JP2008306010A - 放熱装置および放熱装置の製造方法 - Google Patents

放熱装置および放熱装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 組立時の作業性および製品の信頼性が高く、優れた放熱性能を有する放熱装置および放熱装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 発熱体13の熱を受け取る受熱部材11を有し、受熱部材11で受け取った熱を外部に放熱する放熱装置10において、受熱部材11の発熱体13側の受熱面11sに固設され発熱体13に向かって突出した熱伝導性の突起物14と、上記受熱面11sに、突起物14が埋まる厚さに形成された樹脂層12とを有する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、コンピュータ、表示装置、通信装置、機械制御装置などの電子機器に用いられる放熱装置および放熱装置の製造方法に関する。
近年、電子機器に用いられる電子デバイスの高機能化、高性能化に伴う電力量増加による発熱量の増加、および微細化プロセスによる発熱密度の上昇が著しくなり、放熱装置を取り付ける必要のある電子デバイスが増加している。
また、電子機器の軽薄・短小化の要望により放熱装置の高性能化が望まれており、流体シミュレーションを用いた構造の最適化、最新の材料加工技術による微細化、新規高熱伝導材料の採用など多角的に放熱性能の向上が図られている。
ところで、放熱装置の性能を向上させるには、電子デバイスなどの発熱体から発生する熱を放熱装置に効率よく伝えること、すなわち、発熱体と放熱装置との間の熱抵抗(RDH)を低く抑えることが必要である。
発熱体に放熱装置を取付ける際に、両者の接触面には、接触面の平滑度・平面度に応じて若干の空気層が生じる恐れがある。この空気層の熱伝導性は極めて低いため、空気層の存在は熱抵抗を増加させる原因になる。そこで、熱抵抗を低減するために、接触面の平滑度・平面度を高めて空気層を減らし、さらに空気層を取り除くために、発熱体と放熱装置を高い熱伝導性を有する熱接合材料(TIM:Thermal Interface Material)で接合するのが一般的である。
図7は、従来の放熱装置が取り付けられたLSIデバイスの例を示す図である。
図7(a)は、放熱フィン91aを有する放熱部材91と、接合材料により形成されたTIM層92とからなる放熱装置90、およびその放熱装置90をTIM層92を介してLSI(Large Scale Integration)デバイス93に接合して形成した放熱装置付きLSIデバイスの一例を示す図であり、図7(b)は、放熱フィン91aを有する放熱部材91と、該放熱部材91とヒートパイプ94で連結された受熱部材95と、TIM層92とからなる放熱装置96、およびその放熱装置96をLSIデバイス93に接合して形成した放熱装置付きLSIデバイスの他の例を示す図であり、図7(c)は、内部に液流路99を有する液冷ジャケット(受熱部材)97と、TIM層92とからなる放熱装置98、およびその放熱装置98をLSIデバイス93に接合して形成した放熱装置付きLSIデバイスの他の例を示す図である。
図8は、従来の放熱装置をLSIデバイスに接合して放熱装置付きのLSIデバイスを形成する方法を示す図である。
図8(a)に示すように、間にTIM層92を挟んで放熱部材91とLSIデバイス93とを重ね合わせた後、図8(b)に示すように、放熱部材91、TIM層92、およびLSIデバイス93に荷重Pを作用させることにより、放熱部材91とTIM層92が接合されるとともに、TIM層92とLSIデバイス93とが接合されて放熱装置付きのLSIデバイスが得られる。
以上説明した、TIM層を用いた放熱装置において熱抵抗を小さくするためには、
(1)TIM層の熱伝導率を上げる、
(2)TIM層と発熱体との熱抵抗およびTIM層と受熱部材との熱抵抗を下げる、
(3)発熱体と受熱部材との距離を短縮する、
などの方法があり、それぞれの方法について多くの改良がなされている。
TIM層の材質としては、一般に、グリス系(シリコーンオイルなどの非架橋樹脂に金属やセラミックなどの熱伝導フィラを混錬したもの)やシート系(シリコーンゴムなど、架橋できる樹脂に熱伝導フィラを充填し、架橋させたもの(例えば、特許文献1参照。)などが用いられている。
