JP2019204974A - Method of manufacturing organic resin substrate, organic resin substrate, and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機樹脂基板の製造方法、有機樹脂基板および半導体装置に関する。 The present invention relates to an organic resin substrate manufacturing method, an organic resin substrate, and a semiconductor device.
近年の電子機器の小型化および高性能化に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできている。これに伴い、上記電子部品を搭載する半導体パッケージの配線基板には、従来にも増して高密度配線化および多端子化に加えて、製造コストの低減が要求されている。 With recent miniaturization and high performance of electronic devices, high density integration and further high density mounting of electronic components are progressing. Along with this, a wiring board of a semiconductor package on which the electronic component is mounted is required to reduce manufacturing costs in addition to high density wiring and multi-terminals as compared with the prior art.
従来、上述した半導体パッケージの配線基板としては、コア層を有するビルドアップ基板が挙げられる。そして、上記コア層を有するビルドアップ基板の代表的な製造プロセスにおいては、コア層の両面に多層配線をビルドアップ工法によって形成することが行われていた（たとえば、特許文献１等）。 Conventionally, as the wiring substrate of the semiconductor package described above, a build-up substrate having a core layer can be cited. In a typical manufacturing process of a build-up substrate having the core layer, multilayer wiring is formed on both surfaces of the core layer by a build-up method (for example, Patent Document 1).
上記背景技術の項に前述したように、従来の配線基板の製造プロセスにおいても、高密度配線化および多端子化に加えて、製造コストの低減を実現すべく、種々の検討がなされてきた。しかしながら、近年配線基板について要求される技術水準は、ますます高くなっている。そのため、従来の配線基板の製造プロセスでは、電気的接続性に優れ、かつ小型化された配線基板を歩留りよく製造するという観点において、改善の余地を有していた。 As described above in the section of the background art, in the conventional wiring board manufacturing process, various studies have been made to realize a reduction in manufacturing cost in addition to high density wiring and multi-terminals. In recent years, however, the technical level required for wiring boards has been increasing. For this reason, the conventional wiring board manufacturing process has room for improvement in terms of manufacturing a highly miniaturized wiring board with a good yield.
そこで、本発明は、電気的接続性に優れ、かつ小型化された半導体装置の製造に使用可能な有機樹脂基板を歩留りよく製造できる方法、その方法により得られる有機樹脂基板および、上記有機樹脂基板を用いた半導体装置を提供する。 Accordingly, the present invention provides a method for producing an organic resin substrate excellent in electrical connectivity and usable for producing a miniaturized semiconductor device with a high yield, an organic resin substrate obtained by the method, and the organic resin substrate. A semiconductor device using the above is provided.
本発明によれば、下地基板上に第１金属パターンを形成する工程と、
前記第１金属パターンを埋設する第１有機樹脂膜を形成する工程と、
前記第１有機樹脂膜の全面を研磨して前記第１金属パターンの上面を露出させる工程と、
露出した前記第１金属パターン中の金属配線と接触するように第１導体部を形成する工程と、
をこの順に含む有機樹脂基板の製造方法が提供される。
According to the present invention, forming a first metal pattern on the base substrate;
Forming a first organic resin film in which the first metal pattern is embedded;
Polishing the entire surface of the first organic resin film to expose the upper surface of the first metal pattern;
Forming a first conductor portion so as to be in contact with the metal wiring in the exposed first metal pattern;
Are provided in this order.
さらに、本発明によれば、下地基板上に第１金属パターンを形成する工程と、
前記第１金属パターン中の金属配線と接触するように第１導体部を形成する工程と、
前記第１金属パターンおよび前記第１導体部を埋設する第１有機樹脂膜を形成する工程と、
前記第１有機樹脂膜の全面を研磨して前記第１導体部の上面を露出させる工程と、
をこの順に含む有機樹脂基板の製造方法が提供される。
Furthermore, according to the present invention, a step of forming a first metal pattern on the base substrate;
Forming a first conductor portion so as to be in contact with the metal wiring in the first metal pattern;
Forming a first organic resin film that embeds the first metal pattern and the first conductor portion;
Polishing the entire surface of the first organic resin film to expose the upper surface of the first conductor portion;
Are provided in this order.
さらに、本発明によれば、上記有機樹脂基板の製造方法によって得られる有機樹脂基板が提供される。 Furthermore, according to this invention, the organic resin substrate obtained by the manufacturing method of the said organic resin substrate is provided.
さらに、本発明によれば、上記有機樹脂基板を含む半導体装置が提供される。 Furthermore, according to this invention, the semiconductor device containing the said organic resin substrate is provided.
本発明によれば、電気的接続性に優れ、かつ小型化された半導体装置の製造に使用可能な有機樹脂基板を歩留りよく製造できる方法、その方法により得られる有機樹脂基板および、上記有機樹脂基板を用いた半導体装置を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the method which can manufacture the organic resin substrate which is excellent in electrical connectivity and can be used for manufacture of the semiconductor device reduced in size with a sufficient yield, the organic resin substrate obtained by the method, and the said organic resin substrate A semiconductor device using can be provided.
［第１の実施形態］
本実施形態は、有機樹脂基板の製造方法に係るものである。かかる有機樹脂基板の製造方法（以下、本製造方法と示す。）は、以下の４つの工程をこの順に含むものである。第１の工程は、下地基板上に第１金属パターンを形成する工程である（以下、金属パターン形成工程と示す。）。第２の工程は、第１金属パターンを埋設する第１有機樹脂膜を形成する工程である（以下、有機樹脂膜形成工程と示す。）。第３の工程は、第１有機樹脂膜の全面を研磨して第１金属パターンの上面を露出させる工程である（以下、研磨工程と示す。）。第４の工程は、露出した第１金属パターン中の金属配線と接触するように導体部を形成する工程である（以下、導体部形成工程と示す。）。
[First Embodiment]
The present embodiment relates to a method for manufacturing an organic resin substrate. This method for manufacturing an organic resin substrate (hereinafter referred to as the present manufacturing method) includes the following four steps in this order. The first step is a step of forming a first metal pattern on the base substrate (hereinafter referred to as a metal pattern forming step). The second step is a step of forming a first organic resin film in which the first metal pattern is embedded (hereinafter referred to as an organic resin film forming step). The third step is a step of polishing the entire surface of the first organic resin film to expose the upper surface of the first metal pattern (hereinafter referred to as a polishing step). A 4th process is a process of forming a conductor part so that it may contact with the metal wiring in the exposed 1st metal pattern (henceforth a conductor part formation process).
以下、上述した各工程について、図１〜３を参照して説明する。なお、図１〜３は、いずれも本実施形態に係る有機樹脂基板の製造方法の一例を説明するための図である。 Hereinafter, each process mentioned above is demonstrated with reference to FIGS. 1 to 3 are diagrams for explaining an example of a method for manufacturing an organic resin substrate according to the present embodiment.
（金属パターン形成工程）
本実施形態に係る金属パターン形成工程について、図１を参照して説明する。
まず、図１（ａ）に示すように、下地基板１０を準備する。かかる下地基板１０は、後述する製造工程において、当該有機樹脂基板を構成する各層の平坦性を保持するための支持部材として使用するものである。そのため、下地基板１０は、後述するように、最終的には、得られた有機樹脂基板から分離して除去される。このような下地基板１０は、平坦性、剛直性および耐熱性等の特性を有するものであることが好ましい。また、下地基板１０としては、たとえば、金属板を用いることができる。かかる金属板の具体例としては、銅板、アルミニウム板、鉄板、鋼鉄（スチール）板、ニッケル板、銅合金板、４２合金板、ステンレス板等が挙げられる。なお、上記鋼鉄（スチール）板は、ＳＰＣＣ（Ｓｔｅｅｌ Ｐｌａｔｅ Ｃｏｌｄ Ｃｏｍｍｅｒｃｉａｌ）などの冷間圧延鋼板の態様であってもよい。また、金属板は、フレーム形状に加工された枚葉のものであってもよく、フープ状の連続形状のものであってもよい。
(Metal pattern formation process)
The metal pattern forming process according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 1A, a
次に、図１（ｂ）に示すように、下地基板１０上に絶縁層２０（以下、絶縁性樹脂膜２０とも示す。）を積層する。なお、上述した絶縁性樹脂膜２０を形成する材料の詳細については後述するが、たとえば、感光性樹脂組成物等を上記材料として用いることができる。また、下地基板１０上に絶縁性樹脂膜２０を積層する方法は、絶縁性樹脂膜２０を形成する材料の形態に応じた手法を適宜採用すればよい。上記絶縁性樹脂膜２０を形成する材料が液状である場合、たとえば、コーターやスピンナー等を用いてかかる材料を下地基板１０上に塗布した後、乾燥させることにより所望の絶縁性樹脂膜２０を形成することができる。上記絶縁性樹脂膜２０を形成する材料がペースト状である場合、たとえば、印刷処理等を施して下地基板１０上にかかる材料を塗布した後、乾燥させることにより所望の絶縁性樹脂膜２０を形成することができる。上記絶縁性樹脂膜２０を形成する材料がドライフィルムの形態である場合、たとえば、ラミネーター等によりフィルムを下地基板１０上に熱圧着させてラミネーションすることで所望の絶縁性樹脂膜２０を形成することができる。
Next, as illustrated in FIG. 1B, an insulating layer 20 (hereinafter also referred to as an insulating resin film 20) is stacked on the
次に、図１（ｃ）に示すように、下地基板１０上の絶縁性樹脂膜２０における所定の領域に開口部３０を設ける。開口部３０の形成方法としては、露光現像法やレーザー加工法等が挙げられる。ここで、開口部３０の形成に上記露光現像法を用いる場合、絶縁性樹脂膜２０を形成する材料中には感光剤を含有させる必要がある。露光現像法ではまず、絶縁性樹脂膜２０のうち開口部３０を形成する領域、もしくは開口部３０を形成しない領域のいずれか一方に選択的に光を照射する露光を行う。その後、アルカリ性水溶液などの現像液を用いた現像を行うことで開口部３０を形成することが出来る。その後、絶縁性樹脂膜２０を熱硬化させる。上述した露光方法としては、マスクパターンを密着させて紫外線を照射する方法や、レーザー光を所望の領域に直接照射する方法等が挙げられる。一方、開口部３０の形成に上記レーザー加工法を用いる場合、開口部３０を設けたい領域に直接レーザー光を照射し、レーザー光のエネルギーで絶縁性樹脂膜２０を部分的に除去する。この場合、絶縁性樹脂膜２０を形成する材料中には感光剤を含有させる必要が無く、光の透過性にも制限が無い。
Next, as shown in FIG. 1C, an opening 30 is provided in a predetermined region in the
次に、図１（ｄ）に示すように、絶縁性樹脂膜２０に設けた開口部３０を埋設するように上記絶縁性樹脂膜２０上にめっき膜４０を形成する。上記めっき膜４０の形成方法としては、公知の方法を用いることが可能であり、電解めっき法または無電解めっき法等の手法を用いることができる。たとえば、電気銅めっきにて絶縁性樹脂膜２０に設けた開口部３０内を銅めっきで充填させる方法等を用いることが可能である。上記めっき膜４０を形成する材料としては、銅、銅合金、４２合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田等が挙げられる。
