JP2020026572A - バルブ装置、処理装置、および制御方法 - Google Patents
バルブ装置、処理装置、および制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020026572A JP2020026572A JP2018153715A JP2018153715A JP2020026572A JP 2020026572 A JP2020026572 A JP 2020026572A JP 2018153715 A JP2018153715 A JP 2018153715A JP 2018153715 A JP2018153715 A JP 2018153715A JP 2020026572 A JP2020026572 A JP 2020026572A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- housing
- temperature
- unit
- gas
- processing container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K49/00—Means in or on valves for heating or cooling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45585—Compression of gas before it reaches the substrate
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K49/00—Means in or on valves for heating or cooling
- F16K49/002—Electric heating means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K27/00—Construction of housing; Use of materials therefor
- F16K27/02—Construction of housing; Use of materials therefor of lift valves
- F16K27/0263—Construction of housing; Use of materials therefor of lift valves multiple way valves
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
- F16K31/002—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by temperature variation
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K49/00—Means in or on valves for heating or cooling
- F16K49/005—Circulation means for a separate heat transfer fluid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
図1は、本開示の一実施形態における処理装置10の一例を示す概略図である。本実施形態における処理装置10は、ALD法を用いて被処理体の一例であるウエハWに所定の膜(例えばタングステン膜)を成膜する装置である。処理装置10は、例えばクリーンルーム内に設置される。
図2は、バルブ本体30の一例を示す斜視図である。バルブ本体30は、例えば図2に示されるように、略直方体状の筐体33を有する。配管22a〜22dは、筐体33の側面に設けられており、配管23aおよび配管23bは、筐体33の底面に設けられている。バルブV1のアクチュエータV1a、バルブV2のアクチュエータV2a、バルブV3のアクチュエータV3a、バルブV4のアクチュエータV4a、およびバルブV5のアクチュエータV5aは、それぞれ、筐体33上面から筐体33の外部に突出している。また、筐体33の上面には、温度センサ34が設けられており、温度センサ34は、ケーブル35を介して制御装置100に接続される。
図8は、成膜処理の一例を示すフローチャートである。図8のフローチャートに示された処理は、制御装置100が処理装置10の各部を制御することにより実施される。図9は、各バルブの状態およびヒータの設定温度の一例を示すタイミングチャートである。
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
V1a〜V5a アクチュエータ
W ウエハ
10 処理装置
11 処理容器
20a〜20d ガス供給部
21a〜21d 流量制御器
22a〜22d 配管
23a〜23b 配管
25 バルブ装置
30 バルブ本体
31〜32 オリフィス
33 筐体
34 温度センサ
35 ケーブル
40 熱拡散ジャケット
40a〜40h パーツ
41a〜41b、42a、43e、44f、45g〜45h 凹部
50 加熱ジャケット
50a〜50b パーツ
60 コンプレッサ
61 流量制御器
62 配管
63 流路
Claims (10)
- 処理容器に供給される複数の処理ガスの流通を制御する複数のバルブと、
前記処理ガスが流通する複数の第1の流路を形成する筐体と、
前記筐体を覆い、前記筐体の熱を拡散させる熱拡散部と、
前記熱拡散部で覆われた前記筐体を覆い、前記熱拡散部を介して前記筐体を加熱する加熱部と、
前記筐体と前記熱拡散部との間に形成された第2の流路に冷媒を供給する供給部と、
前記処理容器内の被処理体に対して所定の処理が行われる際に前記筐体を第1の温度に加熱するように前記加熱部を制御し、前記処理容器のクリーニングを開始する前に前記加熱部による前記筐体の加熱を停止させ、前記第2の流路に前記冷媒を供給するように前記供給部を制御する制御部と
を備えるバルブ装置。 - 前記冷媒は、常温の空気である請求項1に記載のバルブ装置。
- 前記処理容器のクリーニングでは、いずれかの前記第1の流路を介してクリーニングガスが前記処理容器内に供給され、
前記処理容器のクリーニングは、前記筐体の温度が前記第1の温度よりも低い第2の温度以下になった後に実行される請求項1または2に記載のバルブ装置。 - 前記クリーニングガスは、フッ素含有ガスである請求項3に記載のバルブ装置。
- 前記クリーニングガスは、ClF3ガスである請求項4に記載のバルブ装置。
- 前記制御部は、
前記筐体の温度が前記第2の温度以下になった場合、前記筐体の温度を前記第2の温度に維持するように前記加熱部を制御する請求項3から5のいずれか一項に記載のバルブ装置。 - 前記制御部は、
前記筐体の温度が前記第2の温度以下になった場合、前記第2の流路への前記冷媒の供給を停止するように前記供給部を制御する請求項6に記載のバルブ装置。 - 前記制御部は、
前記処理容器のクリーニングを開始する前にそれぞれの前記第1の流路に前記第1の温度よりも低温のガスが流れるように、前記複数のバルブの少なくともいずれかを制御する請求項1から7のいずれか一項に記載のバルブ装置。 - 被処理体が収容される処理容器と、
前記処理容器に供給される処理ガスを制御するバルブ装置と
を備え、
前記バルブ装置は、
前記処理容器に供給される複数の処理ガスの流通を制御する複数のバルブと、
前記処理ガスが流通する複数の第1の流路を形成する筐体と、
前記筐体を覆い、前記筐体の熱を拡散させる熱拡散部と、
前記熱拡散部で覆われた前記筐体を覆い、前記熱拡散部を介して前記筐体を加熱する加熱部と、
前記筐体と前記熱拡散部との間に形成された第2の流路に冷媒を供給する供給部と、
前記処理容器内に収容された前記被処理体に対して所定の処理が行われる際に前記筐体を第1の温度に加熱するように前記加熱部を制御し、前記処理容器のクリーニングを開始する前に前記加熱部による前記筐体の加熱を停止させ、前記第2の流路に前記冷媒を供給するように前記供給部を制御する制御部と
を備える処理装置。 - 処理容器に供給される複数の処理ガスの流通を制御する複数のバルブと、
前記処理ガスが流通する複数の第1の流路を形成する筐体と、
前記筐体を覆い、前記筐体の熱を拡散させる熱拡散部と、
前記熱拡散部で覆われた前記筐体を覆い、前記熱拡散部を介して前記筐体を加熱する加熱部と、
