TW202205462A - 載板之除去方法 - Google Patents

載板之除去方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202205462A
TW202205462A TW110126127A TW110126127A TW202205462A TW 202205462 A TW202205462 A TW 202205462A TW 110126127 A TW110126127 A TW 110126127A TW 110126127 A TW110126127 A TW 110126127A TW 202205462 A TW202205462 A TW 202205462A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
carrier plate
workpiece
carrier
stepped portion
downward force
Prior art date
Application number
TW110126127A
Other languages
English (en)
Inventor
木內逸人
大室喜洋
櫻井孝壽
堀真一郎
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW202205462A publication Critical patent/TW202205462A/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386Separation by peeling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

[課題]提供一種可輕易地從工件除去載板的載板之除去方法。[解決手段]一種載板之除去方法,其係從透過暫接著層而設置於載板的正面之工件除去載板,且包含下述步驟:階梯部形成步驟,其從設有工件之正面側沿著載板的外周緣將載板的外周部進行加工,形成載板的背面側比載板的正面側更往側面突出之階梯部;貼附步驟,其於工件之在與載板為相反側露出的正面貼附黏著膠膜,並將黏著膠膜的外周部貼附於環狀的框架;保持步驟,其在工件被定位於載板上方的狀態,透過黏著膠膜以保持單元從上方保持工件;及載板除去步驟,其以推壓構件對階梯部施加向下的力,使載板往離開工件的方向移動,而從工件除去載板。

Description

載板之除去方法
本發明係關於一種從透過暫接著層而設置於載板的正面之工件去除載板的載板之除去方法。
在以行動電話或個人電腦為代表的電子設備中,具備電子電路等元件之元件晶片成為必須的構成要件。元件晶片例如係藉由下述方式而得:以分割預定線(切割道)將由矽等半導體材料而成之晶圓的正面劃分成多個區域,於各區域形成元件後,以此分割預定線將晶圓進行分割。
由如上述般的方法所得之元件晶片,例如將其固定於CSP(Chip Size Package,晶片尺寸封裝)用的母基板,以引線接合等方法與此母基板的端子等電性連接後,以封膜樹脂進行密封。如此,藉由封膜樹脂密封元件晶片而形成封裝元件,藉此可保護元件晶片不受衝擊、光、熱、水等外在原因所影響。
近年來開始採用被稱為FOWLP(Fan-Out Wafer Level Package,扇出型晶圓級封裝)的封裝技術,其係使用晶圓等級的重新佈線技術在元件晶片的區域外形成封裝端子(例如,參閱專利文獻1)。又,亦有人提出了一種被稱為FOPLP(Fan-Out Panel Level Package,扇出型面板級封裝)的封裝技術,其係以尺寸大於晶圓的面板(具代表性的是用於製造液晶面板的玻璃基板)的等級批量製造封裝元件。
在FOPLP中,例如,於成為暫時基板之載板的正面,透過暫接著層形成配線層(RDL:Redistribution Layer,重佈層),並將元件晶片與此配線層接合。接著,以封膜樹脂將元件晶片密封,而得到封裝面板。之後,藉由研削等方法使封裝面板變薄後,將此封裝面板進行分割,藉此完成封裝元件。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-201519號公報
