JP2019161085A - 電力変換装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】正極側導電体、負極側導電体、出力側導電体および素子の駆動信号線のそれぞれに配線接続される部品の配置を簡素化し、配線接続を容易にする。【解決手段】電力変換装置は、ハイサイドアーム素子とローサイドアーム素子とを有する素子列と、ハイサイドアーム素子に電気的に接続される正極側導電体と、ローサイドアーム素子に電気的に接続される負極側導電体と、ハイサイドアーム素子とローサイドアーム素子とに電気的に接続される出力側導電体と、ハイサイドアーム素子を駆動制御するハイサイド駆動信号線と、ローサイドアーム素子を駆動制御するローサイド駆動信号線とを備え、正極側導電体および負極側導電体は、第1方向の一方の側に素子列から延びており、出力側導電体は、第1方向の一方の側とは反対側の他方の側に素子列から延びており、ハイサイド駆動信号線およびローサイド駆動信号線は、第1方向に交差する第2方向に素子列から延びている。【選択図】図1

Description

本発明は、電力変換装置に関する。
従来、半導体素子を配置する際に半導体素子を上下反転する工程を不要にする半導体装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載された半導体装置では、第1半導体素子と第2半導体素子とが並列に配置されている。また、第1半導体素子の上面側の電極に電気的に接続された導電体の薄板部と、第2半導体素子の下面側の電極に電気的に接続された導電体の薄板部とを固着することによって、第1半導体素子の上面側の電極と、第2半導体素子の下面側の電極とが、電気的に接続されている。
特開2012−235081号公報
ところで、特許文献1に記載された半導体装置では、正極側導電体と負極側導電体と出力側導電体とが、第1半導体素子および第2半導体素子から第1方向の一方の側に延びている。また、第1半導体素子を駆動する制御電極端子(駆動信号線)と、第2半導体素子を駆動する制御電極端子(駆動信号線)とが、第1半導体素子および第2半導体素子から、第1方向の一方の側とは反対側の他方の側に延びている。
つまり、特許文献1に記載された半導体装置では、正極側導電体、負極側導電体、出力側導電体および制御電極端子(駆動信号線)を延ばす方向として、第1方向に交差する方向が用いられていない。
そのため、特許文献1に記載された半導体装置では、正極側導電体および負極側導電体に電気的に接続される部品、出力側導電体に電気的に接続される部品、および、制御電極端子(駆動信号線)に電気的に接続される部品が、集中的に配置されてしまう。
その結果、特許文献1に記載された半導体装置では、それらの部品を配置する工程が複雑化してしまう。詳細には、正極側導電体、負極側導電体、出力側導電体および制御電極端子(駆動信号線)と、上述した複数の部品とを配線接続する工程が複雑化してしまう。複雑な配線接続を実現しようとすると、配線接続部材が長くなってしまう。また、複雑な配線接続を実現しようとすると、省スペース性が低下してしまう。
上述した問題点に鑑み、本発明は、正極側導電体、負極側導電体、出力側導電体および素子の駆動信号線のそれぞれに配線接続される部品の配置を簡素化し、正極側導電体、負極側導電体、出力側導電体および素子の駆動信号線と部品との配線接続を容易にすることができる電力変換装置を提供することを目的とする。
(1)本発明の一態様に係る電力変換装置は、ハイサイドアーム素子とローサイドアーム素子とを有する素子列と、前記ハイサイドアーム素子に電気的に接続される正極側導電体と、前記ローサイドアーム素子に電気的に接続される負極側導電体と、前記ハイサイドアーム素子と前記ローサイドアーム素子とに電気的に接続される出力側導電体と、前記ハイサイドアーム素子を駆動制御する制御信号を伝達するハイサイド駆動信号線と、前記ローサイドアーム素子を駆動制御する制御信号を伝達するローサイド駆動信号線とを備え、前記正極側導電体および前記負極側導電体は、第1方向の一方の側に前記素子列から延びており、前記出力側導電体は、前記第1方向の前記一方の側とは反対側の他方の側に前記素子列から延びており、前記ハイサイド駆動信号線および前記ローサイド駆動信号線は、前記第1方向に交差する第2方向に前記素子列から延びている。
(2)上記(1)に記載の電力変換装置は、第1基板と第2基板とを更に備え、前記第1基板は、前記ハイサイドアーム素子の一方の面の電極に対向して配置される第1導電層と、前記ローサイドアーム素子の一方の面の電極に対向して配置される第2導電層と、前記第1導電層および前記第2導電層に接続される第1電気絶縁層と、前記第1電気絶縁層を隔てて前記第1導電層および前記第2導電層の反対側に配置される第3導電層と、前記第3導電層を隔てて前記第1電気絶縁層の反対側に配置される第2電気絶縁層とを備え、前記第2基板は、前記ハイサイドアーム素子の他方の面の電極に対向して配置される第4導電層と、前記ローサイドアーム素子の他方の面の電極に対向して配置される第5導電層と、前記第4導電層および前記第5導電層に接続される第3電気絶縁層とを備え、前記正極側導電体および前記負極側導電体の一方は、前記第1導電層および前記第2導電層のいずれか一方に接続されて、前記第1方向の前記一方の側に延びており、前記正極側導電体および前記負極側導電体の他方は、前記第3導電層に接続されて、前記第1方向の前記一方の側に延びており、前記出力側導電体は、前記第2導電層に接続されて、前記第1方向の前記他方の側に延びている。
(3)上記(2)に記載の電力変換装置では、前記第4導電層と前記第2導電層とが電気的に接続され、前記第5導電層と前記第3導電層とが電気的に接続されている。
(4)上記(2)または(3)に記載の電力変換装置では、前記第1基板は、導電性材料によって構成される第1熱伝導部を備え、前記第1熱伝導部は、前記第2電気絶縁層を隔てて前記第3導電層の反対側に配置され、前記第2基板は、導電性材料によって構成される第2熱伝導部を備え、前記第2熱伝導部は、前記第3電気絶縁層を隔てて前記第4導電層および前記第5導電層の反対側に配置されている。
(5)本発明の一態様に係る電力変換装置は、ハイサイドアーム素子とローサイドアーム素子とを有する素子列と、前記ハイサイドアーム素子に電気的に接続される正極側導電体と、前記ローサイドアーム素子に電気的に接続される負極側導電体と、前記ハイサイドアーム素子と前記ローサイドアーム素子とに電気的に接続される出力側導電体と、第1基板と、第2基板とを備え、前記第1基板は、前記ハイサイドアーム素子の一方の面の電極に対向して配置される第1導電層と、前記ローサイドアーム素子の一方の面の電極に対向して配置される第2導電層と、前記第1導電層および前記第2導電層に接続される第1電気絶縁層と、前記第1電気絶縁層を隔てて前記第1導電層および前記第2導電層の反対側に配置される第3導電層と、前記第3導電層を隔てて前記第1電気絶縁層の反対側に配置される第2電気絶縁層とを備え、前記第2基板は、前記ハイサイドアーム素子の他方の面の電極に対向して配置される第4導電層と、前記ローサイドアーム素子の他方の面の電極に対向して配置される第5導電層と、前記第4導電層および前記第5導電層に接続される第3電気絶縁層とを備え、前記正極側導電体および前記負極側導電体の一方は、前記第1導電層および前記第2導電層のいずれか一方に接続され、前記正極側導電体および前記負極側導電体の他方は、前記第3導電層に接続されている。
