JP2020071966A - フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法 - Google Patents

フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法 Download PDF

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Tsuyoshi Ikeda
剛史 池田
生芳 高松
Ikuyoshi Takamatsu
生芳 高松
山本　幸司
Koji Yamamoto
山本　　幸司
東光 崔
Dong Kwang Choi
東光 崔
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Abstract

【課題】製造効率が低下しにくいフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとが積層された第１積層基板１１、および、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとが積層された第２積層基板１２を含み、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとが対向するように積層された多層積層基板１０の製造に関する。この製造方法は、第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層する工程以後の工程である後段工程を含む。後段工程は、積層された第１積層基板１１および第２積層基板１２を切断する後段加工工程を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
有機ＥＬ（electro luminescence）ディスプレイは、発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスを備える。フレキシブル有機ＥＬディスプレイでは、基板にフレキシブル基板が用いられる。フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造工程では、ガラス層に樹脂層が形成され、樹脂層に発光層等が形成される（例えば特許文献１）。
再公表特許ＷＯ２０１１／０３０７１６号公報
新しい構造の発光デバイスが提案されている。この発光デバイスは、対向するように設けられる第１樹脂層および第２樹脂層を有する。第１樹脂層と第２樹脂層との間に発光層等が設けられる。従来の発光デバイスとは構造が異なるため、新しい構造の発光デバイスの製造に関する効率が低下するおそれがある。
本発明の目的は、製造効率が低下しにくいフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することである。
本発明に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、ガラス層と樹脂層とが積層された複数の積層基板を備え、前記複数の積層基板は第１ガラス層と第１樹脂層とが積層された第１積層基板、および、第２ガラス層と第２樹脂層とが積層された第２積層基板を含み、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板の製造に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、前記複数の積層基板を積層する工程以後の工程である後段工程を含み、前記後段工程は、積層された前記複数の積層基板を切断する後段加工工程を含む。
この製造方法によれば、複数の積層基板が積層された状態で積層基板が切断されるため、切断された積層基板を積層して多層積層基板を製造する場合と比較し、複数の積層基板を積層する工程での作業が簡素化され、製造効率が低下しにくい。
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記後段加工工程は、前記積層基板の前記ガラス層および前記樹脂層を切断する後段切断工程を含み、前記後段切断工程では、前記ガラス層および前記樹脂層の順に前記積層基板を切断する。
この製造方法によれば、積層基板のガラス層が先に切断されるため、樹脂層を切断する工程では樹脂層におけるガラス層に覆われていない部分を切断できる。例えば、樹脂層をレーザで切断する場合、樹脂層に対するレーザの照射にともない発生するガスがガラス層の切断部分から排出され、ガスが樹脂層の品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記後段切断工程では、前記樹脂層をレーザにより切断する。
この製造方法では、樹脂層がレーザにより切断されるため、切断時の発熱量が少なく、樹脂層の品質が低下しにくい。
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記後段切断工程では、一定の時間を空けて前記樹脂層にレーザを複数回照射することにより前記樹脂層を切断する。
この製造方法では、樹脂層にレーザが照射され、レーザの照射が一時的に中断され、一定の時間が経過した後に再び樹脂層にレーザが照射され、これらのレーザの照射および一時的な照射の中断が複数回繰り返される。樹脂層に対するレーザの照射にともない発生したガスが、レーザの照射が一時的に中断されているときに冷却され、ガスの影響によりガラス層および樹脂層の品質が低下するおそれが低減される。
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記後段切断工程では、前記樹脂層に対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が抑制される所定出力未満に設定する。
この製造方法によれば、樹脂層にレーザが照射された場合に高温のガスが発生しにくく、ガスの影響によりガラス層および樹脂層の品質が低下するおそれが低減される。
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記後段加工工程は、前記複数の積層基板の少なくとも一方の前記ガラス層に、前記樹脂層の切断にともない生じる異物を排出する排出部を形成する排出部形成工程を含む。
この製造方法によれば、例えば樹脂層をレーザで切断する場合に発生するガスがガラス層の排出部を介して多層積層基板の外部に排出され、ガスの影響により樹脂層の品質が低下するおそれが低減される。
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記後段加工工程は、前記樹脂層を冷却する冷却工程と、前記冷却工程の後に前記樹脂層をブレイクする後段切断工程とを含む。
この製造方法では、樹脂層がスクライブされることなくブレイクされる。例えばレーザにより樹脂層をスクライブする場合と比較して、樹脂層がブレイクされるまでに樹脂層が受ける熱の影響が小さく、樹脂層の品質が低下しにくい。
本発明によれば、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくくなる。
第１実施形態の製造方法に関する多層積層基板の断面図。 図１の多層積層基板の平面図。 レーザ加工装置の構成を示す模式図。 スクライブ加工装置の構成を示す模式図。 スクライビングホイールの断面図。 第１実施形態の製造方法を示すフローチャート。 後段加工工程の加工順番と加工種類との関係を示す図。 レーザ加工装置の構成を示す模式図。 後段加工工程の第２の工程例を示す図。 後段加工工程の第３の工程例を示す図。 排出部形成工程の第１の例を示す図。 排出部形成工程の第２の例を示す図。 剥離工程の一例を示す図。 単位積層基板の一例の断面図。 第２実施形態の製造方法に関する多層積層基板の断面図。 第３実施形態の製造方法に関する多層積層基板の断面図。 予備加工工程の加工順番のパターンを示す図。 第４実施形態の製造方法に関して、前段積層工程の第１の例を示す図。 前段積層工程の第２の例を示す図。 前段積層工程の第３の例を示す図。 後段積層工程の一例を示す図。 変形例の製造方法に関する多層積層基板の断面図。
（第１実施形態）
図面を参照してフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。フレキシブル有機ＥＬディスプレイは、据置型の機器および携帯機器等に用いられる。据置型の機器の一例は、パーソナルコンピュータおよびテレビ受像機である。携帯機器の一例は、携帯情報端末、ウェアラブルコンピュータ、および、ノート型パーソナルコンピュータである。携帯情報端末の一例はスマートフォン、タブレット、および、携帯ゲーム機である。ウェアラブルコンピュータの一例は、ヘッドマウントディスプレイおよびスマートウォッチである。
フレキシブル有機ＥＬディスプレイは、発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスと、発光デバイスを一方から覆う第１保護フィルムと、発光デバイスを他方から覆う第２保護フィルムとを有する。第１保護フィルムおよび第２保護フィルムはそれぞれ、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate）が用いられる。なお、第１保護フィルムおよび第２保護フィルムの一方は省略してもよい。発光デバイスの製造工程では、図１に示される１枚の多層積層基板１０から複数の発光デバイスが製造される。
多層積層基板１０は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造の途中段階で製造される。多層積層基板１０は、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとが積層された第１積層基板１１と、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとが積層された第２積層基板１２とを有する。多層積層基板１０は、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとが対向するように第１積層基板１１と第２積層基板１２とが積層されて構成されている。多層積層基板１０は、導電層１３をさらに有する。導電層１３は、例えば第１積層基板１１の第１樹脂層１１Ｂ上に形成されている。導電層１３は、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとに挟まれている。導電層１３は、ＯＬＥＤ（Organic Light Diode）、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の電子デバイス用部材が形成されている。第１樹脂層１１Ｂ、導電層１３、および、第２樹脂層１２Ｂは、発光デバイスを構成している。
第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａと第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの組成は、特に限定されないが、例えばアルカリ金属酸化物を含有するガラス、または無アルカリガラス等の種々の組成のガラスを用いることができる。アルカリ金属酸化物を含有するガラスの一例は、ソーダライムガラスである。本実施形態では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａは、無アルカリガラスが用いられる。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば０．５ｍｍ程度であることが好ましい。第１ガラス層１１Ａは、第１樹脂層１１Ｂが形成される第１平面１４Ａ、および、第１平面１４Ａと対をなす第２平面１４Ｂを有する。第２ガラス層１２Ａは、第２樹脂層１２Ｂが形成される第１平面１５Ａ、および、第１平面１５Ａと対をなす第２平面１５Ｂを有する。
第１積層基板１１の第１樹脂層１１Ｂと第２積層基板１２の第２樹脂層１２Ｂとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの組成は、特に限定されないが、例えばポリイミド（ＰＩ）を用いることができる。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることが好ましい。
図２は、多層積層基板１０の平面図である。
図２の破線によって示される切断予定部１６，１７に沿って多層積層基板１０を格子状に切断することによって単位積層基板２０が形成される。単位積層基板２０の平面視におけるサイズは、平面視において発光デバイスの予め決められたサイズに相当する。
多層積層基板１０の切断には、レーザ加工装置およびスクライブ加工装置の少なくとも一方が用いられる。図３は、レーザ加工装置の構成の一例であり、図４は、スクライブ加工装置の構成の一例である。図３および図４において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、および、Ｚ軸方向を図３および図４に示すとおり規定する。なお、第１積層基板１１および第２積層基板１２の切断には、ダイシング加工装置（図示略）を用いてもよい。
図３に示されるように、レーザ加工装置３０は、多層積層基板１０を切断するためのレーザ装置３１と、レーザ装置３１に対して多層積層基板１０を移動させるための機械駆動系３２と、レーザ装置３１および機械駆動系３２を制御する第１制御部３３とを備える。