グリス系のTIM材は発熱体との接触がよく、薄く展延できるため放熱性能の点で有利であるが、TIM材の流動性が高いために発熱体と放熱装置を接合して組立てる際の作業性が悪く、ポンプアウト現象(温度衝撃で隙間からグリスが抜け出る現象)などが起きることがあり、製品の信頼性を低下させる恐れがある。
シート系のTIM材は取り扱いやすく組立時の作業性の点で有利であり、TIM材の中に熱伝導フィラを高密度で充填することができるのでTIM層の熱伝導率を上げることができるが、作業性のよさを生かすためにはある程度(100μm以上)の厚みが必要であり、それに伴い発熱体と受熱部材との距離が長くなり製品として不利となりやすいという問題がある。
このように、組立時の作業性、放熱性能、製品の信頼性のすべての点で満足できる放熱装置は得られていない。
特開2002−088171号公報
本発明は上記事情に鑑み、組立時の作業性および製品の信頼性が高く、優れた放熱性能を有する放熱装置および放熱装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成する本発明の放熱装置は、発熱体の熱を受け取る受熱部材を有し、該受熱部材で受け取った熱を外部に放熱する放熱装置であって、上記受熱部材の上記発熱体側の受熱面に固設され該発熱体に向かって突出した熱伝導性の突起物と、上記受熱面上に、上記突起物が埋まる厚さに形成された樹脂層とを有することを特徴とする。
本発明の放熱装置によれば、受熱部材の、発熱体側の受熱面に、発熱体に向かって突出した熱伝導性の突起物が固設された構造となっているので、突起物と樹脂層との接触面積が大きくなり、発熱体の熱は樹脂層を介して受熱部材と一体の突起物に効率よく吸収されるので、発熱体と受熱部材との熱抵抗が大幅に低減し、優れた放熱性能を有する放熱装置を得ることができる。
ここで、上記樹脂層は、高分子材料および熱伝導性フィラからなるものであることが好ましい。
本発明の放熱装置を上記のように構成した場合は、樹脂層の熱伝導率を高めることができるので、発熱体と受熱部材との熱抵抗をさらに低減させることができる。
また、上記突起物は、金属、合金、炭素、および炭素複合材の中から選択されたいずれかの材料からなるものであることが好ましい。
本発明の放熱装置を上記のように構成した場合は、突起物の熱伝導率を高めることができるので、発熱体と受熱部材との熱抵抗をさらに低減させることができる。
また、上記突起物は、30μm以上200μm以下の高さを有するものであることが好ましい。
本発明の放熱装置を上記のように構成した場合は、発熱体と受熱部材との距離を短くすることにより、発熱体と受熱部材との熱抵抗を低減させることができる。
また、上記突起物は、上記発熱体表面の発熱密度の大きい領域ほど高密度で形成されたものであることが好ましい。
本発明の放熱装置を上記のように構成した場合は、発熱体表面の発熱密度の大きい領域の熱抵抗を減少させることにより、低コストで効率のよい放熱装置を得ることができる。
また、上記樹脂層は、架橋した高分子材料で形成されたものであることが好ましい。
本発明の放熱装置を上記のように構成した場合は、リペアが容易となるため、組立時の作業性が向上する。
また、上記樹脂層は、50μm以上250μm以下の厚さを有するものであることが好ましい。
本発明の放熱装置を上記のように構成した場合は、発熱体と受熱部材との距離が短くなり、発熱体と受熱部材との熱抵抗をさらに低減させることができる。
また、上記目的を達成する本発明の第1の放熱装置の製造方法は、発熱体の熱を受け取る受熱部材を有し、該受熱部材で受け取った熱を外部に放熱する放熱装置の製造方法であって、上記受熱部材の、上記発熱体側の受熱面に、金属ペーストを突起物状に印刷するステップと、上記受熱部材に印刷された金属ペーストを焼成して上記受熱面に熱伝導性の突起物を形成するステップと、上記突起物が形成された受熱面に樹脂を塗布して該受熱面上に上記突起物を埋没させた樹脂層を形成するステップとを有することを特徴とする。
本発明の放熱装置の第1の製造方法によれば、受熱部材の受熱面に金属ペーストを印刷し焼成して熱伝導性の突起物を形成するので、放熱性能の優れた高信頼性の放熱装置を高い作業性で製造することができる。
