JP2019161085A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
Description
つまり、特許文献1に記載された半導体装置では、正極側導電体、負極側導電体、出力側導電体および制御電極端子(駆動信号線)を延ばす方向として、第1方向に交差する方向が用いられていない。
そのため、特許文献1に記載された半導体装置では、正極側導電体および負極側導電体に電気的に接続される部品、出力側導電体に電気的に接続される部品、および、制御電極端子(駆動信号線)に電気的に接続される部品が、集中的に配置されてしまう。
その結果、特許文献1に記載された半導体装置では、それらの部品を配置する工程が複雑化してしまう。詳細には、正極側導電体、負極側導電体、出力側導電体および制御電極端子(駆動信号線)と、上述した複数の部品とを配線接続する工程が複雑化してしまう。複雑な配線接続を実現しようとすると、配線接続部材が長くなってしまう。また、複雑な配線接続を実現しようとすると、省スペース性が低下してしまう。
そのため、上記(1)に記載の電力変換装置では、正極側導電体および負極側導電体に配線接続される部品、出力側導電体に配線接続される部品、および、ハイサイド駆動信号線およびローサイド駆動信号線に配線接続される部品の配置を簡素化することができ、それらの部品への配線接続部材の長さを抑制することができ、省スペース性を向上させることができる。
そのため、上記(2)に記載の電力変換装置では、正極側導電体および負極側導電体が第1方向の一方の側に延びており、出力側導電体が第1方向の他方の側に延びており、ハイサイド駆動信号線およびローサイド駆動信号線が第1方向に交差する第2方向に延びている構成を実現することができる。
そのため、上記(3)に記載の電力変換装置では、ハイサイドアーム素子とローサイドアーム素子とが電気的に接続されている素子列の構成を実現することができる。
上記(3)に記載の電力変換装置では、第2基板の第5導電層と第1基板の第3導電層とが電気的に接続されている。
そのため、上記(3)に記載の電力変換装置では、ハイサイドアーム素子およびローサイドアーム素子と干渉することなく、負極側導電体を正極側導電体と同じ向きに延ばすことができる。
そのため、上記(4)に記載の電力変換装置では、第1熱伝導部および第2熱伝導部が備えられていない場合よりも、ハイサイドアーム素子およびローサイドアーム素子の冷却性能を向上させることができる。
そのため、上記(5)に記載の電力変換装置では、正極側導電体および負極側導電体が第1方向の一方の側に延びており、出力側導電体が第1方向の他方の側に延びており、ハイサイド駆動信号線およびローサイド駆動信号線が第1方向に交差する第2方向に延びている構成を実現することができる。
その構成を実現する場合に、上記(5)に記載の電力変換装置では、正極側導電体および負極側導電体に配線接続される部品、出力側導電体に配線接続される部品、および、ハイサイド駆動信号線およびローサイド駆動信号線に配線接続される部品の配置を簡素化することができ、それらの部品への配線接続部材の長さを抑制することができ、省スペース性を向上させることができる。
図1は第1実施形態の電力変換装置1の一例を示す図である。詳細には、図1(A)は基板SB、スペーサSPUH、SPULを透視して見た第1実施形態の電力変換装置1の平面図である。図1(B)は第1実施形態の電力変換装置1の正面図である。図2は図1(B)中のハイサイドアーム素子UH、ローサイドアーム素子ULのみを抽出して示した図である。図3は図1(B)中の基板SBのみを抽出して示した図である。図4は図1に示す基板SAの斜視図である。図5は図1に示す基板SAおよび放熱部WJの正面図である。
ハイサイドアーム素子UHおよびローサイドアーム素子ULのそれぞれは、例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor)等のようなスイッチング素子である。
1相分のハイサイドアーム素子UHが、並列接続された複数のスイッチング素子によって構成されてもよい。同様に、1相分のローサイドアーム素子ULが、並列接続された複数のスイッチング素子によって構成されてもよい。
