JP2019075413A5 - - Google Patents
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Description
この発明は、水平姿勢に保持されている基板の上面に設定された液滴供給位置に向けて液滴ノズルから処理液液滴を噴射して、前記基板の上面を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程に続いて、前記基板の上面の予め定める着液位置に向けてリンス液ノズルから連続流状のリンス液を吐出して、前記基板の上面をリンス液で洗い流すリンス工程と、前記洗浄工程から前記リンス工程への移行において、前記着液位置に着液するリンス液が前記液滴供給位置に到達する前のタイミングで、前記液滴ノズルからの前記処理液液滴の吐出を停止させる液滴吐出停止工程とを含む、基板処理方法を提供する。 The present invention comprises a cleaning step of injecting treatment liquid droplets from a droplet nozzle toward a droplet supply position set on the upper surface of a substrate held in a horizontal posture to clean the upper surface of the substrate. Following the cleaning step, a rinsing step of discharging a continuous flow of rinsing liquid from a rinsing liquid nozzle toward a predetermined liquid landing position on the upper surface of the substrate and washing the upper surface of the substrate with the rinsing liquid, and the cleaning step. In the transition from the rinsing step to the rinsing step, a liquid that stops the discharge of the processing liquid droplets from the droplet nozzle at a timing before the rinsing liquid landing at the liquid landing position reaches the droplet supply position. Provided is a substrate processing method including a drop ejection stop step.
この発明の一実施形態では、前記液滴ノズルが、処理液に気体を混合して前記処理液液滴を生成し、生成された前記処理液液滴を前記液滴供給位置に吐出する複数流体ノズルを含む。そして、前記液滴吐出停止工程が、前記着液位置に着液するリンス液が前記液滴供給位置に到達する前のタイミングで、前記複数流体ノズルへの前記気体の供給を停止させる気体供給停止工程を含む。 In one embodiment of the present invention, the droplet nozzle mixes a gas with the treatment liquid to generate the treatment liquid droplets, and discharges the generated treatment liquid droplets to the droplet supply position. including a fluid nozzle. Then , the gas supply stop step stops the supply of the gas to the plurality of fluid nozzles at a timing before the rinse liquid landing at the liquid landing position reaches the droplet supply position. process and including.
この方法によれば、複数流体ノズルを液滴ノズルとして用いる場合には、複数流体ノズルへの気体の供給を停止させることによって、液滴ノズルからの処理液液滴の吐出停止を実現することができる。
この発明の一実施形態では、前記液滴吐出停止工程が、前記リンス液ノズルからリンス液が吐出される前のタイミング、または前記リンス液ノズルからリンス液が吐出されるのと同時のタイミングで、前記液滴ノズルからの前記処理液液滴の吐出を停止させる工程を含む。
According to this method, when the plurality of fluid nozzles are used as the droplet nozzles, the discharge of the processing liquid droplets from the droplet nozzles can be stopped by stopping the supply of gas to the plurality of fluid nozzles. it can.
In one embodiment of the present invention, the droplet ejection stop step is performed at the timing before the rinse liquid is discharged from the rinse liquid nozzle or at the same timing as the rinse liquid is discharged from the rinse liquid nozzle. , including the step of stopping the discharge of the treatment liquid droplets from the droplet nozzle.
この発明の一実施形態では、前記着液位置が、前記基板の上面の中央部に設けられている。そして、前記液滴供給位置が前記基板の周縁領域に配置されている状態で、前記リンス工程が開始する。
この方法によれば、リンス工程の開始時において、液滴供給位置が基板の周縁領域に配置されている。リンス工程においては、基板の上面の中央部に向けて連続流状のリンス液が供給される。このような場合において、液跳ねの発生を抑制または防止できる。
In one embodiment of the present invention, the liquid landing position is provided at the center of the upper surface of the substrate . In a state where the droplet supplying position is located in the peripheral region of the substrate, wherein the rinsing step you start.
According to this method, at the start of the rinsing process, the droplet supply position is located in the peripheral region of the substrate. In the rinsing step, a continuous flow of rinsing liquid is supplied toward the center of the upper surface of the substrate. In such a case, the occurrence of liquid splash can be suppressed or prevented.
この発明の一実施形態では、前記洗浄工程が、前記リンス工程における前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出流量よりも少ない吐出流量で、保護液ノズルから保護液を吐出する工程を含む。
この方法によれば、洗浄工程において、保護液ノズルから保護液が吐出される。液滴供給位置をこの保護液が覆うことにより、洗浄工程において、液滴供給位置に処理液液滴が直接噴射されることを防止することができる。また、保護液ノズルから保護液の吐出流量が小流量であるので、保護液ノズルから供給される保護液に処理液液滴が噴射されることに伴っては、液跳ねはそれほど発生しない。これにより、液跳ねの発生を抑制または防止しながら、基板の上面（表面）のダメージを低減できる。
In one embodiment of the invention, the cleaning process, the a small discharge flow rate than the discharge flow rate of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle in the rinsing step, including the step of discharging the protective liquid from the protective liquid nozzle.
According to this method, the protective liquid is discharged from the protective liquid nozzle in the cleaning step. By covering the droplet supply position with this protective liquid, it is possible to prevent the treatment liquid droplets from being directly ejected to the droplet supply position in the cleaning step. Further, since the discharge flow rate of the protective liquid from the protective liquid nozzle is small, the liquid splash does not occur so much when the treatment liquid droplets are ejected to the protective liquid supplied from the protective liquid nozzle. As a result, damage to the upper surface (surface) of the substrate can be reduced while suppressing or preventing the occurrence of liquid splashing.
さらには、洗浄工程において保護液を供給するので、基板の上面の液切れを防止することができる。これにより、洗浄工程において、基板の上面の全域を液膜で覆った状態（カバレッジ）に保ち続けることが可能である。
この発明の一実施形態では、前記保護液ノズルが、前記液滴供給位置の移動に同伴移動可能に設けられている。
Furthermore, since the protective liquid is supplied in the cleaning step, it is possible to prevent the liquid from running out on the upper surface of the substrate. As a result, in the cleaning process, it is possible to keep the entire upper surface of the substrate covered with the liquid film (coverage).
