KR102620486B1 - Film forming apparatus and manufacturing method of electronic device - Google Patents

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캐논 톡키 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 성막원의 동작 상황의 파악을 용이하게 할 수 있는 기술을 제공한다.
[해결 수단] 스퍼터링에 의해 기판에 성막하는 성막 장치로서, 기판이 수용되는 챔버와, 챔버 내에서 기판과 대향하는 위치에 배치되는, 성막 재료를 포함하는 타겟, 및 타겟의 주위에 자장을 발생시키는 자장 발생 수단을 포함하는 성막원과, 타겟과 자장 발생 수단의 상대 위치를 변위시키는 구동 수단과, 상대 위치의 정보를 표시하는 표시부를 구비하는 것을 특징으로 한다.[Task] Provide technology that can facilitate the understanding of the operating situation of the Tabernacle.
[Solution] A film forming apparatus for forming a film on a substrate by sputtering, comprising: a chamber in which a substrate is accommodated; a target containing a film forming material disposed at a position opposite to the substrate within the chamber; and generating a magnetic field around the target. It is characterized by comprising a deposition source including a magnetic field generating means, a driving means for displacing the relative positions of the target and the magnetic field generating means, and a display unit displaying information on the relative positions.

Description

성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법{FILM FORMING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE}Film forming apparatus and manufacturing method of electronic device {FILM FORMING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE}

본 발명은 스퍼터링에 의해 기판에 박막을 형성하는 성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a film forming apparatus for forming a thin film on a substrate by sputtering and a manufacturing method of an electronic device.

스퍼터링에 의해 기판에 박막을 형성하는 성막 장치(스퍼터링 장치 또는 스퍼터 장치라고도 칭해짐)에 있어서, 특히, 성막원으로서 로터리 캐소드를 사용하는 경우에는, 그 동작 상태를 눈으로 보아서 확인하는 것이 용이하지 않다. 로터리 캐소드의 일부가 되는 원통 형상 타겟은, 그 표면이 매끄러운 형상으로 되어 있어, 그 회전 방향이나, 애초에 회전하고 있는지 아닌지의 판별을 하기 어렵다. 성막 장치의 챔버에는 내부를 들여다보기 위한 창이 설치되어 있지만, 챔버 내부는 어둡기 때문에, 시인하여 확인하는 것을 더욱 곤란하게 하고 있다.In a film deposition device that forms a thin film on a substrate by sputtering (also referred to as a sputtering device or sputtering device), especially when a rotary cathode is used as a film deposition source, it is not easy to visually confirm the operating state. . The cylindrical target that is part of the rotary cathode has a smooth surface, and it is difficult to determine the direction of rotation or whether it is rotating in the first place. The chamber of the film forming apparatus is provided with a window for viewing the inside, but the inside of the chamber is dark, making it more difficult to visually check the chamber.

또한, 타겟 표면에 부착된 파티클의 영향에 의해 아킹(arcing)(이상 방전)을 생기게 하는 경우가 있다. 아킹의 원인이 된 파티클은 타겟 표면으로부터 제거할 필요가 있지만, 타겟 표면의 어느 부위에 파티클이 부착되어 있는지(어느 부위에 아킹이 발생했는지)를 파악하는 것은, 전술한 바와 같이, 용이하지 않다. 아킹이 발생한 것 자체는, 플라즈마 방전 상태를 모니터링함으로써 검지할 수는 있지만(특허문헌 1), 그 발생 장소는, 작업원이 눈으로 보아서 찾아내는 수밖에 없어, 유지보수 작업의 부하나 시간이 증대되는 경우가 있다.Additionally, arcing (abnormal discharge) may occur due to the influence of particles attached to the target surface. Particles that caused arcing need to be removed from the target surface, but as described above, it is not easy to determine where the particles are attached to the target surface (where arcing occurred). The occurrence of arcing itself can be detected by monitoring the plasma discharge state (Patent Document 1), but the location of arcing has no choice but to be visually located by workers, which increases the load and time of maintenance work. There is.

특허문헌 1: 일본특허공개 제2006-083404호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2006-083404

본 발명은 성막원의 동작 상황의 파악을 용이하게 할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.The purpose of the present invention is to provide technology that can facilitate understanding of the operating status of the tabernacle.

상기 목적을 위해, 본 발명의 성막 장치는,For the above purpose, the film forming apparatus of the present invention,

스퍼터링에 의해 기판에 성막하는 성막 장치로서,A film forming device for forming a film on a substrate by sputtering,

상기 기판이 수용되는 챔버와,a chamber in which the substrate is accommodated,

상기 챔버 내에서 상기 기판과 대향하는 위치에 배치되는, 성막 재료를 포함하는 타겟, 및 상기 타겟의 주위에 자장을 발생시키는 자장 발생 수단을 포함하는 성막원과,a deposition source disposed at a position opposite to the substrate in the chamber, including a target containing a deposition material, and magnetic field generating means for generating a magnetic field around the target;

상기 타겟과 상기 자장 발생 수단의 상대 위치를 변위시키는 구동 수단과,Drive means for displacing the relative positions of the target and the magnetic field generating means;

상기 상대 위치의 정보를 표시하는 표시부를 구비하는 것을 특징으로 한다.It is characterized by having a display unit that displays information on the relative position.

본 발명에 의하면, 성막원의 동작 상황의 파악을 용이하게 할 수 있다.According to the present invention, it is possible to easily grasp the operating status of the tabernacle.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 성막 장치의 모식적 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 있어서의 타겟 구동 장치의 구성을 나타내는 모식적 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 성막 장치의 제어 구성을 나타내는 블록도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 있어서의 조작 화면의 일례를 나타내는 모식도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a target driving device in an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a block diagram showing the control configuration of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a schematic diagram showing an example of an operation screen in an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시형태 및 실시예를 설명한다. 다만, 이하의 실시형태 및 실시예는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것에 지나지 않고, 본 발명의 범위는 이들의 구성에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에서의, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 플로우, 제조 조건, 치수, 재질, 형상 등은, 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이들로만 한정하는 취지의 것이 아니다.Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples merely exemplify preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these configurations. In addition, in the following description, the hardware configuration and software configuration of the device, processing flow, manufacturing conditions, dimensions, materials, shapes, etc. are not intended to limit the scope of the present invention to these only, unless specifically stated. .

(실시예 1)(Example 1)

<성막 장치><Tabernacle equipment>

도 1∼도 4를 참조하여, 본 발명의 실시예 1에 따른 성막 장치에 대해 설명한다. 본 실시예에 따른 성막 장치는, 원통 형상의 타겟 내측에 자석 유닛을 배치한, 마그네트론 방식의 스퍼터링 장치이다. 본 실시예에 따른 성막 장치는, 반도체 디바이스, 자기 디바이스, 전자 부품 등의 각종 전자 디바이스나, 광학 부품 등의 제조에 있어서 기판(기판 상에 적층체가 형성되어 있는 것도 포함함) 상에 박막을 퇴적 형성하기 위해 사용된다. 보다 구체적으로는, 본 실시예에 따른 성막 장치는, 발광 소자나 광전 변환 소자, 터치 패널 등의 전자 디바이스의 제조에 있어서 바람직하게 사용된다. 그 중에서도, 본 실시예에 따른 성막 장치는, 유기 EL(ErectroLuminescence) 소자 등의 유기 발광 소자나, 유기 박막 태양 전지 등의 유기 광전 변환 소자의 제조에 있어서 특히 바람직하게 적용 가능하다. 한편, 본 발명에 있어서의 전자 디바이스는, 발광 소자를 구비한 표시 장치(예를 들면, 유기 EL 표시 장치)나 조명 장치(예를 들면, 유기 EL 조명 장치), 광전 변환 소자를 구비한 센서(예를 들면, 유기 CMOS 이미지 센서)도 포함하는 것이다. 본 실시예에 따른 성막 장치는, 증착 장치 등을 포함하는 성막 시스템의 일부로서 사용할 수 있다.With reference to FIGS. 1 to 4, a film forming apparatus according to Embodiment 1 of the present invention will be described. The film deposition device according to this embodiment is a magnetron-type sputtering device in which a magnet unit is placed inside a cylindrical target. The film deposition apparatus according to this embodiment deposits a thin film on a substrate (including a laminate formed on a substrate) in the manufacture of various electronic devices such as semiconductor devices, magnetic devices, electronic components, optical components, etc. used to form More specifically, the film forming apparatus according to this embodiment is preferably used in the manufacture of electronic devices such as light-emitting elements, photoelectric conversion elements, and touch panels. Among these, the film forming device according to this embodiment is particularly preferably applicable to the manufacture of organic light-emitting devices such as organic EL (ErectroLuminescence) devices and organic photoelectric conversion devices such as organic thin-film solar cells. On the other hand, the electronic device in the present invention includes a display device (for example, an organic EL display device) equipped with a light-emitting element, a lighting device (for example, an organic EL lighting device), and a sensor (for example, a sensor equipped with a photoelectric conversion element). For example, organic CMOS image sensors) are also included. The film forming device according to this embodiment can be used as part of a film forming system including a vapor deposition device and the like.

