JP2020019991A - Film deposition device and electronic device manufacturing method - Google Patents

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Abstract

To provide a technique capable of improving availability of a target material.SOLUTION: A film deposition device 1 comprises a chamber 2, in which a film deposition object 10 and a target 30 are arranged, and magnetic field generation means 31 arranged in the chamber 2 at a position opposed to the film deposition object 10 via the target 30. The device has plural conductive members 4A, 4B aligned in a longitudinal direction of the arranged target 30, and electric potential application means 26A, 26B for applying an electric potential to at least one of the plural conductive members 4A, 4B, so that the electric potentials of at least two of the plural conductive members 4A, 4B are different from each other.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、成膜装置及び電子デバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to a film forming apparatus and an electronic device manufacturing method.

基板や基板上に形成された積層体などの成膜対象物に、金属や金属酸化物などの材料からなる薄膜を形成する方法として、スパッタ法が広く知られている。スパッタ法によって成膜を行うスパッタ装置は、真空チャンバ内において、成膜材料からなるターゲットと成膜対象物とを対向させて配置した構成を有している。ターゲットに負の電圧を印加するとターゲットの近傍にプラズマが発生して電離した不活性ガス元素によってターゲット表面がスパッタされ、放出されたスパッタ粒子が成膜対象物に堆積して成膜される。また、ターゲットの背面（円筒形のターゲットの場合にはターゲットの内側）にマグネットを配置し、発生する磁場によってカソード近傍の電子密度を高くしてスパッタする、マグネトロンスパッタ法もよく知られている。   2. Description of the Related Art Sputtering is widely known as a method for forming a thin film made of a material such as a metal or a metal oxide on a film formation target such as a substrate or a laminate formed on the substrate. 2. Description of the Related Art A sputtering apparatus that forms a film by a sputtering method has a configuration in which a target made of a film-forming material and a film-forming target are arranged to face each other in a vacuum chamber. When a negative voltage is applied to the target, plasma is generated in the vicinity of the target, the target surface is sputtered by the ionized inert gas element, and the emitted sputtered particles are deposited on the film-forming target to form a film. Also, a magnetron sputtering method is well known in which a magnet is arranged on the back surface of the target (in the case of a cylindrical target, inside the target), and the generated magnetic field increases the electron density near the cathode to perform sputtering.

マグネトロンスパッタ法の成膜装置（スパッタリング装置あるいはスパッタ装置とも称する）において、円筒形状に成形したターゲット（ロータリーカソード）を回転させて成膜を行う装置構成が知られている（特許文献１）。この構成では、固定された磁石ユニットに対し、その外周を囲む円筒形のターゲットを回転させることで、ターゲット表面のうち、磁石ユニットによって形成される磁場によって高密度に形成されたプラズマに曝される箇所を変えつつスパッタを行うことができる。これにより、ターゲットの消費を周方向に均一化し、無駄の少ないターゲット材料の消費を可能とする。   2. Description of the Related Art In a film forming apparatus (also referred to as a sputtering apparatus or a sputtering apparatus) using a magnetron sputtering method, there is known an apparatus configuration in which a target (rotary cathode) formed into a cylindrical shape is rotated to form a film (Patent Document 1). In this configuration, by rotating a cylindrical target surrounding the outer periphery of the fixed magnet unit, the target surface is exposed to plasma formed at high density by the magnetic field formed by the magnet unit on the target surface. Sputtering can be performed while changing the location. Thereby, the consumption of the target is made uniform in the circumferential direction, and the consumption of the target material with less waste is made possible.

特開２０１３−２３７９１３号公報JP 2013-237913 A

マグネトロンスパッタ法においては、磁石ユニットによってターゲットの背面（内面）から前面（外面）に向かって漏洩する漏洩磁場が形成されるが、一般に、ターゲットの長手方向に延びたレーストラック状のコロイダル型の磁場トンネルが形成される。この磁場トンネルによって電子が拘束され、拘束された電子の軌道はターゲットの長手方向に延びたレーストラック状に形成される。このとき、レーストラックの曲率の大きな部分、すなわちターゲットの長手端部近傍では、レーストラックの曲率の小さな部分、すなわちターゲットの長手中央部に対応する部分よりもターゲットがより多くスパッタされる。そのため、ターゲットの長手端部近傍のほうが、ターゲットの長手中央部よりもターゲット材料の消費が局所的に大きくなり、ターゲット材料の消費分布がターゲットの長手方向に沿って均一ではなくなることがある。ターゲットの寿命は消耗の大きい箇所を基準に決められるため、長手中央部にはまだ十分にターゲット材料が残っているにもかかわらず、ターゲットの交換をしなければならなくなり、ターゲット材料の効率的な使用が困難となってしまう場合がある。   In the magnetron sputtering method, a leakage magnetic field leaking from a back surface (inner surface) to a front surface (outer surface) of a target is formed by a magnet unit. In general, a colloidal magnetic field in the form of a racetrack extending in the longitudinal direction of the target. A tunnel is formed. The electrons are constrained by the magnetic tunnel, and the trajectories of the constrained electrons are formed in a racetrack shape extending in the longitudinal direction of the target. At this time, the target is sputtered more in the portion of the race track where the curvature is large, that is, in the vicinity of the longitudinal end of the target, than in the portion of the race track where the curvature is small, that is, the portion corresponding to the longitudinal center of the target. Therefore, the consumption of the target material is locally larger near the longitudinal end portion of the target than in the longitudinal center portion of the target, and the distribution of consumption of the target material may not be uniform along the longitudinal direction of the target. Since the life of the target is determined based on the area where the wear is large, the target must be replaced even though there is still enough target material left in the center of the longitudinal direction. It may be difficult to use.

本発明は、上述の課題に鑑み、ターゲットの利用率を向上させることができる技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a technique capable of improving the utilization rate of a target.

本発明の一側面としての成膜装置は、成膜対象物およびターゲットが配置されるチャン
バと、前記チャンバ内の、前記ターゲットを介して前記成膜対象物と対向する位置に配置される磁場発生手段と、備えた成膜装置であって、配置される前記ターゲットの長手方向に並んで配置された複数の導電部材と、前記複数の導電部材のうちの少なくとも２つの導電部材の電位が異なるように、前記複数の導電部材の少なくとも１つに電位を印加する電位印加手段と、有することを特徴とする。
また、本発明の別の一側面としての成膜装置は、成膜対象物およびターゲットが配置されるチャンバと、前記チャンバ内の、前記ターゲットを介して前記成膜対象物と対向する位置に配置される磁場発生手段と、を備えた成膜装置であって、配置される前記ターゲットの表面の長手方向における一部の領域において前記ターゲットと対向する導電部材と、前記導電部材に電位を印加する電位印加手段と、を有することを特徴とする。
また、本発明の別の一側面としての電子デバイスの製造方法は、成膜対象物をチャンバ内に配置し、前記成膜対象物と対向して配置されたターゲットから飛翔するスパッタ粒子を堆積させて成膜するスパッタ成膜工程を含む電子デバイスの製造方法であって、前記スパッタ成膜工程は、前記ターゲットの長手方向に垂直な断面における前記ターゲットの周囲の空間電位分布を前記ターゲットの中央部と端部とで異ならせた状態で成膜する工程であることを特徴とする。 A film formation apparatus according to one aspect of the present invention includes a chamber in which a film formation target and a target are disposed, and a magnetic field generation disposed in the chamber at a position facing the film formation target through the target. Means, and a plurality of conductive members arranged side by side in the longitudinal direction of the target to be disposed, and at least two of the plurality of conductive members have different potentials. And a potential applying means for applying a potential to at least one of the plurality of conductive members.
Further, a film forming apparatus according to another aspect of the present invention includes a chamber in which a film formation target and a target are arranged, and a chamber disposed in the chamber in a position facing the film formation target via the target. A magnetic field generating means, and a conductive member facing the target in a part of the surface of the target disposed in a longitudinal direction, and applying a potential to the conductive member. And a potential applying means.
Further, a method of manufacturing an electronic device according to another aspect of the present invention includes disposing a film formation target in a chamber and depositing sputter particles flying from a target disposed opposite to the film formation target. A method of manufacturing an electronic device including a sputtering film forming step of forming a film by sputtering, wherein the sputtering film forming step includes a step of forming a spatial potential distribution around the target in a cross section perpendicular to a longitudinal direction of the target at a central portion of the target. And a step of forming a film in a state where the film is made different between the end portion and the end portion.

本発明によれば、ターゲットの利用率を向上させることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the utilization rate of a target can be improved.

