JP2019192869A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性を向上する【解決手段】実施形態によれば、半導体記憶装置は、第1及び第2信号線109と、第1及び第2信号線109の間に設けられた第1絶縁層110と、第1及び第2配線層103と、第1信号線109と第1配線層103との間、及び第2信号線109と第2配線層103との間にそれぞれ電圧を印加して情報を記憶する第1及び第2メモリセルMCと、第1及び第2信号線109上に設けられた第1導電層111と、第3及び第4配線層103と、第1導電層111上に設けられた第3及び第4信号線109と、第3及び第4信号線109の間に設けられた第2絶縁層110と、第3信号線と第3配線層との間、及び第4信号線と第4配線層との間にそれぞれ電圧を印加して情報を記憶する第3及び第4メモリセルMCとを含む。【選択図】図3
Description
本発明の実施形態は、半導体記憶装置に関する。
半導体記憶装置として、NAND型フラッシュメモリが知られている。
信頼性を向上できる半導体記憶装置を提供する。
実施形態に係る半導体記憶装置は、半導体基板と、第1方向に延伸する第1信号線と、第1信号線と第1方向と交差し半導体基板に平行な第2方向に離れて配置され、第1方向に延伸する第2信号線と、第1信号線と第2信号線との間に設けられた第1絶縁層と、半導体基板の上方において、第1及び第2方向に交差し半導体基板に平行な第3方向に延伸する第1配線層と、第3方向に延伸する第2配線層と、第1信号線と第1配線層との間に電圧を印加して第1の情報を記憶する第1メモリセルと、第2信号線と第2配線層との間に電圧を印加して第2の情報を記憶する第2メモリセルと、第1信号線と第2信号線の上に設けられた第1導電層と、第1配線層の上方において、第3方向に延伸する第3配線層と、第3配線層と第2方向に離れて位置し、第3方向に延伸する第4配線層と、第1方向に延伸し、第1導電層上に設けられた第3信号線と、第3信号線と第2方向に離れて配置され、第1方向に延伸し、第1導電層上に設けられた第4信号線と、第3信号線と第4信号線との間に設けられた第2絶縁層と、第3信号線と第3配線層との間に電圧を印加して第3の情報を記憶する第3メモリセルと、第4信号線と第4配線層との間に電圧を印加して第4の情報を記憶する第4メモリセルとを含む。
以下に、実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。また、以下に示す各実施形態は、この実施形態の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、実施形態の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。実施形態の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
1.第1実施形態
第1実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。以下では、半導体記憶装置として、メモリセルトランジスタが半導体基板上方に三次元に積層された三次元積層型NAND型フラッシュメモリを例に挙げて説明する。
第1実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。以下では、半導体記憶装置として、メモリセルトランジスタが半導体基板上方に三次元に積層された三次元積層型NAND型フラッシュメモリを例に挙げて説明する。
1.1 構成
1.1.1 半導体記憶装置の全体構成
まず、半導体記憶装置の全体構成について、図1を用いて説明する。図1は、半導体記憶装置の基本的な全体構成を示すブロック図の一例である。なお、図1では、各ブロックの接続の一部を矢印線により示しているが、ブロック間の接続はこれらに限定されない。
1.1.1 半導体記憶装置の全体構成
まず、半導体記憶装置の全体構成について、図1を用いて説明する。図1は、半導体記憶装置の基本的な全体構成を示すブロック図の一例である。なお、図1では、各ブロックの接続の一部を矢印線により示しているが、ブロック間の接続はこれらに限定されない。
図1に示すように、半導体記憶装置1は、大まかにメモリコア部10と周辺回路部20とを含む。
メモリコア部10は、メモリセルアレイ11、ロウデコーダ12、及びセンスアンプ13を含む。
メモリセルアレイ11は、複数のブロックBLKを備えている。図1の例では3つのブロックBLK0〜BLK2を示しているが、その数は限定されない。ブロックBLKは、ロウ及びカラムに関連付けられ、三次元に積層された複数のメモリセルトランジスタを含む。
ロウデコーダ12は、図示せぬ外部コントローラから受信したロウアドレスをデコードする。そしてロウデコーダ12は、デコード結果に基づいてメモリセルアレイ11のロウ方向を選択する。より具体的には、ロウ方向を選択するための種々の配線に電圧を与える。
センスアンプ13は、データの読み出し時には、いずれかのブロックBLKから読み出されたデータをセンスする。またデータの書き込み時には、書き込みデータに応じた電圧をメモリセルアレイ11に与える。
周辺回路部20は、シーケンサ21及び電圧発生回路22を含む。
シーケンサ21は、半導体記憶装置1全体の動作を制御する。より具体的には、シーケンサ21は、書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作の際に、電圧発生回路22、ロウデコーダ12、及びセンスアンプ13等を制御する。
電圧発生回路22は、書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作に必要な電圧を発生させ、ロウデコーダ12及びセンスアンプ13等に供給する。
1.1.2 メモリセルアレイの回路構成
次に、メモリセルアレイ11の回路構成について、図2を用いて説明する。図2は、1つのブロックBLKにおけるメモリセルアレイ11の回路図を示している。
次に、メモリセルアレイ11の回路構成について、図2を用いて説明する。図2は、1つのブロックBLKにおけるメモリセルアレイ11の回路図を示している。
図2に示すように、ブロックBLKは、複数のストリングユニットSU(SU0、SU1、…)を含む。また各々のストリングユニットSUは、複数のメモリグループMGを含む。メモリグループMGの各々は、4つのメモリストリングLMSL、LMSR、UMSL、及びUMSRを含む。メモリストリングLMSLとLMSRとが並列に接続され、メモリストリングUMSLとUMSRとが並列に接続される。そして、並列に接続されたメモリストリングLMSL及びLMSRは、並列に接続されたメモリストリングUMSL及びUMSRと直列に接続される。以下、メモリストリングLMSL及びLMSRを限定しない場合は、メモリストリングLMSと表記し、メモリストリングUMSL及びUMSRを限定しない場合は、メモリストリングUMSと表記する。更にメモリストリングLMS及びUMSを限定しない場合は、メモリストリングMSと表記する。なお、1つのメモリグループMGに含まれるメモリストリングMSの個数は4個に限定されない。メモリグループMGは、2m(mは3以上の整数)個以上のメモリストリングMSを含んでいてもよい。
メモリストリングLMSLは、例えば8個のメモリセルトランジスタMCL0〜MCL7、並びに3個の選択トランジスタSTL2A、STL2B、及びSTL2Cを含む。同様に、メモリストリングLMSRは、例えば8個のメモリセルトランジスタMCR0〜MCR7、並びに3個の選択トランジスタSTR2A、STR2B、及びSTR2Cを含む。また、メモリストリングUMSLは、例えば8個のメモリセルトランジスタMCL8〜MCL15、並びに3個の選択トランジスタSTL1A、STL1B、及びSTL1Cを含む。メモリストリングUMSRは、例えば8個のメモリセルトランジスタMCR8〜MCR15、並びに3個の選択トランジスタSTR1A、STR1B、及びSTR1Cを含む。
以下、メモリセルトランジスタMCL0〜MCL15を限定しない場合は、メモリセルトランジスタMCLと表記し、MCR0〜MCR15を限定しない場合は、メモリセルトランジスタMCRと表記する。更に、メモリセルトランジスタMCL及びMCRを限定しない場合は、メモリセルトランジスタMCと表記する。また、選択トランジスタSTL1A〜STL1C及びSTR1A〜STR1Cを限定しない場合は、選択トランジスタST1と表記する。選択トランジスタSTL2A〜STL2C及びSTR2A〜STR2Cを限定しない場合は、選択トランジスタST2と表記する。