본 실시예에 따른 성막 장치는, 예를 들면, 유기 EL 소자의 제조에 사용된다. 유기 EL 소자의 경우, 기판에 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 음극의 순서로 성막되는 구성이 일반적이다. 본 실시예에 따른 성막 장치는, 유기막 상에, 스퍼터링에 의해, 전자 주입층이나, 전극(음극)에 사용되는 금속이나 금속 산화물 등의 적층 피막을 성막할 때에 바람직하게 사용된다. 또한, 유기막 상으로의 성막에 한정되지 않고, 금속 재료나 산화물 재료 등의 스퍼터에서 성막 가능한 재료의 조합이라면, 다양한 면에 적층 성막이 가능하다.The film forming apparatus according to this embodiment is used, for example, for manufacturing organic EL elements. In the case of organic EL devices, a configuration in which an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light-emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode are generally deposited on a substrate in that order is common. The film forming apparatus according to this embodiment is preferably used when forming a laminated film of a metal or metal oxide, such as an electron injection layer or an electrode (cathode), on an organic film by sputtering. In addition, it is not limited to film formation on an organic film, and laminated film formation is possible on various surfaces as long as it is a combination of materials that can be filmed by sputtering, such as metal materials and oxide materials.

도 1은 본 실시예에 따른 성막 장치의 전체 구성을 나타내는 모식적 측단면도이다. 도 2는 본 실시예에 있어서의 타겟 구동 장치의 구성을 나타내는 모식적 단면도이며, 도 1에 나타낸 성막 장치(1)의 중앙을 세로로 절단한 단면에 대략 상당하는 모식적 단면도이다. 도 3은 발명의 실시예에 따른 성막 장치의 제어 구성을 나타내는 블록도이다. 도 4는 본 발명의 실시예에 있어서의 조작 화면의 일례를 나타내는 모식도이다.1 is a schematic side cross-sectional view showing the overall configuration of a film forming apparatus according to this embodiment. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the target drive device in this embodiment, and is a schematic cross-sectional view roughly corresponding to a cross-section cut vertically through the center of the film forming device 1 shown in FIG. 1. Figure 3 is a block diagram showing the control configuration of a film forming apparatus according to an embodiment of the invention. Figure 4 is a schematic diagram showing an example of an operation screen in an embodiment of the present invention.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 따른 성막 장치(스퍼터 장치)(1)는, 챔버로서의 스퍼터실(성막실)(2)과, 스퍼터실(2) 내에 배치된 성막원으로서의 캐소드 유닛(3)을 구비한다. 성막 처리 대상물인 기판(10)은, 도시하지 않은 도어 밸브를 통해 스퍼터실(2)로 반입·반출된다. 스퍼터실(2)에는, 크라이오 펌프나 TMP(터보 몰레큘러 펌프) 등으로 이루어지는 배기 장치(23)와, 실내에 스퍼터링 가스를 공급하는 가스 공급원(24)이 각각 접속되어 있다.As shown in FIG. 1, the film formation device (sputter device) 1 according to the present embodiment includes a sputter chamber (film formation chamber) 2 as a chamber, and a cathode unit as a film formation source disposed in the sputter chamber 2 ( 3) is provided. The substrate 10, which is the object of film formation processing, is brought in and out of the sputter room 2 through a door valve (not shown). The sputter chamber 2 is connected to an exhaust device 23 made of a cryopump, a TMP (turbo molecular pump), or the like, and a gas supply source 24 that supplies sputtering gas to the room.

도 2에 나타내는 바와 같이, 기판(10)은, 스퍼터실(2) 내를, 기판 홀더(20)에 실려서(보유지지되어), 캐소드 유닛(3)에 대해 소정의 대향 거리로 연장하는 반송 가이드(22)를 따라, 일정한 속도로 반송된다. 기판 홀더(20)에는, 기판(10)의 피성막면(피처리면)(11)을 개방하는 개구부(21)가 설치되어 있고, 해당 개구부(21)를 통해, 피성막면(11)에 성막 처리가 실시된다.As shown in FIG. 2, the substrate 10 is carried (held) in the sputter chamber 2 by a substrate holder 20, and is provided by a transport guide extending at a predetermined opposing distance with respect to the cathode unit 3. According to (22), it is conveyed at a constant speed. The substrate holder 20 is provided with an opening 21 that opens the film-forming surface (processing surface) 11 of the substrate 10, and a film is formed on the film-forming surface 11 through the opening 21. Processing is carried out.

<스퍼터링 챔버 및 캐소드 유닛><Sputtering chamber and cathode unit>

도 1, 도 2에 나타내는 바와 같이, 스퍼터실(2)은, 상방에 기판(10)의 반송 경로가 설치되고, 그 하방에 캐소드 유닛(3)이 배치되어 있다. 스퍼터실(2)은, 배기 장치(23)에 의해, 보다 구체적으로는 배기 장치(23)에 접속된 밸브의 열림 정도에 의해, 진공 분위기로서, 스퍼터링 프로세스에 바람직한 압력(예를 들면, 2×10Pa∼2×10-5Pa)으로 조정된다. 한편, 본 명세서에서 「진공」이란, 대기압보다 낮은 압력의 기체로 채워진 상태를 말한다. 또한, 스퍼터실(2)의 내부에는, 가스 공급원(24)으로부터, 스퍼터링 가스가 유량 제어되어 공급된다. 이에 의해, 스퍼터실(2)의 내부에 스퍼터링 분위기가 형성된다. 스퍼터링 가스로서는, 예를 들면 Ar, Kr, Xe 등의 희가스나 성막용의 반응성 가스가 사용된다.As shown in FIGS. 1 and 2, the sputter chamber 2 has a transport path for the substrate 10 installed above, and a cathode unit 3 is disposed below it. The sputter chamber 2 is a vacuum atmosphere, controlled by the exhaust device 23, and more specifically, by the degree of opening of the valve connected to the exhaust device 23, and is maintained at a pressure (e.g., 2 It is adjusted to 10Pa∼2×10 -5 Pa). Meanwhile, in this specification, “vacuum” refers to a state filled with gas at a pressure lower than atmospheric pressure. Additionally, sputtering gas is supplied to the inside of the sputter chamber 2 from the gas supply source 24 at a controlled flow rate. As a result, a sputtering atmosphere is formed inside the sputter chamber 2. As the sputtering gas, for example, rare gases such as Ar, Kr, and Xe or reactive gases for film formation are used.

캐소드 유닛(3)은, 타겟(30)과, 자석 유닛(31)과, 타겟(30)을 지지하는 캐소드 전극으로서의 케이스(지지 부재)(32)를 구비한다. 타겟(30)은, 원통 형상으로 형성된 성막 재료이며, 기판(10)의 반송 경로로부터 소정의 거리를 둔 위치에서, 기판(10)의 피성막면(11)에 평행하고 중심 축선(또는 모선)이 기판(10)의 반송 방향과 직교하는 방향이 되도록 배치된다. 타겟(30)의 내주면은, 캐소드 전극으로서의 케이스(32)의 외면에 밀착하고 있다. 자석 유닛(31)은, 타겟(30)(캐소드 전극으로서의 케이스(32))의 내측의 중공부에 배치된다. 케이스(32)에는 전원(25)이 접속되어 있고, 스퍼터실(2)은 접지되어 있다. 전원(25)에 의한 전압 인가에 있어서, 케이스(32)가 음극(캐소드)으로 되고, 스퍼터실(2)의 벽부가 양극(애노드)으로 된다.The cathode unit 3 includes a target 30, a magnet unit 31, and a case (support member) 32 serving as a cathode electrode that supports the target 30. The target 30 is a film-forming material formed in a cylindrical shape, and is parallel to the film-forming surface 11 of the substrate 10 at a position at a predetermined distance from the transport path of the substrate 10, and is located along the central axis (or bus line). It is arranged so as to be in a direction perpendicular to the transport direction of the substrate 10. The inner peripheral surface of the target 30 is in close contact with the outer surface of the case 32 as the cathode electrode. The magnet unit 31 is disposed in a hollow portion inside the target 30 (case 32 as a cathode electrode). A power source 25 is connected to the case 32, and the sputter chamber 2 is grounded. When voltage is applied by the power source 25, the case 32 becomes the negative electrode (cathode), and the wall of the sputter chamber 2 becomes the positive electrode (anode).

