JP2020132646A

JP2020132646A - Resin composition, resin film with carrier using the same, prepreg, laminated plate, printed wiring board, and semiconductor device

Info

Publication number: JP2020132646A
Application number: JP2019022796A
Authority: JP
Inventors: 大東　範行; Noriyuki Daito; 範行大東
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2019-02-12
Filing date: 2019-02-12
Publication date: 2020-08-31

Abstract

To provide a resin composition for circuit board having excellent low dielectric characteristics and SPA characteristics.SOLUTION: A resin composition for circuit board contains an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler and cyclic carbodiimide.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、樹脂組成物、それを用いたキャリア付樹脂膜、プリプレグ、積層板、プリント配線基板および半導体装置に関する。 The present invention relates to a resin composition, a resin film with a carrier using the resin composition, a prepreg, a laminated board, a printed wiring board, and a semiconductor device.

これまで回路基板に用いる樹脂組成物において様々な開発がなされてきた。この種の技術として、例えば、特許文献１に記載の技術が知られている。特許文献１に、プリント配線板用のプリプレグに使用される樹脂組成物がビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂を含むことが記載されている（特許文献１の実施例１）。 So far, various developments have been made in resin compositions used for circuit boards. As this kind of technique, for example, the technique described in Patent Document 1 is known. Patent Document 1 describes that the resin composition used for the prepreg for a printed wiring board contains a biphenyl aralkyl type epoxy resin (Example 1 of Patent Document 1).

特開２０１７−０４８３９９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-048399

しかしながら、本発明者が検討した結果、上記特許文献１に記載の樹脂組成物において、低誘電特性およびＳＡＰ特性の点で改善の余地があることが判明した。 However, as a result of the examination by the present inventor, it has been found that the resin composition described in Patent Document 1 has room for improvement in terms of low dielectric property and SAP property.

本発明者はさらに検討したところ、カルボジイミドの中から環状カルボジイミドを適切に選択することで、エポキシ樹脂、硬化剤および無機充填材を含む樹脂組成物からなる樹脂膜において、低誘電特性およびセミアディティブプロセス（ＳＡＰ）特性を向上できることを見出し、回路基板の形成に好適に用いられる樹脂組成物を実現し、本発明を完成するに至った。 As a result of further studies, the present inventor has further investigated, and by appropriately selecting cyclic carbodiimide from carbodiimide, a resin film composed of a resin composition containing an epoxy resin, a curing agent and an inorganic filler has low dielectric properties and a semi-additive process. We have found that the (SAP) characteristics can be improved, realized a resin composition suitably used for forming a circuit board, and completed the present invention.

本発明によれば、
回路基板用の樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
無機充填材と、
環状カルボジイミドと、
を含む、樹脂組成物が提供される。 According to the present invention
A resin composition for circuit boards
Epoxy resin and
Hardener and
Inorganic filler and
Cyclic carbodiimide and
A resin composition comprising the above is provided.

また本発明によれば、
キャリア基材と、
前記キャリア基材上に設けられた、上記の樹脂組成物からなる樹脂膜と、
を備える、キャリア付樹脂膜が提供される。 Further, according to the present invention.
Carrier base material and
A resin film made of the above resin composition provided on the carrier base material and
A resin film with a carrier is provided.

また本発明によれば、上記樹脂組成物中に繊維基材を含むプリプレグが提供される。 Further, according to the present invention, there is provided a prepreg containing a fiber base material in the above resin composition.

また本発明によれば、上記プリプレグの少なくとも一方の面上に金属層を配置してなる積層板が提供される。 Further, according to the present invention, there is provided a laminated plate in which a metal layer is arranged on at least one surface of the prepreg.

また本発明によれば、上記樹脂組成物の硬化物で構成された絶縁層を備える、プリント配線基板が提供される。 Further, according to the present invention, there is provided a printed wiring board provided with an insulating layer made of a cured product of the above resin composition.

また本発明によれば、
上記プリント配線基板と、
前記プリント配線基板の回路層上に搭載された、または前記プリント配線基板に内蔵された半導体素子と、を備える、半導体装置が提供される。 Further, according to the present invention.
With the above printed wiring board
Provided is a semiconductor device including a semiconductor element mounted on a circuit layer of the printed wiring board or built in the printed wiring board.

本発明によれば、低誘電特性およびＳＡＰ特性に優れた回路基板用の樹脂組成物、それを用いたキャリア付樹脂膜、プリプレグ、積層板、プリント配線基板および半導体装置が提供される。 According to the present invention, there are provided a resin composition for a circuit board having excellent low dielectric properties and SAP characteristics, a resin film with a carrier using the same, a prepreg, a laminated board, a printed wiring board, and a semiconductor device.

本実施形態に係る基材付き樹脂シートの構成の一例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically an example of the structure of the resin sheet with a base material which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の製造プロセスの一例を示す工程断面図である。It is a process sectional view which shows an example of the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on this embodiment.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all drawings, similar components are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. Moreover, the figure is a schematic view and does not match the actual dimensional ratio.

本実施形態の樹脂組成物は、回路基板用の樹脂組成物であり、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材と、環状カルボジイミドと、を含む。 The resin composition of the present embodiment is a resin composition for a circuit board, and contains an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler, and a cyclic carbodiimide.

本発明者の知見によれば、環状カルボジイミドを含む樹脂組成物を回路基板の形成に適用したとき、その樹脂組成物からなる樹脂膜において低誘電特性およびＳＡＰ特性の両立を実現できることが判明した。環状カルボジイミドを微粒子化することで、樹脂組成物中における環状カルボジイミドの分散性を向上できる。その樹脂組成物からなる樹脂膜中においても環状カルボジイミドが適切な分散状態となるため、樹脂膜におけるＳＡＰ特性を維持しつつも、低誘電特性を向上できる。
詳細なメカニズムは定かではないが、環状カルボジイミド中のカルボジイミド基と、エポキシ基やＯＨ基との（架橋）反応において、ＯＨ基が発生しないため、低誘電正接を実現できる、と考えられる。 According to the findings of the present inventor, when a resin composition containing cyclic carbodiimide is applied to the formation of a circuit board, it has been found that both low dielectric properties and SAP properties can be realized in the resin film made of the resin composition. By making the cyclic carbodiimide into fine particles, the dispersibility of the cyclic carbodiimide in the resin composition can be improved. Since the cyclic carbodiimide is in an appropriate dispersed state even in the resin film made of the resin composition, the low dielectric property can be improved while maintaining the SAP characteristics in the resin film.
Although the detailed mechanism is not clear, it is considered that low dielectric loss tangent can be realized because OH groups are not generated in the (crosslinking) reaction between the carbodiimide group in the cyclic carbodiimide and the epoxy group or the OH group.

本実施形態の樹脂組成物によれば、ＳＡＰ法に最適に用いることができるビルドアップ層を実現でき、このビルドアップ層の低誘電正接とＳＡＰ特性とを両立できる。
本実施形態において、ＳＡＰ特性とは、デスミア処理後における回路層の表面粗さが小さいこと、ビルドアップ層と回路層とのめっき密着性が高いことを示す。ＳＡＰ特性を向上させることにより、高密度回路を形成することができるとともに、接続信頼性を高めることができる。また、本実施形態の樹脂組成物で構成されたビルドアップ層は、誘電正接を低減できるため、低伝送損失を実現することが可能である。 According to the resin composition of the present embodiment, a build-up layer that can be optimally used in the SAP method can be realized, and the low dielectric loss tangent of the build-up layer and the SAP characteristics can be compatible with each other.
In the present embodiment, the SAP characteristics indicate that the surface roughness of the circuit layer after the desmear treatment is small and that the plating adhesion between the build-up layer and the circuit layer is high. By improving the SAP characteristics, a high-density circuit can be formed and the connection reliability can be improved. Further, since the build-up layer made of the resin composition of the present embodiment can reduce the dielectric loss tangent, it is possible to realize a low transmission loss.

本実施形態において、プリント配線基板における絶縁層は、コア層、ビルドアップ層（層間絶縁層）、ソルダーレジスト層等のプリント配線基板を構成する絶縁性部材が挙げられる。本実施形態の樹脂組成物の硬化物は、これらの中でも、ビルドアップ層に用いられるものである。 In the present embodiment, examples of the insulating layer in the printed wiring board include insulating members constituting the printed wiring board such as a core layer, a build-up layer (interlayer insulating layer), and a solder resist layer. Among these, the cured product of the resin composition of the present embodiment is used for the build-up layer.

また、上記プリント配線基板としては、コア層、ビルドアップ層（層間絶縁層）、ソルダーレジスト層を有するプリント配線基板、コア層を有しないプリント配線基板、パネルパッケージプロセス（ＰＬＰ）に用いられるコアレス基板、ＭＩＳ（ＭｏｌｄｅｄＩｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔＳｕｂｓｔｒａｔｅ）基板等が挙げられる。 The printed wiring board includes a core layer, a build-up layer (interlayer insulation layer), a printed wiring board having a solder resist layer, a printed wiring board having no core layer, and a coreless board used in a panel package process (PLP). , MIS (Molded Infect Substrate) substrate and the like.

本実施形態の樹脂組成物からなる樹脂膜の硬化物は、上記ビルドアップ層に用いられるものであり、例えば、コア層を有しないプリント配線基板におけるビルドアップ層、ＰＬＰに用いられるコアレス基板のビルドアップ層、ＭＩＳ基板のビルドアップ層、等に用いることもできる。このように、本実施形態の樹脂膜の硬化物は、複数の半導体パッケージを一括して作成するために利用される大面積のプリント配線基板において、当該プリント配線基板を構成するビルドアップ層にも好適に用いることができる。また、大規模な電流が供給されるシステム中のプリント配線基を構成するビルドアップ層にも適用できる。 The cured product of the resin film made of the resin composition of the present embodiment is used for the build-up layer. For example, a build-up layer in a printed wiring board having no core layer and a coreless substrate used for PLP are built. It can also be used as an up layer, a build-up layer of a MIS substrate, and the like. As described above, the cured product of the resin film of the present embodiment also serves as a build-up layer constituting the printed wiring board in a large-area printed wiring board used for collectively producing a plurality of semiconductor packages. It can be preferably used. It can also be applied to the build-up layer that constitutes the printed wiring board in a system to which a large-scale current is supplied.

以下、本実施形態の樹脂組成物の各成分について詳述する。 Hereinafter, each component of the resin composition of the present embodiment will be described in detail.

（熱硬化性樹脂）
本実施形態の樹脂組成物は、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を含む。このような樹脂組成物は、熱硬化性樹脂組成物となる。 (Thermosetting resin)
The resin composition of the present embodiment contains an epoxy resin as a thermosetting resin. Such a resin composition becomes a thermosetting resin composition.

上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４’−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４’−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４’−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリヒドロキシフェノニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂）等のアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、ヒドロキシナフタレンおよび／またはジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られる２官能ないし４官能のナフタレン型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール型エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ樹脂；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジルメタキシレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジル（メタ）アクリレートとエチレン性不飽和二重結合を有する化合物との共重合物；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂等が挙げられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the epoxy resin include biphenyl type epoxy resin; bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, tetramethyl bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, and hydrogenated bisphenol A type. Epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin (4,4'-(1,3-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol P type epoxy resin (4,4'-(1) , 4-Phenylene diisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol Z type epoxy resin (4,5'-cyclohexidiene bisphenol type epoxy resin) and other bisphenol type epoxy resin; stillben type epoxy resin; phenol novolac type epoxy Novolak type epoxy resin such as resin, naphthol novolac epoxy resin, brominated phenol novolak type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, novolak type epoxy resin having fused ring aromatic hydrocarbon structure; trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, alkyl Polyfunctional epoxy resin such as modified trihydroxyphenonylmethane type epoxy resin, tetraphenylol ethane type epoxy resin; phenol aralkyl type epoxy resin such as phenylene skeleton-containing phenol aralkyl type epoxy resin, biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl type epoxy resin; xylylene Aralkyl type epoxy resin such as type epoxy resin and phenol aralkyl type epoxy resin having a biphenylene skeleton (biphenyl aralkyl type epoxy resin); dihydroxynaphthalene type epoxy resin, naphthalenediol type epoxy resin, hydroxynaphthalene and / or dihydroxynaphthalene dimer An epoxy resin having a naphthalene skeleton such as a bifunctional to tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, a binaphthyl type epoxy resin, and a naphthol aralkyl type epoxy resin obtained by glycidyl etherification; anthracene type epoxy resin; phenoxy type epoxy resin; dicyclopentadiene. Type epoxy resin; Arihashi cyclic hydrocarbon compound such as dicyclopentadiene-modified phenol type epoxy resin Modified phenol type epoxy resin; Norbornen type epoxy resin; Adamantane type epoxy resin; Fluorene type epoxy resin, phosphorus-containing epoxy resin, alicyclic epoki Sires, aliphatic chain epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bixilenol type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, tert-butylcatechol type epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, Naftylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin; heterocyclic epoxy resin such as triglycidyl isocyanurate, monoallyldiglycidyl isocyanurate; N, N, N', N'-tetraglycidylmethoxylenideamine, N, Glysidylamine type epoxy resins such as N, N', N'-tetraglycidyl bisaminomethylcyclohexane, N, N-diglycidylaniline; copolymerization of glycidyl (meth) acrylate with a compound having an ethylenically unsaturated double bond Product; Epoxy resin having a butadiene structure and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

また、上記エポキシ樹脂の中でも、エポキシ当量が２００ｇ／ｅｑ以上の第１エポキシ樹脂を含むことができる。上記第１エポキシ樹脂のエポキシ当量の下限値は、例えば、２００ｇ／ｅｑ以上であり、好ましくは２１０ｇ／ｅｑ以上であり、より好ましくは２２０ｇ／ｅｑ以上である。これにより、最適な架橋密度によって、樹脂組成物の硬化物の表面粗さを低減することができる。一方、上記エポキシ当量の上限値は、特に限定されないが、例えば、７００ｇ／ｅｑ以下としてもよく、６００ｇ／ｅｑ以下としてもよく、５００ｇ／ｅｑ以下としてもよい。これにより、樹脂組成物の硬化物の強度を向上させることができる。 Further, among the above epoxy resins, a first epoxy resin having an epoxy equivalent of 200 g / eq or more can be included. The lower limit of the epoxy equivalent of the first epoxy resin is, for example, 200 g / eq or more, preferably 210 g / eq or more, and more preferably 220 g / eq or more. Thereby, the surface roughness of the cured product of the resin composition can be reduced by the optimum cross-linking density. On the other hand, the upper limit of the epoxy equivalent is not particularly limited, but may be, for example, 700 g / eq or less, 600 g / eq or less, or 500 g / eq or less. Thereby, the strength of the cured product of the resin composition can be improved.

本実施形態において、上記エポキシ樹脂が、低吸水性の観点から、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂およびナフトールアラルキル型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種以上を含むことができる。この中でも、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂を用いることができる。 In the present embodiment, the epoxy resin may contain one or more selected from the group consisting of biphenyl aralkyl type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin and naphthol aralkyl type epoxy resin from the viewpoint of low water absorption. Among these, a biphenyl aralkyl type epoxy resin can be used.

また、本実施形態の樹脂組成物は、上記第１エポキシ樹脂の他に、上記エポキシ樹脂から選択されるエポキシ当量が２００ｇ／ｅｑ未満の第２エポキシ樹脂を含んでもよく、または、当該第２エポキシ樹脂を含まなくてもよい。この第２エポキシ樹脂の含有量を低減することにより、樹脂組成物の硬化物の表面粗さをさらに低減することができる。 In addition to the first epoxy resin, the resin composition of the present embodiment may contain a second epoxy resin having an epoxy equivalent of less than 200 g / eq selected from the epoxy resins, or the second epoxy. It does not have to contain resin. By reducing the content of the second epoxy resin, the surface roughness of the cured product of the resin composition can be further reduced.

