JP2019153366A - メモリシステム、読み出し方法、プログラム、およびメモリコントローラ - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、セルあたり2ビットを記録する場合、図3の例に示すように、4種類の閾値レベルに対して、それぞれ2ビットのシンボルが割り当てられる。読み出しを行う場合、必要に応じて複数の読み出し電圧で読み出しが行われ、データが読み出される。図3の例では、Lowerページを読み出す場合、読み出し電圧=VBとして1回の読み出しを行えばよい。一方、Upperページを読み出す場合は、読み出し電圧=VAおよびVCの2パターンにて読み出しが行われ、データが取得される。
Out(k)=(R1(k)&N1(k))|(R2(k)&N2(k))
・・・(1)
Out(k)=R1(k)|(R2(k)&N2(k)) ・・・(2)
なお、上記ではマルチレベルセル(MLC、2ビットセル)の場合について説明したが、トリプルレベルセル(TLC、3ビットセル)、および、クアッドレベルセル(QLC、4ビットセル)などの3ビット以上を記録するセルについても同様の処理を行うことが可能である。
上述のとおり、片側1方向に隣接する隣接ワードラインを用いる代わりに、両側の隣接ワードラインを用いてもよい。一般に不揮発性メモリ2は、図2のようにワードラインが並んでいる。このため、端部のワードラインを除く各ワードラインは、2つの隣接ワードラインを有する。電荷の横抜けは、隣接の両方向に対し発生することから、両方向の隣接の影響を考慮することで、読み出しエラーをさらに削減することが可能となる。
Mask(小・小)=N1_1&N1_2、
Mask(小・大)=N1_1&NOT(N1_2)、
Mask(大・小)=NOT(N1_1)&N1_2、
Mask(大・大)=NOT(N1_1)&NOT(N1_2) ・・・(3)
Out(k)=
Mask(小・小)&Read(小・小)
|Mask(小・大)&Read(小・大)
|Mask(大・小)&Read(大・小)
|Mask(大・大)&Read(大・大) ・・・(4)
Mask(中)=Mask(小・大)|Mask(大・小) ・・・(5)
上記までの例では、1以上の隣接ワードラインそれぞれについて1回の読み出しを行っていたが、1以上の隣接ワードラインの少なくとも一方について複数回の読み出しを実施し、クラス分離に用いてもよい。例えば、まず読み出し部20は、各隣接ワードラインについて2回以上の読み出しを実施する。読み出しに用いる電圧は、予め定められた値の電圧であってよい。例えばn回の読み出しを実施する場合、読み出しに用いる電圧は、Vread×k/(n+1)(k=1、・・・、n)を用いてもよい。
Mask(小)=N1(小)、
Mask(中)=N1(大)&NOT(N1(小))、
Mask(大)=NOT(N1(大)) ・・・(6)
Mask(小・小)=Mask(小)_1&Mask(小)_2 ・・・(7)
特にクラス数が多くなった場合に、1クラスあたりの対応するセル数が少なくなることから、トラッキングの精度が低下する場合がある。例えば隣接セルの閾値電圧が“中”であるクラスに対する読み出し電圧が、隣接セルの閾値電圧が“大”または“小”であるクラスに対して不自然に大きく算出される場合などが生じうる。このような場合に、トラッキングされた読み出し電圧に対し、クラス間でフィルタを適用することで、精度低下による影響を抑えてもよい。上述のとおり、横抜けは隣接セルの閾値電圧に依存することから、多くの場合、横抜けの影響量は隣接セルの閾値電圧に対して単調である。クラス間でフィルタ(平滑化等)処理を行うことで、トラッキングの精度の低下を抑制可能となる。
上記のように、両側の隣接ワードラインそれぞれで複数回の読み出しを実施する場合、クラス数が大きくなるため、不揮発性メモリ2からの読み出し回数が増加し、処理に要する時間が増加する問題がある。これに対し、決定部40が決定する読み出し電圧の個数を制限することで、読み出しの回数を削減してもよい。すなわち決定部40は、複数のクラスの少なくとも一部に対して、同一の読み出し電圧を設定することにより、予め定められた個数以下の読み出し電圧を決定してもよい。
上述のとおり、不揮発性メモリ2では、CCIによる閾値電圧への影響が存在する。CCIは、隣接ワードライン(典型的には、次に書き込みが実施されるワードライン)における書き込みデータにより、対象ワードラインが影響される現象である。CCIは、主に書き込み時の電圧印加により発生する。このため、不揮発性メモリ2へのデータの書き込み方法によって、CCIの影響は異なる。
(1)ワードラインごとに順に書き込む