メモリセルトランジスタMCは、制御ゲートと電荷蓄積層とを備え、データを不揮発に保持する。なお、メモリセルトランジスタMCは、電荷蓄積層に絶縁層を用いたMONOS型であってもよいし、電荷蓄積層に導電層を用いたFG型であってもよい。以下、本実施形態では、MONOS型を例として説明する。また、メモリストリングMSの各々に含まれるメモリセルトランジスタMCの個数は、16個や32個、48個、64個、96個、128個等であってもよく、その数は限定されるものではない。更に、メモリストリングLMSの各々に含まれる選択トランジスタST2の個数及びメモリストリングUMSの各々に含まれる選択トランジスタST1の個数は、任意であり、それぞれ1個以上あればよい。
メモリストリングLMSLに含まれるメモリセルトランジスタMC及び選択トランジスタST2は、それぞれが直列に接続されている。より具体的には、選択トランジスタSTL2C、STL2B、及びSTL2A、並びにメモリセルトランジスタMCL0〜MCL7は、その電流経路が直列に接続される。同様に、メモリストリングLMSRに含まれる選択トランジスタSTR2C、STR2B、及びSTR2A、並びにメモリセルトランジスタMCR0〜MCR7は、その電流経路が直列に接続される。そして、メモリセルトランジスタMCL7のドレインとメモリセルトランジスタMCR7のドレインとが接続される。選択トランジスタSTL2Cのソースと選択トランジスタSTR2Cのソースとは、ソース線SLに共通に接続される。
メモリストリングUMSLに含まれるメモリセルトランジスタMCL8〜MCL15、並びに選択トランジスタSTL1C、STL1B、及びSTL1Aは、その電流経路が直列に接続される。同様に、メモリストリングUMSRに含まれるメモリセルトランジスタMCR8〜MCR15、並びに選択トランジスタSTR1C、STR1B、及びSTR1Aは、その電流経路が直列に接続される。そして、メモリセルトランジスタMCL8のソース、メモリセルトランジスタMCR8のソース、メモリセルトランジスタMCL7のドレイン、及びメモリセルトランジスタMCR7のドレインは、互いに共通に接続される。選択トランジスタSTL1Aのドレインと選択トランジスタSTR1Aのドレインとは、複数のビット線BL(BL0、…、BL(N−1)、但し(N−1)は2以上の整数)のいずれかに共通に接続される。
ストリングユニットSU(SU0、SU1、…)に対応して選択ゲート線SGDL(SGDL0、SGDL1、…)及び選択ゲート線SGDR(SGDR0、SGDR1、…)が設けられている。そして、ストリングユニットSU内の複数の選択トランジスタSTL1A、STL1B、及びSTL1Cのゲートは、対応する選択ゲート線SGDLに共通に接続される。同様に、ストリングユニットSU内の複数の選択トランジスタSTR1A、STR1B、及びSTR1Cのゲートは、対応する選択ゲート線SGDRに共通に接続される。以下、選択ゲート線SGDL及びSGDRを限定しない場合は、選択ゲート線SGDと表記する。各選択ゲート線SGDは、ロウデコーダ12によって独立に制御される。
ブロックBLKに対応して選択ゲート線SGSL及びSGSRが設けられている。そして、同一のブロックBLK内の複数の選択トランジスタSTL2A、STL2B、及びSTL2Cのゲートは、対応する選択ゲート線SGSLに共通に接続され、選択トランジスタSTR2A、STR2B、及びSTR2Cのゲートは、対応する選択ゲート線SGSRに共通に接続される。選択ゲート線SGSL及びSGSRは、例えばロウデコーダ12に共通に接続されてもよいし、ロウデコーダ12によって独立に制御されてもよい。以下、選択ゲート線SGSL及びSGSRを限定しない場合は、選択ゲート線SGSと表記する。
同一のブロックBLK内のメモリセルトランジスタMCL0〜MCL15及びMCR0〜MCR15の制御ゲートは、それぞれブロックBLK毎に設けられたワード線WLL0〜WLL15及びWLR0〜WLR15に共通に接続される。ワード線WLL0〜WLL15及びWLR0〜WLR15は、ロウデコーダ12によって独立に制御される。以下、ワード線WLL及びWLRを限定しない場合は、ワード線WLと表記する。
ブロックBLKは、例えば、データの消去単位であり、同一ブロックBLK内に含まれるメモリセルトランジスタMCの保持するデータは、一括して消去される。また、書き込み動作及び読み出し動作は、1つのストリングユニットSUの1つのワード線WLに共通に接続された複数のメモリセルトランジスタMCに対して一括して行われる。
メモリセルアレイ11内において、同一列にあるメモリグループMGの選択トランジスタSTL1Aのドレイン及びSTR1Aのドレインは、いずれかのビット線BLに共通に接続される。すなわち、ビット線BLは、複数のストリングユニットSU間でメモリグループMGを共通に接続する。つまり、ストリングユニットSUは、異なるビット線BLに接続され、且つ同一の選択ゲート線SGDに接続されたメモリグループMGを複数含む。また、ブロックBLKは、ワード線WLを共通にする複数のストリングユニットSUを複数含む。そして、メモリセルアレイ11は、ビット線BLを共通にする複数のブロックBLKを含む。そしてメモリセルアレイ11内において、選択ゲート線SGS、ワード線WL、及び選択ゲート線SGDが半導体基板上方に積層されることで、メモリセルトランジスタMCが三次元に積層されている。
1.1.3 メモリセルアレイの全体構成
次に、メモリセルアレイ11の全体構成について、図3を用いて説明する。図3は、メモリセルアレイ11の1つのブロックBLKに対応する斜視図である。なお、図3の例では、絶縁膜の一部が省略されている。
次に、メモリセルアレイ11の全体構成について、図3を用いて説明する。図3は、メモリセルアレイ11の1つのブロックBLKに対応する斜視図である。なお、図3の例では、絶縁膜の一部が省略されている。
図3に示すように、半導体基板100の上方に、半導体基板100に平行なXY平面に延びる配線層101が形成されている。配線層101は、ソース線SLとして機能する。配線層101の上方には、Y方向に延びる3層の配線層102が半導体基板100に垂直なZ方向に離間されて、すなわち、それぞれの層間に図示せぬ層間絶縁膜を介在させて、積層されている。配線層102は、選択ゲート線SGS、または消去動作時の消去電流生成のためのゲート電極として機能する。配線層101の上面の一部には最下層の配線層102をX方向に分離するようにY方向に延びる半導体層105が形成されている。半導体層105の上面は、最下層の配線層102の上面よりも高く、中間の配線層102の底面よりも低い位置にある。
3層の配線層102の上方には、Y方向に延び、ワード線WL0〜WL7として機能する8層の配線層103がZ方向に離間されて積層されている。そして、8層の配線層103及び上層2層の配線層102をX方向に離間させるように、半導体層105上にY方向に延びるメモリトレンチLMTが形成されている。メモリトレンチLMTの側面には、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、及びトンネル絶縁膜108が順に積層されている。そして、側面がトンネル絶縁膜108の側面に接し、底面が半導体層105に接する半導体層109が形成されている。更にメモリトレンチLMT内の半導体層109より内側は、コア層110により埋め込まれている。
Y方向に延びるメモリトレンチLMTをY方向に分離するように、底面が半導体層105に達する複数のホールLAHがY方向に沿って形成されている。以下、分離されたメモリトレンチLMTの1つをメモリピラーLMPと呼ぶ。1つのメモリピラーLMPが、1つのメモリグループMGのメモリストリングLMSL及びLMSRとして機能する。
Y方向に沿って配置された複数のメモリピラーLMP上には、導電層111がそれぞれ形成されている。
導電層111の上方には、Y方向に延びるワード線WL8〜WL15として機能する8層の配線層103及びY方向に延びる選択ゲート線SGDとして機能する3層の配線層104がZ方向に離間されて積層されている。そして、8層の配線層103及び3層の配線層104をX方向に離間させるように、Y方向に延び、底面の一部が導電層111に達するメモリトレンチUMTが形成されている。メモリトレンチUMTは、メモリトレンチLMTと同様に、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びコア層110により埋め込まれている。
メモリトレンチUMTをY方向に分離するように、底面がホールLAHまたは導電層111に達する複数のホールUAHがY方向に沿って形成されている。以下、分離されたメモリトレンチUMTの1つをメモリピラーUMPと呼ぶ。1つのメモリピラーUMPが、1つのメモリグループMGのメモリストリングUMSL及びUMSRとして機能する。以下、メモリピラーLMP及びUMPを限定しない場合は、メモリピラーMPと表記する。
メモリグループMGは、メモリピラーLMP及びUMP、並びにメモリピラーLMPとメモリピラーUMPとを電気的に接続する導電層111を含む。