Next, as shown in FIG. 1D, a
次に、図１（ｅ）に示すように、絶縁性樹脂膜２０上に形成しためっき膜４０を除去した後、絶縁性樹脂膜２０に設けた開口部３０内を埋設するように形成しためっき膜４０上に金属箔を用いて金属配線を形成する（図示せず）。こうすることで、下地基板１０における所定の領域に第１金属パターン５０を形成することができる。なお、絶縁性樹脂膜２０上に形成しためっき膜４０の除去方法としては、化学的機械研磨（ＣＭＰ）装置を用いてめっき膜４０を研磨する手法等が挙げられる。
Next, as shown in FIG. 1 (e), after the
次いで、図１（ｆ）に示すように、下地基板１０上の絶縁性樹脂膜２０を除去する。絶縁性樹脂膜２０の除去方法としては、たとえば、剥離液を用いて上記絶縁性樹脂膜２０を剥離する方法、アッシング処理を行って上記絶縁性樹脂膜２０を除去する方法、アッシング処理を行った後に下地基板１０上に付着している絶縁性樹脂膜２０の残渣を剥離液により除去する方法等が挙げられる。中でも、有機樹脂基板の生産効率を向上させる観点から、剥離液を用いて上記絶縁性樹脂膜２０を剥離する方法を採用することが好ましい。また、上記剥離液の具体例としては、アルキルベンゼンスルホン酸を含む有機スルホン酸系剥離液、モノエタノールアミン等の有機アミンを含む有機アミン系剥離液、水に対して有機アルカリやフッ素系化合物等を混合した水系レジスト剥離液等が挙げられる。
Next, as shown in FIG. 1F, the insulating
（有機樹脂膜形成工程および研磨工程）
本実施形態に係る有機樹脂膜形成工程および研磨工程について、図２を参照して説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて、下地基板１０上に形成した第１金属パターン５０を埋設するように上記下地基板１０上の全域に第１有機樹脂膜２００を形成する。なお、有機樹脂膜形成用樹脂組成物の詳細については後述するが、たとえば、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を用いることができる。本実施形態において第１有機樹脂膜２００を形成する方法としては、特に限定されるわけではなく、トランスファー成形法、圧縮成形法、インジェクション成形法、ラミネーション法等が挙げられる。中でも、充填部分を残すことなく第１金属パターン５０を埋設する観点から、トランスファー成形法または圧縮成形法、ラミネーション法により第１有機樹脂膜２００を形成することが好ましい。そのため、有機樹脂膜形成用樹脂組成物の形態は、顆粒状、タブレット状またはシート状に加工されたものであることが好ましい。なお、圧縮成形して第１有機樹脂膜２００を形成する場合には、粉粒状の形態に加工された樹脂組成物を用いてもよい。
(Organic resin film forming process and polishing process)
The organic resin film forming step and polishing step according to this embodiment will be described with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 2A, a
以下、顆粒状に加工された有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて第１有機樹脂膜２００を形成する場合を例に挙げて、有機樹脂膜形成工程を詳説する。
Hereinafter, the organic resin film forming step will be described in detail by taking as an example the case where the first
具体的には、圧縮成形金型の上型と下型の間に、顆粒状の有機樹脂膜形成用樹脂組成物が収容された樹脂材料供給容器を設置する。次いで、第１金属パターン５０を有する下地基板１０を、クランプ、吸着のような固定手段により圧縮成型金型の上型と下型の一方に固定する。以下では、下地基板１０上に形成した第１金属パターン５０を有する面が樹脂材料供給容器に対面するように圧縮成型金型の上型に固定した場合を例に挙げて説明する。
Specifically, a resin material supply container in which a granular resin composition for forming an organic resin film is accommodated is installed between an upper mold and a lower mold of a compression molding mold. Next, the
まず、減圧下、金型の上型と下型の間隔を狭めながら、樹脂材料供給容器の底面を構成するシャッター等の樹脂材料供給機構により、秤量された顆粒状の有機樹脂膜形成用樹脂組成物を下型が備える下型キャビティ内へ供給する。これにより、顆粒状の有機樹脂膜形成用樹脂組成物は、下型キャビティ内で所定温度に加熱され、溶融状態となる。次いで、金型の上型と下型を結合させることにより、溶融状態の有機樹脂膜形成用樹脂組成物を上型に固定された下地基板１０に対して押し当てる。こうすることで、第１金属パターン５０を有機樹脂膜形成用樹脂組成物で埋めることができるとともに、下地基板１０において第１金属パターン５０を形成した面を溶融状態の有機樹脂膜形成用樹脂組成物で覆うことができる。その後、金型の上型と下型を結合させた状態を保持しながら、有機樹脂膜形成用樹脂組成物を硬化させる。
First, the resin composition for forming a granular organic resin film weighed by a resin material supply mechanism such as a shutter constituting the bottom surface of the resin material supply container while reducing the space between the upper mold and the lower mold of the mold under reduced pressure. An object is supplied into a lower mold cavity provided in the lower mold. Thereby, the granular resin composition for forming an organic resin film is heated to a predetermined temperature in the lower mold cavity to be in a molten state. Next, the upper mold and the lower mold of the mold are combined to press the molten organic resin film-forming resin composition against the
ここで、圧縮成形を行う場合には、金型内を減圧下にしながら樹脂封止を行うことが好ましく、真空条件下であるとさらに好ましい。こうすることで、充填部分を残すことなく第１金属パターン５０を有機樹脂膜形成用樹脂組成物で埋設することができる。
Here, when performing compression molding, it is preferable to perform resin sealing while reducing the pressure inside the mold, and it is more preferable to be under vacuum conditions. By carrying out like this, the
圧縮成形における成形温度は、特に限定されるわけではないが、５０〜２００℃が好ましく、８０〜１８０℃が特に好ましい。また、成形圧力は、特に限定されるわけではないが、０．５〜１２ＭＰａであることが好ましく、１〜１０ＭＰａが特に好ましい。さらに、成形時間は３０秒〜１５分であることが好ましく、１〜１０分が特に好ましい。成形温度、圧力、時間を上記範囲とすることで、溶融状態の有機樹脂膜形成用樹脂組成物が充填されない部分が発生することを防止することができる。 The molding temperature in compression molding is not particularly limited, but is preferably 50 to 200 ° C, particularly preferably 80 to 180 ° C. The molding pressure is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 12 MPa, and particularly preferably 1 to 10 MPa. Furthermore, the molding time is preferably 30 seconds to 15 minutes, and particularly preferably 1 to 10 minutes. By setting the molding temperature, pressure, and time within the above ranges, it is possible to prevent the occurrence of a portion that is not filled with the molten resin composition for forming an organic resin film.
また、上記方法により得られる第１有機樹脂膜２００のガラス転移温度は、好ましくは、１００℃以上２５０℃以下であり、さらに好ましくは、１３０℃以上２２０℃以下である。第１有機樹脂膜２００のガラス転移温度が上記範囲内であると、得られた有機樹脂基板の反りを抑制することができる。
Moreover, the glass transition temperature of the first
次いで、図２（ｂ）に示すように、第１有機樹脂膜２００の全面を研磨して第１金属パターン５０の上面を露出させる。上述した第１有機樹脂膜２００の全面を研磨する方法としては、化学的機械研磨（ＣＭＰ）装置を用いてめっき膜４０を研磨する手法等が挙げられる。また、ＣＭＰ装置を用いてめっき膜４０を研磨する場合、使用する研磨剤に含まれる砥粒や添加剤の種類、ＣＭＰ装置に備わる研磨パッドの材質や硬度等の条件を最適化することにより、第１有機樹脂膜２００の表面の平坦性を向上させることができる。
Next, as shown in FIG. 2B, the entire surface of the first
（導体部形成工程）
本実施形態に係る導体部形成工程について、図３を参照して説明する。本製造方法における導体部としては、金属配線、金属パッドまたは半田バンプ等が挙げられる。以下、導体部として金属パッドを採用する場合を例に挙げて、導体部形成工程を詳説する。
まず、図３（ａ）に示すように、露出した第１金属パターン５０の上面を覆うように、第１有機樹脂膜２００および第１金属パターン５０上に、絶縁性樹脂膜２１０を積層する。なお、上述した絶縁性樹脂膜２１０を形成する材料は、図１（ｂ）を参照して説明した絶縁性樹脂膜２０を形成する材料と同じ材料を用いることができる。
(Conductor formation process)
The conductor part formation process which concerns on this embodiment is demonstrated with reference to FIG. As a conductor part in this manufacturing method, metal wiring, a metal pad, or a solder bump is mentioned. Hereinafter, taking the case where a metal pad is employed as the conductor part as an example, the conductor part forming step will be described in detail.
First, as shown in FIG. 3A, an insulating
次に、図３（ｂ）に示すように、第１金属パターン５０の一部を露出させるように、絶縁性樹脂膜２１０における所定の領域に開口部２２０を設ける。なお、開口部２２０の形成方法は、図１（ｃ）を参照して説明した開口部３０の形成方法と同様の方法を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 3B, an
次いで、図３（ｃ）に示すように、絶縁性樹脂膜２１０に設けた開口部２２０を埋設するように、第１導体部２３０を形成する。具体的には、絶縁性樹脂膜２１０に設けた開口部２２０内を、導電性材料を用いて埋設することにより、上記開口部２２０内に露出した第１金属パターン５０中の金属配線と接触するように第１導体部２３０を形成する。ここで、上記導電性材料としては、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金等の各種金属および各種合金が挙げられる。中でも、有機樹脂基板の電気的特性を良好なものとする観点から、上記導電性材料としては、銅あるいは銅系合金を用いることが好ましい。
Next, as illustrated in FIG. 3C, the
次いで、図３（ｄ）に示すように、絶縁性樹脂膜２１０を除去する。絶縁性樹脂膜２１０の除去方法としては、上述において図１（ｆ）を参照して説明した方法と同様の方法を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 3D, the insulating
次に、図３（ｅ）に示すように、有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて、第１有機樹脂膜２００および第１金属パターン５０上に、第１導体部２３０を埋設するように第２有機樹脂膜３００を形成する。第２有機樹脂膜３００の形成方法は、上述において図２（ａ）を参照して説明した方法と同様の方法を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 3 (e), the
その後、図３（ｆ）に示すように、第２有機樹脂膜３００の全面を研磨して第１導体部２３０の上面を露出させる。上述した第２有機樹脂膜３００の全面を研磨する方法としては、化学的機械研磨（ＣＭＰ）装置を用いてめっき膜４０を研磨する手法等が挙げられる。
Thereafter, as shown in FIG. 3F, the entire surface of the second
次いで、図３（ｇ）に示すように、下地基板１０を分離して選択的に除去することにより、２層構造の有機樹脂基板１０００を得ることができる。なお、上述した選択的に除去するとは、下地基板１０の一部又は全部を除去することを指す。酸性液やアルカリ性液を用いて化学的にエッチングする方法、物理的に研磨する方法、物理的に剥離する方法、プラズマ照射法、レーザーアブレーション法等の手法を採用することができる。中でも、酸性液やアルカリ性液を用いて化学的にエッチング除去する方法が好適である。なお、このとき使用する上記酸性液の具体例としては、混酸、塩化第二鉄水溶液等が挙げられる。
Next, as shown in FIG. 3G, the
以下、本製造方法により奏する作用効果について説明する。
本製造方法によれば、従来の製造プロセスと比べて、電気的接続性に優れ、かつ小型化された半導体装置の製造に使用可能な有機樹脂基板を歩留りよく製造できる。また、本製造方法によれば、金属パターンや導電部の形成に用いる材料の使用量を低減できるため、従来の製造プロセスと比べて、製造コストを低減することができる。くわえて、本製造方法によれば、有機樹脂膜の耐久性を向上させることが可能であるため、従来の製造プロセスと比べて、機械的強度に優れた配線基板を作製することができる。
また、本製造方法により作製した有機樹脂基板を使用した半導体装置は、信頼性に優れたものとすることができる。
Hereinafter, the operation and effects achieved by the present manufacturing method will be described.
According to this manufacturing method, an organic resin substrate that is excellent in electrical connectivity and usable for manufacturing a miniaturized semiconductor device can be manufactured with a high yield as compared with a conventional manufacturing process. Moreover, according to this manufacturing method, since the usage-amount of the material used for formation of a metal pattern or an electroconductive part can be reduced, manufacturing cost can be reduced compared with the conventional manufacturing process. In addition, according to the present manufacturing method, it is possible to improve the durability of the organic resin film, and therefore, it is possible to manufacture a wiring board having excellent mechanical strength as compared with a conventional manufacturing process.
