JP2019502258A - バルクmlccコンデンサモジュール - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000002775 capsule Substances 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVTGXFAWNQTDBG-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Pb] Chemical compound [Fe].[Pb] UVTGXFAWNQTDBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 description 1
- HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N polonium atom Chemical compound [Po] HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/224—Housing; Encapsulation
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
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Abstract
【選択図】図1
Description
各電子部品が少なくとも一つの第1長手方向縁部を有する第1外部終端及び少なくとも一つの第2長手方向縁部を有する第2外部終端を含む多数の電子部品を備え;
第1リードと第1長手方向縁部との間の第1インターコネクトにより第1長手方向縁部に接触するように第1のリードを配置し;
第2リードと第2長手方向縁部との間の第2インターコネクトにより第2長手方向縁部に接触するように第2のリードを配置し;及び第1インターコネクトと第2インターコネクトの接合を加熱形成することを含む。
各電子部品が少なくとも一つの第1長手方向縁部を有する第1外部終端及び少なくとも一つの第2長手方向縁部を有する第2外部終端を含む多数の電子部品を備え;
第1導体と第1長手方向縁部との間の第1インターコネクトにより第1長手方向縁部と接触するように第1導体を配置し;
第2導体と第2長手方向縁部との間の第2インターコネクトにより第2長手方向縁部と接触するように第2導体を配置し;及び
第1インターコネクトと第2インターコネクトの接合を加熱形成することを含む。
Claims (59)
- 各電子部品が少なくとも1つの第1長手方向縁部を有する第1外部終端と、少なくとも1つの第2長手方向縁部を有する第2外部終端とを含む多数の電子部品と;
第1インターコネクトによって前記第1長手方向縁部に接続される第1キャリア部材と;
第2インターコネクトによって前記第1長手方向縁部に接続される第2キャリア部材と;
を含む、モジュール。 - 前記第1キャリア部材は、前記第1インターコネクトにより各第1長手方向縁部に接続される、請求項1に記載のモジュール。
- 前記キャリア部材は、フラットなメッキリードの各側に少なくとも1つの前記電子部品が配置されたフラットなメッキリードである、請求項1に記載のモジュール。
- 前記第1キャリア部材はオフセットを含む、請求項1に記載のモジュール。
- 前記オフセットは側面オフセットと水平オフセットとから選択される、請求項4に記載のモジュール。
- 前記第1キャリア部材は丸形リードフレームとフラットリードとから選択される、請求項1に記載のモジュール。
- 前記第1キャリア部材は少なくとも1つのフラット領域を含む、請求項6に記載のモジュール。
- 前記第1キャリア部材は、スルーホールリード、表面実装リード、コンプライアントピンリードから選択される、請求項1に記載のモジュール。
- スルーホールアセンブリ用スタンドオフをさらに含む、請求項8に記載のモジュール。
- 前記第1キャリア部材は、鉄材と非鉄材とから選択される材料を含む、請求項1に記載のモジュール。
- 前記キャリア部材は基板である、請求項1に記載のモジュール。
- 前記基板は、FR4、セラミック、ポリイミドからなる群から選択された材料を含む、請求項11に記載のモジュール。
- 前記第1インターコネクト又は前記第2インターコネクトの少なくとも1つが、遷移的液相焼結法による導電性インターコネクト材料、導電性エポキシ樹脂、ポリマーはんだ、はんだからなる群から選択された、請求項1に記載のモジュール。
- 前記電子部品は、コンデンサ、ダイオード、抵抗、バリスタ、インダクタ、ヒューズ、集積回路からなる群から独立に選択された、請求項1に記載のモジュール。
- 前記電子部品の少なくとも1つがコンデンサである、請求項14に記載のモジュール。
- 各前記電子部品がコンデンサである、請求項15に記載のモジュール。
- 各前記コンデンサがMLCCである、請求項16に記載のモジュール。
- 少なくとも2つの前記電子部品が異なるサイズを有する、請求項1に記載のモジュール。
- さらにカプセル化を含む、請求項1に記載のモジュール。
- 2以上100以下の電子部品を含む、請求項1に記載のモジュール。
- 第2行又は第2列に少なくとも1つの電子部品をさらに含み、隣接する長手方向縁部がインターコネクトによって取り付けられた、請求項1に記載のモジュール。
- 第1導電性部分と第2導電性部分とを含むキャリア部材と;
各電子部品が少なくとも1つの第1長手方向縁部を有する第1外部終端と、少なくとも1つの第2長手方向縁部を有する第2外部終端とを備える多数の電子部品と;
第1電子部品の前記第1長手方向縁部が第1インターコネクトによって前記第1導電性部分に接続され、前記第1電子部品の前記第2長手方向縁部が第2インターコネクトにより前記第2導電性部分に接続される前記多数の電子部品の第1電子部品と;
を含む、モジュール。 - 前記キャリア部材は基板である、請求項22に記載のモジュール。
- 前記基板は、FR4、セラミック、ポリイミドからなる群から選択された材料を含む、請求項23に記載のモジュール。
- 前記第1導電性部分は前記基板の導電性トレースである、請求項23に記載のモジュール。
- 前記導電性トレースは直線状である、請求項25に記載のモジュール。
- 前記導電性トレースは直線性を逸脱する、請求項25に記載のモジュール。
- 前記導電性トレースに接続される異なるサイズの電子部品を含む、請求項27に記載のモジュール。
- 前記キャリア部材は、鉄又は非鉄材の1組のリードからなる群から選択され、前記1組のリードの第1リードが前記第1導電性部分であり、前記1組のリードの第2リードが前記第2導電性部分である、請求項22に記載のモジュール。
- 前記多数の電子部品のうち第2電子部品をさらに含み、前記第2電子部品の前記第1長手方向縁部が追加インターコネクトによって前記第1導電性部分に接続される、請求項22に記載のモジュール。
- 前記多数の電子部品のうち第2電子部品をさらに含み、前記第2電子部品の前記第1長手方向縁部が追加インターコネクトによって前記第1電子部品の第2長手方向縁部に接続される、請求項22に記載のモジュール。
