JP2019077951A - 合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器 - Google Patents
合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019077951A JP2019077951A JP2018233112A JP2018233112A JP2019077951A JP 2019077951 A JP2019077951 A JP 2019077951A JP 2018233112 A JP2018233112 A JP 2018233112A JP 2018233112 A JP2018233112 A JP 2018233112A JP 2019077951 A JP2019077951 A JP 2019077951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- plasma
- plasma chamber
- solid state
- sources
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 55
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 86
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 61
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 abstract 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 199
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 43
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 35
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 35
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 33
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 30
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 30
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 30
- 238000013461 design Methods 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005493 condensed matter Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000009841 combustion method Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- QFXZANXYUCUTQH-UHFFFAOYSA-N ethynol Chemical group OC#C QFXZANXYUCUTQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000000259 microwave plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32201—Generating means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/274—Diamond only using microwave discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
- C30B25/205—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer the substrate being of insulating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/3222—Antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32247—Resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32266—Means for controlling power transmitted to the plasma
- H01J37/32284—Means for controlling or selecting resonance mode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32293—Microwave generated discharge using particular waveforms, e.g. polarised waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32302—Plural frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3322—Problems associated with coating
- H01J2237/3323—Problems associated with coating uniformity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
(i)マイクロ波プラズマチャンバの構造及び幾何学的形状の或る特定の観点(例えば、コンパクトなTM011共振モードプラズマチャンバ構造の使用を記載した国際公開第2012/084661号パンフレット及びプラズマチャンバ側壁から突き出たプラズマ安定化アニュラス又は環状部の提供を記載した国際公開第2012/084657号パンフレット)、
(ii)マイクロ波電力を結合構造体の或る特定の観点(例えば、マイクロ波電力を複数のマイクロ波プラズマ反応器に供給するマイクロ波電力送り出しシステムを記載した国際公開第2012/084658号パンフレット及び環状誘電体窓、同軸導波路、及びマイクロ波をプラズマチャンバに向かって結合するための環状構造内に設けられた複数の孔を有する導波路板を有するマイクロ波結合構造体を記載した国際公開第2012/084659号パンフレット)、
(iii)マイクロ波プラズマチャンバ内の基板調製、幾何学的形状、及び温度制御構造体の或る特定の観点(例えば、望ましい電場及び温度プロフィールを達成するために基板をどのように調製し、基板をマイクロ波プラズマ反応器内にどのように配置し、そして基板パラメータをどのように制御するかについて記載した国際公開第2012/084655号パンフレット)、及び