In addition, a semiconductor device using an organic resin substrate manufactured by this manufacturing method can be excellent in reliability.
［第２の実施形態］
本実施形態は、多層配線基板の製造方法に係るものである。この製造方法は、図３（ｆ）に示した第１有機樹脂膜２００、第１金属パターン５０、第２有機樹脂膜３００および第１導体部２３０からなる有機樹脂基板１０００を下地基板１０上に形成した構造体から出発して多層配線基板を製造するものである。具体的には、本実施形態に係る製造方法は、図３（ｆ）に示した構造体上に、第１の実施形態において上述した方法と同様の方法で第２金属パターン３５０、第３有機樹脂膜４００、第２導体部４５０および第４有機樹脂膜５００をこの順で形成するものである。本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
[Second Embodiment]
The present embodiment relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board. In this manufacturing method, the
以下、本実施形態に係る製造方法について、図４を参照して説明する。なお、４層構造の有機樹脂基板１２００の製造方法について後述するが、本実施形態に係る製造方法は、４層構造の多層配線基板に限定されるものではない。
Hereinafter, the manufacturing method according to the present embodiment will be described with reference to FIG. Although a method for manufacturing the
まず、図４（ａ）に示すように、図３（ｆ）に示した構造体上に第２金属パターン３５０を形成する。なお、第２金属パターン３５０の形成方法は、図１を参照して説明した第１金属パターン５０の形成方法と同様の方法を採用することができる。
First, as shown in FIG. 4A, a
次に、図４（ｂ）に示すように、有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて、第２金属パターン３５０を埋設するように図３（ｆ）に示した構造体上における下地基板１０を有する面とは反対側の表面全域に第３有機樹脂膜４００を形成する。第３有機樹脂膜４００の形成方法は、図２（ａ）を参照して説明した第１有機樹脂膜２００の形成方法と同様の方法を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 4 (b), the
次に、図４（ｃ）に示すように、第２金属パターン３５０中の金属配線と接触するように第２導体部４５０を形成する。第２導体部４５０の形成方法は、図３（ａ）〜（ｃ）を参照して説明した第１導体部２３０の形成方法と同様の方法を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 4C, the
次いで、図４（ｄ）に示すように、有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて、第３有機樹脂膜４００および第２金属パターン３５０上に、第２導体部４５０を埋設するように第４有機樹脂膜５００を形成する。第４有機樹脂膜５００の形成方法は、図２（ａ）を参照して説明した第１有機樹脂膜２００の形成方法と同様の方法を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 4D, the
その後、図４（ｅ）に示すように、下地基板１０を分離して除去することにより、４層構造の有機樹脂基板１２００を得ることができる。なお、４層構造よりも多層構造からなる有機樹脂基板を製造する場合には、図４（ｄ）に示す構造体上に図１〜３を参照して説明した方法と同様の方法で各層に金属パターン、導体部および有機樹脂膜を形成すればよい。
Thereafter, as shown in FIG. 4E, by separating and removing the
［第３の実施形態］
本実施形態は、半導体装置の製造方法に係るものである。この製造方法について、図５を参照して説明する。以下、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図４（ｅ）に示した有機樹脂基板１２００から出発して半導体装置を製造する場合を例に挙げて説明する。本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
[Third Embodiment]
The present embodiment relates to a method for manufacturing a semiconductor device. This manufacturing method will be described with reference to FIG. Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment will be described by taking as an example a case where a semiconductor device is manufactured starting from the
まず、図５（ａ）に示すように、有機樹脂基板１２００上に露出した第２導体部４５０に半田バンプ６００の端部を溶融して融着させる。
First, as shown in FIG. 5A, the end portion of the
次に、図５（ｂ）に示すように、半田バンプ６００を介して半導体素子６５０を有機樹脂基板１２００上に配設し、固定する。また、有機樹脂基板１２００上には、半導体素子６５０に加えて、たとえば抵抗や容量として機能する電子部品などがさらに配設されていてもよい。上記半導体素子６５０としては、半導体ウエハから切り出されたＬＳＩチップ等を用いることができる。また、有機樹脂基板１２００上に露出した第２導体部４５０と半導体素子６５０の接続パッドとは、半田バンプ６００によって電気的に接続されている。また、第２導体部４５０と半導体素子６５０の接続パッドとの電気接続は、半田バンプ６００の代わりに、ボンディングワイヤやリード線を用いて行ってもよい。
Next, as shown in FIG. 5B, the
次いで、図５（ｃ）に示すように、有機樹脂基板１２００の上面、半田バンプ６００、および半導体素子６５０において上記半田バンプ６００と接続された面を覆うように、封止樹脂７００を用いてモールドする。かかる封止樹脂７００としては、たとえば、エポキシを含む樹脂組成物等を用いることができる。封止樹脂７００でモールドする方法としては、トランスファー成形法、射出成形法、転写法、塗布法などを用いることができる。封止樹脂をたとえば１５０℃以上２００℃以下で加熱することにより硬化させる。こうすることで、本実施形態に係る半導体装置１４００を製造することができる。
Next, as shown in FIG. 5C, the molding is performed using the sealing
［第４の実施形態］
本実施形態は、有機樹脂基板の製造方法に係るものである。この製造方法は、第１金属パターン５０を形成する方法が第１の実施形態と異なる。具体的には、本製造方法は、下地基板１０上に第１金属膜１１０を形成した後、形成した第１金属膜１１０における所定の領域を残すように、上記第１金属膜１１０を選択的に除去して第１金属パターン５０を形成する方法を採用する点で第１の実施形態と異なる。ただし、本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本製造方法によれば、金属パターンの製造工程を簡略化できるため、有機樹脂基板の製造効率を向上することも可能である。なお、本製造方法は、多層配線基板を作製する場合においても用いることができる。
[Fourth Embodiment]
The present embodiment relates to a method for manufacturing an organic resin substrate. This manufacturing method is different from the first embodiment in the method of forming the
本製造方法に係る金属パターン形成工程について、図６を参照して説明する。
まず、図６（ａ）に示すように、下地基板１０を準備する。ここで、準備する下地基板１０は、第１の実施形態と同様の基板であればよい。次に、図６（ｂ）に示すように、下地基板１０上に第１金属膜１１０を積層する。次いで、図６（ｃ）に示すように、下地基板１０上に形成した第１金属膜１１０を選択的に除去する。その後、下地基板１０上に残存している第１金属膜１１０上に金属配線を形成することにより、第１金属パターン５０を形成することができる。
The metal pattern forming process according to this manufacturing method will be described with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 6A, a
［第５の実施形態］
本実施形態は、有機樹脂基板の製造方法に係るものである。この製造方法は、以下の４つの工程をこの順に含むものである。第１の工程は、下地基板上に第１金属パターンを形成する工程である（以下、第１金属パターン形成工程と示す。）。第２の工程は、第１金属パターン中の金属配線と接触するように導体部を形成する工程である（以下、導体部形成工程と示す。）。第３の工程は、第１金属パターンおよび第１導体部を埋設する第１有機樹脂膜である（以下、有機樹脂膜形成工程と示す。）。第４の工程は、第１有機樹脂膜の全面を研磨して第１導体部の上面を露出させる工程である（以下、研磨工程と示す。）。かかる製造方法は、第１金属パターンと第１導体部とを形成した後に第１有機樹脂膜を形成するという点で第１の実施形態と異なる。ただし、本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態に係る製造方法によれば、第１金属パターンと第１導体部とを、有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて一体的に覆うことができるため、有機樹脂基板の機械的強度を向上させることも可能である。
[Fifth Embodiment]
The present embodiment relates to a method for manufacturing an organic resin substrate. This manufacturing method includes the following four steps in this order. The first step is a step of forming a first metal pattern on the base substrate (hereinafter referred to as a first metal pattern forming step). A 2nd process is a process of forming a conductor part so that it may contact with the metal wiring in a 1st metal pattern (henceforth a conductor part formation process). A 3rd process is the 1st organic resin film which embeds the 1st metal pattern and the 1st conductor part (henceforth an organic resin film formation process). The fourth step is a step of polishing the entire surface of the first organic resin film to expose the upper surface of the first conductor portion (hereinafter referred to as a polishing step). Such a manufacturing method is different from the first embodiment in that the first organic resin film is formed after the first metal pattern and the first conductor portion are formed. However, also in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Moreover, according to the manufacturing method which concerns on this embodiment, since a 1st metal pattern and a 1st conductor part can be integrally covered using the resin composition for organic resin film formation, the machine of an organic resin board | substrate It is also possible to improve the mechanical strength.
本製造方法について、図７を参照して詳説する。なお、図７は、本実施形態に係る有機樹脂基板の製造方法の一例を説明するための図である。 This manufacturing method will be described in detail with reference to FIG. In addition, FIG. 7 is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the organic resin board | substrate which concerns on this embodiment.