Y方向に沿って配置された複数のメモリピラーUMP上には、導電層112がそれぞれ形成されている。そして、各導電層112上にはコンタクトプラグ113が形成されている。コンタクトプラグ113の上面は、例えばX方向に延びるビット線BLに接続される。
1.1.4 メモリセルアレイの平面構成
次に、メモリセルアレイ11の平面構成について、図4を用いて説明する。図4は、半導体基板100に平行なXY平面内における導電層111の平面を示している。なお、図4の例において、層間絶縁膜は省略されている。
次に、メモリセルアレイ11の平面構成について、図4を用いて説明する。図4は、半導体基板100に平行なXY平面内における導電層111の平面を示している。なお、図4の例において、層間絶縁膜は省略されている。
図4に示すように、Y方向に延びるワード線WLL7(配線層103)及びワード線WLR7(配線層103)がX方向に隣接するように配置されている。ワード線WLL7とWLR7との間には、Y方向に沿って複数のメモリピラーLMP及び複数のホールLAHが交互に配置されている。Y方向に延びるメモリピラーLMPの2つの側面には、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、及び半導体層109が順次積層されており、メモリピラーLMPの内部はコア層110により埋め込まれている。X方向に延びるメモリピラーLMPの側面には、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びコア層110が接している。すなわちメモリピラーMPの2つの側面に接するブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、及び半導体層109はX方向において互いに分離されている。図4の例では、ワード線WLL7とメモリピラーLMPの左側面に形成されたブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109とを含む領域により、メモリセルトランジスタMCL7が形成され、ワード線WLR7とメモリピラーLMPの右側面に形成されたブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109とを含む領域により、メモリセルトランジスタMCR7が形成される。
ホールLAHはメモリトレンチLMTをY方向に分離するために設けられる。このため、X方向におけるホールLAHの長さ(幅)は、X方向におけるメモリトレンチLMT、すなわちメモリピラーLMPの長さ(幅)よりも長い。
メモリピラーLMP上には、メモリピラーLMPの上面を覆うように導電層111が設けられている。導電層111は、メモリトレンチUMTを加工する際、メモリピラーLMPの上面を保護するエッチングストッパとして機能する。このため、導電層111のX方向及びY方向における長さは、メモリピラーLMPのX方向及びY方向における長さよりも長い。
Y方向に沿って配置された2つの導電層111間の距離をW1とし、図示せぬメモリトレンチUMT内において、X方向におけるブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、及びトンネル絶縁膜108による幅(膜厚)をW2とする。すると、距離W1を幅W2の2倍以下とする、すなわち、W1≦2×W2の関係にある方が好ましい。この関係にある場合、メモリトレンチUMTを加工した際に、導電層111間のホールLAHが加工されても、メモリトレンチUMTの埋め込みにおいてブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、及びトンネル絶縁膜108によりホールLAH内の加工領域が埋め込まれ、ホールLAH内に半導体層109が入り込まない。
1.1.5 メモリセルアレイの断面構成
次に、メモリセルアレイ11の断面構成について、図5を用いて説明する。図5は、図4のA1−A2線に沿ったメモリセルアレイ11の断面図である。なお、図5において、層間絶縁膜は省略されている。
次に、メモリセルアレイ11の断面構成について、図5を用いて説明する。図5は、図4のA1−A2線に沿ったメモリセルアレイ11の断面図である。なお、図5において、層間絶縁膜は省略されている。
図5に示すように、半導体基板100の上方には、図示せぬ層間絶縁膜を介在させてソース線として機能する配線層101が形成されている。配線層101には、例えばリン(P)等をドープした多結晶シリコンが用いられる。なお、半導体基板100と配線層101との間には、ロウデコーダ12やセンスアンプ13等の回路が設けられていてもよい。
配線層101の上方には、選択ゲート線SGSL及びSGSRとして機能する3層の配線層102及びワード線WL0〜WL7として機能する8層の配線層103が、それぞれの層間に図示せぬ層間絶縁膜を介在させて順次積層されている。配線層102及び配線層103は導電材料により構成され、例えば不純物を添加されたn型半導体またはp型半導体、あるいは金属材料が用いられる。本実施形態では、配線層102及び103にタングステン(W)及び窒化チタン(TiN)を用いた場合について説明する。TiNは、Wを形成する際のバリアメタル及び密着層として機能する。
配線層101上には、最下層の配線層102をX方向に分離するように半導体層105が設けられている。半導体層105には、例えば、選択CVD(chemical vapor deposition)により形成されたシリコンが用いられる。
半導体層105上には、メモリトレンチLMTが形成され、メモリトレンチLMT内に、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びコア層110を含むメモリピラーLMPが形成されている。ブロック絶縁膜106、トンネル絶縁膜108、及びコア層110には、例えばシリコン酸化膜(SiO2)が用いられる。電荷蓄積層には、例えばシリコン窒化膜(SiN)またはハフニウムオキサイド(HfO)等が用いられる。半導体層109は、メモリセルトランジスタMCのチャネルが形成される領域である。よって、半導体層109は、メモリセルトランジスタMCの電流経路を接続する信号線として機能する。半導体層109には、例えば多結晶シリコンが用いられる。
図5の例では、半導体層105及びメモリピラーLMPに対して紙面左側に配置された配線層102が選択ゲート線SGSLとして機能し、8層の配線層103が下層よりワード線WLL0〜WLL7として機能する。例えば、ワード線WLL0として機能する配線層103とメモリピラーLMPの左側面に設けられたブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、及び半導体層109の一部とを含む領域によりメモリセルトランジスタMCL0が形成される。他のメモリセルトランジスタMCL1〜MCL7及び選択トランジスタSTL2A〜STL2Cも同様である。
また、紙面右側に配置された配線層102が選択ゲート線SGSRとして機能し、8層の配線層103が下層よりワード線WLR0〜WLR7として機能する。例えば、ワード線WLR0として機能する配線層103とメモリピラーLMPの右側面に設けられたブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、及び半導体層109の一部とを含む領域によりメモリセルトランジスタMCR0が形成される。他のメモリセルトランジスタMCR1〜MCR7及び選択トランジスタSTR2A〜STR2Cも同様である。
従って、メモリセルトランジスタMCL0とMCR0とは同じ層に形成されており、メモリセルトランジスタMCL0及びMCR0の各々に対応する配線層103、電荷蓄積層107、及び半導体層109は、同じ層(XY平面)において互いに分離されている。すなわち、メモリセルトランジスタMCL0及びMCR0のチャネルは互いに分離されている。他のメモリセルトランジスタMCL及びMLRも同様である。また、選択トランジスタSTL2A〜STL2C及びSTR2A〜STL2Cも同様であり、例えば、選択トランジスタSTL2AとSTR2Aが同じ層に形成されている。
メモリピラーLMP上には、導電層111が形成されている。導電層111は導電材料により構成され、例えば多結晶シリコンを用いたn型半導体が用いられる。
導電層111の上方には、ワード線WL8〜WL15として機能する8層の配線層103及び選択ゲート線SGDとして機能する3層の配線層104が、それぞれの層間に図示せぬ層間絶縁膜を介在させて順次積層されている。配線層104は、配線層102及び103と同様に、導電材料により構成され、例えば不純物を添加されたn型半導体またはp型半導体、あるいは金属材料が用いられる。本実施形態では、配線層102及び103と同様に、配線層104にW及びTiNを用いた場合について説明する。
