JP2019114684A - 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】表面に保護材が設けられた基板に対し、当該基板の裏面から適切に加工する。【解決手段】表面に保護材が設けられたウェハＷの裏面から加工する基板処理システム１は、ウェハＷを保持するチャック３１と、チャック３１に保持されたウェハＷの裏面から加工する加工ユニット８０、９０、１００と、チャック３１でウェハＷを保持する前に、少なくともウェハＷの上方又は下方から保護テープの有無を検知する検知センサ１２０と、を有している。【選択図】図１

Description

本発明は、表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工する基板処理システム、当該基板処理システムを用いた基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。

近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削して、ウェハを薄化することが行われている。また、例えば特許文献１に記載されているとおり、ウェハの表面には、デバイスを保護する保護材として、例えば保護テープが設けられている。

ウェハの裏面の研削は、例えばウェハの表面を保持し回転自在のチャックと、チャックに保持されたウェハの裏面を研削する研削砥石を備え環状で回転自在に構成された研削ホイールと、を備えた研削装置で行われる。そして、特許文献１に記載された研削方法では、先ず、ウェハの表面に保護テープを貼り付ける。その後、研削装置において、保護テープが貼り付けられたウェハの表面を当該保護テープを介してチャックで保持した後、チャックと研削ホイールを回転させながら、研削砥石をウェハの裏面に接触させることによって、当該ウェハの裏面を研削する。

特開２０１２−３８８０１号公報

しかしながら、特許文献１に記載された研削方法において、研削装置では、ウェハの表裏面が反転された状態、すなわちウェハの表面が上方を向いた状態で、誤ってチャックに保持される可能性がある。この原因は種々考えられるが、例えばオペレータの誤操作によって表裏面が反転した場合や、そもそも研削装置に搬送されたウェハの表裏面が反転している場合などがある。そして、かかる場合、ウェハの裏面を適切に研削することができない。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、表面に保護材が設けられた基板に対し、当該基板の裏面から適切に加工することを目的とする。

上記課題を解決する本発明の一態様は、表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工する基板処理システムであって、前記基板の表面を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板の裏面から加工する加工部と、前記基板保持部で前記基板を保持する前に、少なくとも前記基板の上方又は下方から前記保護材の有無を検知する保護材検知部と、を有する。

別な観点による本発明の一態様は、表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工する基板処理方法であって、保護材検知部を用いて少なくとも前記基板の上方又は下方から前記保護材の有無を検知し、当該検知結果に基づいて前記基板の表裏面の向きを確認する第１の工程と、その後、前記第１の工程において、前記基板の表裏面の向きが正常であると確認された場合、基板保持部で前記基板の表面を保持し、加工部を用いて当該基板の裏面から加工する第２の工程と、を有する。

また別な観点による本発明の一態様によれば、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。

さらに別な観点による本発明の一態様によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。

本発明によれば、表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工するに際し、研削前に基板の保護材の有無を検知して、当該基板の表裏面の向きを確認することにより、基板の表裏面の向きが正常な状態で、当該基板の裏面から適切に加工することができる。

本実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 ウェハの構成の概略を示す側面図である。 搬送ステーションの内部構成の概略を示す側面図である。 ウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。 他の実施形態にかかる検知センサの配置を示す説明図である。 他の実施形態にかかる検知センサの配置を示す説明図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜基板処理システム＞
先ず、本実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図１は、基板処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

本実施形態の基板処理システム１では、図２に示す、基板としてのウェハＷを薄化する。ウェハＷは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハである。ウェハＷの表面Ｗ１にはデバイス（図示せず）が形成されており、さらに当該表面Ｗ１にはデバイスを保護するための保護材、例えば保護テープＰが貼り付けられている。そして、ウェハＷの裏面Ｗ２に対して研削などの所定の処理が行われ、当該ウェハが薄化される。

図１に示すように基板処理システム１は、処理前のウェハＷを収容容器としてのカセットＣ内に収納し、複数のウェハＷをカセット単位で外部から基板処理システム１に搬入する搬入ステーション２と、処理後のウェハＷをカセットＣ内に収納し、複数のウェハＷをカセット単位で基板処理システム１から外部に搬出する搬出ステーション３と、ウェハＷに加工処理を行って薄化する加工装置４と、加工処理後のウェハＷの後処理を行う後処理装置５と、搬入ステーション２、加工装置４及び後処理装置５の間でウェハＷを搬送する、搬送部としての搬送ステーション６と、を接続した構成を有している。搬入ステーション２、搬送ステーション６、及び加工装置４は、Ｘ軸負方向側においてＹ軸方向にこの順で並べて配置されている。搬出ステーション３と後処理装置５は、Ｘ軸正方向側においてＹ軸方向にこの順で並べて配置されている。

