JP2019075552A - ディスプレイ用ledモジュール組立体 - Google Patents

ディスプレイ用ledモジュール組立体 Download PDF

Info

Publication number
JP2019075552A
JP2019075552A JP2018180524A JP2018180524A JP2019075552A JP 2019075552 A JP2019075552 A JP 2019075552A JP 2018180524 A JP2018180524 A JP 2018180524A JP 2018180524 A JP2018180524 A JP 2018180524A JP 2019075552 A JP2019075552 A JP 2019075552A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led module
unit substrate
inter
pixel
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018180524A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6678716B2 (ja
Inventor
キュンキ ミン
Chunki Min
キュンキ ミン
ギュンオ キム
Keunoh Kim
ギュンオ キム
フィギョン ノ
Huikyeong Noh
フィギョン ノ
ギョンミン チョ
Kyungmin Cho
ギョンミン チョ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lumens Co Ltd
Original Assignee
Lumens Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lumens Co Ltd filed Critical Lumens Co Ltd
Publication of JP2019075552A publication Critical patent/JP2019075552A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6678716B2 publication Critical patent/JP6678716B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/13Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】LEDモジュールの継ぎ合わせ部における光の色干渉や光の乱反射を防止し、シームレスディスプレイ特性を具現できるLEDモジュール組立体を提供する。【解決手段】第1LEDモジュール100及び第2LEDモジュール100は、第1単位基板110と、第1単位基板の一側面と接触して連結される第2単位基板110とを含む複数の単位基板と、単位基板上に実装される少なくとも3個のLEDチップ121、122、123により形成される複数のピクセル120と、複数のLEDチップ間に形成される複数のチップ間バレー133と、それぞれのピクセルが横方向に同一の間隔で形成された複数の横方向間隔及び縦方向に同一の間隔で形成された複数の縦方向間隔に形成される複数のピクセル間バレー132と、を含む複数の光吸収層130と、を含み、複数のピクセル間バレーの幅は、複数のチップ間バレーの幅より大きく形成される。【選択図】図3