図2に示すように、ハイサイドアーム素子UHの一方(図2の下側)の面UHAには、電極UHA1が配置されている。ハイサイドアーム素子UHの他方(図2の上側)の面UHBには、電極UHB1と、駆動信号が入力されるゲート電極(図示せず)とが配置されている。ローサイドアーム素子ULの一方(図2の下側)の面ULAには、電極ULA1が配置されている。ローサイドアーム素子ULの他方(図2の上側)の面ULBには、電極ULB1と、駆動信号が入力されるゲート電極(図示せず)とが配置されている。素子列UHLは、ハイサイドアーム素子UHとローサイドアーム素子ULとによって構成される。つまり、素子列UHLは、ハイサイドアーム素子UHとローサイドアーム素子ULとを有する。
図1〜図5に示す例では、素子列UHLを構成するハイサイドアーム素子UHとローサイドアーム素子ULとが、図1(A)の左右方向(つまり、正極側導電体PI、負極側導電体NIおよび出力側導電体51が延びている方向)に配列されている。
図1(B)に示すように、ハイサイドアーム素子UHの電極UHB1と、基板SBの導電層SB1との間には、スペーサSPUHが配置されている。ローサイドアーム素子ULの電極ULB1と、基板SBの導電層SB2との間には、スペーサSPULが配置されている。
ローサイドアーム素子ULのゲート電極(図示せず)は、例えばボンディングワイヤ(図示せず)などを介してローサイド駆動信号線SLに電気的に接続されている。ローサイドアーム素子ULの電極ULB1は、スペーサSPULを介して基板SBの導電層SB2に電気的に接続されている。
ハイサイド駆動信号線SHおよびローサイド駆動信号線SLは、図1(A)の上下方向(つまり、左右方向に交差する方向)の上向きに素子列UHLから延びており、ゲートドライブユニット29(G/D VCU ECU)(図10参照)に配線接続されている。
つまり、ハイサイド駆動信号線SHは、ハイサイドアーム素子UHを駆動制御する制御信号を伝達する。ローサイド駆動信号線SLは、ローサイドアーム素子ULを駆動制御する制御信号を伝達する。
図1(A)に示すように、正極側導電体PIは、基板SAの導電層SA1に電気的に接続されている。つまり、正極側導電体PIは、ハイサイドアーム素子UHの電極UHA1に電気的に接続されている。詳細には、正極側導電体PIが、図1(A)の左右方向の左向きに素子列UHLから延びており、コンデンサユニット23(図10参照)の正極バスバー50p(図10参照)に配線接続されている。
出力側導電体51から基板SAの導電層SA2に流れる電流は、次いで、ローサイドアーム素子ULの電極ULA1(図2参照)から電極ULB1(図2参照)に流れ、次いで、基板SBの導電層SB2(図3参照)から接続部CNに流れ、次いで、基板SAの導電層SA4から負極側導電体NIに流れる。
他の例では、正極側導電体PIの位置と負極側導電体NIの位置とを入れ替えるとともに、ハイサイドアーム素子UHの位置とローサイドアーム素子ULの位置とを入れ替えて構成する(つまり、正極側導電体PIを導電層SA4に接続する)ことも可能である。
つまり、図1(B)および図5に示すように、負極側導電体NIに電気的に接続される導電層SA4が、ハイサイドアーム素子UHおよびローサイドアーム素子ULから放熱部WJへの放熱経路(図1(B)および図5の上側から下側に延びている放熱経路)の途中に配置され、省スペース性が向上させられている。
そのため、第1実施形態の電力変換装置1では、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIに配線接続されるコンデンサユニット23(図10参照)、出力側導電体51に配線接続される3相コネクタ1b(図10参照)、および、ハイサイド駆動信号線SHおよびローサイド駆動信号線SLに配線接続されるゲートドライブユニット29(図10参照)の配置を簡素化することができ、それらへの配線接続部材の長さを抑制することができ、省スペース性を向上させることができる。
また、第1実施形態の電力変換装置1では、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIと、出力側導電体51とをそれぞれ配線接続するために複雑なバスバー構造が必要になるおそれを抑制することができ、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIに対するコンデンサユニット23の配線接続、および、出力側導電体51に対する3相コネクタ1bの配線接続を容易にすることができる。
そのため、第1実施形態の電力変換装置1では、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIが図1(A)の左向きに延びており、出力側導電体51が図1(A)の右向きに延びており、ハイサイド駆動信号線SHおよびローサイド駆動信号線SLが図1(A)の上向きに延びている構成を実現することができる。