まず、図７（ａ）に示すように、下地基板１０上に積層した絶縁性樹脂膜２０における所定の領域に設けた開口部内を埋設するように第１金属パターン５０を形成する。かかる第１金属パターン５０の形成方法は、第１金属パターン５０を形成した後に絶縁性樹脂膜２０を除去せずに残すという点を除いて、図１を参照して説明した方法と同様の方法を用いることができる。
First, as shown in FIG. 7A, the
次に、図７（ｂ）に示すように、露出した第１金属パターン５０中の金属配線と接触するように絶縁性樹脂膜２１０における所定の領域に設けた開口部内を埋設した第１導体部２３０を形成する。かかる第１導体部２３０の形成方法は、第１導体部２３０を形成した後に絶縁性樹脂膜２１０を除去せずに残すという点を除いて、図３を参照して説明した方法と同様の方法を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 7B, the first conductor portion in which an opening provided in a predetermined region in the insulating
次に、図７（ｃ）に示すように、絶縁性樹脂膜２０および２１０を除去する。絶縁性樹脂膜２０および２１０の除去方法は、図１（ｆ）を参照して説明した絶縁性樹脂膜２０の除去方法と同様の方法を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 7C, the insulating
次いで、図７（ｄ）に示すように、有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて、第１金属パターン５０および第１導体部２３０のそれぞれを埋設するように有機樹脂膜１７０を形成する。こうすることで、第１金属パターン５０と第１導体部２３０とを、有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて一体的に覆うことができる。なお、有機樹脂膜１７０の形成方法は、図２（ａ）を参照して説明した第１有機樹脂膜２００の形成方法と同様の方法を用いることができる。
Next, as illustrated in FIG. 7D, an
その後、図７（ｅ）に示すように、有機樹脂膜１７０の全面を研磨して第１導体部２３０の上面を露出させた後、図７（ｆ）に示すように、下地基板１０を分離して除去することにより、２層構造の有機樹脂基板１１００を得ることができる。
Thereafter, as shown in FIG. 7E, the entire surface of the
［第６の実施形態］
本実施形態は、多層配線基板の製造方法に係るものである。この製造方法は、図７（ｅ）に示した有機樹脂膜１７０、第１金属パターン５０および第１導体部２３０からなる有機樹脂基板１１００を下地基板１０上に形成した構造体から出発して上記構造体上に、第５の実施形態において上述した方法と同様の方法で第２金属パターン３５０と第２導体部４５０とを有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて一体的に覆った層を形成した２層構造の有機樹脂基板を製造する方法であるという点で第２の実施形態とは異なる。かかる製造方法を採用した場合においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
[Sixth Embodiment]
The present embodiment relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board. This manufacturing method starts from the structure in which the
［第７の実施形態］
本実施形態は、半導体装置の製造方法に係るものである。この製造方法について、図８を参照して説明する。以下、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図４（ｅ）に示した有機樹脂基板１２００から出発して半導体装置を製造する場合を例に挙げて説明する。ただし、本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
[Seventh Embodiment]
The present embodiment relates to a method for manufacturing a semiconductor device. This manufacturing method will be described with reference to FIG. Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment will be described by taking as an example a case where a semiconductor device is manufactured starting from the
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、有機樹脂基板１２００の第１金属パターン５０に半田バンプ６００を介して半導体素子６５０を配設する点で第３の実施形態と異なる。具体的には、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、まず、図８（ａ）に示すように、有機樹脂基板１２００上に露出した第１金属パターン５０に半田バンプ６００の端部を溶融して融着させる。次に、図８（ｂ）に示すように、半田バンプ６００を介して半導体素子６５０を有機樹脂基板１２００上に配設し、固定する。次いで、図８（ｃ）に示すように、有機樹脂基板１２００の下面、半田バンプ６００、および半導体素子６５０において上記半田バンプ６００と接続された面を覆うように、封止樹脂７００を用いてモールドする。こうすることで、本実施形態に係る半導体装置１５００を製造することができる。
The manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment is different from the third embodiment in that the
［有機樹脂基板の製造プロセスに用いる材料］
以下、絶縁性樹脂膜２０または２１０を形成する材料と、有機樹脂膜形成用樹脂組成物の構成について説明する。
[Materials used in organic resin substrate manufacturing processes]
Hereinafter, the material for forming the insulating
＜絶縁性樹脂膜２０または２１０を形成する材料＞
絶縁性樹脂膜２０または２１０を形成する材料としては、めっきレジストに使用される公知の材料を用いることができるが、たとえば、フォトレジスト、レジストインキ、ドライフィルム等の感光性材料が挙げられる。なお、上記感光性樹脂組成物は、ネガ型であってもポジ型であってもよい。
<Material for Forming Insulating
As a material for forming the insulating
＜有機樹脂膜形成用樹脂組成物＞
有機樹脂膜形成用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と、充填材とを含むものであることが好ましい。かかる熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。上記エポキシ樹脂としては、その分子量、分子構造に関係なく、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を使用することが可能である。このようなエポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートなどの複素環式エポキシ樹脂；Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジルメタキシレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリンなどのグリシジルアミン類や、グリシジル（メタ）アクリレートとエチレン性不飽和二重結合を有する化合物との共重合物、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、ビスフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のグリシジルエーテル化物から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、金属パターンや導体部との密着性を向上させる観点から、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。これにより、有機樹脂基板の低線膨張化および高弾性率化を図ることもできる。また、有機樹脂基板の剛性を向上させて作業性の向上に寄与することや、半導体装置における耐リフロー性の向上および反りの抑制を実現することも可能である。
<Resin composition for forming organic resin film>
The resin composition for forming an organic resin film preferably contains a thermosetting resin and a filler. As such a thermosetting resin, it is preferable to use an epoxy resin. As said epoxy resin, it is possible to use the monomer, oligomer, and polymer in general which have 2 or more of epoxy groups in 1 molecule irrespective of the molecular weight and molecular structure. Specific examples of such an epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin (4 , 4 ′-(1,3-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol P type epoxy resin (4,4 ′-(1,4-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol Bisphenol type epoxy resins such as Z type epoxy resin (4,4′-cyclohexyldiene bisphenol type epoxy resin); phenol novolak type epoxy resin, brominated phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, Novolak type epoxy resins such as laphenol group ethane type novolak type epoxy resins and novolak type epoxy resins having a condensed ring aromatic hydrocarbon structure; biphenyl type epoxy resins; aralkyl type epoxies such as xylylene type epoxy resins and biphenyl aralkyl type epoxy resins Resin: Naphthalene skeleton such as naphthylene ether type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthalene diol type epoxy resin, bifunctional or tetrafunctional epoxy type naphthalene resin, binaphthyl type epoxy resin, naphthalene aralkyl type epoxy resin Epoxy resin; anthracene epoxy resin; phenoxy epoxy resin; dicyclopentadiene epoxy resin; norbornene epoxy resin; adamantane epoxy resin Fluorene type epoxy resin, phosphorus-containing epoxy resin, alicyclic epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy Resins, heterocyclic epoxy resins such as triglycidyl isocyanurate; N, N, N ′, N′-tetraglycidylmetaxylenediamine, N, N, N ′, N′-tetraglycidylbisaminomethylcyclohexane, N, N -Glycidylamines such as diglycidylaniline, copolymers of glycidyl (meth) acrylate and compounds having an ethylenically unsaturated double bond, epoxy resins having a butadiene structure, diglycidyl etherified products of bisphenol, naphthalenediol Glycidyl ethers, can include one or more selected from glycidyl ethers of phenols. Among these, it is more preferable to include a trihydroxyphenylmethane type epoxy resin and a biphenyl type epoxy resin from the viewpoint of improving the adhesion with a metal pattern or a conductor part. Thereby, low linear expansion and high elastic modulus of the organic resin substrate can be achieved. It is also possible to improve the workability by improving the rigidity of the organic resin substrate, and to improve the reflow resistance and suppress the warpage of the semiconductor device.
エポキシ樹脂の含有量は、たとえば有機樹脂膜形成用樹脂組成物の全固形分に対して３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。エポキシ樹脂の含有量を上記下限値以上とすることにより、有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて形成される有機樹脂膜と金属パターン、および導電体との密着性の向上に寄与することができる。一方で、エポキシ樹脂の含有量は、たとえば有機樹脂膜形成用樹脂組成物の全固形分に対して３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。エポキシ樹脂の含有量を上記上限値以下とすることにより、有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて形成される有機樹脂膜の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。なお、有機樹脂膜形成用樹脂組成物の全固形分とは、有機樹脂膜形成用樹脂組成物中に含まれる溶剤を除く成分全体を指す。以下、本明細書において同様である。 The content of the epoxy resin is, for example, preferably 3% by mass or more, and more preferably 5% by mass or more with respect to the total solid content of the resin composition for forming an organic resin film. By making the content of the epoxy resin more than the above lower limit value, it contributes to the improvement of the adhesion between the organic resin film formed using the organic resin film forming resin composition, the metal pattern, and the conductor. it can. On the other hand, the content of the epoxy resin is, for example, preferably 30% by mass or less, and more preferably 20% by mass or less, based on the total solid content of the resin composition for forming an organic resin film. By making content of an epoxy resin below the said upper limit, the heat resistance and moisture resistance of the organic resin film formed using the resin composition for organic resin film formation can be aimed at. In addition, the total solid content of the resin composition for forming an organic resin film refers to the entire component excluding the solvent contained in the resin composition for forming an organic resin film. The same applies hereinafter.
また、上記有機樹脂膜形成用樹脂組成物には、硬化剤を含有させてもよい。具体的には、上記硬化剤として、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２〜２０の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、４，４'−ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１，５−ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミノ類；アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂；ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物等；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。また、これらの内、信頼性等の点から、１分子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましく、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂等が例示される。 Moreover, you may make the said resin composition for organic resin film formation contain a hardening | curing agent. Specifically, as the curing agent, a linear aliphatic diamine having 2 to 20 carbon atoms such as ethylenediamine, trimethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, paraxylenediamine, 4 , 4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodicyclohexane, bis (4-aminophenyl) phenyl Amino such as methane, 1,5-diaminonaphthalene, metaxylenediamine, paraxylenediamine, 1,1-bis (4-aminophenyl) cyclohexane, dicyanodiamide; resole such as aniline-modified resole resin and dimethyl ether resole resin Phenol resins: Novolak type phenol resins such as phenol novolak resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, nonylphenol novolak resin; Phenol aralkyl resins such as phenylene skeleton-containing phenol aralkyl resin and biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl resin; Phenolic resins having a condensed polycyclic structure such as a skeleton; polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene; alicyclic acid anhydrides such as hexahydrophthalic anhydride (HHPA) and methyltetrahydrophthalic anhydride (MTHPA), trimellitic anhydride Acid anhydrides including aromatic acid anhydrides such as acid (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA), benzophenone tetracarboxylic acid (BTDA), etc .; poly Polymercaptan compounds such as sulfides, thioesters, and thioethers; Isocyanate compounds such as isocyanate prepolymers and blocked isocyanates; Organic acids such as carboxylic acid-containing polyester resins. These may be used alone or in combination of two or more. Of these, compounds having at least two phenolic hydroxyl groups in one molecule are preferable from the viewpoint of reliability and the like, and novolaks such as phenol novolak resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, and nonylphenol novolak resin are preferable. Illustrative examples include type phenol resins; resol type phenol resins; polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene; phenylene skeleton-containing phenol aralkyl resins, biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl resins, and trihydroxyphenylmethane type phenol resins.
上記有機樹脂膜形成用樹脂組成物に含有させてもよい充填材の具体例としては、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ等のシリカ；アルミナ；チタンホワイト；水酸化アルミニウム；タルク；クレー；マイカ；ガラス繊維等が挙げられる。これらの中でも、特に溶融球状シリカが好ましい。また、粒子形状は限りなく真球状であることが好ましい。また、粒子の大きさの異なるものを混合することにより無機充填量を多くすることができるが、その平均粒子径ｄ５０としては、金型キャビティ内での金属パターン周辺への充填性を考慮すると０．１μｍ以上２０μｍ以下であることが望ましい。
なお、充填材の平均粒子径ｄ５０は、たとえばレーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）を用いて測定することが可能である。
Specific examples of the filler that may be contained in the resin composition for forming an organic resin film include silica such as fused crushed silica, fused spherical silica, crystalline silica, and secondary agglomerated silica; alumina; titanium white; aluminum hydroxide Talc; clay; mica; glass fiber and the like. Among these, fused spherical silica is particularly preferable. Further, the particle shape is preferably infinitely spherical. In addition, although the inorganic filling amount can be increased by mixing particles having different particle sizes, the average particle diameter d50 is 0 in consideration of filling properties around the metal pattern in the mold cavity. It is desirable that it is 1 μm or more and 20 μm or less.
The average particle diameter d50 of the filler can be measured using, for example, a laser diffraction particle size distribution measuring device (LA-500, manufactured by HORIBA).
有機樹脂膜形成用樹脂組成物は、たとえばシアネート樹脂を含むことができる。これにより、有機樹脂膜について、低線膨張化や、弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、得られる半導体装置の耐熱性や耐湿性の向上に寄与することも可能である。
シアネート樹脂は、たとえばノボラック型シアネート樹脂；ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂；ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂；ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂；ビフェニルアルキル型シアネート樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、有機樹脂膜の低線膨張化や、弾性率および剛性を向上させる観点からは、ノボラック型シアネート樹脂およびナフトールアラルキル型シアネート樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましく、ノボラック型シアネート樹脂を含むことがとくに好ましい。
The resin composition for forming an organic resin film can contain, for example, a cyanate resin. Thereby, about an organic resin film, a low linear expansion and an improvement of an elasticity modulus and rigidity can be aimed at. It is also possible to contribute to improvement of heat resistance and moisture resistance of the obtained semiconductor device.
The cyanate resin is, for example, a novolak type cyanate resin; a bisphenol type cyanate resin such as a bisphenol A type cyanate resin, a bisphenol E type cyanate resin, or a tetramethylbisphenol F type cyanate resin; a reaction of a naphthol aralkyl type phenol resin with a cyanogen halide. The resulting naphthol aralkyl-type cyanate resin; dicyclopentadiene-type cyanate resin; one or more selected from biphenylalkyl-type cyanate resins can be included. Among these, from the viewpoint of reducing the linear expansion of the organic resin film and improving the elastic modulus and rigidity, it is more preferable to include at least one of a novolak type cyanate resin and a naphthol aralkyl type cyanate resin. It is particularly preferable to include a resin.