Description

本発明は、LEDモジュール組立体に関し、より詳細には、LEDモジュールの各側面同士が継ぎ合わされて形成され、各LEDモジュールの継ぎ合わせ部における光の色干渉や光の乱反射を防止し、シームレス(seamless)ディスプレイ特性を具現できるLEDモジュール組立体に関する。
従来、複数のLEDモジュールの各側面同士を継ぎ合わせることによって一つのLEDモジュール組立体を構成する技術が知られている。このような従来のLEDモジュール組立体はLEDディスプレイ装置に適用されている。
図1に示すように、従来のLEDモジュール組立体は、各側面同士が継ぎ合わせられる複数のLEDモジュール2を含む。複数のLEDモジュール2のそれぞれは、単位基板22と、単位基板22上に実装されて複数のピクセルを形成する複数のLEDチップ(24a、24b、24c)と、スクイージング工程又はトランスファーモールディング工程によって複数のLEDチップ(24a、24b、24c)の上面及び側面を全て覆うように単位基板22上に形成されたブラックモールディング部26とを含む。ブラックモールディング部26は、ブラックカーボンが混合された樹脂材料を用いてトランスファーモールディング工程によって形成される。ブラックモールディング部26は、ディスプレイのピュアブラックカラーのためにR、G、B用LEDチップの側面から出た側面光による色干渉を減少させる目的で提供される。
複数のLEDモジュール2は、一つの大きなLEDモジュールの部材を多数個に分離・切断して形成されるので、その切断によって形成された複数のLEDモジュール2のそれぞれは、単位基板22の側面及びブラックモールディング部26の側面が切断面に形成される。このようなLEDモジュール組立体をディスプレイ装置に適用すると、ディスプレイ装置の駆動時、各LEDモジュール2間の継ぎ合わせ部の境界が図2のように顕著に現われ、ディスプレイの質を大きく低下させる。上記のような現象は、例えば、ソーイング(sawing)などによって形成されたブラックモールディング部26の切断面において複数のLEDモジュールで発生する光の乱反射の一つの原因となる。また、ブラックモールディング部26の形成のためにトランスファーモールディングを適用する場合、金型圧着のための余裕空間が必要であるという問題があり、また、ブラックモールディング部26がLEDチップの上部も覆うようになるので、放出される光量が減少し、効率が低下するという問題がある。代案として、ブラックモールディング部26の形成のためにスクイージングが適用可能であるが、このようなスクイージングの適用時、ブラックモールディング部26の高さ偏差及び扁平度の維持が難しいという問題がある。
また、各切断面の接合で生じる継ぎ合わせ部の境界の間隔が複数のLED間の間隔より広くなると、継ぎ合わせ部の境界がラインのように形成されるという問題がある。
国際公開WO2011/004625号公報 特開2009−177117号公報
本発明は、上記従来のLEDモジュール組立体における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明が解決しようとする課題は、各LEDモジュールの各側面同士が継ぎ合わされて形成され、各LEDモジュールの継ぎ合わせ部における光の色干渉や光の乱反射を防止し、継ぎ合わせ部の境界の間隔を複数のピクセル間隔と同一に狭くすることによってシームレスディスプレイ特性を具現できるLEDモジュール組立体を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明によるディスプレイ用LEDモジュール組立体は、第1LEDモジュール及び第2LEDモジュールが形成された複数のLEDモジュールを含むディスプレイ用LEDモジュール組立体において、前記第1LEDモジュール及び前記第2LEDモジュールは、前記第1LEDモジュールの第1単位基板と、前記第1単位基板の一側面と接触して連結される前記第2LEDモジュールの第2単位基板と、を含む複数の単位基板と、前記複数の単位基板上に実装される少なくとも3個のLEDチップが一つのピクセルを形成する複数のピクセルと、前記複数の単位基板上に前記一つのピクセルを構成するそれぞれのLEDチップ間に形成される複数のチップ間バレーと、前記複数のピクセルを構成するそれぞれの一つのピクセルが横方向に同一の間隔で形成された複数の横方向間隔、及び縦方向に同一の間隔で形成された複数の縦方向間隔に形成される複数のピクセル間バレーと、を含む複数の光吸収層と、を含み、前記複数のピクセル間バレーの幅は、前記複数のチップ間バレーの幅より大きく形成されることを特徴とする。
前記光吸収層は、前記複数のピクセル間に形成される複数のバレーを含み、前記複数のバレーのうち少なくとも一つは第1傾斜部及び第2傾斜部を形成することが好ましい。
前記ピクセル間バレーの深さは、前記チップ間バレーの深さより深いことが好ましい。
前記チップ間バレーは、前記一つのピクセルを形成するそれぞれのLEDチップの側面の上端コーナーで前記第1単位基板又は前記第2単位基板の表面とチップ間バレーの下端を形成し、
前記チップ間バレーの下端は、前記一つのピクセルを形成するそれぞれのLEDチップ間の中央部に位置し、湾曲を形成することができる。
前記第1単位基板及び前記第2単位基板には、互いに継ぎ合わせる側面に光吸収部が形成され得る。
前記少なくとも3個のLEDチップは、前記第1単位基板又は前記第2単位基板上にフリップチップボンディングされることが好ましい。
前記第1単位基板及び前記第2単位基板を含む複数の単位基板の側面は垂直切断面を形成してもよい。
前記少なくとも3個のLEDチップのそれぞれの表面は、外部に露出しており、前記チップ間バレーの上端と同一の高さであることが好ましい。