上記(1)に記載の電力変換装置では、正極側導電体および負極側導電体が素子列から延びている向きと、出力側導電体が素子列から延びている向きと、ハイサイド駆動信号線およびローサイド駆動信号線が素子列から延びている向きとが互いに異なる。
そのため、上記(1)に記載の電力変換装置では、正極側導電体および負極側導電体に配線接続される部品、出力側導電体に配線接続される部品、および、ハイサイド駆動信号線およびローサイド駆動信号線に配線接続される部品の配置を簡素化することができ、それらの部品への配線接続部材の長さを抑制することができ、省スペース性を向上させることができる。
上記(2)に記載の電力変換装置では、第1基板が第1電気絶縁層と第2電気絶縁層とを備えている。
そのため、上記(2)に記載の電力変換装置では、正極側導電体および負極側導電体が第1方向の一方の側に延びており、出力側導電体が第1方向の他方の側に延びており、ハイサイド駆動信号線およびローサイド駆動信号線が第1方向に交差する第2方向に延びている構成を実現することができる。
上記(3)に記載の電力変換装置では、第2基板の第4導電層と第1基板の第2導電層とが電気的に接続されている。
そのため、上記(3)に記載の電力変換装置では、ハイサイドアーム素子とローサイドアーム素子とが電気的に接続されている素子列の構成を実現することができる。
上記(3)に記載の電力変換装置では、第2基板の第5導電層と第1基板の第3導電層とが電気的に接続されている。
そのため、上記(3)に記載の電力変換装置では、ハイサイドアーム素子およびローサイドアーム素子と干渉することなく、負極側導電体を正極側導電体と同じ向きに延ばすことができる。
上記(4)に記載の電力変換装置では、第1基板が、導電性材料によって構成される第1熱伝導部を備え、第2基板が、導電性材料によって構成される第2熱伝導部を備えている。
そのため、上記(4)に記載の電力変換装置では、第1熱伝導部および第2熱伝導部が備えられていない場合よりも、ハイサイドアーム素子およびローサイドアーム素子の冷却性能を向上させることができる。
上記(5)に記載の電力変換装置では、第1基板が第1電気絶縁層と第2電気絶縁層とを備えている。
そのため、上記(5)に記載の電力変換装置では、正極側導電体および負極側導電体が第1方向の一方の側に延びており、出力側導電体が第1方向の他方の側に延びており、ハイサイド駆動信号線およびローサイド駆動信号線が第1方向に交差する第2方向に延びている構成を実現することができる。
その構成を実現する場合に、上記(5)に記載の電力変換装置では、正極側導電体および負極側導電体に配線接続される部品、出力側導電体に配線接続される部品、および、ハイサイド駆動信号線およびローサイド駆動信号線に配線接続される部品の配置を簡素化することができ、それらの部品への配線接続部材の長さを抑制することができ、省スペース性を向上させることができる。
第1実施形態の電力変換装置の一例を示す図である。 図1(B)中のハイサイドアーム素子、ローサイドアーム素子のみを抽出して示した図である。 図1(B)中の上側の基板のみを抽出して示した図である。 図1に示す下側の基板の斜視図である。 図1に示す下側の基板および放熱部の正面図である。 第2実施形態の電力変換装置の一例を示す図である。 図6に示す基板の部品図である。 正極側導電体から出力側導電体への電流経路を説明するための図である。 出力側導電体から負極側導電体への電流経路を説明するための図である。 第1および第2実施形態の電力変換装置を適用可能な車両の一部の一例を示す図である。
以下、本発明の電力変換装置の実施形態について添付図面を参照しながら説明する。
<第1実施形態>
図1は第1実施形態の電力変換装置1の一例を示す図である。詳細には、図1(A)は基板SB、スペーサSPUH、SPULを透視して見た第1実施形態の電力変換装置1の平面図である。図1(B)は第1実施形態の電力変換装置1の正面図である。図2は図1(B)中のハイサイドアーム素子UH、ローサイドアーム素子ULのみを抽出して示した図である。図3は図1(B)中の基板SBのみを抽出して示した図である。図4は図1に示す基板SAの斜視図である。図5は図1に示す基板SAおよび放熱部WJの正面図である。
図1〜図5に示す例では、電力変換装置1が、ハイサイドアーム素子UHと、ハイサイドアーム素子UHに逆並列に接続されたフライホイールダイオードDUHと、ローサイドアーム素子ULと、ローサイドアーム素子ULに逆並列に接続されたフライホイールダイオードDULと、基板SAと、基板SBと、ハイサイド駆動信号線SHと、ローサイド駆動信号線SLと、スペーサSPUHと、スペーサSPULと、接続部COと、接続部CNと、正極側導電体(Pバスバー)PIと、負極側導電体(Nバスバー)NIと、出力側導電体(出力バスバー)51と、放熱部WJとを備えている。
ハイサイドアーム素子UHおよびローサイドアーム素子ULのそれぞれは、例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor)等のようなスイッチング素子である。
1相分のハイサイドアーム素子UHが、並列接続された複数のスイッチング素子によって構成されてもよい。同様に、1相分のローサイドアーム素子ULが、並列接続された複数のスイッチング素子によって構成されてもよい。
図2に示すように、ハイサイドアーム素子UHの一方(図2の下側)の面UHAには、電極UHA1が配置されている。ハイサイドアーム素子UHの他方(図2の上側)の面UHBには、電極UHB1と、駆動信号が入力されるゲート電極(図示せず)とが配置されている。ローサイドアーム素子ULの一方(図2の下側)の面ULAには、電極ULA1が配置されている。ローサイドアーム素子ULの他方(図2の上側)の面ULBには、電極ULB1と、駆動信号が入力されるゲート電極(図示せず)とが配置されている。素子列UHLは、ハイサイドアーム素子UHとローサイドアーム素子ULとによって構成される。つまり、素子列UHLは、ハイサイドアーム素子UHとローサイドアーム素子ULとを有する。
図1〜図5に示す例では、素子列UHLを構成するハイサイドアーム素子UHとローサイドアーム素子ULとが、図1(A)の左右方向(つまり、正極側導電体PI、負極側導電体NIおよび出力側導電体51が延びている方向)に配列されている。
図3に示すように、基板SBは、ハイサイドアーム素子UHの電極UHB1に対向して配置される導電層SB1と、ローサイドアーム素子ULの電極ULB1に対向して配置される導電層SB2と、導電層SB1および導電層SB2に接続される電気絶縁層SB3と、電気絶縁層SB3を隔てて導電層SB1および導電層SB2の反対側に配置される熱伝導部SB4とを備えている。熱伝導部SB4は、導電性材料によって構成されている。
図1(B)に示すように、ハイサイドアーム素子UHの電極UHB1と、基板SBの導電層SB1との間には、スペーサSPUHが配置されている。ローサイドアーム素子ULの電極ULB1と、基板SBの導電層SB2との間には、スペーサSPULが配置されている。
図1〜図5に示す例では、ハイサイドアーム素子UHのゲート電極(図示せず)が、例えばボンディングワイヤ(図示せず)などを介してハイサイド駆動信号線SHに電気的に接続されている。ハイサイドアーム素子UHの電極UHB1は、スペーサSPUHを介して基板SBの導電層SB1に電気的に接続されている。