（搬入ステーション）
搬入ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば２つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。なお、カセット載置台１０に載置されたカセットＣ内には、保護テープＰがウェハＷを支持するガイド（図示せず）と接触して損傷を被ったり、変形したりするのを抑制するため、当該保護テープＰが貼り付けられたウェハＷの表面Ｗ１が上方を向くようにウェハＷが収納されている。

（搬出ステーション）
搬出ステーション３も、搬入ステーション２と同様の構成を有している。搬出ステーション３にはカセット載置台２０が設けられ、カセット載置台２０には、例えば２つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。なお、搬入ステーション２と搬出ステーション３は１つの搬入出ステーションに統合されてもよく、かかる場合、搬入出ステーションには共通のカセット載置台が設けられる。

（加工装置）
加工装置４では、ウェハＷに対して研削や洗浄などの加工処理が行われる。加工装置４は、回転テーブル３０、搬送ユニット４０、アライメントユニット５０、第１の洗浄ユニット６０、第２の洗浄ユニット７０、加工部としての粗研削ユニット８０、加工部としての中研削ユニット９０、及び加工部としての仕上研削ユニット１００を有している。

回転テーブル３０は、回転機構（図示せず）によって回転自在に構成されている。回転テーブル３０上には、ウェハＷの表面Ｗ１を保護テープＰを介して吸着保持する、基板保持部としてのチャック３１が４つ設けられている。チャック３１は、回転テーブル３０と同一円周上に均等、すなわち９０度毎に配置されている。４つのチャック３１は、回転テーブル３０が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１〜Ａ３に移動可能になっている。

本実施形態では、受渡位置Ａ０は回転テーブル３０のＸ軸正方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、当該受渡位置Ａ０のＹ軸負方向側には、第２の洗浄ユニット７０、アライメントユニット５０及び第１の洗浄ユニット６０が並べて配置される。アライメントユニット５０と第１の洗浄ユニット６０は上方からこの順で積層されて配置される。第１の加工位置Ａ１は回転テーブル３０のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット８０が配置される。第２の加工位置Ａ２は回転テーブル３０のＸ軸負方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、中研削ユニット９０が配置される。第３の加工位置Ａ３は回転テーブル３０のＸ軸負方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット１００が配置される。

チャック３１はチャックベース３２に保持されている。チャック３１及びチャックベース３２は、回転機構（図示せず）によって回転可能に構成されている。

搬送ユニット４０は、複数、例えば３つのアーム４１〜４３を備えた多関節型のロボットである。３つのアーム４１〜４３は関節部（図示せず）によって接続され、これら関節部によって、第１のアーム４１と第２のアーム４２はそれぞれ基端部を中心に旋回自在に構成されている。３つのアーム４１〜４３のうち、先端の第１のアーム４１には、ウェハＷを吸着保持する搬送パッド４４が取り付けられている。また、３つのアーム４１〜４３のうち、基端の第３のアーム４３は、アーム４１〜４３を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構４５に取り付けられている。そして、かかる構成を備えた搬送ユニット４０は、受渡位置Ａ０、アライメントユニット５０、第１の洗浄ユニット６０、及び第２の洗浄ユニット７０に対して、ウェハＷを搬送できる。

アライメントユニット５０では、研削処理前のウェハＷの水平方向の向きを調節する。例えばスピンチャック（後述の図５に示すスピンチャック２００）に保持されたウェハＷを回転させながら、検出部（後述の図５に示す検出部２０１）でウェハＷのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節してウェハＷの水平方向の向きを調節する。

第１の洗浄ユニット６０では、研削処理後のウェハＷの裏面Ｗ２を洗浄し、より具体的にはスピン洗浄する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持されたウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル（図示せず）からウェハＷの裏面Ｗ２に洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液は裏面Ｗ２上を拡散し、当該裏面Ｗ２が洗浄される。