上記目的を達成するためになされた本発明によるディスプレイ用LEDモジュール組立体は、第1LEDモジュール及び第2LEDモジュールが形成された複数のLEDモジュールを含むディスプレイ用LEDモジュール組立体において、前記第1LEDモジュール及び前記第2LEDモジュールは、前記第1LEDモジュールの第1単位基板と、前記第1単位基板と接触して連結される前記第2LEDモジュールの第2単位基板と、を含む複数の単位基板と、前記複数の単位基板上に実装される少なくとも3個のLEDチップが一つのピクセルを形成する複数のピクセルと、前記複数の単位基板上に前記一つのピクセルを構成するそれぞれのLEDチップ間に形成される複数のチップ間バレーと、前記複数のピクセルを構成するそれぞれの一つのピクセルが横方向に同一の間隔で形成された複数の横方向間隔、及び縦方向に同一の間隔で形成された複数の縦方向間隔に形成される複数のピクセル間バレーと、を含む複数の光吸収層と、を含み、前記第1単位基板と前記第2単位基板との間の境界面上に形成される縦方向間隔及び横方向間隔は、前記第1単位基板又は前記第2単位基板の内部に形成される横方向間隔又は縦方向間隔と同一の間隔であることを特徴とする。
前記複数の光吸収層は、前記縦方向間隔又は横方向間隔に前記複数のピクセル間バレーを形成し、前記複数のピクセル間バレーのうち少なくとも一つは第1傾斜部及び第2傾斜部を含むことが好ましい。
前記複数の光吸収層は、前記縦方向間隔又は横方向間隔に前記複数のピクセル間バレーを形成し、前記複数の単位基板の外郭に位置するピクセルの縦方向間隔又は横方向間隔には、第1傾斜部及び第2傾斜部から選ばれたいずれか一つを形成することが好ましい。
前記第1単位基板と前記第2単位基板との境界面に形成される第1傾斜部と、前記第1傾斜部と互いに対称をなすように形成される第2傾斜部と、を含み、前記第1傾斜部と前記第2傾斜部が一つのピクセル間バレーを形成し、
前記ピクセル間バレーの深さは、前記チップ間バレーの深さより深いことが好ましい。
前記チップ間バレーは、前記一つのピクセルを形成するそれぞれのLEDチップの側面の上端コーナーで前記第1単位基板又は前記第2単位基板の表面とチップ間バレーの下端を形成することができる。
前記チップ間バレーの下端は、前記一つのピクセルを形成するそれぞれのLEDチップ間の中央部に位置し、湾曲を形成することが好ましい。
前記第1単位基板及び前記第2単位基板には、互いに継ぎ合わせる側面に光吸収部が形成されることが好ましい。
前記少なくとも3個のLEDチップは、前記第1単位基板又は前記第2単位基板上にフリップチップボンディングされ得る。
前記第1単位基板及び前記第2単位基板を含む複数の単位基板の側面は垂直切断面出あり得る。
前記少なくとも3個のLEDチップのそれぞれの表面は、外部に露出しており、前記バレーの上端と同一の高さであること好ましい。
本発明に係るLEDモジュール組立体によれば、各LEDモジュールの各側面同士が継ぎ合わされて形成され、各LEDモジュールの継ぎ合わせ部における光の色干渉や光の乱反射を防止することによってシームレスディスプレイ特性を具現することができる。
より具体的に、本発明によるディスプレイ用LEDモジュール組立体は、アンダーフィル形態で提供される光吸収層が複数のピクセル間バレー及びチップ間バレーを含んでおり、また、二つのLEDモジュールの継ぎ合わせ部にもピクセル間バレーが提供されるので、ソーイングによって切断面が存在するLEDモジュールの切断面の継ぎ合わせ部におけるシームレス特性を向上させる。すなわち、ソーイングなどによって形成されたブラックモールディング部の切断面で乱反射が顕著に起こる従来技術と異なり、本発明によるディスプレイ用LEDモジュール組立体は、ソーイング、スクライビング又はブレーキングによって切断面が生じる部分に予めバレーが形成されており、切断面が生じた場合にも乱反射の発生が少なくなり、光効率の向上に寄与することができる。
また、本発明によるLEDモジュール組立体は、LEDチップの上部に、例えば、ブラックカラーを含む光吸収物質が存在しないので、光量改善効果を有する。また、本発明に係るLEDモジュール組立体は、スクイージング工程によって形成されたブラックモールディング部を含むLEDモジュール組立体に比べると、高さ偏差の管理が容易であるという長所を有する。
また、スクイージングやトランスファーモールディングでブラックモールディング部を形成する場合は、ブラックモールディング部の形成後、修理や補正が不可能であるが、本発明によるLEDモジュール組立体は、不良部分のみを選別することができるので修理や補正が可能である。これは、収率を高め、生産費用を低下させる。
従来技術を説明するための断面図である。 従来技術による画像例を示す図である。 本発明の一実施形態によるLEDモジュール組立体を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態によるLEDモジュール組立体を説明するための平面図である。 図3のA部を拡大して示す図である。 図3のB部を拡大して示す図である。 本発明の他の実施形態を説明するための断面図である。
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。添付の各図面及びこれに関する説明は、当該技術分野で通常の技術を有する者が本発明を容易に理解できるように提示されたものである。よって、各図面及び説明が本発明の範囲を限定すると解釈してはならない。
図3〜図6は、本発明の一実施形態によるLEDモジュール組立体を説明するための図であり、図3は本発明の一実施形態によるLEDモジュール組立体の断面図、図4は平面図、図5、6はそれぞれ図3のA部とB部を拡大して示す図である。
図3〜図6に示すように、本発明の一実施形態によるディスプレイ用LEDモジュール組立体は、各側面同士が互いに継ぎ合わされた複数のLEDモジュール100を含む。複数のLEDモジュール100は、第1LEDモジュール100、第2LEDモジュール100、…、及び第nLEDモジュールを含む。説明の便宜上、多数個のLEDモジュールのうち互いに隣接して位置する二つのLEDモジュールを第1LEDモジュール100及び第2LEDモジュール100と区分して称し、これらの部材には同一の番号を使用する。