レーザ装置３１は、多層積層基板１０における第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、第１ガラス層１１Ａ、および、第２ガラス層１２Ａの少なくとも１つを加工する。レーザ装置３１は、多層積層基板１０にレーザ光を照射するためのレーザ発振器３４と、レーザ光を機械駆動系３２に伝送する伝送光学系３５とを有する。レーザ発振器３４は、例えばＵＶ（Ultra Violet）レーザまたはＣＯ２レーザである。レーザ加工装置３０が第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを加工する場合、レーザ発振器３４はＵＶレーザである。レーザ加工装置３０が第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを加工する場合、レーザ発振器３４はＣＯ２レーザまたはＵＶレーザである。伝送光学系３５は、例えば集光レンズ、複数のミラー、プリズム、ビームエキスパンダ等から構成される。また、伝送光学系３５は、例えばレーザ発振器３４が組み込まれたレーザ照射ヘッドをＸ軸方向に移動させるためのＸ軸方向移動機構を有する。レーザ発振器３４から照射されたレーザ光は、伝送光学系３５を介して多層積層基板１０に向けて照射される。
機械駆動系３２は、レーザ装置３１とＺ軸方向に対向して配置されている。機械駆動系３２は、ベッド３６、加工テーブル３７、および、移動装置３８から構成される。加工テーブル３７上には、多層積層基板１０が載置される。移動装置３８は、加工テーブル３７をベッド３６に対して水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に移動させる。移動装置３８は、ガイドレール、移動テーブル、モータ等を有する公知の機構である。
第１制御部３３は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＭＰＵ（Micro Processing Unit）を有する。第１制御部３３は、１または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第１制御部３３は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第１制御部３３は、レーザ装置３１に設けられてもよいし、機械駆動系３２に設けられてもよいし、レーザ装置３１および機械駆動系３２とは別に設けられてもよい。第１制御部３３がレーザ装置３１および機械駆動系３２とは別に設けられる場合、第１制御部３３の配置位置は任意に設定可能である。
図４に示されるように、スクライブ加工装置４０は、スクライビングホイール５０と多層積層基板１０とがＸ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動することによって多層積層基板１０にＸ軸方向およびＹ軸方向に沿うスクライブラインを形成する。スクライブ加工装置４０は、多層積層基板１０を加工するための加工装置４１と、多層積層基板１０を搬送するための搬送装置４２と、加工装置４１および搬送装置４２を制御する第２制御部４３とを備える。
搬送装置４２は、一対のレール４４、テーブル４５、直進駆動装置４６、回転装置４７等から構成される。一対のレール４４は、Ｙ軸方向に沿って延びている。図４のスクライブ加工装置４０では、スクライブ加工装置４０のベース（図示略）に一対のレール４４が配置され、直進駆動装置４６によってテーブル４５が一対のレール４４に沿って往復移動し、回転装置４７によってテーブル４５が中心軸Ｃまわりを回転する。テーブル４５には、多層積層基板１０が載置される。直進駆動装置４６の一例は、送りねじ装置を有する。回転装置４７は、駆動源となるモータを有する。
加工装置４１は、横駆動装置４８、縦駆動装置４９、および、スクライビングホイール５０等から構成される。スクライビングホイール５０は、スクライビングホイール５０を保持するためのホルダユニットに取り付けられる。ホルダユニットは、ホルダユニットを保持するためのスクライブヘッドに取り付けられる。スクライブヘッドは、横駆動装置４８によってＸ軸方向に移動し、縦駆動装置４９によってＺ軸方向に移動する。スクライビングホイール５０がＸ軸方向に移動することによって、多層積層基板１０にＸ軸方向に沿うスクライブラインを形成する。
スクライビングホイール５０は、ホルダユニットに取り付けられるピン（図示略）に回転可能に支持される。スクライビングホイール５０を構成する材料の一例は、焼結ダイヤモンド（Poly Crystalline Diamond）、超硬金属、単結晶ダイヤモンド、および、多結晶ダイヤモンドである。スクライビングホイール５０は、例えば図５（ａ）に示される形状のスクライビングホイール５０Ａ、および、図５（ｂ）に示される形状のスクライビングホイール５０Ｂのいずれかを用いることができる。
図５（ａ）に示されるスクライビングホイール５０Ａは、円板状の本体部５１と、断面Ｖ字状の刃先部５２とから構成される。断面Ｖ字状とは、スクライビングホイール５０Ａの厚さ方向（以下「厚さ方向ＤＴ」）に沿う平面でスクライビングホイール５０Ａを切った断面において、スクライビングホイール５０Ａの外周縁に向けて先細る形状である。
本体部５１の中心部には、本体部５１を厚さ方向ＤＴに貫通する挿入孔５３が形成される。挿入孔５３にはピンが挿入される。
刃先部５２は、断面Ｖ字状を形成する２つの斜面である第１斜面５２Ａおよび第２斜面５２Ｂを有する。第１斜面５２Ａおよび第２斜面５２Ｂは、スクライビングホイール５０Ａの厚さ方向ＤＴの中心であって、厚さ方向ＤＴに直交する回転中心面ＲＣに対して対称である。
図５（ｂ）に示されるスクライビングホイール５０Ｂは、スクライビングホイール５０Ａと比較して、刃先部５２の形状が異なる。スクライビングホイール５０Ｂの刃先部５２における第１斜面５２Ａおよび第２斜面５２Ｂは、回転中心面ＲＣに対して非対称である。一例では、厚さ方向に沿うスクライビングホイール５０Ｂの断面において、スクライビングホイール５０Ｂの径方向に平行な線分Ｌ１と第１斜面５２Ａとがなす第１角度θ１は、線分Ｌ１と第２斜面５２Ｂとがなす第２角度θ２よりも大きい。なお、回転中心面ＲＣに対して線分Ｌ１に沿う方向における刃先部５２の先端の位置がずれていれば、第１角度θ１は、第２角度θ２と等しくてもよい。
第２制御部４３は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばＣＰＵまたはＭＰＵを有する。第２制御部４３は、１または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第２制御部４３は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第２制御部４３は、加工装置４１に設けられてもよいし、搬送装置４２に設けられてもよいし、加工装置４１および搬送装置４２とは別に設けられてもよい。第２制御部４３が加工装置４１および搬送装置４２とは別に設けられる場合、第２制御部４３の配置位置は任意に設定可能である。
〔フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法〕
次に、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の詳細について説明する。図６は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の工程の一例を示す。
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法では、第１積層基板１１および第２積層基板１２を貼り合せて多層積層基板１０を製造後、多層積層基板１０を所定サイズに切断して単位積層基板２０を製造する。次に、単位積層基板２０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを除去することにより、発光デバイスが製造される。そして、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに第１保護フィルムおよび第２保護フィルムを取り付ける。これにより、フレキシブル有機ＥＬディスプレイが製造される。
図６に示されるように、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程よりも前の工程である前段工程と、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程以後の工程である後段工程とに区分される。前段工程は、前段積層工程を含む。前段積層工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を製造する工程である。後段工程は、後段積層工程、後段加工工程、および、剥離工程を含む。後段積層工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層して多層積層基板１０を製造する工程である。後段加工工程は、多層積層基板１０の切断予定部１６，１７に沿って多層積層基板１０を切断することにより、すなわち多層積層基板１０を所定サイズに切断することにより、単位積層基板２０を製造する工程である。剥離工程は、レーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）によって第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを剥離し、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを剥離する工程である。以下、各工程の詳細について説明する。
前段積層工程では、第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａの全体にわたり第１樹脂層１１Ｂを形成することによって第１積層基板１１を製造し、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａの全体にわたり第２樹脂層１２Ｂを形成することによって第２積層基板１２を製造する。第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａへの第１樹脂層１１Ｂの形成方法、および、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａへの第２樹脂層１２Ｂの形成方法はそれぞれ、ガラス層に樹脂層を塗布する方法、または、ガラス層に接着層を介して樹脂層をラミネートする方法を選択できる。またガラス層に樹脂層を固定する方法として、加熱硬化処理、または、プレス法による加熱および加圧処理を選択できる。
後段積層工程では、所定サイズに切断されていない第１積層基板１１と所定サイズに切断されていない第２積層基板１２とを積層する。一例では、第１積層基板１１と第２積層基板１２とが、例えば接着層ＳＤを介して貼り合せられる。これにより、多層積層基板１０が製造される。
後段加工工程では、第１の工程例〜第４の工程例のいずれかを選択できる。第１の工程例では、後段加工工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２をそれぞれ切断する後段切断工程を含む。第２の工程例では、後段加工工程は、多層積層基板１０を冷却する冷却工程と、冷却工程の後に第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをそれぞれブレイクする後段切断工程とを含む。第３の工程例では、後段加工工程は、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザにより脆化する脆化工程と、脆化工程の後に第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをそれぞれブレイクする後段切断工程とを含む。第４の工程例では、後段加工工程は、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方にガスを排出する排出部１８を形成する排出部形成工程と、レーザによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方を切断する工程を含む後段切断工程とを含む。
第１の工程例について説明する。
第１の工程例の後段加工工程の後段切断工程では、例えば図７（ａ）（ｂ）に示されるように、多層積層基板１０を所定サイズに切断する順番および加工種類を任意に選択できる。図７（ａ）の表は、多層積層基板１０を第１積層基板１１および第２積層基板１２の順に所定サイズに切断する場合の各層の加工順番と加工種類との関係の一例を示す。図７（ｂ）は、多層積層基板１０を第２積層基板１２および第１積層基板１１の順に所定サイズに切断する場合の各層の加工順番と加工種類との関係の一例を示す。図７（ａ）（ｂ）に示されるとおり、第１ガラス層１１Ａよりも前に第１樹脂層１１Ｂを切断または第１樹脂層１１Ｂをスクライブする場合、および、第２ガラス層１２Ａよりも前に第２樹脂層１２Ｂを切断または第２樹脂層１２Ｂをスクライブする場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの加工にスクライブ加工装置４０を用いることはできない。第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂをレーザで切断する場合、例えば次の第１の方法および第２の方法を選択できる。第１の方法は、レーザによって第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂをスクライブした後、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂをブレイクする。第２の方法は、レーザによって第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂを切断する。なお、第１の工程例の後段加工工程の後段切断工程では、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂに対して、切断する層およびスクライブ後にブレイクする層のいずれかを任意に選択できる。