In one embodiment of the present invention, the protective liquid nozzle, that are provided so as to be allowed movement in the movement of the droplet supplying position.
この方法によれば、液滴供給位置の移動に同伴して、保護液ノズルが移動する。これにより、液滴供給位置が基板の上面のいずれに位置しているかに拘わらず、保護液ノズルから吐出される保護液によって液滴供給位置を覆わせることが可能である。
この発明の一実施形態では、前記保護液ノズルが、鉛直下方に向けて保護液を吐出する鉛直ノズルを含む。そして、前記リンス液ノズルが、鉛直方向に対して傾斜する方向に向けてリンス液を吐出する傾斜ノズルを含む。
According to this method, the protective liquid nozzle moves along with the movement of the droplet supply position. This makes it possible to cover the droplet supply position with the protective liquid discharged from the protective liquid nozzle regardless of which position on the upper surface of the substrate the droplet supply position is located.
In one embodiment of the present invention, the protective liquid nozzle, including a vertical nozzle for discharging the protective liquid vertically downward. Then, the rinse liquid nozzle is, including an inclined nozzle for discharging the rinsing liquid toward the direction inclined against the vertical direction.
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記リンス工程の後に、前記基板を静止状態とさせ、または前記基板の中央部を通る所定の鉛直軸線回りにパドル速度で前記基板を回転させることにより、前記基板の上面を覆うパドル状の液膜を形成させるパドル工程と、前記パドル工程の後に、前記液膜を前記基板の上面から排除させる排除工程であって、前記液膜に穴を形成させる穴形成工程と、前記穴を拡大させる工程とを有する排除工程とをさらに含む。そして、前記パドル工程が、前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出を停止しながら、前記保護液ノズルから保護液を吐出させる工程を含む。 In one embodiment of the invention, the substrate processing method causes the substrate to stand still or rotate the substrate at paddle speed around a predetermined vertical axis passing through the center of the substrate after the rinsing step. A paddle step of forming a paddle-shaped liquid film covering the upper surface of the substrate and an exclusion step of removing the liquid film from the upper surface of the substrate after the paddle step, wherein the liquid film has holes. a hole forming step of forming, further including a rejection step and a step to enlarge the hole. Then, the paddle process, while stopping the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle, step a including ejecting protective liquid from the protective liquid nozzle.
とくに、本方法は、前記保護液ノズルが前記鉛直ノズルを含みかつ前記リンス液ノズルが前記傾斜ノズルを含む構成と組み合わされることが望ましい。この場合、保護液ノズルが鉛直ノズルを含むので、保護液ノズルからの保護液が基板の上面に鉛直方向に入射する。そのため、保護液を良好に液盛りすることができ、これにより、パドル状の液膜を良好に形成することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板の上面が疎水性を呈している。
In particular, it is desirable that this method be combined with a configuration in which the protective liquid nozzle includes the vertical nozzle and the rinse liquid nozzle includes the inclined nozzle . In this case, since the protective liquid nozzle includes the vertical nozzle, the protective liquid from the protective liquid nozzle is incident on the upper surface of the substrate in the vertical direction. Therefore, the protective liquid can be satisfactorily filled, and thus a paddle-shaped liquid film can be satisfactorily formed.
In one embodiment of the present invention, the upper surface of the substrate is hydrophobic.
この発明は、チャンバと、前記チャンバの内部において、基板を水平姿勢で保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板を、当該基板の中央部を通る鉛直軸線回りに回転させる回転ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に設定された液滴供給位置に向けて処理液液滴を噴射する液滴ノズルを有し、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の上面に前記処理液液滴を供給する液滴供給ユニットと、前記チャンバの内部に固定された、前記基板の上面の予め定める着液位置に向けて連続流状のリンス液を吐出するリンス液ノズルを有し、前記基板の上面にリンス液を供給するリンス液供給ユニットと、前記液滴供給ユニットおよび前記リンス液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置が、前記液滴供給ユニットにより前記液滴ノズルから前記処理液液滴を前記液滴供給位置に向けて吐出して、前記基板の上面を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程に続いて、前記リンス液供給ユニットにより前記リンス液ノズルから前記基板の上面に連続流状のリンス液を吐出して、前記基板の上面をリンス液で洗い流すリンス工程と、前記洗浄工程から前記リンス工程への移行において、前記着液位置に着液するリンス液が前記液滴供給位置に到達する前のタイミングで、前記液滴ノズルからの前記処理液液滴の吐出を停止させる液滴吐出停止工程とを実行する、基板処理装置を提供する。 According to the present invention, a chamber, a substrate holding unit that holds a substrate in a horizontal position inside the chamber, and a substrate held by the substrate holding unit are rotated about a vertical axis passing through a central portion of the substrate. It has a rotating unit and a droplet nozzle that ejects treatment liquid droplets toward a droplet supply position set on the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit, and is held by the substrate holding unit. A droplet supply unit that supplies the treatment liquid droplets to the upper surface of the substrate, and a rinse that discharges a continuous flow of rinse liquid toward a predetermined liquid landing position on the upper surface of the substrate fixed inside the chamber. The control device includes a rinse liquid supply unit having a liquid nozzle and supplying a rinse liquid to the upper surface of the substrate, and a control device for controlling the droplet supply unit and the rinse liquid supply unit. A cleaning step of ejecting the treatment liquid droplets from the droplet nozzle toward the droplet supply position by the supply unit to clean the upper surface of the substrate, and following the cleaning step, the rinse liquid supply unit In the rinsing step of ejecting a continuous flow of rinsing liquid from the rinsing liquid nozzle to the upper surface of the substrate and washing the upper surface of the substrate with the rinsing liquid, and in the transition from the washing step to the rinsing step, the liquid landing position. A substrate processing apparatus that executes a droplet ejection stop step of stopping the ejection of the processing liquid droplets from the droplet nozzle at a timing before the rinse liquid landing on the liquid reaches the droplet supply position. provide.