上記LEDモジュール組立体は、第1LEDモジュール100の一部である第1単位基板110、及び第2LEDモジュール100の一部である第2単位基板110を含む基板を含む。第1LEDモジュール100及び第2LEDモジュール100の側面同士を継ぎ合わせることによって、第1単位基板110及び第2単位基板110の側面同士も継ぎ合わされる。また、第1LEDモジュール100及び第2LEDモジュール100は、第1単位基板110及び第2単位基板110上に実装されて複数のピクセル120を形成する複数のLEDチップ(121、122、123)を含む。また、第1LEDモジュール100及び第2LEDモジュール100は、第1単位基板110上に形成された第1光吸収層130、及び第2単位基板110上に形成された第2光吸収層130を含む。このとき、第1及び第2単位基板110は、例えば、PCB(Printed Circuit Board)、フレキシブル基板(例えば、FPCB)、及び透明な有機質基板から選ばれたものであり得る。
第1光吸収層130及び第2光吸収層130を含む光吸収層は、例えば、光を吸収するブラックカラーを有するものであって、以下でより詳細に説明する各構成によってディスプレイのピュアブラックカラーを提供することはもちろん、各LEDチップ(121、122、123)の側面光による色干渉を除去することによってディスプレイ画質を改善し、上述した従来技術のブラックモールディング部と異なり、各LEDチップ(121、122、123)の上部面を除いて形成されるので光量をほぼ低下させることなく、特に、ディスプレイの駆動時に継ぎ目が見えないシームレス特性を発現させる。
第1LEDモジュール100及び第2LEDモジュール100は、単位基板より数倍以上大きい基板(図示せず)、及びその基板上に実装された多数のLEDチップを含む一つの大きなLEDモジュールの部材(図示せず)から切断・分離されて形成され得る。そして、第1単位基板110及び第2単位基板110のそれぞれの側面は、切断によって形成された垂直切断面からなっている。また、第1単位基板110と第2単位基板110とが境界面を形成する垂直切断面となった側面には光吸収部112が形成される。光吸収部112は、光吸収色を有する材料、例えば、ブラックインクなどを第1単位基板110の側面及び第2単位基板110の側面に塗って形成され得る。
一方、第1単位基板110及び第2単位基板110上には、それぞれ複数のピクセル120が行列配列をなしながら配置される。ピクセル120のそれぞれは、赤色LEDチップ121、緑色LEDチップ122及び青色LEDチップ123を含む。また、ピクセル120内の各LEDチップ(121、122、123)、すなわち、赤色LEDチップ121、緑色LEDチップ122及び青色LEDチップ123は一定間隔で配置される。また、各LEDチップ(121、122、123)は、該当の単位基板110にフリップチップボンディングによって実装され、よって、LEDチップ(121、122、123)の上部にボンディングワイヤを有していない。また、各LEDチップ(121、122、123)は、該当の単位基板110に垂直型チップを実装し、LEDチップ(121、122、123)の上部にボンディングワイヤを有してもよく、ボンディングワイヤを有していなくてもよい。
図4に示すように、LEDモジュール100のそれぞれにおいて、各ピクセル120は一定の横方向間隔a及び一定の縦方向間隔bで配置される。すなわち、第1又は第2LEDモジュールであり得るそれぞれのLEDモジュール100において、横方向に互いに隣り合うピクセル120、120間の横方向間隔はaと一定しており、縦方向に互いに隣り合うピクセル120、120間の縦方向間隔はbと一定している。このとき、複数のLEDモジュール100が継ぎ合わされた状態で、互いに横方向に隣り合う二つのLEDモジュール100、100間の隣り合う二つのピクセル間の横方向間隔もaであって、該当のLEDモジュールにおけるピクセル間の間隔aと同一であり、互いに縦方向に隣り合う二つのLEDモジュール100、100間の隣り合う二つのピクセル間の縦方向間隔もbであって、該当のLEDモジュールにおけるピクセル間の間隔bと同一である。よって、横方向に隣り合う二つのピクセル間の二つの隣接LEDチップ121と121、122と122、123と123間に位置したピクセル間バレーの幅は、横方向に隣り合う二つのピクセルが同一のLEDモジュールにあるのか、それとも、横方向に互いに隣り合う他のLEDモジュールにあるのかとは関係なく同一になり、縦方向に隣り合う二つのピクセル間の二つの隣接LEDチップ121、123間に形成されるピクセル間バレーの幅は、縦方向に隣り合う二つのピクセルが同一のLEDモジュールにあるのか、それとも、縦方向に互いに隣り合う他のLEDモジュールにあるのかとは関係なく同一になる。
再び図3〜図6を参照すると、第1単位基板110及び第2単位基板110を含む基板上には光吸収層130が形成され、光吸収層130は、第1単位基板110上に形成される第1光吸収層130と、第2単位基板110上に形成される第2光吸収層130とを含む。また、光吸収層130は、複数のピクセル120間に形成された複数のバレー132、より具体的には、ピクセル間バレー132を含む。
複数のピクセル間バレー132のそれぞれは、隣り合う二つのピクセル間で隣り合う二つのLEDチップ123、121間に形成される。また、光吸収層130は、複数のピクセル120のそれぞれの内部で隣り合う二つのLEDチップ121と122又は122と123間に形成されたチップ間バレー133を含む。
隣り合う二つのピクセル120、120間の二つの隣り合うLEDチップ123、121間の間隔が、各ピクセル120内の二つの隣り合うLEDチップ121と122又は122と123間の間隔より大きいので、隣り合う二つのピクセル120、120間に形成されたピクセル間バレー132の幅は、各ピクセル120内の二つの隣り合うLEDチップ121と122又は122と123間に形成されるチップ間バレー133の幅より大きく定められる。