타겟(30)의 재료로서는, 예를 들어, Cu, Al, Ti, Mo, Cr, Ag, Au, Ni 등의 금속 타겟과 그 합금재를 들 수 있다. 그 외, Si, Ti, Cr, Al, Ta 등의 금속 타겟에 반응성 가스(O2, N2, H2O 등)를 첨가한 것이나, SiO2, Ta2O5, Al2O3 등의 절연 재료도 들 수 있다. 타겟(30)은, 이들 성막 재료가 형성된 층의 내측에, 백킹 튜브와 같은 다른 재료로 이루어지는 층이 형성되어 있어도 된다. 또한, 타겟(30)은 원통형의 타겟이지만, 여기서 말하는 「원통형」은 수학적으로 엄밀한 원통형만을 의미하는 것이 아니라, 모선이 직선이 아니라 곡선인 것이나, 중심축과 수직인 단면이 수학적으로 엄밀한 「원」이 아닌 것도 포함한다. 즉, 본 발명에 있어서의 타겟(30)은, 중심축을 축으로 회전 가능한 원통형상의 것이면 된다.Examples of the material of the target 30 include metal targets such as Cu, Al, Ti, Mo, Cr, Ag, Au, and Ni, and alloy materials thereof. In addition, reactive gases (O 2 , N 2 , H 2 O, etc.) are added to metal targets such as Si, Ti, Cr, Al, Ta, SiO 2 , Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 Insulating materials such as these can also be mentioned. The target 30 may have a layer made of another material such as a backing tube formed inside the layer in which these film forming materials are formed. In addition, the target 30 is a cylindrical target, but the term “cylindrical” here does not mean only a mathematically strict cylindrical shape. The generatrix is not a straight line but a curve, and the cross section perpendicular to the central axis is a mathematically strict “circle.” It also includes things that are not. That is, the target 30 in the present invention may be cylindrical and rotatable about the central axis.

자석 유닛(31)은, 요크(310)와, 제1 자석으로서의 중심 자석(311)과, 제2 자석으로서의 외주 자석(312)을 구비한다. 요크(310)는, 기판(10)의 반송 방향과 직교하는 방향을 길이 방향으로 하는 세로로 긴 형상의 자성 부재이다. 요크(310) 상면의 중앙부에 상기 길이 방향을 따라 연장하는 중심 자석(311)이 설치되어 있다. 또한, 요크(310) 상면에 있어서 중심 자석(311)의 외주를 둘러싸도록 환상으로 형성된 외주 자석(312)이 설치되어 있다. 중심 자석(311)과 외주 자석(312)은, 타겟(30)의 내주면과 대향하는 단부에, 서로 역극성이 되는 극을 가지고 있다. 본 실시예에서는, 중심 자석(311)이 제1 극으로서의 S 극을 갖고, 외주 자석(312)이 제2 극으로서의 N극을 가지는 구성으로 하고 있다. 자석 유닛(31)은, 타겟(30)의 내부에 배치됨으로써, 타겟(30)의 길이 방향으로 연장한 토로이달형의 누설 자장을 형성한다.The magnet unit 31 includes a yoke 310, a central magnet 311 as a first magnet, and an outer magnet 312 as a second magnet. The yoke 310 is a vertically elongated magnetic member whose longitudinal direction is perpendicular to the transport direction of the substrate 10. A central magnet 311 extending along the longitudinal direction is installed at the center of the upper surface of the yoke 310. Additionally, an annular outer magnet 312 is installed on the upper surface of the yoke 310 to surround the outer circumference of the central magnet 311. The center magnet 311 and the outer magnet 312 have poles with opposite polarities to each other at the ends opposite to the inner peripheral surface of the target 30. In this embodiment, the central magnet 311 has an S pole as the first pole, and the outer magnet 312 has an N pole as the second pole. The magnet unit 31 is disposed inside the target 30 to form a toroidal leakage magnetic field extending in the longitudinal direction of the target 30 .

<스퍼터링><Sputtering>

전술한 스퍼터링 분위기의 형성과, 전원(25)으로부터 캐소드 전극인 케이스(32)에의 전압 인가 및 자장 발생 수단인 자석 유닛(31)에 의한 타겟(30) 표면에서의 소정의 자장 형성에 의해, 타겟(30) 외주면 근방에 플라즈마 영역(P)이 생성된다. 플라즈마 영역(P)에 의해 생성되는 스퍼터링 가스 이온과 타겟(30)의 충돌에 의해, 타겟 입자(타겟의 구성 원자)가 타겟(30)의 외주면으로부터 방출된다. 타겟(30)으로부터 방출된 타겟 입자가 기판(10)을 향해 비상, 퇴적함으로써 기판(10)의 피성막면(11)에 타겟 입자에 의한 박막이 성막된다.By forming the above-mentioned sputtering atmosphere, applying voltage from the power source 25 to the case 32, which is the cathode electrode, and forming a predetermined magnetic field on the surface of the target 30 by the magnet unit 31, which is a magnetic field generating means, the target (30) A plasma region (P) is created near the outer circumferential surface. By collision between the sputtering gas ions generated in the plasma region P and the target 30, target particles (atoms constituting the target) are emitted from the outer peripheral surface of the target 30. Target particles emitted from the target 30 fly toward the substrate 10 and deposit, thereby forming a thin film of the target particles on the deposition surface 11 of the substrate 10.

도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 타겟(30) 및 자석 유닛(31)은, 엔드 블록(33)과 서포트 블록(34)에 의해 원통 타겟(30)의 중심 축선 방향에 있어서의 각각의 양단부가 지지되고 있다. 스퍼터실(2)에 대해, 타겟(30)과 자석 유닛(31)은, 각각의 중심 축선 주위로 각각 회전 가능하게 지지되고 있다. 성막 장치(1)는, 성막시에 있어서는, 자석 유닛(31)을 정지시킨 채 타겟(30)만을 회전시킨다.As shown in FIG. 2(a), the target 30 and the magnet unit 31 are each positioned in the central axis direction of the cylindrical target 30 by the end block 33 and the support block 34. Both ends are supported. With respect to the sputter chamber 2, the target 30 and the magnet unit 31 are each rotatably supported around their respective central axes. When forming a film, the film forming apparatus 1 rotates only the target 30 while stopping the magnet unit 31.

도 2의 (b)는, 타겟(30)을 회전시키는 구동 기구의 구성을 나타내는 모식적 단면도이다. 또한, 도 2의 (b)에 있어서 자석 유닛(31)의 구성은 도시를 생략하고 있다. 도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 성막 장치(1)는, 타겟(30)을 회전시키는 구동력을 얻기 위한 동력원으로서 모터(70)를 구비한다. 또한, 캐소드 전극으로서의 케이스(32)는, 중심 축선 방향의 양단에 각각 축부(321, 322)를 구비한다. 일방의 축부(321)는, 베어링(72)을 통해 서포트 블록(34)의 축 구멍에 회전 가능하게 지지되고 있다. 타방의 축부(322)는, 베어링(72)을 통해 엔드 블록(33)의 축 구멍에 회전 가능하게 지지되고 있음과 함께, 벨트(71)를 통해 모터(70)에 연결되어 있다. 모터(70)의 회전 구동력이 벨트(71)를 통해 타방의 축부(322)에 전달됨으로써, 캐소드 전극인 케이스(32)가 엔드 블록(33)과 서포트 블록(34)에 대해 회전한다. 이에 의해, 케이스(32)의 외주에 설치된 원통 타겟(30)이 그 중심 축선 주위로 회전한다.FIG. 2(b) is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a drive mechanism that rotates the target 30. In addition, in Figure 2(b), the configuration of the magnet unit 31 is not shown. As shown in FIG. 2 (b), the film forming apparatus 1 is provided with a motor 70 as a power source for obtaining a driving force to rotate the target 30. Additionally, the case 32 as the cathode electrode is provided with axial portions 321 and 322 at both ends in the central axis direction, respectively. One shaft portion 321 is rotatably supported in the shaft hole of the support block 34 via a bearing 72. The other shaft portion 322 is rotatably supported in the shaft hole of the end block 33 through a bearing 72 and is connected to the motor 70 through a belt 71. As the rotational driving force of the motor 70 is transmitted to the other shaft portion 322 through the belt 71, the case 32, which is the cathode electrode, rotates with respect to the end block 33 and the support block 34. As a result, the cylindrical target 30 installed on the outer periphery of the case 32 rotates around its central axis.

한편, 자석 유닛(31)은 길이 방향의 양단부에 각각 축부(131, 132)를 구비하고 있다. 일방의 축부(131)는, 캐소드 전극인 케이스(32)의 일방 단부에 대해 베어링(72)을 통해 회전 가능하게 지지되고 있다. 타방의 축부(132)는, 캐소드 전극인 케이스(32)의 타방 축부(322)의 축 구멍 내주면에 대해 베어링(72)을 통해 회전 가능하게 구성됨과 함께, 도시하지 않은 모터에 연결되어 있다. 해당 모터의 회전 구동력이 타방의 축부(132)에 전달됨으로써, 자석 유닛(31)이 엔드 블록(33)과 서포트 블록(34)에 대해 회전한다. 자석 유닛(31)은, 기판(10)에 대한 배향 방향이, 성막 개시 전에 소정의 각도로 조정되고, 성막 중에는, 방향을 고정한 채(정지한 채)로 된다. 즉, 성막 중에 있어서, 자석 유닛(31)은, 엔드 블록(33)과 서포트 블록(34)에 대해 정지한 채로 됨으로써, 모터(70)의 구동에 의해 회전하는 케이스(32)와 자석 유닛(31)이 상대적으로 회전하여, 스퍼터실(2)에 대해 정지 상태를 유지한다. 한편, 여기에서 나타낸 구동 기구는 일례이며, 종래 주지된 다른 구동 기구를 채용해도 된다.Meanwhile, the magnet unit 31 is provided with shaft portions 131 and 132 at both ends in the longitudinal direction, respectively. One shaft portion 131 is rotatably supported with respect to one end of the case 32, which is the cathode electrode, via a bearing 72. The other shaft portion 132 is configured to be rotatable via a bearing 72 with respect to the inner peripheral surface of the shaft hole of the other shaft portion 322 of the case 32, which is the cathode electrode, and is connected to a motor (not shown). As the rotational driving force of the motor is transmitted to the other shaft portion 132, the magnet unit 31 rotates with respect to the end block 33 and the support block 34. The orientation direction of the magnet unit 31 with respect to the substrate 10 is adjusted to a predetermined angle before the start of film formation, and the direction is kept fixed (stopped) during film formation. That is, during film formation, the magnet unit 31 remains stationary with respect to the end block 33 and the support block 34, so that the case 32 and the magnet unit 31 rotate by driving the motor 70. ) rotates relative to the sputter chamber 2 and remains stationary. Meanwhile, the drive mechanism shown here is an example, and other conventionally known drive mechanisms may be employed.