(iv)マイクロ波プラズマチャンバ内のガス流構造体及びガス流パラメータの或る特定の観点(例えば、広い領域にわたって一様なダイヤモンド成長を達成するための望ましい幾何学的構造を有するマルチノズル型ガス入口アレイを備えたマイクロ波プラズマ反応器を記載した国際公開第2012/084661号パンフレット及び広い領域にわたって合成ダイヤモンド材料の一様なドープを達成するための高いガス流量の使用及び望ましいレイノルズ数を有するプロセスガスの噴射又は注入を記載した国際公開第2012/084656号パンフレット)を記載している特許出願を含む。
(a)析出領域が狭いこと(析出面積が小さいこと)、
(b)析出領域上における析出の一様性が貧弱であること、
(c)多数の別々のコンポーネント上の析出の一様性が貧弱であり、一度に被覆できる多くの別々のコンポーネントの数が制限されること、
(d)高い全電力要件、及び
(e)コスト(電気/電力コストは、成長に要するコストの相当大きな部分である)。
一次マイクロ波共振モード周波数fを有する一次マイクロ波共振モードを支える空胴共振器を構成するプラズマチャンバと、
プラズマチャンバに結合されていて、全マイクロ波電力PTを有するマイクロ波を発生させて該マイクロ波をプラズマチャンバ中に送り込む複数のマイクロ波源と、
プロセスガスをプラズマチャンバ中に送り込んだりプロセスガスをプラズマチャンバから除去したりするガス流システムと、
プラズマチャンバ内に設けられると共に使用中に合成ダイヤモンド材料を析出させるべき基板を支持する支持面を備えた基板ホルダとを有し、
複数のマイクロ波源は、全マイクロ波電力PTのうちの少なくとも30%を一次マイクロ波共振モード周波数fでプラズマチャンバ中に結合するよう構成され、複数のマイクロ波源のうちの少なくとも幾つかは、ソリッドステートマイクロ波源であることを特徴とするマイクロ波プラズマ反応器が提供される。
(i)マイクロ波電力の全て又は少なくとも大部分がプラズマチャンバに直接結合されたソリッドステートマイクロ波源によって提供される構造、
(ii)マイクロ波電力の全て又は少なくとも大部分がソリッドステートマイクロ波源によって提供され、ソリッドステートマイクロ波源のうちの少なくとも幾つかがプラズマチャンバに結合された別個の予備組み合わせチャンバを介してプラズマチャンバに間接的に結合されている構造、
(iii)プラズマチャンバ中に結合された全マイクロ波電力PTの大部分が従来型マイクロ波源、例えばマグネトロンによって提供され、追加のソリッドステートマイクロ波源がプラズマチャンバ内の電場を調整し又は加減すると共に/或いはプラズマ分布状態を改変するために提供されている構造が想定される。
上述したマイクロ波プラズマ反応器を用意するステップと、
基板を基板ホルダ上に配置するステップと、
マイクロ波をプラズマチャンバ中に送り込むステップと、
プロセスガスをプラズマチャンバ中に送り込むステップと、
合成ダイヤモンド材料を基板上に形成するステップとを含むことを特徴とする方法が提供される。
一次マイクロ波共振モード周波数fを有する一次マイクロ波共振モードを支える空胴共振器を構成するプラズマチャンバ(底部、頂板、及び底部から頂板まで延びる側壁を有する)と、
プラズマチャンバに結合されていて、全マイクロ波電力PTを有するマイクロ波を発生させてかかるマイクロ波をプラズマチャンバ中に送り込む複数のマイクロ波源と、
プロセスガスをプラズマチャンバ中に送り込んだりプロセスガスをプラズマチャンバから除去したりするガス流システムと、
プラズマチャンバ内に設けられると共に使用中に合成ダイヤモンド材料を析出させるべき基板を支持する支持面を備えた基板ホルダとを有し、
複数のマイクロ波源は、全マイクロ波電力PTのうちの少なくとも30%、少なくとも40%、少なくとも50%、少なくとも60%、少なくとも70%、少なくとも80%、少なくとも90%、又は少なくとも95%を一次マイクロ波共振モード周波数fでプラズマチャンバ中に結合するよう構成され、複数のマイクロ波源のうちの少なくとも幾つかは、ソリッドステートマイクロ波源であることを特徴とするマイクロ波プラズマ反応器が提供される。
(i)高い電力へのアクセスが可能であり、それにより、絶縁破壊の回避及びプラズマ中のアーク発生の回避が可能であること、
(ii)段階的に実施される源により攪拌効果が得られること、
(iii)ガス圧力パルス化が可能であり、それによりガス攪拌を生じさせることができること、
(iv)電場分布状態に厳密に適合するようにプラズマ形状を改変し、例えば国際公開第2012/084655号パンフレットに記載されているような電場プロフィールの必要性を減少させると共に/或いはプラズマチャンバの内部幾何学的形状に対する電場プロフィールの依存性を減少させることができること、及び
(v)全体的プロセス電力の減少が可能であり、それによりコストの節約が可能であり、更に、例えば基板キャリヤを介して電力を結合する効率が向上し、プラズマからプラズマチャンバの側壁への電力の損失が減少すること。
(i)ドーム処理量を増大させ、かくしてドーム1個当たりの製作費を減少させる作用効果、及び
(ii)ドームの曲率半径を減少させてオーディオ性能及びブレークアップ周波数を増大させることができる作用効果のうちの一方又は両方の実現を可能にするよう構成されても良い。
Claims (20)
- 化学気相成長により合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器であって、前記マイクロ波プラズマ反応器は、
一次マイクロ波共振モード周波数fを有する一次マイクロ波共振モードを支える空胴共振器を構成するプラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバに結合されていて、全マイクロ波電力PTを有するマイクロ波を発生させて該マイクロ波を前記プラズマチャンバ中に送り込む複数のマイクロ波源と、
プロセスガスを前記プラズマチャンバ中に送り込んだり前記プロセスガスを前記プラズマチャンバから除去したりするガス流システムと、
前記プラズマチャンバ内に設けられると共に使用中に前記合成ダイヤモンド材料を析出させるべき基板を支持する支持面を備えた基板ホルダとを有し、