導電層111上には、メモリトレンチUMTが形成されており、メモリトレンチUMT内には、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びコア層110を含むメモリピラーUMPが形成されている。従って、導電層111は、メモリピラーLMP及びUMPの半導体層109に接している。すなわち、導電層111を介して、メモリストリングLMSL、LMSR、UMSL、UMSRのチャネルが電気的に互いに接続される。
図5の例では、メモリピラーUMPに対して紙面左側に配置された8層の配線層103が下層よりワード線WLL8〜WLL15として機能し、配線層104が選択ゲート線SGDLとして機能する。例えば、ワード線WLL8として機能する配線層103とメモリピラーUMPの左側面に設けられたブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、及び半導体層109の一部とを含む領域によりメモリセルトランジスタMCL8が形成される。他のメモリセルトランジスタMCL9〜MCL15及び選択トランジスタSTL1A〜STL1Cも同様である。
また、紙面右側に配置された8層の配線層103が下層よりワード線WLR8〜WLR15として機能し、配線層104が選択ゲート線SGDRとして機能する。例えば、ワード線WLR8として機能する配線層103とメモリピラーUMPの右側面に設けられたブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、及び半導体層109の一部とを含む領域によりメモリセルトランジスタMCR8が形成される。他のメモリセルトランジスタMCR9〜MCR15及び選択トランジスタSTR1A〜STR1Cも同様である。
メモリピラーUMP上には、導電層112が形成されている。導電層112は導電材料により構成され、例えば多結晶シリコンが用いられる。また、導電層112上には、ビット線BLと接続するためのコンタクトプラグ113が形成される。コンタクトプラグ113は導電材料により構成され、例えばW及びTiNが用いられる。コンタクトプラグ113上には図示せぬビット線BLが形成される。
なお、メモリピラーMPは3段以上積層されてもよい。この場合、各メモリピラーMP間に導電層111を設ける。
1.2 メモリセルアレイの製造方法
次に、メモリセルアレイ11の製造方法について、図6〜図14を用いて説明する。図6〜図14は、製造工程におけるメモリセルアレイの上面(アレイ上面)及びA1−A2線に沿った断面(A1−A2断面)をそれぞれ示している。本実施形態では、配線層102、103、及び104に相当する構造を犠牲層121で形成した後、犠牲層121を除去してから導電材料で埋め込んで配線層102、103、及び104を形成する方法(以下、「埋め戻し」と呼ぶ)を用いた場合について説明する。以下では、犠牲層121としてシリコン窒化膜(SiN)を用い、配線層102、103、及び104の導電材料としてW及びTiNを用いる場合について説明する。TiNは、Wを成膜する際、例えばWと下地のSiとの反応を防止するためのバリア層、あるいはWの密着性を向上させるための密着層として機能を有する。なお、犠牲層121は、SiNに限定されない。例えばシリコン酸窒化膜(SiON)でもよく、層間絶縁膜とウエットエッチングの選択比が十分に得られる材料であればよい。
次に、メモリセルアレイ11の製造方法について、図6〜図14を用いて説明する。図6〜図14は、製造工程におけるメモリセルアレイの上面(アレイ上面)及びA1−A2線に沿った断面(A1−A2断面)をそれぞれ示している。本実施形態では、配線層102、103、及び104に相当する構造を犠牲層121で形成した後、犠牲層121を除去してから導電材料で埋め込んで配線層102、103、及び104を形成する方法(以下、「埋め戻し」と呼ぶ)を用いた場合について説明する。以下では、犠牲層121としてシリコン窒化膜(SiN)を用い、配線層102、103、及び104の導電材料としてW及びTiNを用いる場合について説明する。TiNは、Wを成膜する際、例えばWと下地のSiとの反応を防止するためのバリア層、あるいはWの密着性を向上させるための密着層として機能を有する。なお、犠牲層121は、SiNに限定されない。例えばシリコン酸窒化膜(SiON)でもよく、層間絶縁膜とウエットエッチングの選択比が十分に得られる材料であればよい。
図6に示すように、半導体基板100上に、層間絶縁膜として絶縁層120を形成し、その上に配線層101を形成する。次に、配線層101上に絶縁層120(例えばSiO2)を形成した後に、3層の配線層102及び8層の配線層103に対応する11層の犠牲層121と、11層の絶縁層120とを交互に積層する。
図7に示すように、底面が配線層101に達するようにメモリトレンチLMTを加工する。次に、最下層の犠牲層121の側面がメモリトレンチLMT内に露出しないように、最下層の犠牲層121の側面に絶縁層120の薄膜を形成する。次に、Siのエピタキシャル成長により露出した配線層101上に半導体層105を形成する。次に、メモリトレンチLMTを、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びコア層110により埋め込む。より具体的には、まず、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、及びトンネル絶縁膜108を形成し、ドライエッチングにより最上層の絶縁層120及びメモリトレンチLMT底面のブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、及びトンネル絶縁膜108を除去する。次に、半導体層109及びコア層110を形成しメモリトレンチLMTを埋め込んだ後に、絶縁層120上の余剰の半導体層109及びコア層110を除去する。
図8に示すように、底面の一部が半導体層105に達するホールLAHを形成した後、ホールLAH内を絶縁層122(例えばSiO2)により埋め込む。より具体的には、絶縁層122を形成しホールLAHを埋め込んだ後で、例えばドライエッチングあるいはCMP(chemical mechanical polishing)により絶縁層122の表面を平坦化する。これにより、メモリトレンチLMTがY方向に分離され、メモリピラーLMPが形成される。
図9に示すように、メモリピラーLMP上に導電層111を形成する。導電層111はメモリトレンチUMTを加工する際のエッチングストッパとして機能する。このため、導電層111のZ方向における膜厚は、メモリトレンチUMTを加工した際に導電層111が除去されメモリピラーLMPが露出しない膜厚とする。
図10に示すように、絶縁層120により導電層111を被覆した後に、8層の配線層103及び3層の配線層104に対応する11層の犠牲層121と、11層の絶縁層120とを交互に積層する。
図11に示すように、底面が導電層111及びホールLAHを埋め込む絶縁層122に達するメモリトレンチUMTを加工する。次に、メモリトレンチUMTを、メモリトレンチLMTと同様にブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びコア層110により埋め込む。
図12に示すように、底面の一部が導電層111に達するにホールUAHを形成した後、ホールUAH内を絶縁層122により埋め込む。これにより、メモリトレンチUMTがY方向に分離され、メモリピラーUMPが形成される。
図13に示すように、メモリピラーUMP上に導電層112を形成する。
図14に示すように、導電層112を絶縁層120で被覆した後、埋め戻しを行い配線層102、103、及び104を形成する。より具体的には、まず、犠牲層121の側面が露出するように図示せぬスリットまたはホールを形成する。次に、例えば燐酸(H3PO4)を用いたウエットエッチングを行う。これにより、スリットから犠牲層121がエッチングされ、空洞が形成される。次に、TiN及びWを順に形成して空洞を埋め込む。次に、スリットの側面及び表面の絶縁層120上の余剰のW及びTiNを除去し、配線層102、103、及び104を形成する。次に、スリットを例えば絶縁層により埋め込む。
1.3 読み出し動作
次に、読み出し動作について、図15を用いて説明する。図15の例は、1つのメモリグループMGの等価回路を簡略に示したものであり、メモリストリングUMSRのメモリセルトランジスタMCが読み出し対象として選択された場合を示している。
次に、読み出し動作について、図15を用いて説明する。図15の例は、1つのメモリグループMGの等価回路を簡略に示したものであり、メモリストリングUMSRのメモリセルトランジスタMCが読み出し対象として選択された場合を示している。