上記熱硬化性樹脂の含有量の下限値は、樹脂組成物全体（全固形分）１００質量％に対して、３質量％以上が好ましく、４質量％以上がより好ましく、５質量％以上がさらに好ましい。これにより、ハンドリング性が向上し、樹脂膜を形成するのが容易となる。一方、熱硬化性樹脂の含有量の上限値は、樹脂組成物全体（全固形分）に対して、特に限定されないが、例えば、６０質量％以下が好ましく、４５質量％以下がより好ましく、３０質量％以下がさらに好ましい。これにより、得られるプリント配線基板の強度や難燃性が向上したり、プリント配線基板の線膨張係数が低下し、反りの低減効果が向上したりする場合がある。 The lower limit of the content of the thermosetting resin is preferably 3% by mass or more, more preferably 4% by mass or more, and further 5% by mass or more, based on 100% by mass of the entire resin composition (total solid content). preferable. As a result, the handleability is improved and it becomes easy to form the resin film. On the other hand, the upper limit of the content of the thermosetting resin is not particularly limited with respect to the entire resin composition (total solid content), but for example, it is preferably 60% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, and 30. More preferably, it is by mass or less. As a result, the strength and flame retardancy of the obtained printed wiring board may be improved, the coefficient of linear expansion of the printed wiring board may be lowered, and the effect of reducing warpage may be improved.

本実施形態において、樹脂組成物の固形分とは、樹脂組成物中における不揮発分を指し、水や溶媒等の揮発成分を除いた残部を指す。樹脂組成物の固形分全体に対する含有量とは、溶媒を含む場合には、樹脂組成物のうちの溶媒を除く固形分全体（１００質量％）に対する含有量を指す。 In the present embodiment, the solid content of the resin composition refers to the non-volatile content in the resin composition, and refers to the balance excluding volatile components such as water and solvent. The content of the resin composition with respect to the total solid content means the content of the resin composition with respect to the total solid content (100% by mass) excluding the solvent when the solvent is contained.

（硬化剤）
上記樹脂組成物は、硬化剤を含む。
上記硬化剤としては、例えば、エポキシ樹脂と反応する硬化剤を含むことができる。
上記硬化剤の具体例としては、例えば、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はこれらのエポキシアダクトやマイクロカプセル化したもの、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤等を挙げることができる。これらは１種又は２種以上を使用することができる。この中でも、フェノール系硬化剤または活性エステル系硬化剤を用いることができる。低誘電正接の観点から、活性エステル系硬化剤を用いることができる。 (Hardener)
The resin composition contains a curing agent.
As the curing agent, for example, a curing agent that reacts with an epoxy resin can be included.
Specific examples of the above-mentioned curing agent include amine-based curing agents, guanidine-based curing agents, imidazole-based curing agents, phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, acid anhydride-based curing agents, or epoxy adducts and microcapsules thereof. Examples thereof include chemicals, active ester-based curing agents, benzoxazine-based curing agents, cyanate ester-based curing agents, and the like. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, a phenol-based curing agent or an active ester-based curing agent can be used. From the viewpoint of low dielectric loss tangent, an active ester-based curing agent can be used.

上記フェノール系硬化剤としては、１分子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤が挙げられる。これにより、耐湿性、信頼性等を向上させることができる。このフェノール系硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂、シリコン変性フェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ビフェニル型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；ナフタレン型フェノール樹脂；ナフチレンエーテル型フェノール樹脂；ナフトール型フェノール樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂、含窒素フェノール樹脂等が例示される。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。この中でも、低熱膨張、薬液耐性、および銅めっき密着性の観点から、硬化剤が、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂を含むことができる。 Examples of the phenolic curing agent include phenolic curing agents having at least two phenolic hydroxyl groups in one molecule. Thereby, moisture resistance, reliability and the like can be improved. Examples of the phenol-based curing agent include novolak-type phenol resins such as phenol novolac resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, nonylphenol novolak resin, and silicon-modified phenol novolak resin; resol-type phenol resin; biphenyl-type phenol resin. Polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene; naphthalene type phenol resin; naphthylene ether type phenol resin; naphthol type phenol resin; phenylene skeleton-containing phenol aralkyl resin, biphenyl aralkyl type phenol resin, trihydroxyphenylmethane type phenol resin, nitrogen-containing phenol Examples include resins. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, the curing agent can include a biphenyl aralkyl type phenol resin from the viewpoints of low thermal expansion, chemical resistance, and copper plating adhesion.

上記活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものを用いてもよい。耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物又はカルボン酸ハライドとヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物又はカルボン酸ハライドとフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸とそのハライド等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えばハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラック等が挙げられる。活性エステル系硬化剤は１種又は２種以上を使用することができる。活性エステル系硬化剤としては、特開２００４−２７７４６０号公報に開示されている活性エステル系硬化剤を用いてもよく、また市販のものを用いることもできる。市販されている活性エステル系硬化剤としては、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含むもの、フェノールノボラックのアセチル化物、フェノールノボラックのベンゾイル化物等が好ましく、具体的には、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含むものとしてＥＸＢ９４５１、ＥＸＢ９４６０、ＥＸＢ９４６０Ｓ−６５Ｔ、ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ（ＤＩＣ（株）製、活性基当量約２２３）、ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ（ＤＩＣ（株）製、活性エステル当量約２２０）が挙げられる。ナフタレン構造を含むものとしては、ＥＸＢ−８５００−６５Ｔ（ＤＩＣ（株）製、活性エステル当量約２２３）、ＥＸＢ−８１５０−６０Ｔ（ＤＩＣ（株）製、活性エステル当量約２３４）、ＥＸＢ−８１００Ｌ−６５Ｔ（ＤＩＣ（株）製、活性エステル当量約２４５）が挙げられる。中でも低誘電正接、低吸水、熱膨張率、および機械強度の観点から、ＥＸＢ−８１００Ｌ−６５Ｔ（ＤＩＣ（株）製、活性エステル当量約２４５）、ＨＰＣ−８１５０−６０Ｔ（ＤＩＣ（株）製、）等のナフタレン骨格を有する活性エステル系硬化剤が好ましい。 The active ester-based curing agent is not particularly limited, but generally contains one molecule of an ester group having high reactive activity such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds. A compound having two or more of them is preferably used. As the active ester-based curing agent, one obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and / or a thiol compound may be used. From the viewpoint of improving heat resistance, an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound or a carboxylic acid halide and a hydroxy compound is preferable, and an active ester obtained from a carboxylic acid compound or a carboxylic acid halide and a phenol compound and / or a naphthol compound is preferable. A system curing agent is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, pyromellitic acid and its halides. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, and m-cresol. , P-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglusin, benzene Examples thereof include triol, dicyclopentadienyldiphenol, and phenol novolac. One type or two or more types of active ester-based curing agents can be used. As the active ester-based curing agent, the active ester-based curing agent disclosed in JP-A-2004-277460 may be used, or a commercially available one may be used. As the commercially available active ester-based curing agent, those containing a dicyclopentadienyldiphenol structure, an acetylated product of phenol novolac, a benzoyl product of phenol novolac, and the like are preferable, and specifically, dicyclopentadienyldi EXB9451, EXB9460, EXB9460S-65T, HPC-8000-65T (manufactured by DIC Co., Ltd., active group equivalent of about 223), EXB-8000L-65TM (manufactured by DIC Co., Ltd., active ester equivalent of about 220) as those containing a phenolic structure. ). Examples of those containing a naphthalene structure include EXB-8500-65T (manufactured by DIC Corporation, active ester equivalent of about 223), EXB-8150-60T (manufactured by DIC Corporation, active ester equivalent of about 234), EXB-8100L-. 65T (manufactured by DIC Corporation, active ester equivalent of about 245) can be mentioned. Among them, from the viewpoint of low dielectric loss tangent, low water absorption, coefficient of thermal expansion, and mechanical strength, EXB-8100L-65T (manufactured by DIC Corporation, active ester equivalent of about 245), HPC-8150-60T (manufactured by DIC Corporation, ) And the like, an active ester-based curing agent having a naphthalene skeleton is preferable.

本実施形態の樹脂組成物は、ナフタレン骨格を有する活性エステル系硬化剤を含むことができる。
上記ナフタレン骨格を有する活性エステル系硬化剤の一例としては、ナフタレン構造とアリールカルボニルオキシ基を有しさえすれば特に限定されないが、ポリナフチレンオキサイド構造とアリールカルボニルオキシ基を有する活性エステル化合物を用いてもよく、ポリナフチレンオキサイド構造のナフタレン核にアリールカルボニルオキシ基が結合した活性エステル化合物を用いてもよい。ポリナフチレンオキサイド構造としては、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたポリナフチレンオキサイド構造でもよく、さらにはポリフェニレンオキサイド構造を有していても良い。上記のような活性エステル化合物は、核置換ヒドロキシル基を有するナフタレン構造の化合物と、ナフタレン核又はベンゼン核にカルボキシル基を有するカルボン酸化合物との縮合反応で製造することができる。
具体的には、下記一般式（１）のものが挙げられる。 The resin composition of the present embodiment can contain an active ester-based curing agent having a naphthalene skeleton.
An example of the active ester-based curing agent having a naphthalene skeleton is not particularly limited as long as it has a naphthalene structure and an arylcarbonyloxy group, but an active ester compound having a polynaphthylene oxide structure and an arylcarbonyloxy group is used. Alternatively, an active ester compound in which an arylcarbonyloxy group is bonded to a naphthalene nucleus having a polynaphthylene oxide structure may be used. The polynaphthylene oxide structure may be a polynaphthylene oxide structure substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or may have a polyphenylene oxide structure. The active ester compound as described above can be produced by a condensation reaction of a compound having a naphthalene structure having a nuclear-substituted hydroxyl group and a carboxylic acid compound having a carboxyl group in the naphthalene nucleus or the benzene nucleus.
Specifically, the following general formula (1) can be mentioned.

〔式（１）中、Ｒ_１はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基となり、好ましくは水素原子である。Ｒ_２はそれぞれ独立に水素原子又は下記一般式（２）が挙げられる。Ｘはそれぞれ独立に水素、ベンゾイル基又はナフチルカルボニル基となり、好ましくはベンゾイル基である。ｎ及びｍはそれぞれ０〜５の整数であって、ｎ又はｍのいずれか一方は１以上の整数である。〕

[In the formula (1), R ₁ independently becomes a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and is preferably a hydrogen atom. Each of R ₂ has a hydrogen atom or the following general formula (2). Each of X independently becomes a hydrogen, benzoyl group or naphthylcarbonyl group, and is preferably a benzoyl group. n and m are each an integer of 0 to 5, and either n or m is an integer of 1 or more. ]

〔式（２）中、Ｒ_１は上記式（１）と同様である。Ｘは上記（１）と同様である。ｐは１又は２の整数である。〕
なお、上記式（１）及び（２）のＸの少なくとも一つは、ベンゾイル基又はナフチルカルボニル基であってもよい。

[In the formula (2), R ₁ is the same as the above formula (1). X is the same as (1) above. p is an integer of 1 or 2. ]
At least one of X in the above formulas (1) and (2) may be a benzoyl group or a naphthylcarbonyl group.

また、ナフタレン骨格を有する活性エステル系硬化剤の一例としては、パラフェニルフェノール、パラクレゾール、クレゾール、または４，４’−ビフェノール等のフェノール化合物、β−ナフトール化合物、及びホルムアルデヒドの反応生成物である、フェニルフェノール−ナフトール樹脂、クレゾール−ナフトール樹脂またはビフェノール−ナフトール樹脂等のナフトール樹脂（ａ）と、モノカルボン酸化合物又はそのハライド（ｂ）との反応物を含むことができる。例えば、ナフタレン骨格を有する活性エステル系硬化剤の一例としては、下記構造式（３）から（５）のいずれかで表される化合物を含むことができる。 Further, as an example of an active ester-based curing agent having a naphthalene skeleton, it is a reaction product of a phenol compound such as paraphenylphenol, paracresol, cresol, or 4,4'-biphenol, a β-naphthol compound, and formaldehyde. , Phenylphenol-naphthol resin, cresol-naphthol resin, biphenol-naphthol resin and other naphthol resins (a), and monocarboxylic acid compounds or halides (b) thereof. For example, as an example of an active ester-based curing agent having a naphthalene skeleton, a compound represented by any of the following structural formulas (3) to (5) can be included.

［式（３）から（５）中、Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基を示す。また、Ｚはベンゾイル基、炭素原子数１〜４のアルキル基の１〜３つで核置換されたベンゾイル基、ナフトイル基、及び炭素原子数１〜４のアルキル基の１〜３つで核置換されたナフトイル基、炭素原子数２〜６のアシル基から成る群から選択されたエステル形成構造部位（ｚ１）、又は水素原子（ｚ２）である。］ [In formulas (3) to (5), R ₁ and R ₂ independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, respectively. In addition, Z is nuclear-substituted with 1 to 3 benzoyl groups, alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, benzoyl groups, naphthoyl groups, and alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms. It is an ester-forming structural site (z1) or a hydrogen atom (z2) selected from the group consisting of a naphthoyl group, an acyl group having 2 to 6 carbon atoms. ]

また、ナフタレン骨格を有する活性エステル系硬化剤の一例としては、下記構造式（６）で表される化合物を含むことができる。 Further, as an example of the active ester-based curing agent having a naphthalene skeleton, a compound represented by the following structural formula (6) can be included.

［式（６）中、Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。また、Ｚはベンゾイル基、炭素原子数１〜４のアルキル基の１〜３つで核置換されたベンゾイル基、ナフトイル基、及び炭素原子数１〜４のアルキル基の１〜３つで核置換されたナフトイル基、炭素原子数２〜６のアシル基から成る群から選択されたエステル形成構造部位（ｚ１）、又は水素原子（ｚ２）である。］

[In formula (6), R ₁ and R ₂ independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, respectively. In addition, Z is nuclear-substituted with 1 to 3 benzoyl groups, alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, benzoyl groups, naphthoyl groups, and alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms. It is an ester-forming structural site (z1) or a hydrogen atom (z2) selected from the group consisting of a naphthoyl group, an acyl group having 2 to 6 carbon atoms. ]

ここで、前記構造式（６）中のＺは、ベンゾイル基、炭素原子数１〜４のアルキル基の１〜３つで核置換されたベンゾイル基、ナフトイル基、及び炭素原子数１〜４のアルキル基の１〜３つで核置換されたナフトイル基、炭素原子数２〜６のアシル基から成る群から選択されたエステル形成構造部位（ｚ１）、又は水素原子（ｚ２）であるが、より誘電率及び誘電正接の低い硬化物が得られることから、Ｚのうち少なくとも一つは前記エステル形成構造部位（ｚ１）であることが好ましい。 Here, Z in the structural formula (6) has a benzoyl group, a benzoyl group substituted with 1 to 3 of an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a naphthoyl group, and 1 to 4 carbon atoms. An ester-forming structural site (z1) selected from the group consisting of a naphthoyl group nuclearly substituted with 1 to 3 alkyl groups, an acyl group having 2 to 6 carbon atoms, or a hydrogen atom (z2). Since a cured product having a low dielectric constant and a low dielectric tangent can be obtained, it is preferable that at least one of Z is the ester-forming structural portion (z1).

また、ナフタレン骨格を有する活性エステル系硬化剤の一例としては、下記構造式（７）で表される化合物を含むことができる。 Further, as an example of the active ester-based curing agent having a naphthalene skeleton, a compound represented by the following structural formula (7) can be included.