ローサイドアーム素子ULのゲート電極(図示せず)は、例えばボンディングワイヤ(図示せず)などを介してローサイド駆動信号線SLに電気的に接続されている。ローサイドアーム素子ULの電極ULB1は、スペーサSPULを介して基板SBの導電層SB2に電気的に接続されている。
ハイサイド駆動信号線SHおよびローサイド駆動信号線SLは、図1(A)の上下方向(つまり、左右方向に交差する方向)の上向きに素子列UHLから延びており、ゲートドライブユニット29(G/D VCU ECU)(図10参照)に配線接続されている。
つまり、ハイサイド駆動信号線SHは、ハイサイドアーム素子UHを駆動制御する制御信号を伝達する。ローサイド駆動信号線SLは、ローサイドアーム素子ULを駆動制御する制御信号を伝達する。
図4および図5に示すように、基板SAは、導電層SA1と、導電層SA2と、電気絶縁層SA3と、導電層SA4と、電気絶縁層SA5と、熱伝導部SA6とを備えている。導電層SA1は、ハイサイドアーム素子UHの電極UHA1に対向して配置されている。導電層SA2は、ローサイドアーム素子ULの電極ULA1に対向して配置されている。電気絶縁層SA3は、導電層SA1および導電層SA2に接続されている。導電層SA4は、電気絶縁層SA3を隔てて導電層SA1および導電層SA2の反対側に配置されている。電気絶縁層SA5は、導電層SA4を隔てて電気絶縁層SA3の反対側に配置されている。熱伝導部SA6は、電気絶縁層SA5を隔てて導電層SA4の反対側に配置されており、導電性材料によって構成されている。熱伝導部SA6は、放熱部WJに接続されている。
図1〜図5に示す例では、ハイサイドアーム素子UHの電極UHA1が、基板SAの導電層SA1に電気的に接続されている。ローサイドアーム素子ULの電極ULA1は、基板SAの導電層SA2に電気的に接続されている。
図1(A)に示すように、正極側導電体PIは、基板SAの導電層SA1に電気的に接続されている。つまり、正極側導電体PIは、ハイサイドアーム素子UHの電極UHA1に電気的に接続されている。詳細には、正極側導電体PIが、図1(A)の左右方向の左向きに素子列UHLから延びており、コンデンサユニット23(図10参照)の正極バスバー50p(図10参照)に配線接続されている。
図1(A)および図1(B)に示すように、ハイサイドアーム素子UHの電極UHB1に電気的に接続されている基板SBの導電層SB1は、接続部COを介して基板SAの導電層SA2に電気的に接続されている。基板SAの導電層SA2には、出力側導電体51が電気的に接続されている。また、基板SAの導電層SA2には、ローサイドアーム素子ULの電極ULA1が電気的に接続されている。つまり、出力側導電体51は、ハイサイドアーム素子UHの電極UHB1と、ローサイドアーム素子ULの電極ULA1とに電気的に接続されている。詳細には、出力側導電体51が、図1(A)の左右方向の右向きに素子列UHLから延びており、モータ12(図10参照)に接続される3相コネクタ1b(図10参照)に配線接続されている。
図1に示す例では、正極側導電体PIから基板SAの導電層SA1に流れる電流が、次いで、ハイサイドアーム素子UHの電極UHA1(図2参照)から電極UHB1(図2参照)に流れ、次いで、基板SBの導電層SB1(図3参照)から接続部COに流れ、次いで、基板SAの導電層SA2から出力側導電体51に流れる。
出力側導電体51から基板SAの導電層SA2に流れる電流は、次いで、ローサイドアーム素子ULの電極ULA1(図2参照)から電極ULB1(図2参照)に流れ、次いで、基板SBの導電層SB2(図3参照)から接続部CNに流れ、次いで、基板SAの導電層SA4から負極側導電体NIに流れる。
他の例では、正極側導電体PIの位置と負極側導電体NIの位置とを入れ替えるとともに、ハイサイドアーム素子UHの位置とローサイドアーム素子ULの位置とを入れ替えて構成する(つまり、正極側導電体PIを導電層SA4に接続する)ことも可能である。
図1(A)および図1(B)に示すように、ローサイドアーム素子ULの電極ULB1に電気的に接続されている基板SBの導電層SB2は、接続部CNを介して基板SAの導電層SA4に電気的に接続されている。基板SAの導電層SA4には、負極側導電体NIが電気的に接続されている。つまり、負極側導電体NIは、ローサイドアーム素子ULの電極ULB1に電気的に接続されている。詳細には、負極側導電体NIが、図1(A)の左右方向の左向きに素子列UHLから延びており、コンデンサユニット23(図10参照)の負極バスバー50n(図10参照)に配線接続されている。
つまり、図1(B)および図5に示すように、負極側導電体NIに電気的に接続される導電層SA4が、ハイサイドアーム素子UHおよびローサイドアーム素子ULから放熱部WJへの放熱経路(図1(B)および図5の上側から下側に延びている放熱経路)の途中に配置され、省スペース性が向上させられている。
第1実施形態の電力変換装置1では、図1(A)に示すように、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIが素子列UHLから延びている向き(図1(A)の左向き)と、出力側導電体51が素子列ULから延びている向き(図1(A)の右向き)と、ハイサイド駆動信号線SHおよびローサイド駆動信号線SLが素子列UHLから延びている向き(図1(A)の上向き)とが互いに異なる。
そのため、第1実施形態の電力変換装置1では、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIに配線接続されるコンデンサユニット23(図10参照)、出力側導電体51に配線接続される3相コネクタ1b(図10参照)、および、ハイサイド駆動信号線SHおよびローサイド駆動信号線SLに配線接続されるゲートドライブユニット29(図10参照)の配置を簡素化することができ、それらへの配線接続部材の長さを抑制することができ、省スペース性を向上させることができる。
また、第1実施形態の電力変換装置1では、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIと、出力側導電体51とをそれぞれ配線接続するために複雑なバスバー構造が必要になるおそれを抑制することができ、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIに対するコンデンサユニット23の配線接続、および、出力側導電体51に対する3相コネクタ1bの配線接続を容易にすることができる。
また、第1実施形態の電力変換装置1では、図5に示すように、基板SAが電気絶縁層SA3と電気絶縁層SA5とを備えている。
そのため、第1実施形態の電力変換装置1では、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIが図1(A)の左向きに延びており、出力側導電体51が図1(A)の右向きに延びており、ハイサイド駆動信号線SHおよびローサイド駆動信号線SLが図1(A)の上向きに延びている構成を実現することができる。