ピクセル間バレー132は、ピクセル内で外側に位置するLEDチップ121又は123の側面の上端コーナーから第1単位基板110又は第2単位基板110の表面に最も近接したピクセル間バレーの下端132aに向けて傾斜するように、そして、少しの湾曲を形成しながらつながる。このとき、ピクセル間バレーの下端132aは、隣り合う二つのピクセル120、120間の隣り合う二つのLEDチップ123、121間の中央に位置し得る。この場合、ピクセル間バレーの下端132aは、第1単位基板110又は第2単位基板110の表面と実質的に接していることが最も選好される。
また、チップ間バレー133は、LEDチップ(121、122、123)の側面の上端コーナーから第1単位基板110又は第2単位基板110の表面に最も近接したチップ間バレーの下端133aに向けて傾斜するように、そして、少しの湾曲を形成しながらつながる。このとき、チップ間バレーの下端133aは、隣り合うピクセル120内の隣り合う二つのLEDチップ121と122又は122と123間の中央に位置し得る。この場合、チップ間バレーの下端133aは、第1単位基板110又は第2単位基板110の表面と実質的に接していることが最も選好される。
このとき、ピクセル間バレー132の深さがチップ間バレー133の深さより深いことが好ましい。
特に、本発明によると、第1光吸収層130及び第2光吸収層130は、第1単位基板110と第2単位基板110との間の境界面の上端コーナーから第1単位基板110及び第2単位基板110上のピクセル内で外側に位置するLEDチップ121又は123のそれぞれの側面の上部に傾斜するようにつながった第1傾斜部134a及び第2傾斜部134bを含む。第1傾斜部134a及び第2傾斜部134bは、境界面を基準にして互いに対称をなすように形成され、互いに出会うときに一つのピクセル間バレー134を形成する。このピクセル間バレー134は、上述した第1単位基板110と第2単位基板110との間に提供され、第1単位基板110又は第2単位基板110上に提供された各ピクセル間バレー132と共に複数のピクセル間バレー132、134を構成する。第1光吸収層130と第2光吸収層130との間で第1傾斜部134aと第2傾斜部134bとが出会うことによって形成されたピクセル間バレー134は、第1光吸収層130又は第2光吸収層130自体に形成されたピクセル間バレー132と同一の形状及び同一のサイズを有することが好ましい。
このとき、光吸収層130は、ブラックカラー材料を含む液状又はゲル状の樹脂材料を第1単位基板110及び第2単位基板110上にスプレー方式で塗布することによって形成され得る。第1傾斜部134aと第2傾斜部134bとが出会うことによって形成されたバレー134も、LEDチップの側面の上端コーナーから基板の表面に最も近接したバレーの下端に向けて傾斜するようにつながる。上記ブラックカラー材料は、例えば、ブラックカーボンであり得る。
ブラックカラー材料を含む液状又はゲル状の樹脂材料を、複数のLEDチップ(121、122、123)が実装されている第1単位基板110及び第2単位基板110にスプレー方式で塗布すると、液状又はゲル状の樹脂材料が隣り合う各ピクセル間又はピクセル内の各LEDチップ間に充填され、上述した光吸収層130を形成する。それにもかかわらず、液状又はゲル状の樹脂が有する表面張力により、液状又はゲル状の樹脂がLEDチップ(121、122、123)の上面から側面に全て流れ込み、これによって、LEDチップ(121、122、123)の上面は外部に露出する。よって、LEDチップ(121、122、123)の上面は、バレー(132、133)の上端と同一の高さを有した状態で外部に露出する。LEDチップ(121、122、123)の上面に光吸収層が存在しないので、LEDチップ(121、122、123)の上面を介して出る光が光吸収層に吸収されることによってもたらされ得る効率の低下が防止される。
図7は、本発明の他の実施形態によるLEDモジュール組立体を説明するための断面図である。
図7を参照すると、本実施形態によるLEDモジュール組立体においては、基板、より具体的には、第1又は第2単位基板110が光吸収パターン膜115を上部面に含む。この光吸収パターン膜115は、LEDチップ(121、122、123)の電極パッドと接続される電極パターンなどを除いて基板110の露出表面を覆うように予め形成されるものであって、ブラック系列のPSR(Photo Solder Resit)又はブラックテープであり得る。また、上述した実施形態と同様に、光吸収層130は、第1単位基板110又は第2単位基板110上で隣り合う二つのピクセル間の隣り合う二つのLEDチップ123、121間に位置するピクセル間バレー132と、第1単位基板110又は第2単位基板110上で特定ピクセル内の二つのLEDチップ121と122又は122と123間に位置するチップ間バレー133と、第1単位基板110と第2単位基板110との間で隣り合う二つのピクセル間の隣り合う二つのLEDチップ123、121間に位置する他のピクセル間バレー134(図3参照)とを含み、ピクセル間バレー132及びチップ間バレー133は、バレーの下端で光吸収パターン膜115と接するように形成される。このような構成は、バレーの下端がオープンされることによって基板の表面が露出する可能性を未然に遮断し、LEDモジュール組立体において全体的に均一なブラックカラーの具現を可能にする。
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更することが可能である。
100 (第1、第2)LEDモジュール
110 (第1単位、第2単位)基板
112 光吸収部
115 光吸収パターン膜
120 ピクセル
121、122、123 LEDチップ
130 (第1、第2)光吸収層
132、133、134 (チップ間、ピクセル間)バレー