［式（７）中、Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基を示し、ｎは１又は２、ｍは０〜２の整数である。また、Ｚはベンゾイル基、炭素原子数１〜４のアルキル基の１〜３つで核置換されたベンゾイル基、ナフトイル基、及び炭素原子数１〜４のアルキル基の１〜３つで核置換されたナフトイル基、炭素原子数２〜６のアシル基から成る群から選択されたエステル形成構造部位（ｚ１）、又は水素原子（ｚ２）である。］

[In formula (7), R ₁ and R ₂ independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, where n is 1 or 2 and m is. It is an integer of 0 to 2. In addition, Z is nuclear-substituted with 1 to 3 benzoyl groups, alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, benzoyl groups, naphthoyl groups, and alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms. It is an ester-forming structural site (z1) or a hydrogen atom (z2) selected from the group consisting of a naphthoyl group, an acyl group having 2 to 6 carbon atoms. ]

また、ナフタレン骨格を有する活性エステル系硬化剤の一例としては、下記構造式（８）および／または構造式（９）で表される化合物を含むことができる。 Further, as an example of the active ester-based curing agent having a naphthalene skeleton, a compound represented by the following structural formula (8) and / or structural formula (9) can be included.

（上記式（８）中、ｌはそれぞれ独立的に０〜６の整数である。）

(In the above equation (8), l is an integer of 0 to 6 independently.)

（上記式（９）中、ｌはそれぞれ独立的に０〜６の整数であり、ｍはそれぞれ独立的に１〜５の整数であり、ｎは１〜６の整数である。）

(In the above equation (9), l is an integer of 0 to 6 independently, m is an integer of 1 to 5 independently, and n is an integer of 1 to 6 respectively.)

上記硬化剤の含有量としては、金属密着性など観点から、熱硬化性樹脂の官能基数に応じて適切に設定できる。
一例として、上記硬化剤中の全活性エステル基数および全フェノール性水酸基数の和に対する、上記エポキシ樹脂の全エポキシ基数を示す当量比〔エポキシ樹脂中の全エポキシ基数／硬化剤中の（全活性エステル基数＋全フェノール性水酸基）〕の下限値は、例えば、１．０以上でもよく、１．１以上でもよく、１．２以上でもよい。これにより、絶縁層の金属密着性を高められるため、ＳＡＰ特性を向上させることができる。一方、上記当量比〔エポキシ樹脂中の全エポキシ基数／硬化剤中の（全活性エステル基数＋全フェノール性水酸基）〕の上限値としては、特に限定されないが、例えば、３．０以下でもよい。 The content of the curing agent can be appropriately set according to the number of functional groups of the thermosetting resin from the viewpoint of metal adhesion and the like.
As an example, an equivalent ratio indicating the total number of epoxy groups in the epoxy resin to the sum of the total number of active ester groups and the total number of phenolic hydroxyl groups in the curing agent [total number of epoxy groups in the epoxy resin / (total active ester in the curing agent). The lower limit of [number of groups + total phenolic hydroxyl group)] may be, for example, 1.0 or more, 1.1 or more, or 1.2 or more. As a result, the metal adhesion of the insulating layer can be improved, so that the SAP characteristics can be improved. On the other hand, the upper limit of the above equivalent ratio [total number of epoxy groups in the epoxy resin / (total number of active ester groups + total phenolic hydroxyl groups) in the curing agent] is not particularly limited, but may be, for example, 3.0 or less.

（環状カルボジイミド）
上記樹脂組成物は、環状カルボジイミドを含む。これにより、低誘電特性およびＳＡＰ特性を向上できる。 (Cyclic carbodiimide)
The resin composition contains a cyclic carbodiimide. Thereby, the low dielectric property and the SAP property can be improved.

上記環状カルボジイミドは、下記一般式（ｊ）で表される化合物で構成されてもよい。
なお、下記一般式（ｊ）で示される環状カルボジイミドは、１つの分子中、２つのカルボジイミド基を有してもよく、１つのカルボジイミド基を有してもよい。 The cyclic carbodiimide may be composed of a compound represented by the following general formula (j).
The cyclic carbodiimide represented by the following general formula (j) may have two carbodiimide groups in one molecule or one carbodiimide group.

（一般式（ｊ）中、Ｘは、下記一般式（ｉ−１）〜（ｉ−３）で表される２価の基または下記式（ｉ−４）で表される４価の基である。Ｘが２価のときｑは０で、Ｘが４価のときｑは１である。Ａｒ^１〜Ａｒ^４は各々独立に芳香族基である。これらの芳香族基は炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基で置換されていてもよい。）

(In the general formula (j), X is a divalent group represented by the following general formulas (i-1) to (i-3) or a tetravalent group represented by the following formula (i-4). When X is divalent, q is 0, and when X is tetravalent, q is ^1. Ar ^{1 to} Ar ⁴ are independently aromatic groups. These aromatic groups have 1 to 1 carbon atoms. It may be substituted with an alkyl group or a phenyl group of 6).

（上記式（ｉ−１）中、ｎは１〜６の整数である。）

(In the above formula (i-1), n is an integer of 1 to 6).

（上記式（ｉ−２）中、ｍおよびｎは各々独立に０〜３の整数である。）

(In the above formula (i-2), m and n are each independently an integer of 0 to 3.)

（上記式（ｉ−３）中、Ｒ^１およびＲ^２は各々独立に、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基を表す。）

(In the above formula (i-3), R ¹ and R ² independently represent an alkyl group and a phenyl group having 1 to 6 carbon atoms, respectively.)

また、上記一般式（ｉ）で表される環状カルボジイミドとしては、以下の構造式を有する化合物がいくつか例示される。

Further, as the cyclic carbodiimide represented by the general formula (i), some compounds having the following structural formulas are exemplified.

上記環状カルボジイミドの製造方法としては、たとえば、次のような手法を用いることができる。
（ｉ）単環の環状カルボジイミドは、たとえば、下記工程（１）から工程（３）を含む製造工程により製造することができる。まず、上記Ａｒ^１およびＡｒ^２を含むニトロ体を準備する（工程（１））。続いて、ニトロ体からアミン体を製造する（工程（２））。その後、アミン体から、トリフェニルホスフィン体またはウレア体を経由して、単環の環状カルボジイミドを製造することができる（工程（３））。
（ｉｉ）複環の環状カルボジイミドは、たとえば、上記工程（１）において、上記Ａｒ^１〜Ａｒ^４を含むニトロ体を準備する点を除いて、（ｉ）と同様にして、製造することができる。
また、上記環状カルボジイミドは従来公知の方法により製造することができる。例として、アミン体からイソシアネート体を経由して製造する方法、アミン体からイソチオシアネート体を経由して製造する方法、カルボン酸体からイソシアネート体を経由して製造する方法等が挙げられる。 As a method for producing the cyclic carbodiimide, for example, the following method can be used.
(I) The monocyclic cyclic carbodiimide can be produced, for example, by a production process including the following steps (1) to (3). First, a nitro body containing the above Ar ¹ and Ar ² is prepared (step (1)). Subsequently, an amine compound is produced from the nitro compound (step (2)). Then, a monocyclic cyclic carbodiimide can be produced from the amine form via the triphenylphosphine form or the urea form (step (3)).
(Ii) The cyclic cyclic carbodiimide of the double ring can be produced in the same manner as in (i) except that, for example, in the step (1), a nitro compound containing Ar ^{1 to} Ar ⁴ is prepared. ..
Further, the cyclic carbodiimide can be produced by a conventionally known method. Examples thereof include a method of producing from an amine substance via an isocyanate body, a method of producing from an amine substance via an isothiocyanate compound, a method of producing from a carboxylic acid compound via an isocyanate compound, and the like.

本発明者が検討した結果、通常の環状カルボジイミドは、顆粒状で、粒子径が比較的大きいため、ワニス中への分散性が低下する恐れがある。 As a result of the examination by the present inventor, ordinary cyclic carbodiimide is granular and has a relatively large particle size, so that the dispersibility in the varnish may decrease.

これに対して、公知の手法を用いて、粉砕・分級等の微粒化処理を追加することで、所定の粒径分布を備える微粒子状の環状カルボジイミドが得られる。環状カルボジイミドは、溶剤に不溶だが、適切な粒子径を備える微粒子となることで溶剤に対する分散性を高めることができる。 On the other hand, by adding a atomization treatment such as pulverization and classification using a known method, a fine particle cyclic carbodiimide having a predetermined particle size distribution can be obtained. Cyclic carbodiimide is insoluble in the solvent, but the dispersibility in the solvent can be improved by forming fine particles having an appropriate particle size.

環状カルボジイミドの粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）により測定され、体積基準の粒度分布に基づいて、累積５０％時、累積１００％の粒子径としてもよい。 The particle size of the cyclic carbodiimide is measured by, for example, a laser diffraction type particle size distribution measuring device (LA-500 manufactured by HORIBA), and based on the volume-based particle size distribution, the cumulative particle size is 50% and 100%. May be good.

ワニス状の上記樹脂組成物中において、上記環状カルボジイミドの少なくとも一部が粒子の状態で存在することができる。また、上記樹脂組成物からなる樹脂膜中においても、同様に、上記環状カルボジイミドの少なくとも一部が粒子の状態で存在することができる。これにより、低誘電特性およびＳＡＰ特性を向上できる。 In the varnish-like resin composition, at least a part of the cyclic carbodiimide can be present in the state of particles. Similarly, in the resin film made of the resin composition, at least a part of the cyclic carbodiimide can be present in the state of particles. Thereby, the low dielectric property and the SAP property can be improved.

上記環状カルボジイミドの含有量の下限値は、上記樹脂組成物全体に対して、例えば、１質量％以上が好ましく、１．５質量％以上がより好ましく、２質量％以上が特に好ましい。これにより、低誘電特性およびＳＡＰ特性の両立を実現できる。一方、上記環状カルボジイミドの含有量の上限値は、上記樹脂組成物全体に対して、例えば、１５質量％以下でもよく、１３質量％以下でもよく、１０質量％以下でもよい。これにより、環状カルボジイミドの分散性を高めることができる。 The lower limit of the content of the cyclic carbodiimide is, for example, preferably 1% by mass or more, more preferably 1.5% by mass or more, and particularly preferably 2% by mass or more, based on the entire resin composition. As a result, both low dielectric properties and SAP characteristics can be achieved. On the other hand, the upper limit of the content of the cyclic carbodiimide may be, for example, 15% by mass or less, 13% by mass or less, or 10% by mass or less with respect to the entire resin composition. Thereby, the dispersibility of the cyclic carbodiimide can be enhanced.

（無機充填材）
上記樹脂組成物は、無機充填材を含む。
上記無機充填材としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカ等の酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。
これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましく、シリカが特に好ましい。無機充填材としては、これらの中の１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。 (Inorganic filler)
The resin composition contains an inorganic filler.
Examples of the inorganic filler include silicates such as talc, fired clay, unburned clay, mica, and glass; oxides such as titanium oxide, alumina, boehmite, silica, and molten silica; calcium carbonate, magnesium carbonate, and hydro. Carbonates such as tarcite; hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide; sulfates or sulfates such as barium sulfate, calcium sulfate, calcium sulfite; zinc borate, barium metaborate, boric acid Borates such as aluminum, calcium borate, sodium borate; nitrides such as aluminum hydroxide, boron nitride, silicon nitride, carbon nitride; titanates such as strontium titanate and barium titanate can be mentioned.
Among these, talc, alumina, glass, silica, mica, aluminum hydroxide and magnesium hydroxide are preferable, and silica is particularly preferable. As the inorganic filler, one of these may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

上記無機充填材の平均粒子径の下限値は、特に限定されないが、例えば、０．０１μｍ以上としてもよく、０．０５μｍ以上としてもよい。これにより、上記熱硬化性樹脂のワニスの粘度が高くなるのを抑制でき、絶縁層作製時の作業性を向上させることができる。また、無機充填材の平均粒子径の上限値は、特に限定されないが、例えば、５．０μｍ以下が好ましく、２．０μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。これにより、上記熱硬化性樹脂のワニス中における無機充填材の沈降等の現象を抑制でき、より均一な樹脂膜を得ることができる。また、プリント配線基板の回路寸法Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍを下回る際には、配線間の絶縁性への影響を抑制することができる。 The lower limit of the average particle size of the inorganic filler is not particularly limited, but may be, for example, 0.01 μm or more, or 0.05 μm or more. As a result, it is possible to suppress an increase in the viscosity of the varnish of the thermosetting resin, and it is possible to improve workability at the time of producing the insulating layer. The upper limit of the average particle size of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 5.0 μm or less, more preferably 2.0 μm or less, still more preferably 1.0 μm or less. As a result, phenomena such as sedimentation of the inorganic filler in the varnish of the thermosetting resin can be suppressed, and a more uniform resin film can be obtained. Further, when the circuit dimension L / S of the printed wiring board is less than 20 μm / 20 μm, the influence on the insulation between the wirings can be suppressed.

本実施形態において、無機充填材の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒子径とすることができる。 In the present embodiment, the average particle size of the inorganic filler is measured by measuring the particle size distribution of the particles on a volume basis by, for example, a laser diffraction type particle size distribution measuring device (LA-500 manufactured by HORIBA), and the median size (D50) thereof. ) Can be the average particle size.

また、無機充填材は、特に限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いてもよいし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いてもよい。さらに平均粒子径が単分散および／または多分散の無機充填材を１種類または２種類以上で併用してもよい。 The inorganic filler is not particularly limited, but an inorganic filler having a monodisperse average particle size may be used, or an inorganic filler having a polydisperse average particle size may be used. Further, one kind or two or more kinds of inorganic fillers having an average particle size of monodisperse and / or polydisperse may be used in combination.

上記無機充填材はシリカ粒子を含むことが好ましい。シリカ粒子は球状であってもよい。上記シリカ粒子の平均粒子径は、特に限定されないが、例えば、５．０μｍ以下としてもよく、０．１μｍ以上４．０μｍ以下としてもよく、０．２μｍ以上２．０μｍ以下としてもよい。これにより、無機充填材の充填性をさらに向上させることができる。 The inorganic filler preferably contains silica particles. The silica particles may be spherical. The average particle size of the silica particles is not particularly limited, but may be, for example, 5.0 μm or less, 0.1 μm or more and 4.0 μm or less, or 0.2 μm or more and 2.0 μm or less. Thereby, the filling property of the inorganic filler can be further improved.

無機充填材の含有量の下限値は、樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、特に限定されないが、例えば、４０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、６０質量％以上がさらに好ましい。これにより、樹脂膜の硬化物を特に低熱膨張、低吸水とすることができる。また、半導体パッケージの反りを抑制することができる。一方で、無機充填材の含有量の上限値は、樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、特に限定されないが、例えば、８５質量％以下としてもよく、８０質量％以下としてもよく、７５質量％以下としてもよい。これにより、ハンドリング性が向上し、樹脂膜を形成するのが容易となる。 The lower limit of the content of the inorganic filler is not particularly limited with respect to 100% by mass of the total solid content of the resin composition, but for example, it is preferably 40% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, and 60% by mass. The above is more preferable. As a result, the cured product of the resin film can have particularly low thermal expansion and low water absorption. Moreover, the warp of the semiconductor package can be suppressed. On the other hand, the upper limit of the content of the inorganic filler is not particularly limited with respect to 100% by mass of the total solid content of the resin composition, but may be, for example, 85% by mass or less, or 80% by mass or less. , 75% by mass or less. As a result, the handleability is improved and it becomes easy to form the resin film.