詳細には、第1実施形態の電力変換装置1では、図1(A)および図1(B)に示すように、基板SBの導電層SB1と基板SAの導電層SA2とが、接続部COを介して電気的に接続されている。そのため、第1実施形態の電力変換装置1では、ハイサイドアーム素子UHとローサイドアーム素子ULとが電気的に接続されている素子列UHLの構成を実現することができる。
また、第1実施形態の電力変換装置1では、基板SBの導電層SB2と基板SAの導電層SA4とが、接続部CNを介して電気的に接続されている。そのため、第1実施形態の電力変換装置1では、ハイサイドアーム素子UHおよびローサイドアーム素子ULと干渉することなく、負極側導電体NIを正極側導電体PIと同じ向き(図1(A)の左向き)に延ばすことができる。
第1実施形態の電力変換装置1では、図5に示すように、基板SAが、導電性材料によって構成される熱伝導部SA6を備えている。また、図1(B)および図3に示すように、基板SBが、導電性材料によって構成される熱伝導部SB4を備えている。
そのため、第1実施形態の電力変換装置1では、熱伝導部SA6および熱伝導部SB4が備えられていない場合よりも、ハイサイドアーム素子UHおよびローサイドアーム素子ULの冷却性能を向上させることができる。
換言すれば、第1実施形態の電力変換装置1では、基板SAが、図5の上下方向に5つの層を有する。詳細には、最も上の層が導電層SA1および導電層SA2であり、上から2番目の層が電気絶縁層SA3であり、上から3番目の層が導電層SA4であり、上から4番目の層が電気絶縁層SA5であり、最も下の層が熱伝導部SA5である。
この基板SAを用いることにより、第1実施形態の電力変換装置1では、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIが延びている向きと、出力側導電体51が延びている向きとを異ならせることができる。その結果、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIに対するコンデンサユニット23(図10参照)の配線接続、および、出力側導電体51に対する3相コネクタ1b(図10参照)の配線接続を、小さいスペースで行うことができる。
また、負極側導電体NIに電気的に接続される導電層SA4が、ハイサイドアーム素子UHおよびローサイドアーム素子ULと放熱部WJとによって挟まれ、ハイサイドアーム素子UHおよびローサイドアーム素子ULから放熱部WJへの放熱経路上に配置されている。そのため、小さいスペースでの回路の形成が可能となる。
第1実施形態の電力変換装置1では、図1(A)に示すように、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIに対する電気的な接続が、長方形の基板SAの左辺で行われ、出力側導電体51に対する電気的な接続が、基板SAの右辺で行われ、ハイサイド駆動信号線SHおよびローサイド駆動信号線SLに対する電気的な接続が、基板SAの上辺で行われる。
そのため、第1実施形態の電力変換装置1では、基板とモータの経路とが干渉するおそれ、駆動信号にノイズが含まれてしまうおそれ、および、ハイサイド駆動信号線とローサイド駆動信号線とが異なる向きに延びることに伴って、1枚基板で制御ができず、ハイサイドアームとローサイドアームとで制御タイミングがとりづらくなるおそれを抑制することができる。
第1実施形態の電力変換装置1では、コンデンサユニット23、3相コネクタ1bおよびゲートドライブユニット29に対する配線接続を最短距離で行うことができ、コンデンサユニット23、3相コネクタ1bおよびゲートドライブユニット29に対する配線接続を簡潔な構造で行うことができる。つまり、第1実施形態の電力変換装置1では、コンデンサユニット23、3相コネクタ1bおよびゲートドライブユニット29を電力変換装置1の周囲に配置しやすくすることができる。
また、第1実施形態の電力変換装置1では、図5に示すように、基板SAの導電層SA4の右端部が、電気絶縁層SA3、SA5の右端部よりも右側に突出し、露出している。導電層SA4の露出している右端部は、接続部CNとの電気的な接続に用いられる。
また、基板SAの導電層SA4の左端部は、電気絶縁層SA3、SA5の左端部よりも左側に突出し、露出している。導電層SA4の露出している左端部は、負極側導電体NIとの電気的な接続に用いられる。
第1実施形態の電力変換装置1では、図5に示すように、基板SAが複数の電気絶縁層SA3、SA5を有する。電気絶縁層SA3と電気絶縁層SA5との間には、回路を構成する導電層SA4が組み込まれる。そのため、上述したように、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIに対する電気的な接続が、長方形の基板SAの左辺で行われる。また、出力側導電体51に対する電気的な接続が、基板SAの左辺に対向する右辺で行われる。ハイサイド駆動信号線SHおよびローサイド駆動信号線SLに対する電気的な接続が、基板SAの左辺でも右辺でもない上辺でまとめて行われる。
上述したように、正極側導電体PIおよび負極側導電体NIは、コンデンサユニット23に配線接続され、出力側導電体51は、3相コネクタ1bに配線接続されている。ゲートドライブユニット29を構成する回路基板は、電力変換装置1の基板SA、SBに対して直交する面内であって、電力変換装置1の基板SAよりも図5の上側または下側に配置される。その結果、電力変換装置1からコンデンサユニット23への配線接続、電力変換装置1から3相コネクタ1bへの配線接続、および、電力変換装置1からゲートドライブユニット29への配線接続を短距離でまとめることができる。
<第2実施形態>
以下、本発明の電力変換装置1の第2実施形態について説明する。
第2実施形態の電力変換装置1は、後述する点を除き、上述した第1実施形態の電力変換装置1と同様に構成されている。従って、第2実施形態の電力変換装置1によれば、後述する点を除き、上述した第1実施形態の電力変換装置1と同様の効果を奏することができる。
図6は第2実施形態の電力変換装置1の一例を示す図である。詳細には、図6は基板SB、スペーサSPUH、SPULを透視して見た第2実施形態の電力変換装置1の平面図である。図7は図6に示す基板SAの部品図である。詳細には、図7(A)は基板SAの平面図、図7(B)は基板SAの正面図である。図8は正極側導電体PIから出力側導電体51への電流経路を説明するための図である。図9は出力側導電体51から負極側導電体NIへの電流経路を説明するための図である。
第1実施形態の電力変換装置1では、図5に示すように、基板SAの導電層SA4の右端部が、電気絶縁層SA3、SA5の右端部よりも右側に突出し、露出している。基板SAの導電層SA4の左端部は、電気絶縁層SA3、SA5の左端部よりも左側に突出し、露出している。
第2実施形態の電力変換装置1では、図7(B)に示すように、基板SAの導電層SA4の右端部と、電気絶縁層SA3、SA5の右端部とが、図7(B)の左右方向の同一位置に配置されている。基板SAの導電層SA4の左端部と、電気絶縁層SA3、SA5の左端部とは、図7(B)の左右方向の同一位置に配置されている。