타겟(30)은, 전술한 바와 같이, 성막 중에 있어서, 자석 유닛(31)에 대해 상대 회전하도록 구성되어 있다. 타겟(30) 표면에 있어서 스퍼터링에 의해 파이는 위치(이로전(erosion)에 의한 침식 영역)는 둘레 방향에 있어서 국소적으로 형성되기 때문에, 타겟(30)을 회전시켜 타겟 표면의 깎여 나가는 상태를 둘레 방향으로 균일화하여, 낭비가 적은 타겟 재료의 소비를 가능하게 할 수 있다. 본 실시예에서는, 타겟(30)은 10∼30rpm(rotations per minute)으로 등속 회전하도록 제어된다.As described above, the target 30 is configured to rotate relative to the magnet unit 31 during film formation. Since the position of the surface of the target 30 that is carved out by sputtering (erosion area due to erosion) is formed locally in the circumferential direction, the state of the target surface being chipped away is maintained by rotating the target 30. By uniformizing in the circumferential direction, it is possible to enable consumption of target material with less waste. In this embodiment, the target 30 is controlled to rotate at a constant speed of 10 to 30 rpm (rotations per minute).

<성막 장치의 제어 구성><Control configuration of the deposition device>

도 3에 나타내는 바와 같이, 스퍼터실(2)의 각종 구성은, CPU나 메모리 등 으로 이루어지는 제어부(5)에 의해 제어된다. 제어부(5)는, 기판 반송 제어부(51)과, 타겟 제어부(52)와, 자석 유닛 제어부(53)와, 전압 인가 제어부(54)와, 스퍼터링 분위기 제어부(55)를 포함한다. 또한, 제어부(5)는, 본 실시예의 특징적 구성으로서, 조작 패널 제어부(56)와, 타겟 정보 취득부(57)와, 자석 유닛 정보 취득부(58)와, 이상 방전 검지부(59)를 포함한다. 또한, 본 실시예에 따른 성막 장치(1)는, 작업자가 성막 장치(1)의 제어를 행할 때의 인터페이스가 되는 조작 패널(6)을 구비한다. 제어부(5)는, 조작 패널(6)에 입력되는 작업자로부터의 지시 내용에 따라, 스퍼터실(2)의 각종 구성을 제어한다.As shown in FIG. 3, various configurations of the sputter chamber 2 are controlled by a control unit 5 made of a CPU, memory, etc. The control unit 5 includes a substrate transport control unit 51, a target control unit 52, a magnet unit control unit 53, a voltage application control unit 54, and a sputtering atmosphere control unit 55. Additionally, the control unit 5 includes, as a characteristic configuration of the present embodiment, an operation panel control unit 56, a target information acquisition unit 57, a magnet unit information acquisition unit 58, and an abnormal discharge detection unit 59. do. Additionally, the film forming apparatus 1 according to this embodiment is provided with an operation panel 6 that serves as an interface when the operator controls the film forming apparatus 1. The control unit 5 controls various configurations of the sputter chamber 2 in accordance with instructions from the operator input to the operation panel 6.

기판 반송 제어부(51)는, 스퍼터실(2)에 있어서 반송 가이드(22)를 따른 기판(10)의 반송을 행하는, 도시하지 않은 기판 반송 수단을 제어한다. 타겟 제어부(52)는, 타겟(30)을 회전시키는 구동 수단으로서의, 모터(70), 벨트(71) 등을 포함하는 타겟 구동 장치(7)를 제어하고, 예를 들면, 성막시 등에 있어서의 타겟(30)의 회전 동작을 제어한다. 자석 유닛 제어부(53)는, 자석 유닛(31)을 회전시키는 구동 수단으로서의, 도시하지 않은 모터 등을 포함하는 자석 유닛 구동 장치(8)를 제어하고, 성막 개시 전에 있어서의 자석 유닛(31)의 각도 조정 등을 행한다. 전압 인가 제어부(54)는, 성막시에 있어서의 전원(25)에 의한 케이스(32)에의 전압 인가를 제어한다. 스퍼터링 분위기 제어부(55)는, 스퍼터실(2)의 내부에 스퍼터링 분위기를 형성하기 위해, 배기 장치(23)와 가스 공급원(24)을 제어한다.The substrate transport control unit 51 controls substrate transport means (not shown) that transports the substrate 10 along the transport guide 22 in the sputter chamber 2. The target control unit 52 controls the target drive device 7 including the motor 70 and the belt 71 as a driving means for rotating the target 30, for example, during film formation. Controls the rotational movement of the target 30. The magnet unit control unit 53 controls the magnet unit drive device 8, which includes a motor (not shown), as a drive means for rotating the magnet unit 31, and controls the magnet unit 31 before the start of film formation. Perform angle adjustments, etc. The voltage application control unit 54 controls voltage application to the case 32 by the power supply 25 during film formation. The sputtering atmosphere control unit 55 controls the exhaust device 23 and the gas supply source 24 to create a sputtering atmosphere inside the sputter chamber 2.

<본 실시예의 특징><Features of this embodiment>

조작 패널(6)은, 성막 장치(1)의 각종 정보 등을 표시하는 표시부(61)와, 작업자가 성막 장치(1)의 제어 내용을 입력하기 위한 조작부(62)를 가진다. 조작 패널(6)의 구체적인 형태는 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들면, 장치에 설치된 터치 패널식의 형태이어도 되고, 외부 기기로서 컴퓨터나 태블릿 등의 휴대 단말 등의 화면 상에서 조작하는 형태이어도 된다.The operation panel 6 has a display unit 61 that displays various information about the film forming apparatus 1, etc., and an operating unit 62 through which an operator inputs control details of the film forming apparatus 1. The specific form of the operation panel 6 is not particularly limited. For example, it may be a touch panel type installed in the device, or may be a form that is operated on a screen of a portable terminal such as a computer or tablet as an external device.

타겟 정보 취득부(57)는, 타겟 제어부(52)에 의한 타겟 구동 장치(7)의 제어량 또는 위치 검출 수단에 의해 검출된 타겟의 위치 정보에 기초하여, 타겟(30)의 위치 정보나, 회전 속도, 회전 방향, 회전 횟수 등의 각종 정보를 취득한다. 마찬가지로, 자석 유닛 정보 취득부(58)는, 자석 유닛 제어부(53)에 의한 자석 유닛 구동 장치(8)의 제어량 또는 위치 검출 수단에 의해 검출된 자석의 위치 정보에 기초하여, 자석 유닛(31)의 위치 정보 등을 취득한다. 타겟(30) 및 자석 유닛(31)을 회전 구동시키는 모터로서는, 회전 위상을 정밀하게 제어하는 것이 가능한 서보 모터가 바람직한다. 서보 모터의 엔코더를 사용함으로써, 타겟(30) 및 자석 유닛(31)의 상기 각종 정보를 순차적으로 취득할 수 있다. 한편, 타겟(30) 및 자석 유닛(31)의 회전 제어 구성, 각종 정보의 취득 구성에 대해서는, 상기에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 서보 모터가 아니라 스테핑 모터를 사용하여, 스테핑 모터에 주어진 구동 펄스 수를 카운트함으로써(제어량에 기초하여) 상기 각종 정보를 취득해도 된다.The target information acquisition unit 57 provides position information and rotation of the target 30 based on the control amount of the target driving device 7 by the target control unit 52 or the position information of the target detected by the position detection means. Acquire various information such as speed, direction of rotation, and number of rotations. Similarly, the magnet unit information acquisition unit 58 determines the magnet unit 31 based on the control amount of the magnet unit drive device 8 by the magnet unit control unit 53 or the position information of the magnet detected by the position detection means. Obtain location information, etc. As a motor for rotationally driving the target 30 and the magnet unit 31, a servo motor capable of precisely controlling the rotation phase is preferable. By using the encoder of the servo motor, the above-described various information on the target 30 and the magnet unit 31 can be acquired sequentially. Meanwhile, the rotation control configuration of the target 30 and the magnet unit 31 and the acquisition configuration of various information are not limited to the above. For example, the above-described various information may be acquired by using a stepping motor instead of a servo motor and counting the number of drive pulses given to the stepping motor (based on the control amount).