また、上記目的を達成する本発明の第2の放熱装置の製造方法は、発熱体の熱を受け取る受熱部材を有し、該受熱部材で受け取った熱を外部に放熱する放熱装置の製造方法であって、上記受熱部材の、上記発熱体側の受熱面に、複数の空所を形成するための仕切り壁をレジストで形成するステップと、上記空所にハンダペーストを塗布するステップと、上記ハンダペーストの上に、上記空所よりも小さい寸法の金属ボールを配置するステップと、上記ハンダペースト上に上記金属ボールが配置された状態で該ハンダペーストをリフローするステップと、上記仕切り壁を形成しているレジストを除去するステップと、上記金属ボールがハンダ付けされた受熱面に樹脂を塗布して該受熱面上に該金属ボールを埋没させる樹脂層を形成するステップとを有することを特徴とする。
本発明の第2の放熱装置の製造方法によれば、受熱部材の受熱面に複数の空所を形成するための仕切り壁をレジストで形成し、該空所にハンダペーストを塗布し、その上に上記空所よりも小さい寸法の金属ボールを配置し、ハンダをリフローした後、レジストを除去し、その上に樹脂を塗布して該受熱面上に該金属ボールを埋没させる樹脂層を形成するので、放熱性能の優れた高信頼性の放熱装置を高い作業性で製造することができる。
また、上記目的を達成する本発明の第3の放熱装置の製造方法は、発熱体の熱を受け取る受熱部材を有し、該受熱部材で受け取った熱を外部に放熱する放熱装置の製造方法であって、上記受熱部材の、上記発熱体側の受熱面に、複数の空所を形成するための仕切り壁をレジストで形成するステップと、上記空所に該空所よりも小さい寸法の、表面にハンダが被覆された金属ボールを配置するステップと、上記空所に上記金属ボールが配置された状態で該金属ボール表面のハンダをリフローするステップと、上記仕切り壁を形成しているレジストを除去するステップと、上記金属ボールがハンダ付けされた受熱面に樹脂を塗布して該受熱面上に該金属ボールを埋没させる樹脂層を形成するステップとを有することを特徴とする。
本発明の第3の放熱装置の製造方法によれば、受熱部材の受熱面に複数の空所を形成するための仕切り壁をレジストで形成し、該空所の受熱面にハンダペーストを塗布し、上記空所に該空所よりも小さい寸法の、表面にハンダが被覆された金属ボールを配置し、ハンダをリフローした後、レジストを除去し、その上に樹脂を塗布して該受熱面上に該金属ボールを埋没させる樹脂層を形成するので、放熱性能の優れた高信頼性の放熱装置を高い作業性で製造することができる。
以上説明したように、本発明によれば、組立時の作業性および製品の信頼性が高く、優れた放熱性能を有する放熱装置、および、製品の信頼性が高く、優れた放熱性能を有する放熱装置を高い作業性で得ることのできる製造方法を実現することができる。
以下図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図1は、本発明の放熱装置の一実施形態を示す図である。
図1(a)には、LSIデバイス13の熱を受け取る受熱部材11を有し、受熱部材11で受け取った熱を外部に放熱する放熱装置10において、受熱部材11のLSIデバイス13側の受熱面11sに固設され発熱体13に向かって突出した熱伝導性の突起物14と、受熱面11sに、突起物14が埋まる厚さに形成されたTIM層12とを有する放熱装置10が示されている。
なお、本実施形態におけるTIM層12は、本発明にいう樹脂層の一例に相当するものであり、本実施形態におけるLSIデバイス13は、本発明にいう発熱体の一例に相当するものである。
図1(b)に示すように、LSIデバイス13とTIM層12とを接触させた状態で両者に荷重Pを作用させて接合させることにより、放熱装置付きLSIデバイスが得られる。こうすることにより、LSIデバイス13から発生する熱はTIM層12および突起物14を介して受熱部材11から外部に放熱される。
この突起物14の存在によって、突起物14および受熱部材11を含む受熱部分とTIM層12との接触面積が増加するとともに、突起物14の先端で荷重Pが分散されるため、ポンプアウト現象、すなわちLSIデバイス13と放熱装置10の熱応力差により生じる樹脂の押出し現象が緩和され、長期にわたり高い信頼性を保持することができる。
本実施形態におけるTIM層12としては、シリコーンオイルの非架橋樹脂からなる高分子材料に、酸化亜鉛からなる熱伝導性フィラを混練したものを用いている。高分子材料としては、上記シリコーンオイルに限られるものではない。また、高分子材料は架橋されたものでも、架橋されていないもののいずれであってもよい。また、熱伝導性フィラとしては、上記酸化亜鉛などのセラミックスに限られるものではなく、熱伝導率の高いものであれば、例えば、セラミックスまたは金属などであってもよい。
本実施形態におけるTIM層12は、120μmの厚さを有するものを用いているが、本発明にいう樹脂層としては、50μm以上250μm以下の厚さを有するものであればよい。