前記筐体と前記熱拡散部との間に形成された第2の流路に冷媒を供給する供給部と、
制御部と
を備える処理装置における制御方法であって、
前記処理容器内に収容された被処理体に対して所定の処理が行われる際に前記筐体を第1の温度に加熱するように前記加熱部を制御する加熱工程と、
前記処理容器のクリーニングを開始する前に前記加熱部による前記筐体の加熱を停止させ、前記第2の流路に前記冷媒を供給するように前記供給部を制御する冷却工程と
を含む制御方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018153715A JP7134020B2 (ja) | 2018-08-17 | 2018-08-17 | バルブ装置、処理装置、および制御方法 |
KR1020190096420A KR102247949B1 (ko) | 2018-08-17 | 2019-08-08 | 밸브 장치, 처리 장치, 및 제어 방법 |
US16/538,228 US11306847B2 (en) | 2018-08-17 | 2019-08-12 | Valve device, processing apparatus, and control method |
CN201910757828.4A CN110835751B (zh) | 2018-08-17 | 2019-08-16 | 阀装置、处理装置、以及控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018153715A JP7134020B2 (ja) | 2018-08-17 | 2018-08-17 | バルブ装置、処理装置、および制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020026572A true JP2020026572A (ja) | 2020-02-20 |
JP7134020B2 JP7134020B2 (ja) | 2022-09-09 |
Family
ID=69523796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018153715A Active JP7134020B2 (ja) | 2018-08-17 | 2018-08-17 | バルブ装置、処理装置、および制御方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11306847B2 (ja) |
JP (1) | JP7134020B2 (ja) |
KR (1) | KR102247949B1 (ja) |
CN (1) | CN110835751B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11459657B2 (en) | 2019-03-06 | 2022-10-04 | Ckd Corporation | Gas supply unit and gas supply method |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10710896B2 (en) * | 2018-04-30 | 2020-07-14 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Tungsten pentachloride conditioning and crystalline phase manipulation |
US10899630B2 (en) * | 2018-04-30 | 2021-01-26 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procédés Georges Claude | Tungsten pentachloride conditioning and crystalline phase manipulation |
JP7134020B2 (ja) * | 2018-08-17 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | バルブ装置、処理装置、および制御方法 |
WO2024081135A1 (en) * | 2022-10-10 | 2024-04-18 | Lam Research Corporation | Purging toxic and corrosive material from substrate processing chambers |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009016426A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
JP2011012723A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Ckd Corp | ガス供給装置 |
JP2018053299A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、及び断熱配管構造 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3125121B2 (ja) * | 1993-09-17 | 2001-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 枚葉式ホットウォール処理装置のクリーニング方法 |
JP2872637B2 (ja) | 1995-07-10 | 1999-03-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マイクロ波プラズマベースアプリケータ |
KR100680863B1 (ko) * | 2003-02-04 | 2007-02-09 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리시스템 및 이 처리시스템의 가동방법 |
JP5134841B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2013-01-30 | Ckd株式会社 | ガス供給ユニット |
JP2010073655A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Tokyo Electron Ltd | 温度調節機構およびプラズマ処理装置 |
JP5394730B2 (ja) | 2008-12-26 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | アニール装置およびアニール方法 |
CN104520975B (zh) * | 2012-07-30 | 2018-07-31 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
JP6123688B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2017-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP6277015B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2018-02-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP6446881B2 (ja) | 2014-07-17 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置及びバルブ装置 |
JP5916909B1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-05-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ガス整流部、半導体装置の製造方法およびプログラム |
WO2016178777A1 (en) * | 2015-05-07 | 2016-11-10 | Applied Materials, Inc. | Corrosion control for chamber components |