（シアネート樹脂）
上記樹脂組成物は、シアネート樹脂をさらに含むことができる。
シアネート樹脂は、分子内にシアネート基（−Ｏ−ＣＮ）を有する樹脂であり、シアネート基を分子内に２個以上を有する樹脂を用いることができる。このようなシアネート樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類やナフトール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
シアネート樹脂を用いることにより、樹脂膜の硬化物の線膨張係数を小さくすることができる。さらに、樹脂膜の硬化物の電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度等を高めることができる。 (Cyanate resin)
The resin composition may further contain a cyanate resin.
The cyanate resin is a resin having a cyanate group (-O-CN) in the molecule, and a resin having two or more cyanate groups in the molecule can be used. Such a cyanate resin is not particularly limited, but can be obtained, for example, by reacting a cyanide compound with a phenol or a naphthol and, if necessary, prepolymerizing by a method such as heating. In addition, a commercially available product prepared in this manner can also be used.
By using the cyanate resin, the coefficient of linear expansion of the cured product of the resin film can be reduced. Further, the electrical characteristics (low dielectric constant, low dielectric loss tangent), mechanical strength, etc. of the cured product of the resin film can be improved.

上記シアネート樹脂は、例えば、ノボラック型シアネート樹脂；ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂；ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂；ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂；ビフェニルアルキル型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂、ナフトールアラルキル型シアネート樹脂が好ましく、ノボラック型シアネート樹脂がより好ましい。ノボラック型シアネート樹脂を用いることにより、樹脂膜の硬化物の架橋密度が増加し、耐熱性が向上する。 The cyanate resin is, for example, a novolak type cyanate resin; a bisphenol type cyanate resin such as a bisphenol A type cyanate resin, a bisphenol E type cyanate resin, a tetramethylbisphenol F type cyanate resin; a naphthol aralkyl type phenol resin, and cyanate halide. Examples thereof include naphthol aralkyl type cyanate resin obtained by the reaction; dicyclopentadiene type cyanate resin; biphenylalkyl type cyanate resin and the like. Among these, novolak type cyanate resin and naphthol aralkyl type cyanate resin are preferable, and novolak type cyanate resin is more preferable. By using the novolak type cyanate resin, the crosslink density of the cured product of the resin film is increased, and the heat resistance is improved.

この理由としては、ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成することが挙げられる。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。また、ノボラック型シアネート樹脂を含む樹脂膜の硬化物は優れた剛性を有する。よって、樹脂膜の硬化物の耐熱性をより一層向上できる。 The reason for this is that the novolak type cyanate resin forms a triazine ring after the curing reaction. Further, it is considered that the novolak type cyanate resin has a high proportion of benzene rings due to its structure and is easily carbonized. Further, the cured product of the resin film containing the novolak type cyanate resin has excellent rigidity. Therefore, the heat resistance of the cured product of the resin film can be further improved.

上記ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式（Ｉ）で示されるフェノールノボラック型シアネート樹脂を使用することができる。 As the novolak type cyanate resin, for example, a phenol novolac type cyanate resin represented by the following general formula (I) can be used.

一般式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは任意の整数である。平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１以上が好ましく、２以上がより好ましい。平均繰り返し単位ｎが上記下限値以上であると、ノボラック型シアネート樹脂の耐熱性が向上し、加熱時に低量体が脱離、揮発することを抑制できる。また、平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１０以下が好ましく、７以下がより好ましい。ｎが上記上限値以下であると、溶融粘度が高くなるのを抑制でき、樹脂膜の成形性を向上させることができる。 The average repeating unit n of the novolak type cyanate resin represented by the general formula (I) is an arbitrary integer. The average repeating unit n is not particularly limited, but is preferably 1 or more, and more preferably 2 or more. When the average repeating unit n is not more than the above lower limit value, the heat resistance of the novolak type cyanate resin is improved, and it is possible to suppress the desorption and volatilization of the low weight substance during heating. The average repeating unit n is not particularly limited, but is preferably 10 or less, and more preferably 7 or less. When n is not more than the above upper limit value, it is possible to suppress an increase in melt viscosity and improve the moldability of the resin film.

また、シアネート樹脂としては、下記一般式（ＩＩ）で表わされるナフトールアラルキル型シアネート樹脂も好適に用いられる。下記一般式（ＩＩ）で表わされるナフトールアラルキル型シアネート樹脂は、例えば、α−ナフトールあるいはβ−ナフトール等のナフトール類とｐ−キシリレングリコール、α，α’−ジメトキシ−ｐ−キシレン、１，４−ジ（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼン等との反応により得られるナフトールアラルキル型フェノール樹脂とハロゲン化シアンとを縮合させて得られるものである。一般式（ＩＩ）の繰り返し単位ｎは１０以下の整数であることが好ましい。繰り返し単位ｎが１０以下であると、より均一な樹脂膜を得ることができる。また、合成時に分子内重合が起こりにくく、水洗時の分液性が向上し、収量の低下を防止できる傾向がある。 Further, as the cyanate resin, a naphthol aralkyl type cyanate resin represented by the following general formula (II) is also preferably used. The naphthol aralkyl type cyanate resin represented by the following general formula (II) includes, for example, naphthols such as α-naphthol or β-naphthol, p-xylene glycol, α, α'-dimethoxy-p-xylene, 1,4. It is obtained by condensing a naphthol-aralkyl type phenol resin obtained by reaction with −di (2-hydroxy-2-propyl) benzene or the like and cyanogen halide. The repeating unit n of the general formula (II) is preferably an integer of 10 or less. When the repeating unit n is 10 or less, a more uniform resin film can be obtained. In addition, intramolecular polymerization is unlikely to occur during synthesis, liquid separation property during washing with water is improved, and a decrease in yield tends to be prevented.

（式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子またはメチル基を示し、ｎは１以上１０以下の整数を示す。）

(In the formula, R independently represents a hydrogen atom or a methyl group, and n represents an integer of 1 or more and 10 or less.)

また、シアネート樹脂は１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。 Further, one type of cyanate resin may be used alone, two or more types may be used in combination, or one type or two or more types may be used in combination with their prepolymers.

上記シアネート樹脂の含有量の下限値は、樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、たとえば、１質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、３質量％以上がさらに好ましい。これにより、樹脂膜の硬化物の低線膨張化、高弾性率化を図ることができる。一方、上記シアネート樹脂の含有量の上限値は、樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、特に限定されないが、例えば、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。これにより、耐熱性や耐湿性を向上させることができる。また、シアネート樹脂の含有量が上記範囲内であると、樹脂膜の硬化物の貯蔵弾性率Ｅ’をより一層向上させることができる。 The lower limit of the content of the cyanate resin is, for example, preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, still more preferably 3% by mass or more, based on 100% by mass of the total solid content of the resin composition. As a result, it is possible to achieve low linear expansion and high elastic modulus of the cured product of the resin film. On the other hand, the upper limit of the content of the cyanate resin is not particularly limited with respect to 100% by mass of the total solid content of the resin composition, but for example, it is preferably 30% by mass or less, more preferably 25% by mass or less, and 20% by mass. More preferably, it is by mass or less. Thereby, heat resistance and moisture resistance can be improved. Further, when the content of the cyanate resin is within the above range, the storage elastic modulus E'of the cured product of the resin film can be further improved.

（熱可塑性樹脂）
上記樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含むことができる。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ＡＢＳ樹脂、クマロン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる質量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。 (Thermoplastic resin)
The resin composition may contain a thermoplastic resin.
Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, acrylic resin, methacrylic resin, polyvinyl acetal resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyphenylene oxide resin, polyether sulfone resin, polyester resin, polyethylene resin, and polystyrene. Examples thereof include resins, polysulfone resins, polybutadiene resins, ABS resins, and kumaron resins. As the above-mentioned thermoplastic resin, one of them may be used alone, or two or more kinds having different mass average molecular weights may be used in combination, and one kind or two or more kinds and their prepolymers may be used in combination. It may be used together.

この中でも、上記熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂およびクマロン樹脂からなる群から選択される一種以上を含むことができる。硬化物の伸びを高める観点から、フェノキシ樹脂を用いてもよい。 Among these, the thermoplastic resin may include one or more selected from the group consisting of polyimide resin, polyamide resin, phenoxy resin and kumaron resin. A phenoxy resin may be used from the viewpoint of increasing the elongation of the cured product.

上記フェノキシ樹脂は、特に限定はされないが、例えば、ビスフェノールＡ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＭ（４，４’−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール）骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＰ（４，４’−（１，４）−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール）骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＺ（４，４’−シクロヘキシィジエンビスフェノール）骨格を有するフェノキシ樹脂等ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、フルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノキシ樹脂、ノルボルネン骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂、アダマンタン骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。またフェノキシ樹脂として、これら中の骨格を複数種類有した構造を用いることもできるし、それぞれの骨格の比率が異なるフェノキシ樹脂を用いることができる。さらに異なる骨格のフェノキシ樹脂を複数種類用いることもできるし、異なる質量平均分子量を有するフェノキシ樹脂を複数種類用いたり、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。 The phenoxy resin is not particularly limited, but for example, a phenoxy resin having a bisphenol A skeleton, a phenoxy resin having a bisphenol F skeleton, a phenoxy resin having a bisphenol S skeleton, and bisphenol M (4,4'-(1,3-). Phenoxy resin with phenylenediisopridiene) bisphenol) skeleton, bisphenol P (4,4'-(1,4) -phenylenediisopridiene) bisphenol) Phenoxy resin with skeleton, bisphenol Z (4,4'- Cyclohexidiene bisphenol) Phenoxy resin with bisphenol skeleton Phenoxy resin with bisphenol skeleton, phenoxy resin with novolak skeleton, phenoxy resin with anthracene skeleton, phenoxy resin with fluorene skeleton, phenoxy resin with dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton Examples thereof include a phenoxy resin having a naphthalene skeleton, a phenoxy resin having a biphenyl skeleton, and a phenoxy resin having an adamantan skeleton. Further, as the phenoxy resin, a structure having a plurality of types of skeletons among them can be used, or a phenoxy resin having a different ratio of each skeleton can be used. Further, a plurality of types of phenoxy resins having different skeletons can be used, a plurality of types of phenoxy resins having different mass average molecular weights can be used, and prepolymers thereof can be used in combination.

上記フェノキシ樹脂の質量平均分子量（Ｍｗ）の下限値は、例えば、１０，０００以上であり、好ましくは１５，０００以上であり、さらに好ましくは２０，０００以上である。これにより、他の樹脂との相溶性や溶剤への溶解性を向上させることができる。一方、フェノキシ樹脂の質量平均分子量（Ｍｗ）の上限値は、例えば、６０，０００以下であり、好ましく５５，０００以下であり、より好ましくは５０，０００以下である。これにより、成膜性が向上し、プリント配線基板の製造に用いる場合に不具合が発生するのを抑制することができる。 The lower limit of the mass average molecular weight (Mw) of the phenoxy resin is, for example, 10,000 or more, preferably 15,000 or more, and more preferably 20,000 or more. This makes it possible to improve the compatibility with other resins and the solubility in a solvent. On the other hand, the upper limit of the mass average molecular weight (Mw) of the phenoxy resin is, for example, 60,000 or less, preferably 55,000 or less, and more preferably 50,000 or less. As a result, the film forming property is improved, and it is possible to suppress the occurrence of defects when used in the manufacture of a printed wiring board.

上記クマロン樹脂としては、クマロン系モノマー由来の構造単位を含むものを用いることができる。上記クマロン樹脂は、クマロン系モノマー以外の他のモノマー由来の構造単位を有してもよい。他のモノマーとして、例えば、インデン系モノマー、スチレン系モノマーなどが挙げられる。クマロン樹脂は、これらの他のモノマーの共重合体で構成されていてもよい。なお、クマロン樹脂は、これらの構造単位の繰り返し構造を有することができる。 As the kumaron resin, one containing a structural unit derived from a kumaron-based monomer can be used. The kumaron resin may have a structural unit derived from a monomer other than the kumaron-based monomer. Examples of other monomers include indene-based monomers and styrene-based monomers. The kumaron resin may be composed of a copolymer of these other monomers. The kumaron resin can have a repeating structure of these structural units.

上記熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂）の含有量は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体に対して、０．５質量％以上４０質量％以下が好ましく、１質量％以上２０質量％以下がより好ましい。含有量が上記下限値以上であると、絶縁層の機械強度の低下や、絶縁層と導体回路とのメッキ密着性の低下を抑制することができる。上記上限値以下であると、絶縁層の熱膨張率の増加を抑制でき、耐熱性の低下を抑制することができる。 The content of the thermoplastic resin (for example, phenoxy resin) is not particularly limited, but is preferably 0.5% by mass or more and 40% by mass or less, and 1% by mass or more and 20% by mass or less with respect to the entire resin composition. More preferred. When the content is at least the above lower limit value, it is possible to suppress a decrease in the mechanical strength of the insulating layer and a decrease in the plating adhesion between the insulating layer and the conductor circuit. When it is not more than the above upper limit value, an increase in the coefficient of thermal expansion of the insulating layer can be suppressed, and a decrease in heat resistance can be suppressed.

（硬化促進剤）
上記樹脂組成物は、硬化促進剤を含んでもよい。これにより、樹脂組成物の硬化性を向上させることができる。 (Curing accelerator)
The resin composition may contain a curing accelerator. Thereby, the curability of the resin composition can be improved.

上記硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂の硬化反応を促進させるものを用いることができ、その種類は特に限定されない。本実施形態においては、硬化促進剤として、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸、およびオニウム塩化合物から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性をより効果的に向上させる観点からは、イミダゾール類もしくはオニウム塩化合物を含むことがより好ましい。 As the curing accelerator, one that accelerates the curing reaction of the thermosetting resin can be used, and the type thereof is not particularly limited. In the present embodiment, as the curing accelerator, for example, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, zinc octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), trisacetylacetonate cobalt (III) Organic metal salts such as triethylamine, tributylamine, tertiary amines such as diazabicyclo [2,2,2] octane, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole, etc. Imidazoles such as 2-phenyl-4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxyimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, etc. , Phenol compounds such as phenol, bisphenol A, nonylphenol, organic acids such as acetic acid, benzoic acid, salicylic acid, paratoluenesulfonic acid, and one or more selected from onium salt compounds. Among these, from the viewpoint of more effectively improving the curability, it is more preferable to contain imidazoles or onium salt compounds.

硬化促進剤として用いられるオニウム塩化合物は、特に限定されないが、例えば、下記一般式（２）で表される化合物を用いることができる。 The onium salt compound used as the curing accelerator is not particularly limited, but for example, a compound represented by the following general formula (2) can be used.

（上記一般式（２）中、Ｐはリン原子、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ⁻は分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｎ（ｎ≧１）価のプロトン供与体のアニオン、またはその錯アニオンを示す）

(In the above general formula (2), P is a phosphorus atom, and R ³ , R ⁴ , R ⁵ and R ⁶ are organic groups having substituted or unsubstituted aromatic rings or heterocycles, respectively, or substituted or unsubstituted. They represent aliphatic groups and may be the same or different from each other. A ⁻ is an anion of an n (n ≧ 1) -valent proton donor having at least one or more protons that can be released to the outside of the molecule. , Or its complex anion)

上記硬化促進剤の含有量の下限値は、例えば、樹脂組成物全体に対して、たとえば、０．０１質量％以上としてもよく、好ましくは０．０５質量％以上としてもよい。硬化促進剤の含有量を上記下限値以上とすることにより、樹脂組成物の硬化性をより効果的に向上させることができる。一方、無機充填材を除く硬化促進剤の含有量の上限値は、例えば、樹脂組成物全体に対して、４質量％以下としてもよく、好ましくは２質量％以下としてもよい。硬化促進剤の含有量を上記上限値以下とすることにより、樹脂組成物の保存性を向上させることができる。 The lower limit of the content of the curing accelerator may be, for example, 0.01% by mass or more, preferably 0.05% by mass or more, based on the entire resin composition. By setting the content of the curing accelerator to the above lower limit value or more, the curability of the resin composition can be improved more effectively. On the other hand, the upper limit of the content of the curing accelerator excluding the inorganic filler may be, for example, 4% by mass or less, preferably 2% by mass or less, based on the entire resin composition. By setting the content of the curing accelerator to the above upper limit value or less, the storage stability of the resin composition can be improved.