本発明の実施例１に係る成膜装置の模式的断面図1 is a schematic cross-sectional view of a film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の実施例１におけるターゲット駆動装置の構成を示す模式的断面図FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a target driving device according to the first embodiment of the present invention. 本発明の実施例１における防着部材の構成を示す模式図FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration of a deposition-inhibiting member according to the first embodiment of the present invention. 印加電位の大きさと成膜レート比との関係についての実験結果を示す図The figure which shows the experimental result about the relationship between the magnitude | size of an applied electric potential, and a film-forming rate ratio ターゲットの局所的消耗部の様子を示す模式的断面図Schematic cross-sectional view showing the state of the local consumable part of the target ロータリーカソードにおける膜厚分布の経時変化の実験結果を示す図Diagram showing experimental results of temporal change of film thickness distribution in rotary cathode 本発明の実施例１の変形例における防着部材の構成を示す模式図FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a configuration of a deposition-inhibiting member according to a modification of the first embodiment of the present invention. 本発明の実施例２に係る成膜装置の模式的断面図FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a film forming apparatus according to a second embodiment of the present invention.

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態および実施例を説明する。ただし、以下の実施形態および実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲をそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成およびソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。   Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples are merely illustrative examples of preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to those configurations. In the following description, the hardware configuration and software configuration of the apparatus, processing flow, manufacturing conditions, dimensions, materials, shapes, and the like limit the scope of the present invention to only these, unless otherwise specified. It is not intended.

（実施例１）
＜成膜装置＞
図１〜図６を参照して、本発明の実施例１に係る成膜装置について説明する。本実施例に係る成膜装置は、円筒形状のターゲット内側に磁石ユニットを配置した、マグネトロン方式のスパッタリング装置である。本実施例に係る成膜装置は、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品などの各種電子デバイスや、光学部品などの製造において基板（基板上に積層体が形成されているものも含む）上に薄膜を堆積形成するために用いられる。より具体的には、本実施例に係る成膜装置は、発光素子や光電変換素子、タッチパネルなどの電子デバイスの製造において好ましく用いられる。中でも、本実施例に係る成膜装置は、有機ＥＬ（ＥｒｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子などの有機発光素子や、有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子の製造において特に好ましく適用可能である。なお、本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置（例えば有機ＥＬ表示装置）や照明装置（例えば有機ＥＬ照明装置）、光電変換素子を備えたセンサ（例えば有機Ｃ
ＭＯＳイメージセンサ）も含むものである。本実施例に係る成膜装置は、蒸着装置等を含む成膜システムの一部として用いることができる。 (Example 1)
<Deposition equipment>
First Embodiment A film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The film forming apparatus according to the present embodiment is a magnetron type sputtering apparatus in which a magnet unit is arranged inside a cylindrical target. In the film forming apparatus according to the present embodiment, in the production of various electronic devices such as semiconductor devices, magnetic devices, and electronic components, and in the production of optical components and the like, a thin film is formed on a substrate (including a substrate on which a laminate is formed). Is used for depositing. More specifically, the film forming apparatus according to this embodiment is preferably used in the manufacture of electronic devices such as light emitting elements, photoelectric conversion elements, and touch panels. Above all, the film forming apparatus according to this embodiment is particularly preferably applicable to the manufacture of organic light-emitting elements such as organic EL (Electro Luminescence) elements and organic photoelectric conversion elements such as organic thin-film solar cells. Note that the electronic device according to the present invention includes a display device (for example, an organic EL display device) or a lighting device (for example, an organic EL lighting device) provided with a light emitting element, and a sensor (for example, an organic C
MOS image sensor). The film forming apparatus according to the present embodiment can be used as a part of a film forming system including a vapor deposition apparatus and the like.

本実施例に係る成膜装置は、例えば、有機ＥＬ素子の製造に用いられる。有機ＥＬ素子の場合、基板に陽極、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極の順番に成膜される構成が一般的である。本実施例に係る成膜装置は、有機膜上に、スパッタリングによって、電子注入層や、電極（陰極）に用いられる金属や金属酸化物等の積層被膜を成膜する際に好適に用いられる。また、有機膜上への成膜に限定されず、金属材料や酸化物材料等のスパッタで成膜可能な材料の組み合わせであれば、多様な面に積層成膜が可能である。   The film forming apparatus according to the present embodiment is used, for example, for manufacturing an organic EL element. In the case of an organic EL device, a structure is generally formed in which an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode are formed on a substrate in this order. The film forming apparatus according to the present embodiment is preferably used when forming an electron injection layer or a laminated film of a metal or a metal oxide used for an electrode (cathode) on an organic film by sputtering. Further, the present invention is not limited to film formation on an organic film, and a stacked film can be formed on various surfaces as long as a combination of materials which can be formed by sputtering such as a metal material and an oxide material is used.

図１は、本実施例に係る成膜装置の全体構成を示す模式的側断面図である。図２は、本実施例におけるターゲット駆動装置の構成を示す模式的断面図である。図３は、本実施例における防着部材の構成を示す模式図である。図４は、防着板に印加する電位の大きさと、スパッタ膜の成膜レート比（対防着板なし）との関係についての実験結果を示す図である。図５は、ターゲットの局所的消耗の様子を示す模式的断面図である。図６は、ロータリーカソードにおける膜厚分布の経時変化の実験結果を示す図である。   FIG. 1 is a schematic side sectional view showing the entire configuration of the film forming apparatus according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of the target driving device according to the present embodiment. FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the configuration of the deposition-inhibiting member in the present embodiment. FIG. 4 is a diagram showing experimental results on the relationship between the magnitude of the potential applied to the deposition-preventing plate and the deposition rate ratio of the sputtered film (without deposition-preventing plate). FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the state of local consumption of the target. FIG. 6 is a view showing an experimental result of a temporal change of a film thickness distribution in a rotary cathode.

図１に示すように、本実施例に係る成膜装置（スパッタ装置）１は、チャンバとしてのスパッタ室（成膜室）２と、スパッタ室２内に配置されたカソードユニット３および防着板４と、ＣＰＵやメモリ等からなる制御部５と、を備える。防着板４は、カソードユニット３を挟むように対向配置される。成膜処理対象物たる基板１０は、不図示のドアバルブを介してスパッタ室２に搬入・搬出される。スパッタ室２には、クライオポンプやＴＭＰ（ターボモレキュラポンプ）等からなる排気装置２３がそれぞれ接続されており、室内の圧力が調整可能に構成されている。スパッタ室２は、排気装置２３により予め所定の圧力まで排気された状態にされて、基板１０が搬入されてもよい。   As shown in FIG. 1, a film forming apparatus (sputtering apparatus) 1 according to the present embodiment includes a sputter chamber (film forming chamber) 2 as a chamber, a cathode unit 3 disposed in the sputter chamber 2, and a deposition preventing plate. 4 and a control unit 5 including a CPU, a memory, and the like. The deposition preventing plates 4 are arranged to face each other with the cathode unit 3 interposed therebetween. The substrate 10 which is a film formation target is carried into and out of the sputtering chamber 2 via a door valve (not shown). The sputtering chamber 2 is connected to an exhaust device 23 composed of a cryopump, a TMP (turbomolecular pump), or the like, so that the pressure in the chamber can be adjusted. The sputter chamber 2 may be evacuated to a predetermined pressure by the exhaust device 23 in advance, and the substrate 10 may be carried in.

図２に示すように、基板１０は、スパッタ室２内を、基板ホルダ２０に載せられて（保持されて）、カソードユニット３に対して所定の対向距離で延びる搬送ガイド２２に沿って、一定の速度で搬送される。基板ホルダ２０には、基板１０の被成膜面（被処理面）１１を開放する開口部２１が設けられており、該開口部２１を介して、被成膜面１１に成膜処理が施される。   As shown in FIG. 2, the substrate 10 is placed (held) on the substrate holder 20 in the sputtering chamber 2 and is fixed along a transport guide 22 extending at a predetermined distance from the cathode unit 3. Transported at a speed of The substrate holder 20 is provided with an opening 21 for opening the film formation surface (processing surface) 11 of the substrate 10, and the film formation process is performed on the film formation surface 11 through the opening 21. Is done.

＜スパッタリングチャンバおよびカソードユニット＞
図１、図２に示すように、スパッタ室２は、上方に基板１０の搬送経路が設けられ、その下方にカソードユニット３が配置されている。スパッタ室２は、排気装置２３により、より具体的には排気装置２３に接続されたバルブの開度により、スパッタリングプロセスに好適な圧力（例えば、２×１０Ｐａ〜２×１０−５Ｐａ）に調整されるとともに、不図示のガス供給源からガス導入配管２４を介してスパッタリングガスが流量制御されて供給される。これにより、スパッタ室２の内部にスパッタリング雰囲気が形成される。スパッタリングガスとしては、例えばＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の希ガスや成膜用の反応性ガスが用いられる。なお、ガス導入配管２４の配置は一例であり、これに限定されるものではない。 <Sputtering chamber and cathode unit>
As shown in FIGS. 1 and 2, the sputtering chamber 2 has a transfer path for the substrate 10 provided above, and a cathode unit 3 disposed below the transfer path. The sputtering chamber 2 is adjusted to a pressure (for example, 2 × 10 Pa to 2 × 10 −5 Pa) suitable for the sputtering process by the exhaust device 23, more specifically, by the opening degree of a valve connected to the exhaust device 23. At the same time, a sputtering gas is supplied at a controlled flow rate from a gas supply source (not shown) via a gas introduction pipe 24. Thereby, a sputtering atmosphere is formed inside the sputtering chamber 2. As the sputtering gas, a rare gas such as Ar, Kr, or Xe or a reactive gas for film formation is used. Note that the arrangement of the gas introduction pipes 24 is an example, and is not limited to this.