また、第1実施形態の電力変換装置1では、基板SBの導電層SB2と基板SAの導電層SA4とが、接続部CNを介して電気的に接続されている。そのため、第1実施形態の電力変換装置1では、ハイサイドアーム素子UHおよびローサイドアーム素子ULと干渉することなく、負極側導電体NIを正極側導電体PIと同じ向き(図1(A)の左向き)に延ばすことができる。
そのため、第1実施形態の電力変換装置1では、熱伝導部SA6および熱伝導部SB4が備えられていない場合よりも、ハイサイドアーム素子UHおよびローサイドアーム素子ULの冷却性能を向上させることができる。
この基板SAを用いることにより、第1実施形態の電力変換装置1では、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIが延びている向きと、出力側導電体51が延びている向きとを異ならせることができる。その結果、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIに対するコンデンサユニット23(図10参照)の配線接続、および、出力側導電体51に対する3相コネクタ1b(図10参照)の配線接続を、小さいスペースで行うことができる。
また、負極側導電体NIに電気的に接続される導電層SA4が、ハイサイドアーム素子UHおよびローサイドアーム素子ULと放熱部WJとによって挟まれ、ハイサイドアーム素子UHおよびローサイドアーム素子ULから放熱部WJへの放熱経路上に配置されている。そのため、小さいスペースでの回路の形成が可能となる。
そのため、第1実施形態の電力変換装置1では、基板とモータの経路とが干渉するおそれ、駆動信号にノイズが含まれてしまうおそれ、および、ハイサイド駆動信号線とローサイド駆動信号線とが異なる向きに延びることに伴って、1枚基板で制御ができず、ハイサイドアームとローサイドアームとで制御タイミングがとりづらくなるおそれを抑制することができる。
第1実施形態の電力変換装置1では、コンデンサユニット23、3相コネクタ1bおよびゲートドライブユニット29に対する配線接続を最短距離で行うことができ、コンデンサユニット23、3相コネクタ1bおよびゲートドライブユニット29に対する配線接続を簡潔な構造で行うことができる。つまり、第1実施形態の電力変換装置1では、コンデンサユニット23、3相コネクタ1bおよびゲートドライブユニット29を電力変換装置1の周囲に配置しやすくすることができる。
また、基板SAの導電層SA4の左端部は、電気絶縁層SA3、SA5の左端部よりも左側に突出し、露出している。導電層SA4の露出している左端部は、負極側導電体NIとの電気的な接続に用いられる。
上述したように、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIは、コンデンサユニット23に配線接続され、出力側導電体51は、3相コネクタ1bに配線接続されている。ゲートドライブユニット29を構成する回路基板は、電力変換装置1の基板SA、SBに対して直交する面内であって、電力変換装置1の基板SAよりも図5の上側または下側に配置される。その結果、電力変換装置1からコンデンサユニット23への配線接続、電力変換装置1から3相コネクタ1bへの配線接続、および、電力変換装置1からゲートドライブユニット29への配線接続を短距離でまとめることができる。
以下、本発明の電力変換装置1の第2実施形態について説明する。
第2実施形態の電力変換装置1は、後述する点を除き、上述した第1実施形態の電力変換装置1と同様に構成されている。従って、第2実施形態の電力変換装置1によれば、後述する点を除き、上述した第1実施形態の電力変換装置1と同様の効果を奏することができる。
第2実施形態の電力変換装置1では、図7(B)に示すように、基板SAの導電層SA4の右端部と、電気絶縁層SA3、SA5の右端部とが、図7(B)の左右方向の同一位置に配置されている。基板SAの導電層SA4の左端部と、電気絶縁層SA3、SA5の左端部とは、図7(B)の左右方向の同一位置に配置されている。