（カップリング剤）
上記樹脂組成物は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤は樹脂組成物の調製時に直接添加してもよいし、無機充填材にあらかじめ添加しておいてもよい。カップリング剤の使用により無機充填材と各樹脂との界面の濡れ性を向上させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、樹脂膜の硬化物の耐熱性を改良することができる。また、カップリング剤を用いることにより、銅箔との密着性を向上させることができる。さらに、吸湿耐性を向上できるので、湿度環境下においても、銅箔との密着性を維持することができる。 (Coupling agent)
The resin composition may contain a coupling agent. The coupling agent may be added directly at the time of preparing the resin composition, or may be added in advance to the inorganic filler. The wettability of the interface between the inorganic filler and each resin can be improved by using a coupling agent. Therefore, it is preferable to use a coupling agent, and the heat resistance of the cured product of the resin film can be improved. Further, by using a coupling agent, the adhesion with the copper foil can be improved. Further, since the moisture absorption resistance can be improved, the adhesion with the copper foil can be maintained even in a humidity environment.

上記カップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤等のシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。カップリング剤は一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用してもよい。本実施形態において、カップリング剤はシランカップリング剤を含有してもよい。
これにより、無機充填材と各樹脂との界面の濡れ性を高くすることができ、樹脂膜の硬化物の耐熱性をより向上させることができる。 Examples of the coupling agent include silane coupling agents such as epoxy silane coupling agents, cationic silane coupling agents, and aminosilane coupling agents, titanate-based coupling agents, and silicone oil-type coupling agents. One type of coupling agent may be used alone, or two or more types may be used in combination. In the present embodiment, the coupling agent may contain a silane coupling agent.
As a result, the wettability of the interface between the inorganic filler and each resin can be increased, and the heat resistance of the cured product of the resin film can be further improved.

上記シランカップリング剤としては、各種のものを用いることができるが、例えば、エポキシシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン、ビニルシラン等が挙げられる。 Various types of silane coupling agents can be used, and examples thereof include epoxysilane, aminosilane, alkylsilane, ureidosilane, mercaptosilane, and vinylsilane.

具体的な化合物としては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−６−（アミノヘキシル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（３−（トリメトキシシリルプロピル）−１，３−ベンゼンジメタナン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等が挙げられ、これらのうちの一種または二種以上を組み合せて用いることができる。これらのうちエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシランが好ましく、アミノシランとしては、１級アミノシラン又はアニリノシランがより好ましい。 Specific compounds include, for example, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, and N-β (aminoethyl) γ-amino. Propylmethyldimethoxysilane, N-phenylγ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenylγ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltriethoxysilane, N-6- (aminohexyl) 3-Aminopropyltrimethoxysilane, N- (3- (trimethoxysilylpropyl) -1,3-benzenedimethanan, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ -Glysidoxypropylmethyldimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane, etc. Of these, epoxy silane, mercapto silane, and amino silane are preferable, and primary amino silane or anilino silane is more preferable as the amino silane.

上記カップリング剤の含有量は、無機充填材の比表面積に対して適切に調整することができる。このようなカップリング剤の含有量の下限値は、例えば、樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、０．０１質量％以上としてもよく、好ましくは０．０５質量％以上としてもよい。カップリング剤の含有量が上記下限値以上であると、無機充填材を十分に被覆することができ、樹脂膜の硬化物の耐熱性を向上させることができる。一方、上記カップリング剤の含有量の上限値は、例えば、樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、３質量％以下としてもよく、好ましくは１．５質量％以下としてもよい。カップリング剤の含有量が上記上限値以下であると、反応に影響を与えるのを抑制でき、樹脂膜の硬化物の曲げ強度等の低下を抑制することができる。
（添加剤）
なお、本実施形態の樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、緑、赤、青、黄、および黒等の染料、黒色顔料等の顔料、色素からなる群から選択される一種以上を含む着色剤、低応力剤、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤、ゴム粒子等の上記の成分以外の添加剤を含んでもよい。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。 The content of the coupling agent can be appropriately adjusted with respect to the specific surface area of the inorganic filler. The lower limit of the content of such a coupling agent may be, for example, 0.01% by mass or more, preferably 0.05% by mass or more, based on 100% by mass of the total solid content of the resin composition. Good. When the content of the coupling agent is at least the above lower limit value, the inorganic filler can be sufficiently coated, and the heat resistance of the cured product of the resin film can be improved. On the other hand, the upper limit of the content of the coupling agent may be, for example, 3% by mass or less, preferably 1.5% by mass or less, based on 100% by mass of the total solid content of the resin composition. When the content of the coupling agent is not more than the above upper limit value, it is possible to suppress the influence on the reaction and to suppress the decrease in the bending strength and the like of the cured product of the resin film.
(Additive)
The resin composition of the present embodiment is a kind selected from the group consisting of dyes such as green, red, blue, yellow, and black, pigments such as black pigments, and pigments as long as the object of the present invention is not impaired. Additives other than the above components such as colorants, low stress agents, antifoaming agents, leveling agents, ultraviolet absorbers, foaming agents, antioxidants, flame retardants, ion trapping agents, rubber particles and the like including the above may be contained. .. These may be used alone or in combination of two or more.

上記顔料としては、カオリン、合成酸化鉄赤、カドミウム黄、ニッケルチタン黄、ストロンチウム黄、含水酸化クロム、酸化クロム、アルミ酸コバルト、合成ウルトラマリン青等の無機顔料、フタロシアニン等の多環顔料、アゾ顔料等が挙げられる。 Examples of the above pigments include kaolin, synthetic iron oxide red, cadmium yellow, nickel titanium yellow, strontium yellow, chromium hydroxide-containing, chromium oxide, cobalt aluminate, synthetic ultramarine blue and other inorganic pigments, polycyclic pigments such as phthalocyanine, and azo. Pigments and the like can be mentioned.

上記染料としては、イソインドリノン、イソインドリン、キノフタロン、キサンテン、ジケトピロロピロール、ペリレン、ペリノン、アントラキノン、インジゴイド、オキサジン、キナクリドン、ベンツイミダゾロン、ビオランスロン、フタロシアニン、アゾメチン等が挙げられる。 Examples of the dye include isoindolinone, isoindoline, quinophthalone, xanthene, diketopyrrolopyrrole, perylene, perinone, anthraquinone, indigoid, oxazine, quinacridone, benzimidazolone, violanthrone, phthalocyanine, azomethine and the like.

上記ゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。 Examples of the rubber particles include core-shell type rubber particles, crosslinked acrylonitrile butadiene rubber particles, crosslinked styrene butadiene rubber particles, acrylic rubber particles, and silicone particles.

本実施形態において、ワニス状の樹脂組成物は、溶剤を含むことができる。
上記溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤が挙げられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。 In the present embodiment, the varnish-like resin composition can contain a solvent.
Examples of the solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexane, heptane, cyclohexane, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, cellsolve, carbitol, anisole, and the like. And organic solvents such as N-methylpyrrolidone. These may be used alone or in combination of two or more.

樹脂組成物がワニス状である場合において、樹脂組成物の固形分含有量は、たとえば３０質量％以上８０質量％以下としてもよく、より好ましくは４０質量％以上７０質量％以下としてもよい。これにより、作業性や成膜性に非常に優れた樹脂組成物が得られる。 When the resin composition is varnish-like, the solid content of the resin composition may be, for example, 30% by mass or more and 80% by mass or less, and more preferably 40% by mass or more and 70% by mass or less. As a result, a resin composition having excellent workability and film forming property can be obtained.

ワニス状の樹脂組成物は、上述の各成分を、たとえば、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶剤中に溶解、混合、撹拌することにより調製することができる。 In the varnish-like resin composition, each of the above-mentioned components is mixed with various components such as an ultrasonic dispersion method, a high-pressure collision type dispersion method, a high-speed rotation dispersion method, a bead mill method, a high-speed shear dispersion method, and a rotation / revolution type dispersion method. It can be prepared by dissolving, mixing and stirring in a solvent using a machine.

次いで、本実施形態の樹脂膜について説明する。 Next, the resin film of the present embodiment will be described.

本実施形態の樹脂膜は、ワニス状である上記樹脂組成物をフィルム化することにより得ることができる。例えば、本実施形態の樹脂膜は、ワニス状の樹脂組成物を塗布して得られた塗布膜に対して、溶剤を除去することにより得ることができる。このような樹脂膜においては、溶剤含有率が樹脂膜全体に対して５質量％以下とすることができる。本実施形態において、たとえば１００℃〜１５０℃、１分〜５分の条件で溶剤を除去する工程を実施してもよい。これにより、熱硬化性樹脂を含む樹脂膜の硬化が進行することを抑制しつつ、十分に溶剤を除去することが可能となる。 The resin film of the present embodiment can be obtained by forming a varnish-like resin composition into a film. For example, the resin film of the present embodiment can be obtained by removing the solvent from the coating film obtained by applying the varnish-like resin composition. In such a resin film, the solvent content can be 5% by mass or less with respect to the entire resin film. In the present embodiment, the step of removing the solvent may be carried out under the conditions of, for example, 100 ° C. to 150 ° C., 1 minute to 5 minutes. This makes it possible to sufficiently remove the solvent while suppressing the progress of curing of the resin film containing the thermosetting resin.

本実施形態の樹脂膜は、樹脂膜単独で構成されてもよく、繊維基材を内部に含むように構成されてもよい。 The resin film of the present embodiment may be composed of the resin film alone or may be configured to include a fiber base material inside.

（プリプレグ）
本実施形態のプリプレグは、樹脂組成物中に繊維基材を含むように構成される。プリプレグは、上記樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるものである。
例えば、プリプレグは、樹脂組成物を繊維基材に含浸させ、その後、半硬化させて得られるシート状の材料として利用できる。このような構造のシート状材料は、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れ、プリント配線基板の絶縁層の製造に適している。 (Prepreg)
The prepreg of the present embodiment is configured to include a fiber base material in the resin composition. The prepreg is obtained by impregnating the fiber base material with the above resin composition.
For example, the prepreg can be used as a sheet-like material obtained by impregnating a fiber base material with a resin composition and then semi-curing it. A sheet-like material having such a structure is excellent in various properties such as dielectric properties, mechanical and electrical connection reliability under high temperature and humidity, and is suitable for manufacturing an insulating layer of a printed wiring board.

本実施形態において、樹脂組成物を繊維基材に含浸させる方法としては、特に限定されないが、例えば、樹脂組成物を溶剤に溶かして樹脂ワニスを調製し、繊維基材を上記樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより上記樹脂ワニスを繊維基材に塗布する方法、スプレーにより上記樹脂ワニスを繊維基材に吹き付ける方法、樹脂組成物からなる上記樹脂膜で繊維基材の両面をラミネートする方法等が挙げられる。 In the present embodiment, the method of impregnating the fiber base material with the resin composition is not particularly limited, but for example, the resin composition is dissolved in a solvent to prepare a resin varnish, and the fiber base material is immersed in the resin varnish. Methods, a method of applying the resin varnish to the fiber base material by various coaters, a method of spraying the resin varnish on the fiber base material by spraying, a method of laminating both sides of the fiber base material with the resin film made of a resin composition, etc. Can be mentioned.

上記繊維基材としては、例えば、ガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、あるいはガラス以外の無機化合物を成分とする繊布又は不繊布等の無機繊維基材、芳香族ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機繊維で構成される有機繊維基材等が挙げられる。これら基材の中でも強度の点でガラス織布に代表されるガラス繊維基材を用いると、プリント配線基板の機械的強度、耐熱性を良好なものとすることができる。 Examples of the fiber base material include a glass fiber base material such as glass fiber cloth and glass non-fiber cloth, an inorganic fiber base material such as fiber cloth or non-fiber cloth containing an inorganic compound other than glass, an aromatic polyamide-imide resin, and polyamide. Examples thereof include an organic fiber base material composed of organic fibers such as a resin, an aromatic polyester resin, a polyester resin, a polyimide resin, and a fluororesin. Among these base materials, when a glass fiber base material typified by glass woven fabric is used in terms of strength, the mechanical strength and heat resistance of the printed wiring board can be improved.

繊維基材の厚みは、とくに限定されないが、好ましくは５μｍ以上１５０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下であり、さらに好ましくは１２μｍ以上９０μｍ以下である。このような厚みを有する繊維基材を用いることにより、プリプレグ製造時のハンドリング性がさらに向上できる。
繊維基材の厚みが上記上限値以下であると、繊維基材中の樹脂組成物の含浸性が向上し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の発生を抑制することができる。また炭酸ガス、ＵＶ、エキシマ等のレーザーによるスルーホールの形成を容易にすることができる。また、繊維基材の厚みが上記下限値以上であると、繊維基材やプリプレグの強度を向上させることができる。その結果、ハンドリング性が向上できたり、プリプレグの作製が容易となったり、樹脂基板の反りを抑制できたりする。 The thickness of the fiber base material is not particularly limited, but is preferably 5 μm or more and 150 μm or less, more preferably 10 μm or more and 100 μm or less, and further preferably 12 μm or more and 90 μm or less. By using a fiber base material having such a thickness, handleability during prepreg production can be further improved.
When the thickness of the fiber base material is not more than the above upper limit value, the impregnation property of the resin composition in the fiber base material is improved, and the occurrence of strand voids and deterioration of insulation reliability can be suppressed. Further, it is possible to facilitate the formation of through holes by a laser such as carbon dioxide, UV, or excimer. Further, when the thickness of the fiber base material is at least the above lower limit value, the strength of the fiber base material and the prepreg can be improved. As a result, the handleability can be improved, the prepreg can be easily produced, and the warp of the resin substrate can be suppressed.

上記ガラス繊維基材として、例えば、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、ＵＴガラス、Ｌガラス、ＨＰガラスおよび石英ガラスから選ばれる一種または二種以上のガラスにより形成されたガラス繊維基材が好適に用いられる。 As the glass fiber base material, for example, glass formed of one or more kinds of glass selected from E glass, S glass, D glass, T glass, NE glass, UT glass, L glass, HP glass and quartz glass. A fiber substrate is preferably used.

本実施形態において、プリプレグは、例えば、プリント配線基板におけるビルドアップ層中の絶縁層やコア層中の絶縁層を形成するために用いることができる。プリプレグをプリント配線基板におけるコア層中の絶縁層を形成するために用いる場合は、例えば、２枚以上のプリプレグを重ね、得られた積層体を加熱硬化することによりコア層用の絶縁層とすることもできる。 In this embodiment, the prepreg can be used, for example, to form an insulating layer in a build-up layer or an insulating layer in a core layer of a printed wiring board. When the prepreg is used to form an insulating layer in the core layer of a printed wiring board, for example, two or more prepregs are stacked and the obtained laminate is heat-cured to obtain an insulating layer for the core layer. You can also do it.

（金属張積層板）
本実施形態の積層板は、上記プリプレグの硬化物の少なくとも一方の面に金属層が配置された金属張積層板である。 (Metal-clad laminate)
The laminated board of the present embodiment is a metal-clad laminated board in which a metal layer is arranged on at least one surface of the cured product of the prepreg.