Claims (20)

  1. 第1LEDモジュール及び第2LEDモジュールが形成された複数のLEDモジュールを含むディスプレイ用LEDモジュール組立体において、
    前記第1LEDモジュール及び前記第2LEDモジュールは、
    前記第1LEDモジュールの第1単位基板と、前記第1単位基板の一側面と接触して連結される前記第2LEDモジュールの第2単位基板と、を含む複数の単位基板と、
    前記複数の単位基板上に実装される少なくとも3個のLEDチップが一つのピクセルを形成する複数のピクセルと、
    前記複数の単位基板上に前記一つのピクセルを構成するそれぞれのLEDチップ間に形成される複数のチップ間バレーと、前記複数のピクセルを構成するそれぞれの一つのピクセルが横方向に同一の間隔で形成された複数の横方向間隔、及び縦方向に同一の間隔で形成された複数の縦方向間隔に形成される複数のピクセル間バレーと、を含む複数の光吸収層と、を含み、
    前記複数のピクセル間バレーの幅は、前記複数のチップ間バレーの幅より大きく形成されることを特徴とするディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  2. 前記光吸収層は、前記複数のピクセル間に形成される複数のバレーを含み、前記複数のバレーのうち少なくとも一つは第1傾斜部及び第2傾斜部を形成することを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  3. 前記ピクセル間バレーの深さは、前記チップ間バレーの深さより深いことを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  4. 前記チップ間バレーは、前記一つのピクセルを形成するそれぞれのLEDチップの側面の上端コーナーで前記第1単位基板又は前記第2単位基板の表面とチップ間バレーの下端を形成することを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  5. 前記チップ間バレーの下端は、前記一つのピクセルを形成するそれぞれのLEDチップ間の中央部に位置し、湾曲を形成することを特徴とする請求項4に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  6. 前記第1単位基板及び前記第2単位基板には、互いに継ぎ合わせる側面に光吸収部が形成されることを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  7. 前記少なくとも3個のLEDチップは、前記第1単位基板又は前記第2単位基板上にフリップチップボンディングされることを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  8. 前記第1単位基板及び前記第2単位基板を含む複数の単位基板の側面は垂直切断面を形成することを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  9. 前記少なくとも3個のLEDチップのそれぞれの表面は、外部に露出しており、前記チップ間バレーの上端と同一の高さであることを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  10. 第1LEDモジュール及び第2LEDモジュールが形成された複数のLEDモジュールを含むディスプレイ用LEDモジュール組立体において、
    前記第1LEDモジュール及び前記第2LEDモジュールは、
    前記第1LEDモジュールの第1単位基板と、前記第1単位基板と接触して連結される前記第2LEDモジュールの第2単位基板と、を含む複数の単位基板と、
    前記複数の単位基板上に実装される少なくとも3個のLEDチップが一つのピクセルを形成する複数のピクセルと、
    前記複数の単位基板上に前記一つのピクセルを構成するそれぞれのLEDチップ間に形成される複数のチップ間バレーと、前記複数のピクセルを構成するそれぞれの一つのピクセルが横方向に同一の間隔で形成された複数の横方向間隔、及び縦方向に同一の間隔で形成された複数の縦方向間隔に形成される複数のピクセル間バレーと、を含む複数の光吸収層と、を含み、
    前記第1単位基板と前記第2単位基板との間の境界面上に形成される縦方向間隔及び横方向間隔は、前記第1単位基板又は前記第2単位基板の内部に形成される横方向間隔又は縦方向間隔と同一の間隔であることを特徴とするディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  11. 前記複数の光吸収層は、前記縦方向間隔又は横方向間隔に前記複数のピクセル間バレーを形成し、前記複数のピクセル間バレーのうち少なくとも一つは第1傾斜部及び第2傾斜部を含むことを特徴とする請求項10に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  12. 前記複数の光吸収層は、前記縦方向間隔又は横方向間隔に前記複数のピクセル間バレーを形成し、前記複数の単位基板の外郭に位置するピクセルの縦方向間隔又は横方向間隔には、第1傾斜部及び第2傾斜部から選ばれたいずれか一つを形成することを特徴とする請求項10に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  13. 前記第1単位基板と前記第2単位基板との境界面に形成される第1傾斜部と、前記第1傾斜部と互いに対称をなすように形成される第2傾斜部と、を含み、前記第1傾斜部と前記第2傾斜部が一つのピクセル間バレーを形成することを特徴とする請求項10に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  14. 前記ピクセル間バレーの深さは、前記チップ間バレーの深さより深いことを特徴とする請求項10に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  15. 前記チップ間バレーは、前記一つのピクセルを形成するそれぞれのLEDチップの側面の上端コーナーで前記第1単位基板又は前記第2単位基板の表面とチップ間バレーの下端を形成することを特徴とする請求項10に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  16. 前記チップ間バレーの下端は、前記一つのピクセルを形成するそれぞれのLEDチップ間の中央部に位置し、湾曲を形成することを特徴とする請求項15に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  17. 前記第1単位基板及び前記第2単位基板には、互いに継ぎ合わせる側面に光吸収部が形成されることを特徴とする請求項10に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  18. 前記少なくとも3個のLEDチップは、前記第1単位基板又は前記第2単位基板上にフリップチップボンディングされることを特徴とする請求項10に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  19. 前記第1単位基板及び前記第2単位基板を含む複数の単位基板の側面は垂直切断面を形成することを特徴とする請求項10に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。
  20. 前記少なくとも3個のLEDチップのそれぞれの表面は、外部に露出しており、前記バレーの上端と同一の高さであることを特徴とする請求項10に記載のディスプレイ用LEDモジュール組立体。

