JP2019121679A - Electronic device and method of manufacturing electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子装置及び電子装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic device and a method of manufacturing the electronic device.
発熱部品と放熱板を、熱伝導性フィラーを含む接着剤を用いて熱的且つ機械的に接合する技術、その接合の際、発熱部品の発熱が大きい部位に熱伝導性フィラーを密に存在させる技術が知られている。 A technique for thermally and mechanically joining a heat-generating component and a heat sink using an adhesive containing a heat-conductive filler, and at the time of bonding, the heat-conductive filler is densely present at a portion where the heat generation of the heat-generating component is large. Technology is known.
また、基板と実装部品の互いの電極同士を、導電性フィラー及び有機バインダを含む接着剤を用いて電気的且つ機械的に接合する技術、その接合の際、加熱により電極の表面部を溶融させる技術が知られている。 In addition, a technique for electrically and mechanically joining the electrodes of the substrate and the mounting component to each other using an adhesive containing a conductive filler and an organic binder, and in the case of the joining, the surface portion of the electrode is melted by heating. Technology is known.
上記のような技術では、接着剤とその接着対象との界面において、接着剤中のフィラーである導体粒子群と接着対象表面との接点が少なかったり接点が形成されなかったりすることで、導体粒子群と接着対象表面との間で十分な接触面積が得られない場合がある。このような場合、導体粒子群を含む接着剤を介した部品間における熱又は電気の伝導性が低下してしまうことが起こり得る。 In the technique as described above, the conductor particles, which are the filler in the adhesive and the conductor particle group at the interface between the adhesive and the object to be bonded, have few contacts or no contacts are formed. In some cases, sufficient contact area can not be obtained between the group and the surface to be bonded. In such a case, it may happen that the conductivity of heat or electricity between parts via the adhesive containing the conductor particles is reduced.
一観点によれば、第１導体層と、前記第１導体層上に設けられた第２導体層と、前記第２導体層上に設けられた樹脂と、前記樹脂内に設けられた第１導体粒子群と、前記第２導体層内に設けられ、前記第１導体粒子群と前記第１導体層とを接続する第２導体粒子群とを含む電子装置が提供される。 According to one aspect, a first conductor layer, a second conductor layer provided on the first conductor layer, a resin provided on the second conductor layer, and a first provided in the resin An electronic device is provided which includes a conductor particle group and a second conductor particle group provided in the second conductor layer and connecting the first conductor particle group and the first conductor layer.
また、一観点によれば、第１導体層上に、前記第１導体層に通じる開口部を有する第２導体層を形成する工程と、前記第２導体層上及び前記開口部内に、樹脂及び導体粒子群を含むペーストを形成する工程と、前記ペーストの形成後、前記第２導体層を溶融する工程とを含む電子装置の製造方法が提供される。 Further, according to one aspect, a step of forming a second conductor layer having an opening communicating with the first conductor layer on the first conductor layer, a resin, and a resin on the second conductor layer and in the opening, A method of manufacturing an electronic device is provided, which includes the steps of forming a paste containing conductor particle groups, and melting the second conductor layer after forming the paste.
熱又は電気の伝導性に優れる層を備えた電子装置が実現される。 An electronic device provided with a layer excellent in thermal or electrical conductivity is realized.
はじめに、導体粒子群を含むペースト（接着剤）を用いて部品同士が接合された電子装置の一例について、図２を参照して説明する。
図２は一形態に係る電子装置の説明図である。図２（Ａ）には、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。図２（Ｂ）には、図２（Ａ）のＸ部の一例の拡大断面図を模式的に示している。
First, an example of an electronic device in which parts are joined using a paste (adhesive) containing a conductor particle group will be described with reference to FIG.
FIG. 2 is an explanatory view of an electronic device according to an embodiment. FIG. 2A schematically shows a cross-sectional view of an essential part of an example of the electronic device. FIG. 2 (B) schematically shows an enlarged cross-sectional view of an example of the portion X in FIG. 2 (A).
図２（Ａ）に示す電子装置１０００は、部品１１００及び部品１２００、並びに、それらの間に介在された接合層１３００を含む。
部品１１００及び部品１２００には、例えば、いずれか一方に、電子装置１０００の動作時に熱を発生する発熱部品が用いられ、他方に、その発生した熱を放熱する放熱部品が用いられる。発熱部品としては、半導体チップ（半導体素子）、回路基板とそれに搭載された半導体チップとを含む半導体パッケージ（半導体装置）等の部品が挙げられる。放熱部品としては、ヒートシンク、回路基板等の部品が挙げられる。このような部品１１００及び部品１２００が、接合層１３００を介して接合される。
An
For one of the
接合層１３００には、例えば、図２（Ｂ）に示すように、樹脂１３１０及び導体粒子１３２０群が含まれる。接合層１３００の材料には、樹脂１３１０及び導体粒子１３２０群が混合されたペーストが用いられる。樹脂１３１０には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等、各種樹脂材料が用いられる。導体粒子１３２０群には、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）といった金属材料等、比較的熱伝導性の高い各種導体材料が用いられる。
The
電子装置１０００では、部品１１００及び部品１２００の、一方（発熱部品）で発生した熱が、接合層１３００を介して、他方（放熱部品）に伝達され、放熱される。これにより、発熱部品及びこれを含む電子装置１０００の、過熱による損傷、性能低下が抑えられる。
In the
電子装置１０００では、部品１１００及び部品１２００と接合層１３００との界面における熱伝導効率を高めるため、部品１１００及び部品１２００の一方又は双方の、接合層１３００が接触する面に、各種導体材料が用いられた導体層が設けられてもよい。例えば、図２（Ｂ）に示す部品１１００のように、その本体部１１１０上に、Ｃｕ等の金属材料を用いて導体層１１２０が設けられる。
In the
上記の電子装置１０００は、部品１１００と部品１２００との間の熱伝導を、介在される接合層１３００内の連続して接触した導体粒子１３２０群を熱伝導パスの１つとして機能させることで行おうとするものである。
The