シアネート樹脂の含有量は、たとえば有機樹脂膜形成用樹脂組成物の全固形分に対して３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。シアネート樹脂の含有量を上記下限値以上とすることにより、有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて形成される有機樹脂膜のより効果的な低線膨張化、高弾性率化を図ることができる。また、有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて形成される有機樹脂膜と金属パターン、および導電体との密着性の向上に寄与することができる。一方で、シアネート樹脂の含有量は、たとえば有機樹脂膜形成用樹脂組成物の全固形分に対して３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。シアネート樹脂の含有量を上記上限値以下とすることにより、有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて形成される有機樹脂膜の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。 The content of the cyanate resin is, for example, preferably 3% by mass or more, and more preferably 5% by mass or more with respect to the total solid content of the resin composition for forming an organic resin film. By setting the content of cyanate resin to the above lower limit value or more, it is possible to achieve more effective low linear expansion and higher elastic modulus of the organic resin film formed using the resin composition for forming an organic resin film. it can. Moreover, it can contribute to the improvement of the adhesiveness of the organic resin film formed using the resin composition for organic resin film formation, a metal pattern, and a conductor. On the other hand, the content of the cyanate resin is, for example, preferably 30% by mass or less, and more preferably 20% by mass or less, based on the total solid content of the resin composition for forming an organic resin film. By making content of cyanate resin below the said upper limit, the heat resistance and moisture resistance of an organic resin film formed using the resin composition for organic resin film formation can be aimed at.
上記有機樹脂膜形成用樹脂組成物には、硬化促進剤を含有させてもよい。この硬化促進剤は、エポキシ基と硬化剤との硬化反応を促進させるものであればよい。具体的には、上記硬化促進剤として、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体；トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物；２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート；ベンゾキノンをアダクトしたトリフェニルホスフィン等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。より好ましいものとしては、顆粒状の有機樹脂膜形成用樹脂組成物が金型キャビティ内で溶融した後の急激な増粘が少ない潜伏性を有する硬化促進剤が挙げられる。 The organic resin film-forming resin composition may contain a curing accelerator. This hardening accelerator should just be what accelerates | stimulates the hardening reaction of an epoxy group and a hardening | curing agent. Specifically, as the curing accelerator, diazabicycloalkenes such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 and derivatives thereof; amine compounds such as tributylamine and benzyldimethylamine; Imidazole compounds such as methylimidazole; organic phosphines such as triphenylphosphine and methyldiphenylphosphine; tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium / tetrabenzoic acid borate, tetraphenylphosphonium / tetranaphthoic acid borate, tetraphenylphosphonium・ Tetra-substituted phosphonium, tetra-substituted borate such as tetranaphthoyloxyborate, tetraphenylphosphonium, tetranaphthyloxyborate, etc .; Triads adducted with benzoquinone E sulfonyl phosphine, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. More preferable is a curing accelerator having a latent property with little rapid thickening after the granular organic resin film-forming resin composition is melted in the mold cavity.
上記有機樹脂膜形成用樹脂組成物には、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、着色剤、離型剤、低応力剤、感光剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を添加してもよい。カップリング剤としては、たとえばエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランカップリング剤、フェニルアミノプロピルトリメトキシシランカップリング剤、メルカプトシランカップリング剤などのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤などが挙げられる。レベリング剤としては、アクリル系共重合物等が挙げられる。着色剤としては、カーボンブラック等が挙げられる。離型剤としては、天然ワックス、モンタン酸エステル等の合成ワックス、高級脂肪酸もしくはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等が挙げられる。低応力剤としては、シリコーンオイル、シリコーンゴム等が挙げられる。イオン捕捉剤としては、ハイドロタルサイト等が挙げられる。難燃剤としては、水酸化アルミニウム等が挙げられる。 In addition to the above components, the organic resin film-forming resin composition includes a coupling agent, a leveling agent, a colorant, a release agent, a low stress agent, a photosensitizer, an antifoaming agent, and an ultraviolet absorber as necessary. One or more additives selected from foaming agents, antioxidants, flame retardants, ion scavengers and the like may be added. Examples of coupling agents include epoxy silane coupling agents, cationic silane coupling agents, aminosilane coupling agents, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane coupling agents, phenylaminopropyltrimethoxysilane coupling agents, and mercaptosilanes. Examples thereof include silane coupling agents such as coupling agents, titanate coupling agents, and silicone oil type coupling agents. Examples of the leveling agent include acrylic copolymers. Examples of the colorant include carbon black. Examples of the release agent include natural waxes, synthetic waxes such as montanic acid esters, higher fatty acids or metal salts thereof, paraffin, polyethylene oxide and the like. Examples of the low stress agent include silicone oil and silicone rubber. Examples of the ion scavenger include hydrotalcite. Examples of the flame retardant include aluminum hydroxide.
有機樹脂膜形成用樹脂組成物の形態は、上述したように、顆粒状、タブレット状またはシート状に加工されたものであることが好ましい。
上述した顆粒状の樹脂組成物を得る方法としては、例えば、複数の小孔を有する円筒状外周部と円盤状の底面から構成される回転子の内側に、溶融混練された樹脂組成物を供給し、その樹脂組成物を、回転子を回転させて得られる遠心力によって小孔を通過させて得る方法（以下、「遠心製粉法」とも言う。）；各原料成分をミキサーで予備混合後、ロール、ニーダー又は押出機等の混練機により加熱混練後、冷却、粉砕工程を経て粉砕物としたものを、篩を用いて粗粒と微紛の除去を行って得る方法（以下、「粉砕篩分法」とも言う。）；各原料成分をミキサーで予備混合後、スクリュー先端部に小径を複数配置したダイを設置した押出機を用いて、加熱混練を行うとともに、ダイに配置された小孔からストランド状に押し出されてくる溶融樹脂をダイ面に略平行に摺動回転するカッターで切断して得る方法（以下、「ホットカット法」とも言う。）等が挙げられる。いずれの方法でも混練条件、遠心条件、篩分条件、切断条件等を選ぶことにより、所望の粒度分布や顆粒密度を得ることができる。特に好ましい製法としては、遠心製粉法であり、これにより得られる顆粒状の樹脂組成物は、所望の粒度分布や顆粒密度を安定して発現させることができるため、搬送路上での搬送性や固着防止の点で好ましい。また、遠心製粉法では、粒子表面をある程度滑らかにすることができるため、粒子同士が引っかかったり、搬送路面との摩擦抵抗が大きくなったりすることもなく、搬送路への供給口でのブリッジ（詰まり）の防止、搬送路上での滞留の防止の点でも好ましい。また、遠心製粉法では、溶融した状態から遠心力を用いて形成させるため、粒子内に空隙がある程度含まれた状態となり、顆粒密度をある程度低くできるため、圧縮成形における搬送性に関して有利である。
As described above, the form of the organic resin film-forming resin composition is preferably processed into a granular shape, a tablet shape, or a sheet shape.
As a method for obtaining the granular resin composition described above, for example, a melt-kneaded resin composition is supplied to the inside of a rotor composed of a cylindrical outer peripheral portion having a plurality of small holes and a disk-shaped bottom surface. The resin composition is obtained by passing through the small holes by centrifugal force obtained by rotating the rotor (hereinafter, also referred to as “centrifugal milling method”); A method obtained by removing coarse particles and fine particles using a sieve after heating and kneading with a kneader such as a roll, kneader or extruder, followed by cooling and pulverization steps (hereinafter referred to as “pulverization sieve”). It is also referred to as “split method.”) After premixing each raw material component with a mixer, the mixture is heated and kneaded using an extruder provided with a die having a plurality of small diameters arranged at the tip of the screw and small holes arranged in the die. The melt is extruded into strands from Methods that may be cut by a cutter substantially parallel to the sliding rotation of the resin to the die surface (hereinafter, also referred to as "hot cut method".), And the like. In any method, desired particle size distribution and granule density can be obtained by selecting kneading conditions, centrifugal conditions, sieving conditions, cutting conditions and the like. A particularly preferable production method is a centrifugal milling method, and the granular resin composition obtained thereby can stably express a desired particle size distribution and granule density. It is preferable in terms of prevention. In addition, in the centrifugal milling method, the particle surface can be smoothed to some extent, so that the particles are not caught and the frictional resistance with the surface of the conveying path does not increase, and the bridge ( This is also preferable in terms of prevention of clogging) and prevention of retention on the conveyance path. Further, the centrifugal milling method is advantageous in terms of transportability in compression molding because the particles are formed using a centrifugal force from a melted state, so that the voids are included in the particles to some extent and the granule density can be lowered to some extent.
一方、粉砕篩分法は、篩分により発生する多量の微粉及び粗粒の処理方法を検討する必要はあるものの、篩分装置等は半導体封止用樹脂組成物の既存製造ラインで使用されているものであるため、従来の製造ラインをそのまま使用できる点で好ましい。また、粉砕篩分法は、粉砕前に溶融樹脂をシート化する際のシート厚の選択、粉砕時の粉砕条件やスクリーンの選択、篩分時の篩の選択等、本発明の粒度分布を発現させるための独立して制御可能な因子が多いため、所望の粒度分布に調整するための手段の選択肢が多い点で好ましい。また、ホットカット法も、例えば、押出機の先端にホットカット機構を付加する程度で、従来の製造ラインをそのまま利用できる点で好ましい。 On the other hand, in the pulverization sieving method, it is necessary to examine a method for treating a large amount of fine powder and coarse particles generated by sieving, but the sieving device and the like are used in existing production lines for semiconductor sealing resin compositions. Therefore, it is preferable in that a conventional production line can be used as it is. The pulverization sieving method expresses the particle size distribution of the present invention, such as selection of sheet thickness when forming a molten resin sheet before pulverization, selection of pulverization conditions and screen during pulverization, selection of sieving during sieving, etc. Since there are many factors that can be controlled independently, it is preferable in that there are many choices of means for adjusting to a desired particle size distribution. The hot cut method is also preferable in that a conventional production line can be used as it is, for example, by adding a hot cut mechanism to the tip of the extruder.
上述したタブレット状の樹脂組成物を得る方法としては、たとえば各原料成分を、ミキサー等の混合機で混合し、さらにロール、ニーダーまたは押出機等の混練機で加熱溶融混練し、冷却した後に粉砕したものをタブレット状に打錠成型して得られる。 As a method of obtaining the tablet-like resin composition described above, for example, each raw material component is mixed with a mixer such as a mixer, and further heated and melt-kneaded with a kneader such as a roll, a kneader or an extruder, cooled and then pulverized It can be obtained by tableting into a tablet.
上述したシート状の樹脂組成物を得る方法としては、例えば各原料成分または事前に各成分を混合した樹脂組成物を有機溶剤等に溶解又は分散したワニスを調整し、フィルム上に塗布・乾燥してシート状に形成する。塗布の方法は特に限定されず、コンマコーターやダイコーターのような塗工機を用いた塗工による方法、ステンシル印刷やグラビア印刷のような印刷による方法などが挙げられる。あるいは、樹脂組成物を直接ニーダー等で混練することにより混練物を調製し、このようにして得られた混練物を押し出してシート状に形成してもよい。 As a method for obtaining the above-described sheet-shaped resin composition, for example, each raw material component or a varnish obtained by dissolving or dispersing a resin composition in which each component is mixed in advance in an organic solvent is prepared, and applied to a film and dried. To form a sheet. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include a coating method using a coating machine such as a comma coater and a die coater, and a printing method such as stencil printing and gravure printing. Alternatively, a kneaded material may be prepared by directly kneading the resin composition with a kneader or the like, and the kneaded material thus obtained may be extruded to form a sheet.