前記複数のマイクロ波源は、前記全マイクロ波電力PTのうちの少なくとも30%を前記一次マイクロ波共振モード周波数fで前記プラズマチャンバ中に結合するよう構成され、前記複数のマイクロ波源のうちの少なくとも幾つかは、ソリッドステートマイクロ波源である、マイクロ波プラズマ反応器。 - 前記複数のマイクロ波源は、前記全マイクロ波電力PTのうちの少なくとも40%、少なくとも50%、少なくとも60%、少なくとも70%、少なくとも80%、少なくとも90%、又は少なくとも95%を前記一次マイクロ波共振モード周波数fの状態にあるプラズマチャンバ中に結合するよう構成されている、請求項1記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記一次マイクロ波共振モード周波数fは、平均周波数値の10%以下、5%以下、3%以下、1%以下、0.5%以下、0.3%以下、又は0.2%以下の帯域幅を有する、請求項1又は2記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記一次マイクロ波共振モード周波数fは、896MHzよりも少なくとも10%、少なくとも20%、少なくとも30%、少なくとも40%、又は少なくとも50%だけ低い、請求項1〜3のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記ソリッドステートマイクロ波源は、前記全マイクロ波電力PTのうちの50%未満、40%未満、又は30%未満であるが、少なくとも1%、少なくとも2%、少なくとも3%、少なくとも5%、少なくとも10%、又は少なくとも20%を前記一次マイクロ波共振モードの周波数とは異なる1つ又は2つ以上の周波数で前記プラズマチャンバ中に結合するよう構成されている、請求項1〜4のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記複数のソリッドステートマイクロ波源のうちの少なくとも幾つかは、各々、全マイクロ波電力PTのうちの10%以下、5%以下、3%以下、又は2%以下を発生させるよう構成されている、請求項1〜5のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記全マイクロ波電力PTのうちの少なくとも30%、少なくとも50%、少なくとも70%、又は100%が前記ソリッドステートマイクロ波源によって提供される、請求項1〜6のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記一次マイクロ波共振モード周波数fの状態にある前記プラズマチャンバ中に結合される全マイクロ波電力PTのうちの少なくとも50%、少なくとも60%、少なくとも70%、少なくとも80%、少なくとも90%、又は少なくとも95%がマグネトロンマイクロ波源によって提供される、請求項1〜6のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 少なくとも5個、少なくとも10個、少なくとも20個、少なくとも30個、又は少なくとも50個の個々のソリッドステートマイクロ波源が前記プラズマチャンバに結合される、請求項1〜8のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記ソリッドステートマイクロ波源は、別個独立に制御可能である、請求項1〜9のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記ソリッドステートマイクロ波源は、前記プラズマチャンバ中に結合された前記マイクロ波電力をパルス化するよう構成されている、請求項1〜10のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記ソリッドステートマイクロ波源は、前記プラズマチャンバ中に結合された前記マイクロ波電力を10Hzから1MHzまでの範囲、100Hzから1MHzまでの範囲、又は1kHzから100kHzまでの範囲にあるパルス周波数でパルス化するよう構成されている、請求項11記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記ソリッドステートマイクロ波源のうちの1つ又は2つ以上は、前記プラズマチャンバに直接結合されている、請求項1〜12のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記ソリッドステートマイクロ波源は、前記プラズマチャンバに磁気結合されている、請求項13記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記ソリッドステートマイクロ波源は、ループアンテナ中で終端した同軸フィードスルーを用いて前記プラズマチャンバ中に結合されている、請求項14記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記ソリッドステートマイクロ波源のうちの1つ又は2つ以上は、別個のチャンバを経て前記プラズマチャンバに間接的に結合されるよう構成されており、前記ソリッドステートマイクロ波源のうちの1つ又は2つ以上は、前記プラズマチャンバに結合された前記別個のチャンバ内であらかじめ組み合わされている、請求項1〜15のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記プラズマチャンバの前記空胴共振器は、TM011共振モードを前記一次マイクロ波共振モード周波数fで支えるよう構成されている、請求項1〜16のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 前記ソリッドステートマイクロ波源のうちの1つ又は2つ以上は、前記基板ホルダを介して前記プラズマチャンバに結合されるよう構成されている、請求項1〜17のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 合成ダイヤモンド材料を析出させるべき複数の基板を支持する複数の基板ホルダが設けられ、前記ソリッドステートマイクロ波源は、前記複数の基板ホルダを介して前記プラズマチャンバに結合されるよう構成されている、請求項18記載のマイクロ波プラズマ反応器。
- 化学気相成長プロセスを用いて合成ダイヤモンド材料を製造する方法であって、前記方法は、
請求項1〜19のうちいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ反応器を用意するステップと、
基板を前記基板ホルダ上に配置するステップと、
マイクロ波を前記プラズマチャンバ中に送り込むステップと、
プロセスガスを前記プラズマチャンバ中に送り込むステップと、
合成ダイヤモンド材料を前記基板上に形成するステップとを含む、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1410703.1 | 2014-06-16 | ||
GBGB1410703.1A GB201410703D0 (en) | 2014-06-16 | 2014-06-16 | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016573532A Division JP6763785B2 (ja) | 2014-06-16 | 2015-06-10 | 合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019077951A true JP2019077951A (ja) | 2019-05-23 |
Family
ID=51266666
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016573532A Active JP6763785B2 (ja) | 2014-06-16 | 2015-06-10 | 合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器 |