図15に示すように、メモリストリングUMSRのメモリセルトランジスタMCが選択された場合、ロウデコーダ12は、メモリストリングUMSRに対応する選択ゲート線SGDに電圧Vonを印加し、メモリストリングUMSRの選択トランジスタST1(STR1A、STR1B、及びSTR1C)をオン状態にする。電圧Vonは、選択トランジスタST1及びST2をオン状態にする電圧である。また、ロウデコーダ12は、メモリストリングUMSRに並列に接続されている非選択のメモリストリングUMSLに対応する選択ゲート線SGDに電圧Voffを印加し、メモリストリングUMSLの選択トランジスタST1(STL1A、STL1B、及びSTL1C)をオフ状態とする。電圧Voffは、選択トランジスタST1及びST2をオフ状態にする電圧であり、電圧Vonよりも低い電圧(例えば接地電圧VSS)である。更に、ロウデコーダ12は、非選択のメモリストリングLMSL及びLMSRに対応する選択ゲート線SGSに電圧Vonを印加し、メモリストリングLMSL及びLMSRの選択トランジスタST2(STL2A、STL2B、STL2C、STR2A、STR2B、及びSTR2C)をオン状態にする。なお、例えばメモリストリングLMSL及びLMSRのいずれかが選択された場合、ロウデコーダ12は、選択されたメモリストリングLMSの選択トランジスタST2、並びに非選択のメモリストリングUMSL及びUMSRの選択トランジスタST1をオン状態にし、非選択のメモリストリングLMSの選択トランジスタST2をオフ状態にする。
また、ロウデコーダ12は、メモリストリングUMSRにおいて選択されたメモリセルトランジスタMCに対応するワード線WL(以下、選択ワード線WLと呼ぶ)に電圧Vcgxxrを印加し、非選択のメモリセルトランジスタMCに対応するワード線WL(以下、非選択ワード線WLと呼ぶ)に電圧Vreadを印加する。電圧Vcgxxrは、読み出し対象データの読み出しレベルに応じた電圧である。例えば、選択されたメモリセルトランジスタMCの閾値電圧が電圧Vcgxxrよりも低い場合、メモリセルトランジスタMCはオン状態とされ、閾値電圧が電圧Vcgxxr以上の場合、メモリセルトランジスタMCはオフ状態とされる。電圧Vreadは、メモリセルトランジスタMCの閾値電圧によらずメモリセルトランジスタMCをオン状態にする電圧である。例えば、電圧Vcgxxrは、電圧Vread及び電圧Vonよりも低く、電圧Voffよりも高い電圧である。
また、ロウデコーダ12は、メモリストリングUMSLに対応する非選択ワード線WL(WLL8〜WLL15)をフローティング状態とする。更に、ロウデコーダ12は、メモリストリングLMSL及びLMSRに対応する非選択ワード線WL(WLL0〜WLL7及びWLR0〜WLR7)に電圧Vreadを印加する。従って、メモリストリングLMSL及びLMSRのメモリセルトランジスタMC及び選択トランジスタST2はオン状態とされ、例えばビット線BLからソース線SLに電流を流す際の電流経路として機能する。なお、例えばメモリストリングLMSのいずれかが選択された場合、ロウデコーダ12は、選択されたメモリストリングLMS並びにメモリストリングUMSL及びUMSRの非選択ワード線WLに電圧Vreadを印加し、非選択のメモリストリングLMSの非選択ワード線WLをフローティング状態にする。
この状態において、センスアンプ13は、読み出し対象となるメモリセルトランジスタMCに対応するビット線BLに電圧VBLを印加する。また、ソース線SLには電圧VSRCが印加される。電圧VBLと電圧VSRCとは、VBL>VSRCの関係にある。
選択されたメモリセルトランジスタMCがオン状態の場合、メモリストリングUMSR、LMSL、及びLMSRを介して、ビット線BLからソース線SLに電流が流れる。従って、1つのメモリストリングMSが電流経路として機能する場合の抵抗値を2Rとすると、1つのメモリグループMGにおける合成抵抗値は3Rとなる。他方で、選択されたメモリセルトランジスタMCがオフ状態の場合、ビット線BLからソース線SLに電流が流れない。センスアンプ13は、例えばビット線BLからソース線SLに流れる電流をセンスして、メモリセルトランジスタMCのデータを読み出す。
1.4 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成であれば、信頼性を向上できる。本効果につき、詳述する。
本実施形態に係る構成であれば、信頼性を向上できる。本効果につき、詳述する。
1つのメモリピラーMPにおいて、同じ層に形成された2つのメモリセルトランジスタMCL及びMCRの半導体層109が分離されていない場合、すなわちチャネルが共通である場合、読み出し動作時に、メモリセル領域外のチャネルに電流が流れ、誤読み出しを生じる可能性がある。
これに対し、本実施形態に係る構成であれば、1つのメモリピラーMPにおいて同じ層に形成された2つのメモリセルトランジスタMCL及びMCRの半導体層109、すなわちチャネルを分離させることができる。これにより、メモリセル領域外のチャネルに電流が流れ、誤読み出しが生じる可能性を抑制できる。従って、半導体記憶装置の信頼性を向上できる。
更に、本実施形態に係る構成であれば、メモリピラーLMPとメモリピラーUMPとの間に導電層111を設けることができる。導電層111をメモリトレンチUMT加工時のエッチングストッパとして利用することにより、メモリピラーLMPへの加工ダメージを抑制できる。これにより、メモリピラーUMPとメモリピラーLMPとを積層した場合においても、メモリピラーLMPの形状及び電気特性の劣化を抑制できる。従って、半導体記憶装置の信頼性を向上できる。
更に、本実施形態に係る構成であれば、ホールLAHを挟んで隣接するメモリピラーLMP上に形成された導電層111間の距離を、X方向におけるブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、及びトンネル絶縁膜108による幅(膜厚)の2倍の厚さ以下とすることができる。これにより、メモリトレンチUMTを加工した際に導電層111間のホールLAH内の絶縁層122が加工されても、メモリトレンチUMTの埋め込みの際にブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、及びトンネル絶縁膜108によりホールLAH内の加工領域が埋め込まれる。このため、ホールLAH内に半導体層109が入り込むのを抑制できる。従って、ホールLAH内に残存する半導体層109に起因するメモリピラーLMPにおけるリークの発生や、セル動作に影響する浮遊電位の形成を抑制できる。
更に、本実施形態に係る構成であれば、読み出し動作時に、読み出し対象のメモリピラーMPに接続された非選択のメモリピラーMPの2つのメモリストリングMSを介してセル電流を流すことができる。これにより、メモリグループMGにおける抵抗値の増加を抑制し、セル電流の低下を抑制できる。よって、読み出し動作における誤読み出しを抑制できる。
2.第2実施形態
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態では、第1実施形態とは異なるメモリピラーMPの形状について説明する。以下、第1実施形態と異なる点についてのみ説明する。
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態では、第1実施形態とは異なるメモリピラーMPの形状について説明する。以下、第1実施形態と異なる点についてのみ説明する。
2.1 メモリセルアレイの断面構成
次に、メモリセルアレイ11の断面構成について、図16及び図17を用いて説明する。図16は、メモリセルアレイ11の断面図である。図17は、メモリピラーLMPの拡大図である。なお、図16において、層間絶縁膜は省略されている。また、図17は、メモリピラーLMPを示しているがメモリピラーUMPも同様である。
次に、メモリセルアレイ11の断面構成について、図16及び図17を用いて説明する。図16は、メモリセルアレイ11の断面図である。図17は、メモリピラーLMPの拡大図である。なお、図16において、層間絶縁膜は省略されている。また、図17は、メモリピラーLMPを示しているがメモリピラーUMPも同様である。
図16に示すように、本実施形態では、半導体層109のX方向(すなわち、メモリピラーMPの径方向)の膜厚が、メモリピラーMPの底部近傍おいて、メモリピラーMPの上端部よりも厚くなっている。その他の構成は、第1実施形態の図5と同じである。
図17に示すように、より具体的には、メモリピラーLMPは大まかにメモリピラーLMPの上端を含むピラー上部UPとメモリピラーLMPの下端を含むピラー下部LPとを含む。ピラー下部LPの側面において半導体層109のX方向の膜厚をL1とし、ピラー上部UPの側面において半導体層109のX方向の膜厚をL2とすると、L1>L2の関係にある。
2.2 メモリセルアレイの製造方法
次に、メモリセルアレイ11の製造方法について、簡略に説明する。
次に、メモリセルアレイ11の製造方法について、簡略に説明する。