第2実施形態の電力変換装置1では、図6および図7(A)に示すように、導電層SA4と接続部CNとの電気的な接続を行うために、電気絶縁層SA3のうちの図6および図7(A)の左右方向の中央部が切り欠かれ、導電層SA4のうちの図6および図7(A)の左右方向の中央部が露出させられている。また、導電層SA4と負極側導電体NIとの電気的な接続を行うために、電気絶縁層SA3のうちの図6および図7(A)の左右方向の左端部が切り欠かれ、導電層SA4うちの図6および図7(A)の左右方向の左端部が露出させられている。
つまり、第2実施形態の電力変換装置1では、基板SAの幅寸法(図7(A)および図7(B)の左右方向寸法)が、第1実施形態の電力変換装置1よりも小型化されている。それに伴って、第2実施形態の電力変換装置1では、電力変換装置1の全体の幅寸法(図6の左右方向寸法)が、第1実施形態の電力変換装置1よりも小型化されている。
図8に示すように、正極側導電体PIから基板SAの導電層SA1に流れる電流は、次いで、ハイサイドアーム素子UHの電極UHA1(図2参照)から電極UHB1(図2参照)に流れ、次いで、基板SBの導電層SB1から接続部COに流れ、次いで、基板SAの導電層SA2から出力側導電体51に流れる。
図9に示すように、出力側導電体51から基板SAの導電層SA2に流れる電流は、次いで、ローサイドアーム素子ULの電極ULA1(図2参照)から電極ULB1(図2参照)に流れ、次いで、基板SBの導電層SB2から接続部CNに流れ、次いで、基板SAの導電層SA4から負極側導電体NIに流れる。
図8および図9では、基板SBの熱伝導部SB4の図示が省略されており、基板SBの電気絶縁層SB3を透視して、基板SBの導電層SB1の輪郭、および、基板SBの導電層SB2の輪郭が示されている。
他の例では、正極側導電体PIの位置と負極側導電体NIの位置とを入れ替えるとともに、ハイサイドアーム素子UHの位置とローサイドアーム素子ULの位置とを入れ替えて構成する(つまり、正極側導電体PIを導電層SA4に接続する)ことも可能である。
<適用例>
以下、本発明の電力変換装置1の適用例について添付図面を参照しながら説明する。
図10は第1および第2実施形態の電力変換装置1を適用可能な車両10の一部の一例を示す図である。
第1または第2実施形態の電力変換装置1が図10に示す例に適用される場合には、7個の第1または第2実施形態の電力変換装置1が図10に示す車両10に用いられる。
図10に示す例では、車両10が、電力変換装置1に加えて、バッテリ11(BATT)と、走行駆動用の第1モータ12(MOT)、発電用の第2モータ13(GEN)とを備えている。
バッテリ11は、バッテリケースと、バッテリケース内に収容される複数のバッテリモジュールとを備えている。バッテリモジュールは、直列に接続される複数のバッテリセルを備えている。バッテリ11は、電力変換装置1の直流コネクタ1aに接続される正極端子PB及び負極端子NBを備えている。正極端子PB及び負極端子NBは、バッテリケース内において直列に接続される複数のバッテリモジュールの正極端及び負極端に接続されている。
第1モータ12は、バッテリ11から供給される電力によって回転駆動力(力行動作)を発生させる。第2モータ13は、回転軸に入力される回転駆動力によって発電電力を発生させる。ここで、第2モータ13には、内燃機関の回転動力が伝達可能に構成されている。例えば、第1モータ12及び第2モータ13の各々は、3相交流のブラシレスDCモータである。3相は、U相、V相、及びW相である。第1モータ12及び第2モータ13の各々は、インナーロータ型である。第1モータ12及び第2モータ13は、界磁用の永久磁石を有する回転子と、回転子を回転させる回転磁界を発生させるための3相のステータ巻線を有する固定子とをそれぞれ備えている。第1モータ12の3相のステータ巻線は、電力変換装置1の第1の3相コネクタ1bに接続されている。第2モータ13の3相のステータ巻線は、電力変換装置1の第2の3相コネクタ1cに接続されている。
図10に示す電力変換装置1は、パワーモジュール21と、リアクトル22と、コンデンサユニット23と、抵抗器24と、第1電流センサ25と、第2電流センサ26と、第3電流センサ27と、電子制御ユニット28(MOT GEN ECU)と、ゲートドライブユニット29とを備えている。
パワーモジュール21は、第1電力変換回路部31と、第2電力変換回路部32と、第3電力変換回路部33とを備えている。
7個の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、図10に示す車両10に用いられる場合には、第1電力変換回路部31が、3個の第1または第2実施形態の電力変換装置1によって構成される。
詳細には、1つ目の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、第1電力変換回路部31のU相を構成する。2つ目の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、第1電力変換回路部31のV相を構成する。3つ目の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、第1電力変換回路部31のW相を構成する。
第1電力変換回路部31の出力側導電体51は、U相、V相およびW相の3相分まとめられて、第1の3相コネクタ1bに接続されている。すなわち、第1電力変換回路部31の出力側導電体51は、第1の3相コネクタ1bを介して第1モータ12の3相のステータ巻線に接続されている。
第1電力変換回路部31の正極側導電体PIは、U相、V相およびW相の3相分まとめられて、バッテリ11の正極端子PBに接続されている。
第1電力変換回路部31の負極側導電体NIは、U相、V相およびW相の3相分まとめられて、バッテリ11の負極端子NBに接続されている。
つまり、第1電力変換回路部31は、バッテリ11から第3電力変換回路部33を介して入力される直流電力を3相交流電力に変換する。
7個の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、図10に示す車両10に用いられる場合には、第2電力変換回路部32が、3個の第1または第2実施形態の電力変換装置1によって構成される。
詳細には、1つ目の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、第2電力変換回路部32のU相を構成する。2つ目の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、第2電力変換回路部32のV相を構成する。3つ目の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、第2電力変換回路部32のW相を構成する。
第2電力変換回路部32の出力側導電体(出力バスバー)52は、U相、V相およびW相の3相分まとめられて、第2の3相コネクタ1cに接続されている。すなわち、第2電力変換回路部32の出力側導電体52は、第2の3相コネクタ1cを介して第2モータ13の3相のステータ巻線に接続されている。
第2電力変換回路部32の正極側導電体PIは、U相、V相およびW相の3相分まとめられて、バッテリ11の正極端子PBと、第1電力変換回路部31の正極側導電体PIとに接続されている。
第2電力変換回路部32の負極側導電体NIは、U相、V相およびW相の3相分まとめられて、バッテリ11の負極端子NBと、第2電力変換回路部32の負極側導電体NIとに接続されている。