JP2018180524A 2017-10-12 2018-09-26 ディスプレイ用ledモジュール組立体 Active JP6678716B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0132603 2017-10-12
KR20170132603 2017-10-12

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018014021A Division JP6411685B1 (ja) 2017-10-12 2018-01-30 ディスプレイ用ledモジュール組立体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019075552A true JP2019075552A (ja) 2019-05-16
JP6678716B2 JP6678716B2 (ja) 2020-04-08

Family

ID=63920614

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018014021A Active JP6411685B1 (ja) 2017-10-12 2018-01-30 ディスプレイ用ledモジュール組立体
JP2018180524A Active JP6678716B2 (ja) 2017-10-12 2018-09-26 ディスプレイ用ledモジュール組立体

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018014021A Active JP6411685B1 (ja) 2017-10-12 2018-01-30 ディスプレイ用ledモジュール組立体

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10504878B2 (ja)
JP (2) JP6411685B1 (ja)
KR (1) KR102657094B1 (ja)
CN (1) CN109844948A (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3918635A4 (en) * 2019-05-03 2022-04-06 Samsung Electronics Co., Ltd. LIGHT EMITTING DIODE MODULE
US11152540B2 (en) 2019-07-29 2021-10-19 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode structure and method of manufacturing thereof
KR20210019895A (ko) 2019-08-13 2021-02-23 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
CN112447897A (zh) * 2019-09-03 2021-03-05 李家铭 具有遮光膜的rgb发光二极管模块
KR20210034977A (ko) * 2019-09-23 2021-03-31 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US11038088B2 (en) 2019-10-14 2021-06-15 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package
CN113228317B (zh) * 2019-12-03 2023-08-29 重庆康佳光电科技有限公司 发光二极管及其制造方法、发光二极管模组、显示设备
JP2021103209A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 ソニーグループ株式会社 表示装置および映像表示方法
CN113451486A (zh) * 2020-03-27 2021-09-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
KR20210141146A (ko) * 2020-05-15 2021-11-23 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
JPWO2021256323A1 (ja) * 2020-06-19 2021-12-23
TWI820589B (zh) * 2021-04-09 2023-11-01 群創光電股份有限公司 電子裝置及其製造方法
WO2023096143A1 (ko) * 2021-11-24 2023-06-01 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN114241943B (zh) * 2021-12-14 2024-03-15 惠州华星光电显示有限公司 显示屏、显示装置及显示屏的制作方法
TWI771248B (zh) * 2021-12-15 2022-07-11 財團法人工業技術研究院 顯示面板
KR20230092313A (ko) * 2021-12-17 2023-06-26 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20240059342A (ko) * 2022-10-27 2024-05-07 엘지전자 주식회사 마이크로 led 모듈 및 이를 구비하는 표시 장치