[發明所欲解決的課題] 在上述FOPLP中,例如,在將封裝面板分割成封裝元件後,從此封裝元件除去載板。具體而言,從載板拾取各封裝元件。然而,若封裝元件的尺寸小,則難以從載板拾取此封裝元件。
另一方面,亦考量在將封裝面板分割成封裝元件之前,從封裝面板剝離並除去載板。然而,暫接著層的接著力具有一定強度,因此難以在不損及封裝面板或載板之情況下從封裝面板剝離載板。
本發明係鑒於此種問題點而完成,其目的在於提供一種可輕易地從封裝面板等工件除去載板的載板之除去方法。
[解決課題的技術手段] 根據本發明之一態樣,可提供一種載板之除去方法,其係從透過暫接著層而設置於載板的正面之工件除去該載板,且包含下述步驟:階梯部形成步驟,其從設有該工件之該正面側沿著該載板的外周緣將該載板的外周部進行加工,形成該載板的背面側比該載板的該正面側更往側面突出之階梯部;貼附步驟,其在實施該階梯部形成步驟後,於該工件之在與該載板為相反側露出的正面貼附黏著膠膜,且將該黏著膠膜的外周部貼附於環狀的框架;保持步驟,其在實施該貼附步驟後,在該工件被定位於該載板上方的狀態,透過該黏著膠膜以保持單元從上方保持該工件;及載板除去步驟,其在實施該保持步驟後,以推壓構件對該階梯部施加向下的力,使該載板往離開該工件的方向移動,藉此從該工件除去該載板。
在上述的本發明之一態樣中,較佳為在該黏著膠膜設有使該推壓構件通過的貫通孔,在該載板除去步驟中,利用已***該貫通孔之該推壓構件,對該階梯部施加向下的力,而從該工件除去該載板。
又,在上述的本發明之一態樣中,較佳為在該載板除去步驟中,在將流體吹入該工件與該載板之間後對該階梯部施加向下的力,或一邊將流體吹入該工件與該載板之間一邊對該階梯部施加向下的力,而從該工件除去該載板。
又,在上述的本發明之一態樣中,較佳為在該載板除去步驟中,在將該工件與該載板沉入液體的狀態,對該階梯部施加向下的力。又,亦可使該液體包含界面活性劑。
又,在上述的本發明之一態樣中,較佳為在該載板除去步驟中,在將該工件與該載板沉入該液體的狀態,一邊對該推壓構件賦予振動一邊對該階梯部施加向下的力。
又,在上述的本發明之一態樣中,較佳為在該載板除去步驟中,在將該工件與該載板沉入該液體的狀態,一邊對該液體賦予振動一邊對該階梯部施加向下的力。
[發明功效] 在本發明之一態樣的載板之除去方法中,從設有工件之載板的正面側沿著載板的外周緣將載板的外周部進行加工,形成載板的背面側比載板的正面側更往側面突出之階梯部。因此,在以保持單元從上方保持工件的狀態,藉由對階梯部施加向下的力,而可輕易地從工件除去載板。
又,在本發明之一態樣的載板之除去方法中,因可利用施加至階梯部的向下的力以及作用於載板的重力,故即使在施加至階梯部的向下的力為小之情形,亦可從工件除去載板。再者,在本發明之一態樣的載板之除去方法中,在從工件除去載板之前,於工件貼附黏著膠膜,預先成為藉由環狀的框架保持工件的狀態,因此在從工件除去載板後,工件變得不易翹曲。
參閱附圖,針對本發明之一態樣的實施方式進行說明。本實施方式的載板之除去方法係使用在從透過暫接著層而設置於載板的正面之工件除去載板時,且包含階梯部形成步驟(參閱圖1(B)、圖2(A)及圖2(B))、貼附步驟(參閱圖3)、保持步驟(參閱圖4(A))及載板除去步驟(參閱圖4(B)及圖4(C))。
在階梯部形成步驟中,使切割刀片從設有工件之載板的正面側沿著載板的外周緣切入載板的外周部,而在此載板形成階梯部。在貼附步驟中,在工件所露出的正面貼附黏著膠膜,且將此黏著膠膜的外周部貼附於環狀的框架。
在保持步驟中,在工件被定位於載板上方的狀態,透過黏著膠膜從上方保持此工件側。在載板除去步驟中,以推壓構件對階梯部施加向下的力,使載板往離開工件的方向移動,藉此從工件除去載板。以下針對本實施方式的載板之除去方法進行詳細敘述。
圖1(A)係表示本實施方式的載板之除去方法所使用之複合基板1的構成例的剖面圖。複合基板1包含例如由鈉玻璃、硼矽酸玻璃、石英玻璃等絕緣體材料所形成之載板3。此載板3例如具有大致平坦的第一面(正面)3a及與第一面3a為相反側的第二面(背面)3b,且被構成為從第一面3a側或第二面3b側觀看在俯視下為矩形。載板3的厚度例如為2mm以下,代表性為1.1mm。