このTIM層12の厚さは、突起物14が埋まる厚さに形成される必要がある。TIM層の厚さが、突起物の高さよりも短いと、LSIデバイス13と受熱部材11とが直接接触してLSIデバイス13と放熱装置10との接合が不完全となり放熱性能を低下させたり、製品としての信頼性を低下させる恐れがある。
本実施形態では、TIM層12の厚さを120μmとし、突起物14の高さを100μmとしているので、突起物14の高さはTIM層12の厚さよりも20μm短く、LSIデバイス13と放熱装置10との接合が不完全となる恐れはない。
TIM層12の厚さと突起物14の高さとの差は小さいほど放熱性能の点では有利であるが、突起物14の高さの精度とのかねあいから20μm〜50μm程度であることが望ましい。
本実施形態における突起物14としては、銅が用いられているが、銅に限られるものではなく、金、銀、アルミニウム、ハンダなどの金属や、それらの合金、炭素、又は炭素複合材の中から選択されたいずれかの材料からなるものであってもよい。
突起物14を受熱部材10の表面に固設する方法としては種々の方法がある。例えば、金属ペーストの印刷および焼成による方法、金属ボールをマウントしハンダ接合する方法、植毛による方法などを採用することができるが、突起物14と受熱部材11との接合は、接触熱抵抗の小さい金属接合であることが最も望ましい。突起物の固設方法については後述する。
突起物14の形状は、球型(又は椀型)、錐型、繊維型、線型、又はそれらの複合型であってもよい。突起物14の形状については後述する。
また、本実施形態では、突起物14は、高さ100μmのものを用いているが、本発明にいう突起物は、30μm以上200μm以下の高さを有するものであればよい。なお、前述のTIM層の厚さと突起物の高さとの関係から、突起物の高さの精度は±10μm以下であることが望ましい。
また、この突起物14は、上記LSIデバイス13表面の発熱密度の大きい領域ほど高密度で形成することが好ましい。このように発熱体表面の発熱密度の大きい領域ほど高密度で突起物を形成した場合には、発熱体表面の発熱密度の大きい領域の熱抵抗を効果的に減少させることができるので、低コストで放熱性能のよい放熱装置を得ることができる。
次に、突起物の形状について説明する。
図2は、本実施形態の放熱装置における突起物の平面形状を示す図である。
図2(a)には、受熱部材11aの受熱面11sに固設され発熱体に向かって突出した複数の球型(又は椀型)突起物14aが示されている。
図2(b)には、受熱部材11bの受熱面11sに固設され発熱体に向かって突出した複数の四角錐台型突起物14bが示されている。
図2(c)には、受熱部材11cの受熱面11sに固設され発熱体に向かって突出した複数の繊維型突起物14cが示されている。
図2(d)には、受熱部材11dの受熱面11sに固設され発熱体に向かって突出した複数の線型突起物14dが示されている。
このように、突起物の形状は、受熱部材の受熱面に固設され発熱体に向かって突出して樹脂層内に埋設される形状のものであれば、どのような形状であってもよい。
次に、本発明の放熱装置の製造方法の第1の実施形態について説明する。
図3は、第1の実施形態の放熱装置の製造方法の各ステップを示す概要図である。
この第1の実施形態の放熱装置の製造方法は、本発明の第1の放熱装置の製造方法に対応するものである。
この第1の実施形態の製造方法では、先ず、受熱部材11の、発熱体側の受熱面11s(図3(a)参照)に、金属ペースト14pを突起物状に印刷し、受熱面11sに印刷された金属ペースト14pを焼成して熱伝導性の突起物14を形成し(図3(b)参照)、突起物14が形成された受熱面11sに樹脂12rを塗布して受熱面11s上に突起物14を埋没させた樹脂層12を形成する(図3(c)参照)ことにより所望の放熱装置を製造することができる。
こうして製造された放熱装置を用いて、樹脂層12をLSIデバイス13(図1参照)に重ねた状態でLSIデバイス13と受熱部材11とを圧接することにより放熱装置付きLSIデバイスを得ることができる。
次に、本発明の放熱装置の製造方法の第2の実施形態について説明する。
図4は、第2の実施形態の放熱装置の製造方法の各ステップを示す概要図である。
この第2の実施形態の放熱装置の製造方法は、本発明の第2の放熱装置の製造方法に対応するものである。