第2電力変換回路部32は、第2モータ13から入力される3相交流電力を直流電力に変換する。第2電力変換回路部32によって変換された直流電力は、バッテリ11及び第1電力変換回路部31の少なくとも一方に供給することが可能である。
図10に示す例では、第1電力変換回路部31のU相ハイサイドアーム素子UH、V相ハイサイドアーム素子VH、W相ハイサイドアーム素子WH、および、第2電力変換回路部32のU相ハイサイドアーム素子UH、V相ハイサイドアーム素子VH、W相ハイサイドアーム素子WHが、正極側導電体PIに接続されている。正極側導電体PIは、コンデンサユニット23の正極バスバー50pに接続されている。
第1電力変換回路部31のU相ローサイドアーム素子UL、V相ローサイドアーム素子VL、W相ローサイドアーム素子WL、および、第2電力変換回路部32のU相ローサイドアーム素子UL、V相ローサイドアーム素子VL、W相ローサイドアーム素子WLが、負極側導電体NIに接続されている。負極側導電体NIは、コンデンサユニット23の負極バスバー50nに接続されている。
図10に示す例では、第1電力変換回路部31のU相ハイサイドアーム素子UHとU相ローサイドアーム素子ULとの接続点TIと、V相ハイサイドアーム素子VHとV相ローサイドアーム素子VLとの接続点TIと、W相ハイサイドアーム素子WHとW相ローサイドアーム素子WLとの接続点TIとが、出力側導電体51に接続されている。
第2電力変換回路部32のU相ハイサイドアーム素子UHとU相ローサイドアーム素子ULとの接続点TIと、V相ハイサイドアーム素子VHとV相ローサイドアーム素子VLとの接続点TIと、W相ハイサイドアーム素子WHとW相ローサイドアーム素子WLとの接続点TIとは、出力側導電体52に接続されている。
図10に示す例では、第1電力変換回路部31の出力側導電体51が、第1入出力端子Q1に接続されている。第1入出力端子Q1は、第1の3相コネクタ1bに接続されている。第1電力変換回路部31の各相の接続点TIは、出力側導電体51、第1入出力端子Q1、及び第1の3相コネクタ1bを介して第1モータ12の各相のステータ巻線に接続されている。
第2電力変換回路部32の出力側導電体52は、第2入出力端子Q2に接続されている。第2入出力端子Q2は、第2の3相コネクタ1cに接続されている。第2電力変換回路部32の各相の接続点TIは、出力側導電体52、第2入出力端子Q2、及び第2の3相コネクタ1cを介して第2モータ13の各相のステータ巻線に接続されている。
図10に示す例では、第1電力変換回路部31のハイサイドアーム素子UH、VH、WH、および、ローサイドアーム素子UL、VL、WLのそれぞれが、フライホイールダイオードを備えている。
同様に、第2電力変換回路部32のハイサイドアーム素子UH、VH、WH、および、ローサイドアーム素子UL、VL、WLのそれぞれが、フライホイールダイオードを備えている。
図10に示す例では、ゲートドライブユニット29が、第1電力変換回路部31のハイサイドアーム素子UH、VH、WH、および、ローサイドアーム素子UL、VL、WLのそれぞれにゲート信号を入力する。
同様に、ゲートドライブユニット29は、第2電力変換回路部32のハイサイドアーム素子UH、VH、WH、および、ローサイドアーム素子UL、VL、WLのそれぞれにゲート信号を入力する。
第1電力変換回路部31は、バッテリ11から第3電力変換回路部33を介して入力される直流電力を3相交流電力に変換し、第1モータ12の3相のステータ巻線に交流のU相電流、V相電流、及びW相電流を供給する。第2電力変換回路部32は、第2モータ13の回転に同期がとられた第2電力変換回路部32のハイサイドアーム素子UH、VH、WH、および、ローサイドアーム素子UL、VL、WLのそれぞれのオン(導通)/オフ(遮断)駆動によって、第2モータ13の3相のステータ巻線から出力される3相交流電力を直流電力に変換する。
7個の第1または第2実施形態の電力変換装置1が、図10に示す車両10に用いられる場合には、第3電力変換回路部33のハイサイドアーム素子S1およびローサイドアーム素子S2が、1個の第1または第2実施形態の電力変換装置1のハイサイドアーム素子UHおよびローサイドアーム素子ULによって構成される。
第3電力変換回路部33は、電圧コントロールユニット(VCU)である。第3電力変換回路部33は、1相分のハイサイドアーム素子S1と、ローサイドアーム素子S2とを備えている。
ハイサイドアーム素子S1の正極側の電極は、正極バスバーPVに接続されている。正極バスバーPVは、コンデンサユニット23の正極バスバー50pに接続されている。ローサイドアーム素子S2の負極側の電極は、負極バスバーNVに接続されている。負極バスバーNVは、コンデンサユニット23の負極バスバー50nに接続されている。コンデンサユニット23の負極バスバー50nは、バッテリ11の負極端子NBに接続されている。ハイサイドアーム素子S1の負極側の電極は、ローサイドアーム素子S2の正極側の電極に電気的に接続されている。ハイサイドアーム素子S1と、ローサイドアーム素子S2とは、フライホイールダイオードを備えている。
第3電力変換回路部33のハイサイドアーム素子S1とローサイドアーム素子S2との接続点を構成するバスバー53は、リアクトル22の一端に接続されている。リアクトル22の他端は、バッテリ11の正極端子PBに接続されている。リアクトル22は、コイルと、コイルの温度を検出する温度センサとを備えている。温度センサは、信号線によって電子制御ユニット28に接続されている。
第3電力変換回路部33は、ゲートドライブユニット29からハイサイドアーム素子S1のゲート電極とローサイドアーム素子S2のゲート電極とに入力されるゲート信号に基づき、ハイサイドアーム素子S1とローサイドアーム素子S2とのオン(導通)/オフ(遮断)を切り替える。
第3電力変換回路部33は、昇圧時において、ローサイドアーム素子S2がオン(導通)及びハイサイドアーム素子S1がオフ(遮断)に設定される第1状態と、ローサイドアーム素子S2がオフ(遮断)及びハイサイドアーム素子S1がオン(導通)に設定される第2状態とを交互に切り替える。第1状態では、順次、バッテリ11の正極端子PB、リアクトル22、ローサイドアーム素子S2、バッテリ11の負極端子NBへと電流が流れ、リアクトル22が直流励磁されて磁気エネルギーが蓄積される。第2状態では、リアクトル22に流れる電流が遮断されることに起因する磁束の変化を妨げるようにしてリアクトル22の両端間に起電圧(誘導電圧)が発生する。リアクトル22に蓄積された磁気エネルギーによる誘導電圧はバッテリ電圧に重畳されて、バッテリ11の端子間電圧よりも高い昇圧電圧が第3電力変換回路部33の正極バスバーPVと負極バスバーNVとの間に印加される。
第3電力変換回路部33は、回生時において、第2状態と、第1状態とを交互に切り替える。第2状態では、順次、第3電力変換回路部33の正極バスバーPV、ハイサイドアーム素子S1、リアクトル22、バッテリ11の正極端子PBへと電流が流れ、リアクトル22が直流励磁されて磁気エネルギーが蓄積される。第1状態では、リアクトル22に流れる電流が遮断されることに起因する磁束の変化を妨げるようにしてリアクトル22の両端間に起電圧(誘導電圧)が発生する。リアクトル22に蓄積された磁気エネルギーによる誘導電圧は降圧されて、第3電力変換回路部33の正極バスバーPV及び負極バスバーNV間の電圧よりも低い降圧電圧がバッテリ11の正極端子PBと負極端子NBとの間に印加される。