しかし、電子装置１０００では、接合層１３００内の導体粒子１３２０群と部品１１００又は部品１２００の表面との接点が少なかったり（例えば図２（Ｂ）のＹ部）接点が形成されなかったり（例えば図２（Ｂ）のＺ部）することがある。このようなことが起こると、導体粒子１３２０群と部品１１００又は部品１２００の表面との間で十分な接触面積が得られなくなる。その結果、部品１１００と部品１２００との間の熱抵抗が上がり、熱伝導性が低下して、発熱部品及びこれを含む電子装置１０００の、過熱による損傷、性能低下を招く可能性が高まる。
However, in the
また、ここでは、導体粒子１３２０群を含む接合層１３００を介して部品１１００と部品１２００とを熱的に接続する例を示したが、接合層１３００を介して部品１１００と部品１２００（発熱部品と放熱部品に限らない）とを電気的に接続することもできる。
Here, although an example in which the
例えば、互いの対向する面に端子を有する部品１１００と部品１２００との間に、導体粒子１３２０群を含む接合層１３００が設けられ、接合層１３００を介して部品１１００の端子と部品１２００の端子とが接合される。この場合の電子装置１０００は、部品１１００と部品１２００との互いの端子間の電気伝導を、介在される接合層１３００内の連続して接触した導体粒子１３２０群を電気伝導パスとして機能させることで行おうとするものである。
For example, a
しかし、この場合も、上記同様、接合層１３００内の導体粒子１３２０群と部品１１００又は部品１２００の端子表面との接点が少なかったり（例えば図２（Ｂ）のＹ部）接点が形成されなかったり（例えば図２（Ｂ）のＺ部）することがある。このようなことが起こると、導体粒子１３２０群と部品１１００又は部品１２００の端子表面との間で十分な接触面積が得られなくなる。その結果、部品１１００の端子と部品１２００の端子との間の電気抵抗が上がり、電気伝導性が低下して、部品１１００及び部品１２００を含む電子装置１０００の性能低下を招く可能性が高まる。
However, in this case as well, the number of contacts between the
導体粒子１３２０群を含む接合層１３００を用いた部品１１００と部品１２００との接合における、上記のような熱又は電気の伝導性の低下を抑えるために、例えば、次のような手法が考えられる。
In order to suppress the above-mentioned decline in conductivity of heat or electricity in bonding of
即ち、電子装置１０００の形成時に、部品１１００と部品１２００とを、間に接合層１３００を介在させて加圧する手法である。このように加圧を行うことで、接合層１３００内の導体粒子１３２０群と部品１１００及び部品１２００との間に接点を形成する。しかし、この手法では、加圧によって部品１１００及び部品１２００にダメージが加わり、部品１１００及び部品１２００の損傷、性能低下を招く恐れがある。
That is, at the time of formation of the
また、別の手法として、部品１１００又は部品１２００の、接合層１３００と接触する面に、金属層を設けておき、接合層１３００を用いた接合時に、その金属層を溶融し、接合層１３００内の導体粒子１３２０群と結合させる手法も提案されている。しかし、この手法でも、金属層が溶融した際の表面張力や、金属層と導体粒子１３２０との密度差等に起因して、金属層と導体粒子１３２０群とが結合されず、接触面積の増大、それによる熱又は電気の伝導性の増大が十分に実現できない場合がある。更に、この手法では、部品１１００又は部品１２００と接合層１３００との間に金属層が介在される構造になる。そのため、例えば、その金属層の熱又は電気の伝導率が比較的低い場合、導体粒子１３２０群と部品１１００又は部品１２００との間に金属層が介在されることで、熱又は電気の伝導性が低下してしまう恐れがある。
As another method, a metal layer is provided on the surface of the
以上のような点に鑑み、ここでは以下に実施の形態として示すような構成を採用する。
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態に係る電子装置の説明図である。図１には、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。
In view of the above-described points, a configuration as shown below as an embodiment is adopted here.
First, the first embodiment will be described.
FIG. 1 is an explanatory view of an electronic device according to the first embodiment. FIG. 1 schematically shows a cross-sectional view of an essential part of an example of the electronic device.
図１に示すように、電子装置１は、導体層１０、導体層２０及び接合層３０を含む。
導体層１０は、例えば、接合層３０を介して接合される図示しない部品群のうちの、一方の部品に設けられる、熱伝導層や電極層等の導体層である。導体層１０には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕといった金属材料等、比較的熱伝導性の高い各種導体材料が用いられる。
As shown in FIG. 1, the
The
導体層２０は、導体層１０上に設けられる。導体層２０には、導体層１０よりも融点の低い導体材料が用いられる。例えば、導体層２０には、スズ（Ｓｎ）、又はＳｎを含む金属（合金）材料が用いられる。Ｓｎを含む金属材料としては、Ｓｎと、インジウム（Ｉｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、亜鉛（Ｚｎ）又はＡｇとを含むもの等が挙げられる。
The
接合層３０は、導体層１０及び導体層２０の上に設けられる。接合層３０は、樹脂３１及び導体粒子３２群を含む。例えば、接合層３０の材料には、樹脂３１及び導体粒子３２群が混合されたペーストが用いられる。樹脂３１には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等、各種樹脂材料が用いられる。導体粒子３２群には、導体層２０よりも融点の高い各種導体材料が用いられる。導体粒子３２群には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕといった金属材料等、比較的熱伝導性の高い各種導体材料が用いられる。各導体粒子３２には、１種の導体材料が用いられてもよいし、２種以上の導体材料が用いられてもよい。接合層３０内の導体粒子３２群には、１種又は２種以上の導体粒子群が含まれてもよい。
The
接合層３０は、導体粒子３２群として、導体層２０上に設けられる導体粒子３２ａ群（点線枠Ｆ１）と、導体層２０内に設けられる導体粒子３２ｂ群（点線枠Ｆ２）とを含む。導体粒子３２ａ群は、互いに連続して接触する導体粒子３２群が含まれるように、導体層２０上に設けられる。導体粒子３２ｂ群は、互いに連続して接触する導体粒子３２群が含まれるように、導体層２０内に設けられる。
導体層２０上には、樹脂３１及び導体粒子３２ａ群が設けられる。導体層２０内には、導体粒子３２ｂ群が設けられる。導体層２０内には、導体粒子３２ｂ群と共に樹脂３１が設けられてもよい。導体層２０内に設けられる導体粒子３２ｂ群は、導体層２０を貫通し、導体層２０上に設けられる導体粒子３２ａ群と、導体層２０下に設けられる導体層１０とを接続する。図１に示す導体粒子３２ｂ群は、例えば、柱状、島状、或いは紙面奥行き方向に延在される板状（壁状）に配置される。導体層１０上の導体粒子３２ｂ群が設けられる領域の面積は、導体層１０上の導体層２０が設けられる領域の面積よりも小さい。
A
上記のような構成を有する電子装置１において、導体層１０側からの、或いは導体層１０側への、熱又は電気の伝導は、その上に設けられた導体層２０及び接合層３０を通じて行われる。
In the
電子装置１では、導体層２０が、導体層１０と接合層３０との間に介在され、導体層１０の表面及び接合層３０の導体粒子３２群（導体粒子３２ａ，３２ｂ群のうちの少なくとも導体粒子３２ｂ群）と接続される。そのため、電子装置１では、導体層１０、導体層２０及び接合層３０が、不導体材料である樹脂３１によって分断されない。電子装置１では、導体層１０と接合層３０の導体粒子３２ａ群とが、導体層２０を貫通する導体粒子３２ｂ群によって接続され、導体層１０と接合層３０との間で、優れた熱又は電気の伝導性が得られる。
In the
たとえ導体層１０と接合層３０との間に介在される導体層２０の熱又は電気の伝導性が比較的低い場合であっても、導体層１０と接合層３０の導体粒子３２ａ群とが、導体層２０を貫通する導体粒子３２ｂ群で接続されるため、優れた熱又は電気の伝導性が得られる。また、たとえ導体層２０と接合層３０の導体粒子３２ａ群との間に樹脂３１が存在したとしても、導体層１０と接合層３０の導体粒子３２ａ群とが、導体層２０を貫通する導体粒子３２ｂ群で接続されるため、優れた熱又は電気の伝導性が得られる。
Even if the thermal or electrical conductivity of the
上記のような構成によれば、優れた熱又は電気の伝導性を有する層を備えた信頼性の高い電子装置１が実現される。
次に、第２の実施の形態について説明する。
According to the configuration as described above, a highly reliable
Next, a second embodiment will be described.
図３は第２の実施の形態に係る電子装置の説明図である。図３には、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。
図３に示すように、電子装置１Ａは、部品１００、導体層１０、導体層２０及び接合層３０を含む。
FIG. 3 is an explanatory view of an electronic device according to the second embodiment. FIG. 3 schematically shows an essential part cross-sectional view of an example of the electronic device.