此外,在本實施方式中係使用由鈉玻璃、硼矽酸玻璃、石英玻璃等絕緣體材料而成之載板3,但載板3的材質、形狀、結構、大小等並無特別限制。例如,亦可將由半導體、陶瓷、樹脂、金屬等材料而成之板等使用作為載板3。亦可將圓盤狀的半導體晶圓等作為載板3。
透過暫接著層5,在載板3的第一面3a側設有工件7。暫接著層5例如係藉由將金屬膜或絕緣體膜等重疊而形成於第一面3a的大致整個表面,且具有將載板3與工件7接著的功能。又,暫接著層5也可能藉由發揮作為接著劑之功能的樹脂膜等所構成。
暫接著層5的厚度例如為20μm以下,代表性為5μm。在後述載板除去步驟中從工件7剝離並除去載板3時,此暫接著層5被分離成與載板3側密接之第一部分5a(參閱圖4(C))及與工件7側密接之第二部分5b(參閱圖4(C))。
工件7例如亦被稱為封裝面板或封裝晶圓等,其包含:配線層(RDL)(未圖示),其與暫接著層5相接;多個元件晶片9,其與配線層接合;及封膜樹脂層11,其將各元件晶片9密封。此工件7例如被構成為在俯視下與載板3大致相同的大小、形狀。又,工件7的厚度例如為1.5mm以下,代表性為0.6mm。
此外,工件7的第一面(正面)7a側亦可利用研削等方法進行加工。又,在工件7內相鄰的元件晶片9之間的區域,設定分割預定線(切斷預定線)。藉由沿著任意的分割預定線將工件7切斷,工件7被分割成分別包含一個或多個元件晶片9之多個工件片。
只要沿著全部分割預定線將工件7(或工件片)切斷,即能得到與各元件晶片9對應之多個封裝元件。但是,工件7的材質、形狀、結構、大小等並無特別限制。例如,工件7也可能主要由配線層所構成,而不含元件晶片9或封膜樹脂層11等。
在本實施方式的載板之除去方法中,首先,進行階梯部形成步驟,所述階梯部形成步驟係在構成上述複合基板1之載板3的外周部形成階梯部。具體而言,首先,保持複合基板1的載板3側且使工件7側於上方露出。圖1(B)係表示在階梯部形成步驟中保持複合基板1的載板3側之狀況的剖面圖。此外,在圖1(B)中,以功能方塊表示一部分的構成要件。
此階梯部形成步驟係使用圖1(B)等所示之切割裝置2來進行。切割裝置2具備用於保持複合基板1之卡盤台4。卡盤台4例如包含:圓筒狀的框體6,其係由以不鏽鋼為代表之金屬材料而成;及保持板8,其係由多孔質材料而成且被配置於框體6的上部。
保持板8的上表面成為用於吸引、保持複合基板1的載板3側之保持面8a。此保持板8的下表面側透過設於框體6的內部之流路6a及閥10等而連接於吸引源12。因此,只要將閥10開啟,即可使吸引源12的負壓作用於保持面8a。
卡盤台4(框體6)係與馬達等旋轉驅動源(未圖示)連結,藉由此旋轉驅動源所產生的力,而繞著相對於上述保持面8a呈大致垂直的旋轉軸旋轉。又,卡盤台4(框體6)係被加工進給機構(未圖示)支撐,並在相對於上述保持面8a呈大致平行的加工進給方向移動。
在保持複合基板1的載板3側且使工件7側於上方露出時,如圖1(B)所示,例如,使載板3的第二面3b與卡盤台4的保持面8a接觸。然後,將閥10開啟,使吸引源12的負壓作用於保持面8a。藉此,藉由卡盤台4保持複合基板1的載板3側,使工件7側於上方露出。
在保持複合基板1的載板3側且使工件7側於上方露出後,沿著載板3的外周緣形成階梯部。圖2(A)係表示在階梯部形成步驟中在載板3形成階梯部3c之狀況的剖面圖。此外,在圖2(A)中,以功能方塊表示一部分的構成要件。
如圖2(A)所示,在卡盤台4的上方配置有切割單元14。切割單元14具備主軸16,所述主軸16成為相對於保持面8a呈大致平行的旋轉軸。在主軸16的一端側,裝設有將磨粒分散於結合材料而成之環狀的切割刀片18。
在主軸16的另一端側連結有馬達等旋轉驅動源(未圖示),裝設於主軸16的一端側之切割刀片18係藉由此旋轉驅動源所產生的力而旋轉。切割單元14例如被升降機構(未圖示)與分度進給機構(未圖示)支撐,而在相對於保持面8a呈大致垂直的垂直方向、與相對於鉛直方向及加工進給方向呈大致垂直的分度進給方向進行移動。
在載板3形成階梯部3c時,首先,使保持有複合基板1之卡盤台4旋轉,並使成為加工對象之載板3的外周緣的一部分(在俯視下相當於矩形的一邊之部分)相對於加工進給方向呈大致平行。接著,使卡盤台4與切割單元14相對地移動,將切割刀片18定位於上述外周緣的一部分的延長線上方。