조작 패널 제어부(56)는, 타겟 정보 취득부(57)나 자석 유닛 정보 취득부(58)가 취득한 각종 정보를, 조작 패널(6)의 표시부(61)에 실시간으로 표시함과 함께, 조작 패널(6)의 조작부(62)에 입력되는 작업자의 조작 정보를 각종 제어부로 보낸다.The operation panel control unit 56 displays various information acquired by the target information acquisition unit 57 and the magnet unit information acquisition unit 58 on the display unit 61 of the operation panel 6 in real time. The operator's operation information input to the operation unit 62 of (6) is sent to various control units.

이상 방전 검지부(59)는, 전압 검지 수단으로서, 전압 인가 제어부(54)에 의해 제어되는 전원(25)의 방전 전압을 모니터링하고 있다. 이상 방전(아킹 또는 아크 방전이라고도 말함)이 발생하면, 플라즈마(부하)의 임피던스가 급격하게 작아지기 때문에, 급격한 전압 저하가 일어나고, 그에 따라 전류가 증가한다. 이 전압 저하·전류 증가를 검출함으로써, 이상 방전을 검지하는 것이 가능하다. 제어부(5)는, 이상 방전 검지부(59)가 검지하는 전압의 크기가 소정의 값을 초과한 경우에 이상 방전이 발생했다고 판단하고, 조작 패널 제어부(56)에 이상 방전 발생시의 소정의 알림 동작을 실행시킨다.The abnormal discharge detection unit 59 is a voltage detection means that monitors the discharge voltage of the power source 25 controlled by the voltage application control unit 54. When an abnormal discharge (also referred to as arcing or arc discharge) occurs, the impedance of the plasma (load) rapidly decreases, causing a rapid voltage drop, and the current increases accordingly. By detecting this voltage drop and current increase, it is possible to detect abnormal discharge. The control unit 5 determines that an abnormal discharge has occurred when the magnitude of the voltage detected by the abnormal discharge detection unit 59 exceeds a predetermined value, and performs a predetermined notification operation when the abnormal discharge occurs to the operation panel control unit 56. Run it.

도 4는 표시부 6에 표시되는 조작 화면의 일례를 나타내는 모식도이다. 조작 패널(6)은, 표시부(61)로서, 위치 관계 표시부(610)와, 캐소드 회전 속도 표시부(613)와, 캐소드 회전 횟수 표시부(614)와, 타겟 각도(위상) 표시부(617)와, 자석 유닛 각도(위상) 표시부(618)를 포함한다. 또한, 조작 패널(6)은, (에러 발생시의) 알림 수단으로서, 복수의 경보 램프(615)를 구비한다(도면 중의 원이 램프부를 나타낸다). 캐소드 유닛(3)(RC), 타겟(30)(TG), 자석 유닛(31)(MG)의 이상 발생, 이상 방전(아크)의 발생이 검지되면, 대응하는 경보 램프(615)가 점등되어, 작업자에게 이상의 발생을 알릴 수 있다. 알림 수단으로서는 나아가, 경보 램프(615)의 점등과 함께, 도시하지 않은 경보음 발생 수단에 의한 부저가 울리도록 구성되어 있다. 한편, 표시부(61)로서 표시하는 정보나, 알림 수단에 있어서 경보를 발하는 이상 상태의 내용은, 장치 구성 등에 따라 적절히 다른 정보 등을 추가해도 되고, 전술한 것에 한정되는 것이 아니다.Figure 4 is a schematic diagram showing an example of an operation screen displayed on the display unit 6. The operation panel 6 includes a display portion 61, including a positional relationship display portion 610, a cathode rotation speed display portion 613, a cathode rotation count display portion 614, and a target angle (phase) display portion 617. Includes a magnet unit angle (phase) display unit 618. Additionally, the operation panel 6 is provided with a plurality of warning lamps 615 as notification means (when an error occurs) (circles in the figure indicate lamp portions). When an abnormality or abnormal discharge (arc) in the cathode unit 3 (RC), target 30 (TG), or magnet unit 31 (MG) is detected, the corresponding alarm lamp 615 lights up. , it is possible to notify workers of abnormalities. The notification means is further configured to turn on the warning lamp 615 and sound a buzzer by means of an alarm sound generating means (not shown). On the other hand, the information displayed by the display unit 61 or the contents of abnormal conditions for which an alarm is issued by the notification means may be added as appropriate other information depending on the device configuration, etc., and are not limited to the above.

위치 관계 표시부(610)는, 타겟(30)과 자석 유닛(31)의 각각의 회전 위치(회전 위상)의 상대적인 위치 관계를 나타내는 표시부이다. 위치 관계 표시부(610)는, 2개의 동심원과, 각각의 둘레 방향의 한 점을 가리키는 2개의 삼각형의 인디케이터(67, 68)가 타겟(30)과 자석 유닛(31)의 가상 모델을 나타내고 있다. 2개의 인디케이터 중 검은색 삼각형의 인디케이터(67)는, 제1 표시 요소로서, 타겟(30)의 회전 위상의 기준 위치를 나타내고 있다. 인디케이터(67)는, 2개의 동심원의 사이를 지나는 제1 원 궤도 상을 타겟(30)의 회전량에 따라 주회(周回) 변위한다. 또한, 흰색 삼각형의 인디케이터(68)는, 제2 표시 요소로서, 자석 유닛(31)의 회전 위상의 기준 위치(배향 방향)를 나타내고 있다. 인디케이터(68)는, 2개의 동심원 중 내측원의 내측을 따른 제2 원 궤도 상을 자석 유닛(31)의 회전량에 따라 주회 변위한다. 2개의 동심원 주위로 시계방향으로 90도마다 배치된 「0」 「90」 「180」 「270」의 각 숫자가, 타겟(30)과 자석 유닛(31)을 회전 축선 방향으로 보았을 때의 회전축 주위의 각도(위상)를 나타내고 있다. 즉, 이들 각각의 표시 요소가, 타겟(30)과 자석 유닛(31)을 회전축 방향으로 보았을 때의 회전 위상의 상대 관계를 직관적으로 시인시키는 것으로 되어 있다.The positional relationship display unit 610 is a display unit that shows the relative positional relationship between the respective rotation positions (rotation phases) of the target 30 and the magnet unit 31. The positional relationship display unit 610 represents a virtual model of the target 30 and the magnet unit 31 with two concentric circles and two triangular indicators 67 and 68 each pointing to a point in the circumferential direction. Of the two indicators, the black triangular indicator 67 is the first display element and indicates the reference position of the rotation phase of the target 30. The indicator 67 rotates in accordance with the rotation amount of the target 30 on a first circular orbit passing between two concentric circles. Additionally, the white triangular indicator 68 is a second display element and indicates the reference position (orientation direction) of the rotation phase of the magnet unit 31. The indicator 68 rotates and moves on a second circular orbit along the inner side of the inner circle among the two concentric circles according to the rotation amount of the magnet unit 31. The numbers "0", "90", "180", and "270" arranged clockwise every 90 degrees around two concentric circles are around the rotation axis when the target 30 and the magnet unit 31 are viewed in the direction of the rotation axis. It represents the angle (phase) of . That is, each of these display elements intuitively allows the relative relationship between the rotation phases of the target 30 and the magnet unit 31 to be seen when viewed in the direction of the rotation axis.

인디케이터(67, 68)는, 타겟(30), 자석 유닛(31)의 실제 기준 위치에 대응한 위치에 표시된다. 표시는 소정의 시간 간격마다 순차적으로 갱신되고, 따라서, 타겟(30), 자석 유닛(31)의 실제 이동량(회전량)에 맞추어, 인디케이터(67, 68)의 표시 위치도 변화된다(둘레 방향으로 이동한다). 예를 들면, 성막시에 타겟(30)을 회전시키고 있을 때에는, 인디케이터(68)가 정지하고 있는 것에 대해, 인디케이터(67)이, 실제의 타겟(30)의 회전에 맞추어, 도 4a에 나타내는 화살표 방향(시계방향)으로 회전한다. 이에 의해, 타겟(30)과 자석 유닛(31)의 상대적인 위치 관계를 거의 실시간으로 관찰하는 것이 가능해지고, 따라서, 타겟(30)과 자석 유닛(31)의 동작 상황의 즉시 파악이 가능해진다. 이와 같이, 시각적으로, 타겟(30)이나 자석 유닛(31)의 회전 방향이나 속도와 같은 동작 상황을 파악할 수 있으므로, 예를 들면, 타겟(30)이 회전하고 있지 않는 상태로 방전시켜 버리는 등의 오조작을 방지, 억제할 수 있다.The indicators 67 and 68 are displayed at positions corresponding to the actual reference positions of the target 30 and the magnet unit 31. The display is sequentially updated at predetermined time intervals, and thus the display positions of the indicators 67 and 68 are also changed (in the circumferential direction) in accordance with the actual movement amount (rotation amount) of the target 30 and the magnet unit 31. move). For example, when the target 30 is rotated during film formation, while the indicator 68 is stationary, the indicator 67 displays the arrow shown in FIG. 4A in accordance with the actual rotation of the target 30. Rotates in the direction (clockwise). As a result, it becomes possible to observe the relative positional relationship between the target 30 and the magnet unit 31 in almost real time, and thus it becomes possible to immediately grasp the operating status of the target 30 and the magnet unit 31. In this way, it is possible to visually determine the operating conditions such as the rotation direction and speed of the target 30 and the magnet unit 31, so for example, discharging the target 30 in a state where it is not rotating, etc. Error operation can be prevented and suppressed.