- 前記多数の電子部品が行と列に配置され、前記列の隣接する電子部品が追加インターコネクトにより接続された隣接する長手方向縁部を有する、請求項22に記載のモジュール。
- 各前記電子部品が、コンデンサ、ダイオード、抵抗、バリスタ、インダクタ、ヒューズ、集積回路からなる群から独立に選択される、請求項22に記載のモジュール。
- 前記電子部品の少なくとも1つがコンデンサである、請求項33に記載のモジュール。
- 各前記電子部品がコンデンサである、請求項34に記載のモジュール。
- 各前記コンデンサがMLCCである、請求項35に記載のモジュール。
- オーバモールドリードフレームや予備成形ハウジングをさらに含む、請求項22に記載のモジュール。
- 2以上100以下の電子部品を含む、請求項22に記載のモジュール。
- 各電子部品が、少なくとも1つの第1長手方向縁部を有する第1外部終端と、少なくとも1つの第2長手方向縁部を有する第2外部終端とを含む多数の電子部品を供給すること;
第1導体を前記第1導体と前記第1長手方向縁部との間の第1インターコネクトにより前記第1長手方向縁部に接触するように配置すること;
第2導体を前記第2導体と前記第2長手方向縁部との間の第2インターコネクトにより前記第2長手方向縁部に接触するように配置すること;及び
第1インターコネクトと第2インターコネクトの結合を加熱形成すること;
を含む、モジュールの形成方法。 - 前記第1インターコネクトにより前記第1導体を各第1長手方向縁部に接合することを含む、請求項39に記載のモジュールの形成方法。
- 前記第1導体は第1リードと基板の回路トレースからなる群から選択される、請求項39に記載のモジュールの形成方法。
- 前記第1リードが、前記フラットメッキリードの各側上の少なくとも1つの前記電子部品を備えたフラットなメッキリードである請求項41に記載のモジュールの形成方法。
- 前記第1リードがオフセットを含む、請求項41に記載のモジュールの形成方法。
- 前記オフセットが側面オフセットと水平オフセットから選択される、請求項43に記載のモジュールの形成方法。
- 前記第1リードが丸形リードとフラットリードから選択される、請求項41に記載のモジュールの形成方法。
- 前記第1リードが少なくとも1つのフラット領域を含む、請求項45に記載のモジュールの形成方法。
- 前記第1リードがスルーホールリードと表面実装リードから選択される、請求項41に記載のモジュールの形成方法。
- スルーホールアセンブリ用スタンドオフをさらに含む、請求項47に記載のモジュールの形成方法。
- 前記第1リードが鉄材及び非鉄材から選択される材料を含む、請求項41に記載のモジュールの形成方法。
- 前記第1インターコネクトにより前記第1導体を各第1長手方向縁部に接合することを含む、請求項39に記載のモジュールの形成方法。
- 前記第1インターコネクト又は前記第2インターコネクトの少なくとも1つが、遷移的液相焼結法導電性インターコネクト材料、導電性エポキシ樹脂、ポリマーはんだ、はんだからなる群から選択される、請求項39に記載のモジュールの形成方法。
- 各前記電子部品が、コンデンサ、ダイオード、抵抗、バリスタ、インダクタ、ヒューズ、集積回路からなる群から独立に選択される、請求項39に記載のモジュールの形成方法。
- 少なくとも1つの前記電子部品がコンデンサである、請求項52に記載のモジュールの形成方法。
- 各前記電子部品がコンデンサである、請求項53に記載のモジュールの形成方法。
- 各前記コンデンサがMLCCである、請求項54に記載のモジュールの形成方法。
- 少なくとも2つの前記電子部品が異なるサイズを有する、請求項39に記載のモジュールの形成方法。
- カプセルの形成をさらに含む、請求項39に記載のモジュールの形成方法。
- 2以上100以下の電子部品を含む、請求項39に記載のモジュールの形成方法。
- 第2行又は第2列の少なくとも1つの電子部品を隣接する長手方向縁部間のインターコネクトと配置して前記インターコネクトの接合を形成することをさらに含む、請求項39に記載のモジュールの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022087842A JP2022119920A (ja) | 2015-12-09 | 2022-05-30 | バルクmlccコンデンサモジュール |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/963,766 US9805872B2 (en) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | Multiple MLCC modules |
US14/963,766 | 2015-12-09 | ||
US15/264,305 | 2016-09-13 | ||
US15/264,305 US10224149B2 (en) | 2015-12-09 | 2016-09-13 | Bulk MLCC capacitor module |
PCT/US2016/064401 WO2017100073A1 (en) | 2015-12-09 | 2016-12-01 | Bulk mlcc capacitor module |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022087842A Division JP2022119920A (ja) | 2015-12-09 | 2022-05-30 | バルクmlccコンデンサモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019502258A true JP2019502258A (ja) | 2019-01-24 |
JP7250517B2 JP7250517B2 (ja) | 2023-04-03 |
Family
ID=59013090
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018529086A Active JP7250517B2 (ja) | 2015-12-09 | 2016-12-01 | バルクmlccコンデンサモジュール |
JP2022087842A Pending JP2022119920A (ja) | 2015-12-09 | 2022-05-30 | バルクmlccコンデンサモジュール |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022087842A Pending JP2022119920A (ja) | 2015-12-09 | 2022-05-30 | バルクmlccコンデンサモジュール |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10224149B2 (ja) |