第２の洗浄ユニット７０では、研削処理後のウェハＷが搬送パッド４４に保持された状態のウェハＷの表面Ｗ１、すなわち表面Ｗ１に貼り付けられた保護テープＰを洗浄するとともに、搬送パッド４４を洗浄する。

粗研削ユニット８０では、ウェハＷの裏面Ｗ２を粗研削する。粗研削ユニット８０は、環状形状で回転自在な粗研削砥石（図示せず）を備えた粗研削部８１を有している。また、粗研削部８１は、支柱８２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。そして、チャック３１に保持されたウェハＷの裏面Ｗ２を粗研削砥石に当接させた状態で、チャック３１と粗研削砥石をそれぞれ回転させることによって、ウェハＷの裏面Ｗ２を粗研削する。

中研削ユニット９０では、ウェハＷの裏面Ｗ２を中研削する。中研削ユニット９０は、環状形状で回転自在な中研削砥石（図示せず）を備えた中研削部９１を有している。また、中研削部９１は、支柱９２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック３１に保持されたウェハＷの裏面Ｗ２を中研削砥石に当接させた状態で、チャック３１と中研削砥石をそれぞれ回転させることによって、裏面Ｗ２を中研削する。

仕上研削ユニット１００では、ウェハＷの裏面Ｗ２を仕上研削する。仕上研削ユニット１００は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石（図示せず）を備えた仕上研削部１０１を有している。また、仕上研削部１０１は、支柱１０２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック３１に保持されたウェハＷの裏面Ｗ２を仕上研削砥石に当接させた状態で、チャック３１と仕上研削砥石をそれぞれ回転させることによって、裏面Ｗ２を仕上研削する。

（後処理装置）
後処理装置５では、加工装置４で加工処理されたウェハＷに対して後処理が行われる。後処理としては、例えばウェハＷをダイシングテープを介してダイシングフレームに保持するマウント処理、ウェハＷに貼り付けられた保護テープＰを剥離する剥離処理などが行われる。そして、後処理装置５は、後処理が行われダイシングフレームに保持されたウェハＷを搬出ステーション３のカセットＣに搬送する。後処理装置５で行われるマウント処理や剥離処理はそれぞれ、公知の装置が用いられる。

（搬送ステーション）
図１及び図３に示すように搬送ステーション６には、ウェハ搬送領域１１０が設けられている。ウェハ搬送領域１１０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路１１１上を移動自在なウェハ搬送装置１１２が設けられている。ウェハ搬送装置１１２は、ウェハＷを保持するウェハ保持部として、搬送フォーク１１３と搬送パッド１１４を有している。搬送フォーク１１３は、その先端が２本に分岐し、ウェハＷを吸着保持する。搬送フォーク１１３は、研削処理前のウェハＷを搬送する。搬送パッド１１４は、平面視においてウェハＷの径より長い径を備えた円形状を有し、ウェハＷを吸着保持する。搬送パッド１１４は、研削処理後のウェハＷを搬送する。搬送フォーク１１３と搬送パッド１１４は、移動機構１１５に取り付けられている。この移動機構１１５によって、搬送フォーク１１３と搬送パッド１１４はそれぞれ、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。

ウェハ搬送領域１１０には、ウェハＷにおける保護テープＰの有無を検知する、保護材検知部としての検知センサ１２０が設けられている。検知センサ１２０には、保護テープＰに接触せずに当該保護テープＰの有無を検査する厚みを測定するセンサが用いられ、例えば白色共焦点（コンフォーカル）式の光学系センサが用いられる。検知センサ１２０は、ウェハＷ（保護テープＰ）に対して所定の波長帯域を有する光を照射し、さらに保護テープＰの表面から反射した反射光と、裏面から反射した反射光とを受光する。そして、この受光した両反射光に基づいて、保護テープＰの有無が検知される。

なお、本実施形態では検知センサ１２０には白色共焦点式の光学系センサが用いられたが、検知センサ１２０の構成はこれに限定されず、保護テープＰの有無を検知するものであれば任意の測定器を用いることができる。例えばウェハＷ（保護テープＰ）に所定の光を所定の波長帯域を有する光を照射し、さらにウェハＷ（保護テープＰ）の表面から反射した反射光の光量を測定して、保護テープＰの有無を検知してもよい。