カソードユニット３は、ターゲット３０と、磁石ユニット３１と、ターゲット３０を支持するカソード電極としてのケース３２と、を備える。ターゲット３０は、円筒形状に成形された成膜材料であり、基板１０の搬送経路から所定の距離を空けた位置において、基板１０の被成膜面１１（搬送方向）に平行、かつ中心軸線（又は母線）が基板１０の搬送方向と直交する方向となるように配置される。ターゲット３０の内周面は、カソード電極としてのケース３２の外面に密着している。磁石ユニット３１は、ターゲット３０（カソード電極としてのケース３２）の内側の中空部に配置される。ケース３２には電源２５が
接続されており、スパッタ室２は接地されている。電源２５による電圧印加において、ケース３２が陰極（カソード）となり、スパッタ室２の壁部が陽極（アノード）となる。 The cathode unit 3 includes a target 30, a magnet unit 31, and a case 32 serving as a cathode electrode that supports the target 30. The target 30 is a film-forming material formed into a cylindrical shape, and is parallel to the film-forming surface 11 (transfer direction) of the substrate 10 and at a central axis (at a position spaced apart from the transfer path of the substrate 10 by a predetermined distance). (Or the generating line) are arranged in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate 10. The inner peripheral surface of the target 30 is in close contact with the outer surface of the case 32 as a cathode electrode. The magnet unit 31 is arranged in a hollow portion inside the target 30 (the case 32 as a cathode electrode). A power supply 25 is connected to the case 32, and the sputtering chamber 2 is grounded. When voltage is applied by the power supply 25, the case 32 becomes a cathode, and the wall of the sputtering chamber 2 becomes an anode.

ターゲット３０の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属ターゲットとその合金材が挙げられる。その他、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａなどの金属ターゲットに反応性ガス（Ｏ２、Ｎ２，Ｈ２Ｏなど）を添加したものや、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁材料も挙げられる。ターゲット３０は、これらの成膜材料が形成された層の内側に、バッキングチューブのような別の材料からなる層が形成されていてもよい。また、ターゲット３０は円筒形のターゲットであるが、ここで言う「円筒形」は数学的に厳密な円筒形のみを意味するのではなく、母線が直線ではなく曲線であるものや、中心軸に垂直な断面が数学的に厳密な「円」ではないものも含む。すなわち、本発明におけるターゲット３０は、中心軸を軸に回転可能な円筒状のものであればよい。 Examples of the material of the target 30 include metal targets such as Cu, Al, Ti, Mo, Cr, Ag, Au, and Ni, and alloys thereof. In addition, those obtained by adding a reactive gas (O 2 , N 2 , H 2 O, etc.) to a metal target such as Si, Ti, Cr, Al, Ta, etc., SiO 2 , Ta 2 O 5 , Al 2 O 3, etc. Of insulating materials. The target 30 may have a layer made of another material such as a backing tube formed inside the layer on which these film forming materials are formed. Although the target 30 is a cylindrical target, the "cylindrical shape" referred to here does not mean only a mathematically strict cylindrical shape, and the generatrix is not a straight line but a curved line. This includes those whose vertical cross section is not a mathematically exact "circle". That is, the target 30 in the present invention may be a cylindrical target that can rotate around the central axis.

磁石ユニット３１は、ヨーク３１０と、第１磁石としての中心磁石３１１と、第２磁石としての外周磁石３１２と、を備える。ヨーク３１０は、基板１０の搬送方向と直交する方向を長手方向とする縦長形状の磁性部材である。ヨーク３１０上面の中央部に上記長手方向に沿って延びる中心磁石３１１が設けられている。また、ヨーク３１０上面において中心磁石３１１の外周を囲むように環状に形成された外周磁石３１２が設けられている。中心磁石３１１と外周磁石３１２は、ターゲット３０の内周面と対向する端部に、互いに逆極性となる極を有している。本実施例では、中心磁石３１１が第１極としてのＳ極を有し、外周磁石３１２が第２極としてのＮ極を有する構成としている。磁石ユニット３１は、ターゲット３０の内部に配置されることで、ターゲット３０の長手方向に延びたトロイダル型の漏洩磁場を形成する。   The magnet unit 31 includes a yoke 310, a center magnet 311 as a first magnet, and an outer peripheral magnet 312 as a second magnet. The yoke 310 is a vertically long magnetic member whose longitudinal direction is a direction perpendicular to the transport direction of the substrate 10. A central magnet 311 extending along the longitudinal direction is provided at the center of the upper surface of the yoke 310. An outer peripheral magnet 312 formed in an annular shape on the upper surface of the yoke 310 so as to surround the outer periphery of the center magnet 311 is provided. The center magnet 311 and the outer peripheral magnet 312 have poles having opposite polarities at ends facing the inner peripheral surface of the target 30. In this embodiment, the center magnet 311 has an S pole as a first pole, and the outer peripheral magnet 312 has an N pole as a second pole. The magnet unit 31 forms a toroidal type leakage magnetic field extending in the longitudinal direction of the target 30 by being disposed inside the target 30.

＜スパッタリング＞
上述したスパッタリング雰囲気の形成と、電源２５からカソード電極たるケース３２への電圧印加および磁場発生手段である磁石ユニット３１によるターゲット３０表面での所定の磁場形成と、によって、ターゲット３０外周面近傍にプラズマ領域Ｐが生成される。プラズマ領域Ｐの生成により生成されるスパッタリングガスイオンとターゲット３０との衝突により、ターゲット粒子がターゲット３０の外周面から放出される。ターゲット３０から放出されたターゲット粒子が基板１０に向かって飛翔、堆積することで基板１０の被成膜面１１に成膜がされる。 <Sputtering>
The formation of the sputtering atmosphere described above, the application of a voltage from the power supply 25 to the case 32 serving as the cathode electrode, and the formation of a predetermined magnetic field on the surface of the target 30 by the magnet unit 31 serving as the magnetic field generating means cause plasma to be generated near the outer peripheral surface of the target 30 An area P is generated. The target particles are emitted from the outer peripheral surface of the target 30 by the collision between the sputtering gas ions generated by the generation of the plasma region P and the target 30. The target particles emitted from the target 30 fly toward and deposit on the substrate 10, thereby forming a film on the deposition surface 11 of the substrate 10.

図２（ａ）に示すように、ターゲット３０および磁石ユニット３１は、エンドブロック３３とサポートブロック３４とにより円筒ターゲット３０の中心軸線方向におけるそれぞれの両端部が支持されている。スパッタ室２に対して、磁石ユニット３１は、固定支持されているのに対し、ターゲット３０は、その中心軸線周りに回転可能に支持されている。成膜装置１は、磁石ユニット３１を静止させたままターゲット３０のみを回転させる駆動機構を備えている。   As shown in FIG. 2A, both ends of the target 30 and the magnet unit 31 in the center axis direction of the cylindrical target 30 are supported by the end block 33 and the support block 34. The magnet unit 31 is fixedly supported in the sputtering chamber 2, whereas the target 30 is supported rotatably around the central axis. The film forming apparatus 1 includes a drive mechanism that rotates only the target 30 while keeping the magnet unit 31 stationary.