JP2018233112A Pending JP2019077951A (ja) | 2014-06-16 | 2018-12-13 | 合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016573532A Active JP6763785B2 (ja) | 2014-06-16 | 2015-06-10 | 合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10734198B2 (ja) |
EP (1) | EP3155631B1 (ja) |
JP (2) | JP6763785B2 (ja) |
KR (1) | KR101854069B1 (ja) |
CN (1) | CN106661732B (ja) |
CA (1) | CA2946433C (ja) |
GB (2) | GB201410703D0 (ja) |
RU (1) | RU2666135C2 (ja) |
SG (1) | SG11201608578PA (ja) |
WO (1) | WO2015193155A1 (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI641292B (zh) | 2008-08-04 | 2018-11-11 | Agc北美平面玻璃公司 | 電漿源 |
GB201410703D0 (en) * | 2014-06-16 | 2014-07-30 | Element Six Technologies Ltd | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
MY192286A (en) | 2014-12-05 | 2022-08-17 | Agc Glass Europe S A | Hollow cathode plasma source |
CN107615888B (zh) | 2014-12-05 | 2022-01-04 | 北美Agc平板玻璃公司 | 利用宏粒子减少涂层的等离子体源和将等离子体源用于沉积薄膜涂层和表面改性的方法 |
US9721765B2 (en) * | 2015-11-16 | 2017-08-01 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current |
US10573499B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-02-25 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Method of extracting and accelerating ions |
US10242846B2 (en) | 2015-12-18 | 2019-03-26 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Hollow cathode ion source |
CN105648523A (zh) * | 2016-03-02 | 2016-06-08 | 清华大学 | 等离子体增强原子吸附的化合物半导体的外延生长装置 |
US9831066B1 (en) * | 2016-05-27 | 2017-11-28 | Mks Instruments, Inc. | Compact microwave plasma applicator utilizing conjoining electric fields |
JP7111299B2 (ja) * | 2016-11-14 | 2022-08-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ダイヤモンドを合成する方法及びプラズマ処理装置 |
US9812295B1 (en) | 2016-11-15 | 2017-11-07 | Lyten, Inc. | Microwave chemical processing |
RU2637187C1 (ru) * | 2016-11-29 | 2017-11-30 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) | Плазменный свч реактор |
US9767992B1 (en) | 2017-02-09 | 2017-09-19 | Lyten, Inc. | Microwave chemical processing reactor |
US9997334B1 (en) | 2017-02-09 | 2018-06-12 | Lyten, Inc. | Seedless particles with carbon allotropes |
WO2018169889A1 (en) | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Lyten, Inc. | Carbon and elastomer integration |
US10920035B2 (en) | 2017-03-16 | 2021-02-16 | Lyten, Inc. | Tuning deformation hysteresis in tires using graphene |
WO2019126196A1 (en) | 2017-12-22 | 2019-06-27 | Lyten, Inc. | Structured composite materials |
JP6969743B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2021-11-24 | 旭ダイヤモンド工業株式会社 | ダイヤモンド製造方法 |
CN112105922A (zh) | 2018-01-04 | 2020-12-18 | 利腾股份有限公司 | 谐振气体传感器 |
WO2019143559A1 (en) | 2018-01-16 | 2019-07-25 | Lyten, Inc. | Microwave transparent pressure barrier |
DE102018000401A1 (de) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Ralf Spitzl | Mikrowellenplasmavorrichtung |
US10504699B2 (en) * | 2018-04-20 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Phased array modular high-frequency source |
NO345052B1 (en) * | 2018-05-08 | 2020-09-07 | Bergen Teknologioverfoering As | Large area microwave plasma chemical vapour deposition (la mpcvd) reactor apparatus and method for providing same |
CN110551987A (zh) * | 2018-06-04 | 2019-12-10 | 至玥腾风科技投资集团有限公司 | 环形单晶无机非金属部件的制作方法、设备及飞轮 |