As shown in FIG. 3, the
部品１００は、例えば、半導体チップ、半導体パッケージ等の発熱部品である。電子装置１Ａでは、部品１００の表面に、上記第１の実施の形態で述べたような導体層１０、導体層２０及び接合層３０が設けられる。導体層１０及び導体層２０の上に設けられる接合層３０は、樹脂３１及び導体粒子３２群を含む。接合層３０は、その導体粒子３２群として、導体層２０上に設けられる導体粒子３２ａ群（点線枠Ｆ１）と、導体層２０内の複数箇所に導体層２０を貫通して設けられる導体粒子３２ｂ群（点線枠Ｆ２）とを含む。
The
導体層２０上には、樹脂３１及び導体粒子３２ａ群が設けられる。導体層２０内には、複数箇所に導体粒子３２ｂ群が設けられ、各箇所には、導体粒子３２ｂ群と共に樹脂３１が設けられてもよい。図３に示す各箇所の導体粒子３２ｂ群は、例えば、柱状、島状、或いは紙面奥行き方向に延在される板状に配置される。電子装置１Ａでは、このような複数箇所の導体粒子３２ｂ群により、導体層１０と接合層３０の導体粒子３２ａ群とが接続される。
A
このような構成を有する電子装置１Ａにおいて、部品１００で発生した熱は、導体層１０、導体層２０及び接合層３０を通じて、接合層３０の上方に設けられる図示しない放熱部品等の他の部品に伝達される。
In the electronic device 1A having such a configuration, the heat generated in the
電子装置１Ａでは、部品１００に接触する導体層１０と、接合層３０に含まれる導体層２０上の導体粒子３２ａ群とが、導体層２０を貫通する複数箇所の導体粒子３２ｂ群によって接続される。そのため、部品１００で発生した熱は、その表面の導体層１０に複数箇所で接続された導体粒子３２ｂ群を通じて、導体層２０上に設けられた導体粒子３２ａ群へと効率的に伝達され、更にその上方に設けられる図示しない放熱部品等の他の部品に伝達される。これにより、部品１００の過熱による損傷、性能劣化が抑えられる、信頼性の高い電子装置１Ａが実現される。
In the electronic device 1A, the
図４は第２の実施の形態に係る電子装置の構成例を示す図である。図４（Ａ）には、電子装置の第１の構成例の要部断面図を模式的に示している。図４（Ｂ）には、電子装置の第２の構成例の要部断面図を模式的に示している。 FIG. 4 is a view showing a configuration example of the electronic device according to the second embodiment. FIG. 4A schematically shows a cross-sectional view of relevant parts of a first configuration example of the electronic device. FIG. 4B schematically shows a cross-sectional view of relevant parts of a second configuration example of the electronic device.
例えば、上記のような電子装置１Ａの接合層３０上に、図４（Ａ）に示すように、部品２００が接合され、電子装置１Ａａが形成される。電子装置１Ａａにおいて、例えば、部品１００に発熱部品が用いられる場合、接合層３０上に接合される部品２００には、ヒートシンク等の放熱部品が用いられる。このような放熱部品には、例えば、Ｃｕやアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックス材料が用いられる。部品２００の、接合層３０（導体層２０上の導体粒子３２ａ群）と接触する面には、接合層３０から部品２００への熱伝導性の向上、接合層３０と部品２００との接着強度の向上等のために、金属材料等を用いた導体層が設けられてもよい。
For example, as shown in FIG. 4A, the
また、図４（Ｂ）に示す電子装置１Ａｂは、部品１００及び部品２００を含み、双方の対向面上にそれぞれ、導体層１０及び導体層２０が設けられ、これらの間に接合層３０が介在された構成を有する。上記電子装置１Ａａと同様に、この電子装置１Ａｂにおいても、例えば、部品１００に発熱部品が用いられる場合、部品２００には、ヒートシンク等の放熱部品が用いられる。電子装置１Ａｂの接合層３０は、部品１００側及び部品２００側の双方の導体層１０に、導体層２０を貫通して複数箇所で接続される導体粒子３２ｂ群を含む。部品１００と部品２００との間には、この図４（Ｂ）に示すような構造を有する接合層３０が介在されてもよい。
Further, the electronic device 1Ab shown in FIG. 4B includes the
電子装置１Ａａ及び電子装置１Ａｂのいずれにおいても、部品１００で発生した熱は、導体層１０に複数箇所で接続される導体粒子３２ｂ群及び導体層２０上の導体粒子３２ａ群を通じて、効率的に部品２００へと伝達され、放熱される。これにより、部品１００の過熱による損傷、性能劣化が抑えられる、信頼性の高い電子装置１Ａａ及び電子装置１Ａｂが実現される。
In any of the electronic device 1Aa and the electronic device 1Ab, the heat generated in the
ここでは、部品１００を発熱部品とし、部品２００を放熱部品とする例を示したが、部品１００を放熱部品とし、部品２００を発熱部品とすることもできる。このようにしても、部品２００で発生した熱は、導体粒子３２ｂ群及び導体粒子３２ａ群を通じて効率的に部品１００へと伝達され、放熱される。これにより、部品２００の過熱による損傷、性能劣化が抑えられる、信頼性の高い電子装置１Ａａ及び電子装置１Ａｂが実現される。
Here, an example in which the
また、部品１００及び部品２００は、一方を発熱部品とし、他方を放熱部品とする組合せには限定されない。例えば、部品１００及び部品２００として、双方の対向面にそれぞれ端子を有するものを用い、互いの端子間に、上記のような構成、即ち、導体層１０、導体層２０及び接合層３０を設けてもよい。これにより、部品１００及び部品２００の互いの端子が、導体層１０、導体層２０及び接合層３０を通じて電気的に接続される。このような場合、部品１００及び部品２００は、必ずしも一方が発熱部品で他方が放熱部品であることを要しない。
Further, the
続いて、接合層３０内に含まれる導体粒子３２の構成例について述べる。
図５は第２の実施の形態に係る導体粒子の構成例を示す図である。図５（Ａ）には、導体粒子の第１の構成例の要部断面図を模式的に示している。図５（Ｂ）には、導体粒子の第２の構成例の要部断面図を模式的に図示している。
Subsequently, a configuration example of the
FIG. 5 is a view showing a configuration example of conductor particles according to the second embodiment. FIG. 5A schematically shows a cross-sectional view of a main part of a first configuration example of the conductor particle. FIG. 5B schematically shows a cross-sectional view of main parts of a second configuration example of the conductor particle.
