JP5394730B2 - アニール装置およびアニール方法 - Google Patents
アニール装置およびアニール方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5394730B2 JP5394730B2 JP2008332799A JP2008332799A JP5394730B2 JP 5394730 B2 JP5394730 B2 JP 5394730B2 JP 2008332799 A JP2008332799 A JP 2008332799A JP 2008332799 A JP2008332799 A JP 2008332799A JP 5394730 B2 JP5394730 B2 JP 5394730B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling
- internal space
- cooling medium
- heating source
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
図1は本発明の一実施形態に係るアニール装置の概略構成を示す断面図、図2は図1のアニール装置の加熱源を拡大して示す断面図、図3は図1のアニール装置のLEDへ給電する部分を拡大して示す断面図である。
まず、AlN製の板材から六角状の支持体32を切り出し、給電電極やねじの挿入孔であるスルーホール32aを形成し、さらに電極パターン(図示せず)を印刷する(図6(a))。
まず、ゲートバルブ13を開にして搬入出口12からウエハWを搬入し、支持部材7上に載置する。その後、ゲートバルブ13を閉じて処理室1内を密閉状態とし、排気口11を介して図示しない排気装置により処理室1内を排気するとともに、図示しない処理ガス供給機構から処理ガス配管9および処理ガス導入口8を介して所定の処理ガス、例えばアルゴンガスまたは窒素ガスを処理室1内に導入し、処理室1内の圧力を例えば100〜10000Paの範囲内の所定の圧力に維持する。
図8は、本発明の他の実施形態に係るアニール装置の概略構成を示す断面図である。この実施形態に係るアニール装置100aでは、排気配管23に冷却フィン82を設け、冷却フィン82と内部空間21との間に配管83を設ける。これにより、冷却部材4の内部空間21から排気配管23を介して排出された蒸気が冷却フィン82で冷却されて液化し、配管83を介して内部空間に戻る。したがって、排気配管23の冷却フィン82の下流側には蒸気を含まない気体が流れるため、水封式真空ポンプは必要がなく、通常の真空ポンプ64′を用いることができる。なお、他の部分については、図1と同様の構成であるため、説明を省略する。
図9は、本発明のさらに他の実施形態に係るアニール装置の概略構成を示す断面図である。この実施形態に係るアニール装置100bでは、処理室1内でウエハWの上下両面から加熱可能となっている。その他の構成は、図1のアニール装置100とほぼ同様であるから、アニール装置100と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
1a;アニール処理部
1b;ガス拡散部
2;チャンバー
4,4′,4″;冷却部材
8;処理ガス導入口
9;処理ガス配管
10;排気口
11;排気配管
12;搬入出口
16,16′;凹部
17,17′;加熱源
18,18′;光透過部材
19;冷却媒体
20;透明な樹脂
21,21′,21″;内部空間
22,22′;冷却媒体供給配管
23,23′;排気配管
32;支持体
33;LED(発光素子)
34;LEDアレイ
35;電極
36;ワイヤ
61,85;バルブ
62;液面センサ
63;液面制御器
64;水封式真空ポンプ
64′;真空ポンプ
65;圧力センサ
66;インバータ
82;冷却フィン
83;配管
84;半透膜
86;レギュレータ
90;プロセスコントローラ
91;ユーザーインターフェース
92;記憶部
100;アニール装置
W;半導体ウエハ(被処理体)
Claims (12)
- 被処理体が収容される処理室と、
前記処理室内の被処理体に対して光を照射する複数の発光素子を有する加熱源と、
前記加熱源に直接接触するように設けられ、冷却媒体が供給される内部空間を有する冷却部材と、
前記冷却部材の前記内部空間を減圧して冷却媒体を気化させ、その際の気化熱により前記加熱源を冷却する冷却機構と
を具備し、
前記被処理体は水平に支持され、
前記加熱源は、前記被処理体の下方に配置され、
前記冷却部材は、加熱源の裏面を支持するように配置され、
前記冷却機構は、前記内部空間の上部に空隙なく液体状の冷却媒体を貯留させるように設けられた、液体状の冷却媒体は透過せず、冷却媒体蒸気は透過する半透膜を有することを特徴とするアニール装置。 - 前記冷却機構は、前記冷却部材の前記内部空間に冷却媒体を供給して貯留させる冷却媒体供給配管と、前記内部空間に接続された排気配管と、前記排気配管を介して前記内部空間を排気する真空ポンプと、前記内部空間の圧力を検出する圧力センサと、前記圧力センサの検出値に基づいて前記内部空間内の圧力が所定の値になるように前記真空ポンプを制御する制御器とをさらに有し、前記制御器は設定温度において前記内部空間の圧力が冷却媒体が沸騰する圧力になるように制御することを特徴とする請求項1に記載のアニール装置。
- 前記真空ポンプは、水封式真空ポンプであることを特徴とする請求項2に記載のアニール装置。
- 前記冷却機構は、前記排気配管の前記真空ポンプ上流側に設けられた冷却フィンと、前記冷却フィンで冷却されて生じた液体を前記内部空間に返戻する返戻配管とをさらに有することを特徴とする請求項2に記載のアニール装置。
- 前記制御器は、前記圧力センサの検出値に基づいて前記真空ポンプの回転数を制御するインバータを有することを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載のアニール装置。
- 前記被処理体の上方に配置され、前記処理室内の被処理体に対して光を照射する複数の発光素子を有する他の加熱源と、