検知センサ１２０は、複数、例えば２つ設けられ、カセット載置台１０においてカセットＣが載置される位置に対応して配置されている。また、検知センサ１２０は、カセット載置台１０に載置されるカセットＣの上方の高さ位置に配置されている。そして、検知センサ１２０は、ウェハ搬送装置１１２の搬送フォーク１１３に保持されたウェハＷの上方から保護テープＰの有無を検知する。上述したようにカセットＣでは、保護テープＰが貼り付けられたウェハＷの表面Ｗ１が上方を向くようにウェハＷが収納されている。そこで、検知センサ１２０がウェハＷの上面に保護テープＰが有ると検知すれば、当該ウェハＷの表裏面の向きは正常であると確認される。

なお、本実施形態では、検知センサ１２０は、搬送フォーク１１３に保持されたウェハＷの上方から保護テープＰの有無を検知したが、ウェハＷの下方から保護テープＰの有無を検知してもよい。かかる場合、検知センサ１２０がウェハＷの下面に保護テープＰが無いと検知すれば、当該ウェハＷの表裏面の向きは正常であると確認される。また、検知センサ１２０をウェハＷの上下２か所に設け、ウェハＷの上方と下方の両方から、保護テープＰの有無を検知してもよい。

図１に示すように基板処理システム１には、制御部１３０が設けられている。制御部１３０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部１３０にインストールされたものであってもよい。

＜ウェハ処理＞
次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。

先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、搬入ステーション２のカセット載置台１０に載置される。上述したようにカセットＣ内には、保護テープＰが損傷を被ったり、変形したりするのを抑制するため、当該保護テープＰが貼り付けられたウェハＷの表面Ｗ１が上方を向くようにウェハＷが収納されている。

次に、ウェハ搬送装置１１２の搬送フォーク１１３によりカセットＣ内のウェハＷが取り出される。この際、図３に示したように検知センサ１２０によって、搬送フォーク１１３に保持されたウェハＷの上方から、保護テープＰの有無が検知され、その検知結果に基づいて、ウェハＷの表裏面の向きが確認される（図４のステップＳ１）。

ステップＳ１において、検知センサ１２０によりウェハＷの上面に保護テープＰが有ると検知された場合、当該ウェハＷの表裏面の向きは正常であると確認される。かかる場合、搬送フォーク１１３によりウェハＷの表裏面が反転され、裏面Ｗ２が上方に向けられた後、ウェハＷは加工装置４に搬送される。

一方、ステップＳ１において、検知センサ１２０によりウェハＷの上面に保護テープＰが無いと検知された場合、当該ウェハＷの表裏面の向きは反対である（異常である）と確認される。かかる場合、搬送フォーク１１３によりウェハＷの表裏面が反転され、表面Ｗ１が上方に向けられる（図４のステップＴ１）。その後、ウェハＷをカセットＣに戻した後、すなわち表裏面が正常な状態でウェハＷを収納した後、再び搬送フォーク１１３により当該ウェハＷをカセットＣから取り出す。そして、搬送フォーク１１３によりウェハＷの表裏面が反転され、裏面Ｗ２が上方に向けられた後、ウェハＷは加工装置４に搬送される。かかる場合、表裏面の向きが間違った状態でウェハＷがカセットＣに収容されていても、正常に後続の処理を継続させることができる。

なお、上述したステップＴ１におけるウェハＷの表裏面の反転方法は一例であって、アライメントユニット５０に搬送されるウェハＷの裏面Ｗ２が上方に向けられれば、任意の方法をとることができる。

以上のように加工装置４に搬送されたウェハＷは、その裏面Ｗ２が上方に向けられた状態で、アライメントユニット５０に受け渡される。そして、アライメントユニット５０において、ウェハＷの水平方向の向きが調節される（図４のステップＳ２）。

次に、ウェハＷは搬送ユニット４０により、アライメントユニット５０から受渡位置Ａ０に搬送され、当該受渡位置Ａ０のチャック３１に受け渡される。チャック３１では、ウェハＷの表面Ｗ１が保持される。その後、回転テーブル３０を反時計回りに９０度回転させ、チャック３１を第１の加工位置Ａ１に移動させる。そして、粗研削ユニット８０によって、ウェハＷの裏面Ｗ２が粗研削される（図４のステップＳ３）。