接合層３０内に樹脂３１と共に含まれる導体粒子３２としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の比較的熱又は電気の伝導性の高い導体材料により形成される、図５（Ａ）に示すような導体粒子３２ｃが用いられる。この導体粒子３２ｃには、１種の導体材料が含まれてもよいし、２種以上の導体材料が含まれてもよい。１種又は２種以上の導体粒子３２ｃ群が樹脂３１と混合された材料が用いられ、接合層３０が形成される。
As shown in FIG. 5A, the
また、接合層３０内に樹脂３１と共に含まれる導体粒子３２としては、例えば、図５（Ｂ）に示すような、コア粒子３２ｄの表面を導体膜３２ｅで被覆した導体粒子３２ｆが用いられてもよい。コア粒子３２ｄには、導体材料又は不導体材料が用いられる。コア粒子３２ｄに用いられる導体材料は、必ずしもＣｕ、Ａｇ、Ａｕ等のような高い熱伝導性又は電気伝導性を有していることを要しない。コア粒子３２ｄに用いられる不導体材料としては、金属材料、樹脂材料、セラミックス材料等が挙げられる。導体膜３２ｅには、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の比較的熱又は電気の伝導性の高い導体材料が用いられる。導体膜３２ｅには、１種の導体材料が含まれてもよいし、２種以上の導体材料が含まれてもよい。１種又は２種以上の導体粒子３２ｆ群が樹脂３１と混合された材料が用いられ、接合層３０が形成される。
Also, as the
ここでは、球状の導体粒子３２ｃ及び導体粒子３２ｆを示したが、導体粒子３２ｃ及び導体粒子３２ｆの形状は、球状に限定されるものではなく、板状や鱗片状、柱状、多角形状等、各種形状であってもよい。各種形状の１種又は２種以上の導体粒子３２ｃ又は導体粒子３２ｆ群が樹脂３１と混合された材料が用いられ、接合層３０が形成される。
Here, spherical
続いて、上記のような構成を有する電子装置１Ａ，１Ａａ，１Ａｂを用いたモジュールの例について述べる。
図６〜図８は第２の実施の形態に係るモジュールの構成例を示す図である。図６、図７、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）にはそれぞれ、モジュールの一例の要部断面図を模式的に示している。図６、図７、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）では一例として、上記図４（Ａ）に示したような構成を含むモジュールを示している。
Subsequently, an example of a module using the electronic devices 1A, 1Aa, and 1Ab having the above configuration will be described.
6-8 is a figure which shows the structural example of the module which concerns on 2nd Embodiment. FIGS. 6, 7, 8A and 8B schematically show cross-sectional views of an example of a module. 6, 7, 8 (A) and 8 (B) show a module including the configuration as shown in FIG. 4 (A) as an example.
図６に示すモジュール２Ａは、電子部品１００Ａ、ヒートシンク２００Ａ及び回路基板３００Ａを含む。
電子部品１００Ａは、半導体チップ、半導体パッケージ等の発熱部品である。このような電子部品１００Ａ上に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の導体層１０が設けられる。導体層１０上には、Ｓｎを含む導体層２０が設けられ、これら導体層１０及び導体層２０の上に、樹脂３１及び導体粒子３２群を含む接合層３０が設けられる。接合層３０の導体粒子３２群には、導体層２０上の導体粒子３２ａ群、及び導体層２０を貫通して導体層１０に複数箇所で接続される導体粒子３２ｂ群が含まれる。このような接合層３０上に、その樹脂３１によってヒートシンク２００Ａが接着され、電子部品１００Ａとヒートシンク２００Ａとが熱的及び機械的に接続される。
A
The
ヒートシンク２００Ａには、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられる。尚、ヒートシンク２００Ａには、ヒートシンク２００Ａからの放熱性を高めるために、フィンやピンが設けられてもよい。ヒートシンク２００Ａの、接合層３０と接触する面には、接合層３０からヒートシンク２００Ａへの熱伝導性の向上、接合層３０とヒートシンク２００Ａとの接着強度の向上等のために、金属材料等を用いた導体層が設けられてもよい。接合層３０の導体粒子３２（導体粒子３２ａ）がヒートシンク２００Ａに接触することで、接合層３０とヒートシンク２００Ａとの間に熱伝導性の高い熱伝導パスが形成される。
Cu, Al or the like is used for the
接合層３０を介してヒートシンク２００Ａが接合された電子部品１００Ａは、半田等のバンプ４００を用いて回路基板３００Ａ上に実装される。バンプ４００によって電子部品１００Ａと回路基板３００Ａとが電気的及び機械的に接続される。
The
上記のような構成を有するモジュール２Ａにおいて、電子部品１００Ａで発生した熱は、導体層１０に接続される導体粒子３２ｂ群及び導体層２０上の導体粒子３２ａ群を通じて、効率的にヒートシンク２００Ａへと伝達され、放熱される。これにより、電子部品１００Ａの過熱による損傷、性能劣化が抑えられる、信頼性の高いモジュール２Ａが実現される。
In the
尚、電子部品１００Ａで発生した熱の放熱経路は、ヒートシンク２００Ａからの経路に限定されない。例えば、電子部品１００Ａから直接外部へ放熱される経路や、電子部品１００Ａからバンプ４００を通じて回路基板３００Ａに伝達されて放熱される経路等もある。
The heat radiation path of heat generated by the
また、図７に示すモジュール２Ｂは、電子部品１００Ｂ及び回路基板２００Ｂを含む。
電子部品１００Ｂは、半導体チップ、半導体パッケージ等の発熱部品である。回路基板２００Ｂ上に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の導体層１０が設けられ、導体層１０上に、Ｓｎを含む導体層２０が設けられ、導体層１０及び導体層２０の上に、樹脂３１及び導体粒子３２群を含む接合層３０が設けられる。接合層３０の導体粒子３２群には、導体層２０上の導体粒子３２ａ群、及び導体層２０を貫通して導体層１０に複数箇所で接続される導体粒子３２ｂ群が含まれる。このような接合層３０上に、その樹脂３１によって電子部品１００Ｂが接着され、回路基板２００Ｂと電子部品１００Ｂとが熱的及び機械的に接続される。
Also, the
The
電子部品１００Ｂの、接合層３０と接触する面には、電子部品１００Ｂから接合層３０への熱伝導性の向上、電子部品１００Ｂと接合層３０との接着強度の向上等のために、金属材料等を用いた導体層が設けられてもよい。また、その導体層は、電子部品１００Ｂの電極層（端子）として設けられてもよい。その場合、回路基板２００Ｂには、導体層１０と接続される電極層（端子）が設けられるか、或いは導体層１０が電極層（端子）として設けられる。
A surface of the
接合層３０の導体粒子３２（導体粒子３２ａ）が電子部品１００Ｂに接触することで、接合層３０と電子部品１００Ｂとの間に熱伝導性の高い熱伝導パスが形成される。電子部品１００Ｂの、接合層３０と接触する面に、電極層が設けられている場合には、接合層３０の導体粒子３２（導体粒子３２ａ）がその電子部品１００Ｂの電極層に接触することで、接合層３０と電子部品１００Ｂとの間に電気伝導性の高い電気伝導パスが形成される。回路基板２００Ｂには、導体層１０に接続される、配線、ビア、サーマルビア等の導体パターンが設けられてもよい。
When the conductor particles 32 (
上記のような構成を有するモジュール２Ｂにおいて、電子部品１００Ｂで発生した熱は、導体層２０上の導体粒子３２ａ群及び導体層１０に接続される導体粒子３２ｂ群を通じて、効率的に回路基板２００Ｂへと伝達され、放熱される。これにより、電子部品１００Ｂの過熱による損傷、性能劣化が抑えられる、信頼性の高いモジュール２Ｂが実現される。
In the
尚、電子部品１００Ｂで発生した熱の放熱経路は、回路基板２００Ｂからの経路に限定されない。例えば、電子部品１００Ｂから直接外部へ放熱される経路等もあり得る。また、電子部品１００Ｂ上にヒートシンクを設け、そのヒートシンクから放熱を行うようにしてもよい。
Note that the heat radiation path of the heat generated by the
また、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、電子部品１００Ｂと回路基板２００Ｂとの電気的な接続形態の別例を示したものである。
図８（Ａ）に示すモジュール２Ｂａは、電子部品１００Ｂ上に設けられた端子１１０と、回路基板２００Ｂ上に設けられた端子２１０とが、ワイヤ４１０で接続（ワイヤボンディング）された構成を有する。このような構成により、電子部品１００Ｂと回路基板２００Ｂとが電気的（及び機械的）に接続される。電子部品１００Ｂと回路基板２００Ｂとの熱的（及び機械的）な接続は、それらの間に介在される導体層１０、導体層２０及び接合層３０によって行われる。
8A and 8B show another example of the electrical connection between the
A module 2Ba shown in FIG. 8A has a configuration in which a terminal 110 provided on the
図８（Ｂ）に示すモジュール２Ｂｂは、電子部品１００Ｂ下に設けられた端子１２０と、回路基板２００Ｂ上に設けられた端子２２０とが、バンプ４２０で接続（フリップチップボンディング）された構成を有する。このような構成により、電子部品１００Ｂと回路基板２００Ｂとが電気的（及び機械的）に接続される。電子部品１００Ｂと回路基板２００Ｂとの熱的（及び機械的）な接続は、それらの間に介在される導体層１０、導体層２０及び接合層３０によって行われる。
A module 2Bb illustrated in FIG. 8B has a configuration in which a terminal 120 provided under the
ここでは一例として、上記図４（Ａ）に示したような構成を含むモジュール２Ａ，２Ｂ，２Ｂａ，２Ｂｂを示したが、これらと同様にして、例えば上記図４（Ｂ）に示したような構成を含むモジュールを実現することもできる。
Here, the
次に、第３の実施の形態について説明する。
ここでは、上記のような構成を有する電子装置の製造方法を、第３の実施の形態として説明する。
Next, a third embodiment will be described.