図２（ｂ）は、ターゲット３０を回転させる駆動機構の構成を示す模式的断面図である。また、図２（ｂ）において磁石ユニット３１の構成は図示を省略している。図２（ｂ）に示すように、成膜装置１は、ターゲット３０を回転させる駆動力を得るための動力源としてモータ７０を備える。また、カソード電極としてのケース３２は、中心軸線方向の両端にそれぞれ軸部３２１、３２２を備える。一方の軸部３２１は、ベアリング７２を介してサポートブロック３４の軸孔に回転自在に支持されている。他方の軸部３２２は、ベアリング７２を介してエンドブロック３３の軸孔に回転自在に支持されているとともに、ベルト７１を介してモータ７０に連結されている。モータ７０の回転駆動力がベルト７１を介して他方の軸部３２２に伝達することにより、カソード電極たるケース３２がエンドブ
ロック３３とサポートブロック３４に対して回転する。これにより、ケース３２の外周に設けられた円筒ターゲット３０がその中心軸線周りに回転する。ターゲット３０を回転させる回転手段としての、モータ７０、ベルト７１を含むターゲット駆動装置７は、制御部５によって制御される。 FIG. 2B is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a drive mechanism that rotates the target 30. In FIG. 2B, the configuration of the magnet unit 31 is not shown. As shown in FIG. 2B, the film forming apparatus 1 includes a motor 70 as a power source for obtaining a driving force for rotating the target 30. The case 32 as a cathode electrode includes shaft portions 321 and 322 at both ends in the center axis direction. One shaft portion 321 is rotatably supported by a shaft hole of the support block 34 via a bearing 72. The other shaft portion 322 is rotatably supported by a shaft hole of the end block 33 via a bearing 72, and is connected to the motor 70 via a belt 71. By transmitting the rotational driving force of the motor 70 to the other shaft portion 322 via the belt 71, the case 32 serving as the cathode electrode rotates with respect to the end block 33 and the support block 34. Thereby, the cylindrical target 30 provided on the outer periphery of the case 32 rotates around its central axis. The target driving device 7 including a motor 70 and a belt 71 as a rotating unit for rotating the target 30 is controlled by the control unit 5.

一方、磁石ユニット３１は、長手方向の両端部にそれぞれ軸部１３１、１３２を備えている。一方の軸部１３１は、カソード電極たるケース３２の一方の端部に対してベアリング７２を介して回転自在に支持されている。他方の軸部１３２は、カソード電極たるケース３２の他方の軸部３２２の軸孔内周面に対してベアリング７２を介して回転自在に構成されるとともに、エンドブロック３３に固定されている。すなわち、磁石ユニット３１は、他方の軸部１３２がエンドブロック３３に固定支持されていることにより、モータ７０の駆動によって回転するケース３２に対してベアリング７２を介して相対回転し、スパッタ室２に対して静止状態を維持する。なお、ここで示した駆動機構は一例であり、従来周知の他の駆動機構を採用してよい。   On the other hand, the magnet unit 31 has shaft portions 131 and 132 at both ends in the longitudinal direction, respectively. One shaft 131 is rotatably supported via a bearing 72 on one end of the case 32 serving as a cathode electrode. The other shaft portion 132 is rotatable via a bearing 72 with respect to the inner peripheral surface of the shaft hole of the other shaft portion 322 of the case 32 serving as the cathode electrode, and is fixed to the end block 33. That is, since the other shaft portion 132 is fixedly supported by the end block 33, the magnet unit 31 rotates relative to the case 32 rotated by the drive of the motor 70 via the bearing 72, and moves to the sputter chamber 2. Keep still. It should be noted that the drive mechanism shown here is merely an example, and other conventionally known drive mechanisms may be employed.

ターゲット３０は、磁石ユニット３１に対して相対回転するように構成されている。ターゲット３０表面においてスパッタリングにより掘られる箇所は周方向において局所的に形成されるため、ターゲット３０を回転させてターゲット表面の削れ方を周方向に均一化し、無駄の少ないターゲット材料の消費を可能とすることができる。本実施例では、ターゲット３０は、１０〜３０ｒｐｍ（ｒｏｔａｔｉｏｎ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）で等速回転するように制御される。   The target 30 is configured to rotate relative to the magnet unit 31. Since a portion to be dug by sputtering on the surface of the target 30 is formed locally in the circumferential direction, the target 30 is rotated to make the shaving of the target surface uniform in the circumferential direction, thereby enabling consumption of the target material with less waste. be able to. In the present embodiment, the target 30 is controlled to rotate at a constant speed at 10 to 30 rpm (rotation per minute).

＜本実施例の特徴＞
図１、図３に示すように、本実施例に係る成膜装置１は、本実施例の特徴的な構成として、ターゲット３０の長手方向に分割された防着板４（４Ａ、４Ｂ）を備えている。図１に示すように、防着板４Ａ、４Ｂを、ターゲット３０およびその上方に発生するプラズマ領域Ｐを挟むように、互いに平行に対向配置されている。すなわち、防着板４Ａ、４Ｂは、ターゲット３０外周面においてプラズマ領域Ｐの発生により形成されるエロージョン領域と対向する配置となっている。防着板４Ａ、４Ｂの延びる方向はそれぞれ、ターゲット３０の長手方向（母線方向）に平行かつ成膜処理位置にある基板１０と直交する方向となっている。 <Features of the present embodiment>
As shown in FIGS. 1 and 3, the film forming apparatus 1 according to the present embodiment includes, as a characteristic configuration of the present embodiment, a deposition prevention plate 4 (4 </ b> A, 4 </ b> B) divided in the longitudinal direction of the target 30. Have. As shown in FIG. 1, the deposition-preventing plates 4A and 4B are opposed to each other in parallel with each other so as to sandwich the target 30 and the plasma region P generated above the target 30. That is, the deposition-preventing plates 4A and 4B are arranged to face the erosion region formed by the generation of the plasma region P on the outer peripheral surface of the target 30. The extending directions of the deposition-preventing plates 4A and 4B are parallel to the longitudinal direction (generic line direction) of the target 30 and perpendicular to the substrate 10 at the film formation processing position.

防着板４Ａ、４Ｂは、ターゲット粒子の基板１０への飛翔ルートを構造的に規制（飛翔範囲を画定）して基板１０へのターゲット粒子の入射角等を制御する防着部材であるとともに、後述の電位印加制御によって長手方向に電位差を形成し、成膜レートを長手方向に沿って制御する導電部材である。
防着板４は、導電性を有する部材（例えば、ＳＵＳ等の金属板）からなり、接続された電源２６からの電位印加により所定の電位に制御可能に構成されている。かかる構成により、基板１０に成膜される薄膜の成膜レートを、基板１０の搬送方向と直交する方向（長手方向）に調整・制御可能、すなわち、ターゲット３０のターゲット材料の消耗度合いを同方向に調整・制御可能である。 The deposition-preventing plates 4A and 4B are deposition-preventing members that structurally regulate the flight route of the target particles to the substrate 10 (define the flight range) and control the angle of incidence of the target particles on the substrate 10, and the like. This is a conductive member that forms a potential difference in the longitudinal direction by potential control to be described later and controls the film formation rate along the longitudinal direction.
The deposition-preventing plate 4 is made of a conductive member (for example, a metal plate such as SUS), and is configured to be controllable to a predetermined potential by applying a potential from a connected power supply 26. With this configuration, the deposition rate of the thin film deposited on the substrate 10 can be adjusted and controlled in a direction (longitudinal direction) orthogonal to the transport direction of the substrate 10, that is, the degree of consumption of the target material of the target 30 can be adjusted in the same direction. Can be adjusted and controlled.

図４は、防着板４を設置しなかった場合の成膜レート（基板１０に成膜された薄膜の膜厚）を１．０とし、該成膜レートに対する、防着板４を設置しかつ所定の電位を印加した場合の成膜レートの比率を、印加電位の大きさを変化させてプロットしたものである。約＋１００Ｖの電位を防着板４に印加した場合には、印加バイアスを０Ｖあるいはマイナスバイアスを印加した場合よりも、成膜レート比が１．２５倍に上昇、すなわち、基板１０に成膜された薄膜の膜厚が１．２５倍になったことが示されている。つまり、所定の大きさのプラスバイアスを防着板４に印加することで、スパッタリング時にターゲット３０の表面からより多くのターゲット材料が掘られる（消費される）ことになる。   FIG. 4 shows a case where the deposition rate (film thickness of the thin film formed on the substrate 10) when the deposition-preventing plate 4 is not set is 1.0, and the deposition-preventing plate 4 is set at the deposition rate. Further, the ratio of the film formation rate when a predetermined potential is applied is plotted while changing the magnitude of the applied potential. When a potential of about +100 V is applied to the deposition-preventing plate 4, the film formation rate ratio is increased by 1.25 times as compared with the case where the applied bias is 0 V or a negative bias is applied. It is shown that the film thickness of the resulting thin film has increased 1.25 times. That is, by applying a plus bias of a predetermined magnitude to the deposition-preventing plate 4, more target material is dug (consumed) from the surface of the target 30 during sputtering.