又,將切割刀片18的下端定位於比載板3的第一面3a更低且比第二面3b更高的位置。之後,一邊使切割刀片18旋轉一邊使卡盤台4在加工進給方向移動。藉此,如圖2(A)所示,使切割刀片18從第一面3a側沿著載板3的外周緣的一部分切入,可將相當於此外周緣的一部分之載板3的外周部的一部分進行加工。
於此,使切割刀片18切入至未到達載板3的第二面3b之深度。因此,在外周部的一部分,形成第二面3b側比第一面3a側更往側面(在相對於第一面3a或第二面3b呈平行的方向上朝外)突出之階段狀的階梯部3c。
載板3(外周部)與切割刀片18的重疊寬度(亦即,所形成之階梯部3c的寬度或突出量)被設定在不會對從工件7切下之封裝元件等造成影響的範圍內。例如,在設定於工件7的外周部之剩餘區域(外周剩餘區域)的寬度為寬之情形中,可將載板3(外周部)與切割刀片18的重疊寬度(階梯部3c的寬度)設定為寬。若考量載板3的除去簡易度等,則階梯部3c的寬度較佳為被設定在例如0.2mm以上且5mm以下。
如上所述,暫接著層5及工件7被構成為在俯視下與載板3大致相同的大小、形狀。因此,若使切割刀片18從設有工件7之第一面3a側切入載板3的外周部的一部分,則暫接著層5及工件7所對應的區域亦同時被除去。
在以如上述般的順序在載板3的外周部的一部分形成階梯部3c後,以同樣的順序亦在載板3的外周部的其他部分形成階梯部3c。若在載板3的整個外周部形成階梯部3c,則階梯部形成步驟結束。圖2(B)係表示已在載板3的整個外周部形成階梯部3c之狀態的剖面圖。
此外,在本實施方式中,如圖2(B)所示,在載板3的整個外周部形成有階梯部3c,但階梯部3c只要至少被形成於載板3的外周部的任意一部分即可。又,在載板或工件在俯視下為圓形(亦即,圓盤狀)之情形中,例如,一邊使切割刀片18切入載板的外周部一邊使卡盤台4旋轉,藉此可在載板形成階梯部。
在階梯部形成步驟之後,進行貼附步驟,所述貼附步驟係在工件7露出的第一面7a貼附黏著膠膜,且將此黏著膠膜的外周部貼附於環狀的框架。圖3係表示在貼附步驟中已將黏著膠膜21貼附於工件7後之狀態的剖面圖。黏著膠膜21例如包含:基材,其被構成為大於工件7(第一面7a的對角線)的圓形薄膜狀;及接著層(糊層),其被設置於基材的一面。
黏著膠膜21的基材,例如係使用聚烯烴、氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等材料所形成,黏著膠膜21的接著層例如係使用丙烯酸系或橡膠系材料所形成。在貼附步驟中,例如,使黏著膠膜21的接著層的中央部側與工件7的第一面7a密接。藉此,將黏著膠膜21的中央部貼附於工件7的第一面7a。
又,在貼附步驟中,使黏著膠膜21的接著層的外周部側與由不鏽鋼(SUS)或鋁等金屬所形成之環狀的框架23密接。於此,環狀的框架23係以其開口部容納工件7之方式被配置於包圍工件7的位置。藉此,將黏著膠膜21的外周部貼附於環狀的框架23,工件7成為透過黏著膠膜21而被環狀的框架23支撐的狀態。
此外,在此貼附步驟中,可在將黏著膠膜21貼附於工件7後,再將黏著膠膜21貼附於框架23,亦可在將黏著膠膜21貼附於框架23後,再將黏著膠膜21貼附於工件7。當然,亦可同時進行在工件7上貼附黏著膠膜21與在框架23上貼附黏著膠膜21。又,在本實施方式中,使用設有貫通孔21a之黏著膠膜21,所述貫通孔21a係在黏著膠膜21之貼附於工件7的部分與貼附於框架23的部分之間的區域,於厚度方向貫通黏著膠膜21。
在貼附步驟之後,進行保持步驟,所述保持步驟係透過黏著膠膜21而從上方保持複合基板1的工件7側。圖4(A)係表示關於保持步驟的剖面圖。保持步驟係使用圖4(A)等所示之剝離裝置22而進行。剝離裝置22具備用於從上方保持複合基板1的工件7側之保持單元24。
在保持單元24的下部形成有保持面24a,所述保持面24a具有與工件7的第一面7a相同程度的大小。吸引源(未圖示)透過流路(未圖示)及閥(未圖示)等而連接於此保持面24a。因此,只要將閥開啟,即可使吸引源的負壓作用於保持面24a。又,保持單元24係被升降機構(未圖示)支撐,且在垂直方向移動。