また、プリプレグを用いた金属張積層板製造方法は、例えば以下の通りである。
プリプレグまたはプリプレグを２枚以上重ね合わせた積層体の外側の上下両面または片面に金属箔を重ね、ラミネーター装置やベクレル装置を用いて高真空条件下でこれらを接合する、あるいはそのままプリプレグの外側の上下両面または片面に金属箔を重ねる。また、プリプレグを２枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔を重ねる。次いで、プリプレグと金属箔とを重ねた積層体を加熱加圧成形することで金属張積層板を得ることができる。ここで、加熱加圧成形時に、冷却終了時まで加圧を継続することが好ましい。 Further, a method for manufacturing a metal-clad laminate using a prepreg is, for example, as follows.
Metal leaf is laminated on both the upper and lower sides or one side of the outer side of a laminate in which two or more prepregs or prepregs are laminated, and these are joined under high vacuum conditions using a laminator device or a Becquerel device, or the upper and lower sides of the outer side of the prepreg are used as they are. Overlay metal foil on both sides or one side. When two or more prepregs are laminated, the metal foil is laminated on the outermost upper and lower sides or one side of the laminated prepregs. Next, a metal-clad laminate can be obtained by heat-press molding a laminate in which a prepreg and a metal foil are laminated. Here, it is preferable to continue the pressurization until the end of cooling during the heat pressurization molding.

上記金属箔を構成する金属としては、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金、銀、銀系合金、金、金系合金、亜鉛、亜鉛系合金、ニッケル、ニッケル系合金、錫、錫系合金、鉄、鉄系合金、コバール（商標名）、４２アロイ、インバー、スーパーインバー等のＦｅ−Ｎｉ系の合金、Ｗ、Ｍｏ等が挙げられる。これらの中でも、金属箔１０５を構成する金属としては、導電性に優れ、エッチングによる回路形成が容易であり、また安価であることから銅または銅合金が好ましい。すなわち、金属箔１０５としては、銅箔が好ましい。
また、金属箔としては、キャリア付金属箔等も使用することができる。
金属箔の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上２０μｍ以下であり、より好ましくは１．５μｍ以上１８μｍ以下である。 Examples of the metals constituting the metal foil include copper, copper-based alloys, aluminum, aluminum-based alloys, silver, silver-based alloys, gold, gold-based alloys, zinc, zinc-based alloys, nickel, nickel-based alloys, tin, and the like. Examples thereof include tin-based alloys, iron, iron-based alloys, Coval (trade name), 42 alloys, Inver, Super Inver and other Fe—Ni based alloys, W, Mo and the like. Among these, copper or a copper alloy is preferable as the metal constituting the metal foil 105 because it is excellent in conductivity, circuit formation by etching is easy, and it is inexpensive. That is, as the metal foil 105, a copper foil is preferable.
Further, as the metal foil, a metal foil with a carrier or the like can also be used.
The thickness of the metal foil is preferably 0.5 μm or more and 20 μm or less, and more preferably 1.5 μm or more and 18 μm or less.

（キャリア付き樹脂膜）
次いで、本実施形態のキャリア付樹脂膜について説明する。
図１は、キャリア付樹脂膜１０の構成の一例を示す図である。 (Resin film with carrier)
Next, the resin film with a carrier of this embodiment will be described.
FIG. 1 is a diagram showing an example of the configuration of the resin film 10 with a carrier.

上記キャリア付樹脂膜１０の一例は、キャリア基材３０と、キャリア基材３０上に設けられた、樹脂組成物からなる樹脂膜２０）とを備えるものである。 An example of the resin film 10 with a carrier includes a carrier base material 30 and a resin film 20) made of a resin composition provided on the carrier base material 30.

キャリア付樹脂膜１０は、図１（ａ）に示すような巻き取り可能なロール状でもよいし、矩形形状の枚葉状であってもよい。 The resin film 10 with a carrier may have a roll-like shape as shown in FIG. 1A or a rectangular single-wafer shape.

上記キャリア基材３０としては、例えば、高分子フィルムや金属箔などを用いることができる。当該高分子フィルムとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、シリコーンシート等の離型紙、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂シート等が挙げられる。当該金属箔としては、特に限定されないが、例えば、銅および／または銅系合金、アルミおよび／またはアルミ系合金、鉄および／または鉄系合金、銀および／または銀系合金、金および金系合金、亜鉛および亜鉛系合金、ニッケルおよびニッケル系合金、錫および錫系合金などが挙げられる。これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートで構成されるシートが安価および剥離強度の調節が簡便なため最も好ましい。これにより、上記キャリア付樹脂膜１０から、適度な強度で剥離することが容易となる。 As the carrier base material 30, for example, a polymer film or a metal foil can be used. The polymer film is not particularly limited, but is, for example, heat resistant to polyolefins such as polyethylene and polypropylene, polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, release papers such as polycarbonate and silicone sheets, fluororesins and polyimide resins. Examples thereof include a thermoplastic resin sheet having the above. The metal foil is not particularly limited, and is, for example, copper and / or copper-based alloy, aluminum and / or aluminum-based alloy, iron and / or iron-based alloy, silver and / or silver-based alloy, gold and gold-based alloy. , Zinc and zinc alloys, nickel and nickel alloys, tin and tin alloys and the like. Of these, a sheet made of polyethylene terephthalate is most preferable because it is inexpensive and the peel strength can be easily adjusted. As a result, it becomes easy to peel off from the resin film 10 with a carrier with an appropriate strength.

また、キャリア付樹脂膜１０の表面は、例えば、露出していてもよく、保護フィルム（カバーフィルム５０）で覆われていてもよい。保護フィルムとしては、公知の保護機能を有するフィルムを用いることができるが、例えば、ＰＥＴフィルムを使用してもよい。図１（ｂ）に示すように、樹脂膜２０がキャリア基材３０とカバーフィルム５０との間に形成されていてもよい。これにより、樹脂膜２０のハンドリング性が向上する。 Further, the surface of the resin film 10 with a carrier may be exposed, for example, or may be covered with a protective film (cover film 50). As the protective film, a film having a known protective function can be used, but for example, a PET film may be used. As shown in FIG. 1B, the resin film 20 may be formed between the carrier base material 30 and the cover film 50. As a result, the handleability of the resin film 20 is improved.

本実施形態のキャリア付樹脂膜１０の樹脂膜２０は、単層でも多層でもよく、１種または２種以上の膜で構成されていてもよい。当該樹脂シートが多層の場合、同種で構成されてもよく、異種で構成されてもよい。 The resin film 20 of the carrier-attached resin film 10 of the present embodiment may be a single layer or a multilayer, and may be composed of one type or two or more types of films. When the resin sheet has multiple layers, it may be composed of the same type or different types.

上記樹脂膜２０の膜厚の下限値は、例えば、５μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以上である。これにより、絶縁信頼性を向上させることができる。一方、上記樹脂膜２０の膜厚の上限値は、例えば、５０μｍ以下であり、好ましくは４０μｍ以下である。これにより、プリント配線基板の薄層化を実現できる。また、樹脂膜２０の膜厚を上記範囲内とすることにより、プリント配線基板を製造する際に、内層回路の凹凸を充填して成形することができるとともに、好適なビルドアップ層の絶縁樹脂層厚みを確保することができる。 The lower limit of the film thickness of the resin film 20 is, for example, 5 μm or more, preferably 10 μm or more. Thereby, the insulation reliability can be improved. On the other hand, the upper limit of the film thickness of the resin film 20 is, for example, 50 μm or less, preferably 40 μm or less. As a result, it is possible to realize a thin layer of the printed wiring board. Further, by setting the thickness of the resin film 20 within the above range, it is possible to fill the unevenness of the inner layer circuit and mold it when manufacturing the printed wiring board, and the insulating resin layer of the suitable build-up layer. The thickness can be secured.

キャリア基材３０の厚みは、特に限定されないが、例えば、１０〜１００μｍとしてもよく、１０〜７０μｍとしてもよい。これにより、キャリア付樹脂膜１０を製造する際の取り扱い性が良好となり好ましい。 The thickness of the carrier base material 30 is not particularly limited, but may be, for example, 10 to 100 μm or 10 to 70 μm. This is preferable because the handleability when manufacturing the resin film 10 with a carrier is good.

（プリント配線基板）
本実施形態のプリント配線基板は、上記の樹脂膜の硬化物（樹脂組成物の硬化物）で構成された絶縁層を備えるものである。
本実施形態において、樹脂膜の硬化物は、例えば、通常のプリント配線基板のビルドアップ層、コア層を有しないプリント配線基板におけるビルドアップ層、ＰＬＰに用いられるコアレス基板のビルドアップ層、ＭＩＳ基板のビルドアップ層等に用いることができる。このようなビルドアップ層を構成する絶縁層は、複数の半導体パッケージを一括して作成するために利用させる大面積のプリント配線基板において、当該プリント配線基板を構成するビルドアップ層にも好適に用いることができる。 (Printed wiring board)
The printed wiring board of the present embodiment includes an insulating layer made of a cured product of the resin film (cured product of the resin composition).
In the present embodiment, the cured product of the resin film is, for example, a build-up layer of a normal printed wiring board, a build-up layer of a printed wiring board having no core layer, a build-up layer of a coreless substrate used for PLP, and a MIS substrate. It can be used for the build-up layer of. The insulating layer constituting such a build-up layer is preferably used for the build-up layer constituting the printed wiring board in a large-area printed wiring board used for collectively producing a plurality of semiconductor packages. be able to.

また、本実施形態において、絶縁膜形成用の樹脂組成物からなる樹脂膜において、ガラス繊維を含浸する構成とすることができる。このような樹脂膜をビルドアップ層に用いた半導体パッケージにおいても、樹脂膜の硬化物の線膨張係数を低くすることができるので、パッケージ反りを十分に抑制することができる。 Further, in the present embodiment, the resin film made of the resin composition for forming an insulating film can be configured to be impregnated with glass fibers. Even in a semiconductor package using such a resin film as a build-up layer, the coefficient of linear expansion of the cured product of the resin film can be lowered, so that the package warpage can be sufficiently suppressed.

（半導体パッケージ）
図２は、本実施形態の半導体パッケージ２００の製造工程の一例を示す工程断面図である。
本実施形態の半導体装置（半導体パッケージ２００）は、プリント配線基板と、プリント配線基板の回路層上に搭載された、またはプリント配線基板に内蔵された半導体素子２４０と、を備えることができる。 (Semiconductor package)
FIG. 2 is a process cross-sectional view showing an example of the manufacturing process of the semiconductor package 200 of the present embodiment.
The semiconductor device (semiconductor package 200) of the present embodiment can include a printed wiring board and a semiconductor element 240 mounted on the circuit layer of the printed wiring board or built in the printed wiring board.

以下、本実施形態の半導体パッケージ２００の製造工程の概要について説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、絶縁層１０２、ビアホール１０４および金属層１０８を備えるコア層１００を準備する。絶縁層１０２にはビアホール１０４が形成されている。ビアホール１０４には、金属層（ビア）が埋設されている。当該金属層は、無電解金属めっき膜１０６で覆われていてもよい。絶縁層１０２の表面に形成された金属層１０８（所定の回路パターンを有する回路層）は、ビアホール１０４に形成されたビアと電気的に接続する。図２（ａ）には、金属層１０８は、コア層１００の一面上に形成されているが、両面に形成されていてもよい。 Hereinafter, an outline of the manufacturing process of the semiconductor package 200 of the present embodiment will be described.
First, as shown in FIG. 2A, a core layer 100 including an insulating layer 102, a via hole 104, and a metal layer 108 is prepared. A via hole 104 is formed in the insulating layer 102. A metal layer (via) is embedded in the via hole 104. The metal layer may be covered with the electroless metal plating film 106. The metal layer 108 (circuit layer having a predetermined circuit pattern) formed on the surface of the insulating layer 102 is electrically connected to the via formed in the via hole 104. In FIG. 2A, the metal layer 108 is formed on one surface of the core layer 100, but may be formed on both surfaces.

続いて、コア層１００の一面上に金属層１０８を埋め込むように、上記樹脂組成物からなる樹脂膜２０を形成する。例えば、キャリア付樹脂膜１０からカバーフィルム５０を剥離し、その樹脂膜２０（絶縁膜）をコア層１００の回路形成面上に配置してもよい。この樹脂膜２０の表面にはキャリア基材３０が設けられている。キャリア基材３０は、この時点で樹脂膜２０から分離してもよいが、マスクとして使用してもよい。
なお、樹脂膜２０は、絶縁膜単層でもよく、絶縁膜およびプライマー層の複数層で構成されてもよい。 Subsequently, the resin film 20 made of the above resin composition is formed so as to embed the metal layer 108 on one surface of the core layer 100. For example, the cover film 50 may be peeled off from the carrier-attached resin film 10, and the resin film 20 (insulating film) may be arranged on the circuit forming surface of the core layer 100. A carrier base material 30 is provided on the surface of the resin film 20. The carrier base material 30 may be separated from the resin film 20 at this point, or may be used as a mask.
The resin film 20 may be a single layer of an insulating film, or may be composed of a plurality of layers of an insulating film and a primer layer.

続いて、上記樹脂膜２０に、キャリア基材３０を介して、不図示の開口部を形成する。開口部は、金属層１０８を露出させるように形成することができる。開口部の形成方法としては、特に限定されず、例えば、レーザー加工法、露光現像法またはブラスト工法、などの方法を用いることができる。 Subsequently, an opening (not shown) is formed in the resin film 20 via the carrier base material 30. The opening can be formed to expose the metal layer 108. The method for forming the opening is not particularly limited, and for example, a laser processing method, an exposure development method, a blasting method, or the like can be used.

本実施形態において、このような開口部を形成した後、樹脂膜２０を熱硬化させてもよい。その後、キャリア基材３０を剥離する。 In the present embodiment, the resin film 20 may be thermoset after forming such an opening. After that, the carrier base material 30 is peeled off.

また、必要に応じて、デスミア処理を行うことができる。デスミア処理では、開口部の内部に生じたスミアを除去するとともに、上記樹脂膜２０の表面を粗化できる。 In addition, desmear processing can be performed as needed. In the desmear treatment, smear generated inside the opening can be removed and the surface of the resin film 20 can be roughened.

上記デスミア処理の方法は特に限定されないが、たとえば、以下のように行うことができる。まず、樹脂膜２０を積層したコア層１００を、有機溶剤を含む膨潤液に浸漬し、次いでアルカリ性過マンガン酸塩水溶液に浸漬し、中和して粗化処理することができる。有機溶剤としては、ジエチレングリコールモノブチルエーテルやエチレングリコール等を用いる事ができる。このような膨潤液として、例えば、アトテックジャパン社製の「スウェリングディップセキュリガントＰ」が挙げられる。過マンガン酸塩としては、たとえば過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム等を用いることができる。膨潤液や過マンガン酸塩水溶液の液温としては、例えば、５０℃以上でもよく、１００℃以下でもよい。また、膨潤液や過マンガン酸塩水溶液への浸漬時間は、例えば、１分間以上でもよく、３０分間以下でもよい。 The method of the desmear treatment is not particularly limited, but can be performed as follows, for example. First, the core layer 100 on which the resin film 20 is laminated can be immersed in a swelling solution containing an organic solvent, and then immersed in an aqueous alkaline permanganate solution to neutralize and roughen the core layer 100. As the organic solvent, diethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol and the like can be used. Examples of such a swelling liquid include "Swelling Dip Securigant P" manufactured by Atotech Japan. As the permanganate salt, for example, potassium permanganate, sodium permanganate and the like can be used. The liquid temperature of the swelling liquid or the permanganate aqueous solution may be, for example, 50 ° C. or higher, or 100 ° C. or lower. The immersion time in the swelling solution or the permanganate aqueous solution may be, for example, 1 minute or more, or 30 minutes or less.