Here, a method of manufacturing an electronic device having the above-described configuration will be described as a third embodiment.
図９及び図１０は第３の実施の形態に係る電子装置の製造方法の第１の例を示す図である。図９（Ａ）〜図９（Ｃ）には、電子装置製造の各工程の要部平面図を模式的に示している。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）には、電子装置製造の各工程の要部断面図を模式的に示している。 9 and 10 are diagrams showing a first example of a method of manufacturing an electronic device according to the third embodiment. FIGS. 9A to 9C schematically show plan views of relevant parts of each process of manufacturing an electronic device. 10 (A) and 10 (B) schematically show cross-sectional views of relevant parts of each step of manufacturing the electronic device.
まず、図９（Ａ）に示すような、上面に導体層１０が形成された部品１００が準備される。導体層１０には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の比較的熱又は電気の伝導性の高い導体材料が用いられる。導体層１０は、それに用いられる材料や、それが形成される部品１００の形態に応じ、堆積法、蒸着法、めっき法等を用いて形成される。
First, as shown in FIG. 9A, a
次いで、部品１００に形成された導体層１０上に、導体層２０が形成される。導体層２０は、例えば図９（Ｂ）に示すように、縦横に直線状に延在される格子状の開口部２１を有するように、形成される。尚、導体層２０の開口部２１の形状及び配置は一例であって、これに限定されるものではない。導体層２０には、Ｓｎを含み、導体層１０及び接合層３０の導体粒子３２群よりも融点の低い導体材料、例えば融点が２５０℃以下の導体材料が用いられる。導体層２０は、例えば、めっき法を用いて形成される。或いは、導体層２０は、Ｓｎを含む上記のような融点の導体粒子を用いたペースト（半田粒子を含むペースト等）を印刷することで形成されてもよい。
Next, the
次いで、図９（Ｃ）に示すように、導体層１０上、及び開口部２１を有する導体層２０上に、ペースト３３が形成される。ペースト３３は、樹脂３１及び導体粒子３２群の混合物である。樹脂３１には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料が用いられる。導体粒子３２群には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の比較的熱又は電気の伝導性の高い導体材料が用いられる。ペースト３３には、樹脂３１及び導体粒子３２群のほか、溶剤、硬化剤、重合開始剤等の各種成分（添加剤）が含まれてもよい。ペースト３３は、塗布法、印刷法等を用いて、導体層１０及び導体層２０の上に形成される。
Next, as shown in FIG. 9C, a
ペースト３３の形成後、導体層２０の融点以上の温度で加熱が行われ、導体層２０が溶融される。導体層２０の溶融開始以後、ペースト３３の樹脂３１が硬化される。加熱により溶融された導体層２０は、その後、冷却により凝固される。
After the formation of the
ここで、導体層２０を溶融する加熱前の状態の一例を図１０（Ａ）に、加熱後の状態の一例を図１０（Ｂ）に、それぞれ示す。
導体層１０及び導体層２０の上にペースト３３が形成された時（図９（Ｃ））には、図１０（Ａ）に示すように、ペースト３３の樹脂３１及び導体粒子３２群が、導体層２０上に形成されると共に、導体層２０の開口部２１内に形成される。
Here, an example of a state before heating to melt the
When the
このような状態から、導体層２０が加熱により溶融されると、溶融された導体層２０には表面張力（界面張力）が生じ、また、溶融された導体層２０が、その上及び開口部２１内に設けられていた導体粒子３２の表面に濡れる。このような溶融時の導体層２０に働く力の作用により、図１０（Ｂ）に示すように、開口部２１内に設けられていた導体粒子３２群がその底の導体層１０の表面に接触された状態が得られると共に、導体層２０とその開口部２１内に設けられていた導体粒子３２群とが結合された状態が得られる。更に、溶融された導体層２０が間に入り込んだ導体粒子３２同士がその導体層２０を介して結合された状態が得られてもよい。
From such a state, when the
導体層２０の加熱による溶融により、ペースト３３の導体粒子３２群の、一部の導体粒子３２ａ群が導体層２０上に設けられ、一部の導体粒子３２ｂ群が導体層２０内に設けられた構造が形成される。導体層２０内には、その溶融前に形成されていた開口部２１の形状に応じた導体粒子３２ｂ群のパターン、この例では縦横に直線状に延在される格子状の導体粒子３２ｂ群のパターンが形成される。
As a result of melting by heating of the
導体層２０の溶融後は、導体層２０の凝固、及び樹脂３１の硬化が行われる。導体層２０の凝固は、冷却によって行われる。樹脂３１の硬化は、その樹脂３１の種類に応じ、加熱、冷却、光の照射等によって行われる。樹脂３１の硬化は、導体層２０の溶融開始後、導体層２０が溶融している状態で行われてもよい。
After the
上記のような方法により、部品１００上に導体層１０、導体層２０及び接合層３０が設けられた、図１０（Ｂ）に示すような電子装置１が形成される。
上記のように、電子装置１の形成においては、開口部２１を有する導体層２０上にペースト３３を形成する際（図９（Ｃ）及び図１０（Ａ））、塗布法、印刷法等により、導体層２０上とその開口部２１内とに、一括でペースト３３を形成することができる。このほか、電子装置１の形成においては、次の図１１に示すような方法を採用することもできる。
By the method as described above, the
As described above, when forming the
図１１は第３の実施の形態に係る電子装置の製造方法の変形例を示す図である。図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）には、電子装置製造の各工程の要部平面図を模式的に示している。 FIG. 11 is a diagram showing a modification of the method of manufacturing an electronic device according to the third embodiment. FIGS. 11A and 11B schematically show plan views of relevant parts of each process of manufacturing an electronic device.