この発明の一実施形態では、前記液滴ノズルが、処理液に気体を混合して前記処理液液滴を生成し、生成された前記処理液液滴を前記液滴供給位置に吐出する複数流体ノズルを含む。そして、前記制御装置が、前記液滴吐出停止工程において、前記着液位置に着液するリンス液が前記液滴供給位置に到達する前のタイミングで、前記複数流体ノズルへの前記気体の供給を停止させる気体供給停止工程を実行する。 In one embodiment of the present invention, the droplet nozzle mixes a gas with the treatment liquid to generate the treatment liquid droplets, and discharges the generated treatment liquid droplets to the droplet supply position. including a fluid nozzle. Then , in the droplet ejection stop step, the control device supplies the gas to the plurality of fluid nozzles at a timing before the rinse liquid landing at the liquid landing position reaches the droplet supply position. to run a gas supply stopping step of stopping.
この構成によれば、複数流体ノズルを液滴ノズルとして用いる場合には、複数流体ノズルへの気体の供給を停止させることによって、液滴ノズルからの処理液液滴の吐出停止を実現することができる。
この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記液滴吐出停止工程において、前記リンス液ノズルからリンス液が吐出される前のタイミング、または前記リンス液ノズルからリンス液が吐出されるのと同時のタイミングで、前記液滴ノズルからの前記処理液液滴の吐出を停止させる工程を実行する。
According to this configuration, when the plurality of fluid nozzles are used as the droplet nozzles, the discharge of the processing liquid droplets from the droplet nozzles can be stopped by stopping the supply of gas to the plurality of fluid nozzles. it can.
In one embodiment of the present invention, the control device discharges the rinse liquid from the rinse liquid nozzle at the timing before the rinse liquid is discharged from the rinse liquid nozzle in the droplet discharge stop step. in the same timing and, to run the step of stopping the discharge of the treatment liquid droplets from the droplet nozzle.
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記液滴供給位置を、前記基板の上面内で移動させるための供給位置移動ユニットをさらに含む。そして、前記着液位置が、前記基板の上面の中央部に設けられている。そして、前記制御装置が、さらに前記供給位置移動ユニットを制御している。そして、前記制御装置が、前記供給位置移動ユニットによって前記液滴供給位置が前記基板の周縁領域に配置されている状態で、前記リンス工程を開始させる。 In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus, the droplet supplying position, further including a supply position movement unit for moving in the upper surface of the substrate. The liquid landing position is provided at the center of the upper surface of the substrate . Then , the control device further controls the supply position moving unit . Then, the control device, wherein in a state where the droplet supplying position by the supply position moving unit is arranged in the peripheral region of the substrate, Ru to start the rinsing process.
この構成によれば、リンス工程の開始時において、液滴供給位置が基板の周縁領域に配置されている。リンス工程においては、基板の上面の中央部に向けて連続流状のリンス液が供給される。このような場合において、液跳ねの発生を抑制または防止できる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板の上面に向けて保護液を吐出する保護液ノズルを有し、前記基板の上面に保護液を供給する保護液供給ユニットをさらに含む。そして、前記制御装置が、さらに前記保護液供給ユニットを制御している。そして、前記制御装置が、前記洗浄工程において、前記リンス工程における前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出流量よりも少ない吐出流量で、前記保護液ノズルから保護液を吐出する工程を実行する。
According to this configuration, at the start of the rinsing process, the droplet supply position is located in the peripheral region of the substrate. In the rinsing step, a continuous flow of rinsing liquid is supplied toward the center of the upper surface of the substrate. In such a case, the occurrence of liquid splash can be suppressed or prevented.
In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further comprises a protective liquid supply unit having a protective liquid nozzle for discharging a protective liquid toward the upper surface of the substrate and supplying the protective liquid to the upper surface of the substrate. including. Then , the control device further controls the protective liquid supply unit . Then, the control device is in the cleaning process, with a small discharge flow rate than the discharge flow rate of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle in the rinsing step, that perform the step of discharging the protective liquid from the protective liquid nozzle.
さらには、洗浄工程において保護液を供給するので、基板の上面の液切れを防止することができる。これにより、洗浄工程において、基板の上面の全域を液膜で覆った状態（カバレッジ）に保ち続けることが可能である。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記液滴供給位置を、前記基板の上面内で移動させるための供給位置移動ユニットをさらに含む。そして、前記保護液ノズルが、前記供給位置移動ユニットによる前記液滴供給位置の移動に同伴移動可能に設けられている。
Furthermore, since the protective liquid is supplied in the cleaning step, it is possible to prevent the liquid from running out on the upper surface of the substrate. As a result, in the cleaning process, it is possible to keep the entire upper surface of the substrate covered with the liquid film (coverage).
In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus, the droplet supplying position, further including a supply position movement unit for moving in the upper surface of the substrate. Then, the protective liquid nozzle, that are provided so as to be allowed movement in the movement of the droplet supplying position by said feed position moving unit.
この構成によれば、液滴供給位置の移動に同伴して、保護液ノズルが移動する。これにより、液滴供給位置が基板の上面のいずれに位置しているかに拘わらず、保護液ノズルから吐出される保護液によって液滴供給位置を覆わせることが可能である。
この発明の一実施形態では、前記保護液ノズルが、鉛直下方に向けて保護液を吐出する鉛直ノズルを含む。そして、前記リンス液ノズルが、鉛直方向に対して傾斜する方向に向けてリンス液を吐出する傾斜ノズルを含む。
According to this configuration, the protective liquid nozzle moves with the movement of the droplet supply position. This makes it possible to cover the droplet supply position with the protective liquid discharged from the protective liquid nozzle regardless of which position on the upper surface of the substrate the droplet supply position is located.
In one embodiment of the present invention, the protective liquid nozzle, including a vertical nozzle for discharging the protective liquid vertically downward. Then, the rinse liquid nozzle is, including an inclined nozzle for discharging the rinsing liquid toward the direction inclined against the vertical direction.