また、上記実施形態では、有機樹脂膜を形成する際に、顆粒状の樹脂組成物を用いて圧縮成形する場合を例に挙げて説明したが、シート状に加工された有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて以下の方法により圧縮成形してもよい。 Moreover, in the said embodiment, when forming the organic resin film, the case where compression molding was performed using the granular resin composition was described as an example, but the resin for forming an organic resin film processed into a sheet shape was described. You may compression-mold by the following methods using a composition.
第１金属パターン５０を形成した下地基板１０を、クランプ、吸着のような固定手段により圧縮成形金型の上型と下型の一方に固定する。以下では、下地基板１０上に形成した第１金属パターン５０を有する面が樹脂材料供給容器に対面するように圧縮成型金型の上型に固定した場合を例に挙げて説明する。
The
次に、金型の上型に固定した下地基板１０上に形成された第１金属パターン５０に対応する位置となるように、金型の下型キャビティ内にシート状の有機樹脂膜形成用樹脂組成物を配置する。次いで、減圧下、金型の上型と下型の間隔を狭めることにより、シート状の有機樹脂膜形成用樹脂組成物は、下型キャビティ内で所定温度に加熱され、溶融状態となる。その後、金型の上型と下型を結合させることにより、溶融状態の有機樹脂膜形成用樹脂組成物を上型に固定された下地基板１０上に形成された第１金属パターン５０に対して押し当てる。こうすることで、第１金属パターン５０を有機樹脂膜形成用樹脂組成物で埋めることができるとともに、下地基板１０において第１金属パターン５０を形成した面を溶融状態の有機樹脂膜形成用樹脂組成物で覆うことができる。その後、金型の上型と下型を結合させた状態を保持しながら、所定時間をかけて有機樹脂膜形成用樹脂組成物を硬化させる。こうすることで、第１有機樹脂膜２００を形成することができる。
Next, a resin for forming a sheet-like organic resin film in the lower mold cavity of the mold so that the position corresponds to the
また、シート状に加工された有機樹脂膜形成用樹脂組成物は例えば以下の方法によりラミネーションすることもできる。
まず、ロール形状で準備したシート状の有機樹脂膜形成用樹脂組成物を、真空加圧式ラミネーターの巻き出し装置に取り付け、巻き取り装置まで接続する。次に、第１金属パターン５０を形成した下地基板１０をダイアフラム（弾性膜）式ラミネーター部まで搬送する。次いで、減圧下、プレスを開始するとシート状の有機樹脂膜形成用樹脂組成物は、所定温度に加熱され、溶融状態となり、その後、溶融状態の有機樹脂膜形成用樹脂組成物を、ダイアフラムを介してプレスすることにより下地基板１０上に形成された第１金属パターン５０に対して押し当てることで、第１金属パターン５０を有機樹脂膜形成用樹脂組成物で埋めることができるとともに、下地基板１０において第１金属パターン５０を形成した面を溶融状態の有機樹脂膜形成用樹脂組成物で覆うことができる。その後、所定時間をかけて有機樹脂膜形成用樹脂組成物を硬化させる。こうすることで、第１有機樹脂膜２００を形成することができる。
なお、有機樹脂膜形成用樹脂組成物に対し、より高精度な平坦性が要求される場合は、ダイアフラム式ラミネーターでのプレスの後に、高精度に調整された平坦プレス装置によるプレス工程を追加して成型することもできる。
Moreover, the resin composition for organic resin film formation processed into the sheet form can also be laminated by the following method, for example.
First, the sheet-shaped resin composition for forming an organic resin film prepared in a roll shape is attached to the unwinding device of a vacuum pressure laminator and connected to the winding device. Next, the
In addition, when more precise flatness is required for the resin composition for forming an organic resin film, a press process using a flat press machine adjusted with high precision is added after pressing with a diaphragm laminator. Can also be molded.
また、第１有機樹脂膜２００を形成する際に、タブレット状に加工された有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて以下の方法によりトランスファー成形してもよい。
Moreover, when forming the 1st
まず、第１金属パターン５０を形成した下地基板１０を設置した成形金型を準備する。ここで準備する成形金型は、タブレット状の有機樹脂膜形成用樹脂組成物を仕込むポットと、その後、圧力をかけて有機樹脂膜形成用樹脂組成物を溶融させるためにポットに挿入する補助ラムを備えたプランジャーと、溶融させた有機樹脂膜形成用樹脂組成物を成形空間内に送り込むスプルーとが設けられているものである。
First, a molding die provided with the
次いで、成形金型を閉じた状態で、ポット内にタブレット状の有機樹脂膜形成用樹脂組成物を仕込む。ここで、ポット内に仕込む有機樹脂膜形成用樹脂組成物の形態は、予め、プレヒーター等によって予熱することにより半溶融の状態にされていてもよい。次に、ポット内に仕込んだ有機樹脂膜形成用樹脂組成物を溶融させるために、有機樹脂膜形成用樹脂組成物に対して、補助ラムを備えたプランジャーをポットに挿入して圧力をかける。その後、溶融した有機樹脂膜形成用樹脂組成物を、スプルーを介して成形空間内に導入する。次に、成形空間内に充填された有機樹脂膜形成用樹脂組成物は、加熱加圧されることにより硬化する。有機樹脂膜形成用樹脂組成物が硬化した後、成形金型を開くことにより、第１金属パターン５０を有機樹脂膜形成用樹脂組成物で埋めることができるとともに、下地基板１０において第１金属パターン５０を形成した面を溶融状態の有機樹脂膜形成用樹脂組成物で覆った第１有機樹脂膜２００を形成することができる。
Next, with the molding die closed, a tablet-like resin composition for forming an organic resin film is charged into the pot. Here, the form of the resin composition for forming an organic resin film charged in the pot may be in a semi-molten state by preheating with a preheater or the like in advance. Next, in order to melt the resin composition for forming an organic resin film charged in the pot, a plunger having an auxiliary ram is inserted into the pot to apply pressure to the resin composition for forming an organic resin film. . Thereafter, the molten resin composition for forming an organic resin film is introduced into the molding space through a sprue. Next, the organic resin film-forming resin composition filled in the molding space is cured by being heated and pressurized. After the resin composition for forming an organic resin film is cured, the
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, these are illustrations of this invention and various structures other than the above are also employable.
以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention, the present invention is not limited to these.
＜実施例１＞
下記表１に示す配合量に従って各成分を配合した有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて、第１および第２の実施形態（図１〜４を参照）で述べた方法で有機樹脂基板を作製した後、第３の実施形態（図５を参照）で述べた方法で半導体装置を作製した。
<Example 1>
Using the resin composition for forming an organic resin film in which the respective components are blended according to the blending amounts shown in Table 1 below, the organic resin substrate is formed by the method described in the first and second embodiments (see FIGS. 1 to 4). After fabrication, a semiconductor device was fabricated by the method described in the third embodiment (see FIG. 5).
上記表１に示した有機樹脂膜形成用樹脂組成物の原料成分の内、シリカ１〜３としては、それぞれ以下の特性を有したものを用いた。
・シリカ１：平均粒子径ｄ５０が４μｍの粒子
・シリカ２：平均粒子径ｄ５０が０．５μｍの粒子
・シリカ３：平均粒子径ｄ５０が１．５μｍの粒子
Among the raw material components of the resin composition for forming an organic resin film shown in Table 1, silicas 1 to 3 each having the following characteristics were used.
Silica 1: Particles having an average particle diameter d50 of 4 μm Silica 2: Particles having an average particle diameter d50 of 0.5 μm
Silica 3: particles having an average particle diameter d50 of 1.5 μm
得られた有機樹脂基板について、電気チェッカーを用いて、有機樹脂基板における各接合点の導通を測定した。その結果、実施例１の有機樹脂基板は、電気的接続性に優れたものであった。また、有機樹脂基板中に形成した有機樹脂膜のガラス転移温度は、１７０℃であった。また、得られた半導体装置は、高温使用時においても上記有機樹脂基板が反ることのない、機械的強度および電気的接続性に優れたものであった。 About the obtained organic resin board | substrate, the electrical conduction of each junction point in an organic resin board | substrate was measured using the electric checker. As a result, the organic resin substrate of Example 1 was excellent in electrical connectivity. The glass transition temperature of the organic resin film formed in the organic resin substrate was 170 ° C. In addition, the obtained semiconductor device was excellent in mechanical strength and electrical connectivity so that the organic resin substrate did not warp even when used at high temperatures.
＜実施例２＞
下記表２に示す配合量に従って各成分を配合した有機樹脂膜形成用樹脂組成物を用いて、第１および第２の実施形態（図１〜４を参照）で述べた方法で有機樹脂基板を作製した後、第３の実施形態（図５を参照）で述べた方法で半導体装置を作製した。なお、下記表２に示したシリカ１〜３は、実施例１と同じものを使用した。
<Example 2>
Using the resin composition for forming an organic resin film in which the respective components are blended according to the blending amounts shown in Table 2 below, the organic resin substrate is formed by the method described in the first and second embodiments (see FIGS. 1 to 4). After fabrication, a semiconductor device was fabricated by the method described in the third embodiment (see FIG. 5). In addition, the silica 1-3 shown in following Table 2 used the same thing as Example 1. FIG.
得られた有機樹脂基板について、電気チェッカーを用いて、有機樹脂基板における各接合点の導通を測定した。その結果、実施例２の有機樹脂基板は、電気的接続性に優れたものであった。また、有機樹脂基板中に形成した有機樹脂膜のガラス転移温度は、１７０℃であった。また、得られた半導体装置は、高温使用時においても上記有機樹脂基板が反ることのない、機械的強度および電気的接続性に優れたものであった。 About the obtained organic resin board | substrate, the electrical conduction of each junction point in an organic resin board | substrate was measured using the electric checker. As a result, the organic resin substrate of Example 2 was excellent in electrical connectivity. The glass transition temperature of the organic resin film formed in the organic resin substrate was 170 ° C. In addition, the obtained semiconductor device was excellent in mechanical strength and electrical connectivity so that the organic resin substrate did not warp even when used at high temperatures.
１０ 下地基板
２０ 絶縁性樹脂膜
３０ 開口部
４０ めっき膜
５０ 第１金属パターン
１１０ 第１金属膜
１７０ 有機樹脂膜
２００ 第１有機樹脂膜
２１０ 絶縁性樹脂膜
２２０ 開口部
２３０ 第１導体部
３００ 第２有機樹脂膜
３５０ 第２金属パターン
４００ 第３有機樹脂膜
４５０ 第２導体部
５００ 第４有機樹脂膜
６００ 半田バンプ
６５０ 半導体素子
７００ 封止樹脂
１０００ 有機樹脂基板
１２００ 有機樹脂基板
１４００ 半導体装置
１５００ 半導体装置
DESCRIPTION OF
本発明によれば、
下地基板上に第１金属パターンを形成する工程と、
前記第１金属パターンを埋設する第１有機樹脂膜を形成する工程と、
前記第１有機樹脂膜の全面を研磨して前記第１金属パターンの上面を露出させる工程と、
露出した前記第１金属パターン中の金属配線と接触するように第１導体部を形成する工程と、
をこの順に含み、
第１有機樹脂膜を形成する前記工程は、
熱硬化性樹脂と、充填材とを含む樹脂組成物を準備する工程と、
前記樹脂組成物を用いて前記第１金属パターンを埋設する工程と、
前記樹脂組成物を硬化させて前記第１有機樹脂膜を形成する工程と、を含み、
前記熱硬化性樹脂は、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン類またはグリシジル（メタ）アクリレートとエチレン性不飽和二重結合を有する化合物との共重合物、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、ビスフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のグリシジルエーテル化物から選択される少なくとも１種を含む、有機樹脂基板の製造方法が提供される。
According to the present invention,
Forming a first metal pattern on the underlying substrate;
Forming a first organic resin film in which the first metal pattern is embedded;
Polishing the entire surface of the first organic resin film to expose the upper surface of the first metal pattern;
Forming a first conductor portion so as to be in contact with the metal wiring in the exposed first metal pattern;
Look at including in this order,
The step of forming the first organic resin film includes:
Preparing a resin composition including a thermosetting resin and a filler;
Burying the first metal pattern using the resin composition;
Curing the resin composition to form the first organic resin film,
The thermosetting resin is bisphenol type epoxy resin, novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, epoxy resin having naphthalene skeleton, anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin , Adamantane type epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, glycidylamines or copolymers of glycidyl (meth) acrylates and compounds with ethylenically unsaturated double bonds, epoxy resins having a butadiene structure, diglycidyl ethers of bisphenols There is provided a method for producing an organic resin substrate, comprising at least one selected from the group consisting of a compound, a diglycidyl etherified product of naphthalenediol, and a glycidyl etherified product of a phenol .