デスミア処理する工程では、上記の湿式のデスミア処理のみを行うことができるが、デスミア処理に加えてプラズマ照射を行っても良い。 In the step of desmear treatment, only the above-mentioned wet desmear treatment can be performed, but plasma irradiation may be performed in addition to the desmear treatment.

続いて、樹脂膜２０、あるいは樹脂膜２０上に形成されたプライマー層（不図示）上に、無電解金属めっき膜２０２を形成する。無電解めっき法の例を説明する。例えば、下地層の表面上に触媒核を付与する。この触媒核としては、特に限定されないが、例えば、貴金属イオンやパラジウムコロイドを用いることができる。引き続き、この触媒核を核として、無電解めっき処理により、無電解金属めっき膜２０２を形成する。無電解めっきには、例えば、硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウム等を含むものを用いることができる。なお、無電解めっき後に、１００〜２５０℃の加熱処理を施し、めっき被膜を安定化させることができる。 Subsequently, the electroless metal plating film 202 is formed on the resin film 20 or the primer layer (not shown) formed on the resin film 20. An example of the electroless plating method will be described. For example, a catalyst nucleus is provided on the surface of the underlying layer. The catalyst nucleus is not particularly limited, but for example, a noble metal ion or a palladium colloid can be used. Subsequently, the electroless metal plating film 202 is formed by electroless plating with this catalyst nucleus as a core. For electroless plating, for example, those containing copper sulfate, formalin, complexing agent, sodium hydroxide and the like can be used. After electroless plating, heat treatment at 100 to 250 ° C. can be performed to stabilize the plating film.

続いて、図２（ｂ）に示すように、無電解金属めっき膜２０２上に所定の開口パターン（開口部２０６）を有するレジスト２０４を形成してもよい。この開口パターンは、例えば回路パターンに相当する。レジスト２０４としては、特に限定されず、公知の材料を用いることができるが、液状およびドライフィルムを用いることができる。微細配線形成の場合には、レジスト２０４としては、感光性ドライフィルム等を用いることができる。感光性ドライフィルムを用いた一例を説明する。例えば、無電解金属めっき膜２０２上に感光性ドライフィルムを積層し、非回路形成領域を露光して光硬化させ、未露光部を現像液で溶解、除去する。硬化した感光性ドライフィルムを残存させることにより、レジスト２０４を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 2B, a resist 204 having a predetermined opening pattern (opening 206) may be formed on the electroless metal plating film 202. This opening pattern corresponds to, for example, a circuit pattern. The resist 204 is not particularly limited, and known materials can be used, but liquid and dry films can be used. In the case of forming fine wiring, a photosensitive dry film or the like can be used as the resist 204. An example using a photosensitive dry film will be described. For example, a photosensitive dry film is laminated on the electroless metal plating film 202, a non-circuit forming region is exposed and photocured, and an unexposed portion is dissolved and removed with a developing solution. The resist 204 is formed by leaving the cured photosensitive dry film.

続いて、図２（ｃ）に示すように、少なくともレジスト２０４の開口パターン内部かつ無電解金属めっき膜２０２上に、電気めっき処理により、電解金属めっき層２０８を形成する。電気めっきとしては、特に限定されないが、通常のプリント配線基板で用いられる公知の方法を使用することができ、例えば、硫酸銅等のめっき液中に浸漬させた状態で、めっき液に電流を流す等の方法を使用することができる。電解金属めっき層２０８は単層でもよく多層構造を有していてもよい。電解金属めっき層２０８の材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、銅合金、４２合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田のいずれか１種以上を用いることができる。 Subsequently, as shown in FIG. 2C, the electrolytic metal plating layer 208 is formed by electroplating at least inside the opening pattern of the resist 204 and on the electroless metal plating film 202. The electroplating is not particularly limited, but a known method used in a normal printed wiring board can be used. For example, a current is passed through the plating solution while being immersed in a plating solution such as copper sulfate. Etc. can be used. The electrolytic metal plating layer 208 may be a single layer or may have a multi-layer structure. The material of the electrolytic metal plating layer 208 is not particularly limited, and for example, any one or more of copper, copper alloy, 42 alloy, nickel, iron, chromium, tungsten, gold, and solder can be used.

続いて、図２（ｄ）に示すように、アルカリ性剥離液や硫酸または市販のレジスト剥離液等を用いて、レジスト２０４を除去する。 Subsequently, as shown in FIG. 2D, the resist 204 is removed using an alkaline stripping solution, sulfuric acid, a commercially available resist stripping solution, or the like.

続いて、図２（ｅ）に示すように、電解金属めっき層２０８が形成されている領域以外領域（開口部２１０）における無電解金属めっき膜２０２を除去する。すなわち、電解金属めっき層２０８をマスクとして、下層の無電解金属めっき膜２０２を選択的に除去する。例えば、ソフトエッチング（フラッシュエッチング）等を用いることにより、無電解金属めっき膜２０２を除去することができる。ここで、ソフトエッチング処理は、例えば、硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングにより行うことができる。これにより、所定のパターンを有する金属層２２０を形成することができる。このように、セミアディティブプロセス（ＳＡＰ）によって、本実施形態の樹脂膜の硬化物からなる絶縁層上に、無電解金属めっき膜２０２および電解金属めっき層２０８で構成される金属層２２０を形成することができる。 Subsequently, as shown in FIG. 2E, the electroless metal plating film 202 in the region (opening 210) other than the region where the electrolytic metal plating layer 208 is formed is removed. That is, the electroless metal plating film 202 of the lower layer is selectively removed by using the electrolytic metal plating layer 208 as a mask. For example, the electroless metal plating film 202 can be removed by using soft etching (flash etching) or the like. Here, the soft etching process can be performed, for example, by etching with an etching solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide. As a result, the metal layer 220 having a predetermined pattern can be formed. In this way, the metal layer 220 composed of the electroless metal plating film 202 and the electrolytic metal plating layer 208 is formed on the insulating layer made of the cured product of the resin film of the present embodiment by the semi-additive process (SAP). be able to.

さらに、コア層１００および上記ビルドアップ層で構成されるプリント配線基板上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返すことにより、多層にすることができる。
以上により、本実施形態のプリント配線基板が得られる。 Further, the build-up layer is laminated as necessary on the printed wiring board composed of the core layer 100 and the build-up layer, and the steps of interlayer connection and circuit formation by the semi-additive process are repeated to form multiple layers. can do.
From the above, the printed wiring board of this embodiment is obtained.

続いて、図２（ｆ）に示すように、得られたプリント配線基板上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返す。そして、必要に応じて、ソルダーレジスト層２３０をプリント配線基板の両面又は片面に積層する。 Subsequently, as shown in FIG. 2 (f), a build-up layer is laminated on the obtained printed wiring board as needed, and the steps of interlayer connection and circuit formation by a semi-additive process are repeated. Then, if necessary, the solder resist layer 230 is laminated on both sides or one side of the printed wiring board.

ソルダーレジスト層２３０の形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストをラミネートし、露光、および現像により形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像することにより形成する方法によりなされる。 The method for forming the solder resist layer 230 is not particularly limited, but for example, a method of laminating a dry film type solder resist and forming it by exposure and development, or a method of printing a liquid resist and exposing and developing it. It is done by the method of forming.

続いて、リフロー処理を行なうことによって、半導体素子２４０を配線パターンの一部である接続端子上に、半田バンプ２５０を介して固着させる。その後、半導体素子２４０、および半田バンプ２５０等を封止材層２６０で覆うように封止する。
以上により、図２（ｆ）に示す、半導体パッケージ２００が得られる。 Subsequently, by performing a reflow process, the semiconductor element 240 is fixed on the connection terminal which is a part of the wiring pattern via the solder bump 250. After that, the semiconductor element 240, the solder bump 250, and the like are sealed so as to be covered with the sealing material layer 260.
As a result, the semiconductor package 200 shown in FIG. 2 (f) is obtained.

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。 Although the embodiments of the present invention have been described above, these are examples of the present invention, and various configurations other than the above can be adopted. Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications, improvements, etc. within the range in which the object of the present invention can be achieved are included in the present invention.

以下、本発明について実施例を参照して詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the description of these Examples.

（樹脂組成物の調製）
表１に示す固形分割合で各成分を溶解または分散させ、メチルエチルケトンで不揮発分７０質量％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して、ワニス状の樹脂組成物（樹脂ワニスＰ）を調製した。
なお、表１における各成分の配合割合を示す数値は、樹脂組成物の固形分全体に対する各成分の配合割合（質量％）を示している。 (Preparation of resin composition)
Each component is dissolved or dispersed in the solid content ratio shown in Table 1, adjusted to have a non-volatile content of 70% by mass with methyl ethyl ketone, and stirred using a high-speed stirrer to form a varnish-like resin composition (resin varnish P). Was prepared.
The numerical value indicating the blending ratio of each component in Table 1 indicates the blending ratio (mass%) of each component with respect to the total solid content of the resin composition.

表１における各成分の原料の詳細は下記のとおりである。
（無機充填材）
・無機充填材１：シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＣ４０５０、平均粒径１．１μｍ、表面がアミノフェノキシシラン処理されたもの） The details of the raw materials of each component in Table 1 are as follows.
(Inorganic filler)
-Inorganic filler 1: Silica particles (manufactured by Admatex, SC4050, average particle size 1.1 μm, surface treated with aminophenoxysilane)

（環状カルボジイミド）
・環状カルボジイミド１：環状カルボジイミドの小径微粉（帝人社製、ＴＣＣ−ＦＰ１０Ｍ、Ｄ_５０：１．７５μｍ、Ｄｍａｘ：９．２５μｍ）
・環状カルボジイミド２：下記の分級方法で分級された環状カルボジイミドの小径微粉（Ｄ_５０：４．１μｍ、Ｄｍａｘ：１８μｍ）
分級方法：環状カルボジイミド（帝人社製、ＴＣＣ）を、ドライ遠心分離法（日清エンジニアリング社製ＴＣ−２０）を用いて、エアー圧を最初５ｍ^３／ｍｉｎ、次いで０．３８ｍ^３／ｍｉｎとする条件で処理して分離し、上記環状カルボジイミド２を得た。 (Cyclic carbodiimide)
-Cyclic carbodiimide 1: Small diameter fine powder of cyclic carbodiimide (Teijin, TCC-FP10M, D ₅₀ : 1.75 μm, Dmax: 9.25 μm)
-Cyclic carbodiimide 2: Small diameter fine powder of cyclic carbodiimide classified by the following classification method (D ₅₀ : 4.1 μm, Dmax: 18 μm)
Classification method: Cyclic carbodiimide (TCC manufactured by Teijin Limited) is subjected to a dry centrifugation method (TC-20 manufactured by Nisshin Engineering Co., Ltd.), and the air pressure is first set to 5 m ³ / min and then 0.38 m ³ / min. The mixture was treated under the conditions and separated to obtain the above-mentioned cyclic carbodiimide 2.

（非環状カルボジイミド）
・非環状カルボジイミド１：芳香族カルボジイミド（日清紡ケミカル社製、Ｖ−０５） (Acyclic carbodiimide)
-Acyclic carbodiimide 1: Aromatic carbodiimide (manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., V-05)

（エポキシ樹脂）
・エポキシ樹脂１：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００）
・エポキシ樹脂２：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、ｊＥＲ８０６Ｈ、室温で液状）
・エポキシ樹脂３：グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、ｊＥＲ６０３） (Epoxy resin)
-Epoxy resin 1: Phenolic aralkyl type epoxy resin having a biphenylene skeleton (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000)
-Epoxy resin 2: Bisphenol F type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, jER806H, liquid at room temperature)
-Epoxy resin 3: Glycidylamine type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, jER603)

（シアネート樹脂）
・シアネート樹脂１：フェノールノボラック型シアネートエステル（ロンザジャパン社製、ＰＴ−３０） (Cyanate resin)
-Cyanate resin 1: Phenolic novolac type cyanate ester (manufactured by Lonza Japan, PT-30)

（硬化剤）
・活性エステル系硬化剤１：ナフタレン骨格を有する活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ社製、ＨＰＣ−８１５０−６０Ｔ） (Hardener)
-Active ester-based curing agent 1: Active ester-based curing agent having a naphthalene skeleton (manufactured by DIC, HPC-8150-60T)

（熱可塑性樹脂）
・フェノキシ樹脂１：フェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＬ７８９９ＢＨ３０） (Thermoplastic resin)
-Phenoxy resin 1: Phenoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, YL7899BH30)

（硬化促進剤）
・硬化促進剤１：イミダゾール化合物（２−フェニルイミダゾール、四国化成工業社製、キュアゾール２ＰＺ−ＰＷ） (Curing accelerator)
-Curing accelerator 1: Imidazole compound (2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Chemicals Corporation, Curesol 2PZ-PW)

各実施例および各比較例において、得られた樹脂ワニスＰ（樹脂組成物）を用い、次のようにして、キャリア付き樹脂膜、プリント配線基板、半導体パッケージを作成した。 Using the obtained resin varnish P (resin composition) in each Example and each Comparative Example, a resin film with a carrier, a printed wiring board, and a semiconductor package were prepared as follows.

（キャリア付き樹脂膜：樹脂シートの作製）
厚み３８μｍのＰＥＴフィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の樹脂層の厚みの総和が３０μｍとなるように、得られた樹脂ワニスＰを塗工し、これを１６０℃の乾燥装置で３分間乾燥して、ＰＥＴフィルム上に、絶縁膜が積層された樹脂シート（キャリア付き樹脂膜）を得た。 (Resin film with carrier: Preparation of resin sheet)
The obtained resin varnish P was applied to one side of a PET film having a thickness of 38 μm using a comma coater device so that the total thickness of the resin layers after drying was 30 μm, and this was applied with a drying device at 160 ° C. After drying for 3 minutes, a resin sheet (resin film with a carrier) in which an insulating film was laminated on the PET film was obtained.