前記他の加熱源に直接接触し、かつ前記他の加熱源の裏面を支持するように配置され、冷却媒体が供給される内部空間を有する他の冷却部材と、
前記他の冷却部材の前記内部空間を減圧して冷却媒体を気化させ、その際の気化熱により前記加熱源を冷却する他の冷却機構と
をさらに具備することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のアニール装置。 - 前記他の冷却機構は、前記他の冷却部材の前記内部空間に冷却媒体を供給して貯留させる冷却媒体供給配管と、前記他の冷却部材の前記内部空間に接続された排気配管と、前記排気配管を介して前記内部空間を排気する真空ポンプと、前記内部空間の圧力を検出する圧力センサと、前記圧力センサの検出値に基づいて前記内部空間内の圧力が所定の値になるように前記真空ポンプを制御する制御器とを有し、前記制御器は設定温度において前記内部空間の圧力が冷却媒体が沸騰する圧力になるように制御することを特徴とする請求項6に記載のアニール装置。
- 前記他の冷却機構は、前記他の冷却部材の前記内部空間内の液面を制御する液面制御手段をさらに有することを特徴とする請求項6または請求項7に記載のアニール装置。
- 前記冷却媒体は水であり、前記内部空間で水を核沸騰状態とすることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のアニール装置。
- 前記加熱源は、表面に前記複数の発光素子を取り付けた高熱伝導性絶縁材料からなる支持体と、前記支持体の裏面側に高熱伝導性の接合材で接合された熱拡散部材とがユニット化されて構成された発光素子アレイを複数備え、前記発光素子アレイは、前記冷却部材にねじ止めされていることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のアニール装置。
- 前記冷却部材は銅またはアルミニウムまたは銅合金またはアルミニウム合金からなり、前記支持体はAlNからなり、前記熱拡散部材は銅または銅合金からなり、前記支持体と前記発光素子との間、前記支持体と前記熱拡散部材との間、および前記発光素子アレイと前記冷却部材との間には高熱伝導性の接合材が介在されていることを特徴とする請求項10に記載のアニール装置。
- 処理室内に収容され、水平に支持された被処理体に対し、前記被処理体の下方に配置され、複数の発光素子を有する加熱源を用いて光照射することにより被処理体をアニール処理するアニール方法であって、
前記加熱源に直接接触し、前記加熱源の裏面を支持するように、内部空間を有する冷却部材を設け、前記内部空間の上部に空隙なく液体状の冷却媒体を貯留させるように、液体状の冷却媒体は透過せず、冷却媒体蒸気は透過する半透膜を設け、前記内部空間を減圧した状態でその中に冷却媒体を供給し、その中で前記冷却媒体を気化させ、その際の気化熱により前記加熱源を冷却しつつアニール処理を行うことを特徴とするアニール方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008332799A JP5394730B2 (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | アニール装置およびアニール方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008332799A JP5394730B2 (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | アニール装置およびアニール方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010153734A JP2010153734A (ja) | 2010-07-08 |
JP5394730B2 true JP5394730B2 (ja) | 2014-01-22 |
Family
ID=42572479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008332799A Expired - Fee Related JP5394730B2 (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | アニール装置およびアニール方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5394730B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101732216B1 (ko) | 2012-09-28 | 2017-05-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 온도 측정 기구 및 온도 측정 방법 |
JP2015037107A (ja) * | 2013-08-13 | 2015-02-23 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
US9318360B2 (en) * | 2013-10-11 | 2016-04-19 | Applied Materials, Inc. | Linear high packing density for LED arrays |
JP6143356B2 (ja) * | 2013-10-28 | 2017-06-07 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
JP2015138833A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
JP6267162B2 (ja) | 2014-09-09 | 2018-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
WO2016039199A1 (ja) * | 2014-09-09 | 2016-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
