JP2019149470A - 剥離方法 - Google Patents

剥離方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019149470A
JP2019149470A JP2018033502A JP2018033502A JP2019149470A JP 2019149470 A JP2019149470 A JP 2019149470A JP 2018033502 A JP2018033502 A JP 2018033502A JP 2018033502 A JP2018033502 A JP 2018033502A JP 2019149470 A JP2019149470 A JP 2019149470A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
support plate
holding
peeling
starting point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018033502A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6991673B2 (ja
Inventor
鈴木　克彦
Katsuhiko Suzuki
克彦 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2018033502A priority Critical patent/JP6991673B2/ja
Priority to KR1020190007365A priority patent/KR102670600B1/ko
Priority to SG10201901152VA priority patent/SG10201901152VA/en
Priority to CN201910125779.2A priority patent/CN110197794B/zh
Priority to US16/281,872 priority patent/US10998196B2/en
Priority to TW108106101A priority patent/TWI782189B/zh
Priority to DE102019202564.1A priority patent/DE102019202564B4/de
Publication of JP2019149470A publication Critical patent/JP2019149470A/ja
Priority to US17/180,295 priority patent/US11764066B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6991673B2 publication Critical patent/JP6991673B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76853—Barrier, adhesion or liner layers characterized by particular after-treatment steps
    • H01L21/76865—Selective removal of parts of the layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68331—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding of passive members, e.g. die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】基板等を支持板から容易に剥離できる剥離方法を提供する。【解決手段】支持板の表面に剥離層を介して設けられた基板を、支持板から剥離する剥離方法であって、支持板と基板との一方を第１保持ユニットで保持する第１保持工程と、支持板と基板との端部で露出する剥離層の端部に流体を吹き付け、基板を支持板から剥離する際の起点となる起点領域を形成する起点領域形成工程と、支持板と基板との他方を第２保持ユニットで保持する第２保持工程と、第１保持ユニットと第２保持ユニットとを互いに離れる方向に相対的に移動させて基板を支持板から剥離する剥離工程と、を含む剥離方法が提供される。【選択図】図１

Description

本発明は、剥離層を介して支持板の表面に設けられた基板等を支持板から剥離する剥離方法に関する。
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、電子回路等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハの表面を分割予定ライン（ストリート）で複数の領域に区画し、各領域にデバイスを形成した後、この分割予定ラインに沿ってウェーハを分割することにより得られる。
上述のような方法で得られたデバイスチップは、例えば、ＣＳＰ（Chip Size Package）用のマザー基板に固定され、ワイヤボンディング等の方法で電気的に接続された後にモールド樹脂で封止される。このように、モールド樹脂によってデバイスチップを封止してパッケージデバイスを形成することで、衝撃、光、熱、水等の外的な要因からデバイスチップを保護できるようになる。
近年では、ウェーハレベルの再配線技術を用いてデバイスチップの領域外にパッケージ端子を形成するＦＯＷＬＰ（Fan-Out Wafer Level Package）と呼ばれるパッケージ技術が採用され始めている（例えば、特許文献１参照）。また、ウェーハよりサイズの大きいパネル（代表的には、液晶パネルの製造に用いられるガラス基板）のレベルでパッケージデバイスを一括して製造するＦＯＰＬＰ（Fan-Out Panel Level Packaging）と呼ばれるパッケージ技術も提案されている。
ＦＯＰＬＰでは、例えば、仮の基板となる支持板（キャリア板）の表面に剥離層（仮接着層）を介して配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を形成し、この配線層にデバイスチップを接合する。次に、デバイスチップをモールド樹脂で封止して、封止基板（パッケージパネル）を得る。その後、封止基板を研削等の方法によって薄くした上で、この封止基板を分割することにより、パッケージデバイスが完成する。
特開２０１６−２０１５１９号公報