次に、回転テーブル３０を反時計回りに９０度回転させ、チャック３１を第２の加工位置Ａ２に移動させる。そして、中研削ユニット９０によって、ウェハＷの裏面Ｗ２が中研削される（図４のステップＳ４）。

次に、回転テーブル３０を反時計回りに９０度回転させ、チャック３１を第３の加工位置Ａ３に移動させる。そして、仕上研削ユニット１００によって、ウェハＷの裏面Ｗ２が仕上研削される（図４のステップＳ５）。

次に、回転テーブル３０を反時計回りに９０度回転させ、又は回転テーブル３０を時計回りに２７０度回転させて、チャック３１を受渡位置Ａ０に移動させる。ここでは、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、ウェハＷの裏面Ｗ２が洗浄液によって粗洗浄される（図７のステップＳ６）。このステップＳ６では、裏面Ｗ２の汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。

次に、ウェハＷは搬送ユニット４０により、受渡位置Ａ０から第２の洗浄ユニット７０に搬送される。そして、第２の洗浄ユニット７０では、ウェハＷが搬送パッド４４に保持された状態で、当該ウェハＷの表面Ｗ１（保護テープＰ）が洗浄し、乾燥される（図７のステップＳ７）。

次に、ウェハＷは搬送ユニット４０により、第２の洗浄ユニット７０から第１の洗浄ユニット６０に搬送される。そして、第１の洗浄ユニット６０では、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、ウェハＷの裏面Ｗ２が洗浄液によって仕上洗浄される（図７のステップＳ８）。このステップＳ８では、裏面Ｗ２が所望の清浄度まで洗浄し乾燥される。

その後、ウェハＷはウェハ搬送装置１１２によって、第１の洗浄ユニット６０から後処理装置５に搬送される。そして、後処理装置５では、ウェハＷをダイシングフレームに保持するマウント処理や、ウェハＷに貼り付けられた保護テープＰを剥離する剥離処理などの後処理が行われる（図７のステップＳ９）。

その後、すべての処理が施されたウェハＷは、搬出ステーション３のカセット載置台２０のカセットＣに搬送される。こうして、基板処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。

以上の実施形態によれば、ステップＳ１において、検知センサ１２０により、搬送フォーク１１３に保持されたウェハＷの上方から保護テープＰの有無を検知し、その検知結果に基づいて、ウェハＷの表裏面の向きを確認することができる。そして、ステップＳ１でウェハＷの表裏面の向きが正常であると確認された場合、搬送フォーク１１３によりウェハＷの表裏面が反転され、裏面Ｗ２が上方に向けられた状態で、ウェハＷは加工装置４に搬送される。一方、ステップＳ１でウェハの表裏面の向きが正常でないと確認された場合でも、ステップＴ１でその表裏面を反転させた後、さらに搬送フォーク１１３によりウェハＷの裏面Ｗ２が上方に向けられた状態で、ウェハＷは加工装置４に搬送される。このように本実施形態では、ステップＳ１でウェハＷの表裏面の向きを確認することにより、加工装置４に搬送されるウェハＷの表裏面の向きを確実に正常な状態にすることができる。そしてその結果、加工装置４において、チャック３１でウェハＷの表面Ｗ１を保持し、粗研削ユニット８０、中研削ユニット９０、仕上研削ユニット１００を順次用いて、ウェハＷの裏面Ｗ２を適切に研削することができる。

また、本実施形態によれば、一の基板処理システム１において、一連の処理を複数のウェハＷに対して連続して行うことができ、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。

＜他の実施形態＞
以上の実施形態では、検知センサ１２０は搬送ステーション６のウェハ搬送領域１１０に設けられていたが、検知センサ１２０の設置位置はこれに限定されない。ウェハＷがカセットＣから取り出されてから、受渡位置Ａ０でチャック３１に保持されるまでにおいて、検知センサ１２０は任意の位置に配置でき、例えば加工装置４の内部に配置されていてもよい。

例えば図５に示すように検知センサ１２０は、アライメントユニット５０に設けられてもよい。アライメントユニット５０は、ウェハＷの表面Ｗ１（保護テープＰ）を吸着保持するスピンチャック２００と、スピンチャック２００に保持されたウェハＷのノッチ部の位置を検出する検出部２０１とを有している。検知センサ１２０は、スピンチャック２００に保持されたウェハＷの上方に配置され、保護テープＰの有無を検知する。

