JP2019134037A - 積層圧電セラミック部品の製造方法、積層圧電セラミック部品及び圧電デバイス - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 192
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 14
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims description 9
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N30/80—Constructional details
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- H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
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- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
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- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
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- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/085—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining
- H10N30/088—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining by cutting or dicing
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
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- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
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- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
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Abstract
Description
上記積層体を焼成する。
焼成された上記積層体を切断し、上記内部電極を露出させる。
上記内部電極は、卑金属を含み、上記圧電セラミック体の内部に形成され、上記圧電セラミック体の表面に露出する。
上記積層圧電セラミック部品は、圧電セラミック体と、卑金属を含み、上記圧電セラミック体の内部に形成され、上記圧電セラミック体の表面に露出する内部電極とを具備する。
図1及び図2は、本実施形態に係る積層圧電セラミック部品100の斜視図であり、図2は図1の反対側から見た図である。
積層圧電セラミック部品100は、第1内部電極102と第2内部電極103の間と、第3内部電極104と第2内部電極103の間にそれぞれ独立して電圧を印加することができる。
積層圧電セラミック部品100は、上述のように第1内部電極102、第2内部電極103及び第3内部電極104が第1側面101a及び第2側面101bに露出した構造を有する。
積層圧電セラミック部品100は絶縁膜を備えていてもよい。図14は、絶縁膜112を備える積層圧電セラミック部品100を示す斜視図である。
積層圧電セラミック部品100の製造方法について説明する。
上記のように積層圧電セラミック部品100の製造工程においては、焼成後に積層体270をカットする。このカットにより長手方向(X方向)の寸法制御が向上するとともに、拘束部(サイドマージン)の除去により活性部を最大化することができる。
積層圧電セラミック部品100は振動部材に実装され、圧電デバイスを構成することができる。図20は積層圧電セラミック部品100を備える圧電デバイス500の模式図である。同図に示すように圧電デバイス500は積層圧電セラミック部品100、振動部材510及び接合部520を備える。
上記説明において第1内部電極102及び第3内部電極104は、第1側面101a、第2側面101b及び第1端面101cにおいて露出し、第2内部電極103は第1側面101a、第2側面101b及び第2端面101dにおいて露出するとしたがこれに限られない。第1内部電極102、第2内部電極103及び第3内部電極104の少なくともいずれか一つが圧電セラミック体101のいずれかの表面から露出するものであってもよい。
101…圧電セラミック体
101a…第1側面
101b…第2側面
101c…第1端面
101d…第2端面
101e…上面
101f…下面
101g…第1領域
101h…第2領域
102…第1内部電極
103…第2内部電極
104…第3内部電極
105…第1表面電極
106…第2表面電極
107…第1端面端子電極
108…第2端面端子電極
109…第3端面端子電極
110…第1表面端子電極
111…第2表面端子電極
112…絶縁膜
500…圧電デバイス
510…振動部材
520…接合部
Claims (12)
- 圧電性セラミック材料からなるセラミックグリーンシートであって、卑金属を含み、内部電極となる導電パターンが前記セラミックグリーンシートの外縁より内側に形成されたセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成するステップと、
前記積層体を焼成するステップと、
焼成された前記積層体を切断し、前記内部電極を露出させるステップと
を含む積層圧電セラミック部品の製造方法。 - 請求項1に記載の積層圧電セラミック部品の製造方法であって、
前記導電パターンは、Ni、Cu又はNi合金を含む導電ペーストにより形成されている
積層圧電セラミック部品の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の積層圧電セラミック部品の製造方法であって、
前記積層体にはマーカーが設けられ、
前記内部電極を露出させるステップでは、前記マーカーの位置で前記積層体を切断する