この発明の一実施形態では、前記制御装置が、少なくとも前記回転ユニットを制御して、前記リンス工程の後に、前記基板を静止状態とさせ、または前記鉛直軸線回りにパドル速度で前記基板を回転させることにより、前記基板の上面を覆うパドル状の液膜を形成させるパドル工程と、少なくとも前記回転ユニットを制御して、前記パドル工程の後に、前記液膜を前記基板の上面から排除させる排除工程であって、前記液膜に穴を形成させる穴形成工程と、前記穴を拡大させる工程とを有する排除工程とをさらに実行する。そして、前記制御装置が、前記パドル工程において、前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出を停止しながら、前記保護液ノズルから保護液を吐出させる工程を実行する。 In one embodiment of the invention, the control device controls at least the rotating unit to make the substrate stationary or rotate the substrate at paddle speed around the vertical axis after the rinsing step. A paddle step of forming a paddle-shaped liquid film covering the upper surface of the substrate, and an exclusion step of controlling at least the rotating unit to remove the liquid film from the upper surface of the substrate after the paddle step. Further, a hole forming step of forming a hole in the liquid film and an elimination step including a step of expanding the hole are further executed . Then, the control device, in the puddle process, while stopping the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle, to run the step of discharging the protective liquid from the protective liquid nozzle.
とくに、本構成は、前記保護液ノズルが前記鉛直ノズルを含みかつ前記リンス液ノズルが前記傾斜ノズルを含む構成と組み合わされることが望ましい。この場合、保護液ノズルが鉛直ノズルを含むので、保護液ノズルからの保護液が、基板の上面に鉛直方向に入射する。そのため、保護液を良好に液盛りすることができ、これにより、パドル状の液膜を良好に形成することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板の上面が疎水性を呈している。
In particular, this configuration is that the protective liquid nozzle comprises the vertical nozzle and the rinse liquid nozzle is combined with the configuration including the inclined nozzle is desirable. In this case, since the protective liquid nozzle includes the vertical nozzle, the protective liquid from the protective liquid nozzle is incident on the upper surface of the substrate in the vertical direction. Therefore, the protective liquid can be satisfactorily filled, and thus a paddle-shaped liquid film can be satisfactorily formed.
In one embodiment of the present invention, the upper surface of the substrate that have exhibited hydrophobic.
処理液配管２５には、処理液配管２５から液滴ノズル１９への処理液の吐出および供給停止を切り換える処理液バルブ２７が介装されている。
気体配管２６には、気体配管２６から液滴ノズル１９への気体の吐出および供給停止を切り換える液滴用気体バルブ２９が介装されている。液滴ノズル１９に供給される気体としては、一例として窒素ガス（Ｎ２）を例示できるが、窒素ガス以外の不活性ガス、たとえば乾燥空気や清浄空気などを採用することもできる。
The process liquid pipe 25, the treatment liquid valve 2 7 from the treatment liquid pipe 25 switches the discharge and supply stop of the processing liquid to the liquid droplet nozzle 19 is interposed.
The gas pipe 26 is provided with a droplet gas valve 29 that switches between discharging and stopping the supply of gas from the gas pipe 26 to the droplet nozzle 19. As the gas supplied to the droplet nozzle 19, nitrogen gas (N 2 ) can be exemplified as an example, but an inert gas other than nitrogen gas, such as dry air or clean air, can also be adopted.
図２に示すように、リンス液供給ユニット７は、リンス液ノズル４４を含む。リンス液ノズル４４は、たとえば連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック５の上方で、その吐出口を基板Ｗの上面中央部に向けて固定的に配置されている。リンス液ノズル４４は、鉛直方向に対して傾斜する方向に向けてリンス液を吐出する傾斜ノズルである。すなわち、着液位置Ｐ１に入射する入射方向Ｄ１は、鉛直方向に対して傾斜している。入射方向Ｄ１の鉛直方向に対する傾斜角度は、たとえば、２０〜３０度の範囲内における所定の角度に設定されている。リンス液ノズル４４には、リンス液供給源からのリンス液が、リンス液バルブ４５を介して供給される。リンス液バルブ４５が開かれると、リンス液ノズル４４に供給された連続流のリンス液が、リンス液ノズル４４の先端に設定された吐出口から吐出される。また、リンス液バルブ４５が閉じられると、リンス液ノズル４４からのリンス液の吐出が停止される。 As shown in FIG. 2, the rinse liquid supply unit 7 includes a rinse liquid nozzle 44. The rinse liquid nozzle 44 is, for example, a straight nozzle that discharges liquid in a continuous flow state, and is fixedly arranged above the spin chuck 5 with its discharge port facing the center of the upper surface of the substrate W. Rinse liquid nozzle 44 is an inclined nozzle for discharging the rinsing liquid toward the direction inclined against the vertical direction. That is, the incident direction D1 incident on the liquid landing position P1 is inclined with respect to the vertical direction. The inclination angle of the incident direction D1 with respect to the vertical direction is set to a predetermined angle within a range of, for example, 20 to 30 degrees. The rinse liquid from the rinse liquid supply source is supplied to the rinse liquid nozzle 44 via the rinse liquid valve 45. When the rinse liquid valve 45 is opened, the continuous flow rinse liquid supplied to the rinse liquid nozzle 44 is discharged from the discharge port set at the tip of the rinse liquid nozzle 44. When the rinse liquid valve 45 is closed, the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 44 is stopped.
リンス液ノズル４４から吐出されるリンス液は、水である。すなわち、リンス液ノズル４４から吐出される液種は、液滴ノズル１９から吐出される処理液と同じ液種であってもよいし、異なっていてもよい。
図２に示すように、保護液供給ユニット８は、保護液ノズル４６を含む。保護液ノズル４６は、たとえば連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。保護液ノズル４６は、鉛直下方に向けて保護液を吐出する鉛直ノズルである。すなわち、保護液ノズル４６は、鉛直下方に向く吐出口４６ａを先端に有している。保護液ノズル４６には、保護液供給源からの保護液が、保護液バルブ４７を介して供給される。保護液バルブ４７が開かれると、保護液ノズル４６に供給された連続流の保護液が、保護液ノズル４６の吐出口４６ａから吐出される。また、保護液バルブ４７が閉じられると、保護液ノズル４６からの処理液の吐出が停止される。この実施形態では、保護液ノズル４６から吐出される保護液は、たとえば水である。
The rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle 44 is water. That is, the liquid type discharged from the rinse liquid nozzle 44 may be the same liquid type as the treatment liquid discharged from the droplet nozzle 19, or may be different.