かかる場合、上記実施形態のウェハ処理において、ステップＳ１とステップＴ１が異なる。すなわち、ステップＳ１において、ウェハ搬送装置１１２の搬送フォーク１１３によりカセットＣから取り出されたウェハＷは、加工装置４のアライメントユニット５０に搬送され、スピンチャック２００に保持される。その後、ウェハＷの水平方向の向きが調節される前に、検知センサ１２０によって、ウェハＷの上方から保護テープＰの有無が検知される。

検知センサ１２０によりウェハＷの上面に保護テープＰが無いと検知された場合、当該ウェハＷの表裏面の向きは正常であると確認される。かかる場合、後続のステップＳ２が行われる。

一方、検知センサ１２０によりウェハＷの上面に保護テープＰが有ると検知された場合、当該ウェハＷの表裏面の向きは反対である（異常である）と確認される。かかる場合、ステップＴ１において、スピンチャック２００に保持されたウェハＷは、ウェハ搬送装置１１２の搬送フォーク１１３によりアライメントユニット５０から搬出される。そして、搬送フォーク１１３によりウェハＷの表裏面が反転され、表面Ｗ１が上方に向けられる。その後、ウェハＷをカセットＣに戻した後、すなわち表裏面が正常な状態でウェハＷを収納した後、再び搬送フォーク１１３により当該ウェハＷをカセットＣから取り出す。その後、搬送フォーク１１３によりウェハＷの表裏面が反転され、裏面Ｗ２が上方に向けられた後、ウェハＷはアライメントユニット５０に搬送される。そして、後続のステップＳ２が行われる。

なお、図５に示した例では、検知センサ１２０は、スピンチャック２００に保持されたウェハＷの上方から保護テープＰの有無を検知したが、ウェハＷの下方から保護テープＰの有無を検知してもよいし、あるいはウェハＷの上方と下方の両方から保護テープＰの有無を検知してもよい。

例えば図６に示すように検知センサ１２０は、搬送ユニット４０で搬送中のウェハＷに対して、保護テープＰの有無を検知してもよい。具体的に検知センサ１２０は、例えばアライメントユニット５０の上方であって、搬送ユニット４０に保持されたウェハＷの下方に配置される。

かかる場合、上記実施形態のウェハ処理において、ステップＳ１とステップＴ１が異なる。すなわち、一旦ステップＳ２におけるウェハＷのアライメントが行われた後、ステップＳ１において、搬送ユニット４０で搬送中のウェハＷに対して、検知センサ１２０により保護テープＰの有無が検知される。

ステップＳ１では、検知センサ１２０によりウェハＷの下面に保護テープＰが有ると検知された場合、当該ウェハＷの表裏面の向きは正常であると確認される。かかる場合、後続のステップＳ３が行われる。

一方、検知センサ１２０によりウェハＷの上面に保護テープＰが無いと検知された場合、当該ウェハＷの表裏面の向きは反対である（異常である）と確認される。かかる場合、ステップＴ１において、搬送ユニット４０に保持されたウェハＷは、アライメントユニット５０に戻された後、ウェハ搬送装置１１２の搬送フォーク１１３によりアライメントユニット５０から搬出される。そして、搬送フォーク１１３によりウェハＷの裏面Ｗ２が上方に向けられた後、ウェハＷはアライメントユニット５０に再び搬送される。そして、後続のステップＳ２が行われる。

なお、図６に示した例では、検知センサ１２０は、搬送ユニット４０に保持されたウェハＷの下方から保護テープＰの有無を検知したが、ウェハＷの上方から保護テープＰの有無を検知してもよいし、あるいはウェハＷの上方と下方の両方から保護テープＰの有無を検知してもよい。

以上のように検知センサ１２０が加工装置４の内部に配置された場合でも、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。なお、上述したステップＴ１におけるウェハＷの表裏面の反転方法は一例であって、チャック３１に受け渡されるウェハＷの裏面Ｗ２が上方に向けられれば、任意の方法をとることができる。但し、ステップＴ１におけるウェハＷの表裏面の反転を、ウェハ搬送装置１１２の搬送フォーク１１３により行う場合、上記実施形態のように検知センサ１２０を搬送ステーション６のウェハ搬送領域１１０に設ける方が効率が良い。

以上の実施形態では、ウェハＷの表面Ｗ１にはデバイスを保護するために保護テープＰが貼り付けられていたが、デバイスの保護材はこれに限定されない。例えばウェハＷの表面Ｗ１には、支持ウェハやガラス基板などの支持基板が貼り合せられていてもよく、かかる場合でも本発明を適用することができる。

以上の実施形態の基板処理システム１において、加工装置４は、粗研削ユニット８０、中研削ユニット９０、仕上研削ユニット１００を有していたが、ユニットの構成はこれに限定されない。例えば第１の加工位置Ａ１に粗研削ユニット８０が配置され、第２の加工位置Ａ２に仕上研削ユニット１００が配置され、第３の加工位置Ａ３に研磨ユニット（図示せず）が配置されてもよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば、上記実施形態の基板処理システム１ではウェハＷの裏面Ｗ２を研削したが、本発明は、ウェハＷの裏面Ｗ２からレーザ加工や切削刃による加工等を行う場合にも適用することができる。

１ 基板処理システム
２ 搬入ステーション
３ 搬出ステーション
４ 加工装置
５ 後処理装置
６ 搬送ステーション
３０ 回転テーブル
３１ チャック
４０ 搬送ユニット
５０ アライメントユニット
６０ 第１の洗浄ユニット
７０ 第２の洗浄ユニット
８０ 粗研削ユニット
９０ 中研削ユニット
１００ 仕上研削ユニット
１１０ ウェハ搬送領域
１１２ ウェハ搬送装置
１２０ 検知センサ
１３０ 制御部
Ｐ 保護テープ
Ｗ ウェハ
Ｗ１ 表面
Ｗ２ 裏面

Claims (11)

1. 表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工する基板処理システムであって、
   前記基板の表面を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された前記基板の裏面から加工する加工部と、
   前記基板保持部で前記基板を保持する前に、少なくとも前記基板の上方又は下方から前記保護材の有無を検知する保護材検知部と、を有する、基板処理システム。
2. 前記基板保持部と前記加工部を備えた加工装置と、
   前記加工装置に対して前記基板を搬送する搬送部と、をさらに有し、
   前記保護材検知部は前記加工装置又は前記搬送部に設けられている、請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記搬送部は、前記基板を搬送し、且つ前記基板の表裏面を反転させる搬送装置を有する、請求項２に記載の基板処理システム。
4. 前記保護材検知部による検知結果に基づいて、前記基板の表裏面の向きが正常であると確認された場合、前記搬送装置は当該基板を前記加工装置に搬送し、
   前記保護材検知部による検知結果に基づいて、前記基板の表裏面の向きが正常でないと確認された場合、前記搬送装置は当該基板の表裏面を反転させて、基板を収容する収容容器に戻す、請求項３に記載の基板処理システム。
5. 前記保護材検知部による検知結果に基づいて、前記基板の表裏面の向きが正常でないと確認された場合、前記搬送装置は、前記収容容器に戻された前記基板を再び搬出し、前記加工装置に搬送する、請求項４に記載の基板処理システム。
6. 表面に保護材が設けられた基板の裏面から加工する基板処理方法であって、
   保護材検知部を用いて少なくとも前記基板の上方又は下方から前記保護材の有無を検知し、当該検知結果に基づいて前記基板の表裏面の向きを確認する第１の工程と、
   その後、前記第１の工程において、前記基板の表裏面の向きが正常であると確認された場合、基板保持部で前記基板の表面を保持し、加工部を用いて当該基板の裏面から加工する第２の工程と、を有する、基板処理方法。
7. 前記基板保持部と前記加工部は加工装置に設けられ、
   前記第１の工程は、前記加工装置の内部、又は前記加工装置に対して前記基板を搬送する搬送部の内部において行われる、請求項６に記載の基板処理方法。
8. 前記第１の工程において、前記基板の表裏面の向きが正常でないと確認された場合、前記搬送部において前記基板の表裏面を反転させて、基板を収容する収容容器に戻す第３の工程をさらに有する、請求項７に記載の基板処理方法。
9. 前記第３の工程において、前記搬送部によって、前記収容容器に戻された前記基板を再び搬出し、前記加工装置に搬送する、請求項８に記載の基板処理方法。
10. 請求項６〜９のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
11. 請求項１０に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。

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