この例では、まず、塗布法、印刷法等により、図１１（Ａ）に示すように、導体層２０の開口部２１内に、上記ペースト３３の一部であるペースト３３ｂが形成される。次いで、塗布法、印刷法等により、図１１（Ｂ）に示すように、導体層２０上に、上記ペースト３３の残部であるペースト３３ａが形成される。このように、２段階で塗布、印刷等を行うことによって上記ペースト３３を形成する手法を採用してもよい。
In this example, first, as shown in FIG. 11A, a
このような手法を採用する場合には、開口部２１内に形成するペースト３３ｂと、導体層２０上に形成するペースト３３ａとに、種類が異なる材料、例えば、樹脂３１の種類が異なる材料、導体粒子３２の種類が異なる材料、添加剤が異なる材料等が用いられてもよい。
When such a method is adopted, materials different in kind from the
例えば、開口部２１内に形成するペースト３３ｂには、開口部２１内に充填され易い低粘度のものを用いてもよい。このほか、開口部２１内に形成するペースト３３ｂには、開口部２１内の導体粒子３２群の充填密度を高め或いは接点を増やして伝導性を向上させるために、導体粒子３２群の含有率を増大させたり異なる粒径の導体粒子３２群を混合したりしたもの等を用いてもよい。更に、開口部２１内に形成するペースト３３ｂに、十分に比重の大きな導体粒子３２群を含ませると、加熱時に流動する樹脂３１及び導体層２０に導体粒子３２群が浮いてしまうことが抑えられ、導体粒子３２群を導体層１０に接触させた状態がより得られ易くなる。
For example, as the
また、導体層２０上に形成するペースト３３ａには、例えば、上に接着される部品との接着強度が高くなるものや、伝導性を向上させるために、導体粒子３２群の含有率を増大させたり異なる粒径の導体粒子３２群を混合したりしたもの等を用いることができる。
Also, in the
また、図１２は第３の実施の形態に係る電子装置の製造方法の第２の例を示す図である。図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）には、電子装置製造の各工程の要部断面図を模式的に示している。 FIG. 12 is a diagram showing a second example of the method of manufacturing an electronic device according to the third embodiment. 12A and 12B schematically show cross-sectional views of relevant parts of each step of manufacturing an electronic device.
この例では、まず、上記図９（Ａ）〜図９（Ｃ）及び図１０（Ａ）に示したように、部品１００に形成された導体層１０上に、開口部２１を有する導体層２０が形成され、それらの上にペースト３３が形成される。そして、形成されたペースト３３上に、図１２（Ａ）に示すように、部品２００が配置される。
In this example, first, as shown in FIG. 9A to FIG. 9C and FIG. 10A, a
このような状態から、上記同様、導体層２０が加熱により溶融される。溶融時の導体層２０の表面張力及び濡れの作用により、図１２（Ｂ）に示すように、ペースト３３内の導体粒子３２群の、一部の導体粒子３２ａ群が導体層２０上に設けられ、一部の導体粒子３２ｂ群が導体層２０内に設けられて導体層１０に接触した構造が得られる。導体層２０の溶融後、導体層２０の凝固、及び樹脂３１の硬化が行われる。これにより、接合層３０が形成される。その際、接合層３０上には、その導体粒子３２ａ群が接触した状態で部品２００が接着される。
From this state, the
上記のような方法により、部品１００上に導体層１０、導体層２０及び接合層３０が設けられ、その接合層３０上に部品２００が設けられた、図１２（Ｂ）に示すような電子装置１Ａａが形成される。
The electronic device as shown in FIG. 12B, in which the
また、図１３は第３の実施の形態に係る電子装置の製造方法の第３の例を示す図である。図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）には、電子装置製造の各工程の要部断面図を模式的に示している。 FIG. 13 is a diagram showing a third example of the method of manufacturing an electronic device according to the third embodiment. 13A and 13B schematically show cross-sectional views of relevant parts of each step of manufacturing the electronic device.
この例では、上記図９（Ａ）〜図９（Ｃ）及び図１０（Ａ）に示したように、部品１００に形成された導体層１０上に、開口部２１を有する導体層２０が形成され、それらの上にペースト３３が形成された、図１３（Ａ）に示す構造体３が準備される。
In this example, as shown in FIG. 9A to FIG. 9C and FIG. 10A, the
また、上記図９（Ａ）〜図９（Ｃ）及び図１０（Ａ）の例に従い、導体層１０の形成された部品２００が準備され、その導体層１０上に、開口部２１を有する導体層２０が形成され、それらの上にペースト３３が形成された、図１３（Ａ）に示す構造体４が準備される。
Moreover, according to the example of said FIG. 9 (A)-FIG. 9 (C) and FIG. 10 (A), the
そして、準備された構造体３及び構造体４が、互いのペースト３３の面で貼り合わされる。このような状態から、上記同様、導体層２０が加熱により溶融される。溶融時の導体層２０の表面張力及び濡れの作用により、図１３（Ｂ）に示すように、部品１００側と部品２００側の双方で、ペースト３３内の導体粒子３２群の、一部の導体粒子３２ｂ群が導体層２０内に設けられ導体層１０に接触した構造が得られる。部品１００側と部品２００側の双方の、導体層２０上に設けられる導体粒子３２ａ群は、一体化される。導体層２０の溶融後、導体層２０の凝固、及び樹脂３１の硬化が行われる。これにより、接合層３０が形成される。
And the
上記のような方法により、部品１００及び部品２００が、導体層１０、導体層２０及び接合層３０を介して接合された、図１３（Ｂ）に示すような電子装置１Ａｂが形成される。
By the method as described above, an electronic device 1Ab as shown in FIG. 13B in which the
電子装置１Ａａ及び電子装置１Ａｂの形成では、接合層３０によって部品１００と部品２００とを接合する際、必ずしも加圧を行うことを要しない。加圧を行わなくても、導体層２０の開口部２１内に導体粒子３２群が入り込み、導体層２０の溶融によって導体粒子３２群が導体層１０に接触した構造が得られる。加圧を行わないことで、部品１００及び部品２００に加わるダメージが抑えられ、それらの損傷、性能劣化が抑えられる。
In the formation of the electronic device 1Aa and the electronic device 1Ab, when bonding the
次に、第４の実施の形態について説明する。
ここでは、上記のような導体層１０上の導体層２０内に設けられる導体粒子３２ｂ群の幅について説明する。
Next, a fourth embodiment will be described.
Here, the width of the
図１４は第４の実施の形態に係る接合層のモデルの説明図である。図１５は第４の実施の形態に係る導体粒子群の幅と熱伝導率との関係の一例を示す図である。
図１４には、導体層１０上に、開口部２１を有する導体層２０が設けられ、その開口部２１内の導体層１０上に、粒径ｄの導体粒子３２ｂ群が縦横に配列されるとした時のモデル５を示している。
FIG. 14 is an explanatory view of a model of the bonding layer according to the fourth embodiment. FIG. 15 is a view showing an example of the relationship between the width of the conductive particle group and the thermal conductivity according to the fourth embodiment.