この第2の実施形態の製造方法では、先ず、受熱部材11の、発熱体側の受熱面11s(図4(a)参照)に、複数の空所15を形成するための仕切り壁16をレジストで形成し(図4(b)参照)、空所15にハンダペースト15bを塗布し(図4(c)参照)、ハンダペースト15bの上に、空所15よりも小さい大きさの金属ボール15cを配置し(図4(d)参照)、ハンダペースト15b上に金属ボール15cが配置された状態でハンダペーストをリフローし(図4(e)参照)、仕切り壁16を形成しているレジストを除去し(図4(f)参照)、金属ボール15cがハンダ付けされた受熱面11sに樹脂12rを塗布して受熱面11s上に金属ボール15cを埋没させる樹脂層12を形成する(図4(g)参照)ことにより所望の放熱装置を製造することができる。
こうして製造された放熱装置を用いて、樹脂層12をLSIデバイス13(図1参照)に重ねた状態でLSIデバイス13と受熱部材11とを圧接することにより放熱装置付きLSIデバイスを得ることができる。
次に、本発明の放熱装置の製造方法の第3の実施形態について説明する。
図5は、第3の実施形態の放熱装置の製造方法の各ステップを示す概要図である。
この第3の実施形態の放熱装置の製造方法は、本発明の第3の放熱装置の製造方法に対応するものである。
この第3の実施形態の製造方法では、先ず、受熱部材11の、発熱体側の受熱面11s(図5(a)参照)に、複数の空所15を形成するための仕切り壁16をレジストで形成し(図5(b)参照)、空所15に、空所15よりも小さい大きさの、表面にハンダ17aが被覆された金属ボール17を配置し(図5(c)参照)、空所15に金属ボール17が配置された状態で該金属ボール17表面のハンダをリフローし(図5(d)参照)、仕切り壁16を形成しているレジストを除去し(図5(e)参照)、金属ボール17がハンダ付けされた受熱面11sに樹脂12rを塗布して受熱面11s上に金属ボール17を埋没させる樹脂層12を形成する(図5(f)参照)ことにより所望の放熱装置を製造することができる。
こうして製造された放熱装置を用いて、樹脂層12をLSIデバイス13(図1参照)に重ねた状態でLSIデバイス13と受熱部材11とを圧接することにより放熱装置付きLSIデバイスを得ることができる。
次に、本発明の放熱装置の応用例について説明する。
図6は、本発明の放熱装置の応用例を示す図である。
図6(a)には、図1に示した放熱装置10を応用したヒートスプレッダ付LSIモジュールが示されている。すなわち、大型のヒートスプレッダ(熱拡散部材)として形成された受熱部材11と、受熱部材11の受熱面11sに固設された熱電導性の突起物(図1参照)と、受熱面11sに上記突起物が埋まる厚さに形成されたTIM層12とを有する放熱装置10を、LSIチップなどのLSIデバイス13と接合してLSIモジュール21としたものを、そのLSIモジュール21をハンダバンプ22を間に挟んで基板23と重ね合わせて構成したヒートスプレッダ付LSIモジュール20が示されている。
この応用例では、大型のヒートスプレッダとして機能する受熱部材11は、その両端部が補強材24によって基板23に固定されており、全体として強固なモジュールを形成している。
図6(b)には、図6(a)に示したヒートスプレッダ付LSIモジュール20と、フィン26a付きの受熱部材26とがTIM層25を間に挟んで接合された放熱システムが示されている。この放熱システムでは、ヒートスプレッダ付LSIモジュール20の受熱部材11の上に、TIM層25を介してさらに大型の受熱部材26が接合され、より大型の放熱システムが形成されている。
図6(c)には、図6(b)に示した放熱システムにおけるTIM層25の代わりに、受熱部材26の受熱面に固設された熱伝導性の突起物27が埋まる厚さに形成されたTIM層28が用いられ、このTIM層28を介して受熱部材26を、ヒートスプレッダ付LSIモジュール20(図1参照)に接合させた放熱システムが示されている。
図6(d)には、図6(b)に示した放熱システムにおけるTIM層を、ヒートスプレッダ付LSIモジュール20の受熱部材11の表面に固設され、受熱部材26に向かって突出してTIM層内に埋設した熱伝導性の突起物27を有するTIM層29とし、このTIM層29を受熱部材26に接合させた放熱システムが示されている。
図6(e)には、図6(c)に示した放熱システムにおける受熱部材26およびTIM層28と、図6(d)に示した放熱システムにおけるヒートスプレッダ付LSIモジュール20およびTIM層29を、双方のTIM層どうしを向かい合わせて接合した放熱システムが示されている。ここで、TIM層28内の突起物27とTIM層29内の突起物30とを互いに噛み合う位置に形成することにより、受熱部材26とヒートスプレッダ付LSIモジュール20との熱抵抗を効果的に低減させることができる。