コンデンサユニット23は、第1平滑コンデンサ41と、第2平滑コンデンサ42と、ノイズフィルタ43とを備えている。
第1平滑コンデンサ41は、バッテリ11の正極端子PBと負極端子NBとの間に接続されている。第1平滑コンデンサ41は、第3電力変換回路部33の回生時におけるハイサイドアーム素子S1及びローサイドアーム素子S2のオン/オフの切換動作に伴って発生する電圧変動を平滑化する。
第2平滑コンデンサ42は、第1電力変換回路部31及び第2電力変換回路部32の各々の正極側導電体PI及び負極側導電体NI間、並びに第3電力変換回路部33の正極バスバーPV及び負極バスバーNV間に接続されている。第2平滑コンデンサ42は、正極バスバー50p及び負極バスバー50nを介して、複数の正極側導電体PI及び負極側導電体NI、並びに正極バスバーPV及び負極バスバーNVに接続されている。第2平滑コンデンサ42は、第1電力変換回路部31及び第2電力変換回路部32のハイサイドアーム素子UH、VH、WH、および、ローサイドアーム素子UL、VL、WLのそれぞれのオン/オフの切換動作に伴って発生する電圧変動を平滑化する。第2平滑コンデンサ42は、第3電力変換回路部33の昇圧時におけるハイサイドアーム素子S1及びローサイドアーム素子S2のオン/オフの切換動作に伴って発生する電圧変動を平滑化する。
ノイズフィルタ43は、第1電力変換回路部31及び第2電力変換回路部32の各々の正極側導電体PI及び負極側導電体NI間、並びに第3電力変換回路部33の正極バスバーPV及び負極バスバーNV間に接続されている。ノイズフィルタ43は、直列に接続される2つのコンデンサを備えている。2つのコンデンサの接続点は、車両10のボディグラウンド等に接続されている。
抵抗器24は、第1電力変換回路部31及び第2電力変換回路部32の各々の正極側導電体PI及び負極側導電体NI間、並びに第3電力変換回路部33の正極バスバーPV及び負極バスバーNV間に接続されている。
第1電流センサ25は、第1電力変換回路部31の各相の接続点TIを成し、第1入出力端子Q1と接続される出力側導電体51に配置され、U相、V相、及びW相の各々の電流を検出する。第2電流センサ26は、第2電力変換回路部32の各相の接続点TIを成すとともに第2入出力端子Q2と接続される出力側導電体52に配置され、U相、V相、及びW相の各々の電流を検出する。第3電流センサ27は、ハイサイドアーム素子S1及びローサイドアーム素子S2の接続点を成すとともにリアクトル22と接続されるバスバー53に配置され、リアクトル22に流れる電流を検出する。
第1電流センサ25、第2電流センサ26、及び第3電流センサ27の各々は、信号線によって電子制御ユニット28に接続されている。
電子制御ユニット28は、第1モータ12及び第2モータ13の各々の動作を制御する。例えば、電子制御ユニット28は、CPU(Central Processing Unit)等のプロセッサによって所定のプログラムが実行されることにより機能するソフトウェア機能部である。ソフトウェア機能部は、CPU等のプロセッサ、プログラムを格納するROM(Read Only Memory)、データを一時的に記憶するRAM(Random Access Memory)、及びタイマー等の電子回路を備えるECU(Electronic Control Unit)である。なお、電子制御ユニット28の少なくとも一部は、LSI(Large Scale Integration)等の集積回路であってもよい。例えば、電子制御ユニット28は、第1電流センサ25の電流検出値と第1モータ12に対するトルク指令値に応じた電流目標値とを用いる電流のフィードバック制御等を実行し、ゲートドライブユニット29に入力する制御信号を生成する。例えば、電子制御ユニット28は、第2電流センサ26の電流検出値と第2モータ13に対する回生指令値に応じた電流目標値とを用いる電流のフィードバック制御等を実行し、ゲートドライブユニット29に入力する制御信号を生成する。制御信号は、第1電力変換回路部31及び第2電力変換回路部32のハイサイドアーム素子UH、VH、WH、および、ローサイドアーム素子UL、VL、WLのそれぞれをオン(導通)/オフ(遮断)駆動するタイミングを示す信号である。例えば、制御信号は、パルス幅変調された信号等である。
ゲートドライブユニット29は、電子制御ユニット28から受け取る制御信号に基づいて、第1電力変換回路部31及び第2電力変換回路部32のハイサイドアーム素子UH、VH、WH、および、ローサイドアーム素子UL、VL、WLのそれぞれを実際にオン(導通)/オフ(遮断)駆動するためのゲート信号を生成する。例えば、ゲートドライブユニット29は、制御信号の増幅及びレベルシフト等を実行して、ゲート信号を生成する。
ゲートドライブユニット29は、第3電力変換回路部33のハイサイドアーム素子S1及びローサイドアーム素子S2の各々をオン(導通)/オフ(遮断)駆動するためのゲート信号を生成する。例えば、ゲートドライブユニット29は、第3電力変換回路部33の昇圧時における昇圧電圧指令又は第3電力変換回路部33の回生時における降圧電圧指令に応じたデューティー比のゲート信号を生成する。デューティー比は、ハイサイドアーム素子S1及びローサイドアーム素子S2の比率である。
図10に示す例では、第1または第2実施形態の電力変換装置1が車両10に適用されるが、他の例では、交流モータと直流電源とを有する例えばエレベータ、ポンプ、ファン、鉄道車両、空気調和機、冷蔵庫、洗濯機などのような車両10以外のものの交流モータと直流電源との間に、第1または第2実施形態の電力変換装置1を適用してもよい。
本発明の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1…電力変換装置、UH…ハイサイドアーム素子、UHA…面、UHA1…電極、UHB…面、UHB1…電極、UL…ハイサイドアーム素子、ULA…面、ULA1…電極、ULB…面、ULB1…電極、UHL…素子列、SA…基板、SA1…導電層、SA2…導電層、SA3…電気絶縁層、SA4…導電層、SA5…電気絶縁層、SA6…熱伝導部、SB…基板、SB1…導電層、SB2…導電層、SB3…電気絶縁層、SB4…熱伝導部、SH…ハイサイド駆動信号線、SL…ローサイド駆動信号線、SPUH…スペーサ、SPUL…スペーサ、CO…接続部、CN…接続部、PI…正極側導電体、NI…負極側導電体、51…出力側導電体、WJ…放熱部、1b…3相コネクタ、12…モータ、23…コンデンサユニット、29…ゲートドライブユニット、10…車両

Claims (5)

  1. ハイサイドアーム素子とローサイドアーム素子とを有する素子列と、
    前記ハイサイドアーム素子に電気的に接続される正極側導電体と、
    前記ローサイドアーム素子に電気的に接続される負極側導電体と、
    前記ハイサイドアーム素子と前記ローサイドアーム素子とに電気的に接続される出力側導電体と、
    前記ハイサイドアーム素子を駆動制御する制御信号を伝達するハイサイド駆動信号線と、
    前記ローサイドアーム素子を駆動制御する制御信号を伝達するローサイド駆動信号線とを備え、
    前記正極側導電体および前記負極側導電体は、第1方向の一方の側に前記素子列から延びており、