上述したＦＯＰＬＰでは、例えば、封止基板をパッケージデバイスへと分割した後に、このパッケージデバイスから支持板が除去される。具体的には、支持板から各パッケージデバイスをピックアップする。ところが、剥離層の接着力はある程度に強いので、パッケージデバイス中の配線層等を損傷させることなく支持板からパッケージデバイスを剥離するのが難しかった。
一方で、封止基板をパッケージデバイスへと分割する前に、封止基板から支持板を剥離、除去することも考えられる。しかしながら、この場合にも、配線層等を含む封止基板や支持板を損傷させることなく支持板から封止基板を剥離するのは難しかった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板等を支持板から容易に剥離できる剥離方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、支持板の表面に剥離層を介して設けられた基板を、該支持板から剥離する剥離方法であって、該支持板と該基板との一方を第１保持ユニットで保持する第１保持工程と、該支持板と該基板との端部で露出する該剥離層の端部に流体を吹き付け、該基板を該支持板から剥離する際の起点となる起点領域を形成する起点領域形成工程と、該支持板と該基板との他方を第２保持ユニットで保持する第２保持工程と、該第１保持ユニットと該第２保持ユニットとを互いに離れる方向に相対的に移動させて該基板を該支持板から剥離する剥離工程と、を含む剥離方法が提供される。
本発明の一態様において、該支持板の端部の該表面側には、該剥離層を構成する金属膜又は樹脂膜の一部が被覆しており、該起点領域形成工程の前に、該支持板の端部の該表面側を覆う該金属膜又は樹脂膜を切削ブレード又はレーザービームによって除去する除去工程を更に含んでも良い。
本発明の別の一態様によれば、支持板の表面に剥離層を介して設けられた基板を、複数の小片へと分割した上で該支持板から剥離する剥離方法であって、該支持板を第１保持ユニットで保持する第１保持工程と、該基板に設定された分割予定ラインに沿って該基板側から切削ブレードを切り込ませ、又は該基板に対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射して、該基板を該複数の小片に分割する分割工程と、該小片の端部で露出する該剥離層に流体を吹き付け、該小片を該支持板から剥離する際の起点となる起点領域を形成する起点領域形成工程と、該小片を第２保持ユニットで保持する第２保持工程と、該第１保持ユニットと該第２保持ユニットとを互いに離れる方向に相対的に移動させて該小片を該支持板から剥離する剥離工程と、を含む剥離方法が提供される。
本発明の一態様及び別の一態様に係る剥離方法では、剥離層の端部に流体を吹き付け、基板又は基板を分割して得られる小片を支持板から剥離する際の起点となる起点領域を形成するので、この起点領域を起点として基板や小片を支持板から容易に剥離できる。
図１（Ａ）は、支持板と基板とを含む複合基板の構成例を示す断面図であり、図１（Ｂ）は、第１保持工程について示す断面図である。 図２（Ａ）は、起点領域形成工程について示す一部断面側面図であり、図２（Ｂ）は、第２保持工程について示す一部断面側面図である。 剥離工程について示す一部断面側面図である。 図４（Ａ）は、除去工程が行われる前の支持板の端部の様子を拡大して示す断面図であり、図４（Ｂ）は、除去工程について示す一部断面側面図である。 図５（Ａ）は、変形例に係る剥離方法に用いられる複合基板の構成例を示す断面図であり、図５（Ｂ）は、変形例に係る剥離方法の第１保持工程及び分割工程について示す一部断面側面図である。 図６（Ａ）は、変形例に係る剥離方法の起点領域形成工程及び第２保持工程について示す一部断面側面図であり、図６（Ｂ）は、変形例に係る剥離方法の剥離工程について示す一部断面側面図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る剥離方法は、支持板（キャリア板）の表面に剥離層（仮接着層）を介して設けられた基板（封止基板）を支持板から剥離するための剥離方法であって、第１保持工程（図１（Ｂ）参照）、起点領域形成工程（図２（Ａ）参照）、第２保持工程（図２（Ｂ）参照）、及び剥離工程（図３参照）を含む。
第１保持工程では、支持板と基板との一方（本実施形態では、基板）をチャックテーブル（第１保持ユニット）で保持して他方側（本実施形態では、支持板）を露出させる。起点領域形成工程では、剥離層の端部に流体を吹き付け、基板を支持板から剥離する際の起点となる起点領域を形成する。
第２保持工程では、支持板と基板との他方（支持板）を吸着パッド（第２保持ユニット）で保持する。剥離工程では、第１保持ユニットと第２保持ユニットとを互いに離れる方向に相対的に移動させて、基板を支持板から剥離する。以下、本実施形態に係る剥離方法について詳述する。
図１（Ａ）は、本実施形態で使用される複合基板１の構成例を示す断面図である。複合基板１は、例えば、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の絶縁体材料で形成された支持板（キャリア板）３を含んでいる。この支持板３は、例えば、概ね平坦な第１面（表面）３ａと、第１面３ａとは反対側の第２面（裏面）３ｂとを有し、第１面３ａ側又は第２面３ｂ側から見た平面視で矩形状に構成される。支持板３の厚みは、例えば、２ｍｍ以下、代表的には、１．１ｍｍである。
なお、本実施形態では、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の絶縁体材料でなる支持板３を用いているが、支持板３の材質、形状、構造、大きさ等に特段の制限はない。例えば、半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる基板等を支持板３として用いることもできる。円盤状の半導体ウェーハ等を支持板３としても良い。
支持板３の第１面３ａ側には、剥離層（仮接着層）５を介して基板（封止基板）７が設けられている。剥離層５は、例えば、金属膜や絶縁体膜等を重ねることによって第１面３ａの概ね全体に設けられ、支持板３と基板７とを接着する機能を持つ。また、剥離層５は、接着剤として機能する樹脂膜等によって構成されることもある。
剥離層５の厚みは、例えば、２０μｍ以下、代表的には、５μｍである。後述する剥離工程で基板７を支持板３から剥離する際には、この剥離層５が、支持板３側に密着した第１部分５ａ（図３等参照）と、基板７側に密着した第２部分５ｂ（図３等参照）とに分離される。