図５は、背景技術の項において説明した、ターゲット長手端部においてターゲット材料の消耗が局所的に増大する様子を説明する模式的断面図である。磁石ユニット３１の磁界とカソード電極（ケース）３２への電位印加とによってターゲット３０表面に生成される磁場により、ターゲット３０表面近傍にプラズマ領域Ｐが生成される。プラズマ領域Ｐは、ターゲット３０の長手方向に長いレーストラック状に形成される。かかる形状のプラズマ領域Ｐにおいて折り返すように延びる部分と対向する、ターゲット３０の長手端部において、ターゲット材料の消耗が他の部分と比較して著しい部分３０１が発生することが経験的に知られている。   FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining how the consumption of the target material locally increases at the longitudinal end portion of the target described in the section of the background art. A plasma region P is generated near the surface of the target 30 by a magnetic field generated on the surface of the target 30 by the magnetic field of the magnet unit 31 and the application of a potential to the cathode electrode (case) 32. The plasma region P is formed in a race track shape long in the longitudinal direction of the target 30. It has been empirically known that, at the longitudinal end portion of the target 30 facing the portion that extends back in the plasma region P having such a shape, a portion 301 where the consumption of the target material is remarkable as compared with other portions is generated. I have.

図６は、横軸をターゲット長手位置（長手中央を０ｍｍ）とし、縦軸を基板に成膜された薄膜の膜厚として、ターゲット長手位置に対応した膜厚の継時的な変化を計測した実験結果を示すグラフである。使用初期（５時間）においては、膜厚は長手に略均一であるものの、以降は、長手中央部における膜厚が薄くなっているのに対し、長手端部における膜厚は増大している。すなわち、上述した局所的消耗部３０１の消耗度合いは、継時的に悪化することがわかる。   In FIG. 6, the horizontal axis indicates the target longitudinal position (the center in the longitudinal direction is 0 mm), and the vertical axis indicates the film thickness of the thin film formed on the substrate. It is a graph which shows an experimental result. In the initial stage of use (5 hours), the film thickness is substantially uniform in the longitudinal direction, but thereafter, the film thickness at the central portion in the longitudinal direction is reduced, whereas the film thickness at the longitudinal end is increased. That is, it can be seen that the degree of consumption of the local consumable portion 301 described above deteriorates over time.

図３に示すように、本実施例では、防着板４Ａを、ターゲット３０の長手方向に３分割して配置している。すなわち、防着板４Ａを、ターゲット３０の長手方向に直列に並べた３つの防着板４Ａ１、４Ａ２、４Ａ３によって構成している。３つの防着板４Ａ１、４Ａ２、４Ａ３には、それぞれ個別の電位印加手段としての電源２６Ａ１、２６Ａ２、２６Ａ３が接続され、印加電位の大きさをそれぞれ個別に可変に制御可能に構成している。図示および説明は省略するが、防着板４Ｂも同様に構成されている。かかる構成により、長手に３つに分割された防着板４に対応して、ターゲット３０表面において長手に分割された３つの領域ごとに、成膜レートを調整・制御することが可能となる。すなわち、ターゲット材料の消耗度合いを、長手の分割領域ごとに個別に調整・制御することが可能となる。これにより、上述したような局所的な消耗を抑制して、ターゲット材料の消費効率を向上させることができる。   As shown in FIG. 3, in the present embodiment, the deposition preventing plate 4 </ b> A is divided into three parts in the longitudinal direction of the target 30. That is, the deposition-preventing plate 4A is constituted by three deposition-preventing plates 4A1, 4A2, and 4A3 arranged in series in the longitudinal direction of the target 30. Power supplies 26A1, 26A2, 26A3 as individual potential applying means are connected to the three deposition-preventing plates 4A1, 4A2, 4A3, respectively, so that the magnitude of the applied potential can be individually and variably controlled. Although illustration and explanation are omitted, the deposition-preventing plate 4B is similarly configured. With this configuration, it is possible to adjust and control the film forming rate for each of the three longitudinally divided regions on the surface of the target 30 corresponding to the longitudinally divided deposition prevention plate 4. That is, the degree of consumption of the target material can be individually adjusted and controlled for each of the longitudinal divided regions. Thereby, the local consumption as described above can be suppressed, and the consumption efficiency of the target material can be improved.

本実施例における防着板４に対する印加電位の制御は、具体的には、ターゲット３０の長手中央部と対向する防着板４Ａ２に印加する電位を、ターゲット３０の長手端部と対向する防着板４Ａ１、４Ａ３に印加する電位よりも高くする。これにより、印加電位に差をつけない場合よりも、ターゲット３０の長手中央部に対応する基板１０の成膜レートが高くなる。すなわち、ターゲット３０の長手中央部におけるターゲット材料の消費量が、印加電位に差をつけない場合よりも増加する。これにより、ターゲット３０の長手端部領域におけるターゲット材料だけが相対的に局所的に消費されることが抑制され、長手方向におけるターゲット材料の消耗のばらつきを低減することができる。したがって、ターゲット材料の消費効率を向上させることができる。   Specifically, the control of the potential applied to the deposition-preventing plate 4 in the present embodiment is performed by changing the potential applied to the deposition-preventing plate 4A2 facing the longitudinal center of the target 30 to the deposition-prevention facing the longitudinal end of the target 30. The potential is set higher than the potential applied to the plates 4A1 and 4A3. Thereby, the film formation rate of the substrate 10 corresponding to the longitudinal central portion of the target 30 becomes higher than the case where no difference is applied to the applied potential. That is, the consumption amount of the target material in the longitudinal center portion of the target 30 is increased as compared with a case where no difference is applied to the applied potential. This suppresses the relative local consumption of only the target material in the longitudinal end region of the target 30, and reduces the variation in consumption of the target material in the longitudinal direction. Therefore, the consumption efficiency of the target material can be improved.

本実施例に係る成膜装置１は、表面形状計測手段として、ターゲット３０の厚みを測定するための変位計８（８１，８２，８３）を備えている。変位計８は、ターゲット３０外周面のうち基板１０と対向する領域から外れた領域において、スパッタ室２の壁部に設けられた検知用窓２８を介して、ターゲット３０外周面に対向するように配置される。変位計８は、検知用窓２８を介して、検知光をターゲット３０の表面に照射し、その反射光を検知すること、でターゲット３０の厚み情報を取得する光学式センサである。本実施例では、ターゲット３０表面の上述した３つの領域それぞれにおけるターゲット３０の厚みを測定すべく、３つの変位計８１、８２、８３をターゲット３０の長手方向に沿って配置している。これにより、ターゲット３０の長手方向に沿った表面形状を測定することができる。   The film forming apparatus 1 according to the present embodiment includes a displacement meter 8 (81, 82, 83) for measuring the thickness of the target 30 as a surface shape measuring unit. The displacement meter 8 is opposed to the outer peripheral surface of the target 30 via a detection window 28 provided on the wall of the sputtering chamber 2 in a region of the outer peripheral surface of the target 30 that is outside the region facing the substrate 10. Be placed. The displacement meter 8 is an optical sensor that irradiates the surface of the target 30 with detection light via the detection window 28 and detects the reflected light to obtain thickness information of the target 30. In the present embodiment, three displacement gauges 81, 82, and 83 are arranged along the longitudinal direction of the target 30 in order to measure the thickness of the target 30 in each of the three regions described above on the surface of the target 30. Thereby, the surface shape along the longitudinal direction of the target 30 can be measured.

また、本実施例に係る成膜装置１は、膜厚分布測定手段として、基板１０に成膜された膜の膜厚を測定するための変位計９を備えている。変位計９は、変位計８と同様の光学式センサであり、スパッタ室２内におけるカソードユニット３と基板１０との対向領域（プラズマ領域Ｐが生成される領域）から外れた位置において、基板１０と対向するように配置される。この変位計９も、変位計８と同様、長手方向に複数配置されており、制御部５は、基板１０に成膜された膜の膜厚の長手方向における分布を取得して、防着板４の印加電位の制御に利用することができる。例えば、取得された基板１０の膜厚分布に基づいて、長手に分割された各防着板４の各印加電位を調整することで、ターゲット３０の周囲の空間電位分布を長手方向で調整して成膜レートを長手方向で調整し、膜厚の長手方向の均一化を図るフィードバック制御が可能である。   Further, the film forming apparatus 1 according to the present embodiment includes a displacement meter 9 for measuring the film thickness of the film formed on the substrate 10 as a film thickness distribution measuring means. The displacement meter 9 is an optical sensor similar to the displacement meter 8, and is located at a position outside a facing region (a region where the plasma region P is generated) between the cathode unit 3 and the substrate 10 in the sputtering chamber 2. It is arranged so that it may face. A plurality of displacement gauges 9 are also arranged in the longitudinal direction, similarly to the displacement gauge 8, and the control unit 5 obtains the distribution of the film thickness of the film formed on the substrate 10 in the longitudinal direction, and 4 can be used to control the applied potential. For example, based on the obtained film thickness distribution of the substrate 10, by adjusting each applied potential of each of the deposition-prevention plates 4 divided in the longitudinal direction, the spatial potential distribution around the target 30 is adjusted in the longitudinal direction. Feedback control that adjusts the film forming rate in the longitudinal direction and makes the film thickness uniform in the longitudinal direction is possible.