第2実施形態の電力変換装置1では、図6および図7(A)に示すように、導電層SA4と接続部CNとの電気的な接続を行うために、電気絶縁層SA3のうちの図6および図7(A)の左右方向の中央部が切り欠かれ、導電層SA4のうちの図6および図7(A)の左右方向の中央部が露出させられている。また、導電層SA4と負極側導電体NIとの電気的な接続を行うために、電気絶縁層SA3のうちの図6および図7(A)の左右方向の左端部が切り欠かれ、導電層SA4うちの図6および図7(A)の左右方向の左端部が露出させられている。
つまり、第2実施形態の電力変換装置1では、基板SAの幅寸法(図7(A)および図7(B)の左右方向寸法)が、第1実施形態の電力変換装置1よりも小型化されている。それに伴って、第2実施形態の電力変換装置1では、電力変換装置1の全体の幅寸法(図6の左右方向寸法)が、第1実施形態の電力変換装置1よりも小型化されている。
図9に示すように、出力側導電体51から基板SAの導電層SA2に流れる電流は、次いで、ローサイドアーム素子ULの電極ULA1(図2参照)から電極ULB1(図2参照)に流れ、次いで、基板SBの導電層SB2から接続部CNに流れ、次いで、基板SAの導電層SA4から負極側導電体NIに流れる。
図8および図9では、基板SBの熱伝導部SB4の図示が省略されており、基板SBの電気絶縁層SB3を透視して、基板SBの導電層SB1の輪郭、および、基板SBの導電層SB2の輪郭が示されている。
他の例では、正極側導電体PIの位置と負極側導電体NIの位置とを入れ替えるとともに、ハイサイドアーム素子UHの位置とローサイドアーム素子ULの位置とを入れ替えて構成する(つまり、正極側導電体PIを導電層SA4に接続する)ことも可能である。
以下、本発明の電力変換装置1の適用例について添付図面を参照しながら説明する。
図10は第1および第2実施形態の電力変換装置1を適用可能な車両10の一部の一例を示す図である。
バッテリ11は、バッテリケースと、バッテリケース内に収容される複数のバッテリモジュールとを備えている。バッテリモジュールは、直列に接続される複数のバッテリセルを備えている。バッテリ11は、電力変換装置1の直流コネクタ1aに接続される正極端子PB及び負極端子NBを備えている。正極端子PB及び負極端子NBは、バッテリケース内において直列に接続される複数のバッテリモジュールの正極端及び負極端に接続されている。
パワーモジュール21は、第1電力変換回路部31と、第2電力変換回路部32と、第3電力変換回路部33とを備えている。
詳細には、1つ目の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、第1電力変換回路部31のU相を構成する。2つ目の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、第1電力変換回路部31のV相を構成する。3つ目の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、第1電力変換回路部31のW相を構成する。
第1電力変換回路部31の出力側導電体51は、U相、V相およびW相の3相分まとめられて、第1の3相コネクタ1bに接続されている。すなわち、第1電力変換回路部31の出力側導電体51は、第1の3相コネクタ1bを介して第1モータ12の3相のステータ巻線に接続されている。
第1電力変換回路部31の正極側導電体PIは、U相、V相およびW相の3相分まとめられて、バッテリ11の正極端子PBに接続されている。
第1電力変換回路部31の負極側導電体NIは、U相、V相およびW相の3相分まとめられて、バッテリ11の負極端子NBに接続されている。
つまり、第1電力変換回路部31は、バッテリ11から第3電力変換回路部33を介して入力される直流電力を3相交流電力に変換する。
詳細には、1つ目の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、第2電力変換回路部32のU相を構成する。2つ目の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、第2電力変換回路部32のV相を構成する。3つ目の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、第2電力変換回路部32のW相を構成する。
第2電力変換回路部32の出力側導電体(出力バスバー)52は、U相、V相およびW相の3相分まとめられて、第2の3相コネクタ1cに接続されている。すなわち、第2電力変換回路部32の出力側導電体52は、第2の3相コネクタ1cを介して第2モータ13の3相のステータ巻線に接続されている。