基板７は、例えば、パッケージパネルやパッケージウェーハ等とも呼ばれ、剥離層５に接する配線層（ＲＤＬ）（不図示）と、配線層に接合された複数のデバイスチップ９と、各デバイスチップを封止する封止材（モールド樹脂層）１１とを含む。この基板７は、平面視で支持板３と概ね同じ大きさ、形状に構成される。基板７の厚みは、例えば、１．５ｍｍ以下、代表的には、０．６ｍｍである。
なお、この基板７の第１面（表面）７ａ側は、研削等の方法で加工されても良い。また、基板７において隣接するデバイスチップ９の間の領域には、分割予定ライン（切断予定ライン）が設定される。任意の分割予定ラインに沿って基板７を切断することで、基板７は、それぞれ１又は複数のデバイスチップ９を含む複数の小片に分割される。
全ての分割予定ラインに沿って基板７（又は小片）を切断すれば、各デバイスチップ９に対応する複数のパッケージデバイスが得られる。ただし、基板７の材質、形状、構造、大きさ等に特段の制限はない。例えば、基板７は、主に配線層で構成され、デバイスチップ９や封止材１１等を含まないこともある。
本実施形態に係る支持板の除去方法では、まず、上述した複合基板１の基板７側を保持して支持板３側を露出させる第１保持工程を行う。図１（Ｂ）は、第１保持工程について示す断面図である。なお、図１（Ｂ）では、一部の構成要素を機能ブロックで示している。
この第１保持工程は、図１（Ｂ）等に示す剥離装置２を用いて行われる。剥離装置２は、複合基板１を保持するためのチャックテーブル（第１保持ユニット）４を備えている。チャックテーブル４は、例えば、ステンレスに代表される金属材料でなる円筒状の枠体６と、多孔質材料でなり枠体６の上部に配置される保持板８とを含む。
保持板８の上面は、複合基板１の基板７側を吸引、保持するための保持面８ａになっている。この保持板８の下面側は、枠体６の内部に設けられた流路６ａやバルブ１０等を介して吸引源１２に接続されている。そのため、バルブ１０を開けば、吸引源１２の負圧を保持面８ａに作用させることができる。
このチャックテーブル４（枠体６）は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、上述した保持面８ａに対して概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４（枠体６）は、移動機構（不図示）によって支持されており、上述した保持面８ａに対して概ね平行な方向に移動する。
第１保持工程では、図１（Ｂ）に示すように、例えば、基板７の第１面７ａをチャックテーブル４の保持面８ａに接触させる。そして、バルブ１０を開いて、吸引源１２の負圧を保持面８ａに作用させる。これにより、複合基板１の基板７側がチャックテーブル４に吸引、保持される。すなわち、支持板３の第２面３ｂ側は露出した状態となる。
第１保持工程の後には、剥離層５の端部に流体を吹き付け、基板７を支持板３から剥離する際の起点（きっかけ）となる起点領域を形成する起点領域形成工程を行う。図２（Ａ）は、起点領域形成工程について示す一部断面側面図である。なお、図２（Ａ）でも、一部の構成要素を機能ブロックで示している。
起点領域形成工程は、引き続き剥離装置２を用いて行われる。図２（Ａ）に示すように、チャックテーブル４の上方には、流体を噴射するためのノズル１４が配置されている。このノズル１４は、例えば、移動機構（不図示）によって支持されており、保持面８ａに対して概ね垂直な方向と、保持面８ａに対して概ね平行な方向とに移動する。
起点領域形成工程では、例えば、複合基板１を保持したチャックテーブル４を回転させて、ノズル１４の噴射口を剥離層５の端部（すなわち、支持板３や基板７の端部）へと向ける。また、チャックテーブル４とノズル１４とを相対的に移動させて、複合基板１とノズル１４との距離を調整する。
その後、ノズル１４の噴射口から剥離層５の端部へと向けて流体を噴射しながら、このノズル１４が剥離層５の端部に沿って移動するようにチャックテーブル４とノズル１４とを相対的に移動させる。これにより、剥離の際の起点となる起点領域を剥離層５の端部に沿って形成できる。
この起点領域は、複合基板１の全周（すなわち、剥離層５の端部の全体）に形成されることが望ましい。これにより、基板７を支持板３から適切に剥離できるようになる。ただし、基板７を支持板３から適切に剥離できる範囲内で、起点領域を剥離層５の端部の一部にのみ形成しても良い。
ノズル１４から噴射する流体としては、例えば、空気等の気体や、水等の液体、気体と液体とを混合した混合流体等が用いられる。特に、空気と水とを混合した二流体を流体として用いる場合には、適切な起点領域を形成し易くなる。チャックテーブル４とノズル１４との距離は、剥離層５の材質、ノズル１４から噴射する流体の種類、流体を噴射する圧力等の条件に応じて、起点領域を適切に形成できる範囲内で調整される。
起点領域形成工程の後には、チャックテーブル４によって基板７側が保持されている複合基板１の支持板３側を更に保持する第２保持工程を行う。図２（Ｂ）は、第２保持工程について示す一部断面側面図である。なお、図２（Ｂ）でも、一部の構成要素を機能ブロックで示している。
第２保持工程は、引き続き剥離装置２を用いて行われる。図２（Ｂ）に示すように、チャックテーブル４の上方には、複合基板１を保持するための吸引パッド（第２保持ユニット）１６が配置されている。吸引パッド１６の下面は、複合基板１の支持板３側を吸引、保持するための保持面１６ａになっている。
保持面１６ａは、流路（不図示）やバルブ（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。そのため、バルブを開けば、吸引源の負圧を保持面１６ａに作用させることができる。この吸引パッド１６は、例えば、移動機構（不図示）によって支持されており、保持面８ａに対して概ね垂直な方向と、保持面８ａに対して概ね平行な方向とに移動する。
第２保持工程では、例えば、複合基板１を保持したチャックテーブル４と吸引パッド１６とを相対的に移動させて、この吸引パッド１６の保持面１６ａを支持板３の第２面３ｂに接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面１６ａに作用させる。これにより、複合基板１の基板７側がチャックテーブル４に吸引、保持された状態で、支持板３側が吸引パッド１６に吸引、保持される。
第２保持工程の後には、チャックテーブル４と吸引パッド１６とを互いに離れる方向に相対的に移動させて、基板７を支持板３から剥離する剥離工程を行う。図３は、剥離工程について示す一部断面側面図である。なお、図３でも、一部の構成要素を機能ブロックで示している。
剥離工程では、図３に示すように、例えば、吸着パッド１６が保持面８ａに対して概ね垂直且つチャックテーブル４から離れる方向に移動するように、移動機構で吸着パッド１６に力を加える。上述のように、チャックテーブル４には、複合基板１の基板７が吸引、保持されており、吸引パッド１６には、複合基板１の支持板３が吸引、保持されている。また、剥離層５の端部には、剥離の際の起点となる起点領域が形成されている。