In FIG. 14, a
モデル５のように、開口部２１内の導体層１０上に導体粒子３２ｂ群が配列されると、図１４に示すＰ部のように、隣接する２つの導体粒子３２ｂと導体層１０との間には、隙間が形成される。また、図１４に示すＱ部のように、連続する導体粒子３２ｂ群と導体層１０との間には、連続して延びる隙間が形成される。
When a group of
開口部２１内の導体層１０上に配列される導体粒子３２ｂ群は、その数が増大すると、導体層１０との接点が増大する。このような導体粒子３２ｂ群と導体層１０との接点の増大は、熱伝導性の向上に寄与する。一方、開口部２１内の導体層１０上に配列される導体粒子３２ｂ群の数の増大は、導体粒子３２ｂ群と導体層１０との間に形成される上記のような隙間の増大を引き起こす。このような導体粒子３２ｂ群と導体層１０との隙間の増大は、熱伝導性の低下を招く。
As the number of the
モデル５において、開口部２１内の導体層１０上に配列される粒径ｄの導体粒子３２ｂ群の幅をａとし、導体層１０から導体粒子３２ｂ群への熱伝導率λを見積もった結果の一例を図１５に示す。図１５の横軸は、導体粒子３２ｂ群の粒径ｄと幅ａの比ａ／ｄ［−］を表し、図１５の縦軸は、粒径ｄと幅ａが等しい時（ａ／ｄ＝１）の熱伝導率を１．０とした場合の相対的な熱伝導率λ（相対値）を表す。
In
図１５より、熱伝導率λは、ａ／ｄが１〜２程度までの範囲Ｒ１では、ａ／ｄの増大に伴って増大する。この範囲Ｒ１では、導体層１０と導体粒子３２ｂ群との接点の増大による熱伝導性の向上効果が優勢であるものと考えられる。
From FIG. 15, the thermal conductivity λ increases with the increase of a / d in the range R1 where a / d is approximately 1 to 2. In this range R1, it is considered that the thermal conductivity improving effect by the increase of the contact point between the
一方、この範囲Ｒ１からａ／ｄが更に４程度まで増大する範囲Ｒ２では、熱伝導率λが基準の１．０は上回るものの、ａ／ｄの増大に伴って熱伝導率λが減少する。このことから、範囲Ｒ２では、導体層１０と導体粒子３２ｂ群との接点の増大による熱伝導性の向上効果が、導体粒子３２ｂ群と導体層１０との隙間の増大による熱伝導性の低下の影響により、一定程度低下するものと考えられる。
On the other hand, in the range R2 in which the range R1 to a / d further increases to about 4, the thermal conductivity λ exceeds the reference 1.0, but the thermal conductivity λ decreases with an increase in a / d. From this, in the range R2, the thermal conductivity improving effect by the increase of the contact point between the
この範囲Ｒ２からａ／ｄが更に増大する範囲Ｒ３では、熱伝導率λが基準の１．０を下回り、ａ／ｄの増大に伴って熱伝導率λが減少する。このことから、範囲Ｒ３では、導体層１０と導体粒子３２ｂ群との接点の増大による熱伝導性の向上効果よりも、導体粒子３２ｂ群と導体層１０との隙間の増大による熱伝導性の低下の影響が優勢になるものと考えられる。
In this range R2 to a range R3 in which a / d further increases, the thermal conductivity λ falls below the reference of 1.0, and the thermal conductivity λ decreases with an increase in a / d. From this, in the range R3, the thermal conductivity decreases due to the increase of the gap between the
図１５の結果から、ａ／ｄの値として範囲Ｒ１，Ｒ２の値を選択すると、熱伝導率λが基準の１．０を上回り、熱伝導性の向上効果が得られる。例えば、ａ／ｄの値として１〜４の値が選択される（１≦ａ／ｄ≦４）。 From the results of FIG. 15, when the values of the ranges R1 and R2 are selected as the value of a / d, the thermal conductivity λ exceeds 1.0 as the reference, and the thermal conductivity improving effect can be obtained. For example, a value of 1 to 4 is selected as the value of a / d (1 ≦ a / d ≦ 4).
このような観点から、熱伝導性の向上効果を得るために、開口部２１内の導体層１０上に配列される導体粒子３２ｂ群の幅ａは、例えば、導体粒子３２ｂの粒径ｄの１倍〜４倍とされ、より好ましくは２倍〜３倍とされる。
From such a viewpoint, in order to obtain the effect of improving the thermal conductivity, the width a of the
導体粒子３２ｂ群の幅ａは、上記図９（Ｂ）の工程において、導体層２０の開口部２１の幅を調整することによって、制御することができる。
次に、第５の実施の形態について説明する。
The width a of the
The fifth embodiment will now be described.
図１６及び図１７は第５の実施の形態に係る電子装置の説明図である。図１６（Ａ）には、発熱部を有する部品の一例の要部平面図を模式的に示している。図１６（Ｂ）には、発熱部を有する部品とその上に設けられた接合層とを含む電子装置の一例の要部平面図を模式的に示している。また、図１７には、発熱部を有する部品とその上に設けられた接合層とを含む電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。 16 and 17 are explanatory diagrams of the electronic device according to the fifth embodiment. The principal part top view of an example of the components which have a heat-emitting part is typically shown in Drawing 16 (A). FIG. 16B is a schematic plan view of an essential part of an example of an electronic device including a component having a heat generating portion and a bonding layer provided thereon. Further, FIG. 17 schematically shows a cross-sectional view of an essential part of an example of an electronic device including a component having a heat generating portion and a bonding layer provided thereon.
例えば、発熱部品である部品１００内には、図１６（Ａ）に示すように、熱の発生源となる発熱源１３０が局所的に存在し得る。発熱源１３０及びその付近では、他の領域に比べ、部品１００の温度が上昇し易い。
For example, as shown in FIG. 16A, a
このような発熱源１３０を有する部品１００上に、上記のような導体層１０、導体層２０及び接合層３０を設ける場合には、接合層３０（その導体粒子３２ｂ群）として、図１６（Ｂ）及び図１７に示すようなパターン３４群を有するものを設けてもよい。尚、図１６（Ｂ）では便宜上、部品１００上に設けられた導体層２０、及び、その導体層２０内に設けられた接合層３０の部位（導体粒子３２ｂ群で形成されるパターン３４群）を図示している。図１６（Ｂ）では便宜上、導体層２０下の導体層１０、及び、導体層２０上に設けられる接合層３０の部位（導体粒子３２ａ群及び樹脂３１）の図示は省略している。
In the case where the
図１６（Ｂ）及び図１７に示す電子装置１Ｂでは、接合層３０の導体粒子３２ｂ群で形成されるパターン３４群が、導体層２０内に、平面視で疎密を持たせて配置される。即ち、部品１００の発熱源１３０及びその付近に対応する領域には、パターン３４群が比較的高い密度若しくは狭い間隔で配置される。部品１００の発熱源１３０及びその付近よりも外側に対応する領域には、パターン３４群が比較的低い密度若しくは広い間隔で配置される。
In the
例えば、図１７に示すように、部品１００の発熱源１３０に対応する領域には、間隔ｓ１でパターン３４群が配置され、部品１００の発熱源１３０付近に対応する領域には、間隔ｓ１よりも広い間隔ｓ２でパターン３４群が配置される。これらの領域よりも外側に対応する領域には、図１７に示すように、間隔ｓ２よりも広い間隔ｓ３、間隔ｓ３よりも更に広い間隔ｓ４で、パターン３４群が配置される。
For example, as shown in FIG. 17,
上記のように、電子装置１Ｂでは、それに含まれる部品１００の発熱源１３０及びその付近に対応する領域に、隣接するパターン３４間が比較的狭い間隔（間隔ｓ１，ｓ２）となるように、パターン３４群が配置される。一方、部品１００の発熱源１３０及びその付近よりも外側に対応する領域には、隣接するパターン３４間が比較的広い間隔（間隔ｓ３，ｓ４）となるように、パターン３４群が配置される。
As described above, in the
このようにパターン３４群が配置されることで、部品１００の発熱源１３０から発生する熱が効率的に接合層３０に伝達される。これにより、部品１００の過熱、それによる損傷、性能劣化が効果的に抑えられ、信頼性の高い電子装置１Ｂが実現される。
By arranging the
ここでは一例として、平面視で楕円状のパターン３４群が疎密を持たせて配置される例を示したが、パターン３４群の形状及び配置は、上記の例に限定されるものではない。部品１００から接合層３０への熱伝導効率（部品１００からの放熱効率）が高まるように、部品１００の発熱源１３０の配置、部品１００内に生じる温度分布等に基づき、各種形状及び配置のパターン３４群を配置することができる。
Here, as an example, an example is shown in which an
パターン３４群の形状及び配置は、上記図９（Ｂ）の工程において、導体層２０の開口部２１の形状及び配置を調整することによって、制御することができる。
次に、第６の実施の形態について説明する。
The shape and arrangement of the
Next, a sixth embodiment will be described.