本実施形態では、メモリトレンチLMT(またはUMT)を埋め込む際に、まず、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びカバー絶縁層を形成する。カバー絶縁層は半導体層109の表面を保護するために設けられ、例えばSiO2が用いられる。次に、ドライエッチングにより最上層の絶縁層120及びメモリトレンチLMT(またはUMT)底面のブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びカバー絶縁層を除去する。次に、例えばウエットエッチングによりカバー絶縁層を除去する。次に、半導体層109及びコア層110を形成しメモリトレンチLMTを埋め込む。以降の工程は、第1実施形態と同じである。これにより、ピラー下部LPにおける半導体層109のX方向の膜厚が、ピラー上部UPにおける半導体層109のX方向の膜厚よりも厚くなる。
2.3 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成であれば、第1実施形態と同様の効果が得られる。
本実施形態に係る構成であれば、第1実施形態と同様の効果が得られる。
3.第3実施形態
次に、第3実施形態について説明する。第3実施形態では、ホールLAH及びUAH内にメモリピラーLMP及びUMPを形成する場合について説明する。以下、第1及び第2実施形態と異なる点についてのみ説明する。
次に、第3実施形態について説明する。第3実施形態では、ホールLAH及びUAH内にメモリピラーLMP及びUMPを形成する場合について説明する。以下、第1及び第2実施形態と異なる点についてのみ説明する。
3.1 メモリセルアレイの平面構成
まず、メモリセルアレイ11の平面構成について、図18を用いて説明する。図18は、半導体基板100に平行なXY平面内における導電層111の平面を示している。なお、図18の例において、層間絶縁膜は省略されている。
まず、メモリセルアレイ11の平面構成について、図18を用いて説明する。図18は、半導体基板100に平行なXY平面内における導電層111の平面を示している。なお、図18の例において、層間絶縁膜は省略されている。
図18に示すように、Y方向に延びるワード線WLL7(配線層103)及びワード線WLR7(配線層103)がX方向に隣接するように配置されている。ワード線WLL7とWLR7との間には、Y方向に沿って複数のホールLAHが形成されている。ホールLAH内には、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びコア層110を含むメモリピラーLMPが形成されている。
ワード線WLL7とWLR7とは、Y方向に沿って形成されたメモリトレンチLMTによりX方向に離間されている。本実施形態では、メモリトレンチLMT内は絶縁層123により埋め込まれている。また、メモリピラーLMPは、メモリトレンチLMTによりX方向において左領域と右領域の2つに分離されている。図18の例では、ワード線WLL7とメモリピラーLMPの左領域とを含む領域により、メモリセルトランジスタMCL7が形成され、ワード線WLR7とメモリピラーLMPの右領域とを含む領域により、メモリセルトランジスタMCR7が形成される。
X方向におけるメモリトレンチLMTの長さ(幅)は、メモリセルトランジスタMCのチャネルを形成する半導体層109が除去されないようにするため、半導体層109のX方向における内径よりも短い。
メモリピラーLMP上には、メモリピラーLMPの上面を覆うように導電層111が設けられている。導電層111のX方向及びY方向における長さは、メモリピラーLMPの直径よりも長い。
第1実施形態の図4と同様に、Y方向に沿って配置された2つの導電層111間の距離W1と、X方向におけるブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、及びトンネル絶縁膜108による幅(膜厚)W2とは、W1≦2×W2の関係にある方が好ましい。
3.2 メモリセルアレイの断面構成
次に、メモリセルアレイ11の断面構成について、図19を用いて説明する。図19は、メモリセルアレイ11の断面図である。なお、図19において、層間絶縁膜は省略されている。
次に、メモリセルアレイ11の断面構成について、図19を用いて説明する。図19は、メモリセルアレイ11の断面図である。なお、図19において、層間絶縁膜は省略されている。
図19に示すように、半導体層105上にホールLAHが形成されている。ホールLAH内は、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びコア層110により埋め込まれ、メモリピラーLMPが形成されている。そして、メモリピラーLMPをX方向において2つに分離するように、底面が半導体層105に達するメモリトレンチLMTが形成されている。メモリトレンチLMT内は、絶縁層123により埋め込まれている。絶縁層123には、例えばSiO2が用いられる。
メモリピラーLMP上には、導電層111が形成されている。導電層111上には、ホールUAHが形成されている。ホールUAH内は、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びコア層110により埋め込まれ、メモリピラーUMPが形成されている。そして、メモリピラーUMPをX方向において2つに分離するように、底面が半導体層105に達するメモリトレンチUMTが形成されている。メモリトレンチUMT内は、絶縁層123により埋め込まれている。
なお、メモリピラーMPは3段以上積層されてもよい。この場合、各メモリピラーMP間に導電層111を設ける。
3.3 メモリセルアレイの製造方法
次に、メモリセルアレイ11の製造方法について、図20〜図27を用いて説明する。図20〜図27は、製造工程におけるアレイ上面及びA1−A2断面をそれぞれ示している。
次に、メモリセルアレイ11の製造方法について、図20〜図27を用いて説明する。図20〜図27は、製造工程におけるアレイ上面及びA1−A2断面をそれぞれ示している。
図20に示すように、第1実施形態の図6で説明した犠牲層121と絶縁層120の積層構造を形成した後、底面が配線層101に達するようにホールLAHを加工する。次に、最下層の犠牲層121の側面がホールLAH内に露出しないように、最下層の犠牲層121の側面に絶縁層120の薄膜を形成する。次に、Siの選択CVDにより露出した配線層101上に半導体層105を形成する。次に、ホールLAHを、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びコア層110により埋め込む。より具体的には、まず、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、及びトンネル絶縁膜108を形成し、ドライエッチングにより最上層の絶縁層120及びホールLAH底面のブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、及びトンネル絶縁膜108を除去する。次に、半導体層109及びコア層110を形成しメモリトレンチLMTを埋め込んだ後に、絶縁層120上の余剰の半導体層109及びコア層110を除去する。
図21に示すように、底面が半導体層105に達するメモリトレンチLMTを形成した後、メモリトレンチLMT内を絶縁層123により埋め込む。これにより、メモリピラーLMPがX方向において2つに分離される。
図22に示すように、第1実施形態の図9と同様に、メモリピラーLMP上に導電層111を形成する。
図23に示すように、絶縁層120により導電層111を被覆した後に、8層の配線層103及び3層の配線層104に対応する11層の犠牲層121と、11層の絶縁層120とを交互に積層する。
図24に示すように、底面が導電層111に達するホールUAHを加工する。次に、ホールUAHを、ホールLAHと同様にブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びコア層110により埋め込む。
図25に示すように、底面が導電層111及びメモリトレンチLMTを埋め込む絶縁層123に達するにメモリトレンチUMTを形成した後、メモリトレンチUMT内を絶縁層123により埋め込む。これにより、メモリピラーUMPがX方向において2つに分離される。
図26に示すように、メモリピラーUMP上に導電層112を形成する。
図27に示すように、第1実施形態の図14と同様に、導電層112を絶縁層120で被覆した後、埋め戻しを行い配線層102、103、及び104を形成する。
3.4 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成であれば、第1実施形態と同様の効果が得られる。なお、本実施形態は、第2実施形態と組み合わせてもよい。
本実施形態に係る構成であれば、第1実施形態と同様の効果が得られる。なお、本実施形態は、第2実施形態と組み合わせてもよい。
4.第4実施形態
次に、第4実施形態について説明する。第4実施形態では、FG型のメモリセルトランジスタMCを適用した場合について説明する。
次に、第4実施形態について説明する。第4実施形態では、FG型のメモリセルトランジスタMCを適用した場合について説明する。
4.1 メモリセルアレイの断面構成
メモリセルアレイ11の断面構成について、図28を用いて説明する。図28は、メモリセルアレイ11の断面図である。なお、図28において、層間絶縁膜は省略されている。
メモリセルアレイ11の断面構成について、図28を用いて説明する。図28は、メモリセルアレイ11の断面図である。なお、図28において、層間絶縁膜は省略されている。
図28に示すように、本実施形態では、配線層102、103、及び104に対応して、複数のブロック絶縁膜106及び複数の電荷蓄積層130が形成されている。より具体的には、ブロック絶縁膜106のXY平面における一方の側面は、配線層102、103、及び104のいずれかの側面に接し、XY平面における他方の側面は、電荷蓄積層130のXY平面における一方の側面と接する。そして電荷蓄積層130のXY平面における他方の側面は、メモリトレンチLMT(またはUMT)の側面に形成されたトンネル絶縁膜108に接する。電荷蓄積層130には、例えば、多結晶シリコンが用いられる。なお、電荷蓄積層130は、窒化タンタル(TaN)、TiN、W、ルテニウム(Ru)等の金属を含んでいてもよい。
また、メモリトレンチLMT(またはUMT)内では、側面がトンネル絶縁膜108の側面に接し、底面が半導体層105(または導電層111)に接する半導体層109が形成されている。半導体層109の内部は、コア層110により埋め込まれている。
4.2 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成であれば、第1実施形態と同様の効果が得られる。
本実施形態に係る構成であれば、第1実施形態と同様の効果が得られる。
なお、本実施形態は、第2及び/または第3実施形態と組み合わせてもよい。
5.第5実施形態
次に、第5実施形態について説明する。第5実施形態では、メモリグループMGが、6個のメモリストリングMSを含んでいる場合、すなわち3つのメモリピラーMPが積層されている場合について、2つの例を示す。以下、第1乃至第4実施形態と異なる点についてのみ説明する。
次に、第5実施形態について説明する。第5実施形態では、メモリグループMGが、6個のメモリストリングMSを含んでいる場合、すなわち3つのメモリピラーMPが積層されている場合について、2つの例を示す。以下、第1乃至第4実施形態と異なる点についてのみ説明する。
5.1 第1例
まず、第1例について、図29を用いて説明する。第1例では、第2実施形態で説明したメモリピラーMPが3段に積層されている場合について説明する。図29は、メモリセルアレイ11の1つのブロックBLKに対応する斜視図である。なお、図29の例では、絶縁膜の一部が省略されている。
まず、第1例について、図29を用いて説明する。第1例では、第2実施形態で説明したメモリピラーMPが3段に積層されている場合について説明する。図29は、メモリセルアレイ11の1つのブロックBLKに対応する斜視図である。なお、図29の例では、絶縁膜の一部が省略されている。
図29に示すように、本例のメモリグループMGは、メモリピラーLMP、MMP、及びUMP、メモリピラーLMPとメモリピラーMMPとを電気的に接続する導電層111a、並びにメモリピラーMMPとメモリピラーUMPとを電気的に接続する導電層111bを含む。第2実施形態の図16と同様に、各メモリピラーMPの径方向における半導体層109の膜厚は、メモリピラーMPの底部近傍おいて、メモリピラーMPの上端部よりも厚くなっている。また、導電層111a及び111bは、第1実施形態で説明した導電層111と同じである。
より具体的には、メモリピラーLMP上に導電層111aが形成されている。そして、導電層111aの上方には、Y方向に延びるワード線WLとして機能する、例えば10層の配線層103がZ方向に離間されて積層されている。そして、10層の配線層103をX方向に離間させるように、Y方向に延び、底面の一部が導電層111aに達するメモリトレンチMMTが形成されている。メモリトレンチMMTは、メモリトレンチLMT及びUMTと同様に、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びコア層110により埋め込まれている。
メモリトレンチMMTをY方向に分離するように、底面がホールLAHまたは導電層111aに達する複数のホールMAHがY方向に沿って形成されている。分離されたメモリトレンチMMTの1つがメモリピラーMMPとして機能する。
そして、メモリピラーMMP上に導電層111bが形成され、導電層111b上にメモリピラーUMPが形成されている。
5.2 第2例
次に、第2例について、図30を用いて説明する。第2例では、第3実施形態と同様にホールAH内にメモリピラーMPを形成した場合について説明する。図30は、メモリセルアレイ11の1つのブロックBLKに対応する斜視図である。なお、図30の例では、絶縁膜の一部が省略されている。また、本例では、半導体層105が廃されている。
次に、第2例について、図30を用いて説明する。第2例では、第3実施形態と同様にホールAH内にメモリピラーMPを形成した場合について説明する。図30は、メモリセルアレイ11の1つのブロックBLKに対応する斜視図である。なお、図30の例では、絶縁膜の一部が省略されている。また、本例では、半導体層105が廃されている。
図30に示すように、配線層101の上方には、Y方向に延びる配線層102pが形成されている。配線層102pは、配線層102と同様に、選択ゲート線SGS、または消去動作時の消去電流生成のためのゲート電極として機能する。配線層102pは導電材料により構成され、例えば不純物を添加されたn型半導体が用いられる。配線層102pの上方には、2層の配線層102及び8層の配線層103がZ方向に離間されて積層されている。そして、8層の配線層103及び2層の配線層102、及び配線層102pを貫通し、底面が配線層101に達するホールLAHが形成されている。ホールLAH内は、ブロック絶縁膜106、電荷蓄積層107、トンネル絶縁膜108、半導体層109、及びコア層110により埋め込まれ、メモリピラーLMPが形成されている。第2実施形態の図16と同様に、メモリピラーLMPの径方向における半導体層109の膜厚は、メモリピラーLMPの底部近傍おいて、メモリピラーLMPの上端部よりも厚くなっている。そして、配線層102p、102、及び103、並びにメモリピラーLMPをX方向において2つに分離するように、Y方向に延び、底面が配線層101に達するメモリトレンチLMTが形成されている。メモリトレンチLMTの内部は、絶縁層により埋め込まれている。
メモリピラーLMP上には、導電層111aが形成されている。そして、導電層111aの上方には、配線層103と同様にワード線WLとして機能する配線層103pが形成され、更に配線層103pの上方には、例えば9層の配線層103がZ方向に離間されて積層されている。配線層103pは、配線層102pと同様に、導電材料により構成され、例えば不純物を添加されたn型半導体が用いられる。配線層103p及び103を貫通するホールMAHが形成され、ホールMAH内には、メモリピラーLMPと同様に、メモリピラーMMPが形成されている。そして、配線層103p及び103、並びにメモリピラーMMPをX方向において2つに分離するように、Y方向に延び、底面が導電層111aに達するメモリトレンチMMTが形成されている。
メモリピラーMMP上には、導電層111bが形成されている。そして、導電層111bの上方には、配線層103pが形成され、更に配線層103pの上方には、例えば6層の配線層103及び3層の配線層104がZ方向に離間されて積層されている。配線層103p、103、及び104を貫通するホールUAHが形成され、ホールUAH内には、メモリピラーLMP及びMMPと同様に、メモリピラーUMPが形成されている。そして、配線層103p、103、及び104、並びにメモリピラーUMPをX方向において2つに分離するように、Y方向に延び、底面が導電層111bに達するメモリトレンチUMTが形成されている。
5.3 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成であれば、第1実施形態と同様の効果が得られる。
本実施形態に係る構成であれば、第1実施形態と同様の効果が得られる。
なお、第1乃至第5実施形態は可能な限り組み合わせることができる。
6.変形例等