EP (1) | EP3387659A4 (ja) |
JP (2) | JP7250517B2 (ja) |
CN (1) | CN108369864A (ja) |
WO (1) | WO2017100073A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10381162B2 (en) | 2010-05-26 | 2019-08-13 | Kemet Electronics Corporation | Leadless stack comprising multiple components |
US9472342B2 (en) | 2010-05-26 | 2016-10-18 | Kemet Electronics Corporation | Leadless multi-layered ceramic capacitor stacks |
US10607777B2 (en) | 2017-02-06 | 2020-03-31 | Avx Corporation | Integrated capacitor filter and integrated capacitor filter with varistor function |
EP3664958A4 (en) * | 2017-08-07 | 2021-08-25 | Kemet Electronics Corporation | WIRELESS STACK WITH MULTIPLE COMPONENTS |
WO2019051346A1 (en) * | 2017-09-08 | 2019-03-14 | Kemet Electronics Corporation | HIGH-DENSITY MULTI-COMPONENT HOUSINGS IN SERIES |
JP7097761B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2022-07-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
JP7102256B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2022-07-19 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
DE102018123924A1 (de) | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Infineon Technologies Ag | Eine Halbleitervorrichtung mit einer Lotverbindung, die eine Verbindung Sn/Sb aufweist |
KR102148830B1 (ko) * | 2018-11-16 | 2020-08-27 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 |
US10925161B2 (en) * | 2018-12-17 | 2021-02-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Printed circuit board |
JP7428962B2 (ja) * | 2019-10-28 | 2024-02-07 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
US20210327646A1 (en) * | 2020-04-20 | 2021-10-21 | Kemet Electronics Corporation | Multi-Terminal MLCC for Improved Heat Dissipation |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5154236U (ja) * | 1974-10-23 | 1976-04-24 | ||
JPS5626939U (ja) * | 1979-08-02 | 1981-03-12 | ||
JPS5658809U (ja) * | 1979-10-09 | 1981-05-20 | ||
JPS5844823U (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | ティーディーケイ株式会社 | 電子部品 |
JPS59103397A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | 株式会社村田製作所 | 複合部品 |
JPS61144657U (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-06 | ||
JPS6280318U (ja) * | 1985-11-09 | 1987-05-22 | ||
JPS6384190A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | 株式会社東芝 | チツプ部品搭載基板 |
JPH01215107A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Tokin Corp | チップ型ノイズ防止フィルタ |
JPH0238724U (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-15 | ||
JPH07249541A (ja) * | 1994-03-11 | 1995-09-26 | Mitsubishi Materials Corp | 複合セラミックコンデンサ |
JP2002246205A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Yazaki Corp | 調整用抵抗器 |
JP2012099538A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Tdk Corp | 電子部品 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5721163A (en) | 1996-06-10 | 1998-02-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte, Ltd. | Method of manufacture of thin film transistor SRAM device with a titanium nitride or silicide gate |
EP0929087B1 (en) * | 1998-01-07 | 2007-05-09 | TDK Corporation | Ceramic capacitor |