在保持步驟中,如圖4(A)所示,例如,在將工件7定位於載板3的上方之狀態,使保持單元24的保持面24a與貼附於工件7之黏著膠膜21接觸。亦即,透過黏著膠膜21,使保持單元24的保持面24a與工件7的第一面7a接觸。然後,將閥開啟,使吸引源的負壓作用於保持面24a。藉此,透過黏著膠膜21,藉由保持單元24從上方保持複合基板1的工件7側。
在保持步驟之後,進行從工件7除去載板3之載板除去步驟。圖4(B)係表示關於載板除去步驟的剖面圖,圖4(C)係表示已從工件7除去載板3之狀態的剖面圖。接著使用剝離裝置22來進行此載板除去步驟。
如圖4(B)所示,在保持單元24的側面,於相當於被此保持單元24所保持之複合基板1的階梯部3c與黏著膠膜21的貫通孔21a之位置,配置有棒狀的推壓構件26。此推壓構件26例如係被與使保持單元24移動的升降機構不同的升降機構(未圖示)支撐,獨立於保持單元24且在垂直方向移動。
在載板除去步驟中,首先,使保持單元24與推壓構件26一起往上方移動,將保持於保持單元24之複合基板1抬起。亦即,使載板3的第二面3b側於下方露出。接著,以維持著保持單元24的位置使推壓構件26的下端通過貫通孔21a之方式,使推壓構件26往下方移動,而使推壓構件26的下端與階梯部3c接觸。亦即,藉由已***貫通孔21a之推壓構件26,而對載板3的階梯部3c施加向下的力。
如上所述,透過黏著膠膜21,藉由保持單元24從上方保持複合基板1的工件7側。因此,若藉由推壓構件26對載板3的階梯部3c施加向下的力,則載板3以暫接著層5為交界而從工件7剝離並落下。亦即,載板3往離開工件7的方向移動。若從工件7分離整個載板3,從工件7除去載板3,則結束載板除去步驟。
如上所述,本實施方式的載板之除去方法中,從設有工件7之載板3的第一面(正面)3a側,沿著載板3的外周緣,將載板3的外周部進行加工,形成載板3的第二面(背面)3b側比載板3的第一面3a側更往側面突出之階梯部3c。因此,在以保持單元24從上方保持工件7的狀態,藉由對階梯部3c施加向下的力,而可輕易地從工件7除去載板3。
又,因可利用施加至階梯部3c的向下的力以及作用於載板3的重力,故即使在施加至階梯部3c的向下的力為小之情形,亦可從工件7除去載板3。再者,在從工件7除去載板3之前,於工件7貼附黏著膠膜21,預先成為藉由環狀的框架23保持工件7的狀態,因此在從工件7除去載板3後,工件7變得不易翹曲。
此外,本發明並不受限於上述實施方式的記載,能進行各種變更並實施。例如,上述實施方式的推壓構件26被構成為獨立於保持單元24且可在垂直方向移動,但此推壓構件26只要至少可相對於保持單元24進行相對移動即可。
例如,亦可將推壓構件26固定於剝離裝置22的框體(未圖示)等,僅使保持單元24移動,藉此使推壓構件26相對於保持單元24進行相對移動。又,在上述實施方式中係使用1個推壓構件26,但亦可使用多個推壓構件26。
又,在上述實施方式中,係藉由使切割刀片18從工件7側沿著載板3的外周緣切入而形成階梯部3c,但例如亦可藉由從工件7側沿著載板3的外周緣照射雷射光束而形成階梯部3c。在此情形中,使用可照射至少會被載板3吸收之波長的雷射光束之雷射加工裝置(雷射加工單元)以取代切割裝置2(切割單元14)。
又,在載板除去步驟中將載板3除去時,亦可將流體吹入載板3與工件7之間(相當於暫接著層5的區域)。圖5(A)係表示關於第一變化例之載板除去步驟的剖面圖。如圖5(A)所示,在此第一變化例所使用之剝離裝置22的保持單元24的側面,配置有噴嘴32。流體34的供給源(未圖示)透過流路(未圖示)及閥(未圖示)等連接於噴嘴32。
從此噴嘴32,在將流體34吹入載板3與工件7之間後以推壓構件26對階梯部3c施加向下的力,或一邊將流體34吹入載板3與工件7之間一邊以推壓構件26對階梯部3c施加向下的力,藉此可更容易地從工件7剝離載板3。作為吹入載板3與工件7之間的流體34,例如,可使用空氣或水等。但是,流體34的種類等並無特別限制。
又,在載板除去步驟中將載板3除去時,亦可將載板3與工件7沉入液體。圖5(B)係表示關於第二變化例之載板除去步驟的剖面圖。如圖5(B)所示,在此第二變化例所使用之剝離裝置22的保持單元24的下方,配置有可容納載板3與工件7之大小的槽42。在槽42內存放水等液體44。