（プリント配線板の作製）
２ステージビルドアップラミネーター（ニチゴー・モートン社製ＣＶＰ３００）を用いて、厚さ３０μｍの樹脂シート（キャリア付き樹脂膜１）から積層体を製造した。具体的には、厚み１００μｍのＥＬＣ−４７８５ＴＨ−Ｇ（住友ベークライト社製、銅箔１２μｍ）を用いて、ドリル機で所定のところを開孔して、無電解めっきにより、導通を図り、銅箔をエッチングして回路形成面を有する残銅６０％のコア層を作製した。また、キャリア付き樹脂膜の樹脂膜を枚葉にカットし、上記ＣＶＰ３００にセットして上記コア層に仮付けし、真空ラミネーター内で１２０℃、０．７ＭＰａ、３０秒間真空ラミネーションをおこなった。
その後、ニチゴー・モートン社製ＣＰＶ３００が備えるホットプレス装置を用いて、１００℃、０．６ＭＰａ、６０秒間ホットプレスして平滑化した。
その後、熱風乾燥装置に、得られた積層体を１６０℃、６０分間入れ、ビルドアップ用プリプレグの熱硬化性樹脂の硬化反応をおこなった。
つぎに、得られた積層板に炭酸レーザーによりビア孔を形成した。ＰＥＴフィルムを剥離した後、ビア内および、樹脂層表面を、６０℃の膨潤液（アトテックジャパン社製、スウェリングディップセキュリガントＰ）に５分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン社製、コンセントレートコンパクトＣＰ：過マンガン酸ナトリウム濃度６０ｇ／ｌ、ＮａＯＨ濃度４５ｇ／ｌ）に３０分浸漬後、中和して粗化処理をおこなった。
これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき皮膜を約０．５μｍ形成し、レジストを形成し、無電解銅めっき皮膜を給電層としてパターン電気めっき銅２０μｍ形成させ、回路加工を施した。つぎに、熱風乾燥装置にて２００℃で６０分間アニール処理を行った後、フラッシュエッチングで給電層を除去した。次いで、ソルダーレジスト層を形成し、半導体素子搭載パッドなどが露出するように開口部を形成した。最後に、ソルダーレジスト層から露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層３μｍと、さらにその上へ、無電解金めっき層０．１μｍとからなるめっき層を形成し、得られた基板を５０ｍｍ×５０ｍｍサイズに切断し、プリント配線板を得た。 (Making a printed wiring board)
A laminate was produced from a resin sheet (resin film 1 with a carrier) having a thickness of 30 μm using a two-stage build-up laminator (CVP300 manufactured by Nichigo Morton). Specifically, using ELC-4785TH-G (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., copper foil 12 μm) having a thickness of 100 μm, a predetermined hole is opened with a drilling machine, and electroless plating is used to achieve conduction and copper foil. Was etched to prepare a core layer of 60% residual copper having a circuit forming surface. Further, the resin film of the resin film with a carrier was cut into a single sheet, set on the CVP 300, temporarily attached to the core layer, and vacuum-laminated in a vacuum laminator at 120 ° C. for 0.7 MPa for 30 seconds.
Then, using the hot press apparatus provided in the CPV300 manufactured by Nichigo Morton, the smoothing was performed by hot pressing at 100 ° C., 0.6 MPa for 60 seconds.
Then, the obtained laminate was placed in a hot air drying device at 160 ° C. for 60 minutes to carry out a curing reaction of the thermosetting resin of the build-up prepreg.
Next, via holes were formed in the obtained laminated plate by a carbon dioxide laser. After peeling off the PET film, the inside of the via and the surface of the resin layer are immersed in a swelling solution (Atotech Japan, Swelling Dip Securigant P) at 60 ° C for 5 minutes, and then an aqueous solution of potassium permanganate at 80 ° C (Aqueous solution of potassium permanganate at 80 ° C). Concentrate Compact CP manufactured by Atotech Japan Co., Ltd .: Sodium permanganate concentration 60 g / l, NaOH concentration 45 g / l) was immersed for 30 minutes, then neutralized and roughened.
After undergoing the steps of degreasing, applying a catalyst, and activating this, an electroless copper plating film of about 0.5 μm was formed to form a resist, and the pattern electroplated copper 20 μm was formed using the electroless copper plating film as a feeding layer. Circuit processing was applied. Next, an annealing treatment was performed at 200 ° C. for 60 minutes in a hot air drying device, and then the feeding layer was removed by flash etching. Next, a solder resist layer was formed, and an opening was formed so that a pad for mounting a semiconductor element or the like was exposed. Finally, a plating layer composed of an electroless nickel plating layer of 3 μm and an electroless gold plating layer of 0.1 μm is formed on the circuit layer exposed from the solder resist layer, and the obtained substrate is 50 mm. It was cut into a size of × 50 mm to obtain a printed wiring board.

（半導体パッケージの作製）
半導体パッケージは、得られたプリント配線基板上に半田バンプを有する半導体素子（ＴＥＧチップ、サイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚み０．１ｍｍ）を、フリップチップボンダー装置により、加熱圧着により搭載した。次に、ＩＲリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂（住友ベークライト社製、ＣＲＰ−４１５２Ｓ）を充填し、その後、液状封止樹脂を硬化させることで半導体パッケージを得た。尚、液状封止樹脂は、温度１５０℃、１２０分の条件で硬化させた。上記半導体素子の半田バンプは、Ｓｎ／Ｐｂ組成の共晶で形成されたものを用いた。最後に１４ｍｍ×１４ｍｍのサイズにルーターで個片化し、半導体パッケージを得た。 (Manufacturing of semiconductor package)
In the semiconductor package, a semiconductor element (TEG chip, size 10 mm × 10 mm, thickness 0.1 mm) having solder bumps was mounted on the obtained printed wiring board by heat crimping with a flip chip bonder device. Next, after the solder bumps were melt-bonded in an IR reflow furnace, a liquid sealing resin (CRP-4152S manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was filled, and then the liquid sealing resin was cured to obtain a semiconductor package. The liquid sealing resin was cured under the conditions of a temperature of 150 ° C. for 120 minutes. As the solder bump of the semiconductor element, one formed by eutectic having a Sn / Pb composition was used. Finally, it was separated into pieces with a router to a size of 14 mm × 14 mm to obtain a semiconductor package.

上記樹脂ワニスＰ（樹脂組成物）を用いて得られた、キャリア付き樹脂膜、プリント配線基板、および半導体パッケージについて、以下の評価項目に基づいて評価を行った。 The resin film with a carrier, the printed wiring board, and the semiconductor package obtained by using the above resin varnish P (resin composition) were evaluated based on the following evaluation items.

（観察）
実施例１〜４で得られたワニス状の樹脂組成物（樹脂ワニスＰ）および樹脂シートのそれぞれの内部において、環状カルボジイミドの状態について観察した。
樹脂ワニスＰを１μｍメッシュオンでアセトン洗浄しながら捕集してＳＥＭ観察した。樹脂シートをアセトンに溶解させ同様に１μｍメッシュオンでアセトン洗浄しながら捕集してＳＥＭ観察した。
樹脂ワニスＰおよび樹脂シートのいずれも、環状カルボジイミドが粒子の形態として存在すことを確認できた。 (Observation)
The state of the cyclic carbodiimide was observed inside each of the varnish-like resin composition (resin varnish P) and the resin sheet obtained in Examples 1 to 4.
The resin varnish P was collected while being washed with acetone with a 1 μm mesh-on and observed by SEM. The resin sheet was dissolved in acetone and collected while being washed with acetone in the same manner with 1 μm mesh-on and observed by SEM.
It was confirmed that cyclic carbodiimide was present in the form of particles in both the resin varnish P and the resin sheet.

（誘電正接）
得られたキャリア付き樹脂膜の厚み３０μｍの樹脂膜を４枚重ね、銅箔を用いてホットプレスを用いて２００℃、１ｋｇｆ／ｍｍ^２のプレス条件で、２時間加熱加圧し、樹脂膜を硬化させた。次いで、得られた硬化物の銅箔をエッチングにより除去し、サンプルとして硬化物を製造した。
得られた硬化物について、１ＧＨｚでの誘電正接を空洞共振器法で測定した。 (Dissipation factor)
Four resin films having a thickness of 30 μm with a carrier were laminated and heated and pressed for 2 hours at 200 ° C. and 1 kgf / mm ² using a hot press using a copper foil to cure the resin films. I let you. Next, the copper foil of the obtained cured product was removed by etching to produce a cured product as a sample.
The dielectric loss tangent at 1 GHz was measured for the obtained cured product by the cavity resonator method.

（ピール強度、表面粗さＲａ）
得られたプリント配線板を用いて、ＪＩＳＣ−６４８１：１９９６に準拠して、上述の粗化処理後の２３℃におけるピール強度を測定した。 (Peel strength, surface roughness Ra)
Using the obtained printed wiring board, the peel strength at 23 ° C. after the above-mentioned roughening treatment was measured according to JIS C-6481: 1996.

また、当該粗化処理後の樹脂層における表面粗さＲａについて、レーザー顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ社製、ＶＫ−８５１０、条件；ＰＩＴＣＨ０．０２μｍ、ＲＵＮｍｏｄｅカラー超深度）を用いて測定した。表面粗さＲａは、１０点測定し、１０点の平均値とした。 Further, the surface roughness Ra of the resin layer after the roughening treatment was measured using a laser microscope (manufactured by KEYENCE, VK-8510, conditions; PITCH 0.02 μm, RUNmode color ultra-depth). The surface roughness Ra was measured at 10 points and used as an average value of 10 points.

（吸湿耐熱試験）
得られた半導体パッケージについて、ＪＥＤＥＣ（レベル１）に準拠して、温度８５℃、湿度８５％、時間１６８時間の前処理を行い、その後、２６０℃に達するリフロー炉に１０回通し、超音波探傷装置でビア内のめっき、および配線形成されためっきについて評価した。表１の各符号は以下の通りである。
○：めっき膨れ無し
△：リフロー２回まで、めっき膨れ無し
×：リフロー１回以下で、めっき膨れ有り (Hygroscopic heat resistance test)
The obtained semiconductor package is pretreated in accordance with JEDEC (level 1) at a temperature of 85 ° C., a humidity of 85%, and a time of 168 hours, and then passed through a reflow furnace reaching 260 ° C. 10 times for ultrasonic flaw detection. The equipment evaluated the plating in the vias and the plating on which the wiring was formed. Each code in Table 1 is as follows.
◯: No plating swelling △: Up to 2 reflows, no plating swelling ×: No plating swelling with 1 or less reflows

（スミア除去性）
炭酸ガスレーザーでビアホール（ＶＨ）形成、およびデスミア後に、ビア底を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスミアの残渣を確認した。尚、評価サンプルは前記レーザー加工および外層回路の形成時のデスミア処理を行ったＶＨを任意に５０個選んだ。
各符号は、以下の通りである。
◎：良好、残渣が全く存在しない
○：実質上問題なし、ＶＨ壁面から５μｍ未満の残渣あり
△：実質上使用不可、ＶＨ壁面から５μｍ以上の残渣あり
×：使用不可、ビア底全面に残渣あり (Smear removal property)
After the formation of via holes (VH) with a carbon dioxide laser and desmear, the bottom of the via was confirmed with a scanning electron microscope (SEM) for smear residue. As the evaluation sample, 50 VHs that had undergone the laser processing and the desmear treatment at the time of forming the outer layer circuit were arbitrarily selected.
Each code is as follows.
⊚: Good, no residue at all ○: No problem, there is a residue less than 5 μm from the VH wall surface Δ: Virtually unusable, there is a residue of 5 μm or more from the VH wall surface ×: Unusable, there is a residue on the entire via bottom

（絶縁性）
得られたプリント配線基板のＬ／Ｓ＝１５／１５μｍの微細回路パターンの絶縁信頼性評価を行った。温度１３０℃、湿度８５％、印加電圧３．３Ｖの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。なお、抵抗値１０６Ω以下を故障とした。評価基準は以下の通りである。
○：５００時間以上故障なし
△：２００〜５００時間未満で故障あり（実質上問題なし）
×：２００時間未満で故障あり (Insulation)
The insulation reliability of the obtained printed wiring board with a fine circuit pattern of L / S = 15/15 μm was evaluated. The continuous wet insulation resistance was evaluated under the conditions of a temperature of 130 ° C., a humidity of 85%, and an applied voltage of 3.3 V. A resistance value of 106 Ω or less was regarded as a failure. The evaluation criteria are as follows.
◯: No failure for 500 hours or more Δ: Failure in 200 to less than 500 hours (substantially no problem)
×: There is a failure in less than 200 hours

実施例１〜４の樹脂組成物は、比較例１〜３と比べて、誘電正接が低く、ピール強度（ＳＡＰ特性）も高い結果が示された。また、実施例１〜４の樹脂組成物を用いることにより、吸湿耐熱試験、デスミア性および絶縁性に優れることが分かった。このような実施例１〜４の樹脂組成物は、回路用基板の形成に好適に用いることができる。 The resin compositions of Examples 1 to 4 had a lower dielectric loss tangent and a higher peel strength (SAP characteristics) than those of Comparative Examples 1 to 3. Further, it was found that the resin compositions of Examples 1 to 4 were excellent in hygroscopic heat resistance test, desmear property and insulating property. Such resin compositions of Examples 1 to 4 can be suitably used for forming a circuit board.

１０キャリア付樹脂膜
２０樹脂膜
３０キャリア基材
５０カバーフィルム
１００コア層
１０２絶縁層
１０４ビアホール
１０６無電解金属めっき膜
１０８金属層
２００半導体パッケージ
２０２無電解金属めっき膜
２０４レジスト
２０６開口部
２０８電解金属めっき層
２１０開口部
２２０金属層
２３０ソルダーレジスト層
２４０半導体素子
２５０半田バンプ
２６０封止材層 10 Resin film with carrier 20 Resin film 30 Carrier base material 50 Cover film 100 Core layer 102 Insulation layer 104 Via hole 106 Electrolytic metal plating film 108 Metal layer 200 Semiconductor package 202 Electrolytic metal plating film 204 Resist 206 Opening 208 Electrolytic metal plating Layer 210 Opening 220 Metal layer 230 Solder resist layer 240 Semiconductor element 250 Solder bump 260 Encapsulant layer

Claims

回路基板用の樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
無機充填材と、
環状カルボジイミドと、
を含む、樹脂組成物。 A resin composition for circuit boards
Epoxy resin and
Hardener and
Inorganic filler and
Cyclic carbodiimide and
A resin composition comprising.

請求項１に記載の樹脂組成物であって、
前記環状カルボジイミドの含有量は、当該樹脂組成物の固形分全体に対して、１質量％以上１５質量％以下である、樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1.
A resin composition in which the content of the cyclic carbodiimide is 1% by mass or more and 15% by mass or less with respect to the total solid content of the resin composition.

請求項１または２に記載の樹脂組成物であって、
当該樹脂組成物中に、前記環状カルボジイミドの少なくとも一部が粒子として存在する、樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1 or 2.
A resin composition in which at least a part of the cyclic carbodiimide is present as particles in the resin composition.

請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂組成物であって、
熱可塑性樹脂を含む、樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 3.
A resin composition containing a thermoplastic resin.

請求項４に記載の樹脂組成物であって、
前記熱可塑性樹脂は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂およびクマロン樹脂からなる群から選択される一種以上を含む、樹脂組成物。 The resin composition according to claim 4.
The thermoplastic resin is a resin composition containing at least one selected from the group consisting of a polyimide resin, a polyamide resin, a phenoxy resin, and a kumaron resin.

請求項１〜５のいずれか一項に記載の樹脂組成物であって、
前記無機充填材の含有量は、当該樹脂組成物の固形分全体に対して、４０質量％以上８５質量％以下である、樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 5.
The content of the inorganic filler is 40% by mass or more and 85% by mass or less with respect to the total solid content of the resin composition.

請求項１〜６のいずれか一項に記載の樹脂組成物であって、
前記無機充填材は、シリカを含む、樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 6.
The inorganic filler is a resin composition containing silica.

請求項１〜７のいずれか一項に記載の樹脂組成物であって、
前記硬化剤は、活性エステル系硬化剤を含む、樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 7.
The curing agent is a resin composition containing an active ester-based curing agent.

請求項１〜８のいずれか一項に記載の樹脂組成物であって、
シアネート樹脂を含む、樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 8.
A resin composition comprising a cyanate resin.

キャリア基材と、
前記キャリア基材上に設けられた、請求項１〜９のいずれか一項に記載の樹脂組成物からなる樹脂膜と、
を備える、キャリア付樹脂膜。 Carrier base material and
A resin film made of the resin composition according to any one of claims 1 to 9 provided on the carrier base material.
A resin film with a carrier.

請求項１〜９のいずれか一項に記載の樹脂組成物中に繊維基材を含むプリプレグ。 A prepreg containing a fiber base material in the resin composition according to any one of claims 1 to 9.

請求項１１に記載のプリプレグの少なくとも一方の面上に金属層を配置してなる積層板。 A laminated plate in which a metal layer is arranged on at least one surface of the prepreg according to claim 11.

請求項１〜９のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物で構成された絶縁層を備える、プリント配線基板。 A printed wiring board comprising an insulating layer composed of a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 9.

請求項１３に記載のプリント配線基板と、
前記プリント配線基板の回路層上に搭載された、または前記プリント配線基板に内蔵された半導体素子と、を備える、半導体装置。 The printed wiring board according to claim 13 and
A semiconductor device including a semiconductor element mounted on a circuit layer of the printed wiring board or built in the printed wiring board.