さらに、本発明によれば、
下地基板上に第１金属パターンを形成する工程と、
前記第１金属パターン中の金属配線と接触するように第１導体部を形成する工程と、
前記第１金属パターンおよび前記第１導体部を埋設する第１有機樹脂膜を形成する工程と、
前記第１有機樹脂膜の全面を研磨して前記第１導体部の上面を露出させる工程と、
をこの順に含み、
第１有機樹脂膜を形成する前記工程は、
熱硬化性樹脂と、充填材とを含む樹脂組成物を準備する工程と、
前記樹脂組成物を用いて前記第１金属パターンを埋設する工程と、
前記樹脂組成物を硬化させて前記第１有機樹脂膜を形成する工程と、を含み、
前記熱硬化性樹脂は、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン類またはグリシジル（メタ）アクリレートとエチレン性不飽和二重結合を有する化合物との共重合物、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、ビスフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のグリシジルエーテル化物から選択される少なくとも１種を含む、有機樹脂基板の製造方法が提供される。
Furthermore, according to the present invention,
Forming a first metal pattern on the underlying substrate;
Forming a first conductor portion so as to be in contact with the metal wiring in the first metal pattern;
Forming a first organic resin film that embeds the first metal pattern and the first conductor portion;
Polishing the entire surface of the first organic resin film to expose the upper surface of the first conductor portion;
Look at including in this order,
The step of forming the first organic resin film includes:
Preparing a resin composition including a thermosetting resin and a filler;
Burying the first metal pattern using the resin composition;
Curing the resin composition to form the first organic resin film,
The thermosetting resin is bisphenol type epoxy resin, novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, epoxy resin having naphthalene skeleton, anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin , Adamantane type epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, glycidylamines or copolymers of glycidyl (meth) acrylates and compounds with ethylenically unsaturated double bonds, epoxy resins having a butadiene structure, diglycidyl ethers of bisphenols There is provided a method for producing an organic resin substrate, comprising at least one selected from the group consisting of a compound, a diglycidyl etherified product of naphthalenediol, and a glycidyl etherified product of a phenol .
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
以下、実施形態の例を付記する。
１． 下地基板上に第１金属パターンを形成する工程と、
前記第１金属パターンを埋設する第１有機樹脂膜を形成する工程と、
前記第１有機樹脂膜の全面を研磨して前記第１金属パターンの上面を露出させる工程と、
露出した前記第１金属パターン中の金属配線と接触するように第１導体部を形成する工程と、
をこの順に含む有機樹脂基板の製造方法。
２． 下地基板上に第１金属パターンを形成する工程と、
前記第１金属パターン中の金属配線と接触するように第１導体部を形成する工程と、
前記第１金属パターンおよび前記第１導体部を埋設する第１有機樹脂膜を形成する工程と、
前記第１有機樹脂膜の全面を研磨して前記第１導体部の上面を露出させる工程と、
をこの順に含む有機樹脂基板の製造方法。
３． １．または２．に記載の有機樹脂基板の製造方法であって、
前記第１金属パターンを形成する工程は、
前記下地基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の所定箇所に開口を設ける工程と、
前記開口を埋め込むように、前記絶縁層の全面に、金属めっき膜を形成する工程と、
前記金属めっき膜を研磨して、前記絶縁層上の前記金属めっき膜を除去するとともに、
前記開口に前記金属めっき膜を残すことにより、前記第１金属パターンを形成する工程と、
を含む有機樹脂基板の製造方法。
４． １．または２．に記載の有機樹脂基板の製造方法であって、
前記第１金属パターンを形成する工程は、
前記下地基板上に第１金属膜を形成する工程と、
前記第１金属膜を選択的に除去して第１金属パターンを形成する工程と、
を含む有機樹脂基板の製造方法。
５．１．乃至４．のいずれかに記載の有機樹脂基板の製造方法であって、
前記第１導体部を形成する工程の後、前記下地基板を選択的に除去する工程をさらに含む、有機樹脂基板の製造方法。
６． １．乃至４．のいずれかに記載の有機樹脂基板の製造方法であって、
前記第１導体部を形成する工程または前記第１導体部の上面を露出させる工程の後、前記第１導体部を形成する工程において得られた当該有機樹脂基板における前記下地基板とは反対側の面上に、前記第１導体部と接触するように第２金属パターンを形成する工程と、
前記第２金属パターンを埋設する第２有機樹脂膜を形成する工程と、
前記第２有機樹脂膜の全面を研磨して前記第２金属パターンの上面を露出させる工程と、
露出した前記第２金属パターン中の金属配線と接触するように第２導体部を形成する工程と、
をこの順に含む有機樹脂基板の製造方法。
７． １．乃至４．のいずれかに記載の有機樹脂基板の製造方法であって、
前記第１導体部を形成する工程または前記第１導体部の上面を露出させる工程の後、前記第１導体部の上面を露出させる工程において得られた当該有機樹脂基板における前記下地基板とは反対側の面上に、前記第１導体部と接触するように第２金属パターンを形成する工程と、
前記第２金属パターン中の金属配線と接触するように第２導体部を形成する工程と、
前記第２金属パターンおよび前記第２導体部を埋設する第２有機樹脂膜を形成する工程と、
前記第２有機樹脂膜の全面を研磨して前記第２導体部の上面を露出させる工程と、
をこの順に含む有機樹脂基板の製造方法。
８． ６．または７．に記載の有機樹脂基板の製造方法であって、
前記第２導体部の上面を露出させる工程または前記第２導体部の上面を露出させる工程の後、前記下地基板を選択的に除去する工程をさらに含む有機樹脂基板の製造方法。
９． １．乃至８．のいずれかに記載の有機樹脂基板の製造方法であって、
前記第１有機樹脂膜を形成する工程または前記第２有機樹脂膜を形成する工程は、
熱硬化性樹脂と、充填材とを含む樹脂組成物を準備する工程と、
前記樹脂組成物を用いて前記第１金属パターンまたは前記第２金属パターンを埋設する工程と、
前記樹脂組成物を硬化させて前記第１有機樹脂膜または前記第２有機樹脂膜を形成する工程と、
を含む有機樹脂基板の製造方法。
１０． ９．に記載の有機樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂組成物が、顆粒状、タブレット状またはシート状に加工されたものである有機樹脂基板の製造方法。
１１． ９．または１０．に記載の有機樹脂基板の製造方法であって、
前記充填材の平均粒子径ｄ５０が、０．１μｍ以上２０μｍ以下である有機樹脂基板の製造方法。
１２． ９．乃至１１．のいずれかに記載の有機樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂組成物が、シランカップリング剤を含む有機樹脂基板の製造方法。
１３． １．乃至１２．のいずれかに記載の有機樹脂基板の製造方法であって、
前記第１有機樹脂膜のガラス転移温度が、１００℃以上２５０℃以下である有機樹脂基板の製造方法。
１４． １．乃至１３．のいずれかに記載の有機樹脂基板の製造方法によって得られる有機樹脂基板。
１５． １４．に記載の有機樹脂基板を含む半導体装置。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, these are illustrations of this invention and various structures other than the above are also employable.
Hereinafter, examples of the embodiment will be additionally described.
1. Forming a first metal pattern on the underlying substrate;
Forming a first organic resin film in which the first metal pattern is embedded;
Polishing the entire surface of the first organic resin film to expose the upper surface of the first metal pattern;
Forming a first conductor portion so as to be in contact with the metal wiring in the exposed first metal pattern;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate which contains these in this order.
2. Forming a first metal pattern on the underlying substrate;
Forming a first conductor portion so as to be in contact with the metal wiring in the first metal pattern;
Forming a first organic resin film that embeds the first metal pattern and the first conductor portion;
Polishing the entire surface of the first organic resin film to expose the upper surface of the first conductor portion;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate which contains these in this order.
3. 1. Or 2. A method for producing an organic resin substrate according to claim 1,
The step of forming the first metal pattern includes:
Forming an insulating layer on the base substrate;
Providing an opening at a predetermined location of the insulating layer;
Forming a metal plating film on the entire surface of the insulating layer so as to embed the opening;
Polishing the metal plating film to remove the metal plating film on the insulating layer,
Forming the first metal pattern by leaving the metal plating film in the opening;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate containing this.
4). 1. Or 2. A method for producing an organic resin substrate according to claim 1,
The step of forming the first metal pattern includes:
Forming a first metal film on the base substrate;
Selectively removing the first metal film to form a first metal pattern;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate containing this.
5.1. To 4. A method for producing an organic resin substrate according to any one of
The method of manufacturing an organic resin substrate, further comprising a step of selectively removing the base substrate after the step of forming the first conductor portion.
6). 1. To 4. A method for producing an organic resin substrate according to any one of
After the step of forming the first conductor portion or the step of exposing the upper surface of the first conductor portion, the organic resin substrate obtained in the step of forming the first conductor portion is opposite to the base substrate. Forming a second metal pattern on the surface so as to be in contact with the first conductor portion;
Forming a second organic resin film in which the second metal pattern is embedded;
Polishing the entire surface of the second organic resin film to expose the upper surface of the second metal pattern;
Forming a second conductor portion so as to be in contact with the metal wiring in the exposed second metal pattern;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate which contains these in this order.
7). 1. To 4. A method for producing an organic resin substrate according to any one of
The organic resin substrate obtained in the step of exposing the upper surface of the first conductor portion after the step of forming the first conductor portion or the step of exposing the upper surface of the first conductor portion is opposite to the base substrate. Forming a second metal pattern on the side surface so as to be in contact with the first conductor portion;
Forming a second conductor portion so as to be in contact with the metal wiring in the second metal pattern;
Forming a second organic resin film that embeds the second metal pattern and the second conductor portion;
Polishing the entire surface of the second organic resin film to expose the upper surface of the second conductor portion;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate which contains these in this order.
8). 6). Or 7. A method for producing an organic resin substrate according to claim 1,
The method of manufacturing an organic resin substrate, further comprising a step of selectively removing the base substrate after the step of exposing the upper surface of the second conductor portion or the step of exposing the upper surface of the second conductor portion.
9. 1. To 8. A method for producing an organic resin substrate according to any one of
The step of forming the first organic resin film or the step of forming the second organic resin film includes:
Preparing a resin composition including a thermosetting resin and a filler;
Embedding the first metal pattern or the second metal pattern using the resin composition;
Curing the resin composition to form the first organic resin film or the second organic resin film;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate containing this.
10. 9. A method for producing an organic resin substrate according to claim 1,
A method for producing an organic resin substrate, wherein the resin composition is processed into a granular shape, a tablet shape or a sheet shape.
11. 9. Or 10. A method for producing an organic resin substrate according to claim 1,
The manufacturing method of the organic resin board | substrate whose average particle diameter d50 of the said filler is 0.1 micrometer or more and 20 micrometers or less.
12 9. To 11. A method for producing an organic resin substrate according to any one of
The manufacturing method of the organic resin board | substrate in which the said resin composition contains a silane coupling agent.