第１樹脂層１１Ｂまたは第２樹脂層１２Ｂをレーザで切断する場合、第１樹脂層１１Ｂまたは第２樹脂層１２Ｂに対するレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が抑制される所定出力未満に設定し、第１樹脂層１１Ｂまたは第２樹脂層１２Ｂにレーザを複数回照射することが好ましい。第１樹脂層１１Ｂまたは第２樹脂層１２Ｂへのレーザの照射にともない発生するガスが時間の経過とともに冷却されるため、多層積層基板１０の内部のガスの体積の増大を抑制できる。
レーザまたはスクライビングホイール５０によって第１ガラス層１１Ａをスクライブした後、レーザによって第２樹脂層１２Ｂを切断または第２樹脂層１２Ｂをスクライブする場合、第２ガラス層１２Ａ側からレーザを照射することが好ましい。レーザによって第２樹脂層１２Ｂを切断する場合、第２樹脂層１２Ｂを切断後、同一照射方向のレーザによって第１樹脂層１１Ｂを切断または第１樹脂層１１Ｂをスクライブしてもよい。レーザまたはスクライビングホイール５０によって第２ガラス層１２Ａをスクライブした後、レーザによって第１樹脂層１１Ｂを切断または第１樹脂層１１Ｂをスクライブする場合、第１ガラス層１１Ａ側からレーザを照射することが好ましい。レーザによって第１樹脂層１１Ｂを切断する場合、第１樹脂層１１Ｂを切断後、同一照射方向のレーザによって第２樹脂層１２Ｂを切断または第２樹脂層１２Ｂをスクライブしてもよい。
ガラス層および樹脂層のそれぞれをレーザによって切断またはガラス層および樹脂層のそれぞれをスクライブする場合、図３に示されるレーザ加工装置３０に代えて、図８に示されるレーザ加工装置３０Ａが用いられる。レーザ加工装置３０Ａは、レーザ加工装置３０と比較して、レーザ装置の構成が異なる。以下、レーザ加工装置３０Ａのうちの異なる構成について説明する。
レーザ加工装置３０Ａのレーザ装置３１Ａは、第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを有する。第１レーザ発振器３４ＡはＵＶレーザであり、第２レーザ発振器３４ＢはＣＯ２レーザである。第１レーザ発振器３４Ａから照射されたレーザ光、および、第２レーザ発振器３４Ｂから照射されたレーザ光は、伝送光学系３５を介して第１積層基板１１および第２積層基板１２に照射される。なお、伝送光学系３５は、第１レーザ発振器３４Ａに対応する伝送光学系と、第２レーザ発振器３４Ｂに対応する伝送光学系とが個別に設けられてもよい。
第１制御部３３は、多層積層基板１０に対する加工対象の種類（ガラス層または樹脂層）に応じて第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを選択する。例えば第１制御部３３は、予め記憶された制御プログラムによって加工対象の種類であるガラス層および樹脂層の加工順番を定め、定められた加工順番に応じて第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを選択する。
なお、後段切断工程において、ダイシング加工装置を用いてもよい。ダイシングおよびレーザを組合せる場合、例えば図７（ａ）（ｂ）の表のスクライブ加工（ＬＳ）の部分がダイシング加工に置き換わる。
第２の工程例について説明する。
後段加工工程では、冷却工程および後段切断工程の順に実施される。
冷却工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂが脆化する温度となるように多層積層基板１０を冷却する。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの脆化とは、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂがブレイク可能な状態であることを示す。一例では、冷却工程では、多層積層基板１０を冷却槽（図示略）に収容することによって多層積層基板１０を冷却する。図９の薄いドットで示されるように、冷却工程において第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂはそれぞれ全体が脆化する。なお、冷却工程では、多層積層基板１０を冷却槽に収容することに代えて、冷却装置によって冷却気体を第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに吹き付けてもよい。冷却装置は、例えば多層積層基板１０に局所的に冷却気体を吹き付けることが可能なノズルを含む吹出部と、多層積層基板１０を載置するテーブルと、テーブルを３次元的に移動可能な移動機構とを備える。移動機構によって、ノズルの吹出口と多層積層基板１０との相対位置を変更可能となる。また移動機構は、テーブルの移動に代えて、またはテーブルの移動に加えて、ノズルを３次元的に移動するように構成されてもよい。
後段切断工程では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａをスクライブし、第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａをブレイクする。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａは、レーザまたはスクライビングホイール５０によってスクライブされる。例えば第１樹脂層１１Ｂは、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａがブレイクされるときに第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂに作用する力によって切断予定部１６Ｂにおいてブレイクされる。第２樹脂層１２Ｂは、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａがブレイクされるときに第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに作用する力によって切断予定部１７Ｂにおいてブレイクされる。
第３の工程例について説明する。
後段加工工程では、脆化工程および後段切断工程の順に実施される。
脆化工程では、ＵＶレーザを第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂにそれぞれ照射することによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを脆化させる。図１０の薄いドットで示されるように、脆化工程において第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂがそれぞれ脆化する。
後段切断工程では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａをスクライブし、第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａをブレイクする。このスクライブ方法およびブレイク方法は、第２の工程例のスクライブ方法およびブレイク方法と同じである。
第４の工程例について説明する。
後段加工工程では、排出部形成工程および後段切断工程の順に実施される。
一例では、後段加工工程では、排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの一方に排出部１８を形成した後、後段切断工程において第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの少なくとも一方を切断する。
一例では、後段加工工程では、排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの一方に排出部１８を形成した後、後段切断工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方に対応する樹脂層を切断する。次に、排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ｂおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ｂの他方に排出部１８を形成した後、後段切断工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方に対応する樹脂層を切断する。
一例では、後段加工工程では、排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに排出部１８を形成した後、後段切断工程において第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断する。一例では、後段加工工程では、排出部形成工程において第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに排出部１８を形成した後、後段切断工程において第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断する。なお、後段加工工程におけるレーザによる第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの加工は、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断に代えて、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをスクライブすることであってもよい。
排出部形成工程では、排出部１８の形成方法として次の第１の例および第２の例のいずれかを選択できる。第１の例では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方を切断することにより排出部１８を形成する。第２の例では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方に溝（スクライブライン）を形成し、排出部１８を形成する。なお、排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａのみに排出部１８を形成してもよいし、第２ガラス層１２Ａのみに排出部１８を形成してもよい。
第１の例の排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの少なくとも一方を、レーザ、ダイシング、または、ブレイクにより切断する。切断予定部１６Ａおよび切断予定部１７Ａのうちの切断された部分が排出部１８を形成する。図１１は、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａを切断した場合を示す。切断予定部１７Ａにおいて第２ガラス層１２Ａが切断された部分が排出部１８を構成する。
第２の例の排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方について、スクライビングホイール５０によって複数のスクライブラインが交差するようにスクライブする。複数のスクライブラインの交差部は、スクライブラインの他の部分よりも深くスクライブされることによって排出部１８を形成する。図１２は、第１ガラス層１１Ａの４つのスクライブラインＳＬが交差するように第１ガラス層１１Ａがスクライブされた場合を示す。４つのスクライブラインＳＬの交差部が排出部１８を構成する。なお、スクライブラインの交差部においてスクライブラインが形成されたガラス層を貫通するようにレーザを照射して排出部１８を形成してもよい。
また、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方について、レーザによって切断予定部に沿って溝（スクライブライン）を形成することにより、切断予定部の交差部に排出部１８を形成してもよい。切断予定部の交差部において溝（スクライブライン）が形成されたガラス層が貫通するようにレーザを照射して排出部１８を形成してもよい。
後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方をレーザによって切断する。レーザの照射方向は任意に設定可能である。一例では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対して同一の照射方向でレーザを照射してもよいし、第１樹脂層１１Ｂに対するレーザの照射方向と第２樹脂層１２Ｂに対するレーザの照射方向とが反対方向であってもよい。