そのため、保持面８ａに概ね垂直且つチャックテーブル４から離れる方向の力を吸着パッド１６に加えると、剥離層５は、上述した起点領域を起点として、支持板３側に密着した第１部分５ａと、基板７側に密着した第２部分５ｂとに分離される。そして、吸着パッド１６は、保持面８ａに概ね垂直且つチャックテーブル４から離れる方向に移動し、基板７が支持板３から剥離される。
以上のように、本実施形態に係る剥離方法では、剥離層５の端部に流体を吹き付け、基板（封止基板）７を支持板３から剥離する際の起点となる起点領域を形成するので、この起点領域を起点として、基板７を支持板３から容易に剥離できる。すなわち、この剥離の際に基板７や支持板３が損傷する可能性を低く抑えられる。
なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、第１保持工程において複合基板１の基板７側をチャックテーブル４で保持し、第２保持工程において複合基板１の支持板３側を吸引パッド１６で保持しているが、第１保持工程において複合基板１の支持板３側をチャックテーブル４で保持し、第２保持工程において複合基板１の基板７側を吸引パッド１６で保持しても良い。
また、上記実施形態の第１保持工程では、チャックテーブル４によって基板７側を吸引することで複合基板１を保持しているが、例えば、基板７の第１面７ａをチャックテーブル４に接触させ、この基板７の縁等を任意の部材で上方又は側方から抑えることによって複合基板１を保持することもできる。
なお、この場合には、少なくとも剥離工程の前に基板７の縁等を上方又は側方から抑えれば良い。また、同様の方法で複合基板１の支持板３側を保持する際には、支持板３の第２面３ｂをチャックテーブル４に接触させ、この支持板３の縁等を任意の部材で上方又は側方から抑えることになる。
また、例えば、上記実施形態で使用される支持板３の端部の第１面３ａ側には、剥離層５を構成する金属膜や樹脂膜の一部が被覆していることも考えられる。その場合には、剥離層５の端部に起点領域が形成され難く、基板７を支持板３から容易に剥離できない可能性が高くなる。
そこで、このような場合には、起点領域形成工程の前に、支持板３の端部の第１面３ａ側を覆う金属膜や樹脂膜を除去する除去工程を行うと良い。図４（Ａ）は、除去工程が行われる前の支持板の端部の様子を拡大して示す断面図であり、図４（Ｂ）は、除去工程について示す一部断面側面図である。
図４（Ａ）に示すように、変形例に係る剥離方法で使用される支持板３の端部の第１面３ａ側は、剥離層５を構成する金属膜又は樹脂膜の一部５ａによって被覆されている。そこで、この変形例では、金属膜又は樹脂膜の一部５ａを除去し、後の起点領域形成工程において、剥離層５の端部に起点領域を形成し易くする。
具体的には、図４（Ｂ）に示すように、剥離装置２に設けられている切削ユニット１８を用いて、この金属膜又は樹脂膜の一部５ａを除去する。切削ユニット１８は、例えば、チャックテーブル４の保持面８ａに対して概ね平行な回転軸となるスピンドル２０を備えている。スピンドル２０の一端側には、結合材に砥粒が分散されてなる環状の切削ブレード２２が装着されている。
スピンドル２０の他端側には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドル２０の一端側に装着された切削ブレード２２は、回転駆動源から伝わる力によって回転する。この切削ユニット１８は、例えば、移動機構（不図示）によって支持されており、保持面８ａに対して概ね垂直な方向と、保持面８ａに対して概ね平行な方向とに移動する。
除去工程では、まず、複合基板１を保持したチャックテーブル４を回転させて、支持板３の端部を含む外周縁を、切削ブレード２２の回転軸（スピンドル２０）に対して平面視で垂直にする。そして、チャックテーブル４と切削ユニット１８とを相対的に移動させて、上述した支持板３の端部を含む外周縁の延長線上方に切削ブレード２２を位置付ける。また、切削ブレード２２の下端を、支持板３の第１面３ａより低い位置に位置付ける。
その後、切削ブレード２２を回転させながら、支持板３の端部を含む外周縁と平行な方向にチャックテーブル４を移動させる。これにより、支持板３の端部の第１面３ａ側を被覆する金属膜又は樹脂膜の一部５ａに切削ブレード２２を切り込ませ、この金属膜又は樹脂膜の一部５ａを除去できる。
その結果、剥離層５の端部には、剥離層５の適切な積層構造等が露出して、後の起点領域形成工程において剥離層５の端部に起点領域を形成し易くなる。このような動作を繰り返し、支持板３の端部の第１面３ａ側を被覆する金属膜又は樹脂膜の一部５ａが全て除去されると、除去工程は終了する。
なお、ここでは、切削ブレード２２を切り込ませる方法で支持板３の端部の第１面３ａ側を被覆する金属膜又は樹脂膜の一部５ａを除去しているが、金属膜又は樹脂膜の一部５ａに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射する方法でこれらを除去することもできる。
また、上記実施形態では、基板７を各デバイスチップ９に対応するパッケージデバイス等の小片へと分割する前に、基板７を支持板３から剥離しているが、基板７をパッケージデバイス等の小片へと分割した上で、この小片を支持板３から剥離しても良い。
図５（Ａ）は、変形例に係る剥離方法に用いられる複合基板１の構成例を示す断面図である。図５（Ａ）に示すように、この変形例で用いられる複合基板１の基本的な構成は、上記実施形態に係る複合基板１と概ね同じである。ただし、この変形例では、複合基板１の不要な領域（例えば、端部）が切削ブレードを用いるダイシング等の方法であらかじめ除去される。
複合基板１の不要な領域が除去された後には、この複合基板１の支持板３側を保持して基板７側を露出させる第１保持工程を行う。図５（Ｂ）は、変形例に係る剥離方法の第１保持工程及び分割工程について示す一部断面側面図である。なお、図５（Ｂ）では、一部の構成要素を機能ブロックで示している。
この第１保持工程は、上記実施形態に係る第１保持工程と同様に剥離装置２を用いて行われる。具体的には、図５（Ｂ）に示すように、例えば、支持板３の第２面３ｂをチャックテーブル４の保持面８ａに接触させる。そして、バルブ１０を開いて、吸引源１２の負圧を保持面８ａに作用させる。これにより、複合基板１の支持板３側がチャックテーブル４に吸引、保持される。すなわち、基板７の第１面７ａ側は露出した状態となる。