したがって、本実施例においては、ターゲット３０の長手方向に沿った（ｉ）ターゲット３０の表面形状、または、（ｉｉ）基板１０に成膜された膜の膜厚分布のいずれかに基づいて、長手方向に分割された防着板４の印加電位を制御することができる。本実施例によれば、基板１０をスパッタ室２内で複数回往復搬送して成膜処理を複数回に分けて行うような場合において、ターゲット材料を効率よく消費しつつ精度の高い基板１０への成膜を行うことが可能となる。   Therefore, in the present embodiment, the longitudinal direction is determined based on either (i) the surface shape of the target 30 along the longitudinal direction of the target 30 or (ii) the film thickness distribution of the film formed on the substrate 10. The applied potential of the deposition-preventing plate 4 divided in the direction can be controlled. According to the present embodiment, in a case where the substrate 10 is reciprocated a plurality of times in the sputtering chamber 2 and the film forming process is performed in a plurality of times, the target material is efficiently consumed and the substrate 10 is converted to a highly accurate substrate 10. Can be formed.

防着板４の印加電位の制御は、他にも種々の方法を採用することができる。例えば、一対の防着板４Ａ、４Ｂの両方の印加電位を制御する方法に限られるものではなく、例えば、それらのうち少なくとも一方の印加電位を制御し、他方の印加電位は固定して変化させないようにしてもよい。あるいは一方の防着板４Ａにのみ電位を印加し、他方の防着板４Ｂには電位を印加しないようにしてもよい。また、長手方向中央に対応する防着板４の印加電位値を変化させる（高くする）ことにより、長手方向両端に対応する防着板４との間に電位差を設ける制御に限られない。長手方向両端に対応する防着板４の印加電位値を変化させる（低くする）ことで、長手方向中央に対応する防着板４との間に電位差を設ける制御でもよい。さらに、過去の制御情報、例えば、基板１０に成膜された膜の膜厚分布の変化やターゲット３０の表面形状の長手分布の変化、そのときの印加電位値などの情報を蓄積しておき、それらの情報に基づいて、印加電位値を設定するようにしてもよい。また、印加電位値は、成膜処理の間、一定の値で制御してもよいし、成膜処理の途中で可変に制御してもよい。   Various other methods can be used to control the applied potential of the deposition-preventing plate 4. For example, the present invention is not limited to a method of controlling both of the applied potentials of the pair of deposition-preventing plates 4A and 4B. For example, at least one of the applied potentials is controlled and the other applied potential is fixed and not changed. You may do so. Alternatively, a potential may be applied to only one of the deposition-preventing plates 4A and no potential may be applied to the other deposition-preventing plate 4B. Further, the present invention is not limited to the control in which a potential difference is provided between the deposition-preventing plates 4 corresponding to both ends in the longitudinal direction by changing (or increasing) the applied potential value of the deposition-preventing plate 4 corresponding to the center in the longitudinal direction. By changing (lowering) the applied potential value of the deposition-preventing plate 4 corresponding to both ends in the longitudinal direction, control may be performed to provide a potential difference between the deposition-preventing plate 4 corresponding to the center in the longitudinal direction. Further, past control information, for example, information such as a change in a film thickness distribution of a film formed on the substrate 10, a change in a longitudinal distribution of a surface shape of the target 30, and an applied potential value at that time is stored. The applied potential value may be set based on such information. Further, the applied potential value may be controlled at a constant value during the film forming process, or may be variably controlled during the film forming process.

＜変形例＞
図７（ａ）は、本実施例の変形例１における防着部材の構成を示す模式図である。図に示すように、長手中央部の防着板４Ａ２だけが電源２６Ａ２に接続され電位印加制御が可能な構成となっている。長手両端部の防着板４Ａ１、４Ａ３は、スパッタ室２（チャンバ）と同電位（アース電位）としてよい。実施例１よりも電源の数を少なくしつつ、中央の防着板４Ａ２を適切に制御することで、実施例１と同様の効果が期待できる。 <Modification>
FIG. 7A is a schematic diagram illustrating a configuration of a deposition-inhibiting member according to a first modification of the present embodiment. As shown in the figure, only the deposition-preventing plate 4A2 at the central portion in the longitudinal direction is connected to the power supply 26A2, so that the potential application can be controlled. The deposition prevention plates 4A1 and 4A3 at both longitudinal ends may have the same potential (earth potential) as the sputtering chamber 2 (chamber). The same effect as in the first embodiment can be expected by appropriately controlling the central deposition-inhibiting plate 4A2 while reducing the number of power supplies compared to the first embodiment.

図７（ｂ）は、本実施例の変形例２における防着部材の構成を示す模式図である。図に示すように、長手両端の防着板４Ａ１、４Ａ３がそれぞれ電源２６Ａ１、２６Ａ３に接続され、個別に電位印加制御が可能な構成となっている。長手中央の防着板４Ａ２は、スパッタ室２（チャンバ）と同電位（アース電位）としてよい。電位印加制御によって、長手両端における成膜レートが長手中央の成膜レートよりも抑制されるような電位差を形成することで、ターゲット材料の消費度合いの長手分布における均一化を図ることができる。   FIG. 7B is a schematic diagram illustrating a configuration of a deposition-inhibiting member according to a second modification of the present embodiment. As shown in the figure, the deposition prevention plates 4A1 and 4A3 at both longitudinal ends are connected to power supplies 26A1 and 26A3, respectively, so that the potential application can be individually controlled. The deposition prevention plate 4A2 at the longitudinal center may have the same potential (earth potential) as the sputtering chamber 2 (chamber). By forming a potential difference such that the film forming rate at both ends in the longitudinal direction is suppressed from the film forming rate at the longitudinal center by the potential application control, it is possible to make the longitudinal distribution of the degree of consumption of the target material uniform.

図７（ｃ）は、本実施例の変形例３における防着部材の構成を示す模式図である。ターゲット３０の長手中央と対向する防着板４Ａ２のみを配置し、長手両端には防着板を配置しない構成としてもよい。すなわち、ターゲット３０表面において、防着板の電位制御による成膜レート（ターゲット材料の消費度合い）の調整が必要な一部の領域にのみ、防着
板を配置する、というものである。 FIG. 7C is a schematic diagram illustrating a configuration of the deposition-inhibiting member according to Modification 3 of the present embodiment. A configuration in which only the deposition-preventing plate 4A2 facing the longitudinal center of the target 30 is arranged and no deposition-preventing plates are arranged at both longitudinal ends may be adopted. That is, the deposition-preventing plate is disposed only in a part of the surface of the target 30 where the deposition rate (the degree of consumption of the target material) needs to be adjusted by controlling the potential of the deposition-preventing plate.

（実施例２）
図８を参照して、本発明の実施例２に係る成膜装置１ｂについて説明する。なお、実施例２の構成において実施例１の構成と共通する構成は、実施例１と同じ符号を付して、再度の説明を省略する。実施例２においてここで特に説明しない事項は、実施例１と同様である。なお、図８では、実施例１と共通する構成の一部について図示を省略している。 (Example 2)
Second Embodiment A film forming apparatus 1b according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the configuration of the second embodiment, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the first embodiment, and the description thereof will not be repeated. In the second embodiment, items that are not particularly described here are the same as those in the first embodiment. In FIG. 8, illustration of a part of the configuration common to the first embodiment is omitted.

図８に示すように、実施例２に係る成膜装置１ｂは、ターゲット３０ｂが、平板型のターゲット（プレーナーカソード）であり、基板１０（の搬送経路）と平行な配置となるようにスパッタ室２の壁部に組み込まれて設置されている。磁石ユニット３１は、ターゲット３０ｂの基板１０と対向する面とは反対側の面と対向するようにスパッタ室２の外部に設定されている。このようなプレーナーカソード型のスパッタ装置においても、実施例１と同様、ターゲット３０ｂの局所的消耗が発生することがある。具体的には、板状ターゲット３０ｂの長手方向（基板１０搬送方向および基板１０とターゲット３０ｂの対向方向のそれぞれと直交する方向）の両端部において、他の部分と比較してターゲット材料の消耗が著しい局所的消耗部が発生する場合がある。   As shown in FIG. 8, in the film forming apparatus 1 b according to the second embodiment, the sputtering chamber is configured such that the target 30 b is a flat target (planar cathode) and is disposed in parallel with the substrate 10 (transport path). 2 is installed in the wall. The magnet unit 31 is set outside the sputtering chamber 2 so as to face a surface of the target 30b opposite to the surface facing the substrate 10. In such a planar cathode type sputtering apparatus, as in the first embodiment, local consumption of the target 30b may occur. Specifically, at both ends in the longitudinal direction of the plate-like target 30b (the direction orthogonal to the substrate 10 transport direction and the direction in which the substrate 10 and the target 30b face each other), consumption of the target material is smaller than in other portions. Significant local wear may occur.