第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａがスクライブされた場合、レーザは、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂに向けて照射してもよいし、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１６Ｂに向けて照射してもよい。第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａがスクライブされた場合、レーザは、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに向けて照射してもよいし、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１７Ｂに向けて照射してもよい。これらの場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの順に第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂを切断してもよいし、第２樹脂層１２Ｂおよび第１樹脂層１１Ｂの順に第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂを切断してもよい。なお、レーザを樹脂層の切断予定部に高精度に照射する観点から、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａがスクライブされた場合、レーザは、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに向けて照射することが好ましい。第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａがスクライブされた場合、レーザは、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂに向けて照射することが好ましい。
第１ガラス層１１Ａがスクライブされた状態で第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂに向けてレーザを照射する場合、レーザは、第２樹脂層１２Ｂを切断した後、第１樹脂層１１Ｂを切断または第１樹脂層１１Ｂをスクライブしてもよい。第１ガラス層１１Ａがスクライブされた状態で第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂに向けてレーザが照射される場合、レーザは、第１樹脂層１１Ｂを切断した後、第２樹脂層１２Ｂを切断または第２樹脂層１２Ｂをスクライブしてもよい。第２ガラス層１２Ａがスクライブされた状態で第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂに向けてレーザを照射する場合、レーザは、第１樹脂層１１Ｂを切断した後、第２樹脂層１２Ｂを切断または第２樹脂層１２Ｂをスクライブしてもよい。第２ガラス層１２Ａがスクライブされた状態で第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂに向けてレーザを照射する場合、レーザは、第２樹脂層１２Ｂを切断した後、第１樹脂層１１Ｂを切断または第１樹脂層１１Ｂをスクライブしてもよい。
レーザの第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対する照射にともないガスが発生する。ガスは排出部１８を介して多層積層基板１０の外部に排出されるため、ガスが多層積層基板１０の内部に滞留することが抑制される。加えて、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの加工時に発生するデブリ等の異物が排出部１８を介して多層積層基板１０の外部に排出される。このため、多層積層基板１０の内部のガスの滞留および異物による多層積層基板１０の内部の圧力増加に起因して第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａが変形することが抑制される。
第１の例の排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを切断した場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断することによって単位積層基板２０が製造される。第１の例の排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方を切断した場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断した後、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方を切断することによって単位積層基板２０が製造される。
第２の例の排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２ＡのそれぞれにスクライブラインＳＬを形成した場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断した後、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをブレイクすることによって単位積層基板２０が製造される。第２の例の排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方にスクライブラインＳＬを形成した場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断した後、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方をスクライブし、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをブレイクすることによって単位積層基板２０が製造される。なお、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂがスクライブされた場合には、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのブレイク時に第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂが併せてブレイクされる。
剥離工程では、レーザリフトオフ装置（図示略）を用いる。本実施形態では、レーザリフトオフ装置のレーザとしてＵＶレーザが用いられる。図１３（ａ）に示されるように、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂにレーザを照射することによって第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離する。第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを剥離する場合、レーザは、第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂに直交するように照射される。次に、図１３（ｂ）に示されるように、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂにレーザを照射することによって第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離する。第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを剥離する場合、レーザは、第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂに直交するように照射される。なお、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを剥離する順番は任意に変更可能である。例えば、第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離した後、第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離してもよい。
多層積層基板１０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａが取り除かれた（図１３（ｃ）参照）後、すなわち発光デバイスの製造後、第１樹脂層１１Ｂを覆うように第１保護フィルムが取り付けられ、第２樹脂層１２Ｂを覆うように第２保護フィルムが取り付けられることにより、フレキシブル有機ＥＬディスプレイが製造される。
図１４は、図５（ｂ）に示されるスクライビングホイール５０Ｂによって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブした場合の所定サイズの多層積層基板１０である単位積層基板２０を示す。図１４に示される単位積層基板２０の断面において、単位積層基板２０の厚さ方向Ｔと直交する方向を幅方向Ｗと規定する。単位積層基板２０の断面において、単位積層基板２０の幅方向Ｗの中心に向かう側を内側とし、幅方向Ｗの端部に向かう方向を外側とする。
第１切断工程では、単位積層基板２０の第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａが第１樹脂層１１Ｂの切断面２３Ｂに対して外側に位置するように第１ガラス層１１Ａを切断する。第２切断工程では、単位積層基板２０の第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａが第２樹脂層１２Ｂの切断面２４Ｂに対して外側に位置するように第２ガラス層１２Ａを切断する。より詳細には、第１切断工程において第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂから第１平面１４Ａに向かうにつれて第１ガラス層１１Ａの幅ＷＤ１が狭くなる切断面２３Ａが形成されるように第１ガラス層１１Ａが切断されている。第２切断工程において第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂから第１平面１５Ａに向かうにつれて第２ガラス層１２Ａの幅ＷＤ２が狭くなる切断面２４Ａが形成されるように第２ガラス層１２Ａが切断されている。スクライビングホイール５０Ｂによって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブするため、第１切断工程では、スクライブ加工装置４０は、図１４に示す断面視において第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂから第１平面１４Ａに向かうにつれて第１ガラス層１１Ａの幅ＷＤ１が狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるように第１ガラス層１１Ａをスクライブする。次にスクライブした第１ガラス層１１Ａをブレイクする。第２切断工程では、スクライブ加工装置４０は、図１４に示す断面視において第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂから第１平面１５Ａに向かうにつれて第２ガラス層１２Ａの幅ＷＤ２が狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるように第２ガラス層１２Ａをスクライブする。次にスクライブした第２ガラス層１２Ａをブレイクする。なお、スクライビングホイール５０Ｂに代えて、レーザ加工装置３０のレーザによって図１４に示される第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａを形成してもよい。
図１４に示される単位積層基板２０では、第１樹脂層１１Ｂの幅方向Ｗの端縁まで第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂが形成され、第２樹脂層１２Ｂの幅方向Ｗの端縁まで第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂが形成されている。すなわち、厚さ方向Ｔにおいて、第１樹脂層１１Ｂの幅方向Ｗの端縁と第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａとが重ならず、第２樹脂層１２Ｂの幅方向Ｗの端縁と第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａとが重なっていない。このため、第１樹脂層１１Ｂの幅方向Ｗの端縁および第２樹脂層１２Ｂの幅方向Ｗの端縁に対してレーザリフトオフ装置のレーザを照射する場合、レーザが第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａを通過しない。
本実施形態の作用について説明する。
第１積層基板１１を所定サイズに切断することによって複数の第１単位積層基板を製造し、第２積層基板１２を所定サイズに切断することによって複数の第２単位積層基板を製造した後、後段積層工程を実施する場合、後段積層工程では、第１単位積層基板と第２単位積層基板との積層作業を複数回にわたり繰り返す。このため、後段積層工程の工数が増加してしまう。
この点、本実施形態では、後段積層工程において第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層して多層積層基板１０を製造した後、後段加工工程において多層積層基板１０を所定サイズに切断する。このため、後段積層工程では、積層作業が１回となるため、積層作業の工数が少なくなる。
本実施形態の効果について説明する。