As shown in FIG. 2, the protective liquid supply unit 8 includes a protective liquid nozzle 46. The protective liquid nozzle 46 is, for example, a straight nozzle that discharges liquid in a continuous flow state. The protective liquid nozzle 46 is a vertical nozzle that discharges the protective liquid vertically downward. That is, the protective liquid nozzle 46 has a discharge port 46a that faces vertically downward at the tip. The protective liquid from the protective liquid supply source is supplied to the protective liquid nozzle 46 via the protective liquid valve 47. When the protective liquid valve 47 is opened, the continuous flow protective liquid supplied to the protective liquid nozzle 46 is discharged from the discharge port 46a of the protective liquid nozzle 46. When the protective liquid valve 47 is closed, the discharge of the treatment liquid from the protective liquid nozzle 46 is stopped. In this embodiment, the coercive Mamorueki discharged from the protective liquid nozzle 46 is, for example, water.
カバー工程Ｓ３の開始（すなわち、リンス液ノズル４４によるリンス液の吐出開始）から所定の時間が経過すると、制御装置３はリンス液バルブ４５を閉じ、基板Ｗの上面へのリンス液の供給が停止される。これにより、カバー工程Ｓ３が終了する。
次いで、制御装置３が、図７Ｂに示す洗浄工程（図５のステップＳ４）を実行する。洗浄工程Ｓ４は、液滴ノズル１９から処理液液滴を基板Ｗの上面に供給することにより基板Ｗの上面を洗浄する工程である。具体的には、制御装置３は、処理液バルブ２７および液滴用気体バルブ２９を開く。これにより、液滴ノズル１９に処理液および気体の一例である窒素ガスが同時に供給され、供給された処理液および窒素ガスは、液滴ノズル１９の外部の吐出口（処理液吐出口４１（図２参照））近傍で混合される。これにより、処理液の微小な液滴の噴流が形成され、液滴ノズル１９から処理液液滴の噴流が吐出される。そのため、基板Ｗの上面に円形の液滴供給位置ＤＡが形成される。液滴供給位置ＤＡに、液滴ノズル１９からの多数の処理液液滴が吹き付けられるので、処理液液滴の衝突によって、液滴供給位置ＤＡに付着している異物（パーティクルなど）を物理的に除去できる（物理洗浄）。
When a predetermined time has elapsed from the start of the cover step S3 (that is, the start of discharging the rinse liquid by the rinse liquid nozzle 44), the control device 3 closes the rinse liquid valve 45 and stops the supply of the rinse liquid to the upper surface of the substrate W. Will be done. As a result, the cover step S3 is completed.
Next, the control device 3 executes the cleaning step shown in FIG. 7B (step S4 in FIG. 5). The cleaning step S4 is a step of cleaning the upper surface of the substrate W by supplying the treatment liquid droplets from the droplet nozzle 19 to the upper surface of the substrate W. Specifically, the control device 3 opens the treatment liquid valve 27 and the droplet gas valve 29. Accordingly, the nitrogen gas which is an example of the treatment liquid contact and gas liquid droplet nozzle 19 is simultaneously supplied, the supplied process liquid contact and nitrogen gas, an external discharge port of the liquid droplet nozzle 19 (treatment liquid outlet port 41 (See FIG. 2)) Mixed in the vicinity. As a result, a jet of minute droplets of the treatment liquid is formed, and the jet of the treatment liquid droplets is discharged from the droplet nozzle 19. Therefore, a circular droplet supply position DA is formed on the upper surface of the substrate W. Since a large number of processing liquid droplets from the droplet nozzle 19 are sprayed onto the droplet supply position DA, foreign matter (particles, etc.) adhering to the droplet supply position DA is physically removed by the collision of the processing liquid droplets. Can be removed (physical cleaning).
洗浄工程Ｓ４からリンス工程Ｓ５への移行において、図６に実線で示すように、リンス液ノズル４４から着液位置Ｐ１に向けてリンス液が吐出される前のタイミングで、液滴供給位置ＤＡへの液滴ノズル１９からの処理液液滴の吐出が停止させられる。また、洗浄工程Ｓ４からリンス工程Ｓ５への移行において、図６に一点鎖線で示すように、リンス液ノズル４４から着液位置Ｐ１に向けてリンス液が吐出されると同時のタイミングで、液滴供給位置ＤＡへの液滴ノズル１９からの処理液液滴の吐出が停止させられるようになっていてもよい。 In the transition from the washing step S4 to the rinse step S 5, as shown by the solid line in FIG. 6, at the timing before the rinsing liquid towards the rinse liquid nozzle 44 in Chakueki position P1 is discharged, the droplet supplying position DA Discharge of the treatment liquid droplets from the droplet nozzle 19 to the Further, in the transition from the washing step S4 to the rinse step S 5, as shown in FIG. 6 by the dashed line, at the same timing when the rinsing liquid towards the rinse liquid nozzle 44 in Chakueki position P1 is discharged, the liquid The discharge of the treatment liquid droplets from the droplet nozzle 19 to the droplet supply position DA may be stopped.
また、リンス工程Ｓ５において、制御装置３は、液滴ノズル１９からの処理液液滴の吐出を停止しながら、液滴ノズル１９および保護液ノズル４６を、周縁位置Ｐｅから中央位置Ｐｃに向けて移動させる。中央位置Ｐｃに達した液滴ノズル１９および保護液ノズル４６は、中央位置Ｐｃにおいて静止させられる。
これにより、洗浄工程において、基板の上面の全域を液膜で覆った状態（カバレッジ）に保ち続けることが可能である。リンス工程Ｓ５においても、基板Ｗの上面の全域を液膜で覆う液膜６１が形成されている。リンス工程Ｓ５の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ４５を閉じて、リンス液ノズル４４からのリンス液の吐出を停止させる。
Further, in the rinsing step S5, the control device 3 directs the droplet nozzle 19 and the protective liquid nozzle 46 from the peripheral position Pe to the central position Pc while stopping the ejection of the processing liquid droplets from the droplet nozzle 19. Move it. The droplet nozzle 19 and the protective liquid nozzle 46 that have reached the central position Pc are made stationary at the central position Pc.