在將載板3與工件7沉入槽42內的液體44之狀態,若以推壓構件26對階梯部3c施加向下的力,從工件7剝離載板3,則從工件7剝離之載板3會落下至液體44中。其結果,相較於使載板3在空氣中落下之情形,落下所伴隨的衝擊變小,而可防止載板3的損壞、剝離裝置22的振動等。
此外,亦可使液體44包含界面活性劑。作為液體44中所包含的界面活性劑,可使用容易侵入暫接著層5之陰離子界面活性劑或陽離子界面活性劑等。如此,藉由使液體44中包含容易侵入暫接著層5之界面活性劑,而暫接著層5變得容易從界面活性劑侵入之區域分離,而可更容易地從工件7剝離載板3。
又,在第二變化例中,在將載板3與工件7沉入液體44後,在以推壓構件26對階梯部3c施加向下的力時,亦可對此推壓構件26賦予超音波等振動。具體而言,一邊對推壓構件26賦予超音波等振動一邊以此推壓構件26對階梯部3c施加向下的力。在此情形中,藉由從推壓構件26傳來的振動的作用,可更容易地從工件7剝離載板3。
同樣地,在將載板3與工件7沉入液體44後,在以推壓構件26對階梯部3c施加向下的力時,亦可對液體44賦予超音波等振動。具體而言,一邊對液體44賦予超音波等振動,一邊以推壓構件26對階梯部3c施加向下的力。在此情形中,藉由從液體44傳來的振動的作用,可更容易地從工件7剝離載板3。
又,亦可對於第二變化例進一步組合第一變化例。亦即,在將載板3與工件7沉入液體44後,亦可將流體吹入載板3與工件7之間(相當於暫接著層5的區域)。例如,在將流體34吹入載板3與工件7之間後以推壓構件26對階梯部3c施加向下的力,或一邊將流體34吹入載板3與工件7之間一邊以推壓構件26對階梯部3c施加向下的力,藉此可更容易地從工件7剝離載板3。
此外,上述實施方式及變化例的結構、方法等,在不脫離本發明之目的的範圍內,可適當變更而實施。
1:複合基板 3:載板 3a:第一面(正面) 3b:第二面(背面) 3c:階梯部 5:暫接著層 7:工件 7a:第一面(正面) 9:元件晶片 11:封膜樹脂層 21:黏著膠膜 21a:貫通孔 23:框架 2:切割裝置 4:卡盤台 6:框體 6a:流路 8:保持板 8a:保持面 10:閥 12:吸引源 14:切割單元 16:主軸 18:切割刀片 22:剝離裝置 24:保持單元 24a:保持面 26:推壓構件 32:噴嘴 34:流體 42:槽 44:液體
圖1(A)係表示包含載板與工件之複合基板的構成例的剖面圖,圖1(B)係表示在階梯部形成步驟中保持複合基板的載板側之狀況的剖面圖。 圖2(A)係表示在階梯部形成步驟中在載板形成階梯部之狀況的剖面圖,圖2(B)係表示在載板的整個外周部形成有階梯部之狀態的剖面圖。 圖3係表示在貼附步驟中已將黏著膠膜貼附於工件後之狀態的剖面圖。 圖4(A)係表示關於保持步驟的剖面圖,圖4(B)係表示關於載板除去步驟的剖面圖,圖4(C)係表示關於已從工件除去載板後之狀態的剖面圖。 圖5(A)係表示關於第一變化例之載板除去步驟的剖面圖,圖5(B)係表示關於第二變化例之載板除去步驟的剖面圖。
1:複合基板
3:載板
3a:第一面(正面)
3b:第二面(背面)
3c:階梯部
5:暫接著層
7:工件
7a:第一面(正面)
9:元件晶片
11:封膜樹脂層
21:黏著膠膜
21a:貫通孔
23:框架

Claims (7)

  1. 一種載板之除去方法,其係從透過暫接著層而設置於載板的正面之工件除去該載板,且特徵在於,包含下述步驟: 階梯部形成步驟,其從設有該工件之該正面側沿著該載板的外周緣將該載板的外周部進行加工,形成該載板的背面側比該載板的該正面側更往側面突出之階梯部; 貼附步驟,其在實施該階梯部形成步驟後,於該工件之在與該載板為相反側露出的正面貼附黏著膠膜,且將該黏著膠膜的外周部貼附於環狀的框架; 保持步驟,其在實施該貼附步驟後,在該工件被定位於該載板上方的狀態,透過該黏著膠膜以保持單元從上方保持該工件;及 載板除去步驟,其在實施該保持步驟後,以推壓構件對該階梯部施加向下的力,使該載板往離開該工件的方向移動,藉此從該工件除去該載板。
  2. 如請求項1之載板之除去方法,其中, 在該黏著膠膜設有使該推壓構件通過的貫通孔, 在該載板除去步驟中,利用已***該貫通孔之該推壓構件,對該階梯部施加向下的力,而從該工件除去該載板。