KR20160146365A (ko) * | 2015-06-12 | 2016-12-21 | 주식회사 케이씨텍 | 원자층 증착장치 |
CN109075070A (zh) * | 2016-06-07 | 2018-12-21 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、炉口部以及半导体装置的制造方法及程序 |
JP6581552B2 (ja) * | 2016-08-10 | 2019-09-25 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム |
DE102017100725A1 (de) | 2016-09-09 | 2018-03-15 | Aixtron Se | CVD-Reaktor und Verfahren zum Reinigen eines CVD-Reaktors |
CN206553626U (zh) * | 2017-03-06 | 2017-10-13 | 广东昭信半导体装备制造有限公司 | 一种可拆卸式化学气相沉积喷淋装置 |
JP7134020B2 (ja) * | 2018-08-17 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | バルブ装置、処理装置、および制御方法 |
JP6966499B2 (ja) * | 2019-03-06 | 2021-11-17 | Ckd株式会社 | ガス供給ユニット及びガス供給方法 |
-
2018
- 2018-08-17 JP JP2018153715A patent/JP7134020B2/ja active Active
-
2019
- 2019-08-08 KR KR1020190096420A patent/KR102247949B1/ko active IP Right Grant
- 2019-08-12 US US16/538,228 patent/US11306847B2/en active Active
- 2019-08-16 CN CN201910757828.4A patent/CN110835751B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009016426A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
JP2011012723A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Ckd Corp | ガス供給装置 |
JP2018053299A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、及び断熱配管構造 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11459657B2 (en) | 2019-03-06 | 2022-10-04 | Ckd Corporation | Gas supply unit and gas supply method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200056724A1 (en) | 2020-02-20 |
KR20200020601A (ko) | 2020-02-26 |
CN110835751A (zh) | 2020-02-25 |
KR102247949B1 (ko) | 2021-05-03 |
US11306847B2 (en) | 2022-04-19 |
CN110835751B (zh) | 2022-05-06 |
JP7134020B2 (ja) | 2022-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2020026572A (ja) | バルブ装置、処理装置、および制御方法 | |
CN110010526B (zh) | 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法 | |
JP5501807B2 (ja) | 処理装置 | |
KR101089977B1 (ko) | 성막 장치 및 성막 방법, 가스 공급 장치 및 기억 매체 | |
CN112342532A (zh) | 温控化学品递送***及包括该***的反应器*** | |
US7387686B2 (en) | Film formation apparatus | |
JP3985899B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20170283945A1 (en) | Substrate Processing Apparatus | |
KR102029538B1 (ko) | 성막 장치 및 성막 방법 | |
KR102074668B1 (ko) | 기판 처리 장치, 석영 반응관, 클리닝 방법 및 프로그램 | |
US10351951B2 (en) | Substrate treatment apparatus including reaction tube with opened lower end, furnace opening member, and flange configured to cover upper surface of the furnace opening member | |
US20190024232A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate retainer | |
CN110551985A (zh) | 清洗方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质 | |
KR20170090967A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
JP6664047B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP6651591B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法 | |
JP2008172204A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および加熱装置 | |
JP5438266B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 | |
JP4253612B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5571157B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 | |
JP4948490B2 (ja) | クリーニング方法および基板処理装置 | |
US20050263073A1 (en) | Furnace for heating a wafer and chemical vapor deposition apparatus having the same | |
WO2020213506A1 (ja) | 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法 | |
KR20060103974A (ko) | 챔버의 오염을 방지하는 장치 및 이를 갖는 기판 가공 장치 | |
US20240175127A1 (en) | Processing apparatus and processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210514 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220513 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220830 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7134020 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |