JP2019175984A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(2)上記形態における半導体装置において、前記ダイオード形成領域は、さらに、前記第2溝部から前記積層体へのp型不純物の注入によって形成された少なくとも1つのp型不純物注入領域を含んでもよい。このような形態とすれば、第2溝部に意図せず高濃度n型不純物領域が形成された場合であっても、第2溝部から積層体の側に対してp型不純物注入領域が形成されているため、高濃度n型不純物領域を補償することができる。
(3)上記形態における半導体装置において、前記p型不純物注入領域のうち少なくとも1つは、前記第1溝部の底部より深い位置まで広がってもよい。このような形態とすれば、第1溝部の底部に発生する電界集中を緩和することができる。
(4)上記形態における半導体装置において、前記p型不純物注入領域のうち少なくとも1つは、前記第2溝部の側部から前記積層体の側に広がってもよい。このような形態とすれば、第2溝部に意図せず高濃度n型不純物領域が形成された場合であっても、p型不純物注入領域によって高濃度n型不純物領域が補償されるため、第4窒化物半導体層から高濃度n型不純物領域を介した漏電経路が形成されることを抑制できる。
(5)上記形態における半導体装置において、前記ダイオード形成領域は、さらに、
前記ショットキー電極と前記第2溝部との間に配され、前記第2溝部の表面に対してp型不純物が堆積されたp型不純物堆積領域を含んでもよい。このような形態とすれば、第2溝部に意図せず高濃度n型不純物領域が形成された場合であっても、p型不純物堆積領域によって高濃度n型不純物領域が補償されるため、第4窒化物半導体層から高濃度n型不純物領域を介した漏電経路が形成されることを抑制できる。
図1は、第1実施形態の半導体装置10の断面の一部を示す模式図である。なお、図1以降に示された模式図は、半導体装置10の技術的特徴をわかりやすく示すための図であり、各部の寸法を正確に示すものではない。図1には、説明を容易にするために、相互に略直交するXYZ軸が図示されている。図1のXYZ軸は、図3のXYZ軸に対応する。
図9は、第2実施形態の半導体装置10bの断面の一部を示す模式図である。半導体装置10bは、トランジスタ形成領域TRのX軸方向両側にダイオード形成領域DRを備える点およびダイオード形成領域DRにp型不純物注入領域310を備える点を除き、第1実施形態の半導体装置10の装置構成と同じである。第1実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。
図10は、第3実施形態の半導体装置10cの断面の一部を示す模式図である。半導体装置10cは、p型不純物注入領域310とは異なるp型不純物注入領域320、330を備える点を除き、第2実施形態の半導体装置10bの装置構成と同じである。第2実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。
図11は、第4実施形態の半導体装置10dの断面の一部を示す模式図である。半導体装置10dは、第2実施形態の半導体装置10bの装置構成に加えて、p型不純物堆積領域340を備える。第2実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。
図12は、第5実施形態の半導体装置10eの断面の一部を示す模式図である。半導体装置10eは、p型不純物注入領域310とは異なるp型不純物注入領域350を備える点を除き、第2実施形態の半導体装置10bの装置構成と同じである。第2実施形態と同じ符号は、同一の構成を示すものであって、先行する説明を参照する。
図13は、第6実施形態の半導体装置10fの断面の一部を示す模式図である。半導体装置10fは、第2実施形態の半導体装置10bの装置構成に加えて、絶縁膜412、絶縁膜422、ゲート配線430、ソース配線440、放熱配線450、ソーストレンチ470、ショットキー電極480およびp型不純物注入領域490を備える。
図14は、半導体装置10fが組み込まれたチップCHを+Z軸方向側から見た模式図である。図14では、半導体装置10fのうち絶縁膜422およびソース配線440を除いて図示している。図13は、図14の矢視F13−F13から見た半導体装置10fの断面が図示されたものである。
上述した第2実施形態から第5実施形態において、p型不純物注入領域が形成されていたが、本発明はこれに限られない。例えば、p型不純物注入領域が形成されていた領域には、p型不純物注入領域の代わりにp型ベース層が形成されていてもよい。
Claims (5)
- 半導体装置であって、
n型不純物を含有する第1窒化物半導体層と、n型不純物を含有する第2窒化物半導体層と、p型不純物を含有する第3窒化物半導体層と、n型不純物を含有する第4窒化物半導体層と、が順に積層された積層体と、
前記第1窒化物半導体層の面のうち前記第2窒化物半導体層と接する側の面とは反対側の面と接する第1電極と、を備え、
前記半導体装置は、
トランジスタが形成されたトランジスタ形成領域と、
前記トランジスタ形成領域に隣接し、ダイオードが形成されたダイオード形成領域と、を有し、
前記トランジスタ形成領域は、
前記第3窒化物半導体層および前記第4窒化物半導体層を貫通するとともに前記第2窒化物半導体層に底部が位置する第1溝部と、
前記第1溝部の表面に絶縁膜を介して形成された第2電極と、
前記第4窒化物半導体層の面のうち前記第3窒化物半導体層と接する側の面とは反対側の面と接する第3電極と、を備え、
前記ダイオード形成領域は、
前記第4窒化物半導体層を貫通するとともに前記第3窒化物半導体層に底部が位置する第2溝部と、
前記第2溝部の表面に形成され、前記第3窒化物半導体層にショットキー接合するとともに前記第3電極と電気的に接続されたショットキー電極と、を備える、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記ダイオード形成領域は、さらに、
前記第2溝部から前記積層体へのp型不純物の注入によって形成された少なくとも1つのp型不純物注入領域を含む、半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置であって、
前記p型不純物注入領域のうち少なくとも1つは、前記第1溝部の底部より深い位置まで広がる、半導体装置。 - 請求項2または請求項3に記載の半導体装置であって、
前記p型不純物注入領域のうち少なくとも1つは、前記第2溝部の側部から前記積層体の側に広がる、半導体装置。 - 請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記ダイオード形成領域は、さらに、
前記ショットキー電極と前記第2溝部との間に配され、前記第2溝部の表面に対してp型不純物が堆積されたp型不純物堆積領域を含む、半導体装置。
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