積層圧電セラミック部品の製造方法。 - 請求項3に記載の積層圧電セラミック部品の製造方法であって、
前記マーカーは、前記マーカーを結ぶ仮想線が前記導電パターンを通過するように形成されている
積層圧電セラミック部品の製造方法。 - 請求項1から4のうちいずれか一項に記載の積層圧電セラミック部品の製造方法であって、
前記内部電極は、第1の内部電極と、記第1の内部電極と厚さ方向に所定の距離をおいて交互に積層された第2の内部電極とを含む
積層圧電セラミック部品の製造方法。 - 請求項5に記載の積層圧電セラミック部品の製造方法であって、
前記積層体の切断により形成された圧電セラミック体は、長さ>幅>厚さである直方体形状であり、厚さ方向に対向する上面および下面と、長さ方向に対向する第1の端面および第2の端面と、幅方向に対向する一対の側面とを有し、
前記第1の内部電極は、前記第1の端面に引き出され、
前記第2の内部電極は、前記第2の端面に引き出されている
積層圧電セラミック部品の製造方法。 - 請求項6に記載の積層圧電セラミック部品の製造方法であって、
前記第1の内部電極及び前記第2の内部電極の幅と、前記一対の側面の間の距離は同一である
積層圧電セラミック部品の製造方法。 - 請求項5に記載の積層圧電セラミック部品の製造方法であって、
前記内部電極は、前記第2の内部電極と厚さ方向に所定の距離をおいて交互に積層された第3の内部電極をさらに含む
積層圧電セラミック部品の製造方法。 - 請求項8に記載の積層圧電セラミック部品の製造方法であって、
前記積層体の切断により形成された圧電セラミック体は、長さ>幅>厚さである直方体形状であり、厚さ方向に対向する上面および下面と、長さ方向に対向する第1の端面および第2の端面と、幅方向に対向する一対の側面とを有し、
前記第1の内部電極は、前記第1の端面に引き出され、
前記第2の内部電極は、前記第2の端面に引き出され、
前記第3の内部電極は、前記第1の端面に引き出されている
積層圧電セラミック部品の製造方法。 - 請求項9に記載の積層圧電セラミック部品の製造方法であって、
前記第1の内部電極、前記第2の内部電極及び前記第3の内部電極の幅と、前記一対の側面の間の距離は同一である
積層圧電セラミック部品の製造方法。 - 圧電セラミック体と、
卑金属を含み、前記圧電セラミック体の内部に形成され、前記圧電セラミック体の表面に露出する内部電極と
を具備する積層圧電セラミック部品。 - 振動部材と、
前記振動部材に実装された積層圧電セラミック部品とを具備し、
前記積層圧電セラミック部品は、
圧電セラミック体と、
卑金属を含み、前記圧電セラミック体の内部に形成され、前記圧電セラミック体の表面に露出する内部電極とを具備する
圧電デバイス。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018013964A JP2019134037A (ja) | 2018-01-30 | 2018-01-30 | 積層圧電セラミック部品の製造方法、積層圧電セラミック部品及び圧電デバイス |
US16/258,391 US20190237657A1 (en) | 2018-01-30 | 2019-01-25 | Method of producing a multi-layer piezoelectric ceramic component, multi-layer piezoelectric ceramic component, and piezoelectric device |
CN201910090593.8A CN110098314A (zh) | 2018-01-30 | 2019-01-30 | 层叠压电陶瓷部件及其制造方法和压电器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018013964A JP2019134037A (ja) | 2018-01-30 | 2018-01-30 | 積層圧電セラミック部品の製造方法、積層圧電セラミック部品及び圧電デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019134037A true JP2019134037A (ja) | 2019-08-08 |
Family
ID=67393692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018013964A Pending JP2019134037A (ja) | 2018-01-30 | 2018-01-30 | 積層圧電セラミック部品の製造方法、積層圧電セラミック部品及び圧電デバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190237657A1 (ja) |
JP (1) | JP2019134037A (ja) |
CN (1) | CN110098314A (ja) |
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JPS61120414A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-07 | 関西日本電気株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
JPS61239682A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Tohoku Metal Ind Ltd | 積層型圧電バイモルフ素子の製造方法 |
JP2004095593A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Kyocera Corp | 積層型圧電素子及び噴射装置 |
WO2005071769A1 (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電素子及び積層型圧電素子 |
WO2015145906A1 (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | 京セラ株式会社 | 音響発生器およびこれを備えた音響発生装置、電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110098314A (zh) | 2019-08-06 |
US20190237657A1 (en) | 2019-08-01 |
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