実施例２に係る成膜装置１ｂは、実施例１と同様、それぞれターゲット３０ｂの長手方向に分割された防着板４Ａ、４Ｂと、これらに電位を印加する電源２６Ａ、２６Ｂと、を備えている。実施例１と同様、防着板４Ａ、４Ｂへの印加電位を適切に制御することで、ターゲットの局所的消耗の発生を抑制し、ターゲット材料の消費効率を向上させることができる。   As in the first embodiment, the film forming apparatus 1b according to the second embodiment includes the deposition-preventing plates 4A and 4B divided in the longitudinal direction of the target 30b, and power supplies 26A and 26B for applying a potential to these plates. I have. As in the first embodiment, by appropriately controlling the potentials applied to the deposition-preventing plates 4A and 4B, the occurrence of local consumption of the target can be suppressed, and the consumption efficiency of the target material can be improved.

（その他）
本実施例では、防着板４の長手方向の分割数が３つであるが、４つ以上に分割した構成としてもよいし、分割された防着板４それぞれの長手方向の長さも、上記実施例等の構成に限定されず、種々の組み合わせを適宜採用することができる。
本実施例では、分割された防着板４のそれぞれの高さ（基板１０と対向する上端部の位置）が、ターゲット粒子の飛翔ルートを構造的に長手方向に均一に規制するため、それぞれ同じ高さとなっているが、それぞれ異なる高さとしてもよい。例えば、分割された防着板４のうち、ターゲット３０の長手中央部に対応する防着板４Ａ２の高さを、ターゲット３０の長手両端に対応する防着板４Ａ１、４Ａ３の高さよりも低くしてもよい。これにより、ターゲット３０の長手中央部の成膜レートを増大させることができ、基板１０に成膜される膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
本実施例では、ケース３２が中心軸線方向の両端にそれぞれ軸部３２１、３２２を備える構成としたが、これに限定はされない。軸部３２１、３２２をそれぞれ構成する部材と、ケース３２と、が着脱可能に構成されていてもよい。この場合、ケース３２はターゲット２１のバッキングチューブであってもよい。
本実施例では、カソードユニット３を１つ備えた成膜装置を例示したが、カソードユニット３を２つ以上備えた成膜装置についても、本発明は適用可能である。
本実施例では、カソードユニット３に対して成膜対象物である基板１０が上方に配置され、基板１０の成膜面が重力方向下方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆるデポアップの装置構成となっているが、これに限定はされない。基板１０がカソードユニット３に対して下方に配置され、基板１０の成膜面が重力方向上方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆるデポダウンの装置構成でもよい。あるいは、基板１０が垂直に立てられた状態、すなわち、基板１０の成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる装置構成であってもよい。
本実施例では、スパッタ室２内において、カソードユニット３が固定され、基板１０がカソードユニット３に対して相対移動する構成となっているが、かかる構成に限定されな
い。例えば、スパッタ室２内において固定（静止）された基板１０に対してカソードユニット３が相対移動する構成でもよいし、両者がそれぞれ相対移動する構成でもよい。 (Other)
In the present embodiment, the number of divisions in the longitudinal direction of the deposition-preventing plate 4 is three, but it may be configured to be divided into four or more. The present invention is not limited to the configurations of the embodiments and the like, and various combinations can be appropriately adopted.
In the present embodiment, the respective heights (positions of the upper end portions facing the substrate 10) of the divided deposition-preventing plates 4 are the same because the flying routes of the target particles are structurally uniformly regulated in the longitudinal direction. Although the heights are different, they may be different heights. For example, of the divided protection plates 4, the height of the protection plates 4A2 corresponding to the longitudinal center portion of the target 30 is set lower than the heights of the protection plates 4A1 and 4A3 corresponding to both longitudinal ends of the target 30. You may. This makes it possible to increase the film forming rate at the central portion in the longitudinal direction of the target 30 and to improve the uniformity of the film thickness formed on the substrate 10.
In the present embodiment, the case 32 has the configuration in which the shaft portions 321 and 322 are provided at both ends in the center axis direction, but the present invention is not limited to this. The members forming the shaft portions 321 and 322 and the case 32 may be configured to be detachable. In this case, the case 32 may be a backing tube of the target 21.
In the present embodiment, the film forming apparatus provided with one cathode unit 3 is exemplified, but the present invention is also applicable to a film forming apparatus provided with two or more cathode units 3.
In the present embodiment, a so-called deposition apparatus in which a substrate 10 which is a film formation target is disposed above the cathode unit 3 and film formation is performed with the film formation surface of the substrate 10 facing downward in the direction of gravity. It has a configuration, but is not limited to this. A so-called deposit-down apparatus configuration in which the substrate 10 is disposed below the cathode unit 3 and the film is formed with the film-forming surface of the substrate 10 facing upward in the direction of gravity. Alternatively, the apparatus may be configured such that film formation is performed in a state where the substrate 10 is set upright, that is, in a state where the film formation surface of the substrate 10 is parallel to the direction of gravity.
In the present embodiment, the cathode unit 3 is fixed in the sputtering chamber 2 and the substrate 10 moves relative to the cathode unit 3, but the present invention is not limited to this configuration. For example, a configuration in which the cathode unit 3 moves relative to the substrate 10 fixed (stationary) in the sputtering chamber 2 or a configuration in which both move relative to each other may be used.

上記各実施例および各変形例は、可能な限りそれぞれの構成を互いに組み合わせることができる。   In each of the above embodiments and modified examples, the respective configurations can be combined with each other as much as possible.

１…成膜装置、１０…基板、１１…被成膜面、２…スパッタ室、３…カソードユニット、３０…ターゲット、３１…磁石ユニット、３２…ケース（カソード電極）、４Ａ、４Ｂ…防着板、２６Ａ、２６Ｂ…電源、５…制御部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film-forming apparatus, 10 ... Substrate, 11 ... Film-forming surface, 2 ... Sputter chamber, 3 ... Cathode unit, 30 ... Target, 31 ... Magnet unit, 32 ... Case (cathode electrode), 4A, 4B ... Board, 26A, 26B ... power supply, 5 ... control unit

Claims (18)