上記実施形態に係る半導体記憶装置は、半導体基板(100)と、第1方向(Z方向)に延伸する第1信号線(MCL7側109)と、第1信号線と第1方向に交差し半導体基板に平行な第2方向(X方向)に離れて配置され、第1方向に延伸する第2信号線(MCR7側109)と、第1信号線と第2信号線との間に設けられた第1絶縁層(110)と、半導体基板の上方において、第1及び第2方向に交差し半導体基板に平行な第3方向(Y方向)に延伸する第1配線層(103)と、第3方向に延伸する第2配線層(103)と、第1信号線と第1配線層との間に電圧を印加して第1の情報を記憶する第1メモリセル(MCL7)と、第2信号線と第2配線層との間に電圧を印加して第2の情報を記憶する第2メモリセル(MCR7)と、第1信号線と第2信号線の上に設けられた第1導電層(111)と、第1配線層の上方において、第3方向に延伸する第3配線層(103)と、第3配線層と第2方向に離れて位置し、第3方向に延伸する第4配線層(103)と、第1方向に延伸し、第1導電層上に設けられた第3信号線(109)と、第3信号線と第2方向に離れて配置され、第1方向に延伸し、第1導電層上に設けられた第4信号線(109)と、第3信号線と第4信号線との間に設けられた第2絶縁層(110)と、第3信号線と第3配線層との間に電圧を印加して第3の情報を記憶する第3メモリセル(MCL8)と、第4信号線と第4配線層との間に電圧を印加して第4の情報を記憶する第4メモリセル(MCR8)とを含む。
上記実施形態に係る半導体記憶装置は、半導体基板(100)と、第1方向(Z方向)に延伸する第1信号線(MCL7側109)と、第1信号線と第1方向に交差し半導体基板に平行な第2方向(X方向)に離れて配置され、第1方向に延伸する第2信号線(MCR7側109)と、第1信号線と第2信号線との間に設けられた第1絶縁層(110)と、半導体基板の上方において、第1及び第2方向に交差し半導体基板に平行な第3方向(Y方向)に延伸する第1配線層(103)と、第3方向に延伸する第2配線層(103)と、第1信号線と第1配線層との間に電圧を印加して第1の情報を記憶する第1メモリセル(MCL7)と、第2信号線と第2配線層との間に電圧を印加して第2の情報を記憶する第2メモリセル(MCR7)と、第1信号線と第2信号線の上に設けられた第1導電層(111)と、第1配線層の上方において、第3方向に延伸する第3配線層(103)と、第3配線層と第2方向に離れて位置し、第3方向に延伸する第4配線層(103)と、第1方向に延伸し、第1導電層上に設けられた第3信号線(109)と、第3信号線と第2方向に離れて配置され、第1方向に延伸し、第1導電層上に設けられた第4信号線(109)と、第3信号線と第4信号線との間に設けられた第2絶縁層(110)と、第3信号線と第3配線層との間に電圧を印加して第3の情報を記憶する第3メモリセル(MCL8)と、第4信号線と第4配線層との間に電圧を印加して第4の情報を記憶する第4メモリセル(MCR8)とを含む。
上記実施形態を適用することにより、信頼性を向上できる半導体記憶装置を提供できる。
なお、実施形態は上記説明した形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
また、上記実施形態における「接続」とは、間に例えばトランジスタあるいは抵抗等、他の何かを介在させて間接的に接続されている状態も含む。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…半導体記憶装置、10…メモリコア部、11…メモリセルアレイ、12…ロウデコーダ、13…センスアンプ、20…周辺回路部、21…シーケンサ、22…電圧発生回路、100…半導体基板、101、102、102p、103、103p、104…配線層、105、109…半導体層、106…ブロック絶縁膜、107、130…電荷蓄積層、108…トンネル絶縁膜、110…コア層、111、111a、111b、112…導電層、113…コンタクトプラグ、120、122、123…絶縁層、121…犠牲層。
Claims (8)
- 半導体基板と、
第1方向に延伸する第1信号線と、
前記第1信号線と前記第1方向に交差し前記半導体基板に平行な第2方向に離れて配置され、前記第1方向に延伸する第2信号線と、
前記第1信号線と前記第2信号線との間に設けられた第1絶縁層と、
前記半導体基板の上方において、前記第1及び第2方向に交差し前記半導体基板に平行な第3方向に延伸する第1配線層と、
前記第3方向に延伸する第2配線層と、
前記第1信号線と前記第1配線層との間に電圧を印加して第1の情報を記憶する第1メモリセルと、
前記第2信号線と前記第2配線層との間に電圧を印加して第2の情報を記憶する第2メモリセルと、前記第1信号線と前記第2信号線の上に設けられた第1導電層と、
前記第1配線層の上方において、前記第3方向に延伸する第3配線層と、
前記第3配線層と前記第2方向に離れて位置し、前記第3方向に延伸する第4配線層と、
前記第1方向に延伸し、前記第1導電層上に設けられた第3信号線と、
前記第3信号線と前記第2方向に離れて配置され、前記第1方向に延伸し、前記第1導電層上に設けられた第4信号線と、
前記第3信号線と前記第4信号線との間に設けられた第2絶縁層と、
前記第3信号線と前記第3配線層との間に電圧を印加して第3の情報を記憶する第3メモリセルと、
前記第4信号線と前記第4配線層との間に電圧を印加して第4の情報を記憶する第4メモリセルと
を備える半導体記憶装置。 - 前記第1信号線と前記第2信号線とは前記第1配線層と前記第2配線層との間に設けられ、前記第3信号線と前記第4信号線とは前記第3配線層と前記第4配線層との間に設けられる請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1配線層と前記第2配線層との間に設けられ、前記第1信号線と前記第3方向に隣り合って配置され、前記第1方向に延伸する第5信号線と、
前記第5信号線と前記第2配線層との間に設けられ、前記第2信号線と前記第3方向に隣り合って配置され、前記第1方向に延伸する第6信号線と、
前記第5信号線と前記第6信号線との上に設けられた第2導電層と
を更に備える
請求項1又は2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1メモリセルは、第3絶縁層、電荷蓄積層、及び第4絶縁層を含む請求項1乃至3のいずれか一項記載の半導体記憶装置。
- 前記第1導電層と前記第2導電層との前記第3方向における距離は、前記第2方向における前記第1メモリセルの幅の2倍以下である
請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1信号線は、前記半導体基板に対して前記第1方向に沿って前記第1導電層側に位置する第1部と、前記第1部に対して前記半導体基板に対して前記第1方向に沿って近い第2部とを含み、前記第2部の前記第2方向の膜厚は、前記第1部の前記第2方向の膜厚よりも厚い
請求項1乃至5のいずれか一項記載の半導体記憶装置。 - 直列に接続された第1選択トランジスタ、第1メモリセル、及び第2メモリセルを含む第1メモリストリングと、
直列に接続された第2選択トランジスタ及び第3メモリセルを含む第2メモリストリングと、
直列に接続された第3選択トランジスタ及び第4メモリセルを含む第3メモリストリングと、
直列に接続された第4選択トランジスタ及び第5メモリセルを含み、前記第5メモリセルの電流経路の一端が、前記第2、第3、及び第4メモリセルの電流経路の一端に共通に接続された第4メモリストリングと、
前記第1及び第2選択トランジスタの電流経路の一端が接続されたビット線と、
前記第3及び第4選択トランジスタの電流経路の一端が接続されたソース線と、
前記第1乃至第5メモリセルのゲートにそれぞれ接続された第1乃至第5ワード線と、
前記第1乃至第4選択トランジスタのゲートにそれぞれ接続された第1乃至第4選択ゲート線と、
前記第1乃至第5ワード線及び前記第1乃至第4選択ゲート線が接続されたロウデコーダと、
前記第1メモリセルの読み出し動作において、前記ロウデコーダを制御して、前記第1ワード線に読み出し電圧を印加し、前記第2、第4、及び第5ワード線に前記読み出し電圧よりも高い第1電圧を印加して前記第2、第4、及び第5メモリセルをオン状態にし、前記第3ワード線をフローティング状態とし、前記第1、第3、及び第4選択ゲート線に前記読み出し電圧よりも高い第2電圧を印加して前記第1、第3、及び第4選択トランジスタをオン状態にし、前記第2選択ゲート線に前記読み出し電圧よりも低い第3電圧を印加して前記第2選択トランジスタをオフ状態にする制御回路と
を備える半導体記憶装置。 - 前記第1メモリセルの前記読み出し動作において、前記第1メモリセルがオン状態の場合、前記ビット線から、前記第1、第3、及び第4メモリストリングを介して、前記ソース線に電流が流れる
請求項7記載の半導体記憶装置。
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