This ensures that in the cleaning step, it is possible to continue keeping the state of covering the entire upper surface of the substrate in the liquid film (coverage). Also in the rinsing step S5, the liquid film 61 is formed so as to cover the entire upper surface of the substrate W with the liquid film. When a predetermined period elapses from the start of the rinsing step S5, the control device 3 closes the rinsing liquid valve 45 and stops the discharge of the rinsing liquid from the rinsing liquid nozzle 44.
以上によりこの実施形態によれば、処理液液滴が液滴供給位置ＤＡに供給される洗浄工程Ｓ４から連続流のリンス液が供給されるリンス工程Ｓ５への移行において、リンス液ノズル４４から着液位置Ｐ１に向けてリンス液が吐出される前のタイミングで、液滴供給位置ＤＡへの液滴ノズル１９からの処理液液滴の吐出が停止させられる。
仮に、リンス液ノズル４４からリンス液が吐出された後のタイミングで処理液液滴の吐出が停止させられるとすると、処理液液滴の吐出停止に先立って、液滴供給位置ＤＡにリンス液が到達するおそれがある。この場合、リンス液の供給に伴って分厚くなった液膜に対して処理液液滴が吹き付けられる結果、液跳ねが発生するおそれがある。
According to this embodiment the above, the treatment liquid droplets migrate to the rinse step S 5 the rinsing liquid continuous flow from the washing step S4, is supplied to the droplet supplying position DA is supplied from the rinse liquid nozzle 44 The discharge of the processing liquid droplet from the droplet nozzle 19 to the droplet supply position DA is stopped at the timing before the rinse liquid is discharged toward the liquid landing position P1.
Assuming that the discharge of the treatment liquid droplets is stopped at the timing after the rinse liquid is discharged from the rinse liquid nozzle 44, the rinse liquid is discharged to the droplet supply position DA prior to the stop of the discharge of the treatment liquid droplets. May reach. In this case, as a result of spraying the treatment liquid droplets on the liquid film thickened with the supply of the rinse liquid, liquid splashing may occur.
これに対し、本実施形態では、リンス液ノズル４４からリンス液が吐出される前のタイミングで、またはリンス液ノズル４４からリンス液が吐出されると同時のタイミングで液滴ノズル１９からの処理液液滴の吐出が停止させられるので、分厚い液膜に対して処理液液滴が吐出されることを回避することができる。これにより、洗浄工程Ｓ４からリンス工程Ｓ５への移行における液跳ねの発生を抑制または防止できる。したがって、基板Ｗの上面における液滴供給位置ＤＡに、液跳ねに起因するミストが付着することを抑制または防止できる。したがって、基板Ｗの上面における液滴供給位置ＤＡにミストが付着することを抑制または防止できる。これにより、基板Ｗの上面が疎水性を呈している場合であっても、基板Ｗの上面（表面）におけるウォーターマークの発生を抑制または防止できる。 On the other hand, in the present embodiment, the treatment liquid from the droplet nozzle 19 is at the timing before the rinse liquid is discharged from the rinse liquid nozzle 44, or at the same timing as when the rinse liquid is discharged from the rinse liquid nozzle 44. Since the ejection of the droplets is stopped, it is possible to prevent the treatment liquid droplets from being ejected to the thick liquid film. Thus, the occurrence of liquid splashing in the transition to the rinse step S 5 can be suppressed or prevented from the washing step S4. Therefore, it is possible to suppress or prevent the mist due to the liquid splash from adhering to the droplet supply position DA on the upper surface of the substrate W. Therefore, it is possible to suppress or prevent mist from adhering to the droplet supply position DA on the upper surface of the substrate W. Thereby, even when the upper surface of the substrate W is hydrophobic, the generation of watermarks on the upper surface (surface) of the substrate W can be suppressed or prevented.
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば、洗浄工程Ｓ４からリンス工程Ｓ５への移行において、液滴ノズル１９への処理液の供給および液滴ノズル１９への気体の供給の双方を停止することにより、液滴ノズル１９からの処理液液滴の吐出を停止させるとして説明した。しかしながら、液滴ノズル１９からの処理液液滴の吐出を停止させるべく、液滴ノズル１９への気体の供給のみを停止するようにしてもよい。この場合、液滴ノズル１９からの連続流状の処理液の吐出は継続される。しかしながら、処理液の種類によっては（たとえば処理液がリンス液と同様の水である場合等）、液滴ノズル１９からの連続流状の処理液を吐出しても、リンス工程Ｓ５を阻害することにはならない。むしろ、基板Ｗの上面をカバレッジする観点からは、液滴ノズル１９からの処理液の液滴の吐出停止後も、液滴ノズル１９から連続流状の処理液を吐出することが望ましい。
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention can also be implemented in other embodiments.
For example, in the transition from the washing step S4 to the rinse step S 5, by stopping both the supply of gas to the supply and drop nozzle 19 of the processing liquid to the liquid droplet nozzle 19, the processing from the droplet nozzle 19 It has been described as stopping the discharge of liquid droplets. However, in order to stop the ejection of the processing liquid droplets from the droplet nozzle 19, only the supply of gas to the droplet nozzle 19 may be stopped. In this case, the continuous flow of the processing liquid is continuously discharged from the droplet nozzle 19. However, depending on the type of the processing liquid (for example, when the processing liquid is the same water and the rinsing liquid, etc.), be discharged a continuous flow shape of the processing liquid from the liquid droplet nozzle 19 inhibits the rinsing step S 5 It doesn't mean that. Rather, from the viewpoint of covering the upper surface of the substrate W, it is desirable to discharge the continuous flow of the treatment liquid from the droplet nozzle 19 even after the discharge of the treatment liquid droplets from the droplet nozzle 19 is stopped.