第１保持工程の後には、分割予定ラインに沿って基板７を複数の小片へと分割する分割工程を行う。この分割工程は、図５（Ｂ）に示すように、例えば、剥離装置２の切削ユニット１８を用いて行われる。切削ユニット１８の基本的な構成は、上述した除去工程で使用される切削ユニット１８と概ね同じで良いが、この分割工程では、基板７の切削加工に適した切削ブレード２２が使用される。
分割工程では、まず、複合基板１を保持したチャックテーブル４を回転させて、基板７に設定されている分割予定ラインを、切削ブレード２２の回転軸（スピンドル２０）に対して平面視で垂直にする。そして、チャックテーブル４と切削ユニット１８とを相対的に移動させて、対象の分割予定ラインの延長線上方に切削ブレード２２を位置付ける。
また、切削ブレード２２の下端を、基板７を完全に切断できる高さに位置付ける。すなわち、切削ブレード２２の下端を、少なくとも剥離層５に切り込ませることができる高さに位置付ける。その後、切削ブレード２２を回転させながら、対象の分割予定ラインと平行な方向にチャックテーブル４を移動させる。
これにより、対象の分割予定ラインに沿って基板７側から少なくとも剥離層５まで切削ブレード２２を切り込ませ、この基板７を切断できる。このような動作を必要に応じて繰り返し、基板７が任意の大きさの小片に分割されると分割工程は終了する。なお、この変形例では、全ての分割予定ラインに沿って基板７を切断し、各デバイスチップ９に対応する複数のパッケージデバイス（小片）１３を形成している。
分割工程の後には、剥離層５の端部に流体を吹き付け、パッケージデバイス１３を支持板３から剥離する際の起点（きっかけ）となる起点領域を形成する起点領域形成工程を行う。図６（Ａ）は、変形例に係る剥離方法の起点領域形成工程及び第２保持工程について示す一部断面側面図である。なお、図６（Ａ）でも、一部の構成要素を機能ブロックで示している。
この起点領域形成工程は、上記実施形態に係る起点領域形成工程と同様に、引き続き剥離装置２を用いて行われる。具体的には、例えば、複合基板１を保持したチャックテーブル４を回転させて、ノズル１４の噴射口を剥離層５の端部（すなわち、パッケージデバイス１３の端部）へと向ける。また、チャックテーブル４とノズル１４とを相対的に移動させて、パッケージデバイス１３とノズル１４との距離を調整する。
その後、ノズル１４の噴射口から剥離層５の端部へと向けて流体を噴射しながら、このノズル１４が剥離層５の端部に沿って移動するようにチャックテーブル４とノズル１４とを相対的に移動させる。これにより、剥離の際の起点となる起点領域を剥離層５の端部に沿って形成できる。なお、この変形例に係る起点領域形成工程の諸条件は、上記実施形態に係る起点領域形成工程と同様で良い。
起点領域形成工程の後には、チャックテーブル４によって支持板３側が保持されている状態で、パッケージデバイス１３を更に保持する第２保持工程を行う。第２保持工程は、引き続き剥離装置２を用いて行われる。図６（Ａ）に示すように、チャックテーブル４の上方には、パッケージデバイス１３を保持するためのコレット（ピックアップツール、第２保持ユニット）２４が配置されている。コレット２４の下面は、パッケージデバイス１３を吸引、保持するための保持面２４ａになっている。
保持面２４ａは、流路（不図示）やバルブ（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。そのため、バルブを開けば、吸引源の負圧を保持面２４ａに作用させることができる。このコレット２４は、例えば、移動機構（不図示）によって支持されており、保持面８ａに対して概ね垂直な方向と、保持面８ａに対して概ね平行な方向とに移動する。
第２保持工程では、例えば、複合基板１を保持したチャックテーブル４とコレット２４とを相対的に移動させて、このコレット２４の保持面２４ａをパッケージデバイス１３の上面等に接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面２４ａに作用させる。これにより、複合基板１の基板７側がチャックテーブル４に吸引、保持された状態で、パッケージデバイス１３側がコレット２４に吸引、保持される。
第２保持工程の後には、チャックテーブル４とコレット２６とを互いに離れる方向に相対的に移動させて、パッケージデバイス１３を支持板３から剥離する剥離工程を行う。図６（Ｂ）は、変形例に係る剥離方法の剥離工程について示す一部断面側面図である。なお、図６（Ｂ）でも、一部の構成要素を機能ブロックで示している。
剥離工程では、図３に示すように、例えば、コレット２４が保持面８ａに対して概ね垂直且つチャックテーブル４から離れる方向に移動するように、移動機構でコレット２４に力を加える。上述のように、チャックテーブル４には、複合基板１の基板７が吸引、保持されており、コレット２４には、パッケージデバイス１３が吸引、保持されている。また、パッケージデバイス１３の端部に対応する剥離層５の端部には、剥離の際の起点となる起点領域が形成されている。
そのため、保持面８ａに概ね垂直且つチャックテーブル４から離れる方向の力をコレット２４に加えると、剥離層５は、上述した起点領域を起点として、支持板３側に密着した第１部分５ａと、パッケージデバイス１３側に密着した第２部分５ｂとに分離される。そして、コレット２４は、保持面８ａに概ね垂直且つチャックテーブル４から離れる方向に移動し、パッケージデバイス１３が支持板３から剥離される。
なお、この変形例に係る剥離方法では、例えば、全てのパッケージデバイス１３が支持板３から剥離されるまで、起点領域形成工程、第２保持工程、及び剥離工程を繰り返し行うことが望ましい。この場合、起点領域形成工程では、直後の剥離工程で剥離の対象とするパッケージデバイス１３の端部に対応する剥離層５の端部にのみ、起点領域を形成すれば良い。
また、この変形例では、各デバイスチップ９に対応するパッケージデバイス１３を支持板３から剥離しているが、同様の方法で、複数のデバイスチップ９を含む任意の大きさに分割された小片を支持板３から剥離することもできる。また、この変形例に係る分割工程では、切削ブレード２２を切り込ませる方法で基板７を小片へと分割しているが、基板７に対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射する方法で基板７を切断し、小片へと分割しても良い。
また、上記実施形態及び変形例では、平面視で矩形状に構成された複合基板１を用いる場合を示しているが、円盤状の複合基板を用いる場合等には、複合基板の形状等に合わせて各部の動作等が変更される。例えば、起点形成工程や除去工程では、チャックテーブル４を回転させながら、剥離層５の端部に流体を吹き付けたり、金属膜の一部５ａに切削ブレード２２を切り込ませたりすれば良い。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１ 複合基板
