JP2020061475A - 炭化珪素半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
12:炭化珪素基板
14:ゲート絶縁膜
16:ゲート電極
Claims (3)
- 炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の表面上に設けられている酸化シリコンのゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記炭化珪素基板の前記表面に対向するゲート電極と、を備えており、
前記炭化珪素基板の前記表面がSi面であり、
前記炭化珪素基板では、前記Si面のSiと結合する炭素サイトの少なくとも一部に窒素が配位しており、
前記炭化珪素基板の前記表面をX線吸収分光法により分析した場合に、光子エネルギーが395〜405eVの範囲に現れる強度の最小値且つ極小値をAとし、光子エネルギーが400〜410eVの範囲に現れる強度の最大値且つ極大値をBとし、前記極小値Aの光子エネルギーと前記極大値Bの光子エネルギーの間の範囲に現れる極大値をCとすると、(C−A)/(B−A)が0.1以下である、炭化珪素半導体装置。 - 炭化珪素基板のSi面上に酸化シリコンのゲート絶縁膜を成膜する成膜工程と、
前記成膜工程の後に、窒素を含むガスの雰囲気下において1000℃よりも高い温度で、前記炭化珪素基板と前記ゲート絶縁膜の界面に窒素を浸透させる窒化処理工程と、
前記窒化処理工程の後に、窒素ガスの雰囲気下において前記炭化珪素基板の温度を降温させる降温工程と、を備えており、
前記降温工程では、前記炭化珪素基板の温度が1000℃を下回る時の降温速度が5℃/分よりも小さく設定されている、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記窒化処理工程は、一酸化窒素を含むガスの雰囲気下で実施される、請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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CN112117326A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-22 | 中国科学院半导体研究所 | Mos器件的制备方法及mos器件 |
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2018
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