(2)多段階(例えばページ単位)で逐次書き込む
上述のとおり、電荷の横抜けは時間とともに徐々に進行する。このことから、ある読み出しタイミングにおいて決定部40が決定した読み出し電圧は、しばらくの間は流用することが可能となる。コントローラ3は、決定部40が決定した読み出し電圧を記憶部(例えばDRAM4等)に保持しておき、次の読み出し時にはこの値を用いて読み出しを行ってよい。この場合、隣接ワードラインの閾値電圧の大小それぞれについてトラッキングを実施する必要がなくなることから、読み出しに要する時間を低減することが可能となる。なお、保存した読み出し電圧は、所定時刻の経過、および、流用により読み出しエラーが発生した場合などの所定の条件に応じて破棄し、再度(複数回の)トラッキングを実施して決定してよい。また、例えば読み出し電圧を保持する記憶領域のサイズを制限するため、読み出し電圧を示す情報を古い順に逐次破棄してもよい。
不揮発性メモリ2の各セルに2ビット以上のデータを記憶させる場合、書き込んだデータを読み出すためには複数回の読み出しを行う必要がある。例えば図3のようなMLCの場合、VA、VBおよびVCの3の読み出し位置において読み出しを行うことで、2ビットのデータを読み出すことができる。ここで、決定部40は、これら複数の読み出し位置のうち一部における読み出し電圧(第1電圧)を、他の読み出し位置において設定した読み出し電圧(第2電圧)に基づく内挿または外挿により決定してもよい。内挿または外挿は、例えば線形(一次)内挿または線形(一次)外挿であってもよい。また、例えば一次式または多項式による回帰により、第1電圧と第2電圧との関係を予め求め、この関係に基づいて、第2電圧から第1電圧を決定してもよい。
トラッキングに用いるデータはワードライン上の全セルを用いる必要はなく、ワードライン上の一部のセルのみを用いてもよい。例えば読み出し部20は、トラッキングに用いるデータとして、ワードライン上の一部のセルからデータを読み出す。読み出しの対象とする一部のセルは、どのような方法で決定してもよい。例えばワードラインの先頭から4kiBの範囲のセルとする方法、および、サンプリングにより選択する方法などを適用できる。
これまでは各処理をコントローラ3が実施する例について説明した。コントローラ3で実施する処理のうち少なくとも一部の処理は、不揮発性メモリ2上で実施してもよい。例えば、読み出し電圧を決定した後の読み出し処理の全部または一部を不揮発性メモリ2上が行ってよい。例えば、不揮発性メモリ2上に実装したビット演算回路が、データバッファ8上の読み出しデータから、各種マスクの生成、トラッキング、および、読み出しデータの合成処理等のうち一部または全部を実施してもよい。
決定部40は、隣接セルの閾値電圧と、各クラスに属するセルの読み出し電圧との関係を求め、求めた関係を用いて読み出し電圧を決定してもよい。例えば決定部40は、読み出し電圧を直接決定する代わりに、隣接セルの閾値電圧と最適な読み出し電圧との関係を示す関数を求め、この関数に基づき、読み出し電圧を決定してよい。
F(隣接セルの閾値電圧Vth=x)=ax+b if x<VA||(VB<x<VC)
ax+b+c otherwise ・・・(8)
変形例11において、隣接セルの閾値電圧と最適な読み出し電圧との関係を示す関数を求める代わりに、直接、読み出しに用いるクラス(読み出しクラス、第2クラス)における読み出し電圧を決定してもよい。決定部40は、第1クラスの各読み出し結果(セルのカウント数)に基づきトラッキングを行う代わりに、第2クラスのそれぞれに対応する各関数にこれを入力し、読み出し電圧を決定してよい。関数は、第1クラスの各読み出し結果(カウント数)と第2クラスの各読み出し電圧との対応を示すものであり、例えば1次関数や、2次以上の多次関数であってよい。関数は、読み出し結果と、最適な読み出し電圧との関係を予め学習(回帰分析)し、用意してよい。
上述の不揮発性メモリコントローラ5(コントローラ3)に含まれる各部(書き込み部10、読み出し部20、分類部30、決定部40、生成部50、およびECC処理部60)は、例えば、1または複数のプロセッサにより実現される。例えば上記各部は、CPU(Central Processing Unit)などのプロセッサにプログラムを実行させること、すなわちソフトウェアにより実現してもよい。また、上記各部は、専用のIC(Integrated Circuit)などのプロセッサ、すなわちハードウェアにより実現してもよい。また、上記各部は、ソフトウェアおよびハードウェアを併用して実現してもよい。複数のプロセッサを用いる場合、各プロセッサは、上記各部のうち1つを実現してもよいし、上記各部のうち2以上を実現してもよい。