洗浄工程Ｓ４からリンス工程Ｓ５への移行において、図６に破線で示すように、リンス液ノズル４４から着液位置Ｐ１に向けてリンス液が吐出された後のタイミングで、液滴ノズル１９からの処理液液滴の吐出が停止されてもよい（すなわち、液滴ノズル１９からの処理液液滴の吐出停止前に、リンス液ノズル４４からのリンス液吐出が開始されてもよい）。但し、基板Ｗの中心部の着液位置Ｐ１に供給されたリンス液が、液滴供給位置ＤＡが配置されている基板Ｗの周縁領域Ｒｅに到達する前のタイミングで、したがって、基板Ｗの液処理速度において、基板Ｗの中心部に供給されたリンス液が基板Ｗの周縁領域Ｒｅに到達するのに要する到達所要期間を測定しておき、リンス液ノズル４４からのリンス液の吐出開始後、この到達所要期間未満において、液滴ノズル１９からの処理液液滴の吐出を停止するようにしてもよい。この場合、リンス液が液滴供給位置に到達する前のタイミングで処理液液滴の吐出が停止されるので、分厚い液膜に対して処理液液滴が吐出されることを回避することができる。 In the transition from the washing step S4 to the rinse step S 5, as indicated by a broken line in FIG. 6, at the timing after the rinse liquid is discharged toward the Chakueki position P1 from the rinse liquid nozzle 44, from the droplet nozzle 19 The discharge of the treatment liquid droplets may be stopped (that is, the rinse liquid discharge from the rinse liquid nozzle 44 may be started before the discharge of the treatment liquid droplets from the droplet nozzle 19 is stopped). However, the rinse liquid supplied to the liquid landing position P1 at the center of the substrate W reaches the peripheral region Re of the substrate W where the droplet supply position DA is arranged, and therefore the liquid on the substrate W. At the processing speed, the time required for the rinse liquid supplied to the central portion of the substrate W to reach the peripheral region Re of the substrate W is measured, and after the start of discharge of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 44, the rinse liquid is discharged. The discharge of the treatment liquid droplets from the droplet nozzle 19 may be stopped within the required arrival period. In this case, since the discharge of the treatment liquid droplet is stopped at the timing before the rinse liquid reaches the droplet supply position, it is possible to prevent the treatment liquid droplet from being discharged to the thick liquid film. ..
Claims (18)
前記洗浄工程に続いて、前記基板の上面の予め定める着液位置に向けてリンス液ノズルから連続流状のリンス液を吐出して、前記基板の上面をリンス液で洗い流すリンス工程と、
前記洗浄工程から前記リンス工程への移行において、前記着液位置に着液するリンス液が前記液滴供給位置に到達する前のタイミングで、前記液滴ノズルからの前記処理液液滴の吐出を停止させる液滴吐出停止工程とを含む、基板処理方法。 A cleaning step of injecting treatment liquid droplets from a droplet nozzle toward a droplet supply position set on the upper surface of the substrate held in a horizontal posture to clean the upper surface of the substrate.
The Following washing step, by discharging the rinsing liquid continuous flow like from the rinse liquid nozzle towards the previously determined Chakueki position of the upper surface of the front Stories substrate, a rinsing step of washing away the top surface of the substrate with a rinsing liquid,
In the transition from the cleaning step to the rinsing step, the treatment liquid droplets are discharged from the droplet nozzle at a timing before the rinsing liquid landing at the liquid landing position reaches the droplet supply position. A substrate processing method including a step of stopping droplet ejection to be stopped.
前記液滴吐出停止工程が、前記着液位置に着液するリンス液が前記液滴供給位置に到達する前のタイミングで、前記複数流体ノズルへの前記気体の供給を停止させる気体供給停止工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法。 The droplet nozzle includes a plurality of fluid nozzles that mix a gas with the treatment liquid to generate the treatment liquid droplet and discharge the generated treatment liquid droplet to the droplet supply position.
A gas supply stop step of stopping the supply of the gas to the plurality of fluid nozzles at a timing before the rinse liquid landing at the liquid landing position reaches the droplet supply position. The substrate processing method according to claim 1, which comprises.
前記液滴供給位置が前記基板の周縁領域に配置されている状態で、前記リンス工程が開始する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The liquid landing position is provided in the center of the upper surface of the substrate.
The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3, wherein the rinsing step is started in a state where the droplet supply position is arranged in the peripheral region of the substrate.
前記リンス液ノズルが、鉛直方向に対して傾斜する方向に向けてリンス液を吐出する傾斜ノズルを含む、請求項５または６に記載の基板処理方法。 The protective liquid nozzle includes a vertical nozzle that discharges the protective liquid vertically downward.
The rinse liquid nozzle comprises an inclined nozzle for discharging the rinsing liquid toward the direction inclined against the vertical direction, the substrate processing method according to claim 5 or 6.
前記パドル工程の後に、前記液膜を前記基板の上面から排除させる排除工程であって、前記液膜に穴を形成させる穴形成工程と、前記穴を拡大させる工程とを有する排除工程とをさらに含み、
前記パドル工程が、前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出を停止しながら、前記保護液ノズルから保護液を吐出させる工程を含む、請求項５〜７のいずれか一項に記載の基板処理方法。 After the rinsing step, the substrate is made to stand still, or the substrate is rotated at a paddle speed around a predetermined vertical axis passing through the central portion of the substrate, whereby a paddle-shaped liquid film covering the upper surface of the substrate is formed. And the paddle process to form
After the paddle step, an exclusion step of removing the liquid film from the upper surface of the substrate, further comprising a hole forming step of forming a hole in the liquid film and a step of expanding the hole. Including
The substrate processing method according to any one of claims 5 to 7, wherein the paddle step includes a step of discharging the protective liquid from the protective liquid nozzle while stopping the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle. ..