本発明の放熱装置の一実施形態を示す図である。 本実施形態の放熱装置における突起物の平面形状を示す図である。 第1の実施形態の放熱装置の製造方法を示す概要図である。 第2の実施形態の放熱装置の製造方法を示す概要図である。 第3の実施形態の放熱装置の製造方法を示す概要図である。 本発明の放熱装置の応用例を示す図である。 従来の放熱装置が取り付けられたLSIデバイスの例を示す図である。 従来の放熱装置をLSIデバイスに接合して放熱装置付きのLSIデバイスを形成する方法を示す図である。
符号の説明
10 放熱装置
11 受熱部材
11s 受熱面
12 TIM層
12r 樹脂
13 LSIデバイス
14,14a,14b,14c,14d 突起物
14p 金属ペースト
15 空所
15a 受熱面
15b ハンダペースト
15c 金属ボール
16 仕切り壁
17 金属ボール
17a ハンダ
20 ヒートスプレッダ付LSIモジュール
21 LSIモジュール
22 ハンダバンプ
23 基板
24 補強材
25 TIM層
26 受熱部材
26a フィン
27,30 突起物
28,29 TIM層
90,96,98 放熱装置
91 放熱部材
95 受熱部材
91a 放熱フィン
92 TIM層
93 LSIデバイス
94 ヒートパイプ
97 液冷ジャケット
99 液流路

Claims (6)

  1. 発熱体の熱を受け取る受熱部材を有し、該受熱部材で受け取った熱を外部に放熱する放熱装置において、
    前記受熱部材の前記発熱体側の受熱面に固設され該発熱体に向かって突出した熱伝導性の突起物と、
    前記受熱面上に、前記突起物が埋まる厚さに形成された樹脂層とを有することを特徴とする放熱装置。
  2. 前記樹脂層は、高分子材料および熱伝導性フィラからなるものであることを特徴とする請求項1記載の放熱装置。
  3. 前記突起物は、金属、合金、炭素、および炭素複合材の中から選択されたいずれかの材料からなるものであることを特徴とする請求項1記載の放熱装置。
  4. 発熱体の熱を受け取る受熱部材を有し、該受熱部材で受け取った熱を外部に放熱する放熱装置の製造方法であって、
    前記受熱部材の、前記発熱体側の受熱面に、金属ペーストを突起物状に印刷するステップと、
    前記受熱部材に印刷された金属ペーストを焼成して前記受熱面に熱伝導性の突起物を形成するステップと、
    前記突起物が形成された受熱面に樹脂を塗布して該受熱面上に前記突起物を埋没させた樹脂層を形成するステップとを有することを特徴とする放熱装置の製造方法。
  5. 発熱体の熱を受け取る受熱部材を有し、該受熱部材で受け取った熱を外部に放熱する放熱装置の製造方法であって、
    前記受熱部材の、前記発熱体側の受熱面に、複数の空所を形成するための仕切り壁をレジストで形成するステップと、
    前記空所にハンダペーストを塗布するステップと、
    前記ハンダペーストの上に、前記空所よりも小さい寸法の金属ボールを配置するステップと、
    前記ハンダペースト上に前記金属ボールが配置された状態で該ハンダペーストをリフローするステップと、
    前記仕切り壁を形成しているレジストを除去するステップと、
    前記金属ボールがハンダ付けされた受熱面に樹脂を塗布して該受熱面上に該金属ボールを埋没させる樹脂層を形成するステップとを有することを特徴とする放熱装置の製造方法。
  6. 発熱体の熱を受け取る受熱部材を有し、該受熱部材で受け取った熱を外部に放熱する放熱装置の製造方法であって、
    前記受熱部材の、前記発熱体側の受熱面に、複数の空所を形成するための仕切り壁をレジストで形成するステップと、
    前記空所に該空所よりも小さい寸法の、表面にハンダが被覆された金属ボールを配置するステップと、
    前記空所に前記金属ボールが配置された状態で該金属ボール表面のハンダをリフローするステップと、
    前記仕切り壁を形成しているレジストを除去するステップと、
    前記金属ボールがハンダ付けされた受熱面に樹脂を塗布して該受熱面上に該金属ボールを埋没させる樹脂層を形成するステップとを有することを特徴とする放熱装置の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013030597A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 発熱デバイス