（１−１）フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層する工程以後の工程である後段工程において、多層積層基板１０を所定サイズに切断する。この製造方法では、第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層された多層積層基板１０の状態で切断されるため、積層作業が簡素化される。このため、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくい。
（１−２）後段加工工程の後段切断工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをまず切断し、次に第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断する。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａが先に切断されるため、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断する工程では第１樹脂層１１Ｂにおける第１ガラス層１１Ａに覆われていない部分、および、第２樹脂層１２Ｂにおける第２ガラス層１２Ａに覆われていない部分をそれぞれ切断できる。例えば、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザで切断する場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスが第１ガラス層１１Ａの切断部分および第２ガラス層１２Ａの切断部分から排出される。このため、ガスが第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
（１−３）後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザにより切断する。このため、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断時の発熱量が少なく、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質が低下しにくい。
（１−４）後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が抑制される所定出力未満に設定する。この製造方法によれば、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂにレーザが照射された場合に高温のガスが発生しにくく、ガスの影響により第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂの品質が低下するおそれが低減される。
（１−５）後段加工工程は、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方に排出部１８を形成する排出部形成工程を含む。この製造方法によれば、例えば第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザで切断する場合に発生するガスが排出部１８を介して多層積層基板１０の外部に排出されるため、ガスの影響により第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質が低下するおそれが低減される。
（１−６）後段加工工程は、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを冷却する冷却工程と、冷却工程の後に第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをブレイクする後段切断工程とを含む。この製造方法では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂがスクライブされることなくブレイクされる。例えばレーザにより第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをスクライブする場合と比較して、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂがブレイクされるまでに第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂが受ける熱の影響が小さく、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質が低下しにくい。
（１−７）排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方をレーザまたはダイシングにより切断し、排出部１８を形成する。この製造方法では、ガラス層の切断に一般に用いられる切断方法により第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方に排出部１８が形成される。このため、例えば、既存の装置を流用できる。
（１−８）排出部形成工程では、スクライビングホイール５０により複数のスクライブラインＳＬが交差するように第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方をスクライブする。この製造方法によれば、スクライブラインＳＬが交差する交差部は、スクライブラインＳＬの他の部分と比較して、スクライブされた深さが深くなることにより、ガラス層を貫通する。このため、スクライブラインＳＬが交差する交差部は、排出部１８を形成する。このため、例えば、既存の装置を流用できる。
（１−９）後段加工工程は、排出部形成工程の後に第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方をレーザにより切断する後段切断工程を含む。この製造方法では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方がレーザにより切断されるため、例えばスクライビングホイール５０を用いた切断と比較して、切断にともなう発熱量が少なく、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質が低下しにくい。
（１−１０）排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方に排出部１８を形成し、後段切断工程では、排出部１８が形成されていない、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方を介して第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方に対応する樹脂層にレーザを照射する。この製造方法では、レーザが第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方の排出部１８の影響を受けることなく、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方に対応する樹脂層に照射され、樹脂層が効率的に切断またはスクライブされる。
（１−１１）図１４に示されるように、第１切断工程では、第２平面１４Ｂから第１平面１４Ａに向かうにつれて第１ガラス層１１Ａの幅ＷＤ１が狭くなる切断面２３Ａが形成されるように第１ガラス層１１Ａを切断する。第２切断工程では、第２平面１５Ｂから第１平面１５Ａに向かうにつれて第２ガラス層１２Ａの幅ＷＤ２が狭くなる切断面２４Ａが形成されるように第２ガラス層１２Ａを切断する。この製造方法では、傾斜した切断面２３Ａ，２４Ａの形成を意図して第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを切断するため、製造誤差の影響を考慮しても意図した方向とは異なる方向に傾斜した切断面が形成されにくい。
（１−１２）図１４に示されるように、第１切断工程では、第２平面１４Ｂから第１平面１４Ａに向かうにつれて第１ガラス層１１Ａの幅ＷＤ１が狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるように第１ガラス層１１Ａをスクライブし、スクライブされた第１ガラス層１１Ａをブレイクする。第２切断工程では、第２平面１５Ｂから第１平面１５Ａに向かうにつれて第２ガラス層１２Ａの幅ＷＤ２が狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるように第２ガラス層１２Ａをスクライブし、スクライブされた第２ガラス層１２Ａをブレイクする。この製造方法では、第１樹脂層１１Ｂの切断面２３Ｂに対して外側に位置する第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａを効率的に形成でき、第２樹脂層１２Ｂの切断面２４Ｂに対して外側に位置する第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａを効率的に形成できる。
（１−１３）第１切断工程および第２切断工程では、図５（ｂ）に示される回転中心面ＲＣに対して非対称な形状の刃先部５２を有するスクライビングホイール５０Ｂを用いて第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブする。この製造方法では、第２平面１４Ｂに対して傾斜する第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａの形状、および第２平面１５Ｂに対して傾斜する第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａの形状が刃先部５２の形状により規定され、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを容易に切断できる。
（１−１４）レーザリフトオフによって第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを剥離し、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを剥離する剥離工程をさらに含む。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを効率的に剥離でき、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを効率的に剥離できる。
（第２実施形態）
図１５を参照して、第２実施形態のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。本実施形態では、第１実施形態と比較して、予備加工工程が追加された点が異なる。以下の説明において、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、第１実施形態と共通する多層積層基板１０の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａおよび第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方にブレイクのための予備加工を施す予備加工工程をさらに含む。予備加工は、レーザ加工装置３０またはスクライブ加工装置４０によって施される。予備加工の一例は、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方をスクライブする。
予備加工工程は、前段工程において実施されてもよいし、後段工程において実施されてもよい。予備加工工程が後段工程において実施される場合、予備加工工程は後段切断工程よりも前に実施される。この場合、予備加工工程は、後段加工工程に含まれてもよい。
本実施形態のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法では、排出部形成工程が省略される。予備加工工程が後段工程において実施される場合、後段加工工程は、予備加工工程および後段切断工程を含む。後段加工工程において単位積層基板２０が製造される。その後、剥離工程において単位積層基板２０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａが除去される。
本実施形態の予備加工工程は、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方に予備加工を施し、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方に予備加工を施さない。図１５は、第２ガラス層１２Ａに予備加工が施された例を示す。図１５に示されるように、予備加工は、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに施され、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに施されていない。切断予定部１７Ａには、スクライビングホイール５０によってスクライブライン（クラック）が形成されている。
後段切断工程では、レーザによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの少なくとも一方を切断、またはレーザによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの少なくとも一方にスクライブラインを形成する。本実施形態では、後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が促進される所定出力以上に設定する。所定出力以上に設定すると、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂへのレーザの照射にともない多層積層基板１０内に発生したガスが予備加工を施されたガラス層をブレイク可能な力をガラス層に作用させる。