JP6991934B2 (ja) * | 2018-07-02 | 2022-01-13 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
JP7090521B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2022-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US11183369B2 (en) * | 2018-12-27 | 2021-11-23 | Industrial Technology Research Institute | Focalized microwave plasma reactor |
US10812020B1 (en) | 2019-08-19 | 2020-10-20 | Lyten, Inc. | Energy emitter control circuit |
US11348783B2 (en) * | 2019-09-05 | 2022-05-31 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for dynamical control of radial uniformity with two-story microwave cavities |
JP7292173B2 (ja) * | 2019-10-11 | 2023-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及びプラズマ処理装置 |
WO2021173683A1 (en) * | 2020-02-24 | 2021-09-02 | J2 Materials, Llc | Plasma shaping for diamond growth |
CN111511090B (zh) * | 2020-04-13 | 2022-05-10 | 北京工业大学 | 微波等离子体反应器 |
JP2022039821A (ja) * | 2020-08-28 | 2022-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および誘電体窓 |
JP2022039820A (ja) * | 2020-08-28 | 2022-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
CN112301332A (zh) * | 2020-09-25 | 2021-02-02 | 上海芯承电子科技有限公司 | 一种用于化学气相沉积钻石的设备工艺反应器 |
JP2022110698A (ja) * | 2021-01-19 | 2022-07-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
TWI810772B (zh) | 2021-12-30 | 2023-08-01 | 日揚科技股份有限公司 | 一種快速退火設備 |
JP7250969B1 (ja) | 2022-02-08 | 2023-04-03 | 宏碩系統股▲フン▼有限公司 | 人工ダイヤモンドプラズマ生成機器 |
CN114976559A (zh) * | 2022-06-20 | 2022-08-30 | 深圳市恒运昌真空技术有限公司 | 一种微波谐振腔 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63236791A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンドの製造方法 |
JPS6424094A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-26 | Nat Inst Res Inorganic Mat | Synthesizing apparatus for diamond |
JPH03111577A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-13 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | マイクロ波プラズマ発生装置およびそれを利用するダイヤモンド膜の製造方法 |
JPH04144992A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-19 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | マイクロ波プラズマ発生装置およびそれを利用するダイヤモンド膜の製造方法 |
JPH04230019A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-08-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マイクロ波給電式材料/プラズマ処理システム |
JPH06256952A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-13 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ダイヤモンド膜の製造方法 |
JP2004346385A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Hamamatsu Kagaku Gijutsu Kenkyu Shinkokai | マイクロ波プラズマ発生方法、マイクロ波プラズマ発生装置および前記装置を使用してダイヤモンド薄膜を製造する方法 |
JP2007191362A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ダイヤモンド製造方法 |
JP2010525155A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | エコール ポリテクニク | プラズマ発生装置 |
JP2014506292A (ja) * | 2010-12-23 | 2014-03-13 | エレメント シックス リミテッド | 合成ダイヤモンド材料を製造するためのマイクロ波プラズマ反応器 |
JP2017521556A (ja) * | 2014-06-16 | 2017-08-03 | エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド | 合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1159012A (en) * | 1980-05-02 | 1983-12-20 | Seitaro Matsuo | Plasma deposition apparatus |
US5179264A (en) * | 1989-12-13 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | Solid state microwave powered material and plasma processing systems |