成膜対象物およびターゲットが配置されるチャンバと、
前記チャンバ内の、前記ターゲットを介して前記成膜対象物と対向する位置に配置される磁場発生手段と、
を備えた成膜装置であって、
配置される前記ターゲットの長手方向に並んで配置された複数の導電部材と、
前記複数の導電部材のうちの少なくとも２つの導電部材の電位が異なるように、前記複数の導電部材の少なくとも１つに電位を印加する電位印加手段と、
を有することを特徴とする成膜装置。 A chamber in which a film formation target and a target are arranged;
In the chamber, a magnetic field generating means disposed at a position facing the film-forming target via the target,
A film forming apparatus comprising:
A plurality of conductive members arranged side by side in the longitudinal direction of the target to be arranged,
Potential applying means for applying a potential to at least one of the plurality of conductive members so that at least two of the plurality of conductive members have different potentials;
A film forming apparatus comprising: 前記複数の導電部材は、配置される前記ターゲットの長手方向に並んで配置された少なくとも３つの導電部材を含むことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 1, wherein the plurality of conductive members include at least three conductive members arranged in a longitudinal direction of the target to be arranged. 前記電位印加手段は、前記複数の導電部材のうち、前記ターゲットの中央部に対応する前記導電部材の電位が、前記ターゲットの両端に対応する前記導電部材の電位よりも高くなるように、電位を印加することを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。   The potential applying unit is configured to set a potential of the plurality of conductive members such that a potential of the conductive member corresponding to a central portion of the target is higher than a potential of the conductive members corresponding to both ends of the target. The film forming apparatus according to claim 2, wherein the voltage is applied. 成膜対象物およびターゲットが配置されるチャンバと、
前記チャンバ内の、前記ターゲットを介して前記成膜対象物と対向する位置に配置される磁場発生手段と、
を備えた成膜装置であって、
配置される前記ターゲットの表面の長手方向における一部の領域において前記ターゲットと対向する導電部材と、
前記導電部材に電位を印加する電位印加手段と、
を有することを特徴とする成膜装置。 A chamber in which a film formation target and a target are arranged;
In the chamber, a magnetic field generating means disposed at a position facing the film-forming target via the target,
A film forming apparatus comprising:
A conductive member facing the target in a partial region in the longitudinal direction of the surface of the target to be arranged,
Potential applying means for applying a potential to the conductive member,
A film forming apparatus comprising: 前記一部の領域は、前記ターゲットの表面の長手方向の両端部から外れた部分であることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。   5. The film forming apparatus according to claim 4, wherein the partial area is a part deviated from both ends in the longitudinal direction of the surface of the target. 前記一部の領域は、前記ターゲットの表面の長手方向の中央部であることを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 5, wherein the partial region is a central portion in a longitudinal direction of a surface of the target. 前記一部の領域は、前記ターゲットの表面の長手方向の両端部の少なくとも一方であることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 4, wherein the partial region is at least one of both ends in the longitudinal direction of the surface of the target. 前記ターゲットの表面形状を計測する表面形状計測手段と、
前記表面形状計測手段によって計測された前記ターゲットの表面形状に応じて、前記電位印加手段によって印加する電位を制御する制御部と、を有することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の成膜装置。 Surface shape measuring means for measuring the surface shape of the target,
8. The control device according to claim 1, further comprising: a control unit configured to control a potential applied by the potential applying unit in accordance with a surface shape of the target measured by the surface shape measuring unit. 9. 3. The film forming apparatus according to item 1. 前記表面形状計測手段は、前記ターゲットの前記基板と対向していない部分の表面形状を計測することを特徴とする請求項８に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 8, wherein the surface shape measuring unit measures a surface shape of a portion of the target not facing the substrate. 前記成膜対象物に成膜される膜の膜厚分布を測定する膜厚分布測定手段と、
前記膜厚分布測定手段によって測定された前記膜の膜厚分布に応じて、前記電位印加手段によって印加する電位を制御する制御部と、
を有することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の成膜装置。 A film thickness distribution measuring means for measuring a film thickness distribution of a film formed on the film formation target,
A control unit that controls a potential applied by the potential applying unit according to a film thickness distribution of the film measured by the film thickness distribution measuring unit;
The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 7, further comprising: 前記複数の導電部材は、防着部材を構成することを特徴とする請求項１から１０のいず
れか一項に記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein the plurality of conductive members form a deposition prevention member. 前記ターゲットは円筒形であり、前記ターゲットを回転させる回転手段をさらに有することを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 1, wherein the target has a cylindrical shape, and further includes a rotation unit configured to rotate the target. 前記磁場発生手段を有し、前記ターゲットが、前記磁性部材がその内部にそれぞれ配置されるカソードユニットを、前記チャンバ内に複数有することを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の成膜装置。   13. The target according to claim 1, further comprising the magnetic field generating unit, wherein the target includes a plurality of cathode units in the chamber in which the magnetic members are respectively disposed. 13. Film forming equipment. 成膜対象物をチャンバ内に配置し、前記成膜対象物と対向して配置されたターゲットから飛翔するスパッタ粒子を堆積させて成膜するスパッタ成膜工程を含む電子デバイスの製造方法であって、
前記スパッタ成膜工程は、前記ターゲットの長手方向に垂直な断面における前記ターゲットの周囲の空間電位分布を前記ターゲットの中央部と端部とで異ならせた状態で成膜する工程である
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 A method for manufacturing an electronic device, comprising: placing a film formation target in a chamber; and depositing sputter particles flying from a target disposed opposite to the film formation target to form a film. ,
The sputtering film forming step is a step of forming a film in a state in which a space potential distribution around the target in a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the target is different between a central portion and an end portion of the target. Method of manufacturing an electronic device. 前記スパッタ成膜工程は、前記ターゲットの周囲に配置された導電部材に電位を印加することによって、前記ターゲットの長手方向に垂直な断面における前記ターゲットの周囲の空間電位分布を前記ターゲットの中央部と端部とで異ならせた状態で成膜する工程である
ことを特徴とする請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法。 In the sputtering film forming step, by applying a potential to a conductive member disposed around the target, a spatial potential distribution around the target in a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the target is a central portion of the target. The method for manufacturing an electronic device according to claim 14, wherein the step is a step of forming a film in a state of being different from an end. 前記導電部材は、前記ターゲットの長手方向に沿って複数配置されており、
前記スパッタ成膜工程において前記複数の導電部材の少なくとも２つの導電部材の電位が異なるように、前記複数の導電部材の少なくとも１つに電位が印加される
ことを特徴とする請求項１５に記載の電子デバイスの製造方法。 A plurality of the conductive members are arranged along a longitudinal direction of the target,
The method according to claim 15, wherein in the sputtering film forming step, a potential is applied to at least one of the plurality of conductive members so that potentials of at least two conductive members of the plurality of conductive members are different. Manufacturing method of electronic device. 前記導電部材は、前記ターゲットの長手方向の中央部に配置されている
ことを特徴とする請求項１５に記載の電子デバイスの製造方法。 The method according to claim 15, wherein the conductive member is disposed at a central portion in a longitudinal direction of the target. 前記導電部材は、前記ターゲットの長手方向の両端部にそれぞれ配置されている
ことを特徴とする請求項１６に記載の電子デバイスの製造方法。 17. The method according to claim 16, wherein the conductive members are disposed at both ends in the longitudinal direction of the target.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220014834A (en) * 2020-07-29 2022-02-07 캐논 톡키 가부시키가이샤 Film forming apparatus and manufacturing method of electronic device
KR102404459B1 (en) * 2021-03-10 2022-06-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Plating apparatus and plating method

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06505768A (en) * 1990-11-21 1994-06-30 バイラテック・シン・フィルムズ・インコーポレイテッド Anode structure for magnetron sputtering equipment
JPH0853764A (en) * 1994-03-23 1996-02-27 Boc Group Inc:The Use of multiple anode to improve uniformity of plasma in magnetron
JPH10152772A (en) * 1996-11-22 1998-06-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sputtering method and apparatus therefor
JP2002512311A (en) * 1998-04-16 2002-04-23 シンバコ・ナムローゼ・フエンノートシャップ Control method of target corrosion and sputtering in magnetron
JP2012201910A (en) * 2011-03-24 2012-10-22 Ulvac Japan Ltd Magnetron sputtering electrode and sputtering apparatus
JP2014066619A (en) * 2012-09-26 2014-04-17 Hitachi High-Technologies Corp Deposition device and deposition method
JP2016011445A (en) * 2014-06-30 2016-01-21 株式会社アルバック Sputtering method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0627323B2 (en) * 1983-12-26 1994-04-13 株式会社日立製作所 Sputtering method and apparatus
JP3076367B2 (en) * 1990-11-29 2000-08-14 キヤノン株式会社 Plasma processing equipment
WO2006070633A1 (en) * 2004-12-28 2006-07-06 Ulvac, Inc. Sputtering source, sputtering system, method for forming thin film
JP2006253275A (en) * 2005-03-09 2006-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sputtering apparatus
JP5059429B2 (en) * 2007-01-26 2012-10-24 株式会社大阪真空機器製作所 Sputtering method and sputtering apparatus
KR20120014589A (en) * 2009-09-01 2012-02-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Sputtering device
JP2013237913A (en) 2012-05-16 2013-11-28 Ulvac Japan Ltd Sputtering apparatus and sputtering method
JP6411975B2 (en) * 2014-09-30 2018-10-24 芝浦メカトロニクス株式会社 Film forming apparatus and film forming substrate manufacturing method
JP6875798B2 (en) * 2016-06-24 2021-05-26 株式会社トヨタプロダクションエンジニアリング Wear prediction device, wear prediction method, wear prediction program

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06505768A (en) * 1990-11-21 1994-06-30 バイラテック・シン・フィルムズ・インコーポレイテッド Anode structure for magnetron sputtering equipment
JPH0853764A (en) * 1994-03-23 1996-02-27 Boc Group Inc:The Use of multiple anode to improve uniformity of plasma in magnetron
JPH10152772A (en) * 1996-11-22 1998-06-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sputtering method and apparatus therefor
JP2002512311A (en) * 1998-04-16 2002-04-23 シンバコ・ナムローゼ・フエンノートシャップ Control method of target corrosion and sputtering in magnetron
JP2012201910A (en) * 2011-03-24 2012-10-22 Ulvac Japan Ltd Magnetron sputtering electrode and sputtering apparatus
JP2014066619A (en) * 2012-09-26 2014-04-17 Hitachi High-Technologies Corp Deposition device and deposition method
JP2016011445A (en) * 2014-06-30 2016-01-21 株式会社アルバック Sputtering method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220014834A (en) * 2020-07-29 2022-02-07 캐논 톡키 가부시키가이샤 Film forming apparatus and manufacturing method of electronic device
JP2022025292A (en) * 2020-07-29 2022-02-10 キヤノントッキ株式会社 Film deposition apparatus and method for manufacturing electronic device
JP7140801B2 (en) 2020-07-29 2022-09-21 キヤノントッキ株式会社 Film forming apparatus and electronic device manufacturing method
KR102620486B1 (en) * 2020-07-29 2024-01-02 캐논 톡키 가부시키가이샤 Film forming apparatus and manufacturing method of electronic device
KR102404459B1 (en) * 2021-03-10 2022-06-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Plating apparatus and plating method

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