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59206869A (ja) * 1983-05-11 1984-11-22 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JPS6324857U (ja) * 1986-07-31 1988-02-18
JPH0472270U (ja) * 1990-11-06 1992-06-25
JPH08122769A (ja) * 1994-09-02 1996-05-17 Sharp Corp 液晶表示装置
WO1998037534A1 (fr) * 1997-02-20 1998-08-27 Sony Corporation Affichage d'image et son procede de disposition de pixels
JP2002118124A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Sony Corp 素子実装方法
JP2009258455A (ja) * 2008-04-18 2009-11-05 Nichia Corp ディスプレイユニット及びその製造方法
JP2011075825A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Mitsubishi Electric Corp 画像表示装置
JP2012227514A (ja) * 2011-04-08 2012-11-15 Sony Corp 画素チップ、表示パネル、照明パネル、表示装置および照明装置
JP2016224319A (ja) * 2015-06-02 2016-12-28 三菱電機株式会社 表示装置、表示ユニットおよび表示装置の製造方法
JP2017161634A (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 ソニー株式会社 表示体デバイスおよび表示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101471945B1 (ko) * 2008-10-01 2014-12-12 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리
JP4621799B1 (ja) * 2009-05-22 2011-01-26 シャープ株式会社 光反射シート、光源装置及び表示装置
JP5740901B2 (ja) * 2010-10-15 2015-07-01 ソニー株式会社 発光装置および表示装置
EP2860777B1 (en) * 2012-06-07 2021-09-15 Shikoku Instrumentation Co., Ltd. Led illumination module and led illumination apparatus
KR20150042362A (ko) * 2013-10-10 2015-04-21 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US9818725B2 (en) * 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
KR101872981B1 (ko) * 2015-12-17 2018-08-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
DE102016103324A1 (de) * 2016-02-25 2017-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Videowand-Modul und Verfahren zum Herstellen eines Videowand-Moduls

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59206869A (ja) * 1983-05-11 1984-11-22 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JPS6324857U (ja) * 1986-07-31 1988-02-18
JPH0472270U (ja) * 1990-11-06 1992-06-25
JPH08122769A (ja) * 1994-09-02 1996-05-17 Sharp Corp 液晶表示装置
WO1998037534A1 (fr) * 1997-02-20 1998-08-27 Sony Corporation Affichage d'image et son procede de disposition de pixels
JP2002118124A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Sony Corp 素子実装方法
JP2009258455A (ja) * 2008-04-18 2009-11-05 Nichia Corp ディスプレイユニット及びその製造方法
JP2011075825A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Mitsubishi Electric Corp 画像表示装置
JP2012227514A (ja) * 2011-04-08 2012-11-15 Sony Corp 画素チップ、表示パネル、照明パネル、表示装置および照明装置
JP2016224319A (ja) * 2015-06-02 2016-12-28 三菱電機株式会社 表示装置、表示ユニットおよび表示装置の製造方法
JP2017161634A (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 ソニー株式会社 表示体デバイスおよび表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20200066694A1 (en) 2020-02-27
JP6411685B1 (ja) 2018-10-24
US10504878B2 (en) 2019-12-10
JP6678716B2 (ja) 2020-04-08
CN109844948A (zh) 2019-06-04
JP2019075528A (ja) 2019-05-16
KR102657094B1 (ko) 2024-04-15
KR20190041413A (ko) 2019-04-22
US10872882B2 (en) 2020-12-22
US20190115329A1 (en) 2019-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019075552A (ja) ディスプレイ用ledモジュール組立体
JP6790899B2 (ja) 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール
KR102215923B1 (ko) 발광 모듈의 제조 방법 및 발광 모듈
US20180233492A1 (en) Triangular-combination led circuit board, triangular led device and display
US8637878B2 (en) Display panel, display device, illumination panel and illumination device, and methods of manufacturing display panel and illumination panel
KR102617483B1 (ko) 마이크로 led 디스플레이 패널
JP6753458B2 (ja) 発光モジュール
KR102532805B1 (ko) 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈
JP6764575B2 (ja) マイクロledモジュール及びその製造方法
CN110880497B (zh) 小间距显示屏及其制作方法
JP2007096318A (ja) 発光素子パッケージ及びそれを用いたバックライトユニット
KR102492104B1 (ko) 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 표시 장치
CN109216525B (zh) 发光模块及显示装置
US11482568B2 (en) Flexible lighiing device and display panel using micro LED chips
CN113054059A (zh) 显示装置、led封装体及其制作方法
US20150187999A1 (en) Substrates for packaging flip-chip light emitting device and flip-chip light emitting device package structures
US7741774B2 (en) Backlight module including at least one luminescence element, and method of fabricating the same
CN110838500A (zh) 微型发光二极管显示装置
WO2019074278A1 (ko) 디스플레이용 엘이디 모듈 조립체
KR20200051929A (ko) 마이크로 엘이디 디스플레이 패널 및 그 제조방법
JP6611795B2 (ja) Ledパッケージ、発光装置およびledパッケージの製造方法
US20210074896A1 (en) Light emitting package, and manufacturing method thereof, and carrier
WO2020175843A1 (ko) 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 및 그 제조방법
KR20200105319A (ko) 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 및 그 제조방법
TWI778730B (zh) 具有共用電極的發光二極體裝置及其封裝結構

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180926

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181011

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190903

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200303

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200317

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6678716

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250