13. 1. To 12. A method for producing an organic resin substrate according to any one of
The manufacturing method of the organic resin board | substrate whose glass transition temperature of a said 1st organic resin film is 100 degreeC or more and 250 degrees C or less.
14 1. Thru 13. An organic resin substrate obtained by the method for producing an organic resin substrate according to any one of the above.
15. 14 A semiconductor device comprising the organic resin substrate described in 1.
Claims (15)
前記第１金属パターンを埋設する第１有機樹脂膜を形成する工程と、
前記第１有機樹脂膜の全面を研磨して前記第１金属パターンの上面を露出させる工程と、
露出した前記第１金属パターン中の金属配線と接触するように第１導体部を形成する工程と、
をこの順に含む有機樹脂基板の製造方法。 Forming a first metal pattern on the underlying substrate;
Forming a first organic resin film in which the first metal pattern is embedded;
Polishing the entire surface of the first organic resin film to expose the upper surface of the first metal pattern;
Forming a first conductor portion so as to be in contact with the metal wiring in the exposed first metal pattern;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate which contains these in this order.
前記第１金属パターン中の金属配線と接触するように第１導体部を形成する工程と、
前記第１金属パターンおよび前記第１導体部を埋設する第１有機樹脂膜を形成する工程と、
前記第１有機樹脂膜の全面を研磨して前記第１導体部の上面を露出させる工程と、
をこの順に含む有機樹脂基板の製造方法。 Forming a first metal pattern on the underlying substrate;
Forming a first conductor portion so as to be in contact with the metal wiring in the first metal pattern;
Forming a first organic resin film that embeds the first metal pattern and the first conductor portion;
Polishing the entire surface of the first organic resin film to expose the upper surface of the first conductor portion;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate which contains these in this order.
前記第１金属パターンを形成する工程は、
前記下地基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の所定箇所に開口を設ける工程と、
前記開口を埋め込むように、前記絶縁層の全面に、金属めっき膜を形成する工程と、
前記金属めっき膜を研磨して、前記絶縁層上の前記金属めっき膜を除去するとともに、
前記開口に前記金属めっき膜を残すことにより、前記第１金属パターンを形成する工程と、
を含む有機樹脂基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic resin substrate according to claim 1 or 2,
The step of forming the first metal pattern includes:
Forming an insulating layer on the base substrate;
Providing an opening at a predetermined location of the insulating layer;
Forming a metal plating film on the entire surface of the insulating layer so as to embed the opening;
Polishing the metal plating film to remove the metal plating film on the insulating layer,
Forming the first metal pattern by leaving the metal plating film in the opening;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate containing this.
前記第１金属パターンを形成する工程は、
前記下地基板上に第１金属膜を形成する工程と、
前記第１金属膜を選択的に除去して第１金属パターンを形成する工程と、
を含む有機樹脂基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic resin substrate according to claim 1 or 2,
The step of forming the first metal pattern includes:
Forming a first metal film on the base substrate;
Selectively removing the first metal film to form a first metal pattern;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate containing this.
前記第１導体部を形成する工程の後、前記下地基板を選択的に除去する工程をさらに含む、有機樹脂基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic resin substrate according to any one of claims 1 to 4,
The method of manufacturing an organic resin substrate, further comprising a step of selectively removing the base substrate after the step of forming the first conductor portion.
前記第１導体部を形成する工程または前記第１導体部の上面を露出させる工程の後、前記第１導体部を形成する工程において得られた当該有機樹脂基板における前記下地基板とは反対側の面上に、前記第１導体部と接触するように第２金属パターンを形成する工程と、
前記第２金属パターンを埋設する第２有機樹脂膜を形成する工程と、
前記第２有機樹脂膜の全面を研磨して前記第２金属パターンの上面を露出させる工程と、
露出した前記第２金属パターン中の金属配線と接触するように第２導体部を形成する工程と、
をこの順に含む有機樹脂基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic resin substrate according to any one of claims 1 to 4,
After the step of forming the first conductor portion or the step of exposing the upper surface of the first conductor portion, the organic resin substrate obtained in the step of forming the first conductor portion is opposite to the base substrate. Forming a second metal pattern on the surface so as to be in contact with the first conductor portion;
Forming a second organic resin film in which the second metal pattern is embedded;
Polishing the entire surface of the second organic resin film to expose the upper surface of the second metal pattern;
Forming a second conductor portion so as to be in contact with the metal wiring in the exposed second metal pattern;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate which contains these in this order.
前記第１導体部を形成する工程または前記第１導体部の上面を露出させる工程の後、前記第１導体部の上面を露出させる工程において得られた当該有機樹脂基板における前記下地基板とは反対側の面上に、前記第１導体部と接触するように第２金属パターンを形成する工程と、
前記第２金属パターン中の金属配線と接触するように第２導体部を形成する工程と、
前記第２金属パターンおよび前記第２導体部を埋設する第２有機樹脂膜を形成する工程と、
前記第２有機樹脂膜の全面を研磨して前記第２導体部の上面を露出させる工程と、
をこの順に含む有機樹脂基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic resin substrate according to any one of claims 1 to 4,
The organic resin substrate obtained in the step of exposing the upper surface of the first conductor portion after the step of forming the first conductor portion or the step of exposing the upper surface of the first conductor portion is opposite to the base substrate. Forming a second metal pattern on the side surface so as to be in contact with the first conductor portion;
Forming a second conductor portion so as to be in contact with the metal wiring in the second metal pattern;
Forming a second organic resin film that embeds the second metal pattern and the second conductor portion;
Polishing the entire surface of the second organic resin film to expose the upper surface of the second conductor portion;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate which contains these in this order.
前記第２導体部の上面を露出させる工程または前記第２導体部の上面を露出させる工程の後、前記下地基板を選択的に除去する工程をさらに含む有機樹脂基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic resin substrate according to claim 6 or 7,
The method of manufacturing an organic resin substrate, further comprising a step of selectively removing the base substrate after the step of exposing the upper surface of the second conductor portion or the step of exposing the upper surface of the second conductor portion.
前記第１有機樹脂膜を形成する工程または前記第２有機樹脂膜を形成する工程は、
熱硬化性樹脂と、充填材とを含む樹脂組成物を準備する工程と、
前記樹脂組成物を用いて前記第１金属パターンまたは前記第２金属パターンを埋設する工程と、
前記樹脂組成物を硬化させて前記第１有機樹脂膜または前記第２有機樹脂膜を形成する工程と、
を含む有機樹脂基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic resin substrate according to any one of claims 1 to 8,
The step of forming the first organic resin film or the step of forming the second organic resin film includes:
Preparing a resin composition including a thermosetting resin and a filler;
Embedding the first metal pattern or the second metal pattern using the resin composition;
Curing the resin composition to form the first organic resin film or the second organic resin film;
The manufacturing method of the organic resin board | substrate containing this.
前記樹脂組成物が、顆粒状、タブレット状またはシート状に加工されたものである有機樹脂基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic resin substrate according to claim 9,
A method for producing an organic resin substrate, wherein the resin composition is processed into a granular shape, a tablet shape or a sheet shape.
前記充填材の平均粒子径ｄ５０が、０．１μｍ以上２０μｍ以下である有機樹脂基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic resin substrate according to claim 9 or 10,
The manufacturing method of the organic resin board | substrate whose average particle diameter d50 of the said filler is 0.1 micrometer or more and 20 micrometers or less.
前記樹脂組成物が、シランカップリング剤を含む有機樹脂基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic resin substrate according to any one of claims 9 to 11,
The manufacturing method of the organic resin board | substrate in which the said resin composition contains a silane coupling agent.
前記第１有機樹脂膜のガラス転移温度が、１００℃以上２５０℃以下である有機樹脂基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic resin substrate according to any one of claims 1 to 12,
The manufacturing method of the organic resin board | substrate whose glass transition temperature of a said 1st organic resin film is 100 degreeC or more and 250 degrees C or less.
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Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06232516A (en) * | 1993-02-04 | 1994-08-19 | Ngk Insulators Ltd | Ceramic wiring board and manufacture thereof |
| JPH07170069A (en) * | 1993-09-27 | 1995-07-04 | Rogers Corp | Manufacture of multilayer circuit |
| JPH0955577A (en) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Nec Corp | Production of printed wiring board |
| JPH09241419A (en) * | 1996-03-06 | 1997-09-16 | Hitachi Ltd | Solventless composition and multilayered wiring board and production thereof |
| JPH1098268A (en) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method for plating columnar conductor and multi-layered printed wiring board obtained by it |
| JPH1174636A (en) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Manufacture of wiring board |
| JP2000294929A (en) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Ibiden Co Ltd | Manufacture of multilayer printed wiring board and the multilayer printed wiring board |
| JP2001015931A (en) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Ibiden Co Ltd | Multilayer printed wiring board and manufacture thereof |
| JP2003101244A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Ibiden Co Ltd | Multilayer printed wiring board and method of manufacturing the same |
| WO2006008995A1 (en) * | 2004-07-15 | 2006-01-26 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Photocurable/thermosetting resin composition and cured product thereof |
| JP2006032462A (en) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Wiring formation method |
| JP2006064890A (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Nippon Kayaku Co Ltd | Photosensitive resin composition and cured product of the same |
| JP2006089595A (en) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Build-up resin composition and its application |
| JP2006108211A (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | North:Kk | Wiring board, multilayered wiring circuit board using the board, and method of manufacturing the multilayered wiring circuit board |
| JP2007073642A (en) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Cmk Corp | Method of manufacturing printed wiring board |
| JP2007243097A (en) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of forming conductive pattern |
| JP2014027250A (en) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Multilayer type coreless substrate and method of manufacturing the same |
| JP2016184647A (en) * | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 住友ベークライト株式会社 | Method of manufacturing organic resin substrate, organic resin substrate, and semiconductor device |
-
2019
- 2019-08-21 JP JP2019150906A patent/JP2019204974A/en active Pending
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06232516A (en) * | 1993-02-04 | 1994-08-19 | Ngk Insulators Ltd | Ceramic wiring board and manufacture thereof |
| JPH07170069A (en) * | 1993-09-27 | 1995-07-04 | Rogers Corp | Manufacture of multilayer circuit |
| JPH0955577A (en) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Nec Corp | Production of printed wiring board |
| JPH09241419A (en) * | 1996-03-06 | 1997-09-16 | Hitachi Ltd | Solventless composition and multilayered wiring board and production thereof |
| JPH1098268A (en) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method for plating columnar conductor and multi-layered printed wiring board obtained by it |
| JPH1174636A (en) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Manufacture of wiring board |
| JP2000294929A (en) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Ibiden Co Ltd | Manufacture of multilayer printed wiring board and the multilayer printed wiring board |
| JP2001015931A (en) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Ibiden Co Ltd | Multilayer printed wiring board and manufacture thereof |
| JP2003101244A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Ibiden Co Ltd | Multilayer printed wiring board and method of manufacturing the same |
| JP2006032462A (en) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Wiring formation method |
| WO2006008995A1 (en) * | 2004-07-15 | 2006-01-26 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Photocurable/thermosetting resin composition and cured product thereof |
| JP2006064890A (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Nippon Kayaku Co Ltd | Photosensitive resin composition and cured product of the same |
| JP2006089595A (en) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Build-up resin composition and its application |
| JP2006108211A (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | North:Kk | Wiring board, multilayered wiring circuit board using the board, and method of manufacturing the multilayered wiring circuit board |
| JP2007073642A (en) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Cmk Corp | Method of manufacturing printed wiring board |
| JP2007243097A (en) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of forming conductive pattern |
| JP2014027250A (en) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Multilayer type coreless substrate and method of manufacturing the same |
| JP2016184647A (en) * | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 住友ベークライト株式会社 | Method of manufacturing organic resin substrate, organic resin substrate, and semiconductor device |
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