US6958899B2 (en) | 2003-03-20 | 2005-10-25 | Tdk Corporation | Electronic device |
JP3883528B2 (ja) | 2003-08-19 | 2007-02-21 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
US7633739B2 (en) * | 2007-05-24 | 2009-12-15 | Daniel Devoe | Stacked multilayer capacitor |
JP5154236B2 (ja) | 2008-01-17 | 2013-02-27 | 日置電機株式会社 | 測定装置および設定画面の表示方法 |
KR100994172B1 (ko) * | 2008-07-23 | 2010-11-15 | 삼화콘덴서공업주식회사 | 커패시터 모듈 |
KR101018646B1 (ko) * | 2008-12-09 | 2011-03-03 | 삼화콘덴서공업주식회사 | Mlcc 모듈 |
JP5367154B2 (ja) | 2009-03-26 | 2013-12-11 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 低いeslおよびesrを有するリード付き多層セラミックキャパシタ |
US8264816B2 (en) | 2009-08-24 | 2012-09-11 | Kemet Electronics Corporation | Externally fused and resistively loaded safety capacitor |
US8902565B2 (en) * | 2010-05-26 | 2014-12-02 | Kemet Electronics Corporation | Electronic component termination and assembly by means of transient liquid phase sintering and polymer solder pastes |
US9472342B2 (en) | 2010-05-26 | 2016-10-18 | Kemet Electronics Corporation | Leadless multi-layered ceramic capacitor stacks |
CN103079651B (zh) | 2010-06-29 | 2016-01-20 | 高尔纵株式会社 | 移动球的感测处理装置及方法以及使用该装置与方法的虚拟高尔夫球模拟装置 |
TW201244562A (en) | 2011-04-26 | 2012-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Mother board |
US9171672B2 (en) | 2011-06-27 | 2015-10-27 | Kemet Electronics Corporation | Stacked leaded array |
JP2013026392A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Tdk Corp | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
CN103998845B (zh) | 2011-10-14 | 2017-11-03 | 福士汽车配套部件责任有限公司 | 用于可加热的介质管道的可至少部分加热的管道连接器和具有该管道连接器的组装介质管道 |
CN202394718U (zh) | 2011-11-17 | 2012-08-22 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | 一种立体式堆叠陶瓷电容器 |
US8988857B2 (en) | 2011-12-13 | 2015-03-24 | Kemet Electronics Corporation | High aspect ratio stacked MLCC design |
DE112012005586B4 (de) | 2012-01-06 | 2018-07-05 | Honda Motor Co., Ltd. | Verzuckernde Enzymzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung einer verzuckerten Lösung unter Verwendung der selbigen |
TWI649095B (zh) * | 2012-02-10 | 2019-02-01 | 捷百克股份有限公司 | 以非人類幹細胞之培養上清液為起始材料之化妝品或皮膚再生促進劑、及蛋白質之離子導入法 |
US9025311B1 (en) | 2012-04-25 | 2015-05-05 | Kemet Electronics Corporation | Very large ceramic capacitor with mechanical shock resistance |
US8873219B2 (en) | 2012-06-26 | 2014-10-28 | Kemet Electronics Corporation | Method for stacking electronic components |
US10229785B2 (en) * | 2012-12-06 | 2019-03-12 | Kemet Electronics Corporation | Multi-layered ceramic capacitor with soft leaded module |
JP5942898B2 (ja) | 2013-02-28 | 2016-06-29 | 株式会社デンソー | 電子部品及び電子制御装置 |
JP6079302B2 (ja) | 2013-02-28 | 2017-02-15 | 株式会社デンソー | 電子部品及び電子制御装置 |
JP6036408B2 (ja) | 2013-02-28 | 2016-11-30 | 株式会社デンソー | 電子部品及び電子制御装置 |
JP6048215B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2016-12-21 | 株式会社デンソー | 電子部品及び電子制御装置 |
JP6051947B2 (ja) | 2013-02-28 | 2016-12-27 | 株式会社デンソー | 電子部品及び電子制御装置 |
KR101499717B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2015-03-06 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터 실장 기판 |