このように、後段切断工程では、多層積層基板１０について、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのうちの予備加工が施されたガラス層を、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスでブレイクする。
一例では、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに予備加工が施された場合、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに対してレーザを照射する。レーザによって第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂが加工されるときに発生するガスで第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａがブレイクされる。一例では、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに予備加工が施された場合、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂに対してレーザを照射して第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂを切断した後、同一の照射方向で第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂにレーザを照射して第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂを切断または第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂをスクライブする。レーザによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂが加工されるときに発生するガスで第２ガラス層１２Ａがブレイクされる。
一例では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに予備加工が施された場合、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂに対してレーザを照射する。レーザによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂが加工されるときに発生するガスで第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａがブレイクされる。一例では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに予備加工が施された場合、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに対してレーザを照射して第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂを切断した後、同一の照射方向で第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂにレーザを照射して第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂを切断または第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂをスクライブする。レーザによって第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂおよび第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１７Ｂが加工されるときに発生するガスで第１ガラス層１１Ａがブレイクされる。
後段切断工程は、予備加工が施されていない第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方を切断する。一例では、後段切断工程では、レーザ加工装置３０またはスクライブ加工装置４０によって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方をスクライブした後、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方をスクライブラインに沿ってブレイクする。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方にスクライブラインが形成されている場合、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのブレイク時に併せてブレイクする。これにより、単位積層基板２０が製造される。一例では、後段切断工程では、レーザまたはダイシングによって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方を切断する。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方にスクライブラインが形成されている場合、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方の切断後、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方をブレイクする。これにより、単位積層基板２０が製造される。
本実施形態の効果について説明する。
（２−１）フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａおよび第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方にブレイクのための予備加工を施す予備加工工程と、予備加工が施されたガラス層を第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方に対するレーザの照射にともない発生するガスでブレイクする後段切断工程とを含む。この製造方法では、レーザにより第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方を切断する作業に併せて予備加工が施されたガラス層が切断される。このため、多層積層基板１０の切断に関する工数が削減され、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくい。
（２−２）後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が促進される所定出力以上に設定する。この製造方法では、レーザによる第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方の切断にともない比較的高温のガスが発生し、予備加工が施されたガラス層がガスにより適切にブレイクされる。
（２−３）予備加工工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方に予備加工を施し、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方に予備加工を施さない。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方だけがガスでブレイクされる。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの両方がガスでブレイクされる場合と比較して、ブレイク時の第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの状態が安定する。
（２−４）後段切断工程では、予備加工が施されていないガラス層を介して、予備加工が施されていないガラス層に対応する樹脂層にレーザを照射する。この製造方法では、レーザが予備加工されたガラス層の被加工部の影響を受けることなく、予備加工が施されていないガラス層に対応する樹脂層に照射されるため、樹脂層が効率的に切断または効率的に樹脂層がスクライブされる。
（２−５）後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザにより切断した後に、予備加工されていないガラス層を切断する。この製造方法では、予備加工が施されていないガラス層により第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂが支持された状態で第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂがレーザにより切断される。このため、切断時の第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの状態が安定する。
（第３実施形態）
図１６および図１７を参照して、第３実施形態のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。本実施形態では、第１実施形態と比較して、前段工程または後段工程の一部が異なる。以下の説明において、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、第１実施形態と共通する多層積層基板１０の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、多層積層基板１０の第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２ガラス層１２Ａ、および、第２樹脂層１２Ｂをブレイクするための予備加工を第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２ガラス層１２Ａ、および、第２樹脂層１２Ｂにそれぞれ施す予備加工工程を含む。予備加工工程は、前段工程において実施されてもよいし、後段工程において実施されてもよい。予備加工工程が後段工程において実施される場合、予備加工工程は後段切断工程よりも前に実施される。この場合、予備加工工程は、後段加工工程に含まれてもよい。本実施形態では、予備加工工程は、前段工程に含まれる。すなわち予備加工工程は、第１積層基板１１と第２積層基板１２とが積層される前の第１積層基板１１単体における第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂと、第２積層基板１２単体における第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂとに対して施される。
本実施形態のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法では、排出部形成工程が省略される。予備加工工程が後段工程において実施される場合、後段加工工程は、予備加工工程および後段切断工程を含む。後段切断工程では、予備加工が施された多層積層基板１０がブレイクされることによって単位積層基板２０が製造される。その後、剥離工程において単位積層基板２０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａが除去される。
予備加工工程の詳細について説明する。
図１６に示されるように、予備加工の一例は、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａ、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂ、第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａのそれぞれをスクライブする。
予備加工は、レーザ加工装置３０またはスクライブ加工装置４０によって施される。レーザ加工装置３０による予備加工は、第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａに対して施すことができる。スクライブ加工装置４０による予備加工は、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａに対して施すことができる。