３ 支持板（キャリア板）
３ａ 第１面（表面）
３ｂ 第２面（裏面）
５ 剥離層（仮接着層）
７ 基板（封止基板）
７ａ 第１面（表面）
９ デバイスチップ
１１ 封止材（モールド樹脂層）
１３ パッケージデバイス（小片）
２ 剥離装置
４ チャックテーブル（第１保持ユニット）
６ 枠体
６ａ 流路
８ 保持板
８ａ 保持面
１０ バルブ
１２ 吸引源
１４ ノズル
１６ 吸引パッド（第２保持ユニット）
１６ａ 保持面
１８ 切削ユニット
２０ スピンドル
２２ 切削ブレード
２４ コレット（ピックアップツール、第２保持ユニット）
２４ａ 保持面

Claims (3)

  1. 支持板の表面に剥離層を介して設けられた基板を、該支持板から剥離する剥離方法であって、
    該支持板と該基板との一方を第１保持ユニットで保持する第１保持工程と、
    該支持板と該基板との端部で露出する該剥離層の端部に流体を吹き付け、該基板を該支持板から剥離する際の起点となる起点領域を形成する起点領域形成工程と、
    該支持板と該基板との他方を第２保持ユニットで保持する第２保持工程と、
    該第１保持ユニットと該第２保持ユニットとを互いに離れる方向に相対的に移動させて該基板を該支持板から剥離する剥離工程と、を含むことを特徴とする剥離方法。
  2. 該支持板の端部の該表面側には、該剥離層を構成する金属膜又は樹脂膜の一部が被覆しており、
    該起点領域形成工程の前に、該支持板の端部の該表面側を覆う該金属膜又は樹脂膜を切削ブレード又はレーザービームによって除去する除去工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の剥離方法。
  3. 支持板の表面に剥離層を介して設けられた基板を、複数の小片へと分割した上で、該支持板から剥離する剥離方法であって、
    該支持板を第１保持ユニットで保持する第１保持工程と、
    該基板に設定された分割予定ラインに沿って該基板側から切削ブレードを切り込ませ、又は該基板に対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射して、該基板を該複数の小片に分割する分割工程と、
    該小片の端部で露出する該剥離層に流体を吹き付け、該小片を該支持板から剥離する際の起点となる起点領域を形成する起点領域形成工程と、
    該小片を第２保持ユニットで保持する第２保持工程と、
    該第１保持ユニットと該第２保持ユニットとを互いに離れる方向に相対的に移動させて該小片を該支持板から剥離する剥離工程と、を含むことを特徴とする剥離方法。
JP2018033502A 2018-02-27 2018-02-27 剥離方法 Active JP6991673B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018033502A JP6991673B2 (ja) 2018-02-27 2018-02-27 剥離方法
KR1020190007365A KR102670600B1 (ko) 2018-02-27 2019-01-21 박리 방법
SG10201901152VA SG10201901152VA (en) 2018-02-27 2019-02-11 Peeling method for peeling off substrate from support plate
CN201910125779.2A CN110197794B (zh) 2018-02-27 2019-02-20 剥离方法
US16/281,872 US10998196B2 (en) 2018-02-27 2019-02-21 Peeling method for peeling off substrate from support plate
TW108106101A TWI782189B (zh) 2018-02-27 2019-02-22 剝離方法
DE102019202564.1A DE102019202564B4 (de) 2018-02-27 2019-02-26 Ablöseverfahren zum Ablösen eines Substrats von einer Trägerplatte
US17/180,295 US11764066B2 (en) 2018-02-27 2021-02-19 Peeling method for peeling off substrate from support plate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018033502A JP6991673B2 (ja) 2018-02-27 2018-02-27 剥離方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019149470A true JP2019149470A (ja) 2019-09-05
JP6991673B2 JP6991673B2 (ja) 2022-01-12

Family

ID=67550228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018033502A Active JP6991673B2 (ja) 2018-02-27 2018-02-27 剥離方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US10998196B2 (ja)
JP (1) JP6991673B2 (ja)
KR (1) KR102670600B1 (ja)
CN (1) CN110197794B (ja)
DE (1) DE102019202564B4 (ja)
SG (1) SG10201901152VA (ja)
TW (1) TWI782189B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7025171B2 (ja) * 2017-10-12 2022-02-24 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09167724A (ja) * 1995-10-31 1997-06-24 Samsung Electron Co Ltd ウェーハデボンダ及びこれを用いたウェーハデボンディング法
JPH11317509A (ja) * 1998-02-18 1999-11-16 Canon Inc 複合部材とその分離方法、及びそれを利用した半導体基体の製造方法