JP5658809B2 (ja) | 2013-10-17 | 2015-01-28 | 日本電信電話株式会社 | 電話接続制御方法、及び電話接続制御システム |
KR101545410B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2015-08-21 | 현대모비스 주식회사 | 커패시터 모듈, 이의 제조 방법 및 이를 적용한 차량용 인버터 |
US20150310991A1 (en) * | 2014-04-29 | 2015-10-29 | Apple Inc. | Multi-layered ceramic capacitors |
-
2016
- 2016-09-13 US US15/264,305 patent/US10224149B2/en active Active
- 2016-12-01 WO PCT/US2016/064401 patent/WO2017100073A1/en active Application Filing
- 2016-12-01 JP JP2018529086A patent/JP7250517B2/ja active Active
- 2016-12-01 EP EP16873625.4A patent/EP3387659A4/en active Pending
- 2016-12-01 CN CN201680072483.3A patent/CN108369864A/zh active Pending
-
2022
- 2022-05-30 JP JP2022087842A patent/JP2022119920A/ja active Pending
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5154236U (ja) * | 1974-10-23 | 1976-04-24 | ||
JPS5626939U (ja) * | 1979-08-02 | 1981-03-12 | ||
JPS5658809U (ja) * | 1979-10-09 | 1981-05-20 | ||
JPS5844823U (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | ティーディーケイ株式会社 | 電子部品 |
JPS59103397A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | 株式会社村田製作所 | 複合部品 |
JPS61144657U (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-06 | ||
JPS6280318U (ja) * | 1985-11-09 | 1987-05-22 | ||
JPS6384190A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | 株式会社東芝 | チツプ部品搭載基板 |
JPH01215107A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Tokin Corp | チップ型ノイズ防止フィルタ |
JPH0238724U (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-15 | ||
JPH07249541A (ja) * | 1994-03-11 | 1995-09-26 | Mitsubishi Materials Corp | 複合セラミックコンデンサ |
JP2002246205A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Yazaki Corp | 調整用抵抗器 |
JP2012099538A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Tdk Corp | 電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3387659A1 (en) | 2018-10-17 |
CN108369864A (zh) | 2018-08-03 |
US20170169956A1 (en) | 2017-06-15 |
US10224149B2 (en) | 2019-03-05 |
JP2022119920A (ja) | 2022-08-17 |
EP3387659A4 (en) | 2019-08-07 |
WO2017100073A1 (en) | 2017-06-15 |
JP7250517B2 (ja) | 2023-04-03 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191111 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210607 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210608 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20210730 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20210803 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20211116 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20220301 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20220412 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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C13 | Notice of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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|
C23 | Notice of termination of proceedings |
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C03 | Trial/appeal decision taken |
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C30A | Notification sent |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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