또한, 이상 방전이 발생했을 때에는, 이상 방전의 발생 위치(타겟(30) 표면에 있어서의 파티클의 부착 위치)에 대해, 인디케이터(67, 68)의 상대 위치 관계로부터, 어느 정도의 추측이 가능해진다. 자석 유닛(31)의 기준 위치를 나타내는 인디케이터(68)는, 타겟(30) 표면에 있어서 자석 유닛(31)의 자석 근방이 되는 위치를 나타내고 있고, 이상 방전은 주로 이 위치에서 발생하는 것을 경험적으로 알고 있다. 따라서, 예를 들면, 도 4b에 나타내는 상대 위치 관계일 때에 이상 방전이 발생한 경우에는, 발생 요인이 존재하는 위치가, 인디케이터(68)의 위치(270°)인 것이 예측된다. 즉, 타겟(30) 표면에 있어서 인디케이터(67)가 나타내는 기준 위치로부터 180°의 위치에, 발생 요인인 파티클이 부착되어 있는 것을 예측할 수 있다. 한편, 예측할 수 있는 것은, 어디까지나 타겟(30) 표면의 둘레 방향에 있어서의 위치(위상)이지만, 챔버 개방 전에 발생 위치를 점찍을 수 있으므로, 아무런 실마리도 없이 눈으로 찾아내는 경우보다도, 발생 위치를 특정할 때의 작업 효율이 현저히 향상된다. 이와 같이 이상 방전의 발생 위치와 그 요인의 특정을 용이하게 실시할 수 있으므로, 스퍼터 성막 공정에 있어서의 유지보수 시간의 단축을 도모할 수 있다.Additionally, when an abnormal discharge occurs, the location of occurrence of the abnormal discharge (the attachment position of particles on the surface of the target 30) can be estimated to some extent from the relative positional relationship of the indicators 67 and 68. . The indicator 68 indicating the reference position of the magnet unit 31 indicates a position near the magnet of the magnet unit 31 on the surface of the target 30, and empirically shows that abnormal discharge mainly occurs at this position. Know. Therefore, for example, when an abnormal discharge occurs in the relative positional relationship shown in FIG. 4B, it is predicted that the position where the occurrence factor exists is the position (270°) of the indicator 68. In other words, it can be predicted that particles, which are the cause of occurrence, are attached to a position 180° from the reference position indicated by the indicator 67 on the surface of the target 30. On the other hand, what can be predicted is only the position (phase) in the circumferential direction of the surface of the target 30. However, since the occurrence location can be detected before opening the chamber, the occurrence location can be determined better than when searching by eye without any clue. Work efficiency when specifying is significantly improved. In this way, since the occurrence location of abnormal discharge and its factors can be easily identified, maintenance time in the sputter film formation process can be shortened.

조작 패널(6)은, 조작부(62)로서, 정회전 JOG 버튼(625)과, 연속 정회전 버튼(626)과, 역회전 JOG 버튼(627)과, 연속 역회전 버튼(628)을 포함한다. 정회전JOG 버튼(625)과 역회전 JOG 버튼(627)에 의해, 타겟(30)의 위치(각도, 회전 위상)를, 정회전(시계방향), 역회전(반시계방향)의 각 방향으로, 타겟(30)의 위치(각도, 회전 위상)를 임의로 변위시킬 수 있다. 연속 정회전 버튼(626), 연속 역회전 버튼(628)은, 각각의 방향으로 타겟(30)을 연속적으로 회전시키는 조작 버튼이다.The operation panel 6 is an operation unit 62 and includes a forward rotation JOG button 625, a continuous forward rotation button 626, a reverse JOG button 627, and a continuous reverse rotation button 628. . By using the forward JOG button 625 and the reverse JOG button 627, the position (angle, rotation phase) of the target 30 can be changed in each of the forward (clockwise) and reverse (counterclockwise) directions. , the position (angle, rotation phase) of the target 30 can be arbitrarily displaced. The continuous forward rotation button 626 and the continuous reverse rotation button 628 are operation buttons that continuously rotate the target 30 in each direction.

예를 들면, 이상 방전이 발생한 경우에는, 챔버 개방 전에, 상기 각종 조작 버튼을 구사하여, 타겟(30) 표면의 발생 위치라고 예측되는 위치를, 미리 유지보수하기 쉬운 위치로 이동시킴으로써, 작업 효율의 한층 더 향상이 가능하다.For example, when abnormal discharge occurs, before opening the chamber, use the various operation buttons to move the position predicted to be the occurrence position on the surface of the target 30 to a position that is easy to maintain, thereby improving work efficiency. Further improvement is possible.

타겟(30)과 자석 유닛(31)의 상대 회전은, 이상 방전이 발생하고 나서도 한동안 계속되는 경우가 많아，이상 방전 발생 시점에서의 타겟(30)과 자석 유닛(31)의 상대 위치 관계를 놓쳤다고 하더라도, 나중에 확인할 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 따라서, 조작 패널(6)의 표시부(61)에 표시된 이상 방전 발생시의 타겟(30)과 자석 유닛(31)의 각도 정보는, 제어부(5)의 메모리에 기억되고, 임의로 판독하여 이용 가능하게 하는 것이 바람직한다. 또한, 이상 방전 발생시에는, 표시부(61)의 경보 램프(615)의 점등과 함께, 그 때의 타겟(30)과 자석 유닛(31)의 각각의 각도를 자동적으로 표시하도록 하면 바람직한다.The relative rotation of the target 30 and the magnet unit 31 often continues for a while even after an abnormal discharge occurs, and the relative positional relationship between the target 30 and the magnet unit 31 at the time of abnormal discharge is lost. Even so, it is desirable to be able to check it later. Accordingly, the angle information between the target 30 and the magnet unit 31 when an abnormal discharge occurs displayed on the display unit 61 of the operation panel 6 is stored in the memory of the control unit 5 and can be read and used arbitrarily. It is desirable. Additionally, when an abnormal discharge occurs, it is desirable to automatically display the respective angles of the target 30 and the magnet unit 31 along with the warning lamp 615 of the display unit 61 lighting.

<그 외><Other>

전술한 실시예는 본 발명의 구성의 일례를 나타낸 것에 지나지 않다. 본 발명은, 상기 실시예의 구성에 한정되지 않고, 그 기술 사상의 범위 내에서 다양한 구성을 채용할 수 있다.The above-described embodiment merely shows an example of the configuration of the present invention. The present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and various configurations can be adopted within the scope of the technical idea.

예를 들면, 타겟으로서, 원통 형상의 것을 예시했지만, 타겟의 형상은 한정되는 것이 아니고, 예를 들면 판 형상의 타겟을 사용하는 구성에 대해서도, 본 발명은 바람직하게 적용 가능하다.For example, although a cylindrical target is exemplified as a target, the shape of the target is not limited, and the present invention is suitably applicable also to a structure using, for example, a plate-shaped target.

또한, 본 실시예에서는, 캐소드 유닛(3)을 1개 구비한 성막 장치를 예시했지만, 캐소드 유닛(3)을 2개 이상 구비한 성막 장치에 대해서도, 본 발명은 적용 가능하다.In addition, in this embodiment, a film forming apparatus equipped with one cathode unit 3 is illustrated, but the present invention is also applicable to a film forming apparatus equipped with two or more cathode units 3.

본 실시예에서는, 캐소드 유닛(3)에 대해 성막 대상물인 기판(10)이 상방에 배치되고, 기판(10)의 성막면이 중력방향 하방을 향한 상태로 성막이 행하여지는, 소위 상향 증착(Deposition Up)의 장치 구성으로 되어 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 챔버 내에 수용된 기판(10)이 캐소드 유닛(3)에 대해 하방에 배치되고, 기판(10)의 성막면이 중력방향 상방을 향한 상태로 성막이 행하여지는, 소위 하향 증착(Deposition Down)의 장치 구성이어도 된다. 또는, 기판(10)이 수직으로 세워진 상태, 즉, 기판(10)의 성막면이 중력방향과 평행한 상태로 성막이 행하여지는 장치 구성이어도 된다.In this embodiment, the substrate 10, which is a film forming object, is disposed above the cathode unit 3, and film forming is performed with the film forming surface of the substrate 10 facing downward in the direction of gravity, so-called upward deposition. Although it has a device configuration of Up), it is not limited to this. Device configuration for so-called downward deposition, in which the substrate 10 accommodated in the chamber is disposed below the cathode unit 3, and film formation is performed with the film formation surface of the substrate 10 facing upward in the direction of gravity. You can continue. Alternatively, the device configuration may be such that film formation is performed with the substrate 10 standing vertically, that is, with the film formation surface of the substrate 10 being parallel to the direction of gravity.