前記チャンバの内部において、基板を水平姿勢で保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板を、当該基板の中央部を通る鉛直軸線回りに回転させる回転ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に設定された液滴供給位置に向けて処理液液滴を噴射する液滴ノズルを有し、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の上面に前記処理液液滴を供給する液滴供給ユニットと、
前記チャンバの内部に固定された、前記基板の上面の予め定める着液位置に向けて連続流状のリンス液を吐出するリンス液ノズルを有し、前記基板の上面にリンス液を供給するリンス液供給ユニットと、
前記液滴供給ユニットおよび前記リンス液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
前記制御装置が、
前記液滴供給ユニットにより前記液滴ノズルから前記処理液液滴を前記液滴供給位置に向けて吐出して、前記基板の上面を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程に続いて、前記リンス液供給ユニットにより前記リンス液ノズルから前記基板の上面に連続流状のリンス液を吐出して、前記基板の上面をリンス液で洗い流すリンス工程と、
前記洗浄工程から前記リンス工程への移行において、前記着液位置に着液するリンス液が前記液滴供給位置に到達する前のタイミングで、前記液滴ノズルからの前記処理液液滴の吐出を停止させる液滴吐出停止工程とを実行する、基板処理装置。 With the chamber
A substrate holding unit that holds the substrate in a horizontal position inside the chamber,
A rotating unit that rotates the substrate held by the substrate holding unit around the vertical axis passing through the center of the substrate, and
A droplet nozzle for ejecting treatment liquid droplets toward a droplet supply position set on the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit is provided, and the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit has a droplet nozzle. A droplet supply unit that supplies the treatment liquid droplets and
A rinse liquid nozzle fixed inside the chamber that discharges a continuous flow of rinse liquid toward a predetermined liquid landing position on the upper surface of the substrate, and supplies the rinse liquid to the upper surface of the substrate. With the supply unit
Including the droplet supply unit and a control device for controlling the rinse liquid supply unit.
The control device
A cleaning step of ejecting the treatment liquid droplets from the droplet nozzle toward the droplet supply position by the droplet supply unit to clean the upper surface of the substrate.
Following the cleaning step, the rinsing liquid supply unit discharges a continuous flow of rinsing liquid from the rinsing liquid nozzle onto the upper surface of the substrate, and the upper surface of the substrate is washed away with the rinsing liquid.
In the transition from the cleaning step to the rinsing step, the treatment liquid droplets are discharged from the droplet nozzle at a timing before the rinsing liquid landing at the liquid landing position reaches the droplet supply position. A substrate processing device that executes a droplet ejection stop process to be stopped.
前記制御装置が、前記液滴吐出停止工程において、前記着液位置に着液するリンス液が前記液滴供給位置に到達する前のタイミングで、前記複数流体ノズルへの前記気体の供給を停止させる気体供給停止工程を実行する、請求項１０に記載の基板処理装置。 The droplet nozzle includes a plurality of fluid nozzles that mix a gas with the treatment liquid to generate the treatment liquid droplet and discharge the generated treatment liquid droplet to the droplet supply position.
In the droplet ejection stop step, the control device stops the supply of the gas to the plurality of fluid nozzles at a timing before the rinse liquid landing at the liquid landing position reaches the droplet supply position. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein the gas supply stop step is executed.
前記着液位置が、前記基板の上面の中央部に設けられており、
前記制御装置が、さらに前記供給位置移動ユニットを制御しており、
前記制御装置が、前記供給位置移動ユニットによって前記液滴供給位置が前記基板の周縁領域に配置されている状態で、前記リンス工程を開始させる、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。 A supply position moving unit for moving the droplet supply position within the upper surface of the substrate is further included.
The liquid landing position is provided in the center of the upper surface of the substrate.
The control device further controls the supply position moving unit.
Wherein the controller, wherein in a state where the droplet supplying position by the supply position moving unit is arranged in the peripheral region of the substrate, wherein the Ru rinsing process is started, according to any one of claims 10 to 12 Board processing equipment.
前記制御装置が、さらに前記保護液供給ユニットを制御しており、
前記制御装置が、前記洗浄工程において、前記リンス工程における前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出流量よりも少ない吐出流量で、前記保護液ノズルから保護液を吐出する工程をさらに実行する、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。 A protective liquid nozzle for ejecting the protective liquid towards the upper surface of the front Stories substrate further includes a protective liquid supply unit for supplying protective liquid on the upper surface of the substrate,
The control device further controls the protective liquid supply unit.
The claim that the control device further executes a step of discharging the protective liquid from the protective liquid nozzle in the cleaning step at a discharge flow rate smaller than the discharge flow rate of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle in the rinse step. The substrate processing apparatus according to any one of 10 to 13.
前記保護液ノズルが、前記供給位置移動ユニットによる前記液滴供給位置の移動に同伴移動可能に設けられている、請求項１４に記載の基板処理装置。 A supply position moving unit for moving the droplet supply position within the upper surface of the substrate is further included.
The substrate processing apparatus according to claim 14, wherein the protective liquid nozzle is provided so as to be movable along with the movement of the droplet supply position by the supply position movement unit.
前記リンス液ノズルが、鉛直方向に対して傾斜する方向に向けてリンス液を吐出する傾斜ノズルを含む、請求項１４または１５に記載の基板処理装置。 The protective liquid nozzle includes a vertical nozzle that discharges the protective liquid vertically downward.
The rinse liquid nozzle comprises an inclined nozzle for discharging the rinsing liquid toward the direction inclined against the vertical direction, the substrate processing apparatus according to claim 14 or 15.
前記制御装置が、前記パドル工程において、前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出を停止しながら、前記保護液ノズルから保護液を吐出させる工程を実行する、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The control device controls at least the rotating unit to make the substrate stationary or rotate the substrate at a paddle speed around the vertical axis after the rinsing step to bring the upper surface of the substrate into a stationary state. A paddle step of forming a paddle-shaped liquid film to be covered, and an exclusion step of controlling at least the rotating unit to remove the liquid film from the upper surface of the substrate after the paddle step, wherein the liquid film has holes. A hole forming step for forming the hole and an exclusion step having the step of expanding the hole are further executed.
Any one of claims 14 to 16, wherein the control device executes a step of discharging the protective liquid from the protective liquid nozzle while stopping the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle in the paddle step. The substrate processing apparatus according to.
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