本実施形態の予備加工工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａと、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂとに対して異なる手段で予備加工を施す。一例では、予備加工工程では、スクライビングホイール５０によって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａに対して予備加工を施し、レーザによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対して予備加工を施す。この場合、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂに対して予備加工を施す順番は任意に変更可能である。すなわち、図１７に示されるとおり、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂに予備加工が施される場合の加工順番は、Ｐ１〜Ｐ２４の２４通りのパターンを有する。一例では、レーザによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂをスクライブし、次にスクライビングホイール５０により第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａをスクライブする。また、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの順に予備加工を施してもよいし、第２樹脂層１２Ｂおよび第１樹脂層１１Ｂの順に予備加工を施してもよい。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの順に予備加工を施してもよいし、第２ガラス層１２Ａおよび第１ガラス層１１Ａの順に予備加工を施してもよい。
本実施形態の効果について説明する。
（３−１）フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａに予備加工を施す予備加工工程と、予備加工が施された多層積層基板１０をブレイクする後段切断工程とを含む。この製造方法では、後段積層工程よりも前の前段工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａが切断されないため、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する場合の作業性が向上し、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくい。
（３−２）予備加工工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａと、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂとに対して異なる手段で予備加工を施す。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａと、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂとのそれぞれに適した予備加工を選択できる。第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂが適切に予備加工されるため、後段切断工程において多層積層基板１０をブレイクするときの品質が向上する。
（３−３）予備加工工程では、スクライビングホイール５０により第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブし、レーザにより第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをスクライブする。この製造方法では、既存の装置であるレーザ加工装置３０を用いて第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂのそれぞれをスクライブでき、既存の装置であるスクライブ加工装置４０を用いて第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのそれぞれをスクライブできる。
（３−４）予備加工工程は、前段工程に含まれる。この製造方法では、第１積層基板１１および第２積層基板１２が積層されていない状態で予備加工されるため、例えば多層積層基板１０の第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザで予備加工する場合とは異なり、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの予備加工にレーザを用いてもガスの影響により第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質が低下するおそれが低減される。
（第４実施形態）
図１８〜図２０を参照して、第４実施形態のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。本実施形態では、第１実施形態と比較して、前段積層工程および後段工程の一部が異なる。以下の説明において、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、第１実施形態と共通する多層積層基板１０の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
前段積層工程では、次の第１の例〜第３の例のいずれか１つを選択できる。前段積層工程は第１の例〜第３の例のそれぞれにおいて共通するため、図１８〜図２０については第１積層基板１１および第２積層基板１２に関する符号を併せて付している。
第１の例および第２の例では、第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａにおける切断が予定される切断予定部１６が第１樹脂層１１Ｂで被覆されないように第１ガラス層１１Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成する。第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａにおける切断が予定される切断予定部１７が第２樹脂層１２Ｂで被覆されないように第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成する。
第１の例では、図１８に示されるように、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに溝１９Ａを形成し、溝１９Ａが露出するように第１ガラス層１１Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成する。溝１９Ａは、第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａ側に開口している。また、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに溝１９Ｂを形成し、溝１９Ｂが露出するように第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成する。溝１９Ｂは、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａ側に開口している。溝１９Ａ，１９Ｂは、例えばダイシングによって形成される。例えば第１ガラス層１１Ａにワニスからなる第１樹脂層１１Ｂをローラ等で塗布する方法では、第１ガラス層１１Ａの溝１９Ａにはワニスが塗布されないため、特別な塗布方法を用いずに溝１９Ａが露出するように第１樹脂層１１Ｂを形成できる。第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂをローラ等で塗布する方法も同様である。なお、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａにのみ溝１９Ａを形成してもよいし、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａのみに溝１９Ｂを形成してもよい。
第２の例では、図１９に示されるように、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６ＡにマスクＭＳ１を形成し、第１ガラス層１１Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成する。マスクＭＳ１は、第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａ側に形成されている。この場合、マスクＭＳ１によって第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに第１樹脂層１１Ｂが形成されない。その後、マスクＭＳ１を除去する。また第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７ＡにマスクＭＳ２を形成し、第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成する。マスクＭＳ２は、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａ側に形成されている。この場合、マスクＭＳ２によって第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに第２樹脂層１２Ｂが形成されない。その後、マスクＭＳ２を除去する。なお、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６ＡにのみマスクＭＳ１を形成してもよいし、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７ＡのみにマスクＭＳ２を形成してもよい。
第３の例では、図２０に示されるように、第１ガラス層１１Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成した後、第１樹脂層１１Ｂにおける第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに対応する部分（切断予定部１６Ｂ）を除去する。また第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成した後、第２樹脂層１２Ｂにおける第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに対応する部分（切断予定部１７Ｂ）を除去する。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂは、レーザ、ブレイク、および、ダイシングのいずれかによって除去される。なお、第１樹脂層１１Ｂにおける第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ｂに対応する部分および第２樹脂層１２Ｂにおける第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ｂに対応する部分の一方のみを除去してもよい。
本実施形態の前段積層工程を経て、後段積層工程において製造された多層積層基板１０は、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの少なくとも一方が予め除去された状態で構成される。一例では、図２１に示されるように、前段積層工程の第２の例または第３の例によって製造された第１積層基板１１および第２積層基板１２を後段積層工程において積層して多層積層基板１０が製造される。この場合、後段切断工程では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａを切断することによって単位積層基板２０が製造される。
本実施形態の効果について説明する。
（４−１）前段積層工程において第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの少なくとも一方が樹脂で被覆されないように第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを形成する。この製造方法では、後段工程において第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの少なくとも一方を切断する必要がない。第１積層基板１１および第２積層基板１２よりも複雑な構成を有する多層積層基板１０に対して必要な加工が少なくなり、作業の煩雑さが緩和される。
（４−２）前段積層工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａに溝１９Ａ，１９Ｂを形成し、溝１９Ａが露出するように第１ガラス層１１Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成し、溝１９Ｂが露出するように第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成する。例えば第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａに第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの元になるワニスが塗布される場合、溝１９Ａ，１９Ｂが形成される部分には塗布装置のワニスが接触せず、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａを除いた部分にワニスが塗布される。切断予定部１６Ａ，１７Ａに対応する第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを除去する作業が不要となり、作業の煩雑さが緩和される。なお、第１ガラス層１１Ａに溝１９Ａが形成され、第２ガラス層１２Ａに溝１９Ｂが形成されない場合では、切断予定部１６Ａに対応する第１樹脂層１１Ｂを除去する作業が不要となり、多層積層基板１０の加工作業の煩雑さが緩和される。第２ガラス層１２Ａに溝１９Ｂが形成され、第１ガラス層１１Ａに溝１９Ａが形成されない場合では、切断予定部１７Ａに対応する第２樹脂層１２Ｂを除去する作業が不要となり、多層積層基板１０の加工作業の煩雑さが緩和される。