JP2016076529A (ja) * | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定用支持部材及び熱処理装置 |
US9633886B2 (en) * | 2015-04-16 | 2017-04-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Hybrid thermal electrostatic clamp |
KR102099890B1 (ko) * | 2017-05-18 | 2020-04-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR101981983B1 (ko) * | 2017-08-09 | 2019-05-24 | (주)엘라이트 | Led 히터 |
JP7134020B2 (ja) * | 2018-08-17 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | バルブ装置、処理装置、および制御方法 |
CN113539878A (zh) * | 2020-04-17 | 2021-10-22 | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 | 激光退火载台 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0348853U (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-10 | ||
JP3623653B2 (ja) * | 1998-03-30 | 2005-02-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
JP2007317828A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Nikon Corp | 冷却装置、移動装置及び処理装置、並びにリソグラフィシステム |
JP5007395B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2012-08-22 | シーシーエス株式会社 | 立体光源体 |
JP2008060560A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Ltd | アニール装置およびアニール方法 |
JP5138253B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2013-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | アニール装置 |
-
2008
- 2008-12-26 JP JP2008332799A patent/JP5394730B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010153734A (ja) | 2010-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5394730B2 (ja) | アニール装置およびアニール方法 | |
JP5351479B2 (ja) | 加熱源の冷却構造 | |
JP5138253B2 (ja) | アニール装置 | |
JP5084420B2 (ja) | ロードロック装置および真空処理システム | |
US20120325795A1 (en) | Heating apparatus and annealing apparatus | |
JP2012502502A (ja) | 冷却が改善されたラピッドサーマルプロセシングランプヘッド | |
JP2015056624A (ja) | 基板温調装置およびそれを用いた基板処理装置 | |
WO2007034707A1 (ja) | 熱処理装置、コンピュータプログラム及び記憶媒体 | |
WO2009125727A1 (ja) | アニール装置 | |
JP5078666B2 (ja) | セラミック基板とアルミニウム基板との接合方法、および発光素子実装体 | |
TW201906062A (zh) | 焊接頭及具有其的焊接裝置 | |
WO2009116400A1 (ja) | アニール装置および過熱防止システム | |
WO2008029742A1 (fr) | Appareil de recuit | |
JP5568495B2 (ja) | 熱処理装置 | |
TWI614796B (zh) | 在處理腔室中之固態光源之整合解決方案 | |
JP2009277868A (ja) | 加熱装置および半導体基板の製造方法 | |
JP5500488B1 (ja) | 照射装置 | |
WO2008016116A1 (fr) | Dispositif et procédé de recuit | |
JP2008060560A (ja) | アニール装置およびアニール方法 | |
JP6047411B2 (ja) | 温度測定機構及び温度測定方法 | |
JP2014060220A (ja) | エッチング装置およびエッチング方法 | |
JP4893939B2 (ja) | 製造対象物の熱処理装置および熱処理方法、並びに圧電デバイスの製造方法 | |
JP2012023330A (ja) | 加熱源装置及びアニール装置 | |
JP2001044554A (ja) | Ldステムおよび光ピックアップ | |
TW201013105A (en) | Lighting device of light emitting diodes and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130716 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131017 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |