JP2019121679A - 電子装置及び電子装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図2は一形態に係る電子装置の説明図である。図2(A)には、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。図2(B)には、図2(A)のX部の一例の拡大断面図を模式的に示している。
部品1100及び部品1200には、例えば、いずれか一方に、電子装置1000の動作時に熱を発生する発熱部品が用いられ、他方に、その発生した熱を放熱する放熱部品が用いられる。発熱部品としては、半導体チップ(半導体素子)、回路基板とそれに搭載された半導体チップとを含む半導体パッケージ(半導体装置)等の部品が挙げられる。放熱部品としては、ヒートシンク、回路基板等の部品が挙げられる。このような部品1100及び部品1200が、接合層1300を介して接合される。
まず、第1の実施の形態について説明する。
図1は第1の実施の形態に係る電子装置の説明図である。図1には、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。
導体層10は、例えば、接合層30を介して接合される図示しない部品群のうちの、一方の部品に設けられる、熱伝導層や電極層等の導体層である。導体層10には、Cu、Ag、Auといった金属材料等、比較的熱伝導性の高い各種導体材料が用いられる。
次に、第2の実施の形態について説明する。
図3に示すように、電子装置1Aは、部品100、導体層10、導体層20及び接合層30を含む。
図5は第2の実施の形態に係る導体粒子の構成例を示す図である。図5(A)には、導体粒子の第1の構成例の要部断面図を模式的に示している。図5(B)には、導体粒子の第2の構成例の要部断面図を模式的に図示している。
図6〜図8は第2の実施の形態に係るモジュールの構成例を示す図である。図6、図7、図8(A)及び図8(B)にはそれぞれ、モジュールの一例の要部断面図を模式的に示している。図6、図7、図8(A)及び図8(B)では一例として、上記図4(A)に示したような構成を含むモジュールを示している。
電子部品100Aは、半導体チップ、半導体パッケージ等の発熱部品である。このような電子部品100A上に、Cu、Ag、Au等の導体層10が設けられる。導体層10上には、Snを含む導体層20が設けられ、これら導体層10及び導体層20の上に、樹脂31及び導体粒子32群を含む接合層30が設けられる。接合層30の導体粒子32群には、導体層20上の導体粒子32a群、及び導体層20を貫通して導体層10に複数箇所で接続される導体粒子32b群が含まれる。このような接合層30上に、その樹脂31によってヒートシンク200Aが接着され、電子部品100Aとヒートシンク200Aとが熱的及び機械的に接続される。
電子部品100Bは、半導体チップ、半導体パッケージ等の発熱部品である。回路基板200B上に、Cu、Ag、Au等の導体層10が設けられ、導体層10上に、Snを含む導体層20が設けられ、導体層10及び導体層20の上に、樹脂31及び導体粒子32群を含む接合層30が設けられる。接合層30の導体粒子32群には、導体層20上の導体粒子32a群、及び導体層20を貫通して導体層10に複数箇所で接続される導体粒子32b群が含まれる。このような接合層30上に、その樹脂31によって電子部品100Bが接着され、回路基板200Bと電子部品100Bとが熱的及び機械的に接続される。
図8(A)に示すモジュール2Baは、電子部品100B上に設けられた端子110と、回路基板200B上に設けられた端子210とが、ワイヤ410で接続(ワイヤボンディング)された構成を有する。このような構成により、電子部品100Bと回路基板200Bとが電気的(及び機械的)に接続される。電子部品100Bと回路基板200Bとの熱的(及び機械的)な接続は、それらの間に介在される導体層10、導体層20及び接合層30によって行われる。
ここでは、上記のような構成を有する電子装置の製造方法を、第3の実施の形態として説明する。
導体層10及び導体層20の上にペースト33が形成された時(図9(C))には、図10(A)に示すように、ペースト33の樹脂31及び導体粒子32群が、導体層20上に形成されると共に、導体層20の開口部21内に形成される。
上記のように、電子装置1の形成においては、開口部21を有する導体層20上にペースト33を形成する際(図9(C)及び図10(A))、塗布法、印刷法等により、導体層20上とその開口部21内とに、一括でペースト33を形成することができる。このほか、電子装置1の形成においては、次の図11に示すような方法を採用することもできる。
ここでは、上記のような導体層10上の導体層20内に設けられる導体粒子32b群の幅について説明する。
図14には、導体層10上に、開口部21を有する導体層20が設けられ、その開口部21内の導体層10上に、粒径dの導体粒子32b群が縦横に配列されるとした時のモデル5を示している。
次に、第5の実施の形態について説明する。
次に、第6の実施の形態について説明する。
図18に示すように、例えば、上記第2の実施の形態で述べたようなモジュール2A(図6)が、各種電子機器500の筐体510内部に搭載(内蔵)される。
2A,2B,2Ba,2Bb モジュール
3,4 構造体
5 モデル
10,20,1120 導体層
21 開口部
30,1300 接合層
31,1310 樹脂
32,32a,32b,32c,32f,1320 導体粒子
32d コア粒子
32e 導体膜
33,33a,33b ペースト
34 パターン
100,200,1100,1200 部品
100A,100B 電子部品
110,120,210,220 端子
130 発熱源
200A ヒートシンク
200B,300A 回路基板
400,420 バンプ
410 ワイヤ
500 電子機器
510 筐体
1110 本体部
Claims (8)
- 第1導体層と、
前記第1導体層上に設けられた第2導体層と、
前記第2導体層上に設けられた樹脂と、
前記樹脂内に設けられた第1導体粒子群と、
前記第2導体層内に設けられ、前記第1導体粒子群と前記第1導体層とを接続する第2導体粒子群と
を含むことを特徴とする電子装置。 - 前記第2導体層は、前記第1導体層、前記第1導体粒子群及び前記第2導体粒子群よりも融点が低いことを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
- 前記第2導体粒子群の幅は、断面視で前記第2導体粒子の粒径の4倍以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子装置。
- 前記第2導体粒子群は、前記第2導体層内に、平面視で線状に延在されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電子装置。
- 前記第2導体粒子群が、前記第2導体層内に、平面視で線状に延在されたパターン群を含み、
前記第2導体層内に、前記パターン群の配置密度が異なる領域群が存在することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電子装置。 - 前記第1導体層の側に設けられた第1部品と、
前記樹脂及び前記第1導体粒子群の側に設けられた第2部品と
を含み、
前記第1部品及び前記第2部品のいずれか一方が熱を発生することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の電子装置。 - 前記パターン群の配置密度が異なる前記領域群のうち、前記パターン群の配置密度が高い領域は、前記熱の発生源に対応して存在することを特徴とする、請求項5を引用する請求項6に記載の電子装置。
- 第1導体層上に、前記第1導体層に通じる開口部を有する第2導体層を形成する工程と、
前記第2導体層上及び前記開口部内に、樹脂及び導体粒子群を含むペーストを形成する工程と、
前記ペーストの形成後、前記第2導体層を溶融する工程と
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
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KR20230021328A (ko) * | 2021-08-05 | 2023-02-14 | 엔트리움 주식회사 | 고방열 반도체 접합 구조체 및 이의 제조방법 |
KR102551078B1 (ko) * | 2021-08-05 | 2023-07-05 | 엔트리움 주식회사 | 고방열 반도체 접합 구조체 및 이의 제조방법 |
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