  3. 如請求項1或2之載板之除去方法,其中,在該載板除去步驟中,係在將流體吹入該工件與該載板之間後對該階梯部施加向下的力,或一邊將流體吹入該工件與該載板之間一邊對該階梯部施加向下的力,而從該工件除去該載板。
  4. 如請求項1或2之載板之除去方法,其中,在該載板除去步驟中,在將該工件與該載板沉入液體的狀態,對該階梯部施加向下的力。
  5. 如請求項4之載板之除去方法,其中,使該液體包含界面活性劑。
  6. 如請求項5之載板之除去方法,其中,在該載板除去步驟中,係在將該工件與該載板沉入該液體的狀態,一邊對該推壓構件賦予振動一邊對該階梯部施加向下的力。
  7. 如請求項5之載板之除去方法,其中,在該載板除去步驟中,在將該工件與該載板沉入該液體的狀態,一邊對該液體賦予振動一邊對該階梯部施加向下的力。
TW110126127A 2020-07-20 2021-07-15 載板之除去方法 TW202205462A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020123764A JP7511979B2 (ja) 2020-07-20 2020-07-20 キャリア板の除去方法
JP2020-123764 2020-07-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202205462A true TW202205462A (zh) 2022-02-01

Family

ID=79460393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110126127A TW202205462A (zh) 2020-07-20 2021-07-15 載板之除去方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7511979B2 (zh)
KR (1) KR20220011075A (zh)
CN (1) CN113964074A (zh)
TW (1) TW202205462A (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5222756B2 (ja) 2009-02-24 2013-06-26 リンテック株式会社 剥離装置及び剥離方法
US9847243B2 (en) 2009-08-27 2017-12-19 Corning Incorporated Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave
JP2011228337A (ja) 2010-04-15 2011-11-10 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥がし方法およびウエハ剥がし装置
JP6529321B2 (ja) 2015-04-14 2019-06-12 株式会社ディスコ デバイスパッケージの製造方法
JP7187112B2 (ja) 2018-08-13 2022-12-12 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220011075A (ko) 2022-01-27
JP7511979B2 (ja) 2024-07-08
JP2022020332A (ja) 2022-02-01
CN113964074A (zh) 2022-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI790395B (zh) 載板的去除方法
TWI816969B (zh) 載板移除方法
TW202220039A (zh) 載板之除去方法
JP7262904B2 (ja) キャリア板の除去方法
TWI782189B (zh) 剝離方法
TW202205462A (zh) 載板之除去方法
JP7262903B2 (ja) キャリア板の除去方法
TWI845749B (zh) 載板之除去方法
KR102688210B1 (ko) 캐리어판의 제거 방법
TWI845750B (zh) 載板之除去方法
JP2023018321A (ja) キャリア板の除去方法