は、チタン材を溶接するチタン溶接装置であって、溶接トーチと、前記溶接トーチの先端部にシールドガスを供給するトーチシールド部と、前記チタン材の溶接部の裏側表面にシールドガスを供給するバックシールド部と、前記溶接トーチの後方の前記溶接部(溶接済個所)の表側表面にシールドガスを供給するアフターシールド部と、前記トーチシールド部、前記バックシールド部及び前記アフターシールド部に前記シールドガスを供給するシールドガス供給装置であって、前記バックシールド部に供給する前記シールドガスと前記アフターシールド部に供給する前記シールドガスとの少なくとも一方に酸素を混入するシールドガス供給装置とを具備する。
前記シールド手段が無い場合に比べて、前記シールド手段の存在によって、供給された不活性ガスの滞留時間が、長くなる。これによって、不活性ガスの無駄遣いが少なくなる。
arc welding)を用いた技術、電子ビーム溶接(Electron beam welding)を用いた技術、レーザビーム溶接(Laser beam welding)を用いた技術、抵抗溶接(Resistance welding)を用いた技術であっても良い。
5 チタン金属板(被溶接物)
6 溶融池
10 溶接トーチ
11 ガス流路
12 タングステン電極(溶接具)
15 チタン金属製溶加棒
20 ガス供給装置
21 トーチシールド部
23 ガスライン
31 バックシールド部
32 バックカバー
35 ガスライン
36 切替バルブ
41 アフターシールド部
42 アフターカバー
45 ガスライン
46 切替バルブ
50 Arガスボンベ
51 大気混入Arガスボンベ
Claims (21)
- 金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とが溶接された材であって、
前記材における溶接部は、
前記材の少なくとも一面側の表層に、侵入型元素との化合物が、下記要件を満たす範囲内で、存在してなり、
前記表層よりも深い位置の内層には、侵入型元素との化合物が存在しないか、存在しても、その量は下記要件を満たす範囲内であり、
前記化合物の量は、
前記溶接部でのアノード分極曲線における電流密度が4.0×10−6A/cm2以下となる量であり、
前記溶接部でのビッカース硬度が117HV〜180HVとなる量であり、
前記溶接部での引張強度試験における最大応力σが0.3GPa〜0.5GPaとなる量である
材。 - 金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とが溶接された材であって、
前記材における溶接部は、
その厚さが0.4mm以上であり、
前記材の少なくとも一面側の表面からの深さが1μm迄の位置の表層に侵入型元素が下記要件を満たす範囲内で存在し、
前記表面からの深さが100μmより深い位置の内層には、侵入型元素が存在しないか、存在しても、その量は下記要件を満たす範囲内であり、
前記表層における前記侵入型元素の量は、前記元素による化合物の理論的な化学量論的組成比を100%とした場合の90〜100%であり、
前記内層における前記侵入型元素の量は、前記元素による化合物の理論的な化学量論的組成比を100%とした場合の5%以下である
材。 - 侵入型元素がO,N,Cの群の中から選ばれる一種または二種以上である
請求項1,2いずれかの材。 - 表層における侵入型元素はTiMx(MはO,N,Cの群の中から選ばれる一種または二種以上の元素。MがOの場合には、xは0.3〜2の数。MがN,Cの場合には、xは0.5〜1の数)の形態で存在してなる
請求項1,2,3いずれかの材。 - 金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接装置を用いて溶接する方法であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具の先端側に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給される
溶接方法。 - 金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接装置を用いて溶接する方法であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具の先端側に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される
溶接方法。 - 金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接装置を用いて溶接する方法であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具の先端側に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される
溶接方法。 - 金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接装置を用いて溶接する方法であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具側の溶融池表面に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給される
溶接方法。 - 金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接装置を用いて溶接する方法であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具側の溶融池表面に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される
溶接方法。 - 金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接装置を用いて溶接する方法であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具側の溶融池表面に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給され、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される
溶接方法。 - 溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所でのガスにおける侵入型元素のガスの量が0.05〜1体積%である
請求項5,7,8,10いずれかの溶接方法。 - 材を挟んで溶接具が存在しない側でのガスにおける侵入型元素のガスの量が0.05〜0.5体積%である
請求項6,7,9,10いずれかの溶接方法。 - 侵入型元素のガスは、温度が350〜1000℃の個所に向けて、供給される
請求項5〜請求項12いずれかの溶接方法。 - 侵入型元素がO,N,C,Hの群の中から選ばれる一種または二種以上である
請求項5〜請求項13いずれかの溶接方法。 - 請求項1〜4いずれかの材を得る
請求項5〜請求項14いずれかの溶接方法。 - 金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接する装置であって、
溶接具と、
不活性ガスが、前記溶接具の先端側に、供給される手段と、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給される手段
とを具備する溶接装置。 - 金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接する装置であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具の先端側に、供給される手段と、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される手段
とを具備する溶接装置。 - 金属A(Aはチタン又はチタン合金)材と金属B(Bは前記Aと同種であっても異なっていても良い。)材とを溶接する装置であって、
不活性ガスが、前記溶接装置の溶接具の先端側に、供給される手段と、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在する側で、かつ、前記溶接具による溶接済個所に、供給される手段と、
不活性ガスと侵入型元素のガスとが、前記材を挟んで前記溶接具が存在しない側に、供給される手段
とを具備する溶接装置。 - 供給された侵入型元素ガスが分散する分散手段を更に具備してなる
請求項16,17,18いずれかの溶接装置。 - シールド手段を更に具備してなり、
前記シールド手段が無い場合に比べて、前記シールド手段によって、供給された不活性ガスの滞留時間が、長い
請求項16,17,18,19いずれかの溶接装置。 - 請求項1〜4いずれかの材を得る
請求項16,17,18,19,20いずれかの溶接装置。
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