본 실시예에서는, 스퍼터실(2) 내에서, 캐소드 유닛(3)이 고정되고, 기판(10)이 캐소드 유닛(3)에 대해 이동하는 구성으로 되어 있지만, 이러한 구성에 한정되지 않는다. 예를 들면, 스퍼터실(2) 내에서 고정(정지)된 기판(10)에 대해 캐소드 유닛(3)이 이동하는 구성이어도 되고, 양자가 각각 상대 이동하는 구성이어도 된다. 캐소드 유닛(3)을 이동시키는 구성의 경우, 표시부(61)에는, 기판(10)에 대한 캐소드 유닛(3)의 위치 또는 스퍼터실 내에서의 위치를 표시하는 표시부를 포함시켜도 된다(캐소드 유닛(3)이 특정한 위치일 때, 빈번하게 아킹이 발생하는 경우, 그 부근에 이물이 많은 것이 상정된다). In this embodiment, the cathode unit 3 is fixed within the sputter chamber 2 and the substrate 10 moves relative to the cathode unit 3, but the configuration is not limited to this. For example, the cathode unit 3 may be configured to move with respect to the substrate 10 fixed (stationary) within the sputter chamber 2, or the cathode unit 3 may be configured to move relative to each other. In the case of a configuration in which the cathode unit 3 is moved, the display portion 61 may include a display portion that displays the position of the cathode unit 3 with respect to the substrate 10 or the position within the sputter chamber (cathode unit ( 3) If arcing occurs frequently at a specific location, it is assumed that there is a lot of foreign matter in the vicinity).

또한, 기판(10)과 캐소드 유닛(3)의 사이에 설치되는 셔터(도시 생략)의 개폐 상태를 표시하는 표시부를 포함시켜도 된다.Additionally, a display unit that displays the open/closed state of a shutter (not shown) installed between the substrate 10 and the cathode unit 3 may be included.

상기 각 실시예 및 각 변형예는, 가능한 한 각각의 구성을 서로 조합시킬 수 있다.Each of the above-described embodiments and modifications can be combined with each other as much as possible.

1: 성막 장치 10: 기판
11: 피성막면 2: 스퍼터실
3: 캐소드 유닛 30: 타겟
31: 자석 유닛 32: 케이스(캐소드 전극)
5: 제어부 6: 조작 패널
61: 표시부1: film forming device 10: substrate
11: Film deposition surface 2: Sputter room
3: cathode unit 30: target
31: Magnet unit 32: Case (cathode electrode)
5: Control unit 6: Operation panel
61: display unit

Claims (18)