JP2015217421A (ja) * 2014-05-19 2015-12-07 株式会社ディスコ リフトオフ方法
JP2016021464A (ja) * 2014-07-14 2016-02-04 株式会社ディスコ リフトオフ方法及び超音波ホーン
JP2016063057A (ja) * 2014-09-18 2016-04-25 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ並びにボンディング方法及びピックアップ装置
US20160343601A1 (en) * 2015-05-21 2016-11-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method of preparing laminate, and method of separating support
JP2016207801A (ja) * 2015-04-21 2016-12-08 株式会社ディスコ リフトオフ方法及び超音波ホーン
JP2017208453A (ja) * 2016-05-18 2017-11-24 東京応化工業株式会社 封止体の製造方法、及び、積層体
KR20180009694A (ko) * 2016-07-19 2018-01-29 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 지지체 분리 장치 및 지지체 분리 방법

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2752332B1 (fr) * 1996-08-12 1998-09-11 Commissariat Energie Atomique Dispositif de decollement de plaquettes et procede de mise en oeuvre de ce dispositif
CA2233127C (en) * 1997-03-27 2004-07-06 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for separating composite member using fluid
TW437078B (en) * 1998-02-18 2001-05-28 Canon Kk Composite member, its separation method, and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof
US6391743B1 (en) * 1998-09-22 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for producing photoelectric conversion device
JP2000223683A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Canon Inc 複合部材及びその分離方法、貼り合わせ基板及びその分離方法、移設層の移設方法、並びにｓｏｉ基板の製造方法
JP4365920B2 (ja) * 1999-02-02 2009-11-18 キヤノン株式会社 分離方法及び半導体基板の製造方法
US6375738B1 (en) * 1999-03-26 2002-04-23 Canon Kabushiki Kaisha Process of producing semiconductor article
JP4803884B2 (ja) * 2001-01-31 2011-10-26 キヤノン株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
JP4708577B2 (ja) * 2001-01-31 2011-06-22 キヤノン株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
JP2002353423A (ja) 2001-05-25 2002-12-06 Canon Inc 板部材の分離装置及び処理方法
US8415208B2 (en) * 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
TW558743B (en) * 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
FR2850390B1 (fr) * 2003-01-24 2006-07-14 Soitec Silicon On Insulator Procede d'elimination d'une zone peripherique de colle lors de la fabrication d'un substrat composite
JP4838504B2 (ja) 2004-09-08 2011-12-14 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
TWI463580B (zh) * 2007-06-19 2014-12-01 Renesas Electronics Corp Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
JP5122893B2 (ja) * 2007-09-14 2013-01-16 株式会社ディスコ デバイスの製造方法
JP2010103416A (ja) 2008-10-27 2010-05-06 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd 半導体ウエハ製造方法
US8507322B2 (en) * 2010-06-24 2013-08-13 Akihiro Chida Semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device
JP5752933B2 (ja) * 2010-12-17 2015-07-22 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
CN104412369B (zh) * 2012-06-29 2017-05-24 日立化成株式会社 半导体装置的制造方法
KR102029646B1 (ko) * 2013-01-31 2019-11-08 삼성전자 주식회사 반도체 장치 제조 방법