KR930011413B1 (ko) * | 1990-09-25 | 1993-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법 |
ATE219321T1 (de) | 1994-03-31 | 2002-06-15 | Lockheed Martin Energy Sys Inc | Mikrowellen-heizvorrichtung mit variabler frequenz |
US5558800A (en) | 1995-06-19 | 1996-09-24 | Northrop Grumman | Microwave power radiator for microwave heating applications |
US5907221A (en) | 1995-08-16 | 1999-05-25 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma reactor with an inductive coil antenna having independent loops |
US5736818A (en) * | 1996-03-15 | 1998-04-07 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Resonant radiofrequency wave plasma generating apparatus with improved stage |
TW392215B (en) * | 1997-02-19 | 2000-06-01 | Anelva Corp | Surface processing apparatus |
US6158384A (en) | 1997-06-05 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with multiple small internal inductive antennas |
DE19802971C2 (de) | 1998-01-27 | 1999-12-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Plasmareaktor |
RU2149521C1 (ru) * | 1999-02-02 | 2000-05-20 | Аозт "Дигазкрон" | Свч-плазмохимический реактор |
FR2840451B1 (fr) | 2002-06-04 | 2004-08-13 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif de production d'une nappe de plasma |
US7569800B2 (en) * | 2004-11-15 | 2009-08-04 | Yonglai Tian | Method and apparatus for rapid thermal processing and bonding of materials using RF and microwaves |
JP2006244891A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
US7595507B2 (en) | 2005-04-13 | 2009-09-29 | Group4 Labs Llc | Semiconductor devices having gallium nitride epilayers on diamond substrates |
EP2253733B1 (en) * | 2005-06-22 | 2012-03-21 | Element Six Limited | High colour diamond |
KR101136823B1 (ko) | 2010-07-12 | 2012-04-19 | (주)케이엠앤아이 | 차량용 전동트랙의 기어박스 및 그 조립방법 |
GB201021860D0 (en) | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for diamond synthesis |
GB2486778B (en) | 2010-12-23 | 2013-10-23 | Element Six Ltd | Controlling doping of synthetic diamond material |
GB201021855D0 (en) | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | Microwave power delivery system for plasma reactors |
GB201021853D0 (en) * | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
GB201021913D0 (en) * | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture |
FR2974701B1 (fr) * | 2011-04-27 | 2014-03-21 | Sairem Soc Pour L Applic Ind De La Rech En Electronique Et Micro Ondes | Installation de production d'un plasma micro-onde |
GB201121666D0 (en) | 2011-12-16 | 2012-01-25 | Element Six Ltd | Synthetic diamond coated compound semiconductor substrates |
GB201209424D0 (en) | 2012-05-28 | 2012-07-11 | Element Six Ltd | Free-standing non-planar polycrystalline synthetic diamond components |
-
2014
- 2014-06-16 GB GBGB1410703.1A patent/GB201410703D0/en not_active Ceased
-
2015
- 2015-06-10 GB GB1510084.5A patent/GB2532532B/en active Active
- 2015-06-10 JP JP2016573532A patent/JP6763785B2/ja active Active
- 2015-06-10 CA CA2946433A patent/CA2946433C/en active Active
- 2015-06-10 EP EP15727013.3A patent/EP3155631B1/en active Active
- 2015-06-10 SG SG11201608578PA patent/SG11201608578PA/en unknown