    前記出力側導電体は、前記第1方向の前記一方の側とは反対側の他方の側に前記素子列から延びており、
    前記ハイサイド駆動信号線および前記ローサイド駆動信号線は、前記第1方向に交差する第2方向に前記素子列から延びている、
    電力変換装置。
  2. 第1基板と第2基板とを更に備え、
    前記第1基板は、
    前記ハイサイドアーム素子の一方の面の電極に対向して配置される第1導電層と、
    前記ローサイドアーム素子の一方の面の電極に対向して配置される第2導電層と、
    前記第1導電層および前記第2導電層に接続される第1電気絶縁層と、
    前記第1電気絶縁層を隔てて前記第1導電層および前記第2導電層の反対側に配置される第3導電層と、
    前記第3導電層を隔てて前記第1電気絶縁層の反対側に配置される第2電気絶縁層とを備え、
    前記第2基板は、
    前記ハイサイドアーム素子の他方の面の電極に対向して配置される第4導電層と、
    前記ローサイドアーム素子の他方の面の電極に対向して配置される第5導電層と、
    前記第4導電層および前記第5導電層に接続される第3電気絶縁層とを備え、
    前記正極側導電体および前記負極側導電体の一方は、前記第1導電層および前記第2導電層のいずれか一方に接続されて、前記第1方向の前記一方の側に延びており、
    前記正極側導電体および前記負極側導電体の他方は、前記第3導電層に接続されて、前記第1方向の前記一方の側に延びており、
    前記出力側導電体は、前記第2導電層に接続されて、前記第1方向の前記他方の側に延びている、
    請求項1に記載の電力変換装置。
  3. 前記第4導電層と前記第2導電層とが電気的に接続され、
    前記第5導電層と前記第3導電層とが電気的に接続されている、
    請求項2に記載の電力変換装置。
  4. 前記第1基板は、導電性材料によって構成される第1熱伝導部を備え、
    前記第1熱伝導部は、前記第2電気絶縁層を隔てて前記第3導電層の反対側に配置され、
    前記第2基板は、導電性材料によって構成される第2熱伝導部を備え、
    前記第2熱伝導部は、前記第3電気絶縁層を隔てて前記第4導電層および前記第5導電層の反対側に配置されている、
    請求項2または請求項3に記載の電力変換装置。
  5. ハイサイドアーム素子とローサイドアーム素子とを有する素子列と、
    前記ハイサイドアーム素子に電気的に接続される正極側導電体と、
    前記ローサイドアーム素子に電気的に接続される負極側導電体と、
    前記ハイサイドアーム素子と前記ローサイドアーム素子とに電気的に接続される出力側導電体と、
    第1基板と、
    第2基板とを備え、
    前記第1基板は、
    前記ハイサイドアーム素子の一方の面の電極に対向して配置される第1導電層と、
    前記ローサイドアーム素子の一方の面の電極に対向して配置される第2導電層と、
    前記第1導電層および前記第2導電層に接続される第1電気絶縁層と、
    前記第1電気絶縁層を隔てて前記第1導電層および前記第2導電層の反対側に配置される第3導電層と、
    前記第3導電層を隔てて前記第1電気絶縁層の反対側に配置される第2電気絶縁層とを備え、
    前記第2基板は、
    前記ハイサイドアーム素子の他方の面の電極に対向して配置される第4導電層と、
    前記ローサイドアーム素子の他方の面の電極に対向して配置される第5導電層と、
    前記第4導電層および前記第5導電層に接続される第3電気絶縁層とを備え、
    前記正極側導電体および前記負極側導電体の一方は、前記第1導電層および前記第2導電層のいずれか一方に接続され、
    前記正極側導電体および前記負極側導電体の他方は、前記第3導電層に接続されている、
    電力変換装置。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017099231A (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 株式会社デンソー 電力変換装置
JP2017195255A (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 株式会社デンソー 半導体モジュール

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5481148B2 (ja) * 2009-10-02 2014-04-23 日立オートモティブシステムズ株式会社 半導体装置、およびパワー半導体モジュール、およびパワー半導体モジュールを備えた電力変換装置
JP5947537B2 (ja) 2011-04-19 2016-07-06 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5879233B2 (ja) * 2012-08-31 2016-03-08 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体モジュール
JP6072492B2 (ja) * 2012-10-09 2017-02-01 日立オートモティブシステムズ株式会社 コンデンサモジュール及び電力変換装置
JP6288769B2 (ja) * 2014-05-07 2018-03-07 株式会社日立製作所 半導体パワーモジュール、電力変換装置、およびこれを用いた移動体
DE112017001729B4 (de) * 2016-04-01 2022-11-03 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitermodule
US10008411B2 (en) * 2016-12-15 2018-06-26 Infineon Technologies Ag Parallel plate waveguide for power circuits
JP6760156B2 (ja) * 2017-03-20 2020-09-23 株式会社デンソー 電力変換装置
FR3071680B1 (fr) * 2017-09-28 2019-10-18 Aciltek Onduleur compact et vehicule automobile comprenant un tel onduleur
US11239761B2 (en) * 2018-01-24 2022-02-01 Infineon Technologies Ag Coreless current sensor for high current power module

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017099231A (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 株式会社デンソー 電力変換装置
JP2017195255A (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 株式会社デンソー 半導体モジュール

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