KR101503325B1 (ko) * 2013-06-27 2015-03-18 코스텍시스템(주) 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 디본딩 방법 및 본딩/디본딩 장치
JP2015145306A (ja) 2014-02-04 2015-08-13 旭硝子株式会社 積層体の剥離開始部作成方法及び剥離開始部作成装置並びに電子デバイスの製造方法
JP2016063012A (ja) 2014-09-17 2016-04-25 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2016127232A (ja) 2015-01-08 2016-07-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6529321B2 (ja) 2015-04-14 2019-06-12 株式会社ディスコ デバイスパッケージの製造方法
JP6470414B2 (ja) 2015-08-11 2019-02-13 東京応化工業株式会社 支持体分離装置及び支持体分離方法
US9337098B1 (en) * 2015-08-14 2016-05-10 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor die back layer separation method
US9997391B2 (en) * 2015-10-19 2018-06-12 QROMIS, Inc. Lift off process for chip scale package solid state devices on engineered substrate
JP2017103406A (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09167724A (ja) * 1995-10-31 1997-06-24 Samsung Electron Co Ltd ウェーハデボンダ及びこれを用いたウェーハデボンディング法
JPH11317509A (ja) * 1998-02-18 1999-11-16 Canon Inc 複合部材とその分離方法、及びそれを利用した半導体基体の製造方法
JP2015217421A (ja) * 2014-05-19 2015-12-07 株式会社ディスコ リフトオフ方法
JP2016021464A (ja) * 2014-07-14 2016-02-04 株式会社ディスコ リフトオフ方法及び超音波ホーン
JP2016063057A (ja) * 2014-09-18 2016-04-25 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ並びにボンディング方法及びピックアップ装置
JP2016207801A (ja) * 2015-04-21 2016-12-08 株式会社ディスコ リフトオフ方法及び超音波ホーン
US20160343601A1 (en) * 2015-05-21 2016-11-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method of preparing laminate, and method of separating support
JP2017208453A (ja) * 2016-05-18 2017-11-24 東京応化工業株式会社 封止体の製造方法、及び、積層体
KR20180009694A (ko) * 2016-07-19 2018-01-29 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 지지체 분리 장치 및 지지체 분리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20190267245A1 (en) 2019-08-29
SG10201901152VA (en) 2019-09-27
TWI782189B (zh) 2022-11-01
US20210175085A1 (en) 2021-06-10
US10998196B2 (en) 2021-05-04
KR20190102990A (ko) 2019-09-04
CN110197794A (zh) 2019-09-03
US11764066B2 (en) 2023-09-19
DE102019202564B4 (de) 2024-03-07
TW201936476A (zh) 2019-09-16
DE102019202564A1 (de) 2019-08-29
KR102670600B1 (ko) 2024-05-29
JP6991673B2 (ja) 2022-01-12
CN110197794B (zh) 2024-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111463162B (zh) 载体板的去除方法
US10804131B2 (en) Carrier plate removing method
JP6991673B2 (ja) 剥離方法
JP7262904B2 (ja) キャリア板の除去方法
US11538710B2 (en) Carrier plate removing method
TWI831886B (zh) 裝置晶片的製造方法
JP7262903B2 (ja) キャリア板の除去方法
JP7511979B2 (ja) キャリア板の除去方法
JP7511980B2 (ja) キャリア板の除去方法
TW202205462A (zh) 載板之除去方法
JP2023018321A (ja) キャリア板の除去方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201209

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210927

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211005

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211207

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211207

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6991673

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150