CN103209569A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 奇鋐科技股份有限公司 散热基座及其制造方法
CN105632482A (zh) * 2014-12-01 2016-06-01 中国科学院深圳先进技术研究院 深脑刺激与神经调控超声面阵换能器散热背衬及制备方法
DE102016001790A1 (de) 2015-02-16 2016-08-18 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CN109565003A (zh) * 2016-04-20 2019-04-02 康福斯能源公司 电池单元载体和用于包括多个电池单元载体的堆叠组件的外壳
JP2019121679A (ja) * 2018-01-04 2019-07-22 富士通株式会社 電子装置及び電子装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261214A (ja) * 2001-03-01 2002-09-13 Toshiba Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、リッド部材
JP2004253703A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261214A (ja) * 2001-03-01 2002-09-13 Toshiba Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、リッド部材
JP2004253703A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013030597A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 発熱デバイス
CN103209569A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 奇鋐科技股份有限公司 散热基座及其制造方法
CN105632482A (zh) * 2014-12-01 2016-06-01 中国科学院深圳先进技术研究院 深脑刺激与神经调控超声面阵换能器散热背衬及制备方法
CN105632482B (zh) * 2014-12-01 2019-08-09 中科绿谷(深圳)医疗科技有限公司 深脑刺激与神经调控超声面阵换能器散热背衬及制备方法
DE102016001790A1 (de) 2015-02-16 2016-08-18 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE102016001790B4 (de) 2015-02-16 2022-03-24 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE102016015994B3 (de) 2015-02-16 2022-12-01 Mitsubishi Electric Corporation Halbleiter-Vorrichtung
CN109565003A (zh) * 2016-04-20 2019-04-02 康福斯能源公司 电池单元载体和用于包括多个电池单元载体的堆叠组件的外壳
JP2019514192A (ja) * 2016-04-20 2019-05-30 コルヴァス エナジー インコーポレイテッド バッテリーセルキャリヤ及び多数のバッテリーセルキャリヤを含むスタック組立体用のエンクロージャ
JP7004698B2 (ja) 2016-04-20 2022-01-21 コルヴァス エナジー インコーポレイテッド バッテリーセルキャリヤ及び多数のバッテリーセルキャリヤを含むスタック組立体用のエンクロージャ
CN109565003B (zh) * 2016-04-20 2023-07-25 康福斯能源公司 电池单元载体和用于包括多个电池单元载体的堆叠组件的外壳
JP2019121679A (ja) * 2018-01-04 2019-07-22 富士通株式会社 電子装置及び電子装置の製造方法

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