上記第１〜第５の実施の形態で述べた電子装置１，１Ａａ，１Ａｂ，１Ｂ及びモジュール２Ａ，２Ｂ，２Ｂａ，２Ｂｂ等は、各種電子機器に搭載することができる。例えば、コンピュータ（パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ等）、スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、センサ、カメラ、オーディオ機器、測定装置、検査装置、製造装置といった、各種電子機器に搭載することができる。
The
図１８は第６の実施の形態に係る電子機器の説明図である。図１８には、電子機器を模式的に示している。
図１８に示すように、例えば、上記第２の実施の形態で述べたようなモジュール２Ａ（図６）が、各種電子機器５００の筐体５１０内部に搭載（内蔵）される。
FIG. 18 is an explanatory diagram of the electronic device according to the sixth embodiment. FIG. 18 schematically shows the electronic device.
As shown in FIG. 18, for example, the
モジュール２Ａでは、回路基板３００Ａ上にバンプ４００を介して実装された電子部品１００Ａにおいて発生した熱が、導体層１０に接続される導体粒子３２ｂ群及び導体層２０上の導体粒子３２ａ群を通じて、効率的にヒートシンク２００Ａへと伝達され、放熱される。これにより、電子部品１００Ａの過熱による損傷、性能劣化が抑えられる、信頼性の高いモジュール２Ａが実現される。このようなモジュール２Ａを搭載した、信頼性の高い各種電子機器５００が実現される。
In the
ここでは、上記第２の実施の形態で述べたモジュール２Ａを搭載した電子機器５００を一例として示した。このほか、上記第１〜第５の実施の形態で述べたような電子装置１，１Ａａ，１Ａｂ，１Ｂ及びモジュール２Ｂ，２Ｂａ，２Ｂｂ等も同様に、各種電子機器に搭載することが可能である。
Here, the
１，１Ａ，１Ａａ，１Ａｂ，１Ｂ，１０００ 電子装置
２Ａ，２Ｂ，２Ｂａ，２Ｂｂ モジュール
３，４ 構造体
５ モデル
１０，２０，１１２０ 導体層
２１ 開口部
３０，１３００ 接合層
３１，１３１０ 樹脂
３２，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｆ，１３２０ 導体粒子
３２ｄ コア粒子
３２ｅ 導体膜
３３，３３ａ，３３ｂ ペースト
３４ パターン
１００，２００，１１００，１２００ 部品
１００Ａ，１００Ｂ 電子部品
１１０，１２０，２１０，２２０ 端子
１３０ 発熱源
２００Ａ ヒートシンク
２００Ｂ，３００Ａ 回路基板
４００，４２０ バンプ
４１０ ワイヤ
５００ 電子機器
５１０ 筐体
１１１０ 本体部
1, 1A, 1Aa, 1Ab, 1B, 1000
Claims (8)
前記第１導体層上に設けられた第２導体層と、
前記第２導体層上に設けられた樹脂と、
前記樹脂内に設けられた第１導体粒子群と、
前記第２導体層内に設けられ、前記第１導体粒子群と前記第１導体層とを接続する第２導体粒子群と
を含むことを特徴とする電子装置。 A first conductor layer,
A second conductor layer provided on the first conductor layer;
A resin provided on the second conductor layer;
A first conductive particle group provided in the resin;
An electronic device comprising: a second conductor particle group provided in the second conductor layer and connecting the first conductor particle group and the first conductor layer.
前記第２導体層内に、前記パターン群の配置密度が異なる領域群が存在することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子装置。 The second conductive particle group includes a pattern group linearly extended in a plan view in the second conductive layer;
The electronic device according to any one of claims 1 to 3, wherein in the second conductor layer, a region group having a different arrangement density of the pattern group is present.
前記樹脂及び前記第１導体粒子群の側に設けられた第２部品と
を含み、
前記第１部品及び前記第２部品のいずれか一方が熱を発生することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子装置。 A first part provided on the side of the first conductor layer;
And a second component provided on the side of the first conductive particle group and the resin.
The electronic device according to any one of claims 1 to 5, wherein any one of the first part and the second part generates heat.
前記第２導体層上及び前記開口部内に、樹脂及び導体粒子群を含むペーストを形成する工程と、
前記ペーストの形成後、前記第２導体層を溶融する工程と
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
Forming a second conductor layer having an opening communicating with the first conductor layer on the first conductor layer;
Forming a paste including a resin and a conductor particle group on the second conductor layer and in the opening;
After the formation of the paste, the step of melting the second conductor layer.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230021328A (en) * | 2021-08-05 | 2023-02-14 | 엔트리움 주식회사 | High heat-radiating semi-conductor bonded structure and manufacturing method thereof |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124755A (en) * | 2000-08-09 | 2002-04-26 | Murata Mfg Co Ltd | Method and structure for bonding conductive adhesive and electrode |
| US20050161814A1 (en) * | 2002-12-27 | 2005-07-28 | Fujitsu Limited | Method for forming bumps, semiconductor device and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus |
| CN1685489A (en) * | 2002-12-27 | 2005-10-19 | 富士通株式会社 | Method for forming bumps, semiconductor device and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2008306010A (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Fujitsu Ltd | Heat radiating device, and manufacturing method of heat radiating device |
| JP2009117435A (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Denso Corp | Semiconductor device |
| JP2009252886A (en) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Denso Corp | Electronic device |
| US20130314821A1 (en) * | 2012-05-23 | 2013-11-28 | Nhk Spring Co., Ltd. | Conducting member of disk drive suspension and disk drive suspension |
-
2018
- 2018-01-04 JP JP2018000267A patent/JP6985599B2/en active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124755A (en) * | 2000-08-09 | 2002-04-26 | Murata Mfg Co Ltd | Method and structure for bonding conductive adhesive and electrode |
| US20050161814A1 (en) * | 2002-12-27 | 2005-07-28 | Fujitsu Limited | Method for forming bumps, semiconductor device and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus |
| CN1685489A (en) * | 2002-12-27 | 2005-10-19 | 富士通株式会社 | Method for forming bumps, semiconductor device and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2009094545A (en) * | 2002-12-27 | 2009-04-30 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2008306010A (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Fujitsu Ltd | Heat radiating device, and manufacturing method of heat radiating device |
| JP2009117435A (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Denso Corp | Semiconductor device |
| JP2009252886A (en) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Denso Corp | Electronic device |
| US20130314821A1 (en) * | 2012-05-23 | 2013-11-28 | Nhk Spring Co., Ltd. | Conducting member of disk drive suspension and disk drive suspension |
| JP2013246840A (en) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Nhk Spring Co Ltd | Wiring member of suspension for disk device and suspension for disk device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230021328A (en) * | 2021-08-05 | 2023-02-14 | 엔트리움 주식회사 | High heat-radiating semi-conductor bonded structure and manufacturing method thereof |
| KR102551078B1 (en) * | 2021-08-05 | 2023-07-05 | 엔트리움 주식회사 | High heat-radiating semi-conductor bonded structure and manufacturing method thereof |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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