스퍼터링에 의해 기판에 성막하는 성막 장치로서,
상기 기판이 수용되는 챔버와,
상기 챔버 내에서 상기 기판과 대향하는 위치에 배치되는, 성막 재료를 포함하는 타겟, 및 상기 타겟의 주위에 자장을 발생시키는 자장 발생 수단을 포함하는 성막원과,
상기 타겟과 상기 자장 발생 수단의 상대 위치를 변위시키는 구동 수단과,
상기 상대 위치의 정보를 표시하는 표시부와,
상기 상대 위치의 정보를 취득하는 취득 수단을 구비하고,
상기 표시부는,
상기 상대 위치의 정보를, 상기 타겟의 기준 위치를 나타내는 제1 표시 요소와 상기 자장 발생 수단의 기준 위치를 나타내는 제2 표시 요소를 사용하여 표시하고,
상기 제1 표시 요소의 표시 위치와 상기 제2 표시 요소의 표시 위치의 상대적인 위치 관계를, 상기 상대 위치의 정보에 따라 변위시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치.A film forming device for forming a film on a substrate by sputtering,
a chamber in which the substrate is accommodated,
a deposition source disposed at a position opposite to the substrate in the chamber, including a target containing a deposition material, and magnetic field generating means for generating a magnetic field around the target;
Drive means for displacing the relative positions of the target and the magnetic field generating means;
a display unit that displays information on the relative position;
Provided with acquisition means for acquiring information of the relative position,
The display unit,
Displaying the relative position information using a first display element indicating a reference position of the target and a second display element indicating a reference position of the magnetic field generating means,
A film forming apparatus, characterized in that the relative positional relationship between the display position of the first display element and the display position of the second display element is shifted according to information on the relative position. 제1항에 있어서,
상기 취득 수단은, 상기 상대 위치의 정보를, 미리 정해진 시간 간격을 두고 복수 회에 걸쳐 취득하고,
상기 취득 수단에 의한 상기 상대 위치의 정보의 취득에 따라, 상기 표시부는, 표시하는 상기 상대 위치의 정보를 갱신하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to paragraph 1,
The acquisition means acquires the information on the relative position multiple times at predetermined time intervals,
A film forming apparatus, wherein in response to acquisition of the relative position information by the acquisition means, the display unit updates the relative position information to be displayed. 스퍼터링에 의해 기판에 성막하는 성막 장치로서,
상기 기판이 수용되는 챔버와,
상기 챔버 내에서 상기 기판과 대향하는 위치에 배치되는, 성막 재료를 포함하는 타겟, 및 상기 타겟의 주위에 자장을 발생시키는 자장 발생 수단을 포함하는 성막원과,
상기 타겟과 상기 자장 발생 수단의 상대 위치를 변위시키는 구동 수단과,
상기 상대 위치의 정보를 표시하는 표시부를 구비하고,
상기 타겟은 원통형이며, 상기 자장 발생 수단은 상기 타겟의 내주면으로 둘러싸인 위치에 배치되고,
상기 구동 수단은, 상기 타겟의 중심축을 회전축으로 하여, 상기 타겟과 상기 자장 발생 수단을 상대 회전시키며,
상기 표시부는,
상기 상대 위치의 정보를, 상기 회전축 주위에 있어서의, 상기 타겟의 기준 위치와, 상기 자장 발생 수단의 기준 위치를 사용하여 표시하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.A film forming device for forming a film on a substrate by sputtering,
a chamber in which the substrate is accommodated,
a deposition source disposed at a position opposite to the substrate in the chamber, including a target containing a deposition material, and magnetic field generating means for generating a magnetic field around the target;
Drive means for displacing the relative positions of the target and the magnetic field generating means;
Provided with a display unit that displays information on the relative position,
The target is cylindrical, and the magnetic field generating means is disposed at a position surrounded by the inner peripheral surface of the target,
The driving means relatively rotates the target and the magnetic field generating means, using the central axis of the target as a rotation axis,
The display unit,
A film forming apparatus, characterized in that the relative position information is displayed using a reference position of the target and a reference position of the magnetic field generating means around the rotation axis. 제3항에 있어서,
상기 표시부는,
상기 상대 위치의 정보를, 상기 타겟의 기준 위치를 나타내는 제1 표시 요소와 상기 자장 발생 수단의 기준 위치를 나타내는 제2 표시 요소를 사용하여 표시하고,
상기 제1 표시 요소의 표시 위치를, 상기 타겟의 회전량에 기초하여, 제1 원 궤도 상에서 변위시키고,
상기 제2 표시 요소의 표시 위치를, 상기 자장 발생 수단의 회전량에 기초하여, 상기 제1 원 궤도와 동심인 제2 원 궤도 상에서 변위시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to paragraph 3,
The display unit,
Displaying the relative position information using a first display element indicating a reference position of the target and a second display element indicating a reference position of the magnetic field generating means,
Displace the display position of the first display element on a first circular orbit based on the rotation amount of the target,
A film deposition apparatus, characterized in that the display position of the second display element is shifted on a second circular orbit concentric with the first circular orbit based on the rotation amount of the magnetic field generating means. 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 타겟을 지지하는 지지 부재와,
상기 지지 부재를 캐소드로 하고, 상기 챔버를 애노드로 하여, 상기 지지 부재에 전압을 인가하는 전압 인가 수단과,
상기 전압 인가 수단이 인가하는 전압을 검지하는 전압 검지 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 1 or 3,
A support member supporting the target,
Voltage application means for applying a voltage to the support member using the support member as a cathode and the chamber as an anode;
A film forming apparatus further comprising voltage detection means for detecting the voltage applied by the voltage application means. 제5항에 있어서,
상기 표시부는, 상기 전압 검지 수단이 검지하는 전압이 미리 정해진 크기를 초과했을 때의 상기 상대 위치의 정보를, 상기 상대 위치의 정보로서, 표시하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to clause 5,
The film forming apparatus, wherein the display unit displays, as the relative position information, information on the relative position when the voltage detected by the voltage detection means exceeds a predetermined level. 제5항에 있어서,
상기 전압 검지 수단이 검지하는 전압이 미리 정해진 크기를 초과한 시점에 있어서의 상기 상대 위치의 정보를 기억하는 기억 수단을 더 구비하고,
상기 표시부는, 상기 기억 수단이 기억하는 상기 상대 위치의 정보를, 이상 방전이 발생했을 때의 상기 상대 위치의 정보로서, 표시하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to clause 5,
further comprising storage means for storing information on the relative position at a time when the voltage detected by the voltage detection means exceeds a predetermined level,
The film forming apparatus, wherein the display unit displays information on the relative position stored in the storage means as information on the relative position when an abnormal discharge occurs. 제5항에 있어서,
상기 전압 검지 수단이 검지하는 전압이 미리 정해진 크기를 초과했을 때에, 이상 방전이 발생한 것을 알리는 알림 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to clause 5,
A film forming apparatus further comprising a notification means for notifying that abnormal discharge has occurred when the voltage detected by the voltage detection means exceeds a predetermined level. 스퍼터링에 의해 기판에 성막하는 성막 장치로서,
상기 기판이 수용되는 챔버와,
상기 챔버 내에서 상기 기판과 대향하는 위치에, 성막 재료로 이루어지는 타겟을 배치하도록, 상기 타겟을 지지하는 지지 부재, 및 상기 타겟의 주위에 자장을 발생시키는 자장 발생 수단을 포함하는 성막원과,
상기 타겟과 상기 자장 발생 수단의 상대 위치를 변위시키는 구동 수단과,
상기 상대 위치의 정보를 표시하는 표시부와,
상기 상대 위치의 정보를 취득하는 취득 수단을 구비하고,
상기 표시부는,
상기 상대 위치의 정보를, 상기 타겟의 기준 위치를 나타내는 제1 표시 요소와 상기 자장 발생 수단의 기준 위치를 나타내는 제2 표시 요소를 사용하여 표시하고,
상기 제1 표시 요소의 표시 위치와 상기 제2 표시 요소의 표시 위치의 상대적인 위치 관계를, 상기 상대 위치의 정보에 따라 변위시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치.A film forming device for forming a film on a substrate by sputtering,
a chamber in which the substrate is accommodated,
a deposition source including a support member for supporting the target so as to place a target made of a deposition material at a position opposite the substrate within the chamber, and magnetic field generating means for generating a magnetic field around the target;
Drive means for displacing the relative positions of the target and the magnetic field generating means;
a display unit that displays information on the relative position;
Provided with acquisition means for acquiring information of the relative position,
The display unit,
Displaying the relative position information using a first display element indicating a reference position of the target and a second display element indicating a reference position of the magnetic field generating means,
A film forming apparatus, characterized in that the relative positional relationship between the display position of the first display element and the display position of the second display element is shifted according to information on the relative position. 스퍼터링에 의해 기판에 성막하는 성막 장치로서,
상기 기판이 수용되는 챔버와,
상기 챔버 내에서 상기 기판과 대향하는 위치에, 성막 재료로 이루어지는 타겟을 배치하도록, 상기 타겟을 지지하는 지지 부재, 및 상기 타겟의 주위에 자장을 발생시키는 자장 발생 수단을 포함하는 성막원과,
상기 타겟과 상기 자장 발생 수단의 상대 위치를 변위시키는 구동 수단과,
상기 상대 위치의 정보를 표시하는 표시부를 구비하고,
상기 타겟은 원통형이며, 상기 자장 발생 수단은 상기 타겟의 내주면으로 둘러싸인 위치에 배치되고,
상기 구동 수단은, 상기 타겟의 중심축을 회전축으로 하여, 상기 타겟과 상기 자장 발생 수단을 상대 회전시키며,
상기 표시부는,
상기 상대 위치의 정보를, 상기 회전축 주위에 있어서의, 상기 타겟의 기준 위치와, 상기 자장 발생 수단의 기준 위치를 사용하여 표시하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.A film forming device for forming a film on a substrate by sputtering,
a chamber in which the substrate is accommodated,
a deposition source including a support member for supporting the target so as to place a target made of a deposition material at a position opposite the substrate within the chamber, and magnetic field generating means for generating a magnetic field around the target;
Drive means for displacing the relative positions of the target and the magnetic field generating means;
Provided with a display unit that displays information on the relative position,
The target is cylindrical, and the magnetic field generating means is disposed at a position surrounded by the inner peripheral surface of the target,
The driving means relatively rotates the target and the magnetic field generating means, using the central axis of the target as a rotation axis,
The display unit,
A film deposition apparatus, characterized in that the relative position information is displayed using a reference position of the target and a reference position of the magnetic field generating means around the rotation axis. 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 지지 부재를 캐소드로 하고, 상기 챔버를 애노드로 하여, 상기 지지 부재에 전압을 인가하는 전압 인가 수단과,
상기 전압 인가 수단이 인가하는 전압을 검지하는 전압 검지 수단을 더 구비하고,
상기 표시부는, 상기 전압 검지 수단이 검지하는 전압이 미리 정해진 크기를 초과했을 때의 상기 상대 위치의 정보를 표시하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 9 or 10,
Voltage application means for applying a voltage to the support member using the support member as a cathode and the chamber as an anode;
further comprising voltage detection means for detecting the voltage applied by the voltage application means,
The film forming apparatus, wherein the display unit displays information on the relative position when the voltage detected by the voltage detection means exceeds a predetermined level. 기판을 챔버 내에 배치하고, 상기 기판과 대향하여 배치된 타겟으로부터 비상하는 성막 재료의 입자를 퇴적시켜 성막하는 스퍼터 성막 공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법으로서,
상기 스퍼터 성막 공정 동안, 상기 타겟과 자장 발생 수단의 상대 위치의 정보를, 상기 타겟의 기준 위치를 나타내는 제1 표시 요소와 상기 자장 발생 수단의 기준 위치를 나타내는 제2 표시 요소를 사용하여 표시부에 표시하고,
상기 제1 표시 요소의 표시 위치와 상기 제2 표시 요소의 표시 위치의 상대적인 위치 관계를, 상기 상대 위치의 정보에 따라 변위시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.A method of manufacturing an electronic device comprising a sputter deposition process of placing a substrate in a chamber and depositing particles of a deposition material flying from a target disposed opposite the substrate to form a film,
During the sputter deposition process, information on the relative positions of the target and the magnetic field generating means is displayed on the display unit using a first display element indicating the reference position of the target and a second display element indicating the reference position of the magnetic field generating means. do,
A method of manufacturing an electronic device, characterized in that the relative positional relationship between the display position of the first display element and the display position of the second display element is shifted according to information on the relative position. 제12항에 있어서,
상기 상대 위치의 정보를, 미리 정해진 시간 간격마다 순차적으로 취득하고,
상기 표시부에 표시하는 상기 상대 위치의 정보를 순차적으로 갱신하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.According to clause 12,
Sequentially acquiring the relative position information at predetermined time intervals,
A method of manufacturing an electronic device, characterized in that the information of the relative position displayed on the display unit is sequentially updated. 기판을 챔버 내에 배치하고, 상기 기판과 대향하여 배치된 타겟으로부터 비상하는 성막 재료의 입자를 퇴적시켜 성막하는 스퍼터 성막 공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법으로서,
상기 스퍼터 성막 공정 동안, 상기 타겟과 자장 발생 수단의 상대 위치의 정보를, 표시부에 표시하고,
상기 타겟은 원통형이며, 상기 자장 발생 수단은 상기 타겟의 내주면으로 둘러싸인 위치에 배치되고, 상기 스퍼터 성막 공정에 있어서, 상기 타겟의 중심축을 회전축으로 하여, 상기 타겟과 상기 자장 발생 수단을 상대 회전시키는 것이며,
상기 표시부에 있어서, 상기 상대 위치의 정보를, 상기 회전축 주위에 있어서의 상기 타겟의 기준 위치를 나타내는 제1 표시 요소와, 상기 회전축 주위에 있어서의 상기 자장 발생 수단의 기준 위치를 나타내는 제2 표시 요소를 사용하여 표시하고,
상기 제1 표시 요소의 표시 위치를, 상기 타겟의 회전량에 기초하여, 제1 원 궤도 상에서 변위시키고,
상기 제2 표시 요소의 표시 위치를, 상기 자장 발생 수단의 회전량에 기초하여, 상기 제1 원 궤도와 동심인 제2 원 궤도 상에서 변위시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.A method of manufacturing an electronic device comprising a sputter deposition process of placing a substrate in a chamber and depositing particles of a deposition material flying from a target disposed opposite the substrate to form a film,
During the sputter deposition process, information on the relative positions of the target and the magnetic field generating means is displayed on a display unit,
The target is cylindrical, the magnetic field generating means is disposed at a position surrounded by an inner peripheral surface of the target, and in the sputter film forming process, the target and the magnetic field generating means are relatively rotated using the central axis of the target as a rotation axis. ,
In the display unit, the relative position information includes a first display element indicating a reference position of the target around the rotation axis, and a second display element indicating a reference position of the magnetic field generating means around the rotation axis. Use to display,
Displace the display position of the first display element on a first circular orbit based on the rotation amount of the target,
A method of manufacturing an electronic device, characterized in that the display position of the second display element is displaced on a second circular orbit concentric with the first circular orbit based on the rotation amount of the magnetic field generating means. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 타겟을 지지하는 지지 부재를 캐소드로 하고, 상기 챔버를 애노드로 하여, 상기 스퍼터 성막 공정 동안, 상기 지지 부재에 인가되는 전압을 검지하고,
검지된 전압이 미리 정해진 크기를 초과했을 때의 상기 상대 위치의 정보를, 이상 방전이 발생했을 때의 상기 상대 위치의 정보로서, 상기 표시부에 표시하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.According to any one of claims 12 to 14,
Using a support member supporting the target as a cathode and the chamber as an anode, a voltage applied to the support member is detected during the sputter film deposition process,
A method of manufacturing an electronic device, characterized in that the information on the relative position when the detected voltage exceeds a predetermined level is displayed on the display unit as the information on the relative position when an abnormal discharge occurs. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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