第2電力変換回路部32の正極側導電体PIは、U相、V相およびW相の3相分まとめられて、バッテリ11の正極端子PBと、第1電力変換回路部31の正極側導電体PIとに接続されている。
第2電力変換回路部32の負極側導電体NIは、U相、V相およびW相の3相分まとめられて、バッテリ11の負極端子NBと、第2電力変換回路部32の負極側導電体NIとに接続されている。
第2電力変換回路部32は、第2モータ13から入力される3相交流電力を直流電力に変換する。第2電力変換回路部32によって変換された直流電力は、バッテリ11及び第1電力変換回路部31の少なくとも一方に供給することが可能である。
第1電力変換回路部31のU相ローサイドアーム素子UL、V相ローサイドアーム素子VL、W相ローサイドアーム素子WL、および、第2電力変換回路部32のU相ローサイドアーム素子UL、V相ローサイドアーム素子VL、W相ローサイドアーム素子WLが、負極側導電体NIに接続されている。負極側導電体NIは、コンデンサユニット23の負極バスバー50nに接続されている。
第2電力変換回路部32のU相ハイサイドアーム素子UHとU相ローサイドアーム素子ULとの接続点TIと、V相ハイサイドアーム素子VHとV相ローサイドアーム素子VLとの接続点TIと、W相ハイサイドアーム素子WHとW相ローサイドアーム素子WLとの接続点TIとは、出力側導電体52に接続されている。
第2電力変換回路部32の出力側導電体52は、第2入出力端子Q2に接続されている。第2入出力端子Q2は、第2の3相コネクタ1cに接続されている。第2電力変換回路部32の各相の接続点TIは、出力側導電体52、第2入出力端子Q2、及び第2の3相コネクタ1cを介して第2モータ13の各相のステータ巻線に接続されている。
同様に、第2電力変換回路部32のハイサイドアーム素子UH、VH、WH、および、ローサイドアーム素子UL、VL、WLのそれぞれが、フライホイールダイオードを備えている。
同様に、ゲートドライブユニット29は、第2電力変換回路部32のハイサイドアーム素子UH、VH、WH、および、ローサイドアーム素子UL、VL、WLのそれぞれにゲート信号を入力する。
第1電力変換回路部31は、バッテリ11から第3電力変換回路部33を介して入力される直流電力を3相交流電力に変換し、第1モータ12の3相のステータ巻線に交流のU相電流、V相電流、及びW相電流を供給する。第2電力変換回路部32は、第2モータ13の回転に同期がとられた第2電力変換回路部32のハイサイドアーム素子UH、VH、WH、および、ローサイドアーム素子UL、VL、WLのそれぞれのオン(導通)/オフ(遮断)駆動によって、第2モータ13の3相のステータ巻線から出力される3相交流電力を直流電力に変換する。
第3電力変換回路部33は、電圧コントロールユニット(VCU)である。第3電力変換回路部33は、1相分のハイサイドアーム素子S1と、ローサイドアーム素子S2とを備えている。
第2平滑コンデンサ42は、第1電力変換回路部31及び第2電力変換回路部32の各々の正極側導電体PI及び負極側導電体NI間、並びに第3電力変換回路部33の正極バスバーPV及び負極バスバーNV間に接続されている。第2平滑コンデンサ42は、正極バスバー50p及び負極バスバー50nを介して、複数の正極側導電体PI及び負極側導電体NI、並びに正極バスバーPV及び負極バスバーNVに接続されている。第2平滑コンデンサ42は、第1電力変換回路部31及び第2電力変換回路部32のハイサイドアーム素子UH、VH、WH、および、ローサイドアーム素子UL、VL、WLのそれぞれのオン/オフの切換動作に伴って発生する電圧変動を平滑化する。第2平滑コンデンサ42は、第3電力変換回路部33の昇圧時におけるハイサイドアーム素子S1及びローサイドアーム素子S2のオン/オフの切換動作に伴って発生する電圧変動を平滑化する。
抵抗器24は、第1電力変換回路部31及び第2電力変換回路部32の各々の正極側導電体PI及び負極側導電体NI間、並びに第3電力変換回路部33の正極バスバーPV及び負極バスバーNV間に接続されている。
第1電流センサ25、第2電流センサ26、及び第3電流センサ27の各々は、信号線によって電子制御ユニット28に接続されている。
ゲートドライブユニット29は、第3電力変換回路部33のハイサイドアーム素子S1及びローサイドアーム素子S2の各々をオン(導通)/オフ(遮断)駆動するためのゲート信号を生成する。例えば、ゲートドライブユニット29は、第3電力変換回路部33の昇圧時における昇圧電圧指令又は第3電力変換回路部33の回生時における降圧電圧指令に応じたデューティー比のゲート信号を生成する。デューティー比は、ハイサイドアーム素子S1及びローサイドアーム素子S2の比率である。