- 2015-06-10 RU RU2016148886A patent/RU2666135C2/ru active
- 2015-06-10 US US15/304,366 patent/US10734198B2/en active Active
- 2015-06-10 WO PCT/EP2015/062957 patent/WO2015193155A1/en active Application Filing
- 2015-06-10 KR KR1020167034988A patent/KR101854069B1/ko active IP Right Grant
- 2015-06-10 CN CN201580027337.4A patent/CN106661732B/zh active Active
-
2018
- 2018-12-13 JP JP2018233112A patent/JP2019077951A/ja active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63236791A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンドの製造方法 |
JPS6424094A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-26 | Nat Inst Res Inorganic Mat | Synthesizing apparatus for diamond |
JPH03111577A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-13 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | マイクロ波プラズマ発生装置およびそれを利用するダイヤモンド膜の製造方法 |
JPH04230019A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-08-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マイクロ波給電式材料/プラズマ処理システム |
JPH04144992A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-19 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | マイクロ波プラズマ発生装置およびそれを利用するダイヤモンド膜の製造方法 |
JPH06256952A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-13 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ダイヤモンド膜の製造方法 |
JP2004346385A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Hamamatsu Kagaku Gijutsu Kenkyu Shinkokai | マイクロ波プラズマ発生方法、マイクロ波プラズマ発生装置および前記装置を使用してダイヤモンド薄膜を製造する方法 |
JP2007191362A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ダイヤモンド製造方法 |
JP2010525155A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | エコール ポリテクニク | プラズマ発生装置 |
JP2014506292A (ja) * | 2010-12-23 | 2014-03-13 | エレメント シックス リミテッド | 合成ダイヤモンド材料を製造するためのマイクロ波プラズマ反応器 |
JP2017521556A (ja) * | 2014-06-16 | 2017-08-03 | エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド | 合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2946433A1 (en) | 2015-12-23 |
WO2015193155A1 (en) | 2015-12-23 |
KR20170024580A (ko) | 2017-03-07 |
JP2017521556A (ja) | 2017-08-03 |
CN106661732A (zh) | 2017-05-10 |
GB2532532A (en) | 2016-05-25 |
US10734198B2 (en) | 2020-08-04 |
SG11201608578PA (en) | 2016-11-29 |
RU2016148886A3 (ja) | 2018-07-16 |
EP3155631B1 (en) | 2020-08-05 |
RU2016148886A (ru) | 2018-07-16 |
US20170040145A1 (en) | 2017-02-09 |
EP3155631A1 (en) | 2017-04-19 |
JP6763785B2 (ja) | 2020-09-30 |
CN106661732B (zh) | 2019-03-19 |
GB2532532B (en) | 2018-10-17 |
RU2666135C2 (ru) | 2018-09-06 |
CA2946433C (en) | 2018-10-02 |
KR101854069B1 (ko) | 2018-05-02 |
GB201510084D0 (en) | 2015-07-22 |
GB201410703D0 (en) | 2014-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019077951A (ja) | 合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器 | |
US11488805B2 (en) | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material | |
US8955456B2 (en) | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material | |
US9410242B2 (en) | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200217 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200518 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200716 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201102 |