2 不揮発性メモリ
3 コントローラ
4 DRAM
5 不揮発性メモリコントローラ
6 ホストコントローラ
10 書き込み部
20 読み出し部
30 分類部
40 決定部
50 生成部
60 ECC処理部
Claims (13)
- 複数の第1セルを含む第1ワードラインと、前記第1ワードラインに隣接し、複数の第2セルを含む第2ワードラインと、を含む不揮発性メモリと、
複数の前記第2セルそれぞれの閾値電圧を表す複数の隣接電圧に応じて、複数の前記第1セルに対して用いる読み出し電圧を決定し、
決定された複数の前記読み出し電圧を用いて、前記第1ワードラインからデータを読み出す、
メモリコントローラと、
を備えるメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、
複数の前記第1セルを、複数の前記隣接電圧に応じて複数の第1クラスに分類し、
前記第1クラスに属するセルの閾値電圧の分布に基づいて前記読み出し電圧を決定する、
請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、前記第1クラスに属するセルの閾値電圧ごとのセル数を示すヒストグラムに基づいて前記読み出し電圧を決定する、
請求項2に記載のメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、複数の前記隣接電圧と、対応する前記第1クラスに属するセルの読み出し電圧との関係を求め、前記関係を用いて前記読み出し電圧を決定する、
請求項2に記載のメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、
さらに、複数の前記隣接電圧に応じて、複数の前記第1セルを前記第1クラスよりも多い複数の第2クラスに分類し、
前記関係を用いて前記第2クラスに対して用いる読み出し電圧を決定する、
請求項4に記載のメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、複数の前記第1クラスの少なくとも一部に対して同一の読み出し電圧を設定することにより、予め定められた個数以下の読み出し電圧を決定する、
請求項2に記載のメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、
複数の前記読み出し電圧それぞれを用いて前記第1ワードラインから読み出されたデータに対して、複数の前記第1クラスに応じて定められる複数のマスクを適用し、複数のマスクの適用結果を統合した出力データを生成する、
請求項2に記載のメモリシステム。 - 前記第1セルは、前記第1ワードラインに含まれるセルのうち少なくとも一部である、
請求項1に記載のメモリシステム。 - 決定された前記読み出し電圧を示す情報を記憶する記憶部をさらに備え、
前記メモリコントローラは、前記記憶部に記憶された前記読み出し電圧を用いて、前記第1ワードラインからデータを読み出す、
請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、データのビット数に応じた複数の読み出し位置に対応する複数の読み出し電圧に含まれる第1電圧を、複数の前記読み出し電圧に含まれる第2電圧に基づく内挿または外挿により決定する、
請求項1に記載のメモリシステム。 - 複数の第1セルを含む第1ワードラインに隣接する第2ワードラインに含まれる複数の第2セルそれぞれの閾値電圧を表す複数の隣接電圧に応じて、複数の前記第1セルに対して用いる読み出し電圧を決定する決定ステップと、
決定された複数の前記読み出し電圧を用いて、前記第1ワードラインからデータを読み出す読み出しステップと、
を含む読み出し方法。 - コンピュータを、
複数の第1セルを含む第1ワードラインに隣接する第2ワードラインに含まれる複数の第2セルそれぞれの閾値電圧を表す複数の隣接電圧に応じて、複数の前記第1セルに対して用いる読み出し電圧を決定する決定ステップと、
決定された複数の前記読み出し電圧を用いて、前記第1ワードラインからデータを読み出す読み出しステップ、
を実行させるためのプログラム。 - 複数の第1セルを含む第1ワードラインに隣接する第2ワードラインに含まれる複数の第2セルそれぞれの閾値電圧を表す複数の隣接電圧に応じて、複数の前記第1セルに対して用いる読み出し電圧を決定し、
決定された複数の前記読み出し電圧を用いて、前記第1ワードラインからデータを読み出す、
メモリコントローラ。
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