Claims (5)
- ハイサイドアーム素子とローサイドアーム素子とを有する素子列と、
前記ハイサイドアーム素子に電気的に接続される正極側導電体と、
前記ローサイドアーム素子に電気的に接続される負極側導電体と、
前記ハイサイドアーム素子と前記ローサイドアーム素子とに電気的に接続される出力側導電体と、
前記ハイサイドアーム素子を駆動制御する制御信号を伝達するハイサイド駆動信号線と、
前記ローサイドアーム素子を駆動制御する制御信号を伝達するローサイド駆動信号線とを備え、
前記正極側導電体および前記負極側導電体は、第1方向の一方の側に前記素子列から延びており、
前記出力側導電体は、前記第1方向の前記一方の側とは反対側の他方の側に前記素子列から延びており、
前記ハイサイド駆動信号線および前記ローサイド駆動信号線は、前記第1方向に交差する第2方向に前記素子列から延びている、
電力変換装置。 - 第1基板と第2基板とを更に備え、
前記第1基板は、
前記ハイサイドアーム素子の一方の面の電極に対向して配置される第1導電層と、
前記ローサイドアーム素子の一方の面の電極に対向して配置される第2導電層と、
前記第1導電層および前記第2導電層に接続される第1電気絶縁層と、
前記第1電気絶縁層を隔てて前記第1導電層および前記第2導電層の反対側に配置される第3導電層と、
前記第3導電層を隔てて前記第1電気絶縁層の反対側に配置される第2電気絶縁層とを備え、
前記第2基板は、
前記ハイサイドアーム素子の他方の面の電極に対向して配置される第4導電層と、
前記ローサイドアーム素子の他方の面の電極に対向して配置される第5導電層と、
前記第4導電層および前記第5導電層に接続される第3電気絶縁層とを備え、
前記正極側導電体および前記負極側導電体の一方は、前記第1導電層および前記第2導電層のいずれか一方に接続されて、前記第1方向の前記一方の側に延びており、
前記正極側導電体および前記負極側導電体の他方は、前記第3導電層に接続されて、前記第1方向の前記一方の側に延びており、
前記出力側導電体は、前記第2導電層に接続されて、前記第1方向の前記他方の側に延びている、
請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記第4導電層と前記第2導電層とが電気的に接続され、
前記第5導電層と前記第3導電層とが電気的に接続されている、
請求項2に記載の電力変換装置。 - 前記第1基板は、導電性材料によって構成される第1熱伝導部を備え、
前記第1熱伝導部は、前記第2電気絶縁層を隔てて前記第3導電層の反対側に配置され、
前記第2基板は、導電性材料によって構成される第2熱伝導部を備え、
前記第2熱伝導部は、前記第3電気絶縁層を隔てて前記第4導電層および前記第5導電層の反対側に配置されている、
請求項2または請求項3に記載の電力変換装置。 - ハイサイドアーム素子とローサイドアーム素子とを有する素子列と、
前記ハイサイドアーム素子に電気的に接続される正極側導電体と、
前記ローサイドアーム素子に電気的に接続される負極側導電体と、
前記ハイサイドアーム素子と前記ローサイドアーム素子とに電気的に接続される出力側導電体と、
第1基板と、
第2基板とを備え、
前記第1基板は、
前記ハイサイドアーム素子の一方の面の電極に対向して配置される第1導電層と、
前記ローサイドアーム素子の一方の面の電極に対向して配置される第2導電層と、
前記第1導電層および前記第2導電層に接続される第1電気絶縁層と、
前記第1電気絶縁層を隔てて前記第1導電層および前記第2導電層の反対側に配置される第3導電層と、
前記第3導電層を隔てて前記第1電気絶縁層の反対側に配置される第2電気絶縁層とを備え、
前記第2基板は、
前記ハイサイドアーム素子の他方の面の電極に対向して配置される第4導電層と、
前記ローサイドアーム素子の他方の面の電極に対向して配置される第5導電層と、
前記第4導電層および前記第5導電層に接続される第3電気絶縁層とを備え、
前記正極側導電体および前記負極側導電体の一方は、前記第1導電層および前記第2導電層のいずれか一方に接続され、
前記正極側導電体および前記負極側導電体の他方は、前記第3導電層に接続されている、
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