（４−３）前段積層工程において第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６ＡにマスクＭＳ１を形成し、第１ガラス層１１Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成し、マスクＭＳ１を除去する。第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７ＡにマスクＭＳ２を形成し、第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成し、マスクＭＳ２を除去する。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａが樹脂で被覆されていない状態を正確に形成できる。なお、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６ＡにマスクＭＳ１が形成され、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７ＡにマスクＭＳ２が形成されない場合では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａが樹脂で被覆されていない状態を正確に形成できる。第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７ＡにマスクＭＳ２が形成され、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６ＡにマスクＭＳ１が形成されない場合では、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａが樹脂で被覆されていない状態を正確に形成できる。
（４−４）前段積層工程において第１ガラス層１１Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成し、第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成し、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの少なくとも一方を除去する。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの少なくとも一方が樹脂で被覆されていない状態を正確に形成できる。加えて、前段積層工程において第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂを除去する場合、後段切断工程において、例えばレーザによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断しない。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対するレーザの照射にともなうガスの発生が回避されるため、ガスに起因する第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質の低下を防止できる。前段積層工程において第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの一方を除去する場合、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの一方と、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方に対応するガラス層との間に空間が形成される。後段切断工程において、例えばレーザによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの他方を切断する場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの他方に対するレーザの照射にともなうガスが空間に滞留するため、ガスに起因する第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質が低下するおそれが低減される。
（変形例）
上記各実施形態は本開示に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または、各実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変形例において、各実施形態の形態と共通する部分については、各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
・第１実施形態において、複数回のレーザの照射により、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断する場合、レーザを所定出力未満に設定することに代えてまたは加えて、一定の時間を空けて第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂにレーザを複数回照射することにより第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断してもよい。この製造方法では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方にレーザが照射され、レーザの照射が一時的に中断され、一定の時間が経過した後に再び第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方にレーザが照射され、これらのレーザの照射および一時的な照射の中断が複数回にわたり繰り返される。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの他方にレーザが照射される場合も同様である。この製造方法によれば、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対するレーザの照射にともない発生したガスが、レーザの照射が一時的に中断されているときに冷却され、ガスの影響により第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂの品質が低下するおそれが低減される。
・第１実施形態において、排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのそれぞれに排出部１８を形成してもよい。
・第１実施形態から排出部形成工程を省略してもよい。この場合、例えば、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前段積層工程、後段積層工程、および、後段加工工程を含む。後段加工工程は、後段切断工程を含む。
・第２実施形態において、予備加工工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのそれぞれに予備加工を施してもよい。
・第３実施形態の予備加工工程において、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂに対してレーザによって予備加工が施されてもよい。第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂの全てがレーザによって予備加工が施される場合、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂの加工順番は任意に変更可能である。図１７に示されるとおり、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂの全てがレーザによって予備加工が施される場合の加工順番は、Ｐ１〜Ｐ２４の２４通りのパターンを有する。なお、第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂがレーザによって予備加工が施される場合と、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂがレーザによって予備加工が施される場合とのそれぞれについても図１７に示される表と同じ加工順番を選択できる。またスクライビングホイール５０による予備加工は、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａに施すことができる。
・各実施形態において、後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断する場合、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスを吸引する吸引機構６０が設けられてもよい。図２２に示されるように、吸引機構６０は、多層積層基板１０の周面１０Ａを介してガスを吸引するように構成される。吸引機構６０の一例は、吸気ファンを有する。吸引機構６０は、吸気ファンが駆動することにより、多層積層基板１０の周面１０Ａにおける空気を吸引する。この場合、多層積層基板１０内に発生したガスが周面１０Ａを介して多層積層基板１０の外部に排出される。
・各実施形態において、後段切断工程における切断の順番として、第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂの一方を切断した後、第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂの一方を切断してもよい。次に、第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂの他方を切断した後、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂの他方を切断してもよい。また第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂの他方を切断した後、第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂの他方を切断してもよい。すなわち、後段切断工程における切断の順番は、図１７に示される予備加工が施される順番と同様に２４通りのパターンを有する。
・各実施形態において、第１積層基板１１に導電層１３が形成されることに代えて、または第１積層基板１１に導電層１３が形成されることに加えて、第２積層基板１２に導電層１３が形成されてもよい。
１０ ：多層積層基板
１１ ：第１積層基板
１１Ａ：第１ガラス層
１１Ｂ：第１樹脂層
１２ ：第２積層基板
１２Ａ：第２ガラス層
１２Ｂ：第２樹脂層
１８ ：排出部

Claims (7)

  1. ガラス層と樹脂層とが積層された複数の積層基板を備え、前記複数の積層基板は第１ガラス層と第１樹脂層とが積層された第１積層基板、および、第２ガラス層と第２樹脂層とが積層された第２積層基板を含み、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板の製造に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
    前記複数の積層基板を積層する工程以後の工程である後段工程を含み、
    前記後段工程は、積層された前記複数の積層基板を切断する後段加工工程を含む
    フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
  2. 前記後段加工工程は、前記積層基板の前記ガラス層および前記樹脂層を切断する後段切断工程を含み、
    前記後段切断工程では、前記ガラス層および前記樹脂層の順に前記積層基板を切断する
    請求項１に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
  3. 前記後段切断工程では、前記樹脂層をレーザにより切断する
    請求項２に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
  4. 前記後段切断工程では、一定の時間を空けて前記樹脂層にレーザを複数回照射することにより前記樹脂層を切断する
    請求項３に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
  5. 前記後段切断工程では、前記樹脂層に対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が抑制される所定出力未満に設定する
    請求項３または４に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
  6. 前記後段加工工程は、前記複数の積層基板の少なくとも一方の前記ガラス層に、前記樹脂層の切断にともない生じる異物を排出する排出部を形成する排出部形成工程を含む
    請求項１〜５のいずれか一項に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
  7. 前記後段加工工程は、前記樹脂層を冷却する冷却工程と、前記冷却工程の後に前記樹脂層をブレイクする後